CN113380460A - 透明导电膜 - Google Patents

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小罗伯特.F.普赖诺
S.P.亚瑟
D.J.亚瑟
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Chasm Technologies Inc
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Abstract

本发明涉及透明导电膜(10)，其具有：具有表面(14a，14b)的基底(14)；在基底(14)的表面(14a，14b)的一个或多个部分上面的纳米线层(12，12a)；和在包括纳米线层(12，12a)的所述部分上的导电层(16，16a)，导电层(16，16a)包括碳纳米管(CNT)和粘合剂。

Description

透明导电膜
本申请是国际申请日为2016年4月21日、申请号为201680030973.7、发明名称为“透明导电膜”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本公开内容涉及透明导电膜。
背景技术
目前使用的许多常用的透明导电膜依赖于无机化合物来提供必要的导电性。为了提供期望的透明度，总膜厚限于约50-100nm。常见的导电薄膜化合物为氧化铟锡(ITO)。基于ITO的薄膜在上述透明度范围内提供约100-约300Ω/□的薄层电阻。然而，基于ITO的薄膜具有脆性和高成本的缺点。
发明内容
以下提及的所有实例和特征可以任何技术上可行的方式组合。
在一个方面中，透明导电膜(TCF)包括具有表面的基底、在所述基底的所述表面的一个或多个部分上面的纳米线层、和在包括所述纳米线层的所述部分上的导电层，所述导电层包括碳纳米管(CNT)和粘合剂。
实施方式可包括以下特征之一、或其任意组合。所述纳米线可为银或铜纳米线。所述纳米线层可包括纳米线粘合剂。所述纳米线层可包括配置成改变所述纳米线层的光学性质的添加剂，在一个非限制性实例中其为光学增亮剂(optical brightener)。所述纳米线层可具有约10mg/m2-约100mg/m2纳米线。所述纳米线层可在总计包括比所述基底的所述表面的全部小的部分上。
实施方式可包括以下特征之一、或其任意组合。所述导电层粘合剂可包括聚合物，在一个非限制性实例中其为离聚物。在一个非限制性实例中所述离聚物可为磺化的基于四氟乙烯的含氟聚合物-共聚物。所述导电层粘合剂可具有不大于约1.5的折射率。
实施方式可包括以下特征之一、或其任意组合。所述导电层可进一步包括粘度改进剂(调节剂，modifier)。所述导电层可进一步包括导电纳米颗粒和石墨烯的至少一种。所述TCF还可包括促进所述纳米线和CNT的至少一种对所述基底的粘附的在所述基底上的连接层(tie layer)。所述连接层可包括聚合物例如甲基丙烯酸甲酯共聚物。所述连接层可具有配置成改变所述连接层的光学性质的添加剂。所述基底可具有两个相反表面；其中存在两个纳米线层，在两个这样的表面的一个或多个部分上各一个；和其中在两个纳米线层上均存在导电层。
本文中特征还在于制造透明导电膜(TCF)的方法，其包括提供具有表面的基底，在所述基底的所述表面的一个或多个部分上面沉积纳米线层，和在包括所述纳米线层的所述部分上图案化导电层，所述导电层包括碳纳米管(CNT)和粘合剂。
实施方式可包括以下特征之一、或其任意组合。所述纳米线可为银或铜纳米线。所述纳米线层可具有纳米线粘合剂。所述纳米线层可包括配置成改变所述纳米线层的光学性质的添加剂；所述添加剂可为光学增亮剂。所述纳米线层可具有约10mg/m2-约100mg/m2纳米线。所述纳米线层可在总计包括比所述基底的所述表面的全部小的部分上。
实施方式可包括以下特征之一、或其任意组合。所述导电层粘合剂可包括聚合物，其可为离聚物例如但不限于磺化的基于四氟乙烯的含氟聚合物-共聚物。所述导电层粘合剂可具有不大于约1.5的折射率。
实施方式可包括以下特征之一、或其任意组合。所述导电层可进一步包括粘度改进剂。所述粘度改进剂可为短效(fugitive)材料。所述导电层还可包括导电纳米颗粒和石墨烯的至少一种。所述基底可具有两个相反表面，并且可存在两个纳米线层，在两个这样的表面的一个或多个部分上各一个并且在两个纳米线层上均存在导电层。
实施方式可包括以下特征之一、或其任意组合。所述方法可进一步包括在所述沉积步骤之前在所述基底的顶部表面上产生促进所述纳米线和CNT的至少一种对所述基底的粘附的连接层。所述连接层可包括配置成改变所述连接层的光学性质的添加剂。所述连接层可包括聚合物例如甲基丙烯酸甲酯共聚物。可在小于全部所述纳米线层上图案化所述导电层，从而留下暴露的纳米线，然后可将所述暴露的纳米线除去。
本发明的实施方式例如有：
1.透明导电膜(TCF)，其包括：
具有表面的基底；
在所述基底的所述表面的一个或多个部分上面的纳米线层；和
在包括所述纳米线层的所述部分上的导电层，所述导电层包括碳纳米管(CNT)和粘合剂。
2.如条目1所述的TCF，其中所述纳米线包括银或铜纳米线。
3.如条目1所述的TCF，其中所述纳米线层包括纳米线粘合剂。
4.如条目1所述的TCF，其中所述纳米线层包括配置成改变所述纳米线层的光学性质的添加剂。
5.如条目4所述的TCF，其中所述添加剂包括光学增亮剂。
6.如条目1所述的TCF，其中所述纳米线层包括约10mg/m2-约100mg/m2纳米线。
7.如条目1所述的TCF，其中所述纳米线层在总计包括比所述基底的所述表面的全部小的部分上。
8.如条目1所述的TCF，其中所述导电层粘合剂包括聚合物。
9.如条目8所述的TCF，其中所述导电层粘合剂包括离聚物。
10.如条目9所述的TCF，其中所述导电层粘合剂包括磺化的基于四氟乙烯的含氟聚合物-共聚物。
11.如条目1所述的TCF，其中所述导电层粘合剂具有不大于约1.5的折射率。
12.如条目1所述的TCF，其中所述导电层进一步包括粘度改进剂。
13.如条目1所述的TCF，其中所述导电层进一步包括导电纳米颗粒和石墨烯的至少一种。
14.如条目1所述的TCF，其进一步包括促进所述纳米线和CNT的至少一种对所述基底的粘附的在所述基底上的连接层。
15.如条目14所述的TCF，其中所述连接层包括配置成改变所述连接层的光学性质的添加剂。
16.如条目14所述的TCF，其中所述连接层包括聚合物。
17.如条目16所述的TCF，其中所述聚合物包括甲基丙烯酸甲酯共聚物。
18.如条目1所述的TCF，其中所述基底具有两个相反表面；其中存在两个纳米线层，在两个这样的表面的一个或多个部分上各一个；和其中在两个纳米线层上均存在导电层。
19.制造透明导电膜(TCF)的方法，其包括：
提供具有表面的基底；
在所述基底的所述表面的一个或多个部分上面沉积纳米线层；和
在包括所述纳米线层的所述部分上图案化导电层，所述导电层包括碳纳米管(CNT)和粘合剂。
20.如条目19所述的方法，其中所述纳米线包括银或铜纳米线。
21.如条目19所述的方法，其中所述纳米线层包括纳米线粘合剂。
22.如条目19所述的方法，其中所述纳米线层包括配置成改变所述纳米线层的光学性质的添加剂。
23.如条目22所述的方法，其中所述添加剂包括光学增亮剂。
24.如条目19所述的方法，其中所述纳米线层包括约10mg/m2-约100mg/m2纳米线。
25.如条目19所述的方法，其中所述纳米线层在总计包括比所述基底的所述表面的全部小的部分上。
26.如条目19所述的方法，其中所述导电层粘合剂包括聚合物。
27.如条目26所述的方法，其中所述导电层粘合剂包括离聚物。
28.如条目27所述的方法，其中所述导电层粘合剂包括磺化的基于四氟乙烯的含氟聚合物-共聚物。
29.如条目19所述的方法，其中所述导电层粘合剂具有不大于约1.5的折射率。
30.如条目19所述的方法，其中所述导电层进一步包括粘度改进剂。
31.如条目30所述的方法，其中所述粘度改进剂为短效材料。
32.如条目19所述的方法，其中所述导电层进一步包括导电纳米颗粒和石墨烯的至少一种。
33.如条目19所述的方法，其进一步包括在所述沉积步骤之前在所述基底的顶部表面上产生促进所述纳米线和CNT的至少一种对所述基底的粘附的连接层。
34.如条目33所述的方法，其中所述连接层包括配置成改变所述连接层的光学性质的添加剂。
35.如条目33所述的方法，其中所述连接层包括聚合物。
36.如条目35所述的方法，其中所述聚合物包括甲基丙烯酸甲酯共聚物。
37.如条目19所述的方法，其中所述基底具有两个相反表面；其中存在两个纳米线层，在两个这样的表面的一个或多个部分上各一个；和其中在两个纳米线层上均存在导电层。
附图说明
图1为包括上覆(外涂，over-coat)有包括碳纳米管(CNT)和粘合剂的导电层的第一金属纳米线层的透明导电膜的顶视图。
图2为图1的透明导电膜的侧视图。
具体实施方式
本公开内容描述透明导电膜(TCF)。所述透明导电膜包括通过各种各样的基底承载的金属纳米线(典型地银纳米线(AgNW))和碳纳米管(CNT)。
参照附图，TCF 10(图1和2)包括：在基底14的一个或多个部分上的金属纳米线层12，其上覆有导电CNT层16。所述TCF典型地具有优异的导电性、高的可见光透射(VLT)以及纳米线层12对CNT层16的优异粘附。附图是高度示意性的并且不是按比例的。特别地，为了便于说明，大幅放大了层厚度。
TCF 10(图1)可通过以下方法制造。典型地，将金属纳米线(例如，AgNW)通过涂布工艺施加至基底14的表面(例如，表面14a)，所述涂布工艺例如但不限于迈耶(Mayer)棒、喷射、凹版印刷、辊、缝模(slot die)、幕帘(curtain)、和滑动(玻片，slide)。纳米线层12包括跨越(横过，across)基底14以无规方式分布的金属纳米线。可在纳米线层之前在基底上施加以下讨论的任选的连接层18。导电层16是用CNT和粘合剂实现的，CNT和粘合剂一起通过印刷工艺以期望的任何图案(包括覆盖纳米线的一些或全部的一个或多个区域例如区域21、22和23)施加在金属纳米线层上面，所述印刷工艺例如但不限于丝网印刷(轮转(rotary)和单张(sheet))、气溶胶喷射、柔性版、移印(pad)、凹版印刷、缝模贴(slot diepatch)和滑贴(slide patch)。为了提供将导电性限于随后施加的CNT的图案的TCF，将暴露的金属纳米线(如果有的话)即未涂布有CNT的纳米线除去以提供具有期望的导电性图案的TCF。
所得TCF是导电性、柔性且可拉伸的材料。另外，被金属纳米线和CNT两者覆盖的区域可具有范围为约85％-约97％的可见光透射(VLT)、和最优选地超过98％的VLT。所述可见光透射值仅涉及金属纳米线和CNT的涂层；所述可见光透射值不包括基底。
用于TCF 10的合适基底将具有如下属性：其可包括，但不限于光学透明度、机械尺寸稳定性、化学和溶剂耐受性、可拉伸性、热成型性、表面处理(亲水的或疏水的)、表面光滑度、温度稳定性。基底的实例包括但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚砜、聚烯烃聚乙烯、聚丙烯(PP)、聚-1-丁烯(PB)共聚物、甲基戊烯(TPX)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚降冰片烯、聚酰亚胺、环烯烃、和玻璃。基底厚度可典型地但未必范围为约0.5微米-约20微米。
用于TCF 10的纳米线层中的合适的纳米线是导电的，在溶剂中可分散的以使得能够配制稳定的墨或涂布流体，在至少一个维度上具有亚微米特征，具有长径比>1，可为实心或者中空的，在涂布时将在基底上形成导电网络，将具有对于加工而言足够的对基底的粘附(这可包括向所述配方添加粘合剂)，(如果未被上覆的话)将是能通过擦拭从基底除去的。合适的纳米线可包括但不限于AgNW、铜纳米线或者其它合适的金属纳米线。TCF中使用的AgNW具有典型地范围为约31nm-约50nm(更通常地，约5nm-约150nm)的直径和约11.4μm-约20μm(更通常地，约5微米-约70微米)的典型长度。每平方米的金属纳米线的浓度可典型地范围为约30mg/平方米-约55mg/平方米、或者更通常地约1mg/m2-约100mg/m2。当使用AgNW时，其在用于印刷纳米线层的溶剂中的浓度将典型地为约0.1mg/ml-约10mg/ml。纳米线层还可包括有助于将纳米线结合至基底的粘合剂。候选粘合剂包括但不限于可溶性聚合物例如聚乙烯基吡咯烷酮、纤维素酯、聚丙烯酸类聚合物、和聚乙烯醇。纳米线层还可包括改变纳米线层的光学性质的光学增亮剂，例如以降低可与AgNW有关的黄色色相。候选光学增亮剂描述于下。
适合用于TCF 10的导电层中的碳纳米管是导电的，在沉积时将形成导电网络，在溶剂中可分散的使得可配制稳定的墨或涂布流体，在至少一个维度上具有亚微米特征，有一个维度<2nm，具有长径比>1，将具有对于加工而言足够的对纳米线层和基底的粘附，并且不是能通过擦拭从基底除去的。合适的碳纳米管包括单壁、少壁、和多壁管。可添加石墨烯或金属纳米颗粒(例如银或其它金属纳米颗粒)以降低管之间的接触电阻。如本文中使用的，CNT指的是单壁、多壁和少壁管。少壁管是具有典型地范围为2-3个壁的中值数量的壁的CNT，即一批少壁CNT可具有一些具有大于三个壁的CNT；然而，少壁CNT的主要组分将具有2-3个壁。本文中的实施例(实例)中使用的CNT为具有约0.84nm的中值直径和范围为但不限于约0.7nm-约1.4nm的直径以及约1.1μm的中值长度和范围为但不限于约0.3μm-约3μm的长度的单壁CNT。每平方米CNT的浓度可典型地范围为约1mg/平方米-约25mg/平方米。典型地，每平方米CNT的浓度将为约0.5mg/m2-约5mg/m2。
导电层还包括如下粘合剂：其将典型地为有机或无机聚合物，可容许电子迁移，将是机械稳定的，提供对于加工而言足够的对纳米线层和基底的粘附，可提升导电层的内聚强度，可具有低的折射率和高的可见光透射，是化学稳定的，并且可对于稳定的墨或涂布流体配制成导电层。合适的粘合剂包括例如传导性聚合物例如离聚物。合适的粘合剂包括“Nafion”(磺化的基于四氟乙烯的含氟聚合物-共聚物离聚物)；聚(亚芳基醚砜)或“BPS”；磺化的聚(亚芳基硫醚砜)或“PATS”；包括使用金属盐例如锌、钠等部分地中和的酸基团的乙烯共聚物、或者可得自DuPont的“Surlyn”(其为乙烯和甲基丙烯酸的共聚物)。如本领域技术人员知晓的，Nafion是在二十世纪六十年代后期由DuPont的Walther Grot发现的磺化的基于四氟乙烯的含氟聚合物-共聚物，其被标识为CAS登记号66796-30-3。可将该Nafion粘合剂溶解于异丙醇中，之后添加至墨溶液。合适的粘度改进剂(例如，胺-酸加合物)描述于美国公布的专利申请号2005/0276924中，将其公开内容引入本文作为参考。分散在墨中的CNT可范围为约0.1-约1.5g/L。CNT对粘合剂的比率可为约1:0.5-约1:50。当使用约0.3g/L的单壁CNT时，在使用布鲁克菲尔德粘度计以LV 4转子测量时，包括CNT的墨的粘度将为在5rpm下约15,000cP和在40rpm下9,000cP。墨视需要用醇稀释以实现期望的粘度，所述醇例如但不限于1-丙醇。
在一个实施方式中，本文中公开的TCF可通过以上描述的印刷工艺制备。典型地，将金属纳米线分散在溶剂例如乙醇或者适合用于印刷工艺的其它溶剂(例如，甲醇、异丙醇、正丙醇、丁醇或水)中。分散体中金属纳米线的量可典型地范围为整个分散体的约0.15-约1％重量、或者更通常地约0.05％-约5％重量。在一个非限制性实例中，使用AgNW在乙醇中的0.25％重量分散体。将金属纳米线的分散体印刷或者以其它方式施加至基底的表面。在施加金属纳米线的分散体之前，应将基底清洁以除去任何颗粒污染物。在清洁之后，将NW分散体施加至基底的表面并且压延(draw down)至约25μm的湿涂层厚度。压延步骤可使用光滑的棒涂器和固定的间隙。替代地，可使用迈耶棒。容许金属纳米线的分散体干燥数秒(通常在环境条件下)。随后，通过加热进行另外的干燥，例如用手持式干燥器用350°F输出进行另外的加热约30秒。
在施加CNT之前，确定用于TCF导电区域的期望的图案。可将承载纳米线层的基底的一个或多个区域以胶带粘起来(tape)或者掩蔽掉以仅暴露待用CNT涂布的那些区域，并且因此形成最终的TCF导电区域。替代地，可将作为墨施加的CNT以期望的图案印刷在金属纳米线上面而无需先掩蔽NW层。期望的图案可包括用纳米线涂布的整个区域，其可为或者可不为基底的整个区域。
使用分散在合适的墨中的CNT来涂布基底的承载纳米线层的暴露区域。适合用于将CNT施加至用金属纳米线涂布的基底的墨包括但不限于基于溶剂的、不含表面活性剂、可丝网印刷的墨。另外，墨应包含粘合剂以促进粘附，和包含粘度改进剂以辅助涂布过程。
将包含CNT、粘合剂(和任选地粘度改进剂)的墨施加至承载纳米线层的基底的期望区域优选地经由印刷工艺发生。例如，一种合适的工艺采用355目聚酯丝网与3mm排出(snap off)距离。将承载纳米线层的基底固定以提供光滑的、平的表面。将携带CNT的墨通过如下施加：用墨淹没所述丝网，并且将所述流体用刮墨板在期望的图案上面拖拉。优选地使用75°刮墨板角度、均匀的压力和速度，使墨剪切通过所述丝网到基底上。在墨的施加之后，将TCF通过用手持式对流干燥器用设置为350°F的空气温度加热约30秒而干燥。最终的干燥可在流动的空气环境中在105℃的条件下发生10分钟，例如在设置为105℃的对流烘箱中发生10分钟。
在将CNT墨施加在纳米线层的期望区域上面并且将墨干燥之后，处理不含CNT墨的那些区域以除去暴露的金属纳米线。金属纳米线的除去可通过用被水润湿的布擦拭表面而实现。替代地，布可用异丙醇润湿。替代地，表面可用被水/醇共混物润湿的布擦拭。替代地，在使用足够浓度的Nafion粘合剂的情况下，可擦拭整个TCF表面而不有害地除去CNT组分。
在一些器件应用中，需要在基底的一侧上具有导电膜结构，该基底可与在第二基底上具有类似或者不同导电膜结构的另一基底组合到所述器件中以提供期望的光电子性能。在另外的器件应用中，如下可为有利的：在基底的各侧上具有导电膜结构，其中该两个导电膜结构可类似或不同以提供期望的光电子性能。简化的、非限制性实例示于图2中。基底14具有顶部表面14a和相反的底部表面14b。任选的连接层18和18a可施加至这些表面。施加纳米线层12和12a，之后为导电层16和16a。在该实例中，在基底14的侧14a上的导电区域21-23在一个方向上延伸并且在相反侧14b上的导电区域24在不同(例如，正交)方向上延伸。如其它地方所陈述的，基底的任一侧上的导电区域的排列和图案是设计选择的问题。
制造两侧型TCF的方法可包括，但不限于，首先在基底的各侧上涂布纳米线层，然后在基底的各侧上印刷导电CNT层。所述方法还可包括但不限于在一侧上涂布第一纳米线，之后在该第一纳米线层上印刷导电CNT层，和随后在基底的另一侧上重复该过程。未用所施加的CNT层涂布的纳米线可于在基底的各侧上涂布/印刷各TCF结构之后或者于在基底的两侧上涂布/印刷两个TCF结构之后除去。
在一个非限制性实例中，基底为PET，其被处理成产生促进墨的粘附的连接层。合适的PET可得自TEKRA,A Division of EIS,Inc.,16700West Lincoln Avenue,NewBerlin,WI 53151，其被标识为PET ST505。PET ST505具有约125μm的厚度。
在另一非限制性情况下，基底为聚碳酸酯(PC)膜。合适的PC可得自BAYERMaterialScience,Bayer AG,Kaiser-Wilhelm-Allee 1,51368Leverkusen,Germany，其为Makrofol DE-1-1HC。由于该可商购获得的PC膜通常不具有连接层，因此可在纳米线层之前向所述结构体添加另外的层。在一个非限制性实例中，连接层可包括甲基丙烯酸甲酯共聚物，其溶解于合适的溶剂中。所述共聚物的浓度典型地为0.25％重量并且可典型地范围为0.1％-10％重量。所述溶剂可包括，但不限于乙酸乙酯或乙酸丙酯。溶剂不可化学地溶解或者显著地吸收到所述PC基底中。在一个实例中连接层是用迈耶棒以7um湿厚度涂布的并且可在5um-15微米的范围内涂布。连接涂层干厚度典型地为0.018微米并且可在0.01um-1微米的范围内涂布。连接层聚合物可包括但不限于甲基丙烯酸甲酯共聚物，甲基丙烯酸乙酯共聚物，甲基丙烯酸异丁酯/正丁酯共聚物，甲基丙烯酸正丁酯聚合物，单、二和多官能丙烯酸酯单体和低聚物，具有磷酸根或者羧酸基团的功能性添加剂，具有官能团例如酸、胺、羟基的单体，多官能有机硅烷。
连接层还可包括配置成改变连接层的光学性质的添加剂。纳米线层可向所透射的光增添浅黄色色相。使来自物体的黄色色调的影响最小化的常用方法是将光学增亮剂添加到材料中。如公知的，光学增亮试剂(GBA)、荧光增亮试剂(FBA)或者荧光增白试剂(FWA)是吸收电磁光谱的紫外和紫色区域(通常340-370nm)中的光并且通过荧光而重新发射蓝色区域(典型地420-470nm)中的光的化合物。这样的材料可溶于溶剂中并且将OBA引入到连接层中以及相关的蓝色加入预计将抵消所述黄色色相。
TCF的重要性质包括薄层电阻(Rs)、光学透明度(％VLT)、化学耐受性、环境稳定性、机械鲁棒性(坚固性，robustness)。这些性质的典型值包括但不限于25欧姆/□-450欧姆/□的Rs、90％-99％的％VLT(没有基底的情况下)、对有机溶剂和清洁剂的耐受性、在热/干燥(85C/<20％RH)和热湿(65C/85％RH)中的稳定性、和弯曲测试(在1000次在张力下的反复弯曲下2或4mm弯曲半径)。
以下是根据本公开内容的TCF的若干非限制性实例，其包括不具有足以通过胶带试验的对基底的粘附的实例。
实施例1
如下制备TCF：使用PET ST505作为基底，用0.5％重量AgNW在乙醇中的分散体涂布，之后用CNT墨涂布，所述CNT墨包含0.3g/L的单壁CNT以及与单壁CNT的比率为50:1的Nafion粘合剂。
该实施例的TCF是用两种不同的CNT覆盖量印刷的。10mg/m2的单壁CNT覆盖量导致约85％的可见光透射(VLT)。3mg/m2的单壁CNT覆盖量导致约95-97％VLT。从非CNT印刷区域选择性地除去AgNW导致CNT印刷区域的电隔离。于在CNT印刷区域之间擦拭之前，电阻率范围为40-100Ω/□。在擦拭之后，这些区域具有无穷的电阻率读数，从而将CNT印刷区域隔离。
测定用3mg/m2印刷并且具有约95-97％VLT(在该VLT中不包括基底值)的TCF的电阻率测量结果。在将未被涂布的AgNW除去之前，该区域具有测得为40Ω/□到无穷(对于测试这些区域而言遇到困难)的薄层电阻。为了提供在期望的TCF和仅用CNT涂布的基底之间的比较，还制备CNT处理的基底。该基底具有10,000Ω/□的电阻率。相比之下，如上所述的承载了上覆有单壁CNT的AgNW的期望的TCF具有约40-约100Ω/□的薄层电阻范围和当在VLT的测量中包括基底时约88-93％的VLT。
另外，对所述TCF进行测试以测定CNT涂布区域的稳定性和AgNW的除去。为了测定CNT涂布区域的粘附，将得自3M的胶带(3M 510胶带)施加至CNT涂布区域和除去。CNT涂布区域显示出良好的粘附，即未被从基底除去。还测试用于除去未涂布CNT的AgNW的机理(mechanism)。胶带和仅用水、异丙醇和水/异丙醇的液体冲洗未将AgNW除去。用水或异丙醇的湿擦拭未成功地除去AgNW。在湿擦拭期间的过分的力还可将CNT涂层的一部分除去。
实施例2
使用聚酯(PET)膜Melinex ST505(125um)作为基底。制备银纳米线(AgNW)(～20nm直径；20um长度)分散体以得到在异丙醇(IPA)中的0.55％重量AgNW流体，其具有5.24:1的AgNW与粘合剂(聚乙烯基吡咯烷酮(PVP):MW 40,000,Sigma Aldrich,CAS9003-39-8)比率。AgNW涂层为～5英寸宽。将所述流体使用#6迈耶棒涂布在所述PET膜上(～55mg/m2 AgNW)。将所述涂层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒。使用具有3英寸方块图案的355目聚酯丝网将所述AgNW用碳纳米管墨(来自Chasm Technologies Inc的VC101单壁CNT墨)套印。所述墨被重新配制成～0.3g/升的CNT浓度和以50:1的Nafion/CNT比率包括Nafion(Aldrich510211)。将印刷的CNT层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～15秒。然后将所涂布的结构体在标准实验室对流烘箱中在105C下放置10分钟。容许所述样品冷却至环境温度(～25C)。将所述样品用被DI水润湿的软的毛毡织物以单遍擦拭进行擦拭。使用最小压力来擦拭所述膜。将所述膜用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒以除去所有的水。在AgNW涂布之后，％VLT(可见光透射)为～98-99％(扣除基底VLT)，具有雾度值～0.7％，并且具有～100-150欧姆/□(平方)的薄层电阻。所印刷的仅在PET基底上的CNT层具有～99-100％的％VLT(可见光透射)(扣除基底VLT)并且具有～50,000欧姆/□的薄层电阻。在完成CNT印刷和湿擦拭之后，整个结构体具有～99％的％VLT(可见光透射)(扣除基底VLT)并且具有～75欧姆/□的薄层电阻。通过了使用3M 510胶带的粘附试验。
实施例3
使用聚酯(PET)膜Melinex ST505(125um)作为基底。制备银纳米线(AgNW)(～20nm直径；20um长度)分散体以得到在异丙醇(IPA)中的0.55％重量AgNW流体，其具有5.24:1的AgNW与粘合剂(聚乙烯基吡咯烷酮(PVP):MW 40,000,Sigma Aldrich,CAS9003-39-8)比率。AgNW涂层为～5英寸宽。将所述流体使用#6迈耶棒涂布在所述PET膜上(～55mg/m2 AgNW)。将所述涂层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒。使用具有3英寸方块图案的355目聚酯丝网将所述AgNW用碳纳米管墨(来自Chasm Technologies Inc的VC101少壁CNT墨)套印。所述墨被重新配制成～0.3g/升的CNT浓度和以20:1的Nafion/CNT比率包括Nafion(Aldrich510211)。将印刷的CNT层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～15秒。然后将所涂布的结构体在标准实验室对流烘箱中在105C下放置10分钟。容许所述样品冷却至环境温度(～25C)。将所述样品用被DI水润湿的软的毛毡织物以单遍擦拭进行擦拭。使用最小压力来擦拭所述膜。将所述膜用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒以除去所有的水。在AgNW涂布之后，％VLT(可见光透射)为～98-99％(扣除基底VLT)，预期的雾度值为～0.7％(目视比较)，并且具有～100-150欧姆/□的薄层电阻。所印刷的仅在PET基底上的CNT层具有～97-98％的％VLT(可见光透射)(扣除基底VLT)并且具有～4,500,000欧姆/□的薄层电阻。在完成CNT印刷和湿擦拭之后，整个结构体具有～96％的％VLT(可见光透射)(扣除基底VLT)并且具有～75欧姆/□的薄层电阻。通过了使用3M 510胶带的粘附试验。
实施例4
使用聚酯(PET)膜Melinex ST505(125um)作为基底。制备银纳米线(AgNW)(～20nm直径；20um长度)分散体以得到在异丙醇(IPA)中的0.55％重量AgNW流体，其具有5.24:1的AgNW与粘合剂(聚乙烯基吡咯烷酮(PVP):MW 40,000,Sigma Aldrich,CAS9003-39-8)比率。AgNW涂层为～5英寸宽。将所述流体使用#6迈耶棒涂布在所述PET膜上(～55mg/m2 AgNW)。将所述涂层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒。使用具有3英寸方块图案的355目聚酯丝网将所述AgNW用碳纳米管墨(来自Chasm Technologies Inc的VC101单壁CNT墨)套印。所述墨被重新配制成～0.3g/升的CNT浓度和以10:1的Nafion/CNT比率包括Nafion(Aldrich510211)。将印刷的CNT层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～15秒。然后将所涂布的结构体在标准实验室对流烘箱中在105C下放置10分钟。容许所述样品冷却至环境温度(～25C)。将所述样品用被DI水润湿的软的毛毡织物以单遍擦拭进行擦拭。使用最小压力来擦拭所述膜。将所述膜用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒以除去所有的水。在AgNW涂布之后，％VLT(可见光透射)为～98-99％(扣除基底VLT)，预期的雾度值为～0.7％(目视比较)，并且具有～100-150欧姆/□的薄层电阻。所印刷的仅在PET基底上的CNT层具有～97-98％的％VLT(可见光透射)(扣除基底VLT)并且具有～20,000欧姆/□的薄层电阻。在完成CNT印刷和湿擦拭之后，整个结构体具有～96％的％VLT(可见光透射)(扣除基底VLT)并且具有～75欧姆/□的薄层电阻。使用3M 510胶带的粘附试验失败。
实施例5
使用聚酯(PET)膜Melinex ST505(125um)作为基底。制备银纳米线(AgNW)(～20nm直径；20um长度)分散体以得到在异丙醇(IPA)中的0.55％重量AgNW流体，其具有5.24:1的AgNW与粘合剂(聚乙烯基吡咯烷酮(PVP):MW 40,000,Sigrna Aldrich,CAS9003-39-8)比率。AgNW涂层为～5英寸宽。将所述流体使用#12迈耶棒涂布在所述PET膜上(～100mg/m2AgNW)。将所述涂层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒。使用具有3英寸方块图案的355目聚酯丝网将所述AgNW用碳纳米管墨(来自Chasm Technologies Inc的VC101单壁CNT墨)套印。所述墨被重新配制成～0.3g/升的CNT浓度和以50:1的Nafion/CNT比率包括Nation(Aldrich510211)。将印刷的CNT层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～15秒。然后将所涂布的结构体在标准实验室对流烘箱中在105C下放置10分钟。容许所述样品冷却至环境温度(～25C)。将所述样品用被DI水润湿的软的毛毡织物以单遍擦拭进行擦拭。使用最小压力来擦拭所述膜。将所述膜用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒以除去所有的水。在AgNW涂布之后，％VLT(可见光透射)为～96-97％(扣除基底VLT)，具有雾度值～1.5％，并且具有～40欧姆/□的薄层电阻。所印刷的仅在PET基底上的CNT层具有～99-100％的％VLT(可见光透射)(扣除基底VLT)并且具有～50,000欧姆/□的薄层电阻。在完成CNT印刷和湿擦拭之后，整个结构体具有～97％的％VLT(可见光透射)(扣除基底VLT)并且具有～25欧姆/□的薄层电阻。通过了使用3M 510胶带的粘附试验。
实施例6
使用聚酯(PET)膜Melinex ST505(125um)作为基底。制备银纳米线(AgNW)(～20nm直径；20um长度)分散体以得到在异丙醇(IPA)中的0.25％重量AgNW流体，其具有5.24:1的AgNW与粘合剂(聚乙烯基吡咯烷酮(PVP):MW 40,000,Sigma Aldrich,CAS9003-39-8)比率。AgNW涂层为～5英寸宽。将所述流体使用#6迈耶棒涂布在所述PET膜上(～25mg/m2 AgNW)。将所述涂层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒。使用具有3英寸方块图案的355目聚酯丝网将所述AgNW用碳纳米管墨(来自Chasm Technologies Inc的VC101单壁CNT墨)套印。所述墨被重新配制成～0.3g/升的CNT浓度和以50:1的Nafion/CNT比率包括Nafion(Aldrich510211)。将印刷的CNT层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～15秒。然后将所涂布的结构体在标准实验室对流烘箱中在105C下放置10分钟。容许所述样品冷却至环境温度(～25C)。将所述样品用被DI水润湿的软的毛毡织物以单遍擦拭进行擦拭。使用最小压力来擦拭所述膜。将所述膜用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒以除去所有的水。在AgNW涂布之后，％VLT(可见光透射)为～98-100％(扣除基底VLT)，预期的雾度值为～0.3％(目视比较)，并且具有～700欧姆/□的薄层电阻。所印刷的仅在PET基底上的CNT层具有～99-100％的％VLT(可见光透射)(扣除基底VLT)并且具有～50,000欧姆/□的薄层电阻。在完成CNT印刷和湿擦拭之后，整个结构体具有～99％的％VLT(可见光透射)(扣除基底VLT)并且具有～450欧姆/□的薄层电阻。通过了使用3M 510胶带的粘附试验。
实施例7
使用聚酯(PET)膜Melinex ST505(125um)作为基底。制备银纳米线(AgNW)(～20nm直径；20um长度)分散体以得到在异丙醇(IPA)中的0.55％重量AgNW流体，其具有5.24:1的AgNW与粘合剂(聚乙烯基吡咯烷酮(PVP):MW 40,000,Sigma Aldrich,CAS9003-39-8)比率。AgNW涂层为～5英寸宽。将所述流体使用#6迈耶棒涂布在所述PET膜上(～55mg/m2 AgNW)。将所述涂层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒。使用具有3英寸方块图案的355目聚酯丝网将所述AgNW用碳纳米管墨(来自Chasm Technologies Inc的VC101单壁CNT墨)套印。所述墨被重新配制成～0.1g/升的CNT浓度和以50:1的Nafion/CNT比率包括Nafion(Aldrich510211)。将印刷的CNT层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～15秒。然后将所涂布的结构体在标准实验室对流烘箱中在105C下放置10分钟。容许所述样品冷却至环境温度(～25C)。将所述样品用被DI水润湿的软的毛毡织物以单遍擦拭进行擦拭。使用最小压力来擦拭所述膜。将所述膜用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒以除去所有的水。在AgNW涂布之后，％VLT(可见光透射)为～98-99％(扣除基底VLT)，预期的雾度值为～0.7％(目视比较)，并且具有～100-150欧姆/□的薄层电阻。所印刷的仅在PET基底上的CNT层具有～99-100％的％VLT(可见光透射)(扣除基底VLT)并且具有～5,500,000欧姆/□的薄层电阻。在完成CNT印刷之后，整个结构体具有～99％的％VLT(可见光透射)(扣除基底VLT)并且具有～110欧姆/□的薄层电阻。使用3M510胶带的粘附试验失败。
实施例8
使用聚酯(PET)膜Melinex ST505(125um)作为基底。制备银纳米线(AgNW)(～20nm直径；20um长度)分散体以得到在异丙醇(IPA)中的0.35％重量AgNW流体，其具有5.24:1的AgNW与粘合剂(聚乙烯基吡咯烷酮(PVP):MW 40,000,Sigma Aldrich,CAS9003-39-8)比率。AgNW涂层为～5英寸宽。将所述流体使用#6迈耶棒涂布在所述PET膜上(～35mg/m2 AgNW)。将所述涂层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒。使用具有3英寸方块图案的355目聚酯丝网将所述AgNW用碳纳米管墨(来自Chasm Technologies Inc的VC101单壁CNT墨)套印。所述墨被重新配制成～0.65g/升的CNT浓度和以3:1的Nafion/CNT比率包括Nafion(Aldrich510211)。将印刷的CNT层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～15秒。然后将所涂布的结构体在标准实验室对流烘箱中在105C下放置10分钟。容许所述样品冷却至环境温度(～25C)。将所述样品用被DI水润湿的软的毛毡织物以单遍擦拭进行擦拭。使用最小压力来擦拭所述膜。将所述膜用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒以除去所有的水。在AgNW涂布之后，％VLT(可见光透射)为～98-100％(扣除基底VLT)，预期的雾度值为～0.5％(目视比较)，并且具有～150-300欧姆/□的薄层电阻。所印刷的仅在PET基底上的CNT层具有～90％的％VLT(可见光透射)(扣除基底VLT)并且具有～2,000欧姆/□的薄层电阻。在完成CNT印刷和湿擦拭之后，整个结构体具有～90％的％VLT(可见光透射)(扣除基底VLT)并且具有～100欧姆/□的薄层电阻。通过了使用3M 510胶带的粘附试验。
实施例9
使用聚酯(PET)膜Melinex ST505(125um)作为基底。制备银纳米线(AgNW)(～20nm直径；20um长度)分散体以得到在异丙醇(IPA)中的0.55％重量AgNW流体，其具有5.24:1的AgNW与粘合剂(聚乙烯基吡咯烷酮(PVP):MW 40,000,Sigrna Aldrich,CAS9003-39-8)比率。AgNW涂层为～5英寸宽。将所述流体使用#6迈耶棒涂布在所述PET膜上(～55mg/m2AgNW)。将所述涂层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒。使用具有3英寸方块图案的355目聚酯丝网将所述AgNW用碳纳米管墨(来自Chasm Technologies Inc的VC101单壁CNT墨)套印。所述墨被重新配制成～0.3g/升的CNT浓度和以50:1的Nafion/CNT比率包括Nafion(Aldrich510211)。将印刷的CNT层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～15秒。然后将所涂布的结构体在标准实验室对流烘箱中在105C下放置10分钟。容许所述样品冷却至环境温度(～25C)。将所述样品用被DI水润湿的粗的毛毡织物以单遍擦拭进行擦拭。使用最小压力来擦拭所述膜。在所涂布的结构体上出现显著的划痕。将所述膜用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒以除去所有的水。在AgNW涂布之后，％VLT(可见光透射)为～98-99％(扣除基底VLT)，预期的雾度值为～0.7％(目视比较)，并且具有～100-150欧姆/□的薄层电阻。所印刷的仅在PET基底上的CNT层具有～99-100％的％VLT(可见光透射)(扣除基底VLT)并且具有～50,000欧姆/□的薄层电阻。在完成CNT印刷和湿擦拭之后，整个结构体具有～99％的％VLT(可见光透射)(扣除基底VLT)并且具有由于划痕而无法测量的薄层电阻。
实施例10
使用聚酯(PET)膜Melinex ST505(125um)作为基底。制备银纳米线(AgNW)(～20nm直径；20um长度)分散体以得到在异丙醇(IPA)中的0.55％重量AgNW流体，其具有5.24:1的AgNW与粘合剂(聚乙烯基吡咯烷酮(PVP):MW 40,000,Sigma Aldrich,CAS9003-39-8)比率。AgNW涂层为～5英寸宽。将所述流体使用#6迈耶棒涂布在所述PET膜上(～55mg/m2 AgNW)。将所述涂层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒。使用具有3英寸方块图案的355目聚酯丝网将所述AgNW用碳纳米管墨(来自Chasm Technologies Inc的VC101单壁CNT墨)套印。所述墨被重新配制成～0.3g/升的CNT浓度和以50:1的Nafion/CNT比率包括Nafion(Aldrich510211)。将印刷的CNT层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～15秒。然后将所涂布的结构体在标准实验室对流烘箱中在105C下放置10分钟。容许所述样品冷却至环境温度(～25C)。将所述样品用被DI水润湿的硬的毛毡织物以单遍擦拭进行擦拭。使用最小压力来擦拭所述膜。在所涂布的结构体上出现显著的划痕。将所述膜用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒以除去所有的水。在AgNW涂布之后，％VLT(可见光透射)为～98-99％(扣除基底VLT)，预期的雾度值为～0.7％(目视比较)，并且具有～100-150欧姆/□的薄层电阻。所印刷的仅在PET基底上的CNT层具有～99-100％的％VLT(可见光透射)(扣除基底VLT)并且具有～50,000欧姆/□的薄层电阻。在完成CNT印刷和湿擦拭之后，整个结构体具有～99％的％VLT(可见光透射)(扣除基底VLT)并且具有由于划痕而无法测量的薄层电阻。
实施例11
使用聚碳酸酯(PC)膜Makrofol DE-l-1HC(175um)作为基底。制备银纳米线(AgNW)(～20nm直径；20um长度)分散体以得到在异丙醇(IPA)中的0.55％重量AgNW流体，其具有5.24:1的AgNW与粘合剂(聚乙烯基吡咯烷酮(PVP):MW 40,000,Sigma Aldrich,CAS9003-39-8)比率。AgNW涂层为～5英寸宽。将所述流体使用#6迈耶棒涂布在所述PC膜上(～55mg/m2 AgNW)。将所述涂层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒。使用具有3英寸方块图案的355目聚酯丝网将所述AgNW用碳纳米管墨(来自Chasm TechnologiesInc的VC101单壁CNT墨)套印。所述墨被重新配制成～0.3g/升的CNT浓度和以50:1的Nafion/CNT比率包括Nation(Aldrich510211)。将印刷的CNT层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～15秒。然后将所涂布的结构体在标准实验室对流烘箱中在105C下放置10分钟。容许所述样品冷却至环境温度(～25C)。将所述样品用被DI水润湿的软的毛毡织物以单遍擦拭进行擦拭。使用最小压力来擦拭所述膜。将所述膜用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒以除去所有的水。在AgNW涂布之后，％VLT(可见光透射)为～99％(扣除基底VLT)，预期的雾度值为～0.7％(目视比较)，并且具有～100-150欧姆/□的薄层电阻。所印刷的仅在PC基底上的CNT层具有～99-100％的％VLT(可见光透射)(扣除基底VLT)并且具有～50,000欧姆/□的薄层电阻。在完成CNT印刷和湿擦拭之后，整个结构体具有～99％的％VLT(可见光透射)(扣除基底VLT)并且具有～75欧姆/□的薄层电阻。使用3M 510胶带的粘附试验失败。
实施例12
使用聚碳酸酯(PC)膜Makrofol DE-l-1HC(175um)作为基底。将5％重量Nafion流体使用#6迈耶棒涂布在基底表面上。将所述涂层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒。然后将所涂布的结构体在标准实验室对流烘箱中在105C下放置10分钟。容许所述样品冷却至环境温度(～25C)。使用3M 510胶带的粘附试验失败。
实施例13
使用聚碳酸酯(PC)膜Makrofol DE-1-1HC(175um)作为基底。将5％重量PSS(聚(苯乙烯-无规-乙烯)，磺化的(Aldrich 659401)流体使用#6迈耶棒涂布到基底表面上。将所述涂层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒。然后将所涂布的结构体在标准实验室对流烘箱中在105C下放置10分钟。容许所述样品冷却至环境温度(～25C)。通过了使用3M 510胶带的粘附试验。
实施例14
使用聚碳酸酯(PC)膜Makrofol DE-l-1HC(175um)作为基底。制备银纳米线(AgNW)(～20nm直径；20um长度)分散体以得到在异丙醇(IPA)中的0.55％重量AgNW流体，其具有5.24:1的AgNW与粘合剂(聚乙烯基吡咯烷酮(PVP):MW 40,000,Sigma Aldrich,CAS9003-39-8)比率。AgNW涂层为～5英寸宽。将所述流体使用#6迈耶棒涂布在所述PC膜上(～55mg/m2 AgNW)。将所述涂层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒。使用具有3英寸方块图案的355目聚酯丝网将所述AgNW用碳纳米管墨(来自Chasm TechnologiesInc的VC101单壁CNT墨)套印。所述墨被重新配制成～0.3g/升的CNT浓度和以50:1的PSS/CNT比率包括PSS(聚(苯乙烯-无规-乙烯)，磺化的(Aldrich 659401)。将印刷的CNT层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～15秒。然后将所涂布的结构体在标准实验室对流烘箱中在105C下放置10分钟。容许所述样品冷却至环境温度(～25C)。将所述样品用被DI水润湿的软的毛毡织物以单遍擦拭进行擦拭。使用最小压力来擦拭所述膜。将所述膜用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒以除去所有的水。在AgNW涂布之后，％VLT(可见光透射)为～98-99％(扣除基底VLT)，预期的雾度值为～0.7％(目视比较)，并且具有～100-150欧姆/□的薄层电阻。所印刷的仅在PC基底上的CNT层具有～97-98％的％VLT(可见光透射)(扣除基底VLT)并且具有～3,000,000欧姆/□的薄层电阻。在完成CNT印刷和湿擦拭之后，整个结构体具有～96％的％VLT(可见光透射)(扣除基底VLT)并且具有～75欧姆/□的薄层电阻。使用3M510胶带的粘附试验失败。
实施例15
使用聚碳酸酯(PC)膜Makrofol DE-l-1HC(175um)作为基底。将促进粘附的甲基丙烯酸甲酯共聚物(Elvacite 2028)连接层制备成在乙酸丙酯中0.25％重量。将所述流体用#3迈耶棒涂布(～0.018g/m2)。将所述涂层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒。
制备银纳米线(AgNW)(～20nm直径；20um长度)分散体以得到在异丙醇(IPA)中的0.55％重量AgNW流体，其具有5.24:1的AgNW与粘合剂(聚乙烯基吡咯烷酮(PVP):MW 40,000,Sigma Aldrich,CAS9003-398)比率。AgNW涂层为～5英寸宽。将所述流体使用#6迈耶棒涂布在PC/连接层膜上(～55mg/m2 AgNW)。将所述涂层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒。使用具有3英寸方块图案的355目聚酯丝网将所述AgNW用碳纳米管墨(来自Chasm Technologies Inc的VC101单壁CNT墨)套印。所述墨被重新配制成～0.3g/升的CNT浓度和以50:1的Nafion/CNT比率包括Nafion(Aldrich 510211)。将印刷的CNT层用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～15秒。然后将所涂布的结构体在标准实验室对流烘箱中在105C下放置10分钟。容许所述样品冷却至环境温度(～25C)。将所述样品用被DI水润湿的软的毛毡织物以单遍擦拭进行擦拭。使用最小压力来擦拭所述膜。将所述膜用设置为177C出口空气温度的手持式对流干燥器干燥～30秒以除去所有的水。在AgNW涂布之后，％VLT(可见光透射)为～98-99％(扣除基底VLT)，预期的雾度值为～0.7％(目视比较)，并且具有～100-150欧姆/□的薄层电阻。所印刷的仅在PC基底上的CNT层具有～99-100％的％VLT(可见光透射)(扣除基底VLT)并且具有～50,000欧姆/□的薄层电阻。在完成CNT印刷和湿擦拭之后，整个结构体具有～99％的％VLT(可见光透射)(扣除基底VLT)并且具有～75欧姆/□的薄层电阻。通过了使用3M 510胶带的粘附试验。
实施例16
将如实施例2中描述的TCF在不同环境条件中保持以评价薄层电阻(Rs)结果的变化。在室温(25C/50％RH)下保持300小时的样品在Rs方面未显示出变化。在“热/湿”条件(65C/85％RH)下保持300小时的样品在Rs方面仅显示出<2％的增加。在“热/干”条件(85C/<20％RH)下保持300小时的样品在Rs方面显示出大于200％的增加。当将该样品用PET膜片覆盖时，Rs值未增加。
已经描述了许多实施方案。然而，将理解，在不背离本文中描述的发明构思的范围的情况下可进行另外的改动，并且因此，其它实施方式在所附权利要求的范围内。

Claims (17)

1.制造透明导电膜(TCF)的方法，其包括：
提供具有表面的基底；
在所述基底的表面上面沉积金属纳米线层；
在所述金属纳米线层上面以图案方式印刷导电层，使得所述金属纳米线层的一部分未被所述导电层覆盖，所述导电层包括碳纳米管(CNT)和粘合剂；以及
除去未被所述导电层覆盖的金属纳米线层以提供具有期望的导电性图案的TCF。
2.如权利要求1所述的方法，其中通过擦拭除去未被所述导电层覆盖的金属纳米线层。
3.如权利要求1所述的方法，其中金属纳米线包括银或铜纳米线。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述金属纳米线层包括纳米线粘合剂。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述金属纳米线层包括配置成改变所述纳米线层的光学性质的添加剂。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述添加剂包括光学增亮剂。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述金属纳米线层包括约10mg/m2-约100mg/m2纳米线。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述导电层粘合剂包括离聚物。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述导电层粘合剂包括磺化的基于四氟乙烯的含氟聚合物-共聚物。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述导电层粘合剂具有不大于约1.5的折射率。
11.如权利要求1所述的方法，其中所述导电层进一步包括粘度改进剂。
12.如权利要求1所述的方法，其中所述导电层中的粘合剂对CNT的比率为10:1至50:1。
13.如权利要求1所述的方法，其中所述导电层进一步包括导电纳米颗粒和石墨烯的至少一种。
14.如权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述沉积步骤之前在所述基底的顶部表面上产生促进所述纳米线和CNT的至少一种对所述基底的粘附的连接层。
15.如权利要求14所述的方法，其中所述连接层包括甲基丙烯酸甲酯共聚物。
16.如权利要求1所述的方法，其中所述基底具有两个相反表面；其中存在两个纳米线层，在两个这样的表面的一个或多个部分上各一个；和其中在两个纳米线层上均存在导电层。
17.通过权利要求1-16任一项所述的方法制造的透明导电膜(TCF)。
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