CN113380669A - 一种频率元器件智能封装设备及封装方法 - Google Patents

一种频率元器件智能封装设备及封装方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种频率元器件智能封装设备及封装方法,包括固定底座、封装机构、密封机构和导热机构;所述固定底座包括底座支板左右两侧对称凸起有连接元件,所述连接元件用于与频率元器件电性连接,所述底座支板顶面四角均凸起有连接支柱,所述底座支板顶面中心凸起有隔离板,所述底座支板顶面与所述隔离板之间环绕开设有卡接槽,所述底座支板顶面在四个所述连接支柱两两之间均匀凸起有散热支柱;所述封装机构包括封装壳体,所述封装壳体顶面外围环绕凸起有连接挡边,所述封装壳体内侧表面环绕开设有间隔槽,所述连接挡边顶面四角均匀开设有连接槽。本发明在使用时,可提高频率元器件使用中的散热效果,同时提高频率元器件的使用寿命。

Description

一种频率元器件智能封装设备及封装方法
技术领域
本发明涉及电子元件技术领域,具体为一种频率元器件智能封装设备及封装方法。
背景技术
频率类元器件是电子电路中的基本元素,通常是个别封装,并具有两个或以上的引线或金属接点,电子元件须相互连接以构成一个具有特定功能的电子电路,例如:放大器、无线电接收机、振荡器等,连接电子元件常见的方式之一是焊接到印刷电路板上。电子元件也许是单独的封装(电阻器、电容器、电感器、晶体管、二极管等),或是各种不同复杂度的群组,例如:集成电路(运算放大器、排阻、逻辑门等),在频率类元器件进行加工的过程中,需要使用到封装结构对其进行包裹处理,以此保证整体的稳定运行。
然而,现有的频率元件在智能封装的过程中所使用的封装壳体存在以下缺陷:
1、频率元器件与封装壳体内壁紧密贴合,容易产生较大热量,大量热量堆积容易损坏频率元器件;
2、频率元器件在工作过程中会产生大量的热量,这些热量在透过封装壳体向外扩散时效率较低,长期使用会降低频率元器件的使用寿命;
3、频率元器件在封装完毕之后与电路板进行安装时与电路板贴合紧密的同时,无法进行散热,使得电路板在工作的过程中会产生较大的热量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种频率元器件智能封装设备及封装方法,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:包括固定底座、封装机构、密封机构和导热机构;
所述固定底座包括底座支板左右两侧对称凸起有连接元件,所述连接元件用于与频率元器件电性连接,所述底座支板顶面四角均凸起有连接支柱,所述底座支板顶面中心凸起有隔离板,所述底座支板顶面与所述隔离板之间环绕开设有卡接槽,所述底座支板顶面在四个所述连接支柱两两之间均匀凸起有散热支柱;
所述封装机构包括封装壳体,所述封装壳体顶面外围环绕凸起有连接挡边,所述封装壳体内侧表面环绕开设有间隔槽,所述连接挡边顶面四角均匀开设有连接槽,所述连接挡边底面在所述连接槽两两之间均匀开设有连接孔;
所述密封机构包括防尘挡板,所述防尘挡板底面固定焊接有密封盖,所述密封盖顶面均匀开设有连接散热孔,所述密封盖底面开设有缓冲连接槽;
所述导热机构嵌入所述缓冲连接槽内部,所述导热机构包括导热板,所述导热板顶面均匀开设有隔离孔,所述导热板在所述隔离孔交叉处均匀凸起有导热支柱,所述导热板左右两侧开设有连接坡面;
所述固定底座用于提供支撑,同时与电路板进行电性连接,所述封装机构用于储存频率元器件,所述密封机构用于对所述封装机构内部进行密封,所述导热机构用于对所述封装机构内部进行散热。
进一步的,所述隔离板呈蜂窝状结构,所述隔离板蜂窝孔位六边形结构,所述隔离板内部填充有吸湿剂。
进一步的,所述底座支板底面均匀开设有散热槽,所述散热槽呈波纹状结构,所述散热槽延伸宽度与所述封装壳体的内宽一致,所述封装壳体侧壁表面均匀开设有间隔槽,所述间隔槽结构与所述散热槽结构一致。
进一步的,所述连接槽为“T”型槽体,所述散热槽嵌入所述连接槽内部,所述封装壳体嵌入所述卡接槽内部,所述封装壳体内壁与所述隔离板侧壁相切。
进一步的,还包括固定螺钉,所述固定螺钉设置有四个,四个所述固定螺钉用于将所述连接支柱与所述连接挡边。
进一步的,所述防尘挡板截面呈等边梯形结构,所述防尘挡板与所述密封盖之间形成有通风槽,所述防尘挡板在所述通风槽两端切割呈斜面,所述防尘挡板和所述密封盖为一体成型结构。
进一步的,所述散热支柱嵌入于所述连接孔内部,所述散热支柱与所述隔离孔之间的间隔柱位置相匹配,所述散热支柱顶端通过金属导丝与所述间隔柱侧面相连接,所述散热支柱均匀环绕所述封装壳体一周。
进一步的,所述导热支柱底端呈圆柱状结构,且顶端呈圆锥形结构,所述导热支柱贯穿所述连接散热孔,所述导热支柱外壁与所述连接散热孔内壁相切,所述导热支柱顶端延伸至所述防尘挡板内壁顶面,所述导热支柱顶端与所述防尘挡板内壁顶面相切。
进一步的,所述缓冲连接槽为等边梯形槽体,所述连接坡面与所述缓冲连接槽内壁侧面相匹配,所述连接坡面与所述缓冲连接槽侧壁相切,所述连接坡面顶面与所述缓冲连接槽顶面之间设置有空隙。
进一步的,所述导热支柱与所述连接散热孔之间的缝隙通过有机硅材质的灌封胶进行密封,所述密封盖侧面与所述封装壳体内壁之间的缝隙通过有机硅材质的灌封胶进行密封。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
本发明通过设置有间隔槽,使得频率元器件与封装壳体内壁之间进行卡紧的同时可留有散热的空间,避免热量集中在频率元器件表面,降低对频率元器件的损伤;
本发明通过设置有导热板,可对频率元器件进行卡紧的同时,利用隔离孔进行热量的流动的散失,同时可通过导热支柱将热量向防尘挡板底面的通风槽进行传递,同时通过在密封盖和防尘挡板之间设置有通风槽,可利用空气流动带动热量的散失,提高该装置的散热效率;
本发明通过设置有散热支柱可利用金属导丝将聚集在隔离孔内部的热量传导至散热支柱表面,同时通过散热支柱向该装置外部进行扩散,极大提高了散热效率,提高频率元器件的使用寿命;
本发明通过设置有隔离板,在隔离频率元器件增加散热的同时,可通过吸湿剂吸收该装置内部的水分,避免水分液化造成频率元器件的短路,同时通过开设有散热槽,在该装置与电路板进行固定时形成散热空隙,提高该装置在电路板表面工作时的散热效率,减少热量集中,保证频率元器件的正常工作;
本发明通过将缓冲连接槽设置为等边梯形槽体,同时连接坡面与缓冲连接槽侧壁相切,同时在连接坡面顶面与缓冲连接槽顶面之间设置有空隙,可通过斜面拼接使得顶面产生的缝隙不会延伸至装置内部,提高该装置的密封性,通过在连接坡面顶面与缓冲连接槽顶面之间设置有空隙,可保证热量的循环,方便热量的传导,提高热量的传递消散。
附图说明
图1为本发明一较佳实施例的立体结构示意图;
图2为图1实施例中的密封机构结构示意图;
图3为图1实施例中的导热机构结构示意图;
图4为图1实施例中的封装机构结构示意图;
图5为图1实施例中的封装机构底面结构示意图;
图6为图1实施例中的固定底座结构示意图;
图7为图1实施例中的固定底座底面结构示意图;
图8为图1实施例中的侧视剖视结构示意图。
附图标记:1、固定底座;101、底座支板;102、连接支柱;103、连接元件;104、散热支柱;105、隔离板;106、卡接槽;107、散热槽;2、封装机构;201、封装壳体;202、连接挡边;203、间隔槽;204、连接槽;205、连接孔;3、固定螺钉;4、密封机构;401、防尘挡板;402、密封盖;403、连接散热孔;404、缓冲连接槽;5、导热机构;501、导热板;502、隔离孔;503、导热支柱;504、连接坡面。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请一并参阅图1-图8,其中,一种频率元器件智能封装设备,包括固定底座1、封装机构2、密封机构4和导热机构5;
所述固定底座1包括底座支板101左右两侧对称凸起有连接元件103,所述连接元件103用于与频率元器件电性连接,所述底座支板101顶面四角均凸起有连接支柱102,所述底座支板101顶面中心凸起有隔离板105,所述底座支板101顶面与所述隔离板105之间环绕开设有卡接槽106,所述底座支板101顶面在四个所述连接支柱102两两之间均匀凸起有散热支柱104;
所述封装机构2包括封装壳体201,所述封装壳体201顶面外围环绕凸起有连接挡边202,所述封装壳体201内侧表面环绕开设有间隔槽203,所述连接挡边202顶面四角均匀开设有连接槽204,所述连接挡边202底面在所述连接槽204两两之间均匀开设有连接孔205;
所述密封机构4包括防尘挡板401,所述防尘挡板401底面固定焊接有密封盖402,所述密封盖402顶面均匀开设有连接散热孔403,所述密封盖402底面开设有缓冲连接槽404;
所述导热机构5嵌入所述缓冲连接槽404内部,所述导热机构5包括导热板501,所述导热板501顶面均匀开设有隔离孔502,所述导热板501在所述隔离孔502交叉处均匀凸起有导热支柱503,所述导热板501左右两侧开设有连接坡面504;
所述固定底座1用于提供支撑,同时与电路板进行电性连接,所述封装机构2用于储存频率元器件,所述密封机构4用于对所述封装机构2内部进行密封,所述导热机构5用于对所述封装机构2内部进行散热。
为了方便进行除湿,所述隔离板105呈蜂窝状结构,所述隔离板105蜂窝孔位六边形结构,所述隔离板105内部填充有吸湿剂,利用水分自身重力进行沉降,方便装置内的除湿和自洁。
为了方便进行装置内部的热量循环和散热,所述底座支板101底面均匀开设有散热槽107,所述散热槽107呈波纹状结构,所述散热槽107延伸宽度与所述封装壳体201的内宽一致,所述封装壳体201侧壁表面均匀开设有间隔槽203,所述间隔槽203结构与所述散热槽107结构一致。
为了提高该装置的连接紧密性,同时保证连接稳定性,所述连接槽204为“T”型槽体,所述散热槽107嵌入所述连接槽204内部,所述封装壳体201嵌入所述卡接槽106内部,所述封装壳体201内壁与所述隔离板105侧壁相切。
为了方便进行固定,保证该装置的稳定性,还包括固定螺钉3,所述固定螺钉3设置有四个,四个所述固定螺钉3用于将所述连接支柱102与所述连接挡边202。
为了方便进行散热,保证散热效率,所述防尘挡板401截面呈等边梯形结构,所述防尘挡板401与所述密封盖402之间形成有通风槽,所述防尘挡板401在所述通风槽两端切割呈斜面,所述防尘挡板401和所述密封盖402为一体成型结构,提高结构强度,为了保证该装置的结构强度,同时保证连接紧密性。
为了保证散热的迅速和质量,保证散热的均衡性,所述散热支柱104嵌入于所述连接孔205内部,所述散热支柱104与所述隔离孔502之间的间隔柱位置相匹配,所述散热支柱104顶端通过金属导丝与所述间隔柱侧面相连接,所述散热支柱104均匀环绕所述封装壳体201一周。
为了提高该装置的散热效率,所述导热支柱503底端呈圆柱状结构,且顶端呈圆锥形结构,所述导热支柱503贯穿所述连接散热孔403,所述导热支柱503外壁与所述连接散热孔403内壁相切,所述导热支柱503顶端延伸至所述防尘挡板401内壁顶面,所述导热支柱503顶端与所述防尘挡板401内壁顶面相切,通过导热支柱503与防尘挡板401进行贴合,使得热量经过导热支柱503进行传导,并逐渐挥发至空气中,同时配合通风槽进行热量的分散。
为了方便热量循环传递,同时避免产生拼接空隙,所述缓冲连接槽404为等边梯形槽体,所述连接坡面504与所述缓冲连接槽404内壁侧面相匹配,所述连接坡面504与所述缓冲连接槽404侧壁相切,所述连接坡面504顶面与所述缓冲连接槽404顶面之间设置有空隙,通过斜面拼接使得顶面产生的缝隙不会延伸至装置内部,提高该装置的密封性。
为了提高密封该装置密封性,避免产生密封空隙,所述导热支柱503与所述连接散热孔403之间的缝隙通过有机硅材质的灌封胶进行密封,所述密封盖402侧面与所述封装壳体201内壁之间的缝隙通过有机硅材质的灌封胶进行密封。
综上所述,本发明提供的一种频率元器件智能封装设备,在封装时,将封装壳体201底端嵌入于卡接槽106内部,紧接着将频率元器件嵌入于封装壳体201内部,使得频率元器件侧面与间隔槽203侧面相贴合,同时通过固定螺钉3将固定底座1和封装机构2固定连接,紧接着可将导热板501底面贴合在频率元器件表面,同时将密封盖402套接于导热机构5顶面,并使用有机硅材质的灌封胶进行封装,使得该装置将频率元器件密封在封装壳体201内部;
其次,通过开设有间隔槽203,使得频率元器件与封装壳体201内壁之间进行卡紧的同时可留有散热的空间,避免热量集中在频率元器件表面,降低对频率元器件的损伤,通过设置有导热板501,可对频率元器件进行卡紧的同时,利用隔离孔502进行热量的流动的散失,同时可通过导热支柱503将热量向防尘挡板401底面的通风槽进行传递,同时通过在密封盖402和防尘挡板401之间设置有通风槽,可利用空气流动带动热量的散失,提高该装置的散热效率,同时通过设置有散热支柱104可利用金属导丝将聚集在隔离孔502内部的热量传导至散热支柱104表面,同时通过散热支柱104相该装置外部进行扩散,极大提高了散热效率,提高频率元器件的使用寿命;
最后,通过设置有隔离板105,在隔离频率元器件增加散热的同时,可通过吸湿剂吸收该装置内部的水分,避免水分液化造成频率元器件的短路,同时通过开设有散热槽107,在该装置与电路板进行固定时形成散热空隙,提高该装置在电路板表面工作时的散热效率,减少热量集中,保证频率元器件的正常工作。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种频率元器件智能封装设备,其特征在于,包括:固定底座(1)、封装机构(2)、密封机构(4)和导热机构(5);
所述封装机构(2)固定在所述固定底座(1)上,所述封装机构(2)用于储存频率元器件,所述封装机构(2)包括封装壳体(201),所述封装壳体(201)顶面外围环绕凸起有连接挡边(202),所述封装壳体(201)内侧表面环绕开设有间隔槽(203),所述连接挡边(202)顶面四角均匀开设有连接槽(204)且每两个所述连接槽(204)组成一个连接槽组件,所述连接挡边(202)底面在任一所述连接槽组件中两个所述连接槽(204)之间开设有连接孔(205);
所述密封机构(4)用于对所述封装机构(2)内部进行密封;
所述导热机构(5)用于对所述封装机构(2)内部进行散热。
2.根据权利要求1所述的一种频率元器件智能封装设备,其特征在于,所述固定底座(1)包括底座支板(101)左右两侧对称凸起有连接元件(103),所述连接元件(103)用于与频率元器件电性连接,所述底座支板(101)顶面四角均凸起有连接支柱(102),所述底座支板(101)顶面中心凸起有隔离板(105),所述底座支板(101)顶面与所述隔离板(105)之间环绕开设有卡接槽(106),所述底座支板(101)顶面在四个所述连接支柱(102)且每两所述连接支柱(102)分成一组连接支柱组件,所述连接支柱组件之间凸起有散热支柱(104),其中,所述隔离板(105)呈蜂窝状结构,所述隔离板(105)蜂窝孔位六边形结构,所述隔离板(105)内部填充有吸湿剂。
3.根据权利要求2所述的一种频率元器件智能封装设备,其特征在于,所述底座支板(101)底面均匀开设有散热槽(107),所述散热槽(107)呈波纹状结构,所述散热槽(107)延伸宽度与所述封装壳体(201)的内宽一致,所述封装壳体(201)侧壁表面均匀开设有间隔槽(203),所述间隔槽(203)结构与所述散热槽(107)结构一致。
4.根据权利要求3所述的一种频率元器件智能封装设备,其特征在于,所述连接槽(204)为“T”型槽体,所述散热槽(107)嵌入所述连接槽(204)内部,所述封装壳体(201)嵌入所述卡接槽(106)内部,所述封装壳体(201)内壁与所述隔离板(105)侧壁相切。
5.根据权利要求1所述的一种频率元器件智能封装设备,其特征在于,还包括固定螺钉(3),所述固定螺钉(3)设置有四个,四个所述固定螺钉(3)用于将所述连接支柱(102)与所述连接挡边(202)。
6.根据权利要求1所述的一种频率元器件智能封装设备,其特征在于,所述密封机构(4)包括防尘挡板(401),所述防尘挡板(401)底面固定焊接有密封盖(402),所述密封盖(402)顶面均匀开设有连接散热孔(403),所述密封盖(402)底面开设有缓冲连接槽(404),其中,所述防尘挡板(401)截面呈等边梯形结构,所述防尘挡板(401)与所述密封盖(402)之间形成有通风槽,所述防尘挡板(401)在所述通风槽两端切割呈斜面,所述防尘挡板(401)和所述密封盖(402)为一体成型结构。
7.根据权利要求1所述的一种频率元器件智能封装设备,其特征在于,所述散热支柱(104)嵌入于所述连接孔(205)内部,所述散热支柱(104)与所述隔离孔(502)之间的间隔柱位置相匹配,所述散热支柱(104)顶端通过金属导丝与所述间隔柱侧面相连接,所述散热支柱(104)均匀环绕所述封装壳体(201)一周。
8.根据权利要求6所述的一种频率元器件智能封装设备,其特征在于,所述导热机构(5)嵌入所述缓冲连接槽(404)内部,所述导热机构(5)包括导热板(501),所述导热板(501)顶面均匀开设有隔离孔(502),所述导热板(501)在所述隔离孔(502)交叉处均匀凸起有导热支柱(503),所述导热板(501)左右两侧开设有连接坡面(504),所述导热支柱(503)底端呈圆柱状结构,且顶端呈圆锥形结构,所述导热支柱(503)贯穿所述连接散热孔(403),所述导热支柱(503)外壁与所述连接散热孔(403)内壁相切,所述导热支柱(503)顶端延伸至所述防尘挡板(401)内壁顶面,所述导热支柱(503)顶端与所述防尘挡板(401)内壁顶面相切。
9.根据权利要求8所述的一种频率元器件智能封装设备,其特征在于,所述缓冲连接槽(404)为等边梯形槽体,所述连接坡面(504)与所述缓冲连接槽(404)内壁侧面相匹配,所述连接坡面(504)与所述缓冲连接槽(404)侧壁相切,所述连接坡面(504)顶面与所述缓冲连接槽(404)顶面之间设置有空隙。
10.根据权利要求8所述的一种频率元器件智能封装设备,其特征在于,所述导热支柱(503)与所述连接散热孔(403)之间的缝隙通过有机硅材质的灌封胶进行密封,所述密封盖(402)侧面与所述封装壳体(201)内壁之间的缝隙通过有机硅材质的灌封胶进行密封。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116504733A (zh) * 2023-06-28 2023-07-28 深圳辰达行电子有限公司 一种大功率贴片桥散热封装结构及封装方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080142955A1 (en) * 2006-12-13 2008-06-19 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Heat-dissipating structure and heat-dissipating semiconductor package having the same
CN104955293A (zh) * 2014-03-27 2015-09-30 特富特科技(深圳)有限公司 一种电磁器件封装外壳
US20160322280A1 (en) * 2015-04-30 2016-11-03 Deere & Company Package for a semiconductor device
US10269678B1 (en) * 2017-12-05 2019-04-23 Nxp Usa, Inc. Microelectronic components having integrated heat dissipation posts, systems including the same, and methods for the fabrication thereof
CN210722994U (zh) * 2019-12-10 2020-06-09 青岛歌尔智能传感器有限公司 电子元件的封装结构
CN210868538U (zh) * 2019-09-07 2020-06-26 无锡上频高新科技有限公司 一种频率类元器件的封装结构
CN112328056A (zh) * 2020-11-04 2021-02-05 青岛博展智能科技有限公司 一种大数据计算服务器自动散热部件

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080142955A1 (en) * 2006-12-13 2008-06-19 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Heat-dissipating structure and heat-dissipating semiconductor package having the same
CN104955293A (zh) * 2014-03-27 2015-09-30 特富特科技(深圳)有限公司 一种电磁器件封装外壳
US20160322280A1 (en) * 2015-04-30 2016-11-03 Deere & Company Package for a semiconductor device
US10269678B1 (en) * 2017-12-05 2019-04-23 Nxp Usa, Inc. Microelectronic components having integrated heat dissipation posts, systems including the same, and methods for the fabrication thereof
CN210868538U (zh) * 2019-09-07 2020-06-26 无锡上频高新科技有限公司 一种频率类元器件的封装结构
CN210722994U (zh) * 2019-12-10 2020-06-09 青岛歌尔智能传感器有限公司 电子元件的封装结构
CN112328056A (zh) * 2020-11-04 2021-02-05 青岛博展智能科技有限公司 一种大数据计算服务器自动散热部件

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116504733A (zh) * 2023-06-28 2023-07-28 深圳辰达行电子有限公司 一种大功率贴片桥散热封装结构及封装方法
CN116504733B (zh) * 2023-06-28 2023-09-15 深圳辰达行电子有限公司 一种大功率贴片桥散热封装结构及封装方法

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