CN113394137B - 微发光器件的转印装置、转印方法及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种微发光器件的转印装置、转印方法及显示面板，微发光器件的转印装置包括：拾取基板，用于接收待转移的微发光器件，拾取基板包括层叠设置的第一本体及第一粘接层，第一粘接层背离第一本体的表面具有用于与微发光器件对位的第一对位标记；目标基板，用于接收从拾取基板转移的微发光器件，目标基板和拾取基板相对可移动设置，目标基板包括层叠设置的第二本体及用于粘接微发光器件的第二粘接层；激光器，用于发射激光以使微发光器件由第一粘接层脱落。本发明实施例的转印装置通过在第一粘接层上设置第一对位标记能够提高微发光器件和拾取基板的对位精度，提高微发光器件转移技术的良率。

Description

微发光器件的转印装置、转印方法及显示面板
技术领域
本发明涉及显示制备设备技术领域，尤其涉及一种微发光器件的转印装置、转印方法及显示面板。
背景技术
微型发光二极管(Micro-LED)技术，即LED微缩化和矩阵化技术，是在一个芯片上集成高密度微小尺寸的LED阵列，像素尺寸达到100微米以下。Micro-LED技术是一种新的发光显示技术，相比传统LCD、OLED等，Micro LED有着功耗低、响应快、寿命长、光效率高等特点。随着显示屏尺寸增加，需要将百万甚至千万微米级尺寸大小的LED芯片进行转移，传统转移工艺已无法满足。
Micro-LED的巨量转移既要保证转移的效率还要保证转移的良率。巨量转移技术有多种不同方式，其中激光转印是一种新型的巨量转移技术，具有转移量和转移率高等优势，但是目前激光转印技术中的良率较低。
发明内容
本发明实施例提供一种微发光器件的转印装置、转印方法及显示面板，旨在提高微发光器件转移技术的良率。
本发明第一方面的实施例提供了一种微发光器件的转印装置，微发光器件的转印装置包括：拾取基板，用于接收待转移的微发光器件，拾取基板包括层叠设置的第一本体及第一粘接层，第一粘接层背离第一本体的表面具有用于与微发光器件对位的第一对位标记；目标基板，用于接收从拾取基板转移的微发光器件，目标基板和拾取基板相对可移动设置，目标基板包括层叠设置的第二本体及用于粘接微发光器件的第二粘接层；激光器，用于发射激光以使微发光器件由第一粘接层脱落。
根据本发明第一方面的实施方式，第二粘接层背离第二本体的表面具有用于与微发光器件对位的第二对位标记。使得微发光器件可以通过第二对位标记与目标基板进行对位，提高微发光器件和目标基板之间的对位精度，进而提高微发光器件转移技术的良率。根据第二对位标记还可以快速判断微发光器件和目标基板之间的对位精度是否达到要求。
根据本发明第一方面前述任一实施方式，第二对位标记呈凹槽状并用于容纳微发光器件，使得微发光器件能够容纳于第二对位标记内完成其与目标基板的对位；或者，第二对位标记呈环状并用于环绕微发光器件。当微发光器件位于第二对位标记内时，可以认为微发光器件和目标基板完成了对位。
根据本发明第一方面前述任一实施方式，第二对位标记和微发光器件一一对应设置，使得各微发光器件能够通过各第二对位标记与目标基板对位。
根据本发明第一方面前述任一实施方式，第二对位标记的形状包括圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形中的至少一个。
根据本发明第一方面前述任一实施方式，至少部分第一对位标记和至少部分第二对位标记的位置相对应。通过合理设置第一对位标记和第二对位标记的位置，使得拾取基板和目标基板还可以通过第一对位标记和第二对位标记进行对位。因此本申请中无需在拾取基板和目标基板上再单独设置对位标记，能够简化拾取基板和目标基板的结构。
根据本发明第一方面前述任一实施方式，第一对位标记和第二对位标记的个数相等，使得各第一对位标记和各第二对位标记能够对应设置。
根据本发明第一方面前述任一实施方式，第一对位标记呈凹槽状并用于容纳微发光器件，使得微发光器件能够容纳于第一对位标记内完成其与拾取基板的对位；或者，第一对位标记呈环状并用于环绕微发光器件。当微发光器件位于第一对位标记内时，可以认为微发光器件和拾取基板完成了对位。
根据本发明第一方面前述任一实施方式，第一对位标记和微发光器件一一对应设置，使得各微发光器件能够通过各第一对位标记与拾取基板对位。
根据本发明第一方面前述任一实施方式，第一对位标记的形状包括圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形中的至少一个。
根据本发明第一方面前述任一实施方式，第一粘接层和/或第二粘接层的厚度为2μm～20μm。当第一粘接层和/或第二粘接层的厚度在上述范围之内时，既能够避免第一粘接层和/或第二粘接层的厚度过薄，导致微发光器件难以粘接于第一粘接层和/或第二粘接层上，或者导致第一对位标记和/或第二对位标记不清晰。也能够避免第一粘接层和/或第二粘接层的厚度过厚，导致微胶材材料的浪费。
本发明第二方面的实施例还提供了一种微发光器件的转印方法，包括：
提供一种拾取基板，拾取基板包括层叠设置的第一本体及第一粘接层，第一粘接层背离第一本体的表面具有第一对位标记；
根据第一对位标记将待转移的微发光器件粘接于第一粘接层表面；
提供一种目标基板，目标基板包括层叠设置的第二本体及第二粘接层；
令拾取基板和目标基板对位；
向拾取基板发射激光以使微发光器件由第一粘接层脱落并粘接于第二粘接层。
在本发明第二方面实施例提供的微发光器件的转印方法中，首先提供一种拾取基板，且拾取基板的第一粘接层上设置有第一对位标记。因此可以通过第一对位标记将待转移的微发光器件粘接于第一粘接层，能够提高微发光器件和拾取基板之间的对位精度，进而提高微发光器件的转印精度。然后提供一种目标基板，并使得目标基板和拾取基板对位。最后发射激光，微发光器件由拾取基板脱落并粘接于目标基板的第二粘接层上，完成微发光器件的转移。
根据本发明第二方面的实施方式，在提供一种拾取基板的步骤之前还包括制备拾取基板，在制备拾取基板的步骤中：
将带有第一对位标记的第一粘接层设置于第一本体的表面形成拾取基板。因此可以首先将第一对位标记预制于第一粘接层上，在制备拾取基板时，直接将第一粘接层设置在第一本体表面即可，制备方式简单快捷。
根据本发明第二方面的实施方式，在第一本体表面涂覆胶层，对胶层进行图案化处理形成第一对位标记。因此在制备拾取基板的过程中对胶层图案化处理形成第一对位标记，方便用户根据使用需求制备合适尺寸和形状的第一对位标记。
根据本发明第二方面前述任一实施方式，第二粘接层具有第二对位标记，在令拾取基板和目标基板对位的步骤中：根据第一对位标记和第二对位标记令拾取基板和目标基板对位。根据第一对位标记和第二对位标记能够实现拾取基板和目标基板的对位，进一步提高转移方法的良率。此外，根据第二对位标记还可以判断目标基板上的微发光器件的对位精度。
根据本发明第二方面前述任一实施方式，在提供一种目标基板的步骤之前还包括制备目标基板，在制备目标基板的步骤中：
将带有第二对位标记的第二粘接层设置于第二本体的表面形成目标基板。因此可以先将第二对位标记预制于第二粘接层上，在制备目标基板时，直接将第二粘接层设置在第二本体表面即可，制备方式简单快捷。
根据本发明第二方面前述任一实施方式，在第二本体表面涂覆胶层，对胶层进行图案化处理形成带有第二对位标记的第二粘接层。因此在制备目标基板的过程中对胶层图案化处理形成第二对位标记，方便用户根据使用需求制备合适尺寸和形状的第二对位标记。
本发明第三方面的实施例还提供了一种显示面板，使用上述任一第二方面实施例提供的微发光器件的转印方法制备成型。
本发明提供了一种微发光器件的转印装置、转印方法及显示面板，转印装置包括拾取基板、目标基板和激光器。拾取基板能够拾取待转移的微发光器件，激光器能够发出激光使得微发光器件由拾取基板脱落，目标基板用于承载由拾取基板脱落的微发光器件。拾取基板包括第一本体和第一粘接层，第一本体能够提供承载，第一粘接层能够使得待转移的微发光器件粘接于拾取基板。目标基板具有第二本体和第二粘接层，第二本体能够提供承载，第二粘接层能够使得待转移的微发光器件能够粘接于目标基板。其中，第一粘接层上设置有第一对位标记，在将待转移的微发光器件粘接于第一粘接层时，可以根据第一对位标记确定微发光器件在第一粘接层上的位置，进而使得微发光器件可以根据第一对位标记粘接于预设位置，提高微发光器件和拾取基板的对位精度，提高微发光器件转移技术的良率。因此本发明实施例的转印装置通过在第一粘接层上设置第一对位标记能够提高微发光器件和拾取基板的对位精度，提高微发光器件转移技术的良率。
附图说明
通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征。
图1是本发明第一方面实施例提供的一种微发光器件的转印装置的结构示意图；
图2是本发明第一方面实施例提供的一种微发光器件的转印装置的第一粘接层结构示意图；
图3是本发明第一方面另一实施例提供的一种微发光器件的转印装置的结构示意图；
图4是本发明第一方面实施例提供的一种微发光器件的转印装置的第二粘接层的结构示意图；
图5是本发明第二方面实施例提供的一种微发光器件的转印方法的流程示意图。
附图标记说明：
10、转印装置；20、微发光器件；
100、拾取基板；110、第一本体；120、第一粘接层；121、第一对位标记；
200、目标基板；210、第一本体；220、第二粘接层；222、第二对位标记；
300、激光器；
400、垫高块。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本发明的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明的更好的理解。在附图和下面的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本发明造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了部分结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有说明，“多个”的含义是两个以上；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
下述描述中出现的方位词均为图中示出的方向，并不是对本发明的实施例的具体结构进行限定。在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可视具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
发明人在长期研究中发现，Micro-LED的巨量转移和修复既要保证转移的效率还要保证转移的良率。巨量转移技术有多种不同方式，其中激光转印是一种新型的巨量转移技术，具有转移量和转移率高等优势。但是在激光转印或者激光修复过程中，拾取侧的对位精准度等因素均影响激光转印或者激光修复的良率，导致目前激光转印技术中的良率较低。
为了更好地理解本发明，下面结合图1至图5对本发明实施例的微发光器件的转印装置、转印方法及显示面板进行详细描述。
请一并参阅图1和图2，图1为本发明第一方面实施例提供的一种微发光器件的转印装置结构示意图。图2是本发明第一方面实施例提供的一种微发光器件的转印装置的第一粘接层结构示意图。
如图1和图2所示，本发明第一方面实施提供的微发光器件的转印装置10包括：拾取基板100，用于接收待转移的微发光器件20，拾取基板100包括层叠设置的第一本体110及第一粘接层120，第一粘接层120背离第一本体110的表面具有用于与微发光器件20对位的第一对位标记121；目标基板200，用于接收从拾取基板100转移的微发光器件20，目标基板200和拾取基板100相对可移动设置，目标基板200包括层叠设置的第二本体210及用于粘接微发光器件20的第二粘接层220；激光器300，用于发射激光以使微发光器件20由第一粘接层120脱落。
在本发明实施例提供的转印装置10中，转印装置10包括拾取基板100、目标基板200和激光器300。拾取基板100能够拾取待转移的微发光器件20，激光器300能够发出激光使得微发光器件20由拾取基板100脱落，目标基板200用于承载由拾取基板100脱落的微发光器件20。拾取基板100包括第一本体110和第一粘接层120，第一本体110能够提供承载，第一粘接层120能够使得待转移的微发光器件20粘接于拾取基板100。目标基板200具有第二本体210和第二粘接层220，第二本体210能够提供承载，第二粘接层220能够使得待转移的微发光器件20能够粘接于目标基板200。第一粘接层120上设置有第一对位标记121，在将待转移的微发光器件20粘接于第一粘接层120时，可以根据第一对位标记121确定微发光器件20在第一粘接层120上的位置，进而使得微发光器件20可以根据第一对位标记121粘接于预设位置，提高微发光器件20和拾取基板100的对位精度，提高微发光器件20转移技术的良率。因此本发明实施例的转印装置10通过在第一粘接层120上设置第一对位标记121能够提高微发光器件20和拾取基板100的对位精度，提高微发光器件20转移技术的良率。
此外，根据第一对位标记121还可以快速判断微发光器件20和拾取基板100之间的对位精度是否达到要求。本申请由于在第一粘接层120上设置了第一对位标记121，无需在第一本体110上设置与微发光器件20对位的标记，能够简化第一本体110的制备。通常，第一本体110为玻璃或其他硬质材料基板，在第一本体110上设置标记的难度大于在第一粘接层120上设置标记的难度。本申请中将第一对位标记121设置于第一粘接层120而非第一本体110，不仅能够减小拾取基板100的成型难度，而且能够减小第一对位标记121和微发光器件20之间的间距，进一步提高对位精度。
第一对位标记121的设置方式有多种，请参阅图3，图3是本发明第一方面另一实施例提供的一种微发光器件的转印装置的结构示意图。在一些可选的实施例中，第一对位标记121例如为设置于第一粘接层120表面并能够容纳微发光器件20的凹槽，使得微发光器件20能够容纳于第一对位标记121内完成其与拾取基板100的对位。
或者，在另一些可选的实施例中，如图2所示，第一对位标记121呈环状并用于环绕微发光器件20设置。当微发光器件20位于第一对位标记121内时，可以认为微发光器件20和拾取基板100完成了对位。可选的，第一对位标记121可以为连续环状结构，或者第一对位标记121包括多个间隔分布的第一标记，当微发光器件20和拾取基板100完成对位时，多个第一标记环绕于微发光器件20的周侧。第一标记可以呈条状或点状。
在又一些可选的实施例中，第一对位标记121还可以和微发光器件20位置对应，例如当微发光器件20粘接于第一粘接层120时，第一对位标记121位于微发光器件20的一侧。
在其他实施例中，第一对位标记121还可以有其他实施方式，只要根据第一对位标记121能够确定微发光器件20在第一粘接层120上的设置位置即可。
第一对位标记121的个数设置方式有多种，例如第一对位标记121和各微发光器件20一一对应设置，使得各微发光器件20能够通过各第一对位标记121与拾取基板100对位。或者第一对位标记121和微发光器件20一对多设置，即各第一对位标记121对应设置有N个微发光器件20，N大于或等于2。N个微发光器件20为一组，一组微发光器件20通过一个第一对位标记121与拾取基板100对位。
可选的，第一对位标记121至少为三个，三个第一对位标记121能够完成平面内的对位，保证多个微发光器件20和拾取基板100之间的对位精度。
第一对位标记121的形状设置方式有多种，第一对位标记121的形状包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。
第一对位标记121的尺寸大小设置方式有多种，例如当第一对位标记121和微发光器件20一一对应设置时，第一对位标记121在第一本体110上的正投影尺寸大于或等于微发光器件20在第一本体110上的正投影尺寸，使得微发光器件20能够位于第一对位标记121内。
或者，当第一对位标记121和微发光器件20一对多设置，各第一对位标记121对应设置有N个微发光器件20，N大于或等于2，N个微发光器件20为一组时，第一对位标记121在第一本体110上的正投影尺寸大于或等于一组微发光器件20在第一本体110上的正投影尺寸，使得一组微发光器件20能够位于第一对位标记121内。
第一对位标记121的成型方式有多种，例如可以在第一粘接层120上预制第一对位标记121，然后将第一粘接层120粘接于第一本体110上。或者可以在第一本体110上涂覆胶层并对胶层进行图案化处理形成第一对位标记121。
第一粘接层120的厚度为2μm～20μm。当第一粘接层120的厚度在上述范围之内时，既能够避免第一粘接层120的厚度过薄，导致微发光器件20难以粘接于第一粘接层120上，或者导致第一对位标记121不清晰。也能够避免第一粘接层120的厚度过厚，导致胶材材料的浪费。
第一粘接层120的材料选择有多种，第一粘接层120例如可以选择光敏胶，使得激光能够改变第一粘接层120的性能，激光照射后微发光器件20能够由拾取基板100脱落。在另一些实施例中，第一粘接层120例如还可以选择压敏胶等材料。
请一并参阅图1和图4，图4是本发明第一方面实施例提供的一种微发光器件的转印装置的第二粘接层的结构示意图。
在一些可选的实施例中，第二粘接层220背离第二本体210的表面具有用于与微发光器件20对位的第二对位标记221。
在这些可选的实施例中，微发光器件20可以通过第二对位标记221与目标基板200进行对位，提高微发光器件20和目标基板200之间的对位精度，进而提高微发光器件20转移技术的良率。
此外，根据第二对位标记221还可以快速判断微发光器件20和目标基板200之间的对位精度是否达到要求。本申请由于在第二粘接层220上设置了第二对位标记221，无需在第二本体210上设置与微发光器件20对位的标记，能够简化第二本体210的制备。通常，第二本体210为玻璃或其他硬质材料基板，在第二本体210上设置标记的难度大于在第二粘接层220上设置标记的难度。本申请中将第二对位标记221设置于第二粘接层220而非第二本体210，不仅能够减小目标基板200的成型难度，而且能够减小第二对位标记221和微发光器件20之间的间距，进一步提高对位精度。
第二对位标记221的设置方式有多种，如图3所示，第二对位标记221例如为设置于第二粘接层220表面并能够容纳微发光器件20的凹槽，使得微发光器件20能够容纳于第二对位标记221内完成其与目标基板200的对位。
或者，在另一些可选的实施例中，如图4所示，第二对位标记221呈环状并用于环绕微发光器件20设置。当微发光器件20位于第二对位标记221内时，可以认为微发光器件20和目标基板200完成了对位。可选的，第二对位标记221可以为连续环状结构，或者第二对位标记221包括多个间隔分布的第二标记，当微发光器件20和目标基板200完成对位时，多个第二标记环绕于微发光器件20的周侧。第二标记可以呈条状或点状。
在又一些可选的实施例中，第二对位标记221还可以和微发光器件20位置对应，例如当微发光器件20粘接于第二粘接层220时，第二对位标记221位于微发光器件20的一侧。
在其他实施例中，第二对位标记221还可以有其他实施方式，只要根据第二对位标记221能够确定微发光器件20在第二粘接层220上的设置位置即可。
第二对位标记221的个数设置方式有多种，例如第二对位标记221和微发光器件20一一对应设置，使得各微发光器件20能够通过各第二对位标记221与目标基板200对位。或者第二对位标记221和微发光器件20一对多设置，即各第二对位标记221对应设置有M个微发光器件20，M大于或等于2。M个微发光器件20为一组，一组微发光器件20通过一个第二对位标记221与目标基板200对位。
可选的，第二对位标记221至少为三个，三个第二对位标记221能够完成平面内的对位，保证多个微发光器件20和目标基板200之间的对位精度。
第二对位标记221的尺寸大小设置方式有多种，例如当第二对位标记221和微发光器件20一一对应设置时，第二对位标记221在第二本体210上的正投影尺寸大于或等于微发光器件20在第二本体210上的正投影尺寸，使得微发光器件20能够位于第二对位标记221内。
或者，当第二对位标记221和微发光器件20一对多设置，各第二对位标记221对应设置有M个微发光器件20，M大于或等于2，M个微发光器件20为一组时，第二对位标记221在第二本体210上的正投影尺寸大于或等于一组微发光器件20在第二本体210上的正投影尺寸，使得一组微发光器件20能够位于第二对位标记221内。
第二对位标记221的形状设置方式有多种，第二对位标记221的形状包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。
第二对位标记221的成型方式有多种，例如可以在第二粘接层220上预制第二对位标记221，然后将第二粘接层220粘接于第二本体210上。或者可以在第二本体210上涂覆胶层并对胶层进行图案化处理形成第二对位标记221。
第二粘接层220的厚度为2μm～20μm。当第二粘接层220的厚度在上述范围之内时，既能够避免第二粘接层220的厚度过薄，导致微发光器件20难以粘接于第二粘接层220上，或者导致第二对位标记221不清晰。也能够避免第二粘接层220的厚度过厚，导致微胶材材料的浪费。
第二粘接层220的材料选择有多种，例如第二粘接层220的材料包括聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane；PDMS)。
在一些可选的实施例中，微发光器件20的转印装置10还包括垫高块400，垫高块400设置于第二粘接层220的边缘。垫高块400用于保证拾取基板100和目标基板200之间的间距尺寸，改善由于拾取基板100和目标基板200过近而挤压损坏微发光器件20。
在一些可选的实施例中，第一对位标记121和第二对位标记221的位置相对应，以使拾取基板100和目标基板200能够通过第一对位标记121和第二对位标记221进行对位。
在这些可选的实施例中，通过合理设置第一对位标记121和第二对位标记221的位置，使得拾取基板100和目标基板200还可以通过第一对位标记121和第二对位标记221进行对位。因此本申请中无需再在拾取基板100和目标基板200上单独设置对位标记，能够简化拾取基板100和目标基板200的结构。
第一对位标记121和第二对位标记221的位置相对应的设置方式有多种，例如当拾取基板100和目标基板200对位时，第一对位标记121在第二本体210上的正投影和第二对位标记221在第二本体210上的正投影重叠，即当第一对位标记121和第二对位标记221重叠时认为拾取基板100和目标基板200对位成功。或者，当拾取基板100和目标基板200对位时，第一对位标记121在第二本体210上的正投影位于第二对位标记221在第二本体210上的正投影的周侧的预设位置，例如第一对位标记121在第二本体210上的正投影和第二对位标记221在第二本体210上的正投影边缘重叠或平行等。只要根据第一对位标记121和第二对位标记221能够判断目标基板200和拾取基板100是否完成对位即可。
可选的，第一对位标记121和第二对位标记221的个数相等，使得各第一对位标记121和各第二对位标记221能够对应设置。
拾取基板100和目标基板200通过第一对位标记121和第二对位标记221进行对位的方式有多种。例如，拾取基板100和目标基板200上第一对位标记121和第二对位标记221的个数多于微发光器件20的个数，通过多于微发光器件20的第一对位标记121和第二对位标记221实现目标基板200和拾取基板100的对位，即通过未与微发光器件20对位的部分第一对位标记121和第二对位标记221实现目标基板200和拾取基板100的对位。或者，第一对位标记121和第二对位标记221的尺寸大于微发光器件20的尺寸，通过未被微发光器件20覆盖的部分第一对位标记121和第二对位标记221实现目标基板200和拾取基板100的对位。
请参阅图5，图5为本发明第二方面实施例提供的一种微发光器件的转印方法流程图。该转印方法可以使用上述任一第一方面实施例提供的微发光器件的转印装置进行。微发光器件20的转印方法包括：
步骤S01：提供一种拾取基板100，拾取基板100包括层叠设置的第一本体110及第一粘接层120，第一粘接层120背离第一本体110的表面具有第一对位标记121。
在一些可选的实施例中，可以选用纳米压印的技术对第一粘接层120进行图案化处理形成第一对位标记121，能够保证第一粘接层120的均一性。
步骤S02：根据第一对位标记121将待转移的微发光器件20粘接于第一粘接层120表面。
步骤S03：提供一种目标基板200，目标基板200包括层叠设置的第二本体210及第二粘接层220。
步骤S01、步骤S02和步骤S03的先后顺序设置方式有多种，步骤S02和步骤S01可以在步骤S03之前进行，或者步骤S01和步骤S02与步骤S03同步进行，或者步骤S01和步骤S02在步骤S03之后进行。
步骤S04：令拾取基板100和目标基板200对位。
步骤S05：向拾取基板100发射激光以使微发光器件20由第一粘接层120脱落并粘接于第二粘接层220。
在本发明第二方面实施例提供的微发光器件20的转印方法中，通过步骤S01提供一种拾取基板100，且拾取基板100的第一粘接层120上设置有第一对位标记121。因此在步骤S02中可以通过第一对位标记121将待转移的微发光器件20粘接于第一粘接层120，能够提高微发光器件20和拾取基板100之间的对位精度，进而提高微发光器件20的转印精度。然后提供一种目标基板200，并使得目标基板200和拾取基板100对位。最后通过步骤S04发射激光，微发光器件20由拾取基板100脱落并粘接于目标基板200的第二粘接层220上，完成微发光器件20的转移。
可选的，在步骤S01之前还包括制备拾取基板100，制备拾取基板100的方法有多种，在一些可选的实施例中，制备拾取基板100的步骤包括：将带有第一对位标记121的第一粘接层120设置于第一本体110的表面形成拾取基板100。
在这些可选的实施例中，可以先将第一对位标记121预制于第一粘接层120上，在制备拾取基板100时，直接将第一粘接层120设置在第一本体110表面即可，制备方式简单快捷。
在另一些可选的实施例中，制备拾取基板100的步骤包括：在第一本体110表面涂覆胶层，对胶层进行图案化处理形成第一对位标记121。
在这些可选的实施例中，在制备拾取基板100的过程中对胶层图案化处理形成第一对位标记121，方便用户根据使用需求制备合适尺寸和形状的第一对位标记121。
在一些可选的实施例中，第二粘接层220具有第二对位标记221，那么在步骤S04中：根据第一对位标记121和第二对位标记221令拾取基板100和目标基板200对位。
在这些可选的实施例中，根据第一对位标记121和第二对位标记221能够实现拾取基板100和目标基板200的对位，进一步提高转移方法的良率。此外，根据第二对位标记221还可以判断目标基板200上的微发光器件20的对位精度。
在一些可选的实施例中，可以选用纳米压印的技术对第二粘接层220进行图案化处理形成第二对位标记221，能够保证第一粘接层120的均一性，此外也能够保证第一粘接层120和第二粘接层220的平行度，提高微发光器件20的对位精度。
第二对位标记221的制备方法有多种，可选的，在步骤S03之前还包括制备目标基板200，制备目标基板200的步骤包括：将带有第二对位标记221的第二粘接层220设置于第二本体210的表面形成目标基板200。
在这些可选的实施例中，可以先将第二对位标记221预制于第二粘接层220上，在制备目标基板200时，直接将第二粘接层220设置在第二本体210表面即可，制备方式简单快捷。
在另一些可选的实施例中，制备目标基板200的步骤包括：在第二本体210表面涂覆胶层，对胶层进行图案化处理形成第二对位标记221。
在这些可选的实施例中，在制备目标基板200的过程中对胶层图案化处理形成第二对位标记221，方便用户根据使用需求制备合适尺寸和形状的第二对位标记221。
本发明第三方面的实施例还提供一种显示面板，使用上述任一第二方面的微发光器件的转印方法制备成型。使用上述方法制备成型的显示面板，能够保证微发光器件的对位精度和良率，提高显示面板的制备良率。
虽然已经参考优选实施例对本申请进行了描述，但在不脱离本申请的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本申请并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。

Claims (16)

1.一种微发光器件的转印装置，其特征在于，包括：
拾取基板，用于接收待转移的微发光器件，所述拾取基板包括层叠设置的第一本体及第一粘接层，所述第一粘接层背离所述第一本体的表面具有用于与所述微发光器件对位的第一对位标记；
目标基板，用于接收从所述拾取基板转移的所述微发光器件，所述目标基板和所述拾取基板相对可移动设置，所述目标基板包括层叠设置的第二本体及用于粘接所述微发光器件的第二粘接层；
激光器，用于发射激光以使所述微发光器件由所述第一粘接层脱落；
垫高块，用于保证所述拾取基板和所述目标基板之间的间距，所述垫高块设置于所述第二粘接层。
2.根据权利要求1所述的微发光器件的转印装置，其特征在于，所述第二粘接层背离所述第二本体的表面具有用于与所述微发光器件对位的第二对位标记。
3.根据权利要求2所述的微发光器件的转印装置，其特征在于，所述第二对位标记呈凹槽状并用于容纳所述微发光器件；或者，所述第二对位标记呈环状并用于环绕所述微发光器件。
4.根据权利要求2所述的微发光器件的转印装置，其特征在于，所述第二对位标记和所述微发光器件一一对应设置。
5.根据权利要求2所述的微发光器件的转印装置，其特征在于，所述第二对位标记的形状包括圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形中的至少一个。
6.根据权利要求2所述的微发光器件的转印装置，其特征在于，至少部分所述第一对位标记和至少部分所述第二对位标记的位置相对应。
7.根据权利要求6所述的微发光器件的转印装置，其特征在于，所述第一对位标记和所述第二对位标记的个数相等。
8.根据权利要求1所述的微发光器件的转印装置，其特征在于，
所述第一对位标记呈凹槽状并用于容纳所述微发光器件；或者，所述第一对位标记呈环状并用于环绕所述微发光器件。
9.根据权利要求8所述的微发光器件的转印装置，其特征在于，所述第一对位标记和所述微发光器件一一对应设置。
10.根据权利要求8所述的微发光器件的转印装置，其特征在于，所述第一对位标记的形状包括圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形中的至少一个。
11.根据权利要求1所述的微发光器件的转印装置，其特征在于，所述第一粘接层和/或所述第二粘接层的厚度为2μm～20μm。
12.一种微发光器件的转印方法，其特征在于，包括：
提供一种拾取基板，所述拾取基板包括层叠设置的第一本体及第一粘接层，所述第一粘接层背离所述第一本体的表面具有第一对位标记；
根据所述第一对位标记将待转移的微发光器件粘接于所述第一粘接层表面；
提供一种目标基板，所述目标基板包括层叠设置的第二本体及第二粘接层；
令所述拾取基板和所述目标基板对位；
向所述拾取基板发射激光以使所述微发光器件由所述第一粘接层脱落并粘接于所述第二粘接层。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在提供一种拾取基板的步骤之前还包括制备所述拾取基板，在制备所述拾取基板的步骤中：
将带有所述第一对位标记的所述第一粘接层设置于所述第一本体的表面形成所述拾取基板；
或者，在所述第一本体表面涂覆胶层，对所述胶层进行图案化处理形成所述第一对位标记。
14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第二粘接层具有第二对位标记，在令所述拾取基板和所述目标基板对位的步骤中：根据所述第一对位标记和所述第二对位标记令所述拾取基板和所述目标基板对位。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，在提供一种目标基板的步骤之前还包括制备所述目标基板，在制备所述目标基板的步骤中：
将带有所述第二对位标记的第二粘接层设置于所述第二本体的表面形成所述目标基板；
或者，在所述第二本体表面涂覆胶层，对所述胶层进行图案化处理形成带有所述第二对位标记的第二粘接层。
16.一种显示面板，其特征在于，使用权利要求12-15任一项所述的微发光器件的转印方法制备成型。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4701537B2 (ja) * 2001-05-16 2011-06-15 ソニー株式会社 素子の転写方法及び画像表示装置の製造方法
US7010854B2 (en) * 2002-04-10 2006-03-14 Formfactor, Inc. Re-assembly process for MEMS structures
JP2007232928A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Tohoku Pioneer Corp 自発光パネルの製造方法、自発光パネル、および封止部材
WO2019246366A1 (en) * 2018-06-22 2019-12-26 Veeco Instruments Inc. Micro-led transfer methods using light-based debonding
KR20200128987A (ko) * 2019-05-07 2020-11-17 삼성전자주식회사 마이크로 led 전사 방법 및 이에 의해 제조된 디스플레이 모듈
KR20210051039A (ko) * 2019-10-29 2021-05-10 엘지디스플레이 주식회사 도너 기판 및 이를 이용한 led 전사 방법
CN111987034A (zh) * 2020-07-28 2020-11-24 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种微型发光二极管转移方法

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