CN113345828A - 静电卡盘的制造方法、静电卡盘以及基板处理装置 - Google Patents

静电卡盘的制造方法、静电卡盘以及基板处理装置 Download PDF

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CN113345828A CN202110202917.XA CN202110202917A CN113345828A CN 113345828 A CN113345828 A CN 113345828A CN 202110202917 A CN202110202917 A CN 202110202917A CN 113345828 A CN113345828 A CN 113345828A
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Abstract

本发明提供可防止异常放电的静电卡盘的制造方法、静电卡盘以及基板处理装置。提供一种静电卡盘的制造方法，该静电卡盘的制造方法包括：准备已形成有第1孔的第1陶瓷板的工序；准备已形成有第2孔的第2陶瓷板的工序，该第2孔在水平方向上形成于与所述第1孔的位置不同的位置；利用浆料在所述第1陶瓷板或所述第2陶瓷板形成浆料层的工序，该浆料层形成有连接所述第1孔和所述第2孔的流路；使所述第1陶瓷板和所述第2陶瓷板隔着所述浆料层层叠的工序；以及接合隔着所述浆料层层叠起来的所述第1陶瓷板和所述第2陶瓷板的工序。

Description

静电卡盘的制造方法、静电卡盘以及基板处理装置
技术领域
本公开涉及静电卡盘的制造方法、静电卡盘以及基板处理装置。
背景技术
在半导体制造工序中，公知有如下内容：为了提高基板与静电卡盘之间的导热性，从设置于静电卡盘的贯通孔向基板与静电卡盘之间的微小空间供给导热气体(例如，专利文献1)。
另外，在专利文献2中提出了一种静电卡盘，该静电卡盘具备：基体，其由陶瓷形成，在上表面具有保持面，并且在内部具有热介质的流路；和包覆膜，其包覆着流路的内表面。该包覆膜由比基体的陶瓷硬的陶瓷形成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2003/046969号说明书
专利文献2：国际公开第2014/098224号说明书
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供能够防止异常放电的静电卡盘的制造方法、静电卡盘以及基板处理装置。
用于解决问题的方案
根据本公开的一技术方案，提供一种静电卡盘的制造方法，该静电卡盘的制造方法包括：准备已形成有第1孔的第1陶瓷板的工序；准备已形成有第2孔的第2陶瓷板的工序，该第2孔在水平方向上形成于与所述第1孔的位置不同的位置；利用浆料在所述第1陶瓷板或所述第2陶瓷板形成浆料层的工序，该浆料层形成有连接所述第1孔和所述第2孔的流路；使所述第1陶瓷板和所述第2陶瓷板隔着所述浆料层层叠的工序；以及接合隔着所述浆料层层叠起来的所述第1陶瓷板和所述第2陶瓷板的工序。
发明的效果
根据一技术方案，能够提供一种可防止异常放电的静电卡盘的制造方法、静电卡盘以及基板处理装置。
附图说明
图1是表示一实施方式的基板处理装置的一个例子的剖视示意图。
图2是表示在一实施方式的静电卡盘形成的流路的一个例子的图。
图3是表示图2的A-A截面的一个例子的图。
图4是表示一实施方式的静电卡盘的制造方法的一个例子的流程图。
图5是用于说明一实施方式的静电卡盘的制造方法的一个例子的图。
图6是用于说明一实施方式的静电卡盘的制造方法的另一个例子的图。
图7是表示图2的A-A截面的另一个例子的图。
图8是表示图2的A-A截面的另一个例子的图。
图9是表示一实施方式的静电卡盘的制造方法(再生)的一个例子的流程图。
具体实施方式
以下，参照附图而对用于实施本公开的形态进行说明。在各附图中，存在如下情况：对同一构成部分标注同一附图标记，省略重复的说明。
[基板处理装置]
使用图1而对一实施方式的基板处理装置1进行说明。图1是表示一实施方式的基板处理装置1的一个例子的剖视示意图。基板处理装置1具备处理容器10。处理容器10在内部提供处理空间10s。处理容器10包括主体12。主体12具有大致圆筒形状。主体12由例如铝形成。在主体12的内壁面上设置有具有耐腐蚀性的膜。该膜是氧化铝、氧化钇等陶瓷为佳。
在主体12的侧壁形成有通路12p。基板W经由通路12p被在处理空间10s与处理容器10的外部之间输送。通路12p由沿着主体12的侧壁设置的闸阀12g开闭。
在主体12的底部上设置有支承部13。支承部13由绝缘材料形成。支承部13具有大致圆筒形状。支承部13在处理空间10s中从主体12的底部向上方延伸。支承部13在上部具有载置台14。载置台14构成为，在处理空间10s支承基板W。
载置台14具有基座18和静电卡盘20。载置台14还能够具有电极板16。电极板16由铝等导体形成，具有大致圆盘形状。基座18设置于电极板16上。基座18由铝等导体形成，具有大致圆盘形状。基座18与电极板16电连接。
在基座18的载置面载置有静电卡盘20，在静电卡盘20所具有的载置面20a载置基板W。静电卡盘20的主体具有大致圆盘形状。静电卡盘20由陶瓷等电介质形成。
在静电卡盘20以与载置面20a平行的方式埋入有电极20b。电极20b是膜状的电极。电极20b借助未图示的开关与直流电源51连接。若从直流电源51对电极20b施加直流电压，则在静电卡盘20与基板W之间产生静电引力。利用该静电引力，基板W被保持于静电卡盘20。
静电卡盘20在基板的周围具有台阶部，在台阶部的上表面配置有边缘环25。边缘环25使对基板W进行的等离子体处理的面内均匀性提高。边缘环25能由硅、碳化硅、或石英等形成。边缘环25是位于基板的周围的环构件的一个例子，也称为聚焦环。
在静电卡盘20的内部、且在载置面20a与电极20b之间形成有流路22a。在载置面20a形成有第1孔21a。另外，在静电卡盘20的下表面20c形成有第2孔23a。第1孔21a和第2孔23a经由流路22a连接。第2孔23a经由贯穿基座18和电极板16的气体供给管线24与气体源52连接。气体源52供给导热气体(例如He气体)。导热气体经过气体供给管线24、第2孔23a、流路22a以及第1孔21a而向静电卡盘20的载置面20a与基板W的背面之间供给。
在基座18，于内部形成有供制冷剂等调温介质流动的流路19a。调温介质从冷却单元26经过入口配管19b，而在流路19a流动，并经过出口配管19c返回冷却单元26。由此，载置于静电卡盘20上的基板W的温度利用导热气体和调温介质的控制进行调整。
基板处理装置1具备第1高频电源62和第2高频电源64。第1高频电源62供给适于等离子体的生成的第1频率的高频电力。第1频率也可以是例如27MHz～100MHz的范围内的频率。第1高频电源62经由匹配器66与电极板16连接。匹配器66使第1高频电源62的输出阻抗与负载侧(等离子体侧)的阻抗匹配。此外，第1高频电源62也可以经由匹配器66与上部电极30连接。第1高频电源62构成一个例子的等离子体生成部。
第2高频电源64供给适于用于吸入离子的第2频率的高频电力。第2频率是与第1频率不同的频率，也可以是例如400kHz～13.56MHz的范围内的频率。第2高频电源64经由匹配器68与电极板16连接。匹配器68使第2高频电源64的输出阻抗与负载侧(等离子体侧)的阻抗匹配。
此外，也可以不使用第1频率的高频电力而是使用第2频率的高频电力来生成等离子体。在该情况下，第2频率也可以是比13.56MHz大的频率、例如40MHz。在该情况下，基板处理装置1也可以不具备第1高频电源62和匹配器66。第2高频电源64构成一个例子的等离子体生成部。
上部电极30设为与载置台14相对，借助绝缘构件32封堵处理容器10的主体12的上部开口。上部电极30具有顶板34和支承体36。顶板34的下表面是处理空间10s那一侧的下表面，划分形成处理空间10s。顶板34能由产生的焦耳热较少的低电阻的导电体或半导体形成。顶板34具有在其板厚方向贯通顶板34的多个气体喷出孔34a。
支承体36以顶板34拆装自如的方式支承顶板34。支承体36由铝等导电性材料形成。在支承体36的内部设置有气体扩散室36a。支承体36具有从气体扩散室36a向下方延伸的多个气孔36b。多个气孔36b与多个气体喷出孔34a分别连通。在支承体36形成有气体导入口36c。气体导入口36c与气体扩散室36a连接。在气体导入口36c连接有气体供给管38。
在气体供给管38连接有阀组42、流量控制器组44以及气体源组40。气体源组40、阀组42以及流量控制器组44构成了气体供给部。气体源组40包括多个气体源。阀组42包括多个开闭阀。流量控制器组44包括多个流量控制器。流量控制器组44的多个流量控制器分别是质量流量控制器或压力控制式的流量控制器。气体源组40的多个气体源分别经由阀组42的对应的开闭阀以及流量控制器组44的对应的流量控制器与气体供给管38连接。
在基板处理装置1，沿着主体12的内壁面和支承部13的外周以拆装自如的方式设置有屏蔽件46。屏蔽件46用于防止反应副产物附着于主体12。屏蔽件46例如是通过在由铝形成的母材的表面形成具有耐腐蚀性的膜而形成的。具有耐腐蚀性的膜能由氧化钇等陶瓷形成。
在支承部13与主体12的侧壁之间设置有挡板48。挡板48例如是通过在由铝形成的母材的表面形成具有耐腐蚀性的膜(氧化钇等的膜)而形成的。在挡板48形成有多个贯通孔。在挡板48的下方、且是主体12的底部设置有排气口12e。在排气口12e经由排气管53连接有排气装置50。排气装置50包括压力调整阀和涡轮分子泵等真空泵。
在处理容器10内，向处理空间10s供给处理气体。另外，对载置台14施加第1频率和/或第2频率的高频电力，由此，在上部电极30与基座18之间生成高频电场，由于放电，从气体生成等离子体。
基板处理装置1还能具备控制部80。控制部80能是具备处理器、存储器等存储部、输入装置、显示装置、信号的输入输出接口等的计算机。控制部80用于控制基板处理装置1的各部。在控制部80，操作者能够使用输入装置来进行指令的输入操作等，以管理基板处理装置1。另外，在控制部80，能够利用显示装置使基板处理装置1的运转状况可视化而显示。而且，在存储部储存有控制程序和制程数据。控制程序由处理器执行，以在基板处理装置1执行各种处理。处理器执行控制程序，按照制程数据控制基板处理装置1的各部。
[流路]
接着，一边参照图2和图3一边对在静电卡盘20的内部形成的、供导热气体流动的流路22a进行说明。图2是表示在一实施方式的静电卡盘20形成的流路22a的一个例子的图。图3是表示图2的A-A截面的一个例子的图。
图2是俯视在静电卡盘20的内部形成的流路22a而得到的图。流路22a具有：流路22a1，其在静电卡盘20的内部形成为大致倒C型；1个流路22a2，其从流路22a1向内侧分支；以及6个流路22a3，其从流路22a1向外侧分支。流路22a1是主流路的一个例子，流路22a3是副流路的一个例子。
第1孔21a在同心圆上形成有6个，经由6根流路22a3与流路22a1连接。不过，第1孔21a的个数并不限于此。第2孔23a形成于静电卡盘20的大致中心，经由流路22a2与流路22a1连接。第1孔21a的开口比第2孔23a的开口小。即，第1孔21a的开口的面积比第2孔23a的开口的面积小。第1孔21a和第2孔23a的形状既可以是圆，也可以是四边形等多边形。
根据随后论述的实施方式的静电卡盘20的制造方法，如作为图2的A-A截面的图3所示，静电卡盘20具有：第1陶瓷板21，其具有第1孔21a；和第2陶瓷板23，其具有第2孔23a，并层叠于第1陶瓷板21。并且，在层叠起来的第1陶瓷板21与第2陶瓷板23之间形成有连接第1孔21a和第2孔23a的所期望的高度的流路22a(流路22a1～流路22a3)。流路22a的高度形成为所期望的高度。作为一个例子，流路22a的高度是5μm～30μm。
第2孔23a和6个第1孔21a在俯视时形成于不重叠的位置。即，第2孔23a在水平方向上形成于与6个第1孔21a的位置不同的位置。另外，在实施方式的静电卡盘20的制造方法中，能够使流路22a的高度减薄到5μm～30μm的范围内。
返回图2，作为主流路的一个例子的流路22a1的宽度比作为副流路的一个例子的流路22a3的宽度宽。在流路22a1，经由气体供给管线24和流路22a2连接有气体源52。由此，在使从气体源52供给来的导热气体在比流路22a3宽的流路22a1的空间扩散了之后，向比流路22a1窄的流路22a3的空间供给。由此，能够使导热气体向静电卡盘20的载置面20a与基板W的背面之间均匀地导入。
此外，用于形成图3所示的流路22a的浆料层22是通过在制造静电卡盘20之际向第1陶瓷板21与第2陶瓷板23之间涂敷浆料而制作成的。出于方便，在图3中将浆料层22表示在第1陶瓷板21与第2陶瓷板23之间。不过，在制造静电卡盘20时，若以第1陶瓷板21和第2陶瓷板23隔着浆料层22层叠起来的状态烧制该第1陶瓷板21和第2陶瓷板23，则第1陶瓷板21与第2陶瓷板23被接合，此时与浆料层22一体化。即，单一陶瓷板28由第1陶瓷板21、第2陶瓷板23以及浆料层22形成。因而，在烧制后的静电卡盘20，浆料层22不作为层存在，而成为在陶瓷板28的内部形成有流路22a1的空间的状态。
本实施方式的静电卡盘20构成为，供给到在陶瓷板28的下表面形成的第2孔23a的导热气体经由设置于陶瓷板28的内部的流路22a从第1孔21a向基板W的背面供给。因而，与将设置于载置面20a的导热气体供给孔(第1孔21a)设为贯通陶瓷板28的贯通孔的情况相比较，能够缩短孔的纵向上的长度。由此，第1孔21a内的电子的加速被抑制，能够抑制第1孔21a内的放电。
另外，第1孔21a经由设置于陶瓷板28的内部的流路22a地设置。因而，不受设置于基座18的流路19a的形状的制约，就能够设置第1孔21a。因此，设置多个开口较小的第1孔21a变得容易。通过缩小第1孔21a的开口，能够在载置面20a减少相对于基板W的温度的特殊点，提高温度控制性。
另外，第2孔23a在水平方向上形成于与第1孔21a的位置不同的位置。即，第1孔21a与第2孔23a未配置于直线上。因此，在处理容器10内的清洁等过程中，能够在以没有基板W的状态生成了等离子体之际抑制等离子体进入第2孔23a和气体供给管线24。因此，能够在第2孔23a或气体供给管线24的内部或壁面配置由抗等离子体性较低的材料形成的构件。
此外，在图3所示的一个例子中，电极20b设置于流路22a之下，但也可以形成于流路22a之上。不过，由于能够更加缩短第1孔21a的纵向上的长度，因此，优选电极20b设置于流路22a之下。
[静电卡盘的制造方法]
接着，一边参照图4和图5一边对静电卡盘20的制造方法的一个例子进行说明。图4是表示一实施方式的静电卡盘20的制造方法的一个例子的流程图。图5是用于说明一实施方式的静电卡盘20的制造方法的一个例子的图。
若开始图4的处理，则准备具有第1孔21a且烧制而成的第1陶瓷板21和具有第2孔23a且烧制而成的第2陶瓷板23(步骤S1)。优选第1陶瓷板21和第2陶瓷板23是三氧化二铝(Al2O3)(以下，也称为“氧化铝”。)的烧结体、或添加有碳化硅(SiC)的氧化铝的烧结体。第1陶瓷板21和第2陶瓷板23既可以是相同的材料，也可以是不同的材料。
例如，在图5的(b)中示出了第1陶瓷板21和第2陶瓷板23的一个例子。第1陶瓷板21和第2陶瓷板23是具有相同的直径的相同的大小的圆盘状的板状构件。第1陶瓷板21被预烧制，在第1陶瓷板21形成有6个第1孔21a。同样地，第2陶瓷板23被预烧制，在第2陶瓷板23形成有1个第2孔23a。
在图4的下一步骤中，利用丝网印刷在第2陶瓷板23之上形成具有流路22a的电介质的浆料层22(步骤S2)。由此，如图5的(b)所示，在第2陶瓷板23上形成具有流路22a(流路22a1、22a2、22a3)的浆料层22。具体而言，遮盖用于形成流路22a1、22a2、22a3的部分，向除此之外的部分涂敷浆料22b。由此，在第2陶瓷板23上形成浆料层22，在该浆料层22，用于形成流路22a1、22a2、22a3的部分成为空间。
为了形成浆料层22所涂敷的浆料22b是将氧化铝的粉末或添加有碳化硅的氧化铝的粉末混合(分散)到溶剂而成的，也称为糊剂。溶剂是氟系、苯酚系的溶液，使氧化铝的粉末等与该溶液混合。此外，在步骤S2中，浆料层22也可以形成于第1陶瓷板21的面。
在图4的下一步骤中，使第1陶瓷板21和第2陶瓷板23隔着浆料层22层叠(步骤S3)。由此，夹着浆料层22而层叠第1陶瓷板21和第2陶瓷板23。
在图4的下一步骤中，一边在垂直方向上施加压力一边烧制，从而接合隔着浆料层22层叠起来的第1陶瓷板21和第2陶瓷板23(步骤S4)，并结束本处理。
在该静电卡盘20的制造方法中，以使第1陶瓷板21和第2陶瓷板23隔着浆料层22层叠起来的状态烧制该第1陶瓷板21和第2陶瓷板23，从而接合第1陶瓷板21和第2陶瓷板23。由此，第1陶瓷板21、浆料层22以及第2陶瓷板23一体化而成为陶瓷板28，浆料层22消失。其结果，在一体化而成的陶瓷板28的内部形成流路22a。由于浆料层22是糊状，因此，流路22a能够形成为5μm～30μm程度的高度。如此一来能够将流路22a形成得较薄，因此，能够缩短第1孔21a的纵向上的长度。
图5的(a)是表示使用加压形成浆料并使浆料凝固而成的生片的情况下的静电卡盘的制造方法的一个例子作为比较例的图。
在图5的(a)的例子中，使作为上板的生片121、形成有流路122a的生片122、作为下板的生片123层叠。并且，在向层叠起来的各生片121、122、123之间涂敷了浆料之后，进行烧制。
图5的(a)所示的各生片121、122、123是烧制前的，因此，比烧制后的第1陶瓷板21和第2陶瓷板23柔软。因而，在使用了生片的情况下，若如实施方式的静电卡盘20的制造方法这样一边加压一边进行烧制，则存在各生片121、122、123变形的可能性。因此，生片难以一边加压一边进行烧制。另外，形成有流路122a的生片122是与另两个生片121、123独立的片材，因此，需要一定程度的厚度，难以如本实施方式这样形成5μm～30μm程度的流路122a。
相对于此，在本实施方式的静电卡盘20的制造方法中，在向第1陶瓷板21与第2陶瓷板23之间涂敷了约5μm～30μm的厚度的浆料层22之后进行烧制。此时，第1陶瓷板21和第2陶瓷板23被预烧制，与生片相比较，强度较高。因而，即使在烧制时对第1陶瓷板21和第2陶瓷板23施加压力，也不产生变形，能够在烧制时将第1陶瓷板21和第2陶瓷板23按压而固着。
根据实施方式的静电卡盘20的制造方法，能够缩短第1孔21a的纵向上的长度。由此，能够防止在第1孔21a及其附近发生异常放电。
此外，电极20b既可以预先形成于在图4的步骤S1中所准备的第1陶瓷板21或第2陶瓷板23，也可以在步骤S4中形成。对于在步骤S4中形成电极20b的情况，在步骤S1中准备第3陶瓷板，该第3陶瓷板在与第2陶瓷板23的第2孔23a的位置相同的位置形成有孔。向第3陶瓷板之上涂敷导电性糊剂，在步骤S3中使第2陶瓷板23层叠于第3陶瓷板之上。只要在步骤S4中进行烧制，就能够获得在流路22a之下具有电极20b的静电卡盘20。在将电极20b设置于流路22a之上时，准备在与第1陶瓷板21的第1孔21a的位置相同的位置形成有孔的陶瓷板作为第3陶瓷板，能够以同样的步骤制作。不过，第1孔21a的直径比第2孔23a的直径小，且第1孔21a的数比第2孔23a的数多，因此，需要精密的对位。因而，优选在流路22a之下形成电极20b。
[电极内的流路]
在实施方式的静电卡盘20的制造方法中，也可以在电极20b内形成流路。也就是说，也可以利用浆料层形成图3所示的电极20b。图6是用于说明一实施方式的静电卡盘20的制造方法的另一个例子的图。图7是表示图2的A-A截面的另一个例子的图。
在此，在第2陶瓷板23上形成图6所示的导电体的浆料层20b1来替代图5的(b)所示的电介质的浆料层22。在该情况下，如作为图2的A-A截面的另一个例子的图7所示，图1所示的电极20b由导电体的浆料层20b1形成，在导电体的浆料层20b1的内部形成流路22a。流路22a具有流路22a1～22a3这点与图5的(b)所示的流路22a同样，因此，在此省略说明。此外，流路22a的形状并不限于图5的(b)和图6所示的例子，只要能够连接第1孔21a和第2孔23a、且第1孔21a和第2孔23a在水平方向上形成于不同的位置，就可以是任意结构。
为了形成图7的成为电极20b的浆料层20b1而涂敷的浆料20b11(参照图6)是将导电性粉末混合(分散)到溶剂而成的。溶剂是氟系、苯酚系的溶液，使导电性粉末与该溶液混合。导电性粉末也可以是碳化钨(WC)、碳化钼(MoC)、碳化钽(TaC)中的任一者。
若导电体的浆料层20b1从第1陶瓷板21与第2陶瓷板23之间暴露，则导电体暴露于等离子体而成为处理容器10内的金属污染的原因。因此，如图6所示，向第2陶瓷板23上的内侧呈圆状涂敷用于形成导电体的浆料层20b1的浆料20b11，以与浆料20b11设置间隙并在其外周覆盖浆料20b11的方式涂敷用于形成电介质的浆料层27b的浆料27b1。利用丝网印刷进行导电体的浆料层20b1和电介质的浆料层27b的形成。例如，也可以是，遮盖浆料层27b和间隙的部分而涂敷导电体的浆料20b11，之后，遮盖导电体的浆料层20b1和间隙的部分而涂敷电介质的浆料27b1，从而形成电介质的浆料层27b。
如此一来设置间隙地在第1陶瓷板21与第2陶瓷板23之间形成具有约5μm～30μm的厚度的流路22a的导电层的浆料层20b1和电介质的浆料层27b。通过设置间隙，能够避免导电层的浆料层20b1与电介质的浆料层27b混合。在形成浆料层20b1和浆料层27b后，使第1陶瓷板21、浆料层20b1和浆料层27b、以及第2陶瓷板23层叠，一边加压一边进行烧制。此时，由于第1陶瓷板21和第2陶瓷板23被预烧制，因此具有一定程度的强度。因而，即使在烧制时对第1陶瓷板21和第2陶瓷板23施加压力，也不会产生变形，能够将第1陶瓷板21和第2陶瓷板23在垂直方向上按压而固着。其结果，第1陶瓷板21以及第2陶瓷板23与浆料层20b1以及浆料层27b一体化而形成图7所示的电极20b和电介质层27。由此，能够在导电性构件(电极20b)的内部形成5μm～30μm程度的流路22a。在该情况下，流路22a也与第1孔21a以及第2孔23a连接，而能够供导热气体流动。另外，电介质层27覆盖电极20b，从而能够避免电极20b暴露于等离子体而产生金属污染的情况。
[多孔状的流路]
在实施方式的静电卡盘20的制造方法中，也可以是，利用以下的方法对浆料层22、浆料层20b1以及浆料层27b进行烧制，从而形成为具有流路22a的多孔层。
例如，在烧制时，若将温度恒定地控制在1200℃～1700℃，则浆料层难以成为多孔状。相对于此，在将烧制时的初始温度控制为700℃～800℃、经过了所设定的时间之后，控制为1200℃～1700℃，从而能够将浆料层形成为多孔状。另外，也可以通过改变浆料的粉末与溶剂的比率，来将浆料层形成为多孔状，也可以改变多孔的气孔率。
图8是表示图2的A-A截面的另一个例子的图。通过形成具有流路22a的多孔层29，如图8所示这样，陶瓷板28的侧面的一部分成为多孔状。若氦气等导热气体向流路22a流动，则导热气体从流路22a进入多孔层29的气孔，导热气体从陶瓷板28的侧面泄漏。由此，能够抑制反应生成物附着于静电卡盘20的侧面。
[静电卡盘的再生]
接着，一边参照图9一边对再生时的实施方式的静电卡盘的制造方法进行说明。图9是表示再生时的实施方式的静电卡盘的制造方法的一个例子的流程图。
在开始图9的处理时，切削第1陶瓷板21，使第2陶瓷板23暴露(步骤S11)。接着，准备具有第1孔21a的新的第1陶瓷板21(步骤S12)。
接着，利用丝网印刷在第2陶瓷板23形成浆料层22，该浆料层22形成有连接第1孔21a和第2孔23a的流路22a(步骤S13)。也可以在新的第1陶瓷板21上形成浆料层22。
接着，使新的第1陶瓷板21和第2陶瓷板23隔着浆料层22层叠(步骤S14)。接着，对浆料层22进行烧制，接合新的第1陶瓷板21和第2陶瓷板23，使静电卡盘20再生(步骤S15)，并结束本处理。
这样的话，通过将暴露于等离子体的第1陶瓷板21更换成新的第1陶瓷板21而执行实施方式的静电卡盘的制造方法，能够使可防止异常放电的静电卡盘再生。
此外，在本实施方式的静电卡盘20的制造方法中所使用的浆料层并不限于将所设定的粉末分散到氟系、苯酚系的溶液而成的浆料层。例如，对于在本实施方式的静电卡盘20的制造方法中所使用的浆料层，也可以通过添加预先确定好的量的溶液、烧结助剂、粘合剂并粉碎到所设定的粒径而生成所设定的粉末。作为所添加的烧结助剂，能够使用B4C系、稀土类氧化物-Al2O3系的烧结助剂。另外，作为所添加的粘合剂，是合成树脂即可。例如，粘合剂能够使用松香酯、乙基纤维素、乙基羟乙基纤维素、缩丁醛树脂、苯酚树脂、聚氧化乙烯系树脂、聚(2-乙基噁唑啉)系树脂、聚乙烯吡咯烷酮系树脂。粘合剂也可以是聚丙烯酸系树脂等聚甲基丙烯酸系树脂、聚乙烯醇系树脂、丙烯酸树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、醇酸树脂、聚苄、聚间二乙烯基苯、聚苯乙烯等。
如以上进行了说明的那样，根据本实施方式的静电卡盘20的制造方法，能够提供可防止异常放电的静电卡盘的制造方法、静电卡盘以及基板处理装置。另外，根据本实施方式的静电卡盘20的制造方法，能够再生可防止异常放电的静电卡盘20。
应该认为此次所公开的一实施方式的静电卡盘的制造方法、静电卡盘以及基板处理装置在全部的点都是例示且并非限制性的。上述的实施方式不脱离权利要求书及其主旨就能够以各种形态进行变形和改良。上述多个实施方式所记载的事项能够在不矛盾的范围内也能采取其他结构，另外，能够在不矛盾的范围内组合。
例如，在图3的例子中，仅在载置基板W的载置面20a的下部设置有电极20b和流路22a，但也可以在载置边缘环25的台阶部的下部设置电极20b和流路22a。
本公开的基板处理装置也能够适用在Atomic Layer Deposition(原子层沉积：ALD)装置、Capacitively Coupled Plasma(电容耦合等离子体：CCP)、InductivelyCoupled Plasma(电感耦合等离子体：ICP)、Radial Line Slot Antenna(径向线缝隙天线：RLSA)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(电子回旋共振等离子体：ECR)、HeliconWave Plasma(螺旋波等离子体：HWP)中的任一类型的装置。
另外，列举等离子体处理装置作为基板处理装置的一个例子而进行了说明，但基板处理装置是对基板实施预定的处理(例如，成膜处理、蚀刻处理等)的装置即可，并不限定于等离子体处理装置。

Claims (20)

1.一种静电卡盘的制造方法，其中，
该静电卡盘的制造方法包括：
准备已形成有第1孔的第1陶瓷板的工序；
准备已形成有第2孔的第2陶瓷板的工序，该第2孔在水平方向上形成于与所述第1孔的位置不同的位置；
利用浆料在所述第1陶瓷板或所述第2陶瓷板形成浆料层的工序，该浆料层形成有连接所述第1孔和所述第2孔的流路；
使所述第1陶瓷板和所述第2陶瓷板隔着所述浆料层层叠的工序；以及
接合隔着所述浆料层层叠起来的所述第1陶瓷板和所述第2陶瓷板的工序。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘的制造方法，其中，
所述第1陶瓷板和所述第2陶瓷板是氧化铝的烧结体、或添加有碳化硅的氧化铝的烧结体。
3.根据权利要求1或2所述的静电卡盘的制造方法，其中，
所述浆料是通过使氧化铝的粉末或添加有碳化硅的氧化铝的粉末与溶剂混合而形成的。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的静电卡盘的制造方法，其中，
所述第1陶瓷板或所述第2陶瓷板具有电极。
5.根据权利要求1或2所述的静电卡盘的制造方法，其中，
所述浆料是通过使导电性粉末与溶剂混合而形成的。
6.根据权利要求5所述的静电卡盘的制造方法，其中，
所述导电性粉末是碳化钨、碳化钼、碳化钽中的任一者。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的静电卡盘的制造方法，其中，
所述浆料层利用丝网印刷形成。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的静电卡盘的制造方法，其中，
所述流路包括主流路和副流路，该副流路与所述主流路连接，且宽度比所述主流路的宽度窄。
9.根据权利要求8所述的静电卡盘的制造方法，其中，
所述主流路以与所述第2孔连接的方式构成，所述副流路以与所述第1孔连接的方式构成。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的静电卡盘的制造方法，其中，
所述第1孔的开口比所述第2孔的开口小。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的静电卡盘的制造方法，其中，
所述流路的高度是5μm～30μm。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的静电卡盘的制造方法，其中，
该静电卡盘的制造方法包括：
切削所述第1陶瓷板而使所述第2陶瓷板暴露的工序；
准备具有第1孔的新的第1陶瓷板的工序；
利用浆料在新的所述第1陶瓷板或所述第2陶瓷板形成浆料层的工序，该浆料层形成有连接所述第1孔和所述第2孔的流路；
使新的所述第1陶瓷板和所述第2陶瓷板隔着所述浆料层层叠的工序；
接合隔着所述浆料层层叠起来的新的所述第1陶瓷板和所述第2陶瓷板而使静电卡盘再生的工序。
13.一种静电卡盘，其是具有陶瓷板的静电卡盘，其中，
对于所述陶瓷板，
在上表面形成有第1孔，
在下表面形成有第2孔，该第2孔在水平方向上处于与所述第1孔的位置不同的位置，
在内部形成有连接所述第1孔和所述第2孔的流路。
14.根据权利要求13所述的静电卡盘，其中，
所述流路由导电性构件形成。
15.根据权利要求13所述的静电卡盘，其中，
所述流路形成为多孔状。
16.根据权利要求13～15中任一项所述的静电卡盘，其中，
所述流路包括主流路和副流路，该副流路与所述主流路连接，且宽度比所述主流路的宽度窄，
所述主流路与所述第2孔连接起来，所述副流路与所述第1孔连接起来。
17.根据权利要求13～16中任一项所述的静电卡盘，其中，
所述第1孔的开口比所述第2孔的开口小。
18.一种基板处理装置，其中，
该基板处理装置具有：
处理容器；
载置台，其配置于所述处理容器内，用于载置基板；以及
静电卡盘，其设置于所述载置台，在上表面具有用于保持基板的陶瓷板，
对于所述静电卡盘，
在所述陶瓷板的所述上表面形成有第1孔，
在所述陶瓷板的下表面形成有第2孔，该第2孔在水平方向上处于与所述第1孔的位置不同的位置，
在所述陶瓷板的内部形成有连接所述第1孔和所述第2孔的流路。
19.根据权利要求18所述的基板处理装置，其中，
所述第2孔构成为经由气体供给管线与气体源连接。
20.根据权利要求18或19所述的基板处理装置，其中，
所述流路构成为呈多孔状形成。
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