CN113311034A - 一种检测转基因作物中Cry1Ab蛋白的原位比率光电化学传感器的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于生物传感器技术领域,公开了一种原位比率光电化学免疫传感器制备方法,将其应用于转基因作物中Cry1Ab蛋白的检测。以Au NRs和MB作为双敏化剂,实现PEC信号的双重放大。一方面,以具有SPR效应的Au NRs修饰CdTe QDs作为光电层,实现了初始信号放大。另一方面,将作为PEC信号增强剂的MB嵌入dsDNA中,实现信号二次放大。分别以加入目标物后的光电流和引入MB敏化的Ab2‑CdSe QDs‑dsDNA产生的光电流做比值,定量检测Cry1Ab浓度。两信号在同一电极获取,两者互为参考,有效地降低了溶液基质及环境因素对电极的干扰。该光电化学传感器检测范围为0.01‑100ng·mL‑1,检出限低至1.4pg·mL‑1。本发明构建的原位比率PEC传感器具有良好的稳定性、选择性和重现性,实现转基因作物中Cry1Ab蛋白的灵敏检测。
Description
技术领域
本发明属于生物传感器技术领域,具体涉及一种基于双信号放大的原位比率光电化学免疫传感器制备方法及其应用,可用于转基因作物中Cry1Ab蛋白的灵敏检测。
背景技术
光电化学(PEC)免疫分析是一种基于光电效应和抗原抗体特异性识别的有力技术。其中,PEC传感器由于其以光激发产生的电信号作为输出信号,导致激发源和输出信号的完全分离,保证了检测的高灵敏度和低背景。苏云金杆菌产生的晶体蛋白(如Cry1Ab蛋白)是用于转基因作物中害虫防治的杀虫毒素,但Cry1Ab蛋白在转基因作物中的大量存在,引起了人们对环境和食品安全风险的极大关注。因此,研究一种有效灵敏的Cry1Ab蛋白检测具有重要的应用意义。
为了获得更好的分析性能,越来越多研究致力于建立各种先进的PEC系统,它们的发展主要受到光敏材料选择、信号放大策略提升和传感平台构建的影响。作为一些常见的无机半导体材料,例如CdSe量子点(QDs)、CdTe QDs、CdS QDs等,虽然水溶性好,但半导体带隙较小。因此,为了拓宽光的吸收范围,提高电子-空穴的分离效率,引入具有等离子体共振效应(SPR)的金纳米棒(Au NRs)。另外,亚甲基蓝(MB)作为光敏剂的有机染料,在光激发下产生电子转移到光敏材料,增强电子转移效率。将敏化剂放大前后的信号做比值,通过记录比值信号反应定量检测Cry1Ab浓度。两信号在同一电极获取,两者互为参考,有效地降低溶液基质及环境因素对电极的干扰,从而实现对Cry1Ab蛋白的高灵敏、高特异性检测。
发明内容
本发明旨在采用Au NRs和MB作为双光敏剂,制备了“双信号开”模式的原位比率PEC免疫传感器用于Cry1Ab检测。首先,以具有SPR效应的Au NRs修饰CdTe QDs作为光电层,实现了初始信号放大。然后,通过酰胺反应将二抗(Ab2)和双链DNA(dsDNA)组装到CdSe QDs表面来制备Ab2-CdSe QDs-dsDNA,将其作为信号放大标记,建立了三明治夹心型PEC免疫传感器。为了进一步提高传感器的灵敏度,将作为PEC信号增强剂的MB嵌入与CdSe QD固定的dsDNA中。与仅有目标物存在时相比,MB敏化后的光电流增加了3.1倍,实现了从“信号关”到“信号开”的转换。分别以加入目标物后的光电流(ICry1Ab)和引入MB敏化的Ab2-CdSe QDs-dsDNA产生的光电流(IMB)做比值,通过记录比值信号反应定量检测Cry1Ab浓度。结果表明,该比率PEC传感器具有良好的稳定性、选择性和重现性,可成功地用于转基因作物中Cry1Ab蛋白的灵敏检测。
一种检测转基因作物中Cry1Ab蛋白的原位比率光电化学传感器的制备方法,包括如下步骤:
(1)制备CdTe QDs/Au NRs纳米复合材料,备用;
(2)利用CdSe QDs的羧基与含有氨基的二抗(Ab2)及双链DNA(dsDNA)通过酰胺反应制备Ab2-CdSe QDs-dsDNA材料,备用;
(3)氧化铟锡玻璃(ITO)电极经预处理后,备用;
(4)将步骤(1)制备的CdTe QDs/Au NRs纳米复合材料修饰到步骤(3)预处理的氧化铟锡玻璃电极表面,并在室温下干燥,此时,产品标记为CdTe QDs/Au NRs/ITO;
(5)将活化试剂EDC/NHS修饰在步骤(4)所制得的传感器表面,以活化CdTe QDs表面的羧基;随后将Cry1Ab的一抗(Ab1)修饰在电极表面,并在一定温度下孵育一段时间,之后用PBS对产品进行清洗,此时,产品标记为Ab1/CdTe QDs/Au NRs/ITO;
(6)将牛血清白蛋白(BSA)和不同浓度的Cry1Ab蛋白依次修饰在步骤(5)所获得的传感器表面,之后用PBS对产品进行清洗,此时,产品标记为Cry1Ab/BSA/Ab1/CdTe QDs/AuNRs/ITO;
(7)将步骤(2)制备的Ab2-CdSe QDs-dsDNA材料修饰到步骤(6)所制得的传感器表面,并在一定温度下孵育一段时间,之后用PBS对产品进行清洗,此时,产品标记为Ab2-CdSeQDs-dsDNA/Cry1Ab/BSA/Ab1/CdTe QDs/Au NRs/ITO;
(8)将步骤(7)所制得的传感器浸泡在亚甲基蓝(MB)一段时间,之后用PBS对产品进行清洗,此时,产品标记为MB/Ab2-CdSe QDs-dsDNA/Cry1Ab/BSA/Ab1/CdTe QDs/Au NRs/ITO;以此,获得高灵敏检测Cry1Ab蛋白的原位比率光电化学传感器。
步骤(1)中,利用静电吸附制备CdTe QDs/Au NRs复合材料:将2μM CdTe QDs与0.1-0.3nM Au NRs等体积混合,搅拌4h后得到CdTe QDs/Au NRs复合材料。
其中,
Au NRs纳米材料的制备方法为:
采用种子介导的生长方法制备Au NRs。首先,将4.5mL H2O、5mL 0.2M CTAB溶液、500μL 5mM HAuCl4溶液以及610μL 10mM冰NaBH4溶液混合。搅拌2min后,使混合物在30℃下不受干扰反应2h,得到金种子溶液。然后,将24mL 0.2M CTAB、4.8mL 5mM HAuCl4溶液、50μL0.1M AgNO3溶液、32μL 1.2M HCl和2.8mL 10mM抗坏血酸溶液混合在50mL的小瓶中,然后加入48μL的种子溶液。所得溶液轻轻搅拌15s,不受干扰20h,溶液颜色由无色变为砖红色,表明Au NRs形成。
CdTe QDs纳米材料的制备方法为:
使用水热法合成CdTe QDs。首先,合成新鲜的前驱体碲氢化钠(NaHTe):在10mL比色管中加入0.0638g碲粉和0.04487g硼氢化钠,用4mL超纯水溶解后通氮气20min,最后放置于4℃下过夜;在50mL超纯水中加入0.1142g水合氯化铬,通氮气20min,加入75μLMPA,用1MNaOH溶液调节pH至8.5后快速倒入2mL前躯体溶液。随后,将混合溶液转移到三颈烧瓶中,100℃下回流20h,得到发射峰位置在660nm的CdTe QDs。最后,加入等体积乙醇,静置20min后离心、洗涤,50℃下烘干后再次分散在超纯水中备用。
步骤(2)中,
S1,采用水热法制备CdSe QDs:
将1.7g Na2SO3溶解于50mL超纯水中;然后将溶液转移至100mL三口烧瓶中,通氮气30min,在搅拌下加热升温至90℃;然后,向三口烧瓶中加入0.6g硒粉,持续通氮气,冷却回流5h,过滤得到浅黄色的Na2SeO3前驱体;将0.20M,0.80mL CdCl2溶液,72.5mg HMP,34.6μLMPA加入到50mL超纯水中,用6.0M NaOH溶液调节pH至9.0,然后加入20.0mM,0.80mL Na2SeO3前驱体,100℃下回流10min;然后向溶液中加入3.67mL N2H4·H2O,在100℃下继续回流10h,用异丙醇对产物进行离心洗涤三次,最后将CdSe QDs重新分散到超纯水中,在4℃下保存备用;
S2,利用CdSe QDs的羧基与含有氨基的二抗(Ab2)及双链DNA(dsDNA)通过酰胺反应合成Ab2-CdSe QDs-dsDNA;具体为:
首先,将等体积2μM DNA1与2μM DNA2在37℃下反应1h,形成dsDNA;然后,取200μL10mM PBS加入到1mL 20μM CdSe QDs溶液中,达到活化羧基的目的;其中,PBS的pH=7.4,含有10mM EDC和5mM NHS;室温下混合搅拌15min后,依次加入300μLdsDNA和300μL 12μM Ab2溶液,避光继续搅拌4h,在7000rpm下离心5min后,加入相同体积超纯水溶解,得到Ab2-CdSeQDs-dsDNA。
步骤(3)中,将直径为6mm氧化铟锡玻璃电极在1M NaOH溶液中煮沸20min,然后依次在无水乙醇和超纯水中超声15min,最后在空气中干燥。
步骤(4)中,CdTe QDs/Au NRs的用量为20μL。
步骤(5)中,EDC浓度为0.01M,NHS浓度为0.002M,EDC/NHS混合溶液用量为10μL;Ab1浓度为6-14μg·mL-1,用量为10μL;反应温度为37℃,反应时间为2h。
步骤(6)中,BSA含量为1%,用量为10μL,反应时间为60min;Cry1Ab浓度为0.01-100ng·mL-1,用量为10μL,反应温度为37℃,反应时间为90min。
步骤(7)中,Ab2-CdSe QDs-dsDNA用量为10μL,反应温度为37℃,反应时间为60min。
步骤(8)中,MB浓度为10μM,吸附时间为10min。
在上述所制得的免疫传感器表面修饰不同浓度的Cry1Ab蛋白,室温下绑定时间为90min,Cry1Ab浓度依次为0.01ng mL-1,0.03ng mL-1,0.1ng mL-1,0.3ng mL-1,1ng mL-1,3ngmL-1,10ng mL-1,30ng mL-1,100ng mL-1,之后用PBS溶液对电极进行清洗。本发明制得的传感器作为工作电极,饱和Ag/AgCl电极为参比电极,铂丝电极为对电极,由型号为PLS-FX300HU氙灯和Autolab PGSTAT 302N电化学工作站记录与检测光电化学信号。在含0.1M AA的0.1MPBS(pH=7.0)缓冲溶液中进行测试,外加偏置电压为0V。
将本发明制备的原位比率光电化学传感器用于实际样品玉米或小麦作物中Cry1Ab蛋白的分析检测,具体检测步骤为:
将1g玉米粉或小麦粉与10mL 0.1M PBS溶液混合,其中,PBS中含0.2%BSA和0.1%Tween-20;以150rpm的频率在孵育箱中摇动1h;然后,在8000rpm离心10分钟后,将所得提取物用0.1M PBS稀释10倍得提取液,分别将1mL的浓度为2、6或20ng·mL-1的Cry1Ab蛋白加入1mL提取液中进行免疫传感器检测。
本发明的有益效果:
(1)以具有等离子体共振效应的Au NRs修饰CdTe QDs作为光电层,实现初始信号放大。
(2)将作为信号增强剂的MB嵌入到dsDNA中,提高CdSe QDs电子转移速率。
(3)本发明将信号放大器(MB/Ab2-CdSe QDs-dsDNA)放大前后的信号做比值,通过记录比值信号反应定量检测Cry1Ab浓度。两信号在同一电极获取,两者互为参考,有效地降低溶液基质及环境因素对电极的干扰,从而实现对Cry1Ab蛋白的高灵敏、高特异性检测。
(4)本发明引入Cry1Ab蛋白的特异性识别抗体,提高了光电化学传感器的选择性,降低了转基因作物中其他蛋白的干扰,实现对Cry1Ab蛋白的特异性分析。
(5)本发明构建的光电化学免疫传感器用于Cry1Ab的检测,灵敏度高、选择性好、稳定性好,线性范围宽,为0.01-100ng mL-1。
附图说明
图1原位比率光电化学免疫传感器的构建及电子转移机制图。
图2(A)Au NRs,CdTe QDs和CdTe QDs/Au NRs的Zeta电位测试;(B)CdTe QDs/AuNRs复合材料的高分辨透射电子显微镜图;(C)CdTe QDs/Au NRs复合物的Cd,Te和Au元素分布图。
图3(A)CdTe QDs和CdTe QDs/Au NRs修饰的ITO电极在0.1M PBS(pH 7.4)中的光电流响应;(B)(a)ITO,(b)ITO/CdTe QDs/Au NRs,(c)ITO/CdTe QDs/Au NRs/Ab1,(d)ITO/CdTe QDs/Au NRs/Ab1/BSA,(e)ITO/CdTe QDs/Au NRs/Ab1/BSA/Cry1Ab,(f)ITO/CdTe QDs/Au NRs/Ab1/BSA/Cry1Ab/Ab2-CdSe QDs-dsDNA,(g)ITO/CdTe QDs/Au NRs/Ab1/BSA/Cry1Ab/Ab2-CdSe QDs-dsDNA/MB在含0.1M AA的0.1M PBS(pH 7.0)溶液的光电流响应。
图4(A)传感器对不同浓度Cry1Ab的PEC响应曲线(a到j:0,0.01,0.03,0.1,0.3,1,3,10,32,100ng mL-1);(B)检测Cry1Ab的线性回归曲线(ICry1Ab/IMB与Cry1Ab浓度的对数);基于单独(C)ICry1Ab和(D)IMB的线性回归曲线。
图5ITO/CdTe QDs/Au NRs/Ab1/BSA/Cry1Ab和ITO/CdTe QDs/Au NRs/Ab1/BSA/Cry1Ab/Ab2-CdSe QDs-dsDNA/MB电极的(A)稳定性和(B)重现性测试。(C)光电化学传感器的选择性,干扰物分别为PAT/pat蛋白,PAT/bar蛋白,CP4-EPSPS蛋白,以及它们的混合物。
具体实施方式
下面结合具体实施例和说明书附图,进一步阐明本发明。
实施例1
按照图1所述的制备工艺:
(1)Au NRs纳米材料的制备:
采用种子介导的生长方法制备Au NRs。首先,将4.5mL H2O、5mL 0.2M CTAB溶液、500μL 5mM HAuCl4溶液以及610μL 10mM冰NaBH4溶液混合。搅拌2min后,使混合物在30℃下不受干扰反应2h,得到金种子溶液。然后,将24mL 0.2M CTAB、4.8mL 5mM HAuCl4溶液、50μL0.1M AgNO3溶液、32μL 1.2M HCl和2.8mL 10mM抗坏血酸溶液混合在50mL的小瓶中,然后加入48μL的种子溶液。所得溶液轻轻搅拌15s,不受干扰20h,溶液颜色由无色变为砖红色,表明Au NRs形成。
(2)CdTe QDs纳米材料的制备:
使用水热法合成CdTe QDs。首先,合成新鲜的前驱体碲氢化钠(NaHTe):在10mL比色管中加入0.0638g碲粉和0.04487g硼氢化钠,用4mL超纯水溶解后通氮气20min,最后放置于4℃下过夜;在50mL超纯水中加入0.1142g水合氯化铬,通氮气20min,加入75μLMPA,用1MNaOH溶液调节pH至8.5后快速倒入2mL前躯体溶液。随后,将混合溶液转移到三颈烧瓶中,100℃下回流20h,得到发射峰位置在660nm的CdTe QDs。最后,加入等体积乙醇,静置20min后离心、洗涤,50℃下烘干后再次分散在超纯水中备用。
(3)CdTe QDs/Au NRs纳米复合材料的制备:
利用静电吸附制备CdTe QDs/Au NRs复合材料:将2μM CdTe QDs与0.1nM Au NRs等体积混合,搅拌4h后得到CdTe QDs/Au NRs复合材料。
(4)Ab2-CdSe QDs-dsDNA材料的制备:
首先,采用水热法制备CdSe QDs。将1.7g Na2SO3溶解于50mL超纯水中;然后将溶液转移至100mL三口烧瓶中,通氮气30min,在搅拌下加热升温至90℃;然后,向三口烧瓶中加入0.6g硒粉,持续通氮气,冷却回流5h,过滤得到浅黄色的Na2SeO3前驱体。将0.20M,0.80mLCdCl2溶液,72.5mg HMP,34.6μL MPA加入到50mL超纯水中,用6.0M NaOH溶液调节pH至9.0,然后加入20.0mM,0.80mL Na2SeO3前驱体,100℃下回流10min;然后向溶液中加入3.67mLN2H4·H2O,在100℃下继续回流10h,用异丙醇对产物进行离心洗涤三次,最后将CdSe QDs重新分散到超纯水中,在4℃下保存备用。
然后,利用CdSe QDs的羧基与含有氨基的抗体及DNA通过酰胺反应合成Ab2-CdSeQDs-dsDNA。首先,将等体积2μM DNA1与2μM DNA2在37℃下反应1h,形成dsDNA。然后,取200μL 10mM PBS(pH=7.4,含有10mM EDC和5mM NHS)加入到1mL 20μMCdSe QDs溶液中,达到活化羧基的目的。室温下混合搅拌15min后,依次加入300μL dsDNA和300μL 12μM抗体溶液,避光继续搅拌4h,在7000rpm下离心5min后,加入相同体积超纯水溶解,得到Ab2-CdSe QDs-dsDNA。
(5)氧化铟锡玻璃电极的预处理:将氧化铟锡玻璃电极(直径为6mm)在1M NaOH溶液中煮沸20min,然后依次在无水乙醇和超纯水中超声15min,最后在空气中干燥。
(6)将步骤(3)制备的20μL CdTe QDs/Au NRs纳米复合材料修饰到步骤(5)预处理的氧化铟锡玻璃电极表面,并在室温下干燥,此时,产品标记为CdTe QDs/Au NRs/ITO;
(7)将活化试剂10μL 0.01M EDC和0.002M NHS修饰在步骤(6)所制得的传感器表面,以活化CdTe QDs表面的羧基;随后将10μL 6μg·mL-1Cry1Ab的抗体(Ab1)修饰在电极表面,并在37℃下孵育2h,之后用PBS对产品进行清洗,此时,产品标记为Ab1/CdTe QDs/AuNRs/ITO;
(8)将10μL 1%牛血清白蛋白(BSA)修饰在步骤(7)所获得的传感器表面,以封闭未结合的非特异性位点,室温下反应30min,之后用PBS对产品进行清洗,此时,产品标记为BSA/Ab1/CdTe QDs/Au NRs/ITO;
(9)将10μL 0.01-100ng·mL-1Cry1Ab蛋白滴加在电极表面,孵育90min,之后用PBS对产品进行冲洗,此时,产品标记为Cry1Ab/BSA/Ab1/CdTe QDs/Au NRs/ITO;
(10)将步骤(4)制备的10μL Ab2-CdSe QDs-dsDNA材料修饰到步骤(9)所制得的传感器表面,并在37℃下孵育60min,之后用PBS对产品进行清洗,此时,产品标记为Ab2-CdSeQDs-dsDNA/Cry1Ab/BSA/Ab1/CdTe QDs/Au NRs/ITO;
(11)将步骤(10)所制得的传感器浸泡在10μM MB 10min,之后用PBS对产品进行清洗,此时,产品标记为MB/Ab2-CdSe QDs-dsDNA/Cry1Ab/BSA/Ab1/CdTe QDs/Au NRs/ITO;以此,获得高灵敏检测Cry1Ab蛋白的原位比率光电化学传感器。
在上述所制得的免疫传感器表面修饰不同浓度的Cry1Ab蛋白,室温下绑定时间为90min,Cry1Ab浓度依次为0.01ng mL-1,0.03ng mL-1,0.1ng mL-1,0.3ng mL-1,1ng mL-1,3ngmL-1,10ng mL-1,30ng mL-1,100ng mL-1,之后用PBS溶液对电极进行清洗。本发明制得的传感器作为工作电极,饱和Ag/AgCl电极为参比电极,铂丝电极为对电极,由型号为PLS-FX300HU氙灯和Autolab PGSTAT 302N电化学工作站记录与检测光电化学信号。在含0.04M AA的0.1M PBS(pH=7.0)缓冲溶液中进行测试,外加偏置电压为0V。
实施例2
(1)Au NRs纳米材料的制备:
采用种子介导的生长方法制备Au NRs。首先,将4.5mL H2O、5mL 0.2M CTAB溶液、500μL 5mM HAuCl4溶液以及610μL 10mM冰NaBH4溶液混合。搅拌2min后,使混合物在30℃下不受干扰反应2h,得到金种子溶液。然后,将24mL 0.2M CTAB、4.8mL 5mM HAuCl4溶液、50μL0.1M AgNO3溶液、32μL 1.2M HCl和2.8mL 10mM抗坏血酸溶液混合在50mL的小瓶中,然后加入48μL的种子溶液。所得溶液轻轻搅拌15s,不受干扰20h,溶液颜色由无色变为砖红色,表明Au NRs形成。
(2)CdTe QDs纳米材料的制备:
使用水热法合成CdTe QDs。首先,合成新鲜的前驱体碲氢化钠(NaHTe):在10mL比色管中加入0.0638g碲粉和0.04487g硼氢化钠,用4mL超纯水溶解后通氮气20min,最后放置于4℃下过夜;在50mL超纯水中加入0.1142g水合氯化铬,通氮气20min,加入75μLMPA,用1MNaOH溶液调节pH至8.5后快速倒入2mL前躯体溶液。随后,将混合溶液转移到三颈烧瓶中,100℃下回流20h,得到发射峰位置在660nm的CdTe QDs。最后,加入等体积乙醇,静置20min后离心、洗涤,50℃下烘干后再次分散在超纯水中备用。
(3)CdTe QDs/Au NRs纳米复合材料的制备:
利用静电吸附制备CdTe QDs/Au NRs复合材料:将2μM CdTe QDs与0.3nM Au NRs等体积混合,搅拌4h后得到CdTe QDs/Au NRs复合材料。
(4)Ab2-CdSe QDs-dsDNA材料的制备:
首先,采用水热法制备CdSe QDs。将1.7g Na2SO3溶解于50mL超纯水中;然后将溶液转移至100mL三口烧瓶中,通氮气30min,在搅拌下加热升温至90℃;然后,向三口烧瓶中加入0.6g硒粉,持续通氮气,冷却回流5h,过滤得到浅黄色的Na2SeO3前驱体。将0.20M,0.80mLCdCl2溶液,72.5mg HMP,34.6μL MPA加入到50mL超纯水中,用6.0M NaOH溶液调节pH至9.0,然后加入20.0mM,0.80mL Na2SeO3前驱体,100℃下回流10min;然后向溶液中加入3.67mLN2H4·H2O,在100℃下继续回流10h,用异丙醇对产物进行离心洗涤三次,最后将CdSe QDs重新分散到超纯水中,在4℃下保存备用。
然后,利用CdSe QDs的羧基与含有氨基的抗体及DNA通过酰胺反应合成Ab2-CdSeQDs-dsDNA。首先,将等体积2μM DNA1与2μM DNA2在37℃下反应1h,形成dsDNA。然后,取200μL 10mM PBS(pH=7.4,含有10mM EDC和5mM NHS)加入到1mL 20μMCdSe QDs溶液中,达到活化羧基的目的。室温下混合搅拌15min后,依次加入300μL dsDNA和300μL 12μM抗体溶液,避光继续搅拌4h,在7000rpm下离心5min后,加入相同体积超纯水溶解,得到Ab2-CdSe QDs-dsDNA。
(5)氧化铟锡玻璃电极的预处理:将氧化铟锡玻璃电极(直径为6mm)在1M NaOH溶液中煮沸20min,然后依次在无水乙醇和超纯水中超声15min,最后在空气中干燥。
(6)将步骤(3)制备的20μL CdTe QDs/Au NRs纳米复合材料修饰到步骤(5)预处理的氧化铟锡玻璃电极表面,并在室温下干燥,此时,产品标记为CdTe QDs/Au NRs/ITO;
(7)将活化试剂10μL 0.01M EDC和0.002M NHS修饰在步骤(6)所制得的传感器表面,以活化CdTe QDs表面的羧基;随后将10μL 12μg·mL-1Cry1Ab的抗体(Ab1)修饰在电极表面,并在37℃下孵育2h,之后用PBS对产品进行清洗,此时,产品标记为Ab1/CdTe QDs/AuNRs/ITO;
(8)将10μL 1%牛血清白蛋白(BSA)修饰在步骤(7)所获得的传感器表面,以封闭未结合的非特异性位点,室温下反应30min,之后用PBS对产品进行清洗,此时,产品标记为BSA/Ab1/CdTe QDs/Au NRs/ITO;
(9)将10μL 0.01-100ng·mL-1Cry1Ab蛋白滴加在电极表面,孵育90min,之后用PBS对产品进行冲洗,此时,产品标记为Cry1Ab/BSA/Ab1/CdTe QDs/Au NRs/ITO;
(10)将步骤(4)制备的10μL Ab2-CdSe QDs-dsDNA材料修饰到步骤(9)所制得的传感器表面,并在37℃下孵育60min,之后用PBS对产品进行清洗,此时,产品标记为Ab2-CdSeQDs-dsDNA/Cry1Ab/BSA/Ab1/CdTe QDs/Au NRs/ITO;
(11)将步骤(10)所制得的传感器浸泡在10μM MB 10min,之后用PBS对产品进行清洗,此时,产品标记为MB/Ab2-CdSe QDs-dsDNA/Cry1Ab/BSA/Ab1/CdTe QDs/Au NRs/ITO;以此,获得高灵敏检测Cry1Ab蛋白的原位比率光电化学传感器。
在上述所制得的免疫传感器表面修饰不同浓度的Cry1Ab蛋白,室温下绑定时间为90min,Cry1Ab浓度依次为0.01ng mL-1,0.03ng mL-1,0.1ng mL-1,0.3ng mL-1,1ng mL-1,3ngmL-1,10ng mL-1,30ng mL-1,100ng mL-1,之后用PBS溶液对电极进行清洗。本发明制得的传感器作为工作电极,饱和Ag/AgCl电极为参比电极,铂丝电极为对电极,由型号为PLS-FX300HU氙灯和Autolab PGSTAT 302N电化学工作站记录与检测光电化学信号。在含0.1M AA的0.1MPBS(pH=7.0)缓冲溶液中进行测试,外加偏置电压为0V。
实施例3
(1)Au NRs纳米材料的制备:
采用种子介导的生长方法制备Au NRs。首先,将4.5mL H2O、5mL 0.2M CTAB溶液、500μL 5mM HAuCl4溶液以及610μL 10mM冰NaBH4溶液混合。搅拌2min后,使混合物在30℃下不受干扰反应2h,得到金种子溶液。然后,将24mL 0.2M CTAB、4.8mL 5mM HAuCl4溶液、50μL0.1M AgNO3溶液、32μL 1.2M HCl和2.8mL 10mM抗坏血酸溶液混合在50mL的小瓶中,然后加入48μL的种子溶液。所得溶液轻轻搅拌15s,不受干扰20h,溶液颜色由无色变为砖红色,表明Au NRs形成。
(2)CdTe QDs纳米材料的制备:
使用水热法合成CdTe QDs。首先,合成新鲜的前驱体碲氢化钠(NaHTe):在10mL比色管中加入0.0638g碲粉和0.04487g硼氢化钠,用4mL超纯水溶解后通氮气20min,最后放置于4℃下过夜;在50mL超纯水中加入0.1142g水合氯化铬,通氮气20min,加入75μLMPA,用1MNaOH溶液调节pH至8.5后快速倒入2mL前躯体溶液。随后,将混合溶液转移到三颈烧瓶中,100℃下回流20h,得到发射峰位置在660nm的CdTe QDs。最后,加入等体积乙醇,静置20min后离心、洗涤,50℃下烘干后再次分散在超纯水中备用。
(3)CdTe QDs/Au NRs纳米复合材料的制备:
利用静电吸附制备CdTe QDs/Au NRs复合材料:将2μM CdTe QDs与0.5nM Au NRs等体积混合,搅拌4h后得到CdTe QDs/Au NRs复合材料。
(4)Ab2-CdSe QDs-dsDNA材料的制备:
首先,采用水热法制备CdSe QDs。将1.7g Na2SO3溶解于50mL超纯水中;然后将溶液转移至100mL三口烧瓶中,通氮气30min,在搅拌下加热升温至90℃;然后,向三口烧瓶中加入0.6g硒粉,持续通氮气,冷却回流5h,过滤得到浅黄色的Na2SeO3前驱体。将0.20M,0.80mLCdCl2溶液,72.5mg HMP,34.6μL MPA加入到50mL超纯水中,用6.0M NaOH溶液调节pH至9.0,然后加入20.0mM,0.80mL Na2SeO3前驱体,100℃下回流10min;然后向溶液中加入3.67mLN2H4·H2O,在100℃下继续回流10h,用异丙醇对产物进行离心洗涤三次,最后将CdSe QDs重新分散到超纯水中,在4℃下保存备用。
然后,利用CdSe QDs的羧基与含有氨基的抗体及DNA通过酰胺反应合成Ab2-CdSeQDs-dsDNA。首先,将等体积2μM DNA1与2μM DNA2在37℃下反应1h,形成dsDNA。然后,取200μL 10mM PBS(pH=7.4,含有10mM EDC和5mM NHS)加入到1mL 20μMCdSe QDs溶液中,达到活化羧基的目的。室温下混合搅拌15min后,依次加入300μL dsDNA和300μL 12μM抗体溶液,避光继续搅拌4h,在7000rpm下离心5min后,加入相同体积超纯水溶解,得到Ab2-CdSe QDs-dsDNA。
(5)氧化铟锡玻璃电极的预处理:将氧化铟锡玻璃电极(直径为6mm)在1M NaOH溶液中煮沸20min,然后依次在无水乙醇和超纯水中超声15min,最后在空气中干燥。
(6)将步骤(3)制备的20μL CdTe QDs/Au NRs纳米复合材料修饰到步骤(5)预处理的氧化铟锡玻璃电极表面,并在室温下干燥,此时,产品标记为CdTe QDs/Au NRs/ITO;
(7)将活化试剂10μL 0.01M EDC和0.002M NHS修饰在步骤(6)所制得的传感器表面,以活化CdTe QDs表面的羧基;随后将10μL 14μg·mL-1Cry1Ab的抗体(Ab1)修饰在电极表面,并在37℃下孵育2h,之后用PBS对产品进行清洗,此时,产品标记为Ab1/CdTe QDs/AuNRs/ITO;
(8)将10μL 1%牛血清白蛋白(BSA)修饰在步骤(7)所获得的传感器表面,以封闭未结合的非特异性位点,室温下反应30min,之后用PBS对产品进行清洗,此时,产品标记为BSA/Ab1/CdTe QDs/Au NRs/ITO;
(9)将10μL 0.01-100ng·mL-1Cry1Ab蛋白滴加在电极表面,孵育90min,之后用PBS对产品进行冲洗,此时,产品标记为Cry1Ab/BSA/Ab1/CdTe QDs/Au NRs/ITO;
(10)将步骤(4)制备的10μL Ab2-CdSe QDs-dsDNA材料修饰到步骤(9)所制得的传感器表面,并在37℃下孵育60min,之后用PBS对产品进行清洗,此时,产品标记为Ab2-CdSeQDs-dsDNA/Cry1Ab/BSA/Ab1/CdTe QDs/Au NRs/ITO;
(11)将步骤(10)所制得的传感器浸泡在10μM MB 10min,之后用PBS对产品进行清洗,此时,产品标记为MB/Ab2-CdSe QDs-dsDNA/Cry1Ab/BSA/Ab1/CdTe QDs/Au NRs/ITO;以此,获得高灵敏检测Cry1Ab蛋白的原位比率光电化学传感器。
在上述所制得的免疫传感器表面修饰不同浓度的Cry1Ab蛋白,室温下绑定时间为90min,Cry1Ab浓度依次为0.01ng mL-1,0.03ng mL-1,0.1ng mL-1,0.3ng mL-1,1ng mL-1,3ngmL-1,10ng mL-1,30ng mL-1,100ng mL-1,之后用PBS溶液对电极进行清洗。本发明制得的传感器作为工作电极,饱和Ag/AgCl电极为参比电极,铂丝电极为对电极,由型号为PLS-FX300HU氙灯和Autolab PGSTAT 302N电化学工作站记录与检测光电化学信号。在含0.12M AA的0.1M PBS(pH=7.0)缓冲溶液中进行测试,外加偏置电压为0V。
从图2(A)可以看出,以十六烷基三甲基溴化铵作为表面活性剂合成的Au NRs,因其表面季铵基团的存在显示正电;3-巯基丙酸修饰的CdTe QDs的电势为-37.7mV,显示负电。对复合材料的电势进行考察,结果显示其电荷值介于两者之间,证明Au NRs与CdTe QDs通过静电吸附方式进行结合。
从图2(B)可以看出,采用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对CdTe QDs/Au NRs的形貌进行表征,CdTe QDs/Au NRs复合材料的表面粗糙,并且Au NRs周围有明显的CdTe QDs分布。
从图2(C)可以看出,电子能谱图显示,Au元素的分布成棒状结构,Cd和Te元素分别均匀分布在棒状结构的表面及周围。
从图3(A)可以看出,ITO/CdTe QDs电极具有相对弱的阴极光电流信号(100nA)。相比较下,Au NRs/CdTe QDs复合材料表现出明显较高的光电流信号(530nA),是CdTe QDs修饰电极的5.3倍。
从图3(B)可以看出,ITO/CdTe QDs/Au NRs电极获得较大的阳极光电流(曲线b,15.5μA)。随后,Ab1、BSA和Cry1Ab在电极上的依次组装导致光电流持续下降(曲线c、d、e),这归因于蛋白质生物分子的存在增加了空间位阻,阻碍电子受体和电极表面之间的电子转移过程。为了进一步提高传感器的分析性能,将Ab2、dsDNA与CdSe QDs通过酰胺反应合成Ab2-CdSe QDs-dsDNA,将其利用抗原-抗体特异性反应结合到电极上,此时获得的光电流有一定程度的增强(曲线f,5.5μA)。继而利用MB作为光敏剂,吸附到dsDNA上,被光激发的MB将电子转移至CdSe QDs的导带,光电流有明显提升。实验结果显示,与只有目标物存在时相比,经CdSe QDs-MB敏化后的光电流提高了3.1倍(曲线g,8.9μA)。
从图4(A)所示,随着Cry1Ab浓度的增大,加入目标物后的光电流(ICry1Ab)逐渐减小;引入量子点连接的二抗,并进一步吸附敏化剂MB后的光电流(IMB)逐渐增大。利用比率原则,使用它们的比值ICry1Ab/IMB量化Cry1Ab浓度。图4(B)为ICry1Ab/IMB值与Cry1Ab浓度对数的线性回归曲线。结果显示,传感器对Cry1Ab检测的线性范围为0.01ng mL-1-100ng mL-1,检出限为1.4pg mL-1。线性回归方程为ICry1Ab/IMB=-0.160lg c+0.437,相关系数(R2)为0.996。图4(C)和(D)分别为使用单独ICry1Ab和IMB进行Cry1Ab检测的线性曲线。它们分别在0.1-100ng mL-1和0.01-10ng mL-1范围内呈线性关系。显然,基于信号比值的比率传感策略比基于单个ICry1Ab和IMB信号的策略具有更好的分析性能。
从图5(A)中可以看出,分别测试传感器在加入目标物和吸附MB后的光电流变化,传感器在210秒内连续扫描10圈,PEC信号变化值基本保持稳定,表明该传感器连续测试稳定性好。
从图5(B)中可以看出,该传感器的重现性是通过测试六根独立的电极,相对标准偏差(RSD)分别为3.2%和1.4%,表明其重现性好。
如图5(C)所示,当目标物(1ng mL-1Cry1Ab)存在时,该传感器产生的光电信号有明显变化,当加入10倍浓度的常见干扰试剂(10ng mL-1PAT/pat protein,10ng mL-1PAT/barprotein,and 10ng mL-1CP4-EPSPS protein)时,与空白相比,光电流变化很小。因此,该传感器对Cry1Ab检测具有良好的选择性。
Claims (10)
1.一种检测转基因作物中Cry1Ab蛋白的原位比率光电化学传感器的制备方法,其特征在于,步骤如下:
(1)制备CdTe QDs/Au NRs纳米复合材料,备用;
(2)利用CdSe QDs的羧基与含有氨基的二抗(Ab2)及双链DNA(dsDNA)通过酰胺反应制备Ab2-CdSe QDs-dsDNA材料,备用;
(3)氧化铟锡玻璃(ITO)电极经预处理后,备用;
(4)将步骤(1)制备的CdTe QDs/Au NRs纳米复合材料修饰到步骤(3)预处理的氧化铟锡玻璃电极表面,并在室温下干燥,此时,产品标记为CdTe QDs/Au NRs/ITO;
(5)将活化试剂EDC/NHS修饰在步骤(4)所制得的传感器表面,以活化CdTe QDs表面的羧基;随后将Cry1Ab的一抗(Ab1)修饰在电极表面,并在一定温度下孵育一段时间,之后用PBS对产品进行清洗,此时,产品标记为Ab1/CdTe QDs/Au NRs/ITO;
(6)将牛血清白蛋白(BSA)和不同浓度的Cry1Ab蛋白依次修饰在步骤(5)所获得的传感器表面,之后用PBS对产品进行清洗,此时,产品标记为Cry1Ab/BSA/Ab1/CdTe QDs/Au NRs/ITO;
(7)将步骤(2)制备的Ab2-CdSe QDs-dsDNA材料修饰到步骤(6)所制得的传感器表面,并在一定温度下孵育一段时间,之后用PBS对产品进行清洗,此时,产品标记为Ab2-CdSe QDs-dsDNA/Cry1Ab/BSA/Ab1/CdTe QDs/Au NRs/ITO;
(8)将步骤(7)所制得的传感器浸泡在亚甲基蓝(MB)一段时间,之后用PBS对产品进行清洗,此时,产品标记为MB/Ab2-CdSe QDs-dsDNA/Cry1Ab/BSA/Ab1/CdTe QDs/Au NRs/ITO;以此,获得高灵敏检测Cry1Ab蛋白的原位比率光电化学传感器。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,利用静电吸附制备CdTeQDs/Au NRs复合材料:将2μM CdTe QDs与0.1-0.3nM Au NRs等体积混合,搅拌4h后得到CdTe QDs/Au NRs复合材料。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,
S1,采用水热法制备CdSe QDs:
将1.7g Na2SO3溶解于50mL超纯水中;然后将溶液转移至100mL三口烧瓶中,通氮气30min,在搅拌下加热升温至90℃;然后,向三口烧瓶中加入0.6g硒粉,持续通氮气,冷却回流5h,过滤得到浅黄色的Na2SeO3前驱体;将0.20M,0.80mL CdCl2溶液,72.5mg HMP,34.6μLMPA加入到50mL超纯水中,用6.0M NaOH溶液调节pH至9.0,然后加入20.0mM,0.80mL Na2SeO3前驱体,100℃下回流10min;然后向溶液中加入3.67mL N2H4·H2O,在100℃下继续回流10h,用异丙醇对产物进行离心洗涤三次,最后将CdSe QDs重新分散到超纯水中,在4℃下保存备用;
S2,利用CdSe QDs的羧基与含有氨基的二抗(Ab2)及双链DNA(dsDNA)通过酰胺反应合成Ab2-CdSe QDs-dsDNA;具体为:
首先,将等体积2μM DNA1与2μM DNA2在37℃下反应1h,形成dsDNA;然后,取200μL 10mMPBS加入到1mL 20μM CdSe QDs溶液中,达到活化羧基的目的;其中,PBS的pH=7.4,含有10mM EDC和5mM NHS;室温下混合搅拌15min后,依次加入300μL dsDNA和300μL 12μM Ab2溶液,避光继续搅拌4h,在7000rpm下离心5min后,加入相同体积超纯水溶解,得到Ab2-CdSeQDs-dsDNA。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,将直径为6mm氧化铟锡玻璃电极在1M NaOH溶液中煮沸20min,然后依次在无水乙醇和超纯水中超声15min,最后在空气中干燥。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(4)中,CdTe QDs/Au NRs的用量为20μL。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(5)中,EDC浓度为0.01M,NHS浓度为0.002M,EDC/NHS混合溶液用量为10μL;Ab1浓度为6-14μg·mL-1,用量为10μL;反应温度为37℃,反应时间为2h。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(6)中,BSA含量为1%,用量为10μL,反应时间为60min;Cry1Ab浓度为0.01-100ng·mL-1,用量为10μL,反应温度为37℃,反应时间为90min。
8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(7)中,Ab2-CdSe QDs-dsDNA用量为10μL,反应温度为37℃,反应时间为60min。
9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(8)中,MB浓度为10μM,吸附时间为10min。
10.将权利要求1~9任一项所述制备方法制备的原位比率光电化学传感器用于实际样品玉米或小麦作物中Cry1Ab蛋白的分析检测,具体检测步骤为:
将1g玉米粉或小麦粉与10mL 0.1M PBS溶液混合,其中,PBS中含0.2%BSA和0.1%Tween-20;以150rpm的频率在孵育箱中摇动1h;然后,在8000rpm离心10分钟后,将所得提取物用0.1M PBS稀释10倍得提取液,分别将1mL的浓度为2、6或20ng·mL-1的Cry1Ab蛋白加入1mL提取液中进行免疫传感器检测。
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