CN113311038B - 一种dna生物传感器的分子识别部分、其制备和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种DNA生物传感器的分子识别部分、其制备和应用，属于拓扑材料和生物传感器领域。所述分子识别部分包括BiSbTeSe2层和金纳米颗粒层，所述BiSbTeSe2层的表面镀有金纳米颗粒层，金纳米颗粒层上组装有作为探针的巯基修饰的单链DNA；所述分子识别部分通过采用离子溅射的方法在BiSbTeSe2层上镀上一层金纳米颗粒层，然后将巯基修饰的单链DNA与制备好的镀有金纳米颗粒层的BiSbTeSe2层进行自组装而得到；将所述分子识别部分用于DNA生物传感器中，采用电化学测试的方法实现对目标DNA的检测，具有检测范围宽，且检测极限低的优点。

Description

一种DNA生物传感器的分子识别部分、其制备和应用
技术领域
本发明涉及一种DNA生物传感器的分子识别部分、其制备和应用，属于拓扑材料和生物传感器领域。
背景技术
生物传感器是一种对生物物质敏感并将其浓度转换为电信号进行检测的仪器。其中DNA生物传感器，是将已知核苷酸序列的单链DNA分子应用至识别元件，通过换能器，将识别元件感知的信号转化为能够观察记录的信号，如电信号，完成对目标DNA的检测。
DNA生物传感器已被广泛认为是临床医学诊断，食品安全，环境分析，生物反恐和生命科学基础研究领域中十分重要的分析手段。同时DNA生物传感器具有高灵敏度、高选择性、低成本和便携性等优点，是用于DNA检测的理想方法。
目前DNA生物传感器有采用玻碳电极或者金电极作为工作电极，然后通过在玻碳电极或者金电极表面通过各种方法进行修饰，进而对相应的对电化学信号进行改善，从而达到提高检测灵敏度的方法。
目前有采用Bi2Se3拓扑材料修饰到玻碳电极表面上，并在Bi2Se3拓扑材料上组装已知核苷酸序列的单链DNA分子，将其作为DNA生物传感器的识别部分，用于检测乳腺癌DNA；将Bi2Se3拓扑材料修饰到玻碳电极表面上，不仅增加了使用的复杂性，其制备方法也比较复杂。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的之一在于提供一种DNA生物传感器的分子识别部分，包括BiSbTeSe2拓扑材料，将所述分子识别部分用于DNA生物传感器的工作电极中，无需将BiSbTeSe2拓扑材料修饰到玻碳电极上，就可以采用电化学测试的方法实现对目标DNA的检测，应用方便；且所述分子识别部分具有良好的稳定性。
本发明的目的之二在于提供一种本发明所述的DNA生物传感器的分子识别部分的制备方法，所述方法具有简单、易于操作的优点，适用于规模化生产。
本发明的目的之三在于提供一种本发明所述的DNA生物传感器的分子识别部分的应用，将所述分子识别部分应用到DNA生物传感器中，采用电化学测试的方法实现对目标DNA的检测，具有检测范围宽，且检测极限低的优点。
为实现本发明的目的，提供以下技术方案。
一种DNA生物传感器的分子识别部分，包括BiSbTeSe2层和金纳米颗粒层，所述BiSbTeSe2层的表面镀有金纳米颗粒层，金纳米颗粒层上组装有作为探针的巯基修饰的单链DNA。
其中，金纳米颗粒层的平均厚度为1nm～5nm。
优选，金纳米颗粒层的平均厚度为2nm。
一种本发明所述DNA生物传感器的分子识别部分的制备方法，所述方法步骤如下：
(1)采用离子溅射的方法在BiSbTeSe2层上镀上一层金纳米颗粒层。
BiSbTeSe2层通过在BiSbTeSe2晶体材料上采用机械剥离的方法获得；
优选，在BiSbTeSe2晶体材料上粘贴机械剥离蓝膜，然后撕下所述蓝膜，则在所述蓝膜上得到了BiSbTeSe2层。
所述离子溅射的方法具体为：在真空度小于等于6×10-2mBar的环境中进行，离子溅射所用的金属靶为金，溅射电流为20mA～25mA，溅射时间为5s～15s，离子溅射结束后，得到镀有金纳米颗粒层的BiSbTeSe2层。
优选，溅射电流为23mA，溅射时间为10s。
(2)将巯基修饰的单链DNA与制备好的镀有金纳米颗粒层的BiSbTeSe2层进行自组装，获得本发明所述的DNA生物传感器的分子识别部分。
所述自主装的条件为：将含有巯基修饰的单链DNA的缓冲溶液滴加到BiSbTeSe2层上的金纳米颗粒层的表面上，在室温下孵育11h～15h，孵育完成后，得到孵育后的样品，清洗，在室温下干燥，得到本发明所述的DNA生物传感器的分子识别部分。
其中，采用去离子水纯度以上的水进行清洗，以去除未吸附在金纳米颗粒层表面的单链DNA。
所述缓冲溶液为PBS缓冲溶液或TE缓冲溶液。
优选，在室温下孵育12h。
优选，所述缓冲溶液中含有巯基修饰的单链DNA的浓度为1×10-8mol/L～1×10- 7mol/L。
一种本发明所述DNA生物传感器的分子识别部分的应用，即将所述分子识别部分用于DNA生物传感器中，采用电化学测试的方法实现对目标DNA的检测，具体方法如下：
(a)将6-巯基己-1-醇(MCH)缓冲溶液加入到所述分子识别部分的金纳米颗粒层上，在室温下孵育1h～2h，使没有与巯基修饰的单链DNA结合的金纳米颗粒封闭，孵育结束后，清洗，去除多余的MCH缓冲溶液，得到封闭后的DNA生物传感器的分子识别部分。
其中，采用去离子水纯度以上的水进行清洗。
(b)将含有互补链DNA的缓冲溶液加入到封闭后的DNA生物传感器的分子识别部分，在35℃～38℃的条件下，让互补链DNA和巯基修饰的单链DNA杂交互补1h～2h，杂交互补完成后，清洗掉未完成杂交互补的互补链DNA，在室温下干燥，得到DNA生物传感器的工作电极。
其中，所述缓冲溶液为PBS缓冲溶液或TE缓冲溶液。
采用去离子水纯度以上的水进行清洗。
优选，含有互补链DNA的缓冲溶液中，互补链DNA的浓度为5.0×10-16mol/L～2.0×10-13mol/L。
优选，在37℃的条件下，互补链DNA和巯基修饰的单链DNA杂交互补2h。
(c)采用电化学工作站和三电极体系进行电化学测试，其中工作电极为步骤(b)制得的DNA生物传感器的工作电极，参比电极为银/氯化银电极或者饱和甘汞电极，对电极为铂丝电极或者铂片电极，通过电化学测试方法检测互补链DNA的浓度。
所述电化学测试方法为电化学阻抗测试、差分脉冲伏安法或方波伏安法。
所述电化学测试使用的缓冲溶液是浓度为0.01mol/L～0.1mol/L的PBS缓冲溶液，所述PBS缓冲溶液中含有的铁氰化钾、亚铁氰化钾和氯化钾，其中铁氰化钾和亚铁氰化钾的浓度均为1mmol/L～10mmol/L，且两者的浓度相同；氯化钾的浓度大于0且小于等于0.1mol/L。
优选，所述PBS缓冲溶液中，铁氰化钾和亚铁氰化钾的浓度均为5mmol/L，氯化钾的浓度为0.1mol/L。
所述电化学测试的测试温度为20℃～27℃。
有益效果
1.本发明提供了一种DNA生物传感器的分子识别部分，包括BiSbTeSe2拓扑材料，将所述分子识别部分用于DNA生物传感器的工作电极中，无需将BiSbTeSe2拓扑材料修饰到玻碳电极上，就可以采用电化学测试的方法实现对目标DNA的检测，应用方便；且所述分子识别部分具有良好的稳定性。
2.本发明提供了一种所述DNA生物传感器的分子识别部分的制备方法，所述方法具有简单、易于操作的优点，适用于规模化生产。
3.本发明提供了一种所述DNA生物传感器的分子识别部分的应用，将所述分子识别部分应用到DNA生物传感器中，采用电化学测试的方法实现对目标DNA的检测，具有检测范围宽，检测范围可以达到5.0×10-16mol/L～2.0×10-13mol/L；且检测极限低，能够达到5.0×10-16mol/L，由此可见，本发明所述分子识别部分具有更高的检测灵敏性。
附图说明
图1为实施例1通过电化学测试获得的不同互补链浓度下电化学阻抗图。
图2为实施例1通过电化学测试获得的不同互补链浓度下电化学电流-时间曲线图。
图3为实施例2通过电化学测试获得的不同互补链浓度下电化学阻抗图。
图4为实施例2通过电化学测试获得的不同互补链浓度下电化学电流-时间曲线图。
其中，图1～图4中的“M”指mol/L。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例来详述本发明，但不作为对本发明专利的限定。
以下实施例中：
所用的离子溅射/热蒸发一体化镀膜系统的厂家为英国Quorum公司，型号为Q150RES。
所用的电化学工作站的型号为上海辰华CHI650E。
所用的恒温培养箱的型号为力辰科技SPX-50B。
所用的PBS缓冲溶液为北京博迈德基因技术有限公司浓度为0.1M的PBS缓冲溶液。
所用的机械剥离蓝膜的生产厂家为Ultron Systems公司，型号为1035R-1.0。
所用的绝缘胶带为3M的1600#无铅电工胶带。
实施例1
一种DNA生物传感器的分子识别部分的制备方法，具体如下：
(1)将一块单晶BiSbTeSe2晶体材料固定在载玻片上，然后将机械剥离蓝膜粘在BiSbTeSe2晶体材料的表面，用手指按压，最后将所述蓝膜从BiSbTeSe2晶体材料表面撕下来，则在所述蓝膜上得到BiSbTeSe2层。
将BiSbTeSe2层放入离子溅射/热蒸发一体化镀膜系统中的样品台上，用真空泵对所述镀膜系统进行抽真空处理，待真空度达到6×10-2mBar时，开始采用离子溅射的方法，在BiSbTeSe2层表面镀上金纳米颗粒层，离子溅射所用的金属靶是纯度为99.99％的金，溅射电流为23mA，溅射时间为10s，离子溅射结束，得到镀有金纳米颗粒层的BiSbTeSe2层样品，其中金纳米颗粒层的平均厚度为2nm。
(2)将镀有金纳米颗粒层的BiSbTeSe2层样品放置在载玻片上，并保持水平的状态，然后将10μL的含有巯基修饰的单链DNA的PBS缓冲溶液滴加在所述样品表面，在室温下孵育12h，孵育结束后，得到孵育后的样品，用去离子水清洗三次，以去除未吸附在金纳米颗粒层表面的单链DNA，自然风干，得到一种DNA生物传感器的分子识别部分。
其中，含有巯基修饰的单链DNA的PBS缓冲溶液中巯基修饰的单链DNA的浓度为1.0×10-8mol/L。
巯基修饰的单链DNA的序列为：5'-HS-(CH2)6-AGT CAG TGT GGA AAA TCT CTA GC-3'。
利用本实施例制得的一种DNA生物传感器的分子识别部分对目标DNA(即互补链DNA)进行检测，检测方法为：
(a)用打孔器在绝缘胶带上打出直径为2mm的圆孔，然后将带有圆孔的绝缘胶带覆盖在所述分子识别部分的巯基修饰的单链DNA的那一面上，将圆孔周边的绝缘胶带按压紧密，即在圆孔里暴露出所述分子识别部分中含有巯基修饰的单链DNA的部分。
将10μL浓度为0.1mmol/L的MCH缓冲溶液加入到由圆孔暴露出的所述分子识别部分中含有巯基修饰的单链DNA的那一面，在室温下孵育1h，使没有与巯基修饰的单链DNA结合的金纳米颗粒封闭，孵育结束后，用去离子水清洗三次，去除多余的MCH缓冲溶液，得到封闭后的DNA生物传感器的分子识别部分。
(b)取10μL含有互补链DNA的PBS缓冲溶液滴加到由圆孔暴露出来的封闭后的DNA生物传感器的分子识别部分含有巯基修饰的单链DNA的那一面，然后将滴加有互补链DNA的所述分子识别部分放入恒温培养箱中，在35℃的条件下，让互补链DNA和巯基修饰的单链DNA杂交互补1.5h，杂交互补完成后，取出杂交完成后的所述分子识别部分，并用去离子水清洗三次，以去除未完成杂交互补的互补链DNA，自然风干，得到DNA生物传感器的工作电极。
含有互补链DNA的PBS缓冲溶液中互补链DNA的浓度分别为5.0×10-16mol/L、1.0×10-15mol/L、2.0×10-15mol/L、2.0×10-14mol/L、5.0×10-14mol/L和2.0×10-13mol/L。
(c)采用电化学工作站和传统三电极体系进行电化学测试，其中工作电极为步骤(b)制得的工作电极，参比电极为银/氯化银电极，对电极为铂丝电极。
电化学测试使用的缓冲溶液是浓度为0.1mol/L的PBS缓冲溶液，所述PBS缓冲溶液中含有5mmol/L的铁氰化钾、5mmol/L亚铁氰化钾以及0.1mol/L氯化钾；电化学测试的测试温度为22℃。
其中，电化学阻抗(EIS)测试的参数：初始电位为0.2V，最高频率为100kHZ，最低频率为0.1HZ，振幅为0.005V。
电流-时间(i-t)测试的参数：初始电位为0.5V，采样间隔0.1s，运行时间400s。
电化学阻抗(EIS)测试的结果见图1，从图中可以看到随着互补链DNA浓度的增加，测试的工作电极表面的电荷转移电阻会增大，意味着互补链DNA与单链DNA进行杂交互补以后，在所述分子识别部分的金纳米颗粒层的表面含有更多的杂交互补后的双链DNA，然而杂交互补后的双链DNA具有的磷酸骨架在缓冲溶液中会带有负电荷，因此与缓冲溶液中的阴离子[Fe(CN)6]3-/4-会有静电屏蔽的作用，阻碍了阴离子[Fe(CN)6]3-/4-向工作电极表面的移动，使得在电极表面电荷交换的能力变弱，测得的电荷转移电阻也会增大。当互补链DNA浓度为5.0×10-16mol/L时，此时互补链DNA的数量较少，与单链DNA杂交互补形成的双链DNA数量少，对阴离子[Fe(CN)6]3-/4-阻碍的能力较弱，所以从图1可以看出，互补链DNA浓度为5.0×10-16mol/L的阻抗值是6个测试样品中最小的。随着含有互补链DNA的缓冲溶液中互补链DNA的浓度分别增加到1.0×10-15mol/L、2.0×10-15mol/L、2.0×10-14mol/L、5.0×10-14mol/L和2.0×10-13mol/L时，杂交互补形成的双链DNA数量逐渐增多，测试得到的阻抗值也是依次增大，所以本实施例制得的一种DNA生物传感器的分子识别部分能够检测出浓度为5.0×10-16mol/L～2.0×10-13mol/L的互补链DNA，最低检测限达到了5.0×10-16mol/L。
另外，通过电化学电流-时间(i-t)的测试，其结果见图2，从图中可以看到在互补链DNA浓度分别为5.0×10-16mol/L、1.0×10-15mol/L、2.0×10-14mol/L和5.0×10-14mol/L的条件下，测试得到的电流值最终都可以保持在稳定的数值范围，说明了制备的工作电极非常稳定，进一步说明本实施例制得的一种DNA生物传感器的分子识别部分的稳定性良好。
实施例2
一种DNA生物传感器的分子识别部分的制备方法，具体如下：
(1)将一块单晶BiSbTeSe2晶体材料固定在载玻片上，然后将机械剥离蓝膜粘在BiSbTeSe2晶体材料的表面，用手指按压，最后将所述蓝膜从BiSbTeSe2晶体材料表面撕下来，则在所述蓝膜上得到BiSbTeSe2层。
将BiSbTeSe2层放入离子溅射/热蒸发一体化镀膜系统中的样品台上，用真空泵对所述镀膜系统进行抽真空处理，待真空度达到6×10-2mBar时，开始采用离子溅射的方法，在BiSbTeSe2层表面镀上金纳米颗粒层，离子溅射所用的金属靶是纯度为99.99％的金，溅射电流为23mA，溅射时间为10s，离子溅射结束，得到镀有金纳米颗粒层的BiSbTeSe2层样品，金纳米颗粒层的平均厚度为2nm。
(2)将镀有金纳米颗粒层的BiSbTeSe2层样品放置在载玻片上，并保持水平的状态，然后将20μL的含有巯基修饰的单链DNA的PBS缓冲溶液滴加所述样品表面，在室温下孵育13h，孵育结束后，得到孵育后的样品，用去离子水清洗三次，以去除未吸附在金纳米颗粒层表面的单链DNA，自然风干，得到一种DNA生物传感器的分子识别部分。
其中，含有巯基修饰的单链DNA的PBS缓冲溶液中巯基修饰的单链DNA的浓度为1.0×10-8mol/L。
巯基修饰的单链DNA的序列为：5'-HS-(CH2)6-AGT CAG TGT GGA AAA TCT CTA GC-3'。
利用本实施例制得的一种DNA生物传感器的分子识别部分对目标DNA(即互补链DNA)进行检测，检测方法为：
(a)用打孔器在绝缘胶带上打出直径为2mm的圆孔，然后将带有圆孔的绝缘胶带覆盖在所述分子识别部分的巯基修饰的单链DNA的那一面上，将圆孔周边的绝缘胶带按压紧密，即在圆孔里暴露出所述分子识别部分中含有巯基修饰的单链DNA的部分。
将15μL浓度为0.1mmol/L的MCH缓冲溶液加入到由圆孔暴露出的所述分子识别部分中含有巯基修饰的单链DNA的那一面，在室温下孵育1.5h，使没有与巯基修饰的单链DNA结合的金纳米颗粒封闭，孵育结束后，用去离子水清洗三次，去除多余的MCH缓冲溶液，得到封闭后的DNA生物传感器的分子识别部分。
(b)取20μL含有互补链DNA的PBS缓冲溶液滴加到由圆孔暴露出来的封闭后的DNA生物传感器的分子识别部分含有巯基修饰的单链DNA的那一面，然后将滴加有互补链DNA的所述分子识别部分放入恒温培养箱中，在37℃的条件下，让互补链DNA和巯基修饰的单链DNA杂交互补2h，杂交互补完成后，取出杂交完成后的所述分子识别部分，并用去离子水清洗三次，以去除未完成杂交互补的互补链DNA，自然风干，得到DNA生物传感器的工作电极。
含有互补链DNA的PBS缓冲溶液中互补链DNA的浓度分别为5.0×10-16mol/L、1.0×10-15mol/L、2.0×10-15mol/L、2.0×10-14mol/L、5.0×10-14mol/L和2.0×10-13mol/L。
(c)采用电化学工作站和传统三电极体系进行电化学测试，其中工作电极为步骤(b)制得的工作电极，参比电极为银/氯化银电极，对电极为铂丝电极；
电化学测试使用的缓冲溶液是浓度为0.1mol/L的PBS缓冲溶液，其中含有5mmol/L的铁氰化钾和5mmol/L亚铁氰化钾以及0.1mol/L氯化钾；电化学测试的测试温度为25℃。
其中，电化学阻抗(EIS)测试的参数：初始电位为开路电势，最高频率为100kHZ，最低频率为0.1HZ，振幅为0.005V。
电流-时间(i-t)测试的参数：初始电位为0.5V，采样间隔0.1s，运行时间400s。
电化学阻抗测试的结果见图3，从图中可以看到随着互补链DNA浓度的增加，测试的工作电极表面的电荷转移电阻也会增大，而且检测的互补链DNA浓度范围同样是5.0×10-16mol/L～2.0×10-13mol/L，最低检测限达到了5.0×10-16mol/L。
另外，通过电化学电流-时间(i-t)的测试，其结果见图4，从图中可以看到在互补链DNA浓度分别为2.0×10-13mol/L、2.0×10-14mol/L和2.0×10-15mol/L的条件下，测试得到的电流值最终都可以保持在稳定的数值范围，说明了制备的工作电极非常稳定，进一步说明本实施例制得的一种DNA生物传感器的分子识别部分的稳定性良好。
本发明包括但不限于以上实施例，凡是在本发明精神的原则之下进行的任何等同替换或局部改进，都将视为本发明保护范围之内。

Claims (9)

1.一种DNA生物传感器的分子识别部分，其特征在于：所述分子识别部分包括BiSbTeSe2层和金纳米颗粒层，所述BiSbTeSe2层的表面镀有金纳米颗粒层，金纳米颗粒层上组装有作为探针的巯基修饰的单链DNA；
其中，金纳米颗粒层的平均厚度为1nm～5nm；
所述BiSbTeSe2层通过在BiSbTeSe2晶体材料上采用机械剥离的方法获得，具体为：在BiSbTeSe2晶体材料上粘贴机械剥离蓝膜，然后撕下所述蓝膜，则在所述蓝膜上得到了BiSbTeSe2层。
2.根据权利要求1所述的一种DNA生物传感器的分子识别部分，其特征在于：金纳米颗粒层的平均厚度为2nm。
3.一种如权利要求1或2所述的DNA生物传感器的分子识别部分的制备方法，其特征在于，所述方法步骤如下：
(1)采用离子溅射的方法在BiSbTeSe2层上镀上一层金纳米颗粒层；
BiSbTeSe2层通过在BiSbTeSe2晶体材料上采用机械剥离的方法获得；
所述离子溅射的方法具体为：在真空度小于等于6×10-2mBar的环境中进行，离子溅射所用的金属靶为金，溅射电流为20mA～25mA，溅射时间为5s～15s，离子溅射结束后，得到镀有金纳米颗粒层的BiSbTeSe2层；
(2)将巯基修饰的单链DNA与制备好的镀有金纳米颗粒层的BiSbTeSe2层进行自组装，获得DNA生物传感器的分子识别部分；
所述自组装的条件为：将含有巯基修饰的单链DNA的缓冲溶液滴加到BiSbTeSe2层上的金纳米颗粒层的表面上，在室温下孵育11h～15h，孵育完成后，得到孵育后的样品，清洗，在室温下干燥，得到DNA生物传感器的分子识别部分；
其中，采用去离子水纯度以上的水进行清洗；
所述缓冲溶液为PBS缓冲溶液或TE缓冲溶液。
4.根据权利要求3所述的一种DNA生物传感器的分子识别部分的制备方法，其特征在于：所述离子溅射的方法，溅射电流为23mA，溅射时间为10s。
5.根据权利要求3所述的一种DNA生物传感器的分子识别部分的制备方法，其特征在于：所述自组装的条件为：将含有巯基修饰的单链DNA的缓冲溶液滴加到BiSbTeSe2层上的金纳米颗粒层的表面上，在室温下孵育12h。
6.根据权利要求3所述的一种DNA生物传感器的分子识别部分的制备方法，其特征在于：所述缓冲溶液中含有巯基修饰的单链DNA的浓度为1×10-8mol/L～1×10-7mol/L。
7.根据权利要求3所述的一种DNA生物传感器的分子识别部分的制备方法，其特征在于：
所述离子溅射的方法，溅射电流为23mA，溅射时间为10s；
所述自组装的条件为：将含有巯基修饰的单链DNA的缓冲溶液滴加到BiSbTeSe2层上的金纳米颗粒层的表面上，在室温下孵育12h；
所述缓冲溶液中含有巯基修饰的单链DNA的浓度为1×10-8mol/L～1×10-7mol/L。
8.一种如权利要求1或2所述的DNA生物传感器的分子识别部分的应用，其特征在于：将所述分子识别部分用于DNA生物传感器中，采用电化学测试的方法实现对目标DNA的检测，具体方法如下：
(a)将MCH缓冲溶液加入到所述分子识别部分的金纳米颗粒层上，在室温下孵育1h～2h，孵育结束后，清洗，得到封闭后的DNA生物传感器的分子识别部分；
(b)将含有互补链DNA的缓冲溶液加入到封闭后的DNA生物传感器的分子识别部分，在35℃～38℃的条件下，让互补链DNA和巯基修饰的单链DNA杂交互补1h～2h，杂交互补完成后，清洗，在室温下干燥，得到DNA生物传感器的工作电极；
其中，步骤(a)和(b)中，采用去离子水纯度以上的水进行清洗；
步骤(b)中，所述缓冲溶液为PBS缓冲溶液或TE缓冲溶液；
(c)采用电化学工作站和三电极体系进行电化学测试，其中工作电极为步骤(b)制得的DNA生物传感器的工作电极，参比电极为银/氯化银电极或者饱和甘汞电极，对电极为铂丝电极或者铂片电极，通过电化学测试方法检测互补链DNA的浓度；
所述电化学测试方法为电化学阻抗测试、差分脉冲伏安法或方波伏安法；
所述电化学测试使用的缓冲溶液是浓度为0.01mol/L～0.1mol/L的PBS缓冲溶液，所述PBS缓冲溶液中含有铁氰化钾、亚铁氰化钾和氯化钾，其中铁氰化钾和亚铁氰化钾的浓度均为1mmol/L～10mmol/L，且两者的浓度相同；氯化钾的浓度大于0且小于等于0.1mol/L；
所述电化学测试的测试温度为20℃～27℃。
9.根据权利要求8所述的一种DNA生物传感器的分子识别部分的应用 ，其特征在于：含有互补链DNA的缓冲溶液中，互补链DNA的浓度为5.0×10-16mol/L～2.0×10-13mol/L；
在37℃的条件下，互补链DNA和巯基修饰的单链DNA杂交互补2h；
步骤(c)中，所述PBS缓冲溶液中，铁氰化钾和亚铁氰化钾的浓度均为5mmol/L，氯化钾的浓度为0.1mol/L。
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