CN113354412B - 温度稳定型低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种温度稳定型低温共烧陶瓷材料及制备方法，材料的化学通式为Li4Mg1‑ xAxW1‑yByO6，其中，A为Cu2+,Zn2+,Ni2+和Co2+二价离子中的一种，B为Ta5+和Mo6+离子中的一种；0＜x≤0.08且0＜y≤0.05，制备方法，包括步骤：配料、球磨、烘干过筛、预烧、造粒、模压成型和烧结。本发明为获得近零频率温度系数的方法是有效调控物相并稳定Li4MgWO6的结构，所制得的材料具有典型的复相岩盐结构、微观形貌高度致密、无气孔和无微裂纹，在870～950℃下烧结制成；其微观形貌高度致密、无气孔和无微裂纹；其谐振频率温度系数τf在0±5ppm/℃之间，高Q×f值在30000±500GHz之间，相对介电常数εr在12～16之间可调。

Description

温度稳定型低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法
技术领域
本发明属于电子信息功能材料制备技术领域，涉及一种新型Li-Mg-W基陶瓷且频率温度系数近零的低介电常数微波介质陶瓷材料，尤其是一种适用于毫米波段的低温烧结低介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法。
背景技术
微波介质陶瓷是指应用于微波(300MHz到300GHz)频段电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷，是现代通信技术中的关键基础材料，被广泛应用于介质谐振器、滤波器、介质基片、介质波导回路、微波电容、双工器、天线等微波元器件。
随着电子信息技术不断向高频化和数字化方向发展，对元器件的小型化，集成化以至模块化的要求也越来越迫切。低温共烧陶瓷LTCC(Low Temperature Co-firedCeramics)以其优异的电学、机械、热学及工艺特性，已经成为电子器件模块化的主要技术之一。应用于微波频段的低温共烧介电陶瓷，应满足要求：(1)合适的介电常数以利于器件的小型化(介质元器件的尺寸与介电常数εr的平方根成反比)；(2)高的品质因数Qf值和低的损耗(其中Q～1/tanδ，f是谐振频率)；(3)近零可调的谐振频率温度系数；(4)与银或铜有良好的共烧性，其中最常用的银电极的熔点为961℃。
低介电常数对信号在介质中的高速率传播起着至关重要的作用，低介电常数(εr，通常小于20)的介质材料常用作毫米波应用的材料，许多具有良好性能且非常适合基板应用的候选材料具，例如Mg2SiO4(1450℃)、ZnAl2O4(1375℃)、CaMgSi2O6(1300℃)、Li3Mg2NbO6(1250℃)、Li2TiO3(1230℃)、Li3NbO4(1150℃)等，但是，这些材料的烧结温度太高无法与Ag电极匹配共烧。为了满足LTCC技术的要求，科研人员获得相应材料的方式有：向原陶瓷中引入低熔点氧化物或低熔点玻璃烧结助剂；开发微晶玻璃复合材料；开发具有本征低烧结温度的陶瓷；通过引入化学合成方法，以及超细粉体作原料等。
通过化学方法可以合成超细粉体作原料，但此方法会导致工艺过程极度复杂，使制造成本和周期会大幅度上升。相较而言，添加低熔点氧化物或低熔点玻璃烧结助剂的工艺相对简单，易于批量生产，但是低熔点氧化物通常含有诸如B2O3、V2O5等氧化物，然而游离的B2O3及V2O5在后期流延过程中易导致浆料粘度过大而不稳定，限制了其实际应用。对于合成微晶玻璃复合材料而言，根据电介质的混合规律，玻璃相的引入不仅会影响系统的介电常数和热稳定性，还会恶化体系的Q×f值，换言之，在开发新的微晶玻璃体系时，要求对陶瓷基体的原有性能干扰最小，一般情况下很难找到合适的玻璃添加剂来降低烧结温度。除了上述方法外，近些年来一系列不含玻璃添加剂的锂钨微波介质陶瓷因其优异的性能而备受关注，例如，具有岩盐结构且隶属
Figure BDA0003176559950000021
空间群的Li4WO5(T＝890℃,εr＝8.6,Q×f＝23100GHz,τf＝-2.6ppm/℃)，具有硅铍石结构且隶属I41/amd空间群的Li2WO4(T＝650℃,εr＝5.5,Q×f＝26200GHz和τf＝-146ppm/℃)，以及化学式为Li2Mg2W2O9和Li2Mg2(WO4)3的两种锂镁钨氧化物陶瓷，其性能分别为T＝920℃,εr＝11.5,Q×f＝31900GHz和τf＝-66ppm/℃；T＝900℃,εr＝8.2,Q×f＝90000GHz和τf＝-52.4ppm/℃。
综上所述，通过开发适合LTCC应用且具有本征低烧结温度的新材料体系是较新颖的思路，本发明基于此思想提供一种新型近零频率温度系数，高品质因数，同时可在一定范围内调节介电性能的新型微波介质陶瓷具有良好的应用前景，能满足微波通信行业需求。
发明内容
本发明的目的是提供一种新型温度稳定型低温烧结陶瓷材料，其具有单斜或正交两种岩盐结构、烧结温度低、谐振频率温度系数近零、高品质因数和可调的介电常数的明显优点。第一、本发明提供了一种化学式为Li4MgWO6的全新微波介质陶瓷，由于Li4MgWO6材料的物相不稳定，其结构会随着温度的变化而变化，其物相会从单斜相演变至正交相，其结构非常不稳定，因此，有效调控其结构成为本发明的关键；第二、在此基础上，加入离子取代(Cu2+，Zn2+，Ni2+，Co2+；Ta5+和Mo6+)进行掺杂，成功调控其物相稳定在单斜结构或者正交结构，并在调控物相结构的过程中实现谐振温度系数为零；第三、本发明材料具有优良的烧结温度和微波介电性能，烧结温度在870～950℃之间，谐振频率温度系数τf在0±5ppm/℃之间，高Q×f值在30000±500GHz之间，相对介电常数εr在12～16之间可调，制备工艺简单，性能稳定，能与Ag电极匹配共烧，可靠性高，易于工业化生产。
为实现以上目的和特点，本发明采用如下技术方案如下：
一种温度稳定型低温烧结微波介质陶瓷材料，材料的化学通式为Li4Mg1-xAxW1- yByO6，其中，A为Cu2+,Zn2+,Ni2+和Co2+二价离子中的一种，B为Ta5+和Mo6+离子中的一种；0＜x≤0.08且0＜y≤0.05。本发明为获得近零频率温度系数的前提是有效调控物相并稳定Li4MgWO6的结构，因此在制备过程中必须采用Mg位和W位同时取代进行物相及结构调控。
作为优选方式，所述微波介质陶瓷材料所用的原料包括Mg(OH)2·4MgCO3·5H2O、碳酸锂、三氧化钨、A掺杂剂、B掺杂剂，A掺杂剂选自CuO，ZnO，NiO，Co2O3中的一种，B掺杂剂选自Ta5+和Mo6+离子中的一种；将各原料组分按所述化学通式配料，经过第一次球磨混合，在700～800℃下预烧，再经过第二次球磨混合，在870～950℃下进行气氛控制烧结制成。
作为优选方式，晶相具有单斜或正交两种岩盐结构，其物相随着烧结温度的变化而发生演变。
作为优选方式，Li4Mg1-xAxW1-yByO6的物相在600～800℃烧结时为单斜岩盐结构且隶属于C2/c群组，在800～1000℃烧结时主晶相为正交岩盐结构且隶属于Fddd群组，次晶相为单斜岩盐结构，与此同时，随着温度升高次晶相的含量逐渐减少。
作为优选方式，通过一次性工艺调控相变获得近零的谐振频率温度系数，对Li4MgWO6进行Cu2+、Zn2+、Ni2+、Co2+、Nb5+、Mo6+其中一种离子取代，调控其物相稳定在单斜结构或者正交结构，并在调控物相结构的过程中实现谐振温度系数为零。
作为优选方式，其致密化过程发生在800～1000℃范围之内。
作为优选方式，其微观形貌致密无气孔无微裂纹，频率温度系数τf在0±5ppm/℃之间，Q×f值在30000±500GHz之间，相对介电常数εr在12～16之间可调。
本发明还提供一种温度稳定型低温烧结微波介质陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：
步骤1：配料；原料包括Mg(OH)2·4MgCO3·5H2O、碳酸锂、三氧化钨、A掺杂剂、B掺杂剂，A掺杂剂为CuO，ZnO，NiO，Co2O3中的一种，B掺杂剂为Ta5+和Mo6+离子中的一种，按照化学通式Li4Mg1-xAxW1-yByO6，0＜x≤0.08且0＜y≤0.05，配料形成混合物；
步骤2：一次球磨；以二氧化锆球为球磨介质，按照混合料：磨球：工业酒精的质量比为1:(5～7):(2～4)进行研磨6～10小时得到混合均匀的球磨料；
步骤3：烘干，过筛；将步骤2所得球磨料烘干并过100目筛得到干燥粉体；
步骤4：预烧；将步骤3所得干燥粉体置于氧化铝坩埚中，700～800℃条件下预烧4～6小时得到预烧粉体；
步骤5：二次球磨；将步骤4所得基料进行第二次球磨，以二氧化锆球为球磨介质，按照混合料：磨球：工业酒精的质量比为1:(3～5):(1～2)进行研磨3～6小时得到混合均匀的二次球磨料；
步骤6：烘干，过筛；将步骤5所得球磨料烘干并过100目筛得到干燥粉体；
步骤7：造粒，冷等静压成型；将步骤6所得预烧粉体与工业酒精混合后在2MPa下进行预压，然后进行密封之后在200MPa的压力下进行5～10min的压制成型；
步骤8：烧结；将步骤7所得生坯放于烧结炉中，以6～10℃/min的升温速率升温并在870～950℃下烧结3～6小时，得到最终的微波介质陶瓷材料。
本发明可以使用任何合适原料形成化学通式为Li4Mg1-xAxW1-yByO6的微波介质陶瓷材料，本发明通过综合调控x和y的值来控制Li、Mg、A、W和B离子的含量，以达到综合调控微波介电性能的目的，从而保证所制备微波介质陶瓷材料的微观形貌高度致密、无气孔和无微裂纹，调控物相至稳定的单斜或正交岩盐结构，从而其谐振频率温度系数被有效控制在零附近，在870～950℃的低温下完成致密烧结，获得了优良的微波介电性能：谐振频率温度系数τf在0±0.7ppm/℃之间，Q×f值在30000±500GHz之间，相对介电常数εr在12～16之间可调。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
1.本发明提供的一种Li4Mg1-xAxW1-yByO6陶瓷具有低本征致密化温度，其致密化温度发生在800～1000℃之间，可以在870～950℃的低温下完成高致密烧结。
2.在本发明的配方中，综合调控x和y值来控制Li、Mg、A、W和B离子的含量，用以稳定Li4MgWO6陶瓷的物相获得近零的谐振频率温度系数，最终达到改善配方的综合微波介电性能的目的，传统LTCC配方在保持较低损耗的同时，其频率稳定系数无法调零。本发明所提供的LTCC陶瓷在谐振频率温度系数方面具有明显优势，其综合微波介电性能为τf在0±5ppm/℃之间，高Q×f值在30000±500GHz之间，相对介电常数εr在12～16之间可调，能够满足现代微波器件的应用需求。
3.本发明的微波介质陶瓷材料中不含Pb，Cd等挥发性有毒金属，可广泛应用于卫星通信中介质谐振器、滤波器、振荡器等微波器件中应用，绿色环保无污染，满足欧共体最新出台的RHOS(《电气、电子设备中限制使用某些有害物质指令》)和回收处理管理条例(WEEE)的严格标准要求。
4.本发明制备微波介质陶瓷材料的原料在国内供应充足，价格相对低廉，使高性能微波陶瓷的低成本化成为可能，因此具有重要工业应用价值；而且本发明微波介质陶瓷材料的烧结温度均为870～950℃，烧结温度范围较宽，具有良好工艺适应性。
5.本发明配方所用原料均为简单的碳酸盐和氧化物，不需要额外的工艺合成，完全优于需要另外单独合成的原料；本发明采用二次球磨工艺，实现材料的粒径控制。
附图说明
图1是本发明实施例3制备的微波陶瓷介质材料的XRD分析结果。
图2是本发明实施例5制备的微波陶瓷介质材料的扫描透射电镜TEM图，其中(a)为样品的[110]晶带轴的选区电子衍射花样，(b)为相应[110]晶带轴的高清TEM图，(c)为样品的[111]晶带轴的选区电子衍射花样，(d)为相应[111]晶带轴的高清TEM图。
图3是本发明实施例8制备的微波陶瓷与Ag共烧界面的扫描电镜SEM图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
图1是实施例3制备的微波陶瓷介质材料的XRD分析结果，从图1可看出制得样品的主晶相由性能优异的正交岩盐相和单斜岩盐组成的复相系统，其中正交相为主相，单斜相为次晶相。
图2为实施例5制备的微波陶瓷介质材料的TEM分析结果，从图2可以看出陶瓷同时具有正交相(a,b)和单斜相(c,d)的复相结构，同时拥有两套衍射花样，与此同时，我们观测到短程有序超晶格结构(SRO)的存在。
图3为实施例8的SEM图，从图3可以得出在本发明提供的低温共烧陶瓷材料能够与Ag电极兼容共烧，满足LTCC工艺的需求。
实施例
一种温度稳定型低温烧结微波介质陶瓷材料，本发明可以使用任何合适原料形成化学通式为Li4Mg1-xAxW1-yByO6的微波介质陶瓷材料，A为Cu2+,Zn2+,Ni2+，Co2+二价离子中的一种，B为Ta5+，Mo6+离子中的一种；0＜x≤0.08且0＜y≤0.05。
所用的原料包括Mg(OH)2·4MgCO3·5H2O、碳酸锂、三氧化钨、A掺杂剂、B掺杂剂，A掺杂剂选自CuO，ZnO，NiO，Co2O3中的一种，B掺杂剂选自Ta5+，Mo6+离子中的一种；将各原料组分按所述化学通式配料，经过第一次球磨混合，在700～800℃下预烧，再经过第二次球磨混合，在870～950℃下进行气氛控制烧结制成。
晶相具有单斜或正交两种岩盐结构，其物相随着烧结温度的变化而发生演变。
Li4Mg1-xAxW1-yByO6的物相在600～800℃烧结时为单斜岩盐结构且隶属于C2/c群组，在800～1000℃烧结时主晶相为正交岩盐结构且隶属于Fddd群组，次晶相为单斜岩盐结构，与此同时，随着温度升高次晶相的含量逐渐减少。
通过一次性工艺调控相变获得近零的谐振频率温度系数，对Li4MgWO6进行Cu2+、Zn2 +、Ni2+、Co2+、Nb5+、Mo6+其中一种离子取代，调控其物相稳定在单斜结构或者正交结构，并在调控物相结构的过程中实现谐振温度系数为零。
其致密化过程发生在800～1000℃范围之内。
其微观形貌致密无气孔无微裂纹，频率温度系数τf在0±5ppm/℃之间，Q×f值在30000±500GHz之间，相对介电常数εr在12～16之间可调。
温度稳定型低温烧结微波介质陶瓷材料的制备方法，具体包括如下步骤：
各实施例分别按表1中质量百分比准确称量各种原料；
步骤1：配料；原料包括Mg(OH)2·4MgCO3·5H2O、碳酸锂、三氧化钨、A掺杂剂、B掺杂剂，A掺杂剂为CuO，ZnO，NiO，Co2O3中的一种，B掺杂剂为B为Ta5+，Mo6+离子中的一种，按照化学通式Li4Mg1-xAxW1-yByO6，0＜x≤0.08且0＜y≤0.05，配料形成混合物；
步骤2：一次球磨；以二氧化锆球为球磨介质，按照混合料：磨球：工业酒精的质量比为1:(5～7):(2～4)进行研磨6～10小时得到混合均匀的球磨料；
步骤3：烘干，过筛；将步骤2所得球磨料烘干并过100目筛得到干燥粉体；
步骤4：预烧；将步骤3所得干燥粉体置于氧化铝坩埚中，700～800℃条件下预烧4～6小时得到预烧粉体；
步骤5：二次球磨；将步骤4所得基料进行第二次球磨，以二氧化锆球为球磨介质，按照混合料：磨球：工业酒精的质量比为1:(3～5):(1～2)进行研磨3～6小时得到混合均匀的二次球磨料；
步骤6：烘干，过筛；将步骤5所得球磨料烘干并过100目筛得到干燥粉体；
步骤7：造粒，冷等静压成型；将步骤6所得预烧粉体与工业酒精混合后在2MPa下进行预压，然后进行密封之后在200MPa的压力下进行5～10min的压制成型；
步骤8：烧结；将步骤7所得生坯放于烧结炉中，以6～10℃/min的升温速率升温并在870～950℃下烧结3～6小时，得到最终的微波介质陶瓷材料。
得到最终的微波介质陶瓷材料，各实施例采用的工艺参数和性能检测结果见表2。从表2可看出，各实施例的微波介质陶瓷材料，谐振频率温度系数τf在0±5ppm/℃之间，Q×f值在30000±500GHz之间，相对介电常数εr在12～16之间。
表1各实施例中各原材料的质量百分含量
Figure BDA0003176559950000071
实施例1：
步骤1：配料；将碱式碳酸镁(Mg(OH)2·4MgCO3·5H2O)、Li2CO3、WO3、CuO和Ta2O5分别按照20.08％、31％、47.2％、0.33％和1.39％的质量比进行备料；
步骤2：一次球磨；将得到的混合料以二氧化锆球为球磨介质，以无水工业酒精为溶剂，按照混合料：磨球：工业酒精的重量比为1:5:2进行研磨6小时，最后得到混合均匀的混合物；
步骤3：烘干，过筛；球磨后的混合物在70℃下烘干并过100目筛，得到干燥粉体；
步骤4：预烧；将步骤3所得干燥粉体置于氧化铝坩埚中，在700℃下预烧保温4h，得到样品烧块；
步骤5：二次球磨；将样品烧块粉碎，以二氧化锆球为球磨介质，以去无水工业酒精为溶剂，按照混合料：磨球：工业酒精的重量比为1:3:1研磨3小时，
步骤6：烘干，过筛；将步骤5所得球磨料烘干进行干燥、造粒处理，造粒尺寸控制在100目，
步骤7：造粒，冷等静压成型；将步骤6所得预烧粉体与工业酒精混合后在2MPa下进行预压，然后进行密封之后在200MPa的压力下进行5～10min的压制成型；
步骤8：烧结；将步骤7所得生坯放于烧结炉中，以6℃/min的升温速率升温并在将步骤3得到的生坯于925℃的温度下进行饱和气氛烧结，保温6h制得最终的微波介质陶瓷材料。
实施例2：
步骤1：配料；将碱式碳酸镁(Mg(OH)2·4MgCO3·5H2O)、Li2CO3、WO3、ZnO和Ta2O5分别按照19.53％、31.1％、47.3％、0.68％和1.39％的质量比进行备料；
步骤2：一次球磨；以二氧化锆球为球磨介质，按照混合料：磨球：工业酒精的质量比为1:5:4进行研磨7小时得到混合均匀的球磨料；
步骤3：烘干，过筛；将步骤2所得球磨料烘干并过100目筛得到干燥粉体；
步骤4：预烧；将步骤3所得干燥粉体置于氧化铝坩埚中，800℃条件下预烧6小时得到预烧粉体；
步骤5：二次球磨；将步骤4所得基料进行第二次球磨，以二氧化锆球为球磨介质，按照混合料：磨球：工业酒精的质量比为1:3:2进行研磨4小时得到混合均匀的二次球磨料；
步骤6：烘干，过筛；将步骤5所得球磨料烘干并过100目筛得到干燥粉体；
步骤7：造粒，冷等静压成型；将步骤6所得预烧粉体与工业酒精混合后在2MPa下进行预压，然后进行密封之后在200MPa的压力下进行6min的压制成型；
步骤8：烧结；将步骤7所得生坯放于烧结炉中，以7℃/min的升温速率升温并在940℃下烧结5小时，得到最终的微波介质陶瓷材料。
实施例3：
步骤1：将碱式碳酸镁(Mg(OH)2·4MgCO3·5H2O)、Li2CO3、WO3、NiO和Ta2O5分别按照19.26％、31.1％、47.3％、0.94％和1.4％的质量比进行备料；
步骤2：一次球磨；以二氧化锆球为球磨介质，按照混合料：磨球：工业酒精的质量比为1:7:2进行研磨8小时得到混合均匀的球磨料；
步骤3：烘干，过筛；将步骤2所得球磨料烘干并过100目筛得到干燥粉体；
步骤4：预烧；将步骤3所得干燥粉体置于氧化铝坩埚中，720℃条件下预烧5小时得到预烧粉体；
步骤5：二次球磨；将步骤4所得基料进行第二次球磨，以二氧化锆球为球磨介质，按照混合料：磨球：工业酒精的质量比为1:5:1进行研磨5小时得到混合均匀的二次球磨料；
步骤6：烘干，过筛；将步骤5所得球磨料烘干并过100目筛得到干燥粉体；
步骤7：造粒，冷等静压成型；将步骤6所得预烧粉体与工业酒精混合后在2MPa下进行预压，然后进行密封之后在200MPa的压力下进行7min的压制成型；
步骤8：烧结；将步骤7所得生坯放于烧结炉中，以8℃/min的升温速率升温并在930℃下烧结5.5小时，得到最终的微波介质陶瓷材料。
实施例4：
步骤1：将碱式碳酸镁(Mg(OH)2·4MgCO3·5H2O)、Li2CO3、WO3、Co2O3和Ta2O5分别按照18.81％、31.1％、47.3％、1.4％和1.39％的质量比进行备料
步骤2：一次球磨；以二氧化锆球为球磨介质，按照混合料：磨球：工业酒精的质量比为1:7:4进行研磨10小时得到混合均匀的球磨料；
步骤3：烘干，过筛；将步骤2所得球磨料烘干并过100目筛得到干燥粉体；
步骤4：预烧；将步骤3所得干燥粉体置于氧化铝坩埚中，740℃条件下预烧4.5小时得到预烧粉体；
步骤5：二次球磨；将步骤4所得基料进行第二次球磨，以二氧化锆球为球磨介质，按照混合料：磨球：工业酒精的质量比为1:5:2进行研磨6小时得到混合均匀的二次球磨料；
步骤6：烘干，过筛；将步骤5所得球磨料烘干并过100目筛得到干燥粉体；
步骤7：造粒，冷等静压成型；将步骤6所得预烧粉体与工业酒精混合后在2MPa下进行预压，然后进行密封之后在200MPa的压力下进行8min的压制成型；
步骤8：烧结；将步骤7所得生坯放于烧结炉中，以9℃/min的升温速率升温并在910℃下烧结5小时，得到最终的微波介质陶瓷材料。
实施例5：
步骤1：将碱式碳酸镁(Mg(OH)2·4MgCO3·5H2O)、Li2CO3、WO3、CuO和MoO3分别按照20.14％、31.3％、46.7％、0.34％和1.52％的质量比进行备料，将得到的混合料以二氧化锆球为球磨介质，以无水工业酒精为溶剂，按照混合料：磨球：工业酒精的重量比为1:5:2进行研磨6小时，最后得到混合均匀的混合物；
步骤2：一次球磨；以二氧化锆球为球磨介质，按照混合料：磨球：工业酒精的质量比为1:6:2进行研磨6小时得到混合均匀的球磨料；
步骤3：烘干，过筛；将步骤2所得球磨料烘干并过100目筛得到干燥粉体；
步骤4：预烧；将步骤3所得干燥粉体置于氧化铝坩埚中，760℃条件下预烧5.5小时得到预烧粉体；
步骤5：二次球磨；将步骤4所得基料进行第二次球磨，以二氧化锆球为球磨介质，按照混合料：磨球：工业酒精的质量比为1:4:1进行研磨3小时得到混合均匀的二次球磨料；
步骤6：烘干，过筛；将步骤5所得球磨料烘干并过100目筛得到干燥粉体；
步骤7：造粒，冷等静压成型；将步骤6所得预烧粉体与工业酒精混合后在2MPa下进行预压，然后进行密封之后在200MPa的压力下进行9min的压制成型；
步骤8：烧结；将步骤7所得生坯放于烧结炉中，以10℃/min的升温速率升温并在880℃下烧结5小时，得到最终的微波介质陶瓷材料。
实施例6：
步骤1：将碱式碳酸镁(Mg(OH)2·4MgCO3·5H2O)、Li2CO3、WO3、ZnO和WO3分别按照20.09％、31.2％、46.5％、0.69％和1.52％的质量比进行备料，将得到的混合料以二氧化锆球为球磨介质，以无水工业酒精为溶剂，按照混合料：磨球：工业酒精的重量比为1:5:2进行研磨7小时，最后得到混合均匀的混合物；
步骤2：一次球磨；以二氧化锆球为球磨介质，按照混合料：磨球：工业酒精的质量比为1:6:4进行研磨7小时得到混合均匀的球磨料；
步骤3：烘干，过筛；将步骤2所得球磨料烘干并过100目筛得到干燥粉体；
步骤4：预烧；将步骤3所得干燥粉体置于氧化铝坩埚中，780℃条件下预烧5小时得到预烧粉体；
步骤5：二次球磨；将步骤4所得基料进行第二次球磨，以二氧化锆球为球磨介质，按照混合料：磨球：工业酒精的质量比为1:4:2进行研磨4小时得到混合均匀的二次球磨料；
步骤6：烘干，过筛；将步骤5所得球磨料烘干并过100目筛得到干燥粉体；
步骤7：造粒，冷等静压成型；将步骤6所得预烧粉体与工业酒精混合后在2MPa下进行预压，然后进行密封之后在200MPa的压力下进行10min的压制成型；
步骤8：烧结；将步骤7所得生坯放于烧结炉中，以8℃/min的升温速率升温并在900℃下烧结4小时，得到最终的微波介质陶瓷材料。
实施例7：
步骤1：将碱式碳酸镁(Mg(OH)2·4MgCO3·5H2O)、Li2CO3、WO3、NiO和WO3分别按照20.04％、31.1％、46.4％、0.94％和1.52％的质量比进行备料，将得到的混合料以二氧化锆球为球磨介质，以无水工业酒精为溶剂，按照混合料：磨球：工业酒精的重量比为1:5:2进行研磨8小时，最后得到混合均匀的混合物；
步骤2：一次球磨；以二氧化锆球为球磨介质，按照混合料：磨球：工业酒精的质量比为1:6:3进行研磨8小时得到混合均匀的球磨料；
步骤3：烘干，过筛；将步骤2所得球磨料烘干并过100目筛得到干燥粉体；
步骤4：预烧；将步骤3所得干燥粉体置于氧化铝坩埚中，710℃条件下预烧4小时得到预烧粉体；
步骤5：二次球磨；将步骤4所得基料进行第二次球磨，以二氧化锆球为球磨介质，按照混合料：磨球：工业酒精的质量比为1:3:1进行研磨5小时得到混合均匀的二次球磨料；
步骤6：烘干，过筛；将步骤5所得球磨料烘干并过100目筛得到干燥粉体；
步骤7：造粒，冷等静压成型；将步骤6所得预烧粉体与工业酒精混合后在2MPa下进行预压，然后进行密封之后在200MPa的压力下进行5min的压制成型；
步骤8：烧结；将步骤7所得生坯放于烧结炉中，以7℃/min的升温速率升温并在890℃下烧结3小时，得到最终的微波介质陶瓷材料。
实施例8：
步骤1：将碱式碳酸镁(Mg(OH)2·4MgCO3·5H2O)、Li2CO3、WO3、Co2O3和WO3分别按照20.06％、31.2％、46.4％、0.94％和1.4％的质量比进行备料，将得到的混合料以二氧化锆球为球磨介质，以无水工业酒精为溶剂，按照混合料：磨球：工业酒精的重量比为1:5:2进行研磨10小时，最后得到混合均匀的混合物；
步骤2：一次球磨；以二氧化锆球为球磨介质，按照混合料：磨球：工业酒精的质量比为1:5:3进行研磨10小时得到混合均匀的球磨料；
步骤3：烘干，过筛；将步骤2所得球磨料烘干并过100目筛得到干燥粉体；
步骤4：预烧；将步骤3所得干燥粉体置于氧化铝坩埚中，700～800℃条件下预烧4～6小时得到预烧粉体；
步骤5：二次球磨；将步骤4所得基料进行第二次球磨，以二氧化锆球为球磨介质，按照混合料：磨球：工业酒精的质量比为1:3:2进行研磨6小时得到混合均匀的二次球磨料；
步骤6：烘干，过筛；将步骤5所得球磨料烘干并过100目筛得到干燥粉体；
步骤7：造粒，冷等静压成型；将步骤6所得预烧粉体与工业酒精混合后在2MPa下进行预压，然后进行密封之后在200MPa的压力下进行5～10min的压制成型；
步骤8：烧结；将步骤7所得生坯放于烧结炉中，以8℃/min的升温速率升温并在875℃下烧结3小时，得到最终的微波介质陶瓷材料。
表2各实施例采用的工艺和微波介电性能
Figure BDA0003176559950000121
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (7)

1.一种温度稳定型低温烧结微波介质陶瓷材料，其特征在于：材料的化学通式为Li4Mg1-xAxW1-yByO6，其中，A为Cu2+, Zn2+, Ni2+和Co2+二价离子中的一种，B为Ta5+和Mo6+离子中的一种；0＜x≤0.08且0＜y≤0.05，其中原料的质量百分比含量为：碱式碳酸镁18.81％-20.14％，Li2CO3为31％-31.3％，WO3为46.4％-47.3％，CuO为0.33％-0.34％，ZnO为0.68％-0.69％，NiO为0.94％，Co2O3为0.94％-1.4％，Ta2O5为1.39％-1.4％，MoO3为1.4％-1.52％。
2.根据权利要求1所述的一种温度稳定型低温烧结微波介质陶瓷材料，其特征在于：所述微波介质陶瓷材料所用的原料包括Mg(OH)2·4MgCO3·5H2O、碳酸锂、三氧化钨、A掺杂剂、B掺杂剂，A掺杂剂选自CuO，ZnO，NiO，Co2O3中的一种，B掺杂剂选自Ta5+和Mo6+离子中一种；将各原料组分按所述化学通式配料，经过第一次球磨混合，在700～800℃下预烧，再经过第二次球磨混合，在870～950℃下进行气氛控制烧结制成。
3.根据权利要求1所述的一种温度稳定型低温烧结微波介质陶瓷材料，其特征在于：晶相具有单斜或正交两种岩盐结构，其物相随着烧结温度的变化而发生演变。
4.根据权利要求1所述的一种温度稳定型低温烧结微波介质陶瓷材料，其特征在于：Li4Mg1-xAxW1-yByO6的物相在600～800℃烧结时为单斜岩盐结构且隶属于C2/c群组，在800～1000℃烧结时主晶相为正交岩盐结构且隶属于Fddd群组，次晶相为单斜岩盐结构，与此同时，随着温度升高次晶相的含量逐渐减少。
5.根据权利要求1所述的一种温度稳定型低温烧结微波介质陶瓷材料，其特征在于：其致密化过程发生在800~1000℃范围之内。
6.根据权利要求4所述的一种温度稳定型低温烧结微波介质陶瓷材料，其特征在于：其微观形貌致密无气孔无微裂纹，频率温度系数τ f 在0±5 ppm/℃之间， Q×f值在30000±500 GHz之间，相对介电常数ε r 在12~16之间可调。
7.一种如权利要求1所述的温度稳定型低温烧结微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤1：配料；原料包括Mg(OH)2·4MgCO3·5H2O、碳酸锂、三氧化钨、A掺杂剂、B掺杂剂，A掺杂剂为CuO，ZnO，NiO，Co2O3中的一种，B掺杂剂为Ta2O5和WO3离子中Ta5+和Mo6+离子中的一种，按照化学通式Li4Mg1-xAxW1-yByO6，0＜x≤0.08且0＜y≤0.05，配料形成混合物；
步骤2：一次球磨；以二氧化锆球为球磨介质，按照混合料：磨球：工业酒精的质量比为1:（5~7）:（2~4）进行研磨6~10小时得到混合均匀的球磨料；
步骤3：烘干，过筛；将步骤2所得球磨料烘干并过100目筛得到干燥粉体；
步骤4：预烧；将步骤3所得干燥粉体置于氧化铝坩埚中，700~800 ℃条件下预烧4~6小时得到预烧粉体；
步骤5：二次球磨；将步骤4所得基料进行第二次球磨，以二氧化锆球为球磨介质，按照混合料：磨球：工业酒精的质量比为1:（3~5）:（1~2）进行研磨3~6小时得到混合均匀的二次球磨料；
步骤6：烘干，过筛；将步骤5所得球磨料烘干并过100目筛得到干燥粉体；
步骤7：造粒，冷等静压成型；将步骤6所得预烧粉体与工业酒精混合后在2MPa下进行预压，然后进行密封之后在200MPa的压力下进行5~10min的压制成型；
步骤8：烧结；将步骤7所得生坯放于烧结炉中，以6~10 ℃/min的升温速率升温并在870~950 ℃下烧结3~6小时，得到最终的微波介质陶瓷材料。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115057695B (zh) * 2022-06-29 2023-09-05 安徽大学 高q值低介电常数ltcc粉、ltcc材料及制备方法、生瓷带及制备方法和应用

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050121833A1 (en) * 2003-12-09 2005-06-09 Jenn-Shing Wang Processing method for ceramic
CN101747060A (zh) * 2009-12-25 2010-06-23 陕西科技大学 一种低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN101798220A (zh) * 2010-03-24 2010-08-11 桂林理工大学 钨酸盐低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN101823880A (zh) * 2010-06-04 2010-09-08 西安交通大学 一种硅铍石型钼基钨基超低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN103145418A (zh) * 2013-04-01 2013-06-12 桂林理工大学 可低温烧结钨酸盐微波介电陶瓷Li4W5O17及其制备方法
CN103159477A (zh) * 2013-04-02 2013-06-19 桂林理工大学 可低温烧结钨酸盐微波介电陶瓷Li2MW2O8及其制备方法
CN103601494A (zh) * 2013-10-22 2014-02-26 山东科技大学 一种钨酸盐低温共烧陶瓷材料及其制备方法
CN106032318A (zh) * 2015-03-12 2016-10-19 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法
CN111302796A (zh) * 2020-02-07 2020-06-19 天津大学 一种低介低损耗介质材料及其制备方法
CN111302794A (zh) * 2020-02-07 2020-06-19 天津大学 一种高性能岩盐结构介质材料及其制备方法
CN112457010A (zh) * 2020-12-02 2021-03-09 电子科技大学 岩盐型重构超晶格结构微波介质陶瓷材料及制备方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050121833A1 (en) * 2003-12-09 2005-06-09 Jenn-Shing Wang Processing method for ceramic
CN101747060A (zh) * 2009-12-25 2010-06-23 陕西科技大学 一种低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN101798220A (zh) * 2010-03-24 2010-08-11 桂林理工大学 钨酸盐低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN101823880A (zh) * 2010-06-04 2010-09-08 西安交通大学 一种硅铍石型钼基钨基超低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN103145418A (zh) * 2013-04-01 2013-06-12 桂林理工大学 可低温烧结钨酸盐微波介电陶瓷Li4W5O17及其制备方法
CN103159477A (zh) * 2013-04-02 2013-06-19 桂林理工大学 可低温烧结钨酸盐微波介电陶瓷Li2MW2O8及其制备方法
CN103601494A (zh) * 2013-10-22 2014-02-26 山东科技大学 一种钨酸盐低温共烧陶瓷材料及其制备方法
CN106032318A (zh) * 2015-03-12 2016-10-19 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法
CN111302796A (zh) * 2020-02-07 2020-06-19 天津大学 一种低介低损耗介质材料及其制备方法
CN111302794A (zh) * 2020-02-07 2020-06-19 天津大学 一种高性能岩盐结构介质材料及其制备方法
CN112457010A (zh) * 2020-12-02 2021-03-09 电子科技大学 岩盐型重构超晶格结构微波介质陶瓷材料及制备方法

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
("Lithium Magnesium Tungstate Solid as an Additive into Li(Ni_(1/3)Mn_(1/3)Co_(1/3))O_2 Electrodes for Li-Ion Batteries"：;Norikazu Yoshinaga etc.;《Journal of the Electrochemical Society》;20191231;第166卷(第3期);第A5430-A5436页 *
"La（MgW）O微波介电性能的改性研究";高洪波;《万方数据库》;20050727;第1-49页 *
"Microwave dielectric properties of a low firing and temperature stable lithium magnesium tungstate (Li4MgWO6) ceramic with a rock-salt variant structure";Xing Zhang etc.;《Journal of the European Ceramic Society》;20210910;第41卷(第16期);第171-178页 *
"The improvement research on microwave dielectric properties of magnesium tungstate for LTCC";Mei Guo etc.;<JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS>;20150131;第26卷(第1期);第608-612页 *
Li2MgSiO4陶瓷添加Li2O-Al2O3-B2O3（LAB）玻璃的低温烧结特性";王铭剑等;《电子元件与材料》;20200930;第39卷(第9期);第27-31页 *
超低温烧结微波介质陶瓷研究进展;张高群等;《硅酸盐学报》;20170727(第09期);第35-47页 *

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