CN113394130A - 基板处理方法和基板处理系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理方法和基板处理系统，高精度地监视为了进行基板处理而供给的气体的总流量。作为使用被供给至腔室的气体来处理基板的方法，该方法包括以下工序：工序(a)，在测定向所述腔室供给的气体的压力来控制该气体的流量的流量控制器中，设定作为控制对象的气体的压力的阈值；工序(b)，向所述腔室的内部供给气体；工序(c)，测定所述流量控制器中的气体的压力；工序(d)，停止向所述腔室的内部供给气体；工序(e)，计算在所述工序(c)中测定出的气体的压力为所述阈值以上的时间；以及工序(f)，基于在所述工序(c)中测定出的气体的压力和在所述工序(e)中计算出的时间来计算向所述腔室供给的气体的总流量。

Description

基板处理方法和基板处理系统
技术领域
本公开涉及一种基板处理方法和基板处理系统。
背景技术
在专利文献1中公开了一种在半导体制造装置所使用的气体供给装置中控制气体的流量的流量控制器的流量测量方法。作为测量气体的流量的方法，使用积层法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-32983号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开所涉及的技术高精度地监视为了进行基板处理而供给的气体的总流量。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式是使用被供给至腔室的气体对基板进行处理的方法，该方法包括以下工序：工序(a)，在测定向所述腔室供给的气体的压力来控制该气体的流量的流量控制器中，设定作为控制对象的气体的压力的阈值；工序(b)，向所述腔室的内部供给气体；工序(c)，测定所述流量控制器中的气体的压力；工序(d)，停止向所述腔室的内部供给气体；工序(e)，计算在所述工序(c)中测定出的气体的压力为所述阈值以上的时间；以及工序(f)，基于在所述工序(c)中测定出的气体的压力和在所述工序(e)中计算出的时间来计算向所述腔室供给的气体的总流量。
发明的效果
根据本公开，能够高精度地监视为了进行基板处理而供给的气体的总流量。
附图说明
图1是表示等离子体处理系统的结构的概要的说明图。
图2是表示气体供给部的结构的概要的说明图。
图3是表示处理气体的供给/停止的说明图。
图4是表示处理气体的供给/停止的说明图。
图5是表示气体供给时的微调的说明图。
图6是表示处理气体的监视方法的主要的工序的一例的流程图。
图7是表示重复进行处理气体的供给/停止的情形的说明图。
附图标记说明
1：等离子体处理系统；1a：等离子体处理装置；1b：控制部；10：等离子体处理腔室；20：气体供给部；22：流量控制器；W：晶圆。
具体实施方式
在半导体器件的制造工序中，对半导体晶圆(在以下称作“晶圆”。)进行蚀刻等处理。作为蚀刻方法，例如具有ALE(Atomic Layer Etching：原子层蚀刻)。在ALE中，交替地重复只作用于晶圆的最表面原子层的化学修饰工序和只去除被化学修饰过的部分的蚀刻工序，来一层层地蚀刻作为对象膜的原子层。
在进行ALE的蚀刻装置中，通过从气体供给装置供给至腔室的内部的气体对配置于腔室的内部的晶圆进行处理。另外，气体供给装置具备控制气体的流量的流量控制器，以供给恰当的流量的气体。流量控制器例如使用压力控制式的流量控制器。
在ALE工艺中，为了进行上述的化学修饰工序和蚀刻工序，重复气体的切换，并且在短时间内进行气体的供给和停止。在以下的说明中，有时将供给气体的状态称作“气体供给”、将停止气体的供给称作“气体停止”。而且，由于像这样在短时间内进行气体的供给/停止，因此气体流量从零增加至期望的流量的部分(在以下称作“上升”。)与气体流量从期望的流量减少至零的部分(在以下称作“下降”。)的比例变大。由于大多无法通过流量控制器保证这些上升和下降的动作，因此流量控制器中的气体的流量控制的精度差，可能导致气体的流量的再现性恶化。
另外，在ALE工艺中，例如通过设置于蚀刻装置的板(电路基板)测定气体供给的时间来收集数据，但如上述的那样，气体供给的时间短，因此通信误差的比例变大。其结果是，由于通信误差的影响使气体的流量的再现性恶化。
并且，由于流量控制器正在进行动作，因此无法保证气体的流量控制的再现性。换言之，流量控制器的响应性无法追随短时间内的气体的供给/停止。从该观点出发，气体的流量的再现性也差。
另一方面，在这样的短时间内进行气体的供给/停止的ALE工艺中，需要在工艺中实时且高精度地监视气体流量。如果像这样实时地监视气体流量，则能够发现异常的工艺，因此能够使产品晶圆的产量提高。
本公开所涉及的技术高精度地测定为了进行基板处理而供给的气体的总流量。在以下，参照附图来说明本实施方式所涉及的作为基板处理系统的等离子体处理系统和作为基板处理方法的等离子体处理方法。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同的功能结构的要素赋予相同的附图标记，由此省略重复说明。
<等离子体处理系统>
首先，对一个实施方式所涉及的等离子体处理系统进行说明。图1是表示等离子体处理系统1的结构的概要的说明图。在等离子体处理系统1中，对作为基板的晶圆W进行ALE工艺。
在一个实施方式中，等离子体处理系统1包括等离子体处理装置1a和控制部1b。等离子体处理装置1a包括等离子体处理腔室10、气体供给部20、RF(Radio Frequency：射频)电力供给部30和排气系统40。另外，等离子体处理装置1a包括支承部11和上部电极喷淋头12。支承部11配置于等离子体处理腔室10内的等离子体处理空间10s的下部区域。上部电极喷淋头12配置于支承部11的上方，能够作为等离子体处理腔室10的顶部(ceiling)的一部分发挥功能。
支承部11构成为在等离子体处理空间10s中支承晶圆W。在一个实施方式中，支承部11包括下部电极111、静电吸盘112、以及边缘环113。静电吸盘112配置于下部电极111上，并且构成为通过静电吸盘112的上表面支承晶圆W。边缘环113以包围晶圆W的方式配置于下部电极111的周缘部上表面。另外，虽然省略了图示，但在一个实施方式中，支承部11也可以包括构成为将静电吸盘112和晶圆W中的至少一个调节为目标温度的调温模块。调温模块也可以包括加热器、流路、或这些的组合。在流路中流动如制冷剂、传热气体这样的调温流体。
上部电极喷淋头12构成为向等离子体处理空间10s供给来自气体供给部20的一个或一个以上的处理气体。在一个实施方式中，上部电极喷淋头12具有作为气体供给口的气体入口12a、气体扩散室12b、以及多个气体出口12c。气体入口12a与气体供给部20和气体扩散室12b流体连通。多个气体出口12c与气体扩散室12b和等离子体处理空间10s流体连通。在一个实施方式中，上部电极喷淋头12构成为从气体入口12a经由气体扩散室12b和多个气体出口12c向等离子体处理空间10s供给一个或一个以上的处理气体。
气体供给部20也可以包括一个或一个以上的气体源21、一个或一个以上的流量控制器22、以及一个或一个以上的气体供给路23。在一个实施方式中，气体供给部20构成为将一个或一个以上的处理气体分别从对应的气体源21分别经由对应的流量控制器22和气体供给路23向气体入口12a供给。各流量控制器22也可以包括例如通过处理气体的压力控制流量的、所谓的压力控制式的流量控制器。并且，气体供给部20也可以包括对一个或一个以上的处理气体的流量进行调制或脉冲化的一个或一个以上的流量调制器件。
RF电力供给部30构成为向如下部电极111、上部电极喷淋头12、或下部电极111及上部电极喷淋头12这双方这样的一个或一个以上的电极供给RF电力、例如一个或一个以上的RF信号。由此，由被供给至等离子体处理空间10s中的一个或一个以上的处理气体生成等离子体。因而，RF电力供给部30能够作为构成为在等离子体处理腔室中由一个或一个以上的处理气体生成等离子体的等离子体生成部的至少一部分发挥功能。在一个实施方式中，RF电力供给部30包括第一RF电力供给部30a和第二RF电力供给部30b。
第一RF电力供给部30a包括第一RF生成部31a和第一匹配电路32a。在一个实施方式中，第一RF电力供给部30a构成为从第一RF生成部31a经由第一匹配电路32a向上部电极喷淋头12供给第一RF信号。例如，第一RF信号也可以具有27MHz～100MHz的范围内的频率。
第二RF电力供给部30b包括第二RF生成部31b和第二匹配电路32b。在一个实施方式中，第二RF电力供给部30b构成为从第二RF生成部31b经由第二匹配电路32b向下部电极111供给第二RF信号。例如，第二RF信号也可以具有400kHz～13.56MHz的范围内的频率。除此以外，也可以使用DC(Direct Current：直流)脉冲生成部来代替第二RF生成部31b。
并且，虽然省略了图示，但在本公开中考虑其它实施方式。例如，在代替实施方式中，RF电力供给部30也可以构成为从RF生成部向下部电极111供给第一RF信号，从其它RF生成部向下部电极111供给第二RF信号，从另外的RF生成部向上部电极喷淋头12供给第三RF信号。除此以外，也可以在其它代替实施方式中向上部电极喷淋头12施加DC电压。
另外，并且，在各种实施方式中，也可以对一个或一个以上的RF信号(即第一RF信号、第二RF信号等)的振幅进行脉冲化或调制。振幅调制也可以包括在接通状态与断开状态之间或者两个或两个以上的不同的接通状态之间对RF信号振幅进行脉冲化。
排气系统40能够与例如设置于等离子体处理腔室10的底部的气体排气口10e连接。排气系统40也可以包括压力阀和真空泵。真空泵也可以包括涡轮分子泵、初级泵或者这些的组合。
在一个实施方式中，控制部1b对使等离子体处理装置1a执行在本公开中叙述的各种工序的计算机可执行的命令进行处理。控制部1b能够构成为控制等离子体处理装置1a的各要素以执行在此叙述的各种工序。在一个实施方式中，控制部1b的一部分或全部被包括在等离子体处理装置1a中。控制部1b例如也可以包括计算机51。计算机51例如也可以包括处理部(CPU：Central Processing Unit：中央处理单元)511、存储部512、以及通信接口513。处理部511能够构成为基于存储部512中保存的程序来进行各种控制动作。存储部512也可以包括RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)、HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)、SSD(Solid State Drive：固态硬盘)、或这些的组合。通信接口513也可以经由LAN(Local Area Network：局域网)等通信线路来与等离子体处理装置1a之间进行通信。
<气体供给部>
接着，对上述的气体供给部20进行说明。图2是表示气体供给部20的结构的概要的说明图。
如上述的那样，气体供给部20包括一个或一个以上的气体源21、一个或一个以上的流量控制器22、以及一个或一个以上的气体供给路23。另外，气体供给部20还包括一个或一个以上的初级阀24以及一个或一个以上的次级阀25。在气体供给路23中，在气体源21与流量控制器22之间设置初级阀，在流量控制器22的下游侧配置次级阀。而且，根据处理气体的种类分别按组设置有气体源21、流量控制器22、气体供给路23、初级阀24以及次级阀25。
流量控制器22包括压电阀221、初级压力计222、节流孔223和次级压力计224。这些压电阀221、初级压力计222、节流孔223和次级压力计224按照该的顺序从上游侧朝向下游侧设置于气体供给路23中。此外，在以下的说明中，有时将由初级压力计222测定的压力称作初级压力P1、将由次级压力计224测定的压力称作次级压力P2。而且，流量控制器22测定处理气体的压力，并将压力值换算为流量值来控制处理气体的流量。
在以上对各种例示性的实施方式进行了说明，但并不限定于上述的例示性的实施方式，也可以进行各种追加、省略、置换、以及变更。另外，能够组合不同的实施方式中的要素来形成其它实施方式。
<ALE工艺>
接着，对使用如以上那样构成的等离子体处理系统进行的ALE工艺进行说明。
(化学修饰工序)
从气体供给部20向等离子体处理腔室10的内部供给例如Cl2(氯)气体来作为处理气体，使该Cl2(氯)气体吸附于晶圆W(硅)的表面来改性为SiCl化合物。
(蚀刻工序)
从气体供给部20向等离子体处理腔室10的内部供给例如Ar(氩)气体作为处理气体，生成该Ar离子。而且，通过Ar离子选择性地蚀刻晶圆W的表面的SiCl化合物。
而且，交替地重复上述化学修饰工序和蚀刻工序，来一层层地蚀刻作为对象膜的原子层。此外，化学修饰工序和蚀刻工序使用一般的公知的方法。
<气体监视方法>
如上述的那样，在ALE工艺中，为了进行化学修饰工序和蚀刻工序，而重复处理气体的切换，在短时间内进行处理气体的供给/停止。在像这样在短时间内进行处理气体的供给/停止的ALE工艺中，需要在工艺中实时且高精度地监视气体流量。
在此，首先，本发明的发明人们想到使用来自流量控制器22的气体流量的输出值来进行监视。图3是表示处理气体的供给/停止的说明图。在图3中，“气体设定流量”表示处理气体的流量的设定值，“气体流量”表示流量控制器22输出的气体流量，“气体P1压力”表示通过流量控制器22测定出的气体压力、具体地说是初级压力P1。
在图3的例子中，监视“气体流量”的面积(图3中的阴影部)来监视处理气体的总流量。然而，在该情况下，即使实际流动的气体流量相同，由于流量控制器22的流量转换使得气体流量的上升和下降(在图3中由圆包围的部分)有时偏移。即，在流量控制器22中，根据控制方式的转换点、设定来将压力值转换为流量值，即使内部的压力值(压力数据)相同，也有时流量输出不同。
由于通过流量控制器22大多无法保证这些上升和下降的动作，因此优选通过等离子体处理装置1a、控制部1b来管理流量控制器22的个体差异、再现性。另外，在流量控制器22中，不探测实际的气体流量相同(压力波形相同)的情况，探测实际的气体流量不同(压力波形偏移)的情况为宜。
因此，本发明的发明人们想到使用流量控制器22的压力输出值来监视气体流量。图4是表示处理气体的供给/停止的说明图。在图4中，“气体设定流量”表示处理气体的流量的设定值，“气体流量”表示流量控制器22输出的气体流量，“气体P1压力”表示通过流量控制器22测定出的气体压力、具体地说是初级压力P1。
在图4的例子中，监视“气体流量”的面积(图4中的阴影部)来监视处理气体的总流量。然而，在该情况下，在气体停止时，流量控制器22也显示残留气体压力，因此处理气体的初级压力P1不为0(零)。于是，在残留气体压力大的情况、气体停止时间长的情况下，气体流量的精度下降。
另外，流量控制器22相对于流量控制器22的初级压力P1(在上升后稳定后的压力值)存在个体差异。即，有时一个流量控制器22的初级压力P1与其它流量控制器22的初级压力P1不同。
因此，在本实施方式中，使用下述式(1)将通过流量控制器22测定出的处理气体的初级压力P1换算为气体流量，来进行标准化。
F＝P1×Fs(t)/Ps(t)···(1)
F：标准化后的气体的流量(sccm)、P1：流量控制器22的初级压力(psi)、t：从气体供给开始起的经过时间(min)、Fs(t)：时间t时的气体流量的设定值(sccm)、Ps(t)：时间t时的流量控制器22的初级压力(psi)
在该情况下，如果实际流动的处理气体的流量相同，则能够在各个流量控制器22中根据上述式(1)计算出相同的气体流量。其结果是，能够消除流量控制器22的个体差异。
另外，如图4中所示的那样，在ALE工艺中，当对(气体流量)×(时间)的数据进行积分以计算处理气体的总流量时，由于在气体停止时流量控制器22的初级压力P1不是0(零)，因此使得将气体停止时的压力数据也换算为流量。因此，在本实施方式中，只提取供给处理气体时的波形(在以下称作“微调”。)
具体地说，如图5所示，预先设定初级压力P1的阈值Pt。关于该阈值Pt，例如在装置的启动时等获取流量控制器22的气体流量的数据和实际的气体流量的数据，来决定与ALE工艺对应的阈值Pt。而且，计算初级压力P1为阈值Pt以上的时间T。
该时间T可以包括在初级压力P1的上升时该初级压力P1达到阈值Pt之前的前方时间Ta。另外，时间T可以包括在初级压力P1的下降时该初级压力P1达到阈值Pt后的后方时间Tb。关于前方时间Ta和后方时间Tb，例如在装置的启动时等获取流量控制器22的气体流量的数据和实际的气体流量的数据，来决定与ALE工艺对应的前方时间Ta和后方时间Tb。
在该情况下，即使在气体停止时流量控制器22的初级压力P1不是0(零)，也能够去除该部分。因而，在将初级压力P1换算为气体流量时，能够恰当地计算气体供给时的流量。
如以上的那样，对流量控制器22的初级压力P1进行流量换算来标准化，只进行气体供给时的微调，由此能够高精度地计算处理气体的总流量。另外，通过实时地始终监视通过ALE工艺供给来的气体流量，能够提前发现产生了异常的晶圆W。
接着，对利用以上的初级压力P1的标准化和只在气体供给时的微调进行的处理气体的监视方法进行说明。图6是表示处理气体的监视方法的主要的工序的一例的流程图。
(工序S1)
在工序S1中，在进行ALE工艺前，设定该ALE工艺的制程。具体地说，设定从气体供给开始起的经过时间t时的、气体流量的设定值Fs(t)和气体压力的设定值Ps(t)。
另外，在工序S1中，预先设定图5所示的初级压力P1的阈值Pt。另外，还预先设定初级压力P1的上升时的前方时间Ta和下降时的后方时间Tb。通过分别在例如装置的启动时等获取流量控制器22的气体流量的数据和实际的气体流量的数据来设定这些阈值Pt、前方时间Ta和后方时间Tb即可。
(工序S2)
当工序S1中的事先设定结束时，对被载置于等离子体处理腔室10的内部的晶圆W开始ALE工艺。即，在工序S2中，开始从气体供给部20向等离子体处理腔室10的内部供给处理气体。
(工序S3)
在工序S3中，在处理气体的供给过程中，通过流量控制器22来测定处理气体的初级压力P1。
(工序S4)
在工序S4中，使用下述式(1)来将通过流量控制器22测定出的处理气体的初级压力P1换算为气体流量，来进行标准化。
F＝P1×Fs(t)/Ps(t)···(1)
F：标准化后的气体流量(sccm)、P1：流量控制器22的初级压力(psi)、t：从气体供给开始起的经过时间(min)、Fs(t)：时间t时的气体流量的设定值(sccm)、Ps(t)：时间t时的流量控制器22的初级压力(psi)
(工序S5)
当针对晶圆W的ALE工艺结束时，在工序S5中，停止从气体供给部20向等离子体处理腔室10的内部供给处理气体。
(工序S6)
在工序S6中，计算在工序S3中测定出的处理气体的初级压力P1为在工序S1中设定的阈值Pt以上的时间T。具体地说，计算如图5所示包括前方时间Ta和后方时间Tb的时间T。然后，能够在该时间T中只提取气体供给时的压力的波形来进行微调。
(工序S7)
在工序S7中，通过在工序S6中计算出的时间T对在工序S4中标准化后的气体流量F进行积分来计算处理气体的总流量。该处理气体的总流量为在一次的气体供给/停止中从气体供给部20向等离子体处理腔室10中供给的处理气体的总流量。
(工序S8)
在工序S8中，判定在工序S7中计算出的处理气体的总流量是否在期望的范围中。根据ALE工艺的制程在进行ALE工艺前预先设定期望的范围。例如可以在工序S1中，在装置的启动时等获取流量控制器22的气体流量的数据和实际的气体流量的数据来进行设定。另外，例如可以重复进行气体供给/停止来计算这些气体流量的平均值。
(工序S9)
在工序S9中，在工序S8中判定为处理气体的总流量为期望的范围内的情况下，继续进行ALE工艺。
(工序S10)
在工序S10中，在工序S8中判定为处理气体的总流量在期望的范围外的情况下，反馈控制流量控制器22的气体流量的设定值Fs(t)来进行调整。
进行以上的工序S1～S10，在一次的气体供给/停止中监视处理气体的总流量。
根据以上的实施方式，在工序S4中，对流量控制器22的初级压力P1进行流量换算来进行标准化，因此如果实际流动的处理气体的流量相同，则能够在各个流量控制器22中根据上述式(1)计算出相同的气体流量。其结果是，能够消除流量控制器22的个体差异。
另外，在工序S6中，能够计算时间T，并且只提取气体供给时的压力的波形来进行微调。换言之，即使在气体停止时流量控制器22的初级压力P1不是0(零)，也能够去除该部分。因而，在将初级压力P1换算为气体流量时也能够恰当地计算气体供给时的流量。
另外，能够实时地执行工序S2～工序S7。而且，能够以包括通过流量控制器22无法保证的上升和下降的方式实时且高精度地监视处理气体的总流量。特别是，在如ALE工艺那样气体供给/停止为短时间、例如3秒以下的情况下，上升和下降的影响变大，因此本实施方式的气体监视方法有用。而且，其结果是，通过实时地始终监视通过ALE工艺供给来的气体流量，能够提前发现产生了异常的晶圆W。
而且，在本实施方式中，能够不用变更气体供给路23地实时地监视处理气体的总流量。在此，当变更气体供给路23时，处理气体相对于等离子体处理腔室10的响应性发生变化。关于该点，在本实施方式中，能够不用改变响应性地准确地监视处理气体的总流量。
在以上的实施方式中，说明了在一次气体供给/停止中监视处理气体的总流量的方法。关于该点，在ALE工艺中，交替地重复化学修饰工序和蚀刻工序，因此如图7所示的那样重复进行处理气体的供给/停止。此外，气体供给/停止的次数不限定于图示的例子，能够任意地设定。
因此，在工序S7中，可以将多次的气体总流量平均计算来作为一次的气体供给/停止的气体总流量。在该情况下，即使在工序S7中计算的气体总流量的偏差在各次的气体供给/停止时大的情况下，也能够使其平均化。于是，能够使在工序S8中判定处理气体的总流量时的精度提高。
在以上的实施方式的工序S10中，对流量控制器22的气体流量的设定值Fs(t)进行反馈控制。关于该点，可以针对一张晶圆W，将一次的气体供给/停止的气体总流量的判定结果反馈给下一次的气体供给/停止的气体流量的设定值Fs(t)。或者，可以将针对一个晶圆W的气体总流量的判定结果反馈给针对下一次要处理的晶圆W的气体流量的设定值Fs(t)。
另外，在以上的实施方式的工序S10中，对气体流量的设定值Fs(t)进行了反馈控制，但无需一定进行反馈控制。在工序S8中判定为处理气体的总流量在期望的范围外的情况下，例如可以使ALE工艺停止。
在以上的实施方式中，进行工序S4中的初级压力P1的流量转换及标准化、和工序S6中的气体供给时的微调这两方，但可以省略工序S4。即，可以使用初级压力P1的值本身来进行气体供给时的微调。在该情况下，也能够恰当地监视处理气体的总流量。
以上的实施方式的气体供给部20可以具备收集通过初级压力计222测定的初级压力P1的数据、通过次级压力计224测定的次级压力P2的数据、气体供给的时间的数据等的板(未图示)。板例如为专门用于数据收集的电路基板。在此，在如以往的那样在等离子体处理腔室10中设置有板的情况下，收集气体供给部20的数据时的通信误差的比例大。关于该点，如果气体供给部20具备板，则这样的通信误差的比例小，因此能够进一步使流量控制器22的再现性提高。
在以上的实施方式中，说明了ALE工艺中的处理气体的总流量监视方法，但作为对象的工艺不限定于此。例如，对ALD(Atomi Layer Deposition：原子层沉积)也能够应用本公开的气体监视方法。如上述的那样，在本公开的气体监视方法中，能够以包括上升和下降的方式实时地监视处理气体的总流量，因此在如ALE、ALD那样气体供给/停止为短时间的情况下，本公开的气体监视方法有用。
应当认为，本次公开的实施方式在全部方面均是例示，而非限制性的。上述的实施方式可以不脱离所附的权利要求书和其主旨地以各种方式进行省略、置换、变更。

Claims (15)

1.一种基板处理方法，使用被供给至腔室的气体来处理基板，所述基板处理方法包括以下工序：
工序(a)，在测定向所述腔室供给的气体的压力来控制该气体的流量的流量控制器中设定作为控制对象的气体的压力的阈值；
工序(b)，向所述腔室的内部供给气体；
工序(c)，测定所述流量控制器中的气体的压力；
工序(d)，停止向所述腔室的内部供给气体；
工序(e)，计算在所述工序(c)中测定出的气体的压力为所述阈值以上的时间；以及
工序(f)，基于在所述工序(c)中测定出的气体的压力和在所述工序(e)中计算出的时间来计算向所述腔室供给的气体的总流量。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
还包括工序(g)，在所述工序(g)中，使用下述式(1)，将在所述工序(c)中测定出的气体的压力换算为气体的流量，计算标准化后的气体的流量，
F＝P×Fs(t)/Ps(t)···(1)
其中，F：标准化后的气体的流量、P：在所述工序(c)中测定出的气体的压力、t：从气体供给开始起的经过时间、Fs(t)：时间t时的气体的流量的设定值、Ps(t)：时间t时的气体的压力值。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述工序(f)中，用在所述工序(e)中计算出的时间对在所述工序(g)中标准化后的气体的流量进行积分来计算所述气体的总流量。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述工序(e)中计算的时间包括：
在所述工序(c)中测定出的气体的压力的上升时，该压力达到所述阈值前的前方时间；以及
在所述工序(c)中测定出的气体的压力的下降时，该压力达到所述阈值后的后方时间，
其中，所述前方时间和所述后方时间在所述工序(a)中设定。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述阈值为基于所述流量控制器测定出的气体流量的数据和实际的气体流量的数据来决定的值。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述前方时间和所述后方时间是基于所述流量控制器测定出的气体流量的数据和实际的气体流量的数据来决定的。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
还包括工序(h)，在所述工序(h)中，判定在所述工序(f)中计算出的气体的总流量是否为期望范围的流量。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于，
当在所述工序(h)中判断为在所述工序(f)中计算出的气体的总流量在期望范围内的情况下，继续进行基板处理。
9.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于，
当在所述工序(h)中判断为在所述工序(f)中计算出的气体的总流量在期望范围外的情况下，对所述流量控制器中的气体的流量的设定值进行反馈控制。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在对一个基板进行处理时，重复进行所述工序(a)～所述工序(f)，计算在各所述工序(f)中计算出的气体的总流量的平均。
11.根据权利要求1至10中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述工序(b)的上升时间和/或所述工序(d)的下降时间分别为3秒以下。
12.根据权利要求1至11中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
通过重复进行气体的供给和停止来对所述基板进行処理。
13.根据权利要求1至12中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
通过原子层蚀刻和/或原子层沉积对所述基板进行处理。
14.一种基板处理系统，使用气体来处理基板，所述基板处理系统具备：
腔室，其具有气体供给口和气体排出口；
流量控制器，其测定向所述腔室供给的气体的压力来控制该气体的流量；以及
控制部，
其中，所述控制部控制所述系统，以执行包括以下工序的处理：
工序(a)，在所述流量控制器中设定作为控制对象的气体的压力的阈值；
工序(b)，向所述腔室的内部供给气体；
工序(c)，测定所述流量控制器中的气体的压力；
工序(d)，停止向所述腔室的内部供给气体；
工序(e)，计算在所述工序(c)中测定出的气体的压力为所述阈值以上的时间；以及
工序(f)，基于在所述工序(c)中测定出的气体的压力和在所述工序(e)中计算出的时间来计算向所述腔室供给的气体的总流量。
15.根据权利要求14所述的基板处理系统，其特征在于，
还具有气体供给部，所述气体供给部经由所述流量控制器向所述腔室内供给所述气体，
所述气体供给部具备收集由所述流量控制器测定出的数据的板。
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