CN111856028A - 一种检测转基因作物中Cry1Ab蛋白的光电化学免疫传感器的制备方法 - Google Patents

一种检测转基因作物中Cry1Ab蛋白的光电化学免疫传感器的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明属于生物传感器技术领域，涉及一种基于等离子体增强的光电化学免疫传感器制备方法，并将其应用于Cry1Ab蛋白的检测。具体以聚酰胺‑胺(PAMAM)树枝状大分子为空间限域的模板，结合其粒子尺寸效应调控，制备的PAMAM‑Au纳米材料具有良好的分散稳定性。通过Au NPs作为等离子体光敏剂和电子继电器的双重作用，抑制光敏材料CdSe QDs电子空穴对复合，实现光电信号放大策略。本发明中，引入Cry1Ab的抗体，实现抗原‑抗体特异性识别，从而提高光电化学传感器用于Cry1Ab蛋白的特异性检测。构筑的光电化学免疫传感器检测线性范围为0.01ng·mL‑1‑100ng·mL‑1，检出限为0.003pg·mL‑1。本发明构建的光电传感器背景信号低、灵敏度高、选择性高、稳定性好，为检测转基因作物中的Cry1Ab蛋白提供良好的传感平台。

Description

一种检测转基因作物中Cry1Ab蛋白的光电化学免疫传感器的 制备方法
技术领域
本发明属于生物传感器技术领域，具体涉及一种基于等离子体增强的光电化学免疫传感器制备方法及其应用，可用于转基因作物中Cry1Ab蛋白的灵敏检测。
背景技术
苏云金杆菌产生的晶体蛋白(Cry)是用于农业害虫防治的杀虫毒素，其中Cry1Ab蛋白在转基因作物(小麦、玉米、水稻)中分布最为广泛。转基因作物的种植可以减少杀虫剂的使用，但对人类健康和环境的潜在风险仍备受争论。现已有多个国家对转基因食品设置了临界值，必须对超标食品进行标识。目前，检测Cry1Ab的方法主要有酶联免疫吸附技术(ELISA)、蛋白质印迹法(Western blot)和免疫层析法(ICA)，具有仪器简单、操作方便、成本低的优点。然而，这些方法通常采用可见比色读出策略，导致灵敏度不足和无法进行定量检测。因此，有必要发展一种转基因作物中Cry1Ab蛋白高灵敏、高选择性的检测方法。
光电化学法兼具光学与电化学方法操作简单、灵敏度高、特异性好的分析优势，并且具有背景信号低的突出特点。以聚酰胺-胺(PAMAM)树枝状大分子为空间限域的模板，结合其粒子尺寸效应调控，制备PAMAM-Au纳米材料具有良好的分散稳定性。一方面，利用Au纳米颗粒(NPs)的等离子体共振(SPR)效应，增强电磁场强度，提高光吸收速率；另一方面，AuNPs作为电子继电器，具有良好的导电性。通过两者的协同作用，Au NPs与半导体材料进行界面组装，抑制光敏材料电子空穴对复合，从而构筑新型高性能光敏复合材料；进一步，有机结合抗原-抗体特异性识别机制，设计、构建高性能PEC免疫传感器，提高光电化学传感器检测灵敏度，实现对Cry1Ab蛋白的高灵敏、高特异性检测。目前，针对光电化学免疫分析对Cry1Ab蛋白的检测未见报道。
发明内容
本发明旨在通过Au NPs作为等离子体光敏剂和电子继电器的关键作用，加速光敏材料CdSe QDs电子空穴对分离，从而提高光电化学免疫传感器检测性能，最终实现对转基因作物Cry1Ab蛋白的高稳定性、高选择性、高灵敏度检测。
一种检测转基因作物中Cry1Ab蛋白的光电化学免疫传感器的制备方法，包括如下步骤：
(1)制备PAMAM-Au纳米材料，备用：
(2)制备CdSe QDs材料，备用：
(3)氧化铟锡玻璃ITO电极经预处理后，备用；
(4)将步骤(1)制备的PAMAM-Au纳米材料修饰到步骤(3)预处理的氧化铟锡玻璃电极表面，并在室温下干燥，此时，产品标记为PAMAM-Au/ITO；
(5)将步骤(2)制备的CdSe QDs材料修饰到步骤(4)所制得的传感器表面，并在室温下自然晾干,此时，产品标记为CdSe QDs/PAMAM-Au/ITO；
(6)将活化试剂EDC/NHS混合溶液修饰在步骤(5)所制得的传感器表面，以活化CdSe QDs表面的羧基；随后将Cry1Ab抗体修饰在电极表面，并在一定温度下孵育一段时间，之后用PBS对产品进行清洗，此时，产品标记为Cry1Ab抗体/CdSe QDs/PAMAM-Au/ITO；
(7)将牛血清白蛋白BSA修饰在步骤(6)所获得的传感器表面，以封闭未结合的非特异性位点，之后用PBS对产品进行清洗，此时，产品标记为BSA/Cry1Ab抗体/CdSe QDs/PAMAM-Au/ITO；以此，获得高灵敏检测Cry1Ab蛋白的光电化学传感器。
步骤(1)中，制备PAMAM-Au纳米材料的具体步骤为：首先，将2mL浓度为2mM的HAuCl4加入到20μL浓度为0.5g·mL-1的PAMAM溶液中，室温搅拌1h；然后加入1mL新制备的浓度为20mM的NaBH4，剧烈搅拌30min，溶液由亮黄色变为红棕色；将上述溶液在12000rpm离心30min，重新分散于超纯水中，保存在4℃下备用。
步骤(2)中，制备CdSe QDs材料的具体步骤为：首先，将1.7g Na2SO3溶解于50mL超纯水中；然后将溶液转移至100mL三口烧瓶中，通氮气30min，在搅拌下加热升温至90℃；然后，向三口烧瓶中加入0.6g硒粉，持续通氮气，冷却回流5h，过滤得到浅黄色的Na2SeO3前驱体；
将0.80mL浓度为0.20M的CdCl2溶液，72.5mg HMP，34.6μL MPA加入到50mL超纯水中，用6.0M的NaOH溶液调节pH至9.0，然后加入0.80mL浓度为20.0mM的Na2SeO3前驱体溶液，100℃下回流10min；然后向溶液中加入3.67mL N2H4·H2O，在100℃下继续回流8-10h，用异丙醇对产物进行离心洗涤三次，最后将CdSe QDs重新分散到超纯水中，在4℃下保存备用。
步骤(3)中，氧化铟锡玻璃电极的直径为6mm，将氧化铟锡玻璃电极在1mol·L-1的NaOH溶液中煮沸20min，然后依次在无水乙醇和超纯水中超声15min，最后在空气中干燥。
步骤(4)中，PAMAM-Au的用量为20μL。
步骤(5)中，CdSe QDs的浓度为14-26μM，用量为12-20μL。
步骤(6)中，EDC浓度为0.01M，NHS浓度为0.002M，EDC/NHS混合溶液用量为10μL；Cry1Ab抗体的浓度为2-10μg·mL-1，用量为10μL；反应温度为37℃，反应时间为20-60min。
步骤(7)中，BSA用量为10μL，反应时间为30min。
在上述所制得的免疫传感器表面修饰不同浓度的Cry1Ab蛋白，室温下绑定时间为30-70min，Cry1Ab浓度依次为0.01ng mL-1,0.03ng mL-1,0.1ng mL-1,0.3ng mL-1,1ng mL-1,3ngmL-1,10ng mL-1,30ng mL-1,100ng mL-1，之后用PBS溶液对电极进行清洗。本发明制得的传感器作为工作电极，饱和Ag/AgCl电极为参比电极，铂丝电极为对电极，由型号为PLS-SXM300/300UV氙灯和CHI660E电化学工作站记录与检测光电化学信号。在0.1M PBS(pH＝7.0)缓冲溶液中进行测试，外加偏置电压为0V。根据Cry1Ab浓度的对数值(logCCry1Ab)与光电信号的关系绘制工作曲线，从而实现对Cry1Ab蛋白的灵敏检测。
本发明的有益效果：
(1)以PAMAM为空间限域的模板，制备PAMAM-Au纳米材料与没有模板的Au NPs相比，具有良好的分散稳定性。
(2)本发明将Au NPs作为等离子体光敏剂和电子继电器的双重作用充分发挥，增强电磁场强度和导电性，进一步加速CdSe QDs电子空穴对分离，提高光电化学免疫传感器检测灵敏度。
(3)本发明首次利用光电化学免疫传感器实现对Cry1Ab蛋白的检测。
(4)本发明引入特异性识别元件Cry1Ab的抗体，提高了光电化学免疫传感器的选择性，降低了转基因作物中其他蛋白的干扰，实现对Cry1Ab的特异性分析。
(5)本发明构建的光电化学免疫传感器用于Cry1Ab的检测，灵敏度高、选择性好、稳定性好，线性范围宽，为0.01-100ng mL-1。
附图说明
图1为光电化学免疫传感器构建工艺过程图。
图2(A)CdSe QDs的紫外吸收和荧光光谱；(B)PAMAM-Au的紫外吸收光谱。
图3(A)抗体的孵育时间优化；(B)抗体的浓度优化。
图4(A)不同浓度Cry1Ab所对应的光电化学信号变化：浓度依次为0.01ng mL-1,0.03ng mL-1,0.1ng mL-1,0.3ng mL-1,1ng mL-1,3ng mL-1,10ng mL-1,30ng mL-1,100ng mL-1；(B)不同浓度Cry1Ab对数与光电化学信号之间构建的线性关系。
图5(A)光电化学传感器的选择性，干扰物分别为PAT/bar蛋白，CP4-EPSPS蛋白，PAT/pat蛋白，以及它们的混合物；(B)光电化学传感器的七天稳定性。
具体实施方式
下面结合具体实施例和说明书附图，进一步阐明本发明。
实施例1
按照图1所述的制备工艺：
(1)PAMAM-Au纳米材料的制备：
首先，将HAuCl4(2mM，2mL)加入到PAMAM(0.5g·mL-1，20μL)溶液中，室温搅拌1h；然后加入新制备的NaBH4(20mM，1mL)，剧烈搅拌30min，溶液由亮黄色变为红棕色；将上述溶液在12000rpm离心30min，重新分散于超纯水中，保存在4℃下备用。
(2)CdSe QDs材料的制备：
首先，将Na2SO3(1.7g)溶解于50mL超纯水中；然后将溶液转移至100mL三口烧瓶中，通氮气30min，在搅拌下加热升温至90℃；然后，向三口烧瓶中加入0.6g硒粉，持续通氮气，冷却回流5h，过滤得到浅黄色的Na2SeO3前驱体；
将CdCl2溶液(0.20M,0.80mL)，HMP(72.5mg)，MPA(34.6μL)加入到50mL超纯水中，用NaOH溶液(6.0M)调节pH至9.0，然后加入Na2SeO3前驱体(20.0mM,0.80mL)，100℃下回流10min；然后向溶液中加入3.67mL N2H4·H2O，在100℃下继续回流8h，用异丙醇对产物进行离心洗涤三次，最后将CdSe QDs重新分散到超纯水中，在4℃下保存备用。
(3)氧化铟锡玻璃电极的预处理：将氧化铟锡玻璃电极(直径为6mm)在1mol·L- 1NaOH溶液中煮沸20min，然后依次在无水乙醇和超纯水中超声15min，最后在空气中干燥。
(4)将步骤(1)制备的20μL PAMAM-Au纳米材料修饰到步骤(3)预处理的氧化铟锡玻璃电极表面，并在室温下干燥，此时，产品标记为PAMAM-Au/ITO；
(5)将步骤(2)制备的12μL 14μM CdSe QDs材料修饰在步骤(4)所制得的传感器表面，并在室温下自然晾干,此时，产品标记为CdSe QDs/PAMAM-Au/ITO；
(6)将10μL 0.01M EDC和0.002M NHS混合溶液修饰在步骤(5)所制得的传感器表面，以活化CdSe QDs表面的羧基；随后将10μL 2μg·mL-1Cry1Ab抗体修饰在电极表面，并在37℃下孵育20min，之后用PBS对产品进行清洗，此时，产品标记为Cry1Ab抗体/CdSe QDs/PAMAM-Au/ITO；
(7)将10μL牛血清白蛋白(BSA)修饰在步骤(6)所获得的传感器表面，以封闭未结合的非特异性位点，室温下反应30min，之后用PBS对产品进行清洗，此时，产品标记为BSA/Cry1Ab抗体/CdSe QDs/PAMAM-Au/ITO；以此，获得高灵敏检测Cry1Ab蛋白的光电化学传感器。
在上述所制得的免疫传感器表面修饰不同浓度的Cry1Ab蛋白，室温下绑定时间为30-70min，Cry1Ab浓度依次为0.01ng mL-1,0.03ng mL-1,0.1ng mL-1,0.3ng mL-1,1ng mL-1,3ng mL-1,10ng mL-1,30ng mL-1,100ng mL-1，之后用PBS溶液对电极进行清洗。本发明制得的传感器作为工作电极，饱和Ag/AgCl电极为参比电极，铂丝电极为对电极，由型号为PLS-SXM300/300UV氙灯和CHI660E电化学工作站记录与检测光电化学信号。在0.1M PBS(pH＝7.0)缓冲溶液中进行测试，外加偏置电压为0V。根据Cry1Ab浓度的对数值(logCCry1Ab)与光电信号的关系绘制工作曲线，从而实现对Cry1Ab蛋白的灵敏检测。
实施例2
(1)PAMAM-Au纳米材料的制备：
首先，将HAuCl4(2mM，2mL)加入到PAMAM(0.5g·mL-1，20μL)溶液中，室温搅拌1h；然后加入新制备的NaBH4(20mM，1mL)，剧烈搅拌30min，溶液由亮黄色变为红棕色；将上述溶液在12000rpm离心30min，重新分散于超纯水中，保存在4℃下备用。
(2)CdSe QDs材料的制备：
首先，将Na2SO3(1.7g)溶解于50mL超纯水中；然后将溶液转移至100mL三口烧瓶中，通氮气30min，在搅拌下加热升温至90℃；然后，向三口烧瓶中加入0.6g硒粉，持续通氮气，冷却回流5h，过滤得到浅黄色的Na2SeO3前驱体；
将CdCl2溶液(0.20M,0.80mL)，HMP(72.5mg)，MPA(34.6μL)加入到50mL超纯水中，用NaOH溶液(6.0M)调节pH至9.0，然后加入Na2SeO3前驱体(20.0mM,0.80mL)，100℃下回流10min；然后向溶液中加入3.67mL N2H4·H2O，在100℃下继续回流10h，用异丙醇对产物进行离心洗涤三次，最后将CdSe QDs重新分散到超纯水中，在4℃下保存备用。
(3)氧化铟锡玻璃电极的预处理：将氧化铟锡玻璃电极(直径为6mm)在1mol·L- 1NaOH溶液中煮沸20min，然后依次在无水乙醇和超纯水中超声15min，最后在空气中干燥。
(4)将步骤(1)制备的20μL PAMAM-Au纳米材料修饰到步骤(3)预处理的氧化铟锡玻璃电极表面，并在室温下干燥，此时，产品标记为PAMAM-Au/ITO；
(5)将步骤(2)制备的18μL 20μM CdSe QDs材料修饰在步骤(4)所制得的传感器表面，并在室温下自然晾干,此时，产品标记为CdSe QDs/PAMAM-Au/ITO；
(6)将10μL 0.01M EDC和0.002M NHS混合溶液修饰在步骤(5)所制得的传感器表面，以活化CdSe QDs表面的羧基；随后将10μL 8μg·mL-1Cry1Ab抗体修饰在电极表面，并在37℃下孵育50min，之后用PBS对产品进行清洗，此时，产品标记为Cry1Ab抗体/CdSe QDs/PAMAM-Au/ITO；
(7)将10μL牛血清白蛋白(BSA)修饰在步骤(6)所获得的传感器表面，以封闭未结合的非特异性位点，室温下反应30min，之后用PBS对产品进行清洗，此时，产品标记为BSA/Cry1Ab抗体/CdSe QDs/PAMAM-Au/ITO；以此，获得高灵敏检测Cry1Ab蛋白的光电化学传感器。
在上述所制得的免疫传感器表面修饰不同浓度的Cry1Ab蛋白，室温下绑定时间为30-70min，Cry1Ab浓度依次为0.01ng mL-1,0.03ng mL-1,0.1ng mL-1,0.3ng mL-1,1ng mL-1,3ng mL-1,10ng mL-1,30ng mL-1,100ng mL-1，之后用PBS溶液对电极进行清洗。本发明制得的传感器作为工作电极，饱和Ag/AgCl电极为参比电极，铂丝电极为对电极，由型号为PLS-SXM300/300UV氙灯和CHI660E电化学工作站记录与检测光电化学信号。在0.1M PBS(pH＝7.0)缓冲溶液中进行测试，外加偏置电压为0V。根据Cry1Ab浓度的对数值(logCCry1Ab)与光电信号的关系绘制工作曲线，从而实现对Cry1Ab蛋白的灵敏检测。
实施例3
(1)PAMAM-Au纳米材料的制备：
首先，将HAuCl4(2mM，2mL)加入到PAMAM(0.5g·mL-1，20μL)溶液中，室温搅拌1h；然后加入新制备的NaBH4(20mM，1mL)，剧烈搅拌30min，溶液由亮黄色变为红棕色；将上述溶液在12000rpm离心30min，重新分散于超纯水中，保存在4℃下备用。
(2)CdSe QDs材料的制备：
首先，将Na2SO3(1.7g)溶解于50mL超纯水中；然后将溶液转移至100mL三口烧瓶中，通氮气30min，在搅拌下加热升温至90℃；然后，向三口烧瓶中加入0.6g硒粉，持续通氮气，冷却回流5h，过滤得到浅黄色的Na2SeO3前驱体；
将CdCl2溶液(0.20M,0.80mL)，HMP(72.5mg)，MPA(34.6μL)加入到50mL超纯水中，用NaOH溶液(6.0M)调节pH至9.0，然后加入Na2SeO3前驱体(20.0mM,0.80mL)，100℃下回流10min；然后向溶液中加入3.67mL N2H4·H2O，在100℃下继续回流9h，用异丙醇对产物进行离心洗涤三次，最后将CdSe QDs重新分散到超纯水中，在4℃下保存备用。
(3)氧化铟锡玻璃电极的预处理：将氧化铟锡玻璃电极(直径为6mm)在1mol·L- 1NaOH溶液中煮沸20min，然后依次在无水乙醇和超纯水中超声15min，最后在空气中干燥。
(4)将步骤(1)制备的20μL PAMAM-Au纳米材料修饰到步骤(3)预处理的氧化铟锡玻璃电极表面，并在室温下干燥，此时，产品标记为PAMAM-Au/ITO；
(5)将步骤(2)制备的20μL 26μM CdSe QDs材料修饰在步骤(4)所制得的传感器表面，并在室温下自然晾干,此时，产品标记为CdSe QDs/PAMAM-Au/ITO；
(6)将10μL 0.01M EDC和0.002M NHS混合溶液修饰在步骤(5)所制得的传感器表面，以活化CdSe QDs表面的羧基；随后将10μL 10μg·mL-1Cry1Ab抗体修饰在电极表面，并在37℃下孵育60min，之后用PBS对产品进行清洗，此时，产品标记为Cry1Ab抗体/CdSe QDs/PAMAM-Au/ITO；
(7)将10μL牛血清白蛋白(BSA)修饰在步骤(6)所获得的传感器表面，以封闭未结合的非特异性位点，室温下反应30min，之后用PBS对产品进行清洗，此时，产品标记为BSA/Cry1Ab抗体/CdSe QDs/PAMAM-Au/ITO；以此，获得高灵敏检测Cry1Ab蛋白的光电化学传感器。
在上述所制得的免疫传感器表面修饰不同浓度的Cry1Ab蛋白，室温下绑定时间为30-70min，Cry1Ab浓度依次为0.01ng mL-1,0.03ng mL-1,0.1ng mL-1,0.3ng mL-1,1ng mL-1,3ng mL-1,10ng mL-1,30ng mL-1,100ng mL-1，之后用PBS溶液对电极进行清洗。本发明制得的传感器作为工作电极，饱和Ag/AgCl电极为参比电极，铂丝电极为对电极，由型号为PLS-SXM300/300UV氙灯和CHI660E电化学工作站记录与检测光电化学信号。在0.1M PBS(pH＝7.0)缓冲溶液中进行测试，外加偏置电压为0V。根据Cry1Ab浓度的对数值(logCCry1Ab)与光电信号的关系绘制工作曲线，从而实现对Cry1Ab蛋白的灵敏检测。
从图2(A)可以看出，紫外可见光谱、荧光光谱图表明在505nm处有明显CdSe QDs特征吸收峰，其最大发射波长为524nm，并且通过右上角的插图可以看到CdSe QDs在可见光下呈现淡黄色，紫外灯下发出绿色荧光。
从图2(B)可以看出，溶液反应前，在280nm和290nm处分别存在PAMAM和HAuCl4的特征峰；通过NaBH4还原HAuCl4后，HAuCl4的特征峰消失，在277nm和520nm处分别出现明显的PAMAM和Au的紫外可见吸收峰。
从图3(A)可以看出，20-40min内，随抗体的孵育时间增加，光电化学信号逐渐降低，证明抗体在电极表面的结合量不断增加；40min后达到稳定状态，光电流基本保持不变，表明抗体结合量达到饱和。因此，选择50min作为抗体的最优孵育时间。
从图3(B)可以看出，2-6μg·mL-1内，随抗体浓度的逐渐增加，抗体与电极表面的光敏材料结合量增加，由于抗体的固定产生空间位阻效应，导致光电流逐渐降低；6μg·mL-1后，抗体在电极表面达到饱和状态，使得光电流基本保持稳定。
从图4(A)可以看出，随着Cry1Ab浓度的增加，光电化学信号逐渐降低，这归因于Cry1Ab与其抗体在电极表面的特异性结合。
从图4(B)可以看出，光电化学信号与Cry1Ab浓度的对数值(logCCry1Ab)绘制的标准曲线为I＝681.82-96.79logCCry1Ab(R2＝0.996)，线性范围为0.01-100ng mL-1，检测限为0.003pg mL-1。
从图5(A)中可以看出，其他转基因干扰蛋白(PAT/bar蛋白，CP4-EPSPS蛋白，PAT/pat蛋白，以及它们的混合物)引起的光电化学信号变化可忽略不计，证明该光电化学传感器具有良好的选择性。
从图5(B)中可以看出，通过考察电极的七天稳定性，测定的相对标准偏差仅为2.0％，证明该光电化学免疫传感器具有良好的稳定性。

Claims (8)

1.一种检测转基因作物中Cry1Ab蛋白的光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，
步骤如下：
(1)制备PAMAM-Au纳米材料，备用：
(2)制备CdSe QDs材料，备用：
(3)氧化铟锡玻璃ITO电极经预处理后，备用；
(4)将步骤(1)制备的PAMAM-Au纳米材料修饰到步骤(3)预处理的氧化铟锡玻璃电极表面，并在室温下干燥，此时，产品标记为PAMAM-Au/ITO；
(5)将步骤(2)制备的CdSe QDs材料修饰到步骤(4)所制得的传感器表面，并在室温下自然晾干,此时，产品标记为CdSe QDs/PAMAM-Au/ITO；
(6)将活化试剂EDC/NHS混合溶液修饰在步骤(5)所制得的传感器表面，以活化CdSeQDs表面的羧基；随后将Cry1Ab抗体修饰在电极表面，并在一定温度下孵育一段时间，之后用PBS对产品进行清洗，此时，产品标记为Cry1Ab抗体/CdSe QDs/PAMAM-Au/ITO；
(7)将牛血清白蛋白BSA修饰在步骤(6)所获得的传感器表面，以封闭未结合的非特异性位点，之后用PBS对产品进行清洗，此时，产品标记为BSA/Cry1Ab抗体/CdSe QDs/PAMAM-Au/ITO；以此，获得高灵敏检测Cry1Ab蛋白的光电化学传感器。
2.根据权利要求1所述的检测转基因作物中Cry1Ab蛋白的光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，制备PAMAM-Au纳米材料的具体步骤为：首先，将2mL浓度为2mM的HAuCl4加入到20μL浓度为0.5g·mL-1的PAMAM溶液中，室温搅拌1h；然后加入1mL新制备的浓度为20mM的NaBH4，剧烈搅拌30min，溶液由亮黄色变为红棕色；将上述溶液在12000rpm离心30min，重新分散于超纯水中，保存在4℃下备用。
3.根据权利要求1所述的检测转基因作物中Cry1Ab蛋白的光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，制备CdSe QDs材料的具体步骤为：首先，将1.7g Na2SO3溶解于50mL超纯水中；然后将溶液转移至100mL三口烧瓶中，通氮气30min，在搅拌下加热升温至90℃；然后，向三口烧瓶中加入0.6g硒粉，持续通氮气，冷却回流5h，过滤得到浅黄色的Na2SeO3前驱体；
将0.80mL浓度为0.20M的CdCl2溶液，72.5mg HMP，34.6μL MPA加入到50mL超纯水中，用6.0M的NaOH溶液调节pH至9.0，然后加入0.80mL浓度为20.0mM的Na2SeO3前驱体溶液，100℃下回流10min；然后向溶液中加入3.67mL N2H4·H2O，在100℃下继续回流8-10h，用异丙醇对产物进行离心洗涤三次，最后将CdSe QDs重新分散到超纯水中，在4℃下保存备用。
4.根据权利要求1所述的检测转基因作物中Cry1Ab蛋白的光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，氧化铟锡玻璃电极的直径为6mm，将氧化铟锡玻璃电极在1mol·L-1的NaOH溶液中煮沸20min，然后依次在无水乙醇和超纯水中超声15min，最后在空气中干燥。
5.根据权利要求1所述的检测转基因作物中Cry1Ab蛋白的光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，PAMAM-Au的用量为20μL。
6.根据权利要求1所述的检测转基因作物中Cry1Ab蛋白的光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，步骤(5)中，CdSe QDs的浓度为14-26μM，用量为12-20μL。
7.根据权利要求1所述的检测转基因作物中Cry1Ab蛋白的光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，步骤(6)中，EDC浓度为0.01M，NHS浓度为0.002M，EDC/NHS混合溶液用量为10μL；Cry1Ab抗体的浓度为2-10μg·mL-1，用量为10μL；反应温度为37℃，反应时间为20-60min。
8.根据权利要求1所述的检测转基因作物中Cry1Ab蛋白的光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，步骤(7)中，BSA用量为10μL，反应时间为30min。
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