CN113296371A - 一种曝光方法、装置及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供了一种曝光方法、装置及电子设备。其中，所述方法包括：获取N个曝光策略，其中，每个曝光策略用于曝光生成一个子图案，并且所述N个曝光策略用于生成的所有子图案的叠加图案为目标图案，并且至少两个曝光策略用于生成不同的子图案，所述N为大于1的正整数；控制DMD阵列分别按照所述N个曝光策略对基板进行曝光，以在所述基板上曝光生成所述目标图案。可以提高生成的图案的准确性。
Description
技术领域
本发明涉及曝光控制技术领域，特别是涉及一种曝光方法、装置及电子设备。
背景技术
数字曝光机可以通过数字微镜器件(Digital Micromirror Device，DMD)调整光信号，并通过调制后的光信号对基板进行曝光，从而生成特定的曝光图案，相较于传统的曝光相机，数字曝光机在进行曝光时无需使用掩膜版(Mask)，因此成本较低。
数字曝光机内的DMD阵列中各DMD微镜片之间存在一定的间隙，导致各DMD微镜片形成的光斑在空间上不连续，因此为实现数字曝光机在空间上的连续曝光。相关技术中，可以使得DMD阵列与DMD阵列的扫描方向呈一定夹角，从而可以通过DMD阵列扫描基板的方式实现在空间上的连续曝光。
但是，当DMD阵列与扫描方向呈一定夹角时，将导致DMD阵列中的微镜片在扫描方向上的分布与在垂直于扫描方向上的分布产生差异，导致曝光得到的图案在扫描方向和垂直于扫描方向上的成像质量不同，导致曝光得到的图案不够准确。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种曝光控制方法、装置及电子设备，以实现提高曝光得到的图案的准确性。具体技术方案如下：
在本发明实施例的第一方面，提供了一种曝光方法，所述方法包括：
获取N个曝光策略，其中，每个曝光策略用于曝光生成一个子图案，并且所述N个曝光策略用于生成的所有子图案的叠加图案为目标图案，并且至少两个曝光策略用于生成不同的子图案，所述N为大于1的正整数；
控制DMD阵列分别按照所述N个曝光策略对基板进行曝光，以在所述基板上曝光生成所述目标图案。
在一种可能的实施例中，所述控制DMD阵列分别按照所述N个曝光策略对基板进行曝光，包括：
控制DMD阵列对基板进行N次曝光，其中，每次曝光时按照所述N个曝光策略中的一个曝光策略控制所述DMD阵列中的DMD微镜片，并且每次曝光时所按照的曝光策略不同。
在一种可能的实施例中，所述DMD阵列在垂直于扫描方向被划分为M个大小相同的子区域，所述M为N的大于1的因子；
所述控制DMD阵列分别按照所述N个曝光策略对基板进行曝光，包括：
控制DMD阵列对基板进行L次曝光，其中，所述L＝N/M，每次曝光时按照所述N个曝光策略中的M个曝光策略分别控制所述M个子区域中的DMD微镜片，并且任意两次曝光时所按照的曝光策略中不存在相同的曝光策略，并且每次曝光时所述DMD阵列在垂直扫描方向上的偏移量为所述DMD阵列的宽度的1/M。
在一种可能的实施例中，所述DMD阵列在垂直于扫描方向被划分为M个大小相同的子区域，所述M为N的大于1的因子；
所述控制DMD阵列分别按照所述N个曝光策略对基板进行曝光，包括：
控制DMD阵列对基板进行L次曝光，其中，所述L＝N/M，每次曝光时按照所述N个曝光策略中的M个曝光策略分别控制所述M个子区域中的DMD微镜片，并且任意两次曝光时所按照的曝光策略中不存在相同的曝光策略，并且每次曝光时所述DMD阵列在垂直扫描方向上的偏移量为所述DMD阵列的宽度的1/M。
在一种可能的实施例中，所述DMD阵列被划分为M*J个大小相同的子区域，并且在垂直于扫描方向上存在M行子区域，在扫描方向存在J行子区域，M*J等于N的因子；
所述控制DMD阵列分别按照所述N个曝光策略对基板进行曝光，包括：
控制DMD阵列对基板进行R次曝光，其中，所述R＝N/(M*J)，每次曝光时按照所述N曝光策略中的M*J个曝光策略分别控制所述M*J个子区域中的DMD微镜片，并且任意两次曝光时所按照的曝光策略中不存在相同的曝光策略，并且每次曝光时所述DMD阵列在垂直扫描方向上的偏移量为所述DMD阵列的宽度的1/M。
在一种可能的实施例中，所述DMD阵列中任意两个相邻的子区域之间设置有缓冲区；
所述方法还包括：
如果所述DMD阵列中任一子区域所包括的DMD微镜片的数量小于下限数量，将与该子区域相邻的缓冲区中的DMD微镜片划分至该子区域，其中，所述下限数量为控制该子区域中的DMD微镜片时所按照的曝光策略所需的最少DMD微镜片数量。
在一种可能的实施例中，所述N个曝光策略中至少两个曝光策略中所使用的点阵控制算法不同。
在本发明实施例的第二方面，提供了一种曝光装置，所述装置包括：
策略获取模块，用于获取N个曝光策略，其中，每个曝光策略用于曝光生成一个子图案，并且所述N个曝光策略用于生成的所有子图案的叠加图案为目标图案，并且至少两个曝光策略用于生成不同的子图案，所述N为大于1的正整数；
曝光控制模块，用于控制DMD阵列分别按照所述N个曝光策略对基板进行曝光，以在所述基板上曝光生成所述目标图案。
在本发明实施例的第三方面，提供了一种电子设备，包括处理器、通信接口、存储器和通信总线，其中，处理器，通信接口，存储器通过通信总线完成相互间的通信；
存储器，用于存放计算机程序；
处理器，用于执行存储器上所存放的程序时，实现上述第一方面任一所述的方法步骤。
在本发明实施例的第四方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质内存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述第一方面任一所述的方法步骤。
本发明实施例有益效果：
本发明实施例提供的曝光方法、装置及电子设备，可以将目标图案的曝光拆分为多个子图案的曝光，从而可以通过为每个子图案合理设置曝光策略的方式提高生成的各个子图案的准确性，并且由于多个子图案中存在不同的子图案，而不同的子图案相对目标图案的差异可以形成互补，因此在通过叠加多个子图案得到的目标图案的过程中，可以通过互补差异的方式减小甚至消除生成的图案与目标图案的差异，因此可以提高生成的图案的准确性。
当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的实施例。
图1为通过DMD阵列进行曝光的原理示意图；
图2为本发明实施例提供的曝光方法的一种流程示意图；
图3为本发明实施例提供的曝光过程的一种示意图；
图4为本发明实施例提供的DMD阵列的一种分区示意图；
图5为本发明实施例提供的DMD阵列的另一种分区示意图；
图6为本发明实施例提供的DMD阵列的另一种分区示意图；
图7为本发明实施例提供的曝光装置的一种结构示意图；
图8为本发明实施例提供的电子设备的一种结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员基于本申请所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为了更清楚的对本发明实施例提供的曝光方法进行说明，下面将对本发明实施例提供的曝光方法的可能的应用场景进行示例性的说明，可以理解的是，以下示例仅是本发明实施例提供的曝光方法的一种可能的应用场景，在其他可能的实施例中，本发明实施例提供的曝光方法也可以应用于其他可能的应用场景中，以下示例对此不做任何限制。
参见图1，图1所示为通过DMD阵列进行曝光的原理示意图，图中每个空心圆表示DMD阵列中的一个DMD微镜片，图中箭头所示的方向为扫描方向，各填充有灰色的圆表示基板上的各个待曝光位置。
为描述方便，下文将图1中标注有A的待曝光位置记为待曝光位置A，假设需要曝光得到一个从待曝光位置A开始的垂直于扫描方向的线段时，可以调用图1中所有边框为粗实线的空心圆表示的DMD微镜片进行曝光。
而假设需要曝光得到一个从待曝光位置A开始的平行于扫描方向的线段时，只能够调用图1中标注有B的DMD微镜片进行曝光。由于单个DMD微镜片所能够提供的曝光量有限，因此为确保光刻胶能够曝透，需要调用一定数量以上的DMD微镜片进行曝光，假设图1中标注有B的DMD微镜片的数量小于该一定数量，则在实现待曝光位置A平行于扫描方向曝光时，需要额外调用更多的DMD微镜片与图1中标注有B的DMD微镜片共同进行曝光。示例性的，可以是调用图1中标注有C的DMD微镜片与标注有B的DMD微镜片共同进行曝光。
但是，从图1中可以看出，标注有C的DMD微镜片相对于待曝光位置A在垂直于扫描方向上存在偏移，因此将导致扫描得到的图案与从待曝光位置A开始的平行于扫描方向的线段不同。可见，曝光得到的图案不够准确。
基于此，本发明实施例提供了一种曝光方法，可以应用于任一具备曝光功能的电子设备，示例性的，可以应用于DMD阵列的控制设备。该曝光方法可以参见图2，图2所示为本发明实施例提供的曝光方法的一种流程示意图，可以包括：
S201，获取N个曝光策略。
S202，控制DMD阵列分别按照N个曝光策略对基板进行曝光，以在基板上曝光生成目标图案。
选用该实施例，可以将目标图案的曝光拆分为多个子图案的曝光，从而可以通过为每个子图案合理设置曝光策略的方式提高生成的各个子图案的准确性，并且由于多个子图案中存在不同的子图案，而不同的子图案相对目标图案的差异可以形成互补，因此在通过叠加多个子图案得到的目标图案的过程中，可以通过互补差异的方式减小甚至消除生成的图案与目标图案的差异，因此可以提高生成的图案的准确性。
其中，在S201中，每个曝光策略用于曝光生成一个子图案，并且N个曝光策略用于生成的所有子图案的叠加图案为目标图案，并且至少两个曝光策略用于生成不同的子图案，N为大于1的正整数。目标图案可以为用户希望通过曝光得到的图案。
本文中两个子图案不同可以是指两个子图案的设计图形(下文中为描述方便成为图形)不同和/或曝光得到该两个子图案所使用的点阵控制算法不同。示例性的，假设存在子图案1和子图案2，如果子图案1与子图案2的图形不同，则可以认为子图案1与子图案2不同。如果子图案1与子图案2的图形相同，但是子图案1是使用点阵控制算法A曝光得到的，而子图案2是使用点阵控制算法B曝光得到的，由于不同点阵控制算法对DMD阵列中各DMD微镜片的调用方式不同，因此虽然子图案1与子图案2的图形相同，但是曝光得到的子图案1与子图案2仍然将不同，因此此时也可以认为子图案1与子图案2不同。
N的数量根据实际需求的不同，可以为任一大于1的正整数，示例性的，N可以为2、3、4等。下文中为描述方便，仅对N为2、4、8的情况进行示例性说明，对于N为其他取值的情况同理可得，因此不再赘述。
在S202中，分别按照N个曝光策略对基板进行曝光可以是指针对基板上的每个待曝光位置，控制DMD阵列分别按照N个曝光策略对该待曝光位置进行曝光。即对于每个待曝光位置，需要进行N次曝光，并且每次曝光时所按照的曝光策略不同。
对待曝光位置的N次曝光可以是在对基板的多次曝光中实现的，也可以是在对基板的单次曝光中实现的，本实施例对此不做任何限制。并且为更清楚的对本发明实施例提供的曝光方法进行说明，下面将分别对前述S202的不同实现方式进行示例性的说明。下文中为描述方便，假设基板在垂直于扫描方向上的宽度为P个DMD阵列的宽度，P为任意大于1的正整数。
方式一：
控制DMD阵列对基板进行N次曝光，每次曝光时按照N个曝光策略中的一个曝光策略控制DMD阵列中的DMD微镜片，并且每次曝光时所按照的曝光策略不同。
示例性的，以N为2为例，并且假设所获取的2个曝光策略所使用的点阵控制算法不同，分别记为点阵控制算法A和点阵控制算法B。则可以是首先控制DMD阵列按照点阵控制算法A对基板进行曝光，在完成整个基板的曝光后，再次控制DMD阵列按照点阵控制算法B对基板进行曝光，直至再次完成整个基板的曝光，此时可以在基板上曝光得到目标图案。
控制DMD阵列按照点阵控制算法A对基板进行曝光的过程可以参见图3，图3所示为本发明实施例提供的曝光过程的一种示意图。图3中DMD阵列在垂直于扫描方向上被划分为多行，每行的宽度为一个DMD阵列的宽度，图3中箭头所示方向为扫描方向。
可以是控制DMD阵列对齐基板中的一行，例如图3中由上至下的第一行，并控制DMD阵列按照点阵控制算法A对DMD阵列所对齐的行进行曝光，在完成对该行的曝光后，控制DMD阵列在垂直于扫描方向上偏移一个DMD阵列宽度，以使得DMD阵列对齐下一行，例如图3中由上至下的第二行，并再次控制DMD阵列按照点阵控制算法A对DMD阵列所对齐的行进行曝光，以此类推，直至完成对基板上所有行的曝光，此时认为完成整个基板的曝光。
控制DMD阵列按照点阵控制算法B对基板进行曝光的过程与控制DMD阵列按照点阵控制算法A对基板进行曝光的过程相同，区别仅在于所按照的点阵控制算法不同，因此在此不再赘述。
方式二：
可以将DMD阵列在垂直于扫描方向上划分为M个大小相同的子区域，其中，M为N的大于1的因子。示例性的，例如假设N为4，则M可以为2或4，又例如假设N为2，则M可以为2。
在该方式中，可以控制DMD阵列对基板进行L次曝光，其中，L＝N/M，每次曝光时按照N个曝光策略中的M各曝光策略分别控制M个子区域中的DMD微镜片，并且任意两次曝光时所按照的曝光策略中不存在相同的曝光策略，并且每次曝光时DMD阵列在垂直扫描方向上的偏移量为DMD阵列的宽度的1/M。
两个子区域大小相同是指该两个子区域的长度相等，并且该两个子区域的宽度相等。如果两个子区域长度或宽度不相等，但是两个子区域的面积相等，则该两个子区域大小不相同。
DMD阵列在垂直扫描方向上的偏移量是指每次完成基板上的一行的曝光后，控制DMD阵列在垂直于扫描方向上的偏移量。以前述方式一中描述的控制DMD阵列按照点阵控制算法A对基板进行曝光的过程为例，DMD阵列在垂直于扫描方向上的偏移量为一个DMD阵列的宽度。
为描述方便，下面将分别以N＝M＝2以及N＝4、M＝2为例进行示例性的说明，可以参见图4，图4所示为本发明实施例提供的DMD阵列的一种分区示意图。图4中DMD阵列在垂直于扫描方向上被划分为2个大小相同的子区域，为描述方便，分别记为第一子区域和第二子区域。
对于N＝M＝2的应用场景，为描述方便，假设基板在垂直于扫描方向上被等分为2P行，其中每行在垂直于扫描方向上的宽度为DMD阵列的宽度的1/2。并且假设所获取的2个曝光策略所使用的点阵控制算法不同，分别记为点阵控制算法A和点阵控制算法B。
则可以是首先控制DMD阵列对齐基板上相邻的两行，并且第一子区域对齐该相邻的两行中的一行(下文记为第一行)，第二子区域对齐该相邻的两行中的另一行(下文记为第二行)，控制DMD阵列对第一行和第二行进行曝光，并且在曝光过程中按照点阵控制算法A控制第一子区域中的DMD微镜片，按照点阵控制算法B控制第二子区域中的DMD微镜片。即按照点阵控制算法A对第一行进行曝光，并按照点阵控制算法B对第二行进行曝光。
在完成对第一行和第二行的曝光后，控制DMD阵列在垂直于扫面方向上偏移1/2个DMD阵列的宽度，此时DMD阵列将再次对齐基板上相邻的两行，假设此时对齐的相邻的两行为第二行和第三行，则由于DMD阵列的偏移，此时第一子区域对齐第二行，第二子区域对齐第三行。控制DMD阵列对第二行和第三行进行曝光，并且在曝光过程中按照点阵控制算法A控制第一子区域中的DMD微镜片，按照点阵控制算法B控制第二子区域中的DMD微镜片。即按照点阵控制算法A对第二行进行曝光，并按照点阵控制算法B对第三行进行曝光。
在完成对第二行和第三行的曝光后，可以继续控制DMD阵列在垂直于扫面方向上偏移1/2个DMD阵列的宽度，以使得DMD阵列将再次对齐基板上相邻的两行，并控制控制DMD阵列对所对齐的相邻的两行进行曝光，依次类推，直至完成对每相邻两行的曝光。
可以理解的是，在完成对第二行和第三行的曝光后，第二行已经分别按照点阵控制算法A和点阵控制算法B进行过曝光，因此在完成对每相邻两行的曝光后，理论上基板上的任意行均已分别按照点阵控制算法A和点阵控制算法B进行过曝光，因此此时可以在基板上曝光得到目标图案。
对于N＝4、M＝2的应用场景，为描述方便，仍然假设基板在垂直于扫描方向上被等分为2P行，其中每行在垂直于扫描方向上的宽度为DMD阵列的宽度的1/2。并且假设所获取的4个曝光策略所使用的点阵控制算法不同，分别记为点阵控制算法A、点阵控制算法B、点阵控制算法C以及点阵控制算法D。
则可以是控制DMD阵列对基板进行2次曝光，其中，第一次曝光的过程可以与前述N＝M＝2的应用场景相同，在完成第一次曝光后，理论上基板上的任意行均已分别按照点阵控制算法A和点阵控制算法B进行过曝光。
第二次曝光的过程除所按照的点阵控制算法从点阵控制算法A、点阵控制算法B替换为点阵控制算法C、点阵控制算法D外，也与前述N＝M＝2的应用场景相同，在完成第二次曝光后，理论上基板上的任意行均已分别按照点阵控制算法A、点阵控制算法B、点阵控制算法C以及点阵控制算法D进行过曝光，因此此时可以在基板上曝光得到目标图案。
在其他可能的实施例中，第一次曝光时所按照的点阵控制算法也可以不为点阵控制算法A、点阵控制算法B，对应的，第二次曝光时所按照的点阵控制算法也可以不为点阵控制算法C、点阵控制算法D。但是第一次曝光时所按照的点阵控制算法应当与第二次曝光时所按照的点阵控制算法不同。
例如，在一种可能的实施例中，第一次曝光时所按照的点阵控制算法也可以为点阵控制算法A、点阵控制算法C，第二次曝光时所按照的点阵控制算法为点阵控制算法B、点阵控制算法D。又例如，在又一种可能的实施例中，第一次曝光时所按照的点阵控制算法也可以为点阵控制算法C、点阵控制算法D，第二次曝光时所按照的点阵控制算法为点阵控制算法A、点阵控制算法B。
选用该实施例，只需对基板进行L次曝光即可得到目标图案，由于L＝N/M，因此L小于N，相对于方式一可以有效降低曝光次数。并且当M＝N时，可以通过一次曝光得到目标图案。
方式三：
可以将DMD阵列在扫描方向上划分为J个大小相同的子区域，其中，J为N的大于1的因子。示例性的，例如假设N为4，则J可以为2或4，又例如假设N为2，则J可以为2。
在该方式中，可以控制DMD阵列对基板进行K次曝光，其中，K＝N/J，每次曝光时按照N个曝光策略中的J各曝光策略分别控制J个子区域中的DMD微镜片，并且任意两次曝光时所按照的曝光策略中不存在相同的曝光策略。
在该方式中，DMD阵列在垂直于扫面方向上的偏移量为一个DMD阵列的宽度。即每次完成基板上的一行的曝光后，控制DMD阵列在垂直于扫描方向上偏移一个DMD阵列的宽度。
为描述方便，下面将分别以N＝J＝2以及N＝4、J＝2为例进行示例性的说明，可以参见图5，图5所示为本发明实施例提供的DMD阵列的另一种分区示意图。图5中DMD阵列在扫描方向上被划分为2个大小相同的子区域，为描述方便，分别记为第三子区域和第四子区域。
对于N＝J＝2的应用场景，为描述方便，假设基板在垂直于扫描方向上被等分为P行，其中每行在垂直于扫描方向上的宽度为一个DMD阵列的宽度。并且假设所获取的2个曝光策略所使用的点阵控制算法不同，分别记为点阵控制算法A和点阵控制算法B。
则可以是控制DMD阵列对齐基板中的一行，并控制DMD阵列对DMD阵列所对齐的行进行曝光，并且在曝光过程中按照点阵控制算法A控制第三子区域中的DMD微镜片，按照点阵控制算法B控制第四子区域中的DMD微镜片。
在完成对该行的曝光后，控制DMD阵列在垂直于扫描方向上偏移一个DMD阵列宽度，以使得DMD阵列对齐下一行，并再次控制DMD阵列对DMD阵列所对齐的行进行曝光，以此类推，直至完成对基板上所有行的曝光，此时认为完成整个基板的曝光。
可以理解的是，由于第三子区域位于第四子区域的扫描方向上，因此在对基板上的任意行的曝光过程中，对于该行的任意待曝光位置，将依次被第三子区域中的DMD微镜片以及第四子区域中的DMD微镜片曝光。由于第三子区域的DMD微镜片是按照点阵控制算法A控制的，第四子区域的DMD微镜片是按照点阵控制算法B控制的，因此可以视为DMD阵列分别按照点阵控制算法A和点阵控制算法B对该行进行曝光。而当完成对基板上所有行的曝光后，可以认为已经分别按照点阵控制算法A和点阵控制算法B对基板进行曝光，因此此时可以在基板上得到目标图案。
对于N＝4、J＝2的应用场景，为描述方便，仍然假设基板在垂直于扫描方向上被等分为P行，其中每行在垂直于扫描方向上的宽度为一个DMD阵列的宽度。并且假设所获取的4个曝光策略所使用的点阵控制算法不同，分别记为点阵控制算法A、点阵控制算法B、点阵控制算法C以及点阵控制算法D。
则可以是控制DMD阵列对基板进行2次曝光，其中，第一次曝光的过程可以与前述N＝J＝2的应用场景相同，在完成第一次曝光后，理论上基板上的任意行均已分别按照点阵控制算法A和点阵控制算法B进行过曝光。
第二次曝光的过程除所按照的点阵控制算法从点阵控制算法A、点阵控制算法B替换为点阵控制算法C、点阵控制算法D外，也与前述N＝J＝2的应用场景相同，在完成第二次曝光后，理论上基板上的任意行均已分别按照点阵控制算法A、点阵控制算法B、点阵控制算法C以及点阵控制算法D进行过曝光，因此此时可以在基板上曝光得到目标图案。
在其他可能的实施例中，第一次曝光时所按照的点阵控制算法也可以不为点阵控制算法A、点阵控制算法B，对应的，第二次曝光时所按照的点阵控制算法也可以不为点阵控制算法C、点阵控制算法D。但是第一次曝光时所按照的点阵控制算法应当与第二次曝光时所按照的点阵控制算法不同。
例如，在一种可能的实施例中，第一次曝光时所按照的点阵控制算法也可以为点阵控制算法A、点阵控制算法C，第二次曝光时所按照的点阵控制算法为点阵控制算法B、点阵控制算法D。又例如，在又一种可能的实施例中，第一次曝光时所按照的点阵控制算法也可以为点阵控制算法C、点阵控制算法D，第二次曝光时所按照的点阵控制算法为点阵控制算法A、点阵控制算法B。
选用该实施例，只需对基板进行K次曝光即可得到目标图案，由于K＝N/J，因此K小于N，相对于方式一可以有效降低曝光次数。并且当M＝J时，可以通过一次曝光得到目标图案。
方式四：
可以将DMD阵列划分为M*J个大小相同的子区域，并且在垂直于扫描方向上存在M行子区域，在扫描方向上存在J行子区域，M、J均为大于1的正整数，并且M*J等于N的因子。
在该方式中，可以控制DMD阵列对基板进行R次曝光，其中，R＝N/(M*J)，每次曝光时按照N个曝光策略中的M*J各曝光策略分别控制M*J个子区域中的DMD微镜片，并且任意两次曝光时所按照的曝光策略中不存在相同的曝光策略。
在该方式中，DMD阵列在垂直于扫面方向上的偏移量为DMD阵列的宽度的1/M。即每次完成基板上的一行的曝光后，控制DMD阵列在垂直于扫描方向上偏移DMD阵列的宽度的1/M。
为描述方便，下面将分别以N＝4、M＝2、J＝2以及N＝8、M＝2、J＝2为例进行示例性的说明，可以参见图6，图6所示为本发明实施例提供的DMD阵列的一种分区示意图。图6中DMD阵列被划分为4个大小相同的子区域，为描述方便，分别记为第五子区域、第六子区域、第七子区域以及第八子区域。其中，第六子区域位于第五子区域的垂直于扫描方向上，第七子区域位于第五子区域的扫描方向上，第八子区域位于第六子区域的扫描方向上并且位于第七子区域的垂直于扫描方向上。
对于N＝4、M＝2、J＝2的应用场景，为描述方便，假设基板在垂直于扫描方向上被等分为2P行，其中每行在垂直于扫描方向上的宽度为DMD阵列的宽度的1/2。并且假设所获取的4个曝光策略所使用的点阵控制算法不同，分别记为点阵控制算法A、点阵控制算法B、点阵控制算法C、点阵控制算法D。
则可以是首先控制DMD阵列对齐基板上相邻的两行，并且第五子区域、第七子区域对齐该相邻的两行中的一行(下文记为第四行)，第六子区域、第八子区域对齐该相邻的两行中的另一行(下文记为第五行)，控制DMD阵列对第四行和第五行进行曝光，并且在曝光过程中按照点阵控制算法A控制第五子区域中的DMD微镜片，按照点阵控制算法B控制第六子区域中的DMD微镜片，按照点阵控制算法C控制第七子区域中的DMD微镜片，按照点阵控制算法D控制第八子区域中的DMD微镜片。
在完成对第四行和第五行的曝光后，控制DMD阵列在垂直于扫面方向上偏移1/2个DMD阵列的宽度，此时DMD阵列将再次对齐基板上相邻的两行，假设此时对齐的相邻的两行为第五行和第六行，则由于DMD阵列的偏移，此时第五子区域、第七子区域对齐第五行，第六子区域、第八子区域对齐第六行。控制DMD阵列对第五行和第六行进行曝光，并且在曝光过程中按照点阵控制算法A控制第五子区域中的DMD微镜片，按照点阵控制算法B控制第六子区域中的DMD微镜片，按照点阵控制算法C控制第七子区域中的DMD微镜片，按照点阵控制算法D控制第八子区域中的DMD微镜片。
在完成对第五行和第六行的曝光后，可以继续控制DMD阵列在垂直于扫面方向上偏移1/2个DMD阵列的宽度，以使得DMD阵列将再次对齐基板上相邻的两行，并控制控制DMD阵列对所对齐的相邻的两行进行曝光，依次类推，直至完成对每相邻两行的曝光。
可以理解的是，在完成对第五行和第六行的曝光后，第五行已经分别按照点阵控制算法A、点阵控制算法B、点阵控制算法C以及点阵控制算法D进行过曝光，因此在完成对每相邻两行的曝光后，理论上基板上的任意行均已分别按照点阵控制算法A、点阵控制算法B、点阵控制算法C以及点阵控制算法D进行过曝光，因此此时可以在基板上曝光得到目标图案。
对于N＝8、M＝2、J＝2的应用场景，为描述方便，仍然假设基板在垂直于扫描方向上被等分为2P行，其中每行在垂直于扫描方向上的宽度为DMD阵列的宽度的1/2。并且假设所获取的8个曝光策略所使用的点阵控制算法不同，分别记为点阵控制算法A、点阵控制算法B、点阵控制算法C、点阵控制算法D、点阵控制算法E、点阵控制算法F、点阵控制算法G、点阵控制算法H。
则可以是控制DMD阵列对基板进行2次曝光，其中，第一次曝光的过程可以与前述N＝4、M＝2、J＝2的应用场景相同，在完成第一次曝光后，理论上基板上的任意行均已分别按照点阵控制算法A、点阵控制算法B、点阵控制算法C、点阵控制算法D进行过曝光。
第二次曝光的过程除所按照的点阵控制算法从点阵控制算法A、点阵控制算法B、点阵控制算法C、点阵控制算法D替换为点阵控制算法E、点阵控制算法F、点阵控制算法G、点阵控制算法H外，也与前述N＝4、M＝2、J＝2的应用场景相同，在完成第二次曝光后，理论上基板上的任意行均已分别按照点阵控制算法A、点阵控制算法B、点阵控制算法C、点阵控制算法D、点阵控制算法E、点阵控制算法F、点阵控制算法G、点阵控制算法H进行过曝光，因此此时可以在基板上曝光得到目标图案。
在其他可能的实施例中，第一次曝光时所按照的点阵控制算法也可以不为点阵控制算法A、点阵控制算法B、点阵控制算法C、点阵控制算法D，对应的，第二次曝光时所按照的点阵控制算法也可以不为点阵控制算法E、点阵控制算法F、点阵控制算法G、点阵控制算法H。但是第一次曝光时所按照的点阵控制算法应当与第二次曝光时所按照的点阵控制算法不同。
例如，在一种可能的实施例中，第一次曝光时所按照的点阵控制算法也可以为点阵控制算法A、点阵控制算法C、点阵控制算法E、点阵控制算法G，第二次曝光时所按照的点阵控制算法为点阵控制算法B、点阵控制算法D、点阵控制算法F、点阵控制算法H。又例如，在又一种可能的实施例中，第一次曝光时所按照的点阵控制算法也可以为点阵控制算法E、点阵控制算法F、点阵控制算法G、点阵控制算法H，第二次曝光时所按照的点阵控制算法为点阵控制算法A、点阵控制算法B、点阵控制算法C、点阵控制算法D。
选用该实施例，只需对基板进行R次曝光即可得到目标图案，由于R＝N/(M*J)，因此R小于N，相对于方式一可以有效降低曝光次数。并且当M＝N*J时，可以通过一次曝光得到目标图案。
可以理解的是，一些曝光策略对DMD微镜片的数量存在需求，只有当控制大于一定数量的DMD微镜片时，这些曝光策略才能够得以实现。下文中为描述方便，将该一定数量称为曝光策略所需的最少DMD微镜片数量。不同的曝光策略所需的最少DMD微镜片数量不同，而如前述方式二、方式三以及方式四中所划分的子区域内包含的DMD微镜片的数量在子区域划分后往往是固定的，因此如果曝光策略所需的最少DMD微镜片数量大于所划分的子区域内包含的DMD微镜片的数量，则无法采用该曝光策略，导致方案的适用性有限。
基于此，在一种可能的实施例中，DMD阵列中任意两个相邻的子区域之间设置有缓冲区，如果DMD阵列中任一子区域所包括的DMD微镜片的数量小于下限数量，则将与该子区域相邻的缓冲区中的DMD微镜片划分至该子区域，其中，下限数量为控制该子区域中的DMD微镜片时所按照的曝光策略所需的最少DMD微镜片数量。
示例性的，可以参见前述图4-6，图中任意相邻两个子区域之间未被划分至任意子区域的区域即为缓冲区，例如图4中第一子区域与第二子区域之间的区域。
选用该实施例，可以通过设置缓冲区的方式使得能够根据所采用的曝光策略对应调整各个子区域的大小，以使得各子区域内包含的DMD微镜片数量大于该子区域所按照的曝光策略所需的最少DMD微镜片数量，从而使得能够采用更多的曝光策略，即可以有效提供方案的适用性。
示例性的，假设DMD阵列中一共包含2T个DMD微镜片，其中，T为任意正整数。并且假设将DMD阵列划分为两个子区域，如果不设置缓冲区，则每个子区域内可以包含T个DMD镜片，可见，对于所需的最少DMD微镜片数量大于T的曝光策略，在该实施例中无法被采用。
如果设置缓冲区，并且假设缓冲区内包含的DMD微镜片数量为2Y个，则每个子区域内可以包含T-Y个DMD镜片，则如果一个子区域所按照的曝光策略A所需的最少DMD微镜片数量为T+U，其中U为小于Y的正整数，而另一个子区域所按照的曝光策略B所需的最少DMD微镜片数量小于T-Y，则可以将缓冲区中的Y+U个DMD微镜片划分至该一个子区域，则该一个子区域将包含T+U个DMD镜片，能够实现曝光策略A。可见，选用该实施例，对于所需的最少DMD微镜片数量大于T的曝光策略也可以被采用。
参见图7，图7所示为本发明实施例提供的曝光装置的一种结构示意图，可以包括：
策略获取模块701，用于获取N个曝光策略，其中，每个曝光策略用于曝光生成一个子图案，并且所述N个曝光策略用于生成的所有子图案的叠加图案为目标图案，并且至少两个曝光策略用于生成不同的子图案，所述N为大于1的正整数；
曝光控制模块702，用于控制DMD阵列分别按照所述N个曝光策略对基板进行曝光，以在所述基板上曝光生成所述目标图案。
在一种可能的实施例中，所述曝光控制模块702控制DMD阵列分别按照所述N个曝光策略对基板进行曝光，包括：
控制DMD阵列对基板进行N次曝光，其中，每次曝光时按照所述N个曝光策略中的一个曝光策略控制所述DMD阵列中的DMD微镜片，并且每次曝光时所按照的曝光策略不同。
在一种可能的实施例中，所述DMD阵列在垂直于扫描方向被划分为M个大小相同的子区域，所述M为N的大于1的因子；
所述曝光控制模块702控制DMD阵列分别按照所述N个曝光策略对基板进行曝光，包括：
控制DMD阵列对基板进行L次曝光，其中，所述L＝N/M，每次曝光时按照所述N个曝光策略中的M个曝光策略分别控制所述M个子区域中的DMD微镜片，并且任意两次曝光时所按照的曝光策略中不存在相同的曝光策略，并且每次曝光时所述DMD阵列在垂直扫描方向上的偏移量为所述DMD阵列的宽度的1/M。
在一种可能的实施例中，所述DMD阵列在扫描方向被划分为J个大小相同的子区域，所述J为N的大于1的因子；
所述曝光控制模块702控制DMD阵列分别按照所述N个曝光策略对基板进行曝光，包括：
控制DMD阵列对基板进行K次曝光，其中，所述K＝N/J，每次曝光时按照所述N曝光策略中的J个曝光策略分别控制所述J个子区域中的DMD微镜片，并且任意两次曝光时所按照的曝光策略中不存在相同的曝光策略。
在一种可能的实施例中，所述DMD阵列被划分为M*J个大小相同的子区域，并且在垂直于扫描方向上存在M行子区域，在扫描方向存在J行子区域，M*J等于N的因子；
所述曝光控制模块702控制DMD阵列分别按照所述N个曝光策略对基板进行曝光，包括：
控制DMD阵列对基板进行R次曝光，其中，所述R＝N/(M*J)，每次曝光时按照所述N曝光策略中的M*J个曝光策略分别控制所述M*J个子区域中的DMD微镜片，并且任意两次曝光时所按照的曝光策略中不存在相同的曝光策略，并且每次曝光时所述DMD阵列在垂直扫描方向上的偏移量为所述DMD阵列的宽度的1/M。
在一种可能的实施例中，所述DMD阵列中任意两个相邻的子区域之间设置有缓冲区；
所述装置还包括：
动态边界模块，用于如果所述DMD阵列中任一子区域所包括的DMD微镜片的数量小于下限数量，将与该子区域相邻的缓冲区中的DMD微镜片划分至该子区域，其中，所述下限数量为控制该子区域中的DMD微镜片时所按照的曝光策略所需的最少DMD微镜片数量。
在一种可能的实施例中，所述N个曝光策略中至少两个曝光策略中所使用的点阵控制算法不同。
本发明实施例还提供了一种电子设备，如图8所示，包括处理器801、通信接口802、存储器803和通信总线804，其中，处理器801，通信接口802，存储器803通过通信总线804完成相互间的通信，
存储器803，用于存放计算机程序；
处理器801，用于执行存储器803上所存放的程序时，实现如下步骤：
获取N个曝光策略，其中，每个曝光策略用于曝光生成一个子图案，并且所述N个曝光策略用于生成的所有子图案的叠加图案为目标图案，并且至少两个曝光策略用于生成不同的子图案，所述N为大于1的正整数；
控制DMD阵列分别按照所述N个曝光策略对基板进行曝光，以在所述基板上曝光生成所述目标图案。
上述电子设备提到的通信总线可以是外设部件互连标准(Peripheral ComponentInterconnect，PCI)总线或扩展工业标准结构(Extended Industry StandardArchitecture，EISA)总线等。该通信总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示，图中仅用一条粗线表示，但并不表示仅有一根总线或一种类型的总线。
通信接口用于上述电子设备与其他设备之间的通信。
存储器可以包括随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)，也可以包括非易失性存储器(Non-Volatile Memory，NVM)，例如至少一个磁盘存储器。可选的，存储器还可以是至少一个位于远离前述处理器的存储装置。
上述的处理器可以是通用处理器，包括中央处理器(Central Processing Unit，CPU)、网络处理器(Network Processor，NP)等；还可以是数字信号处理器(Digital SignalProcessor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。
在本发明提供的又一实施例中，还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质内存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一曝光方法的步骤。
在本发明提供的又一实施例中，还提供了一种包含指令的计算机程序产品，当其在计算机上运行时，使得计算机执行上述实施例中任一曝光方法。
在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。所述计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行所述计算机程序指令时，全部或部分地产生按照本发明实施例所述的流程或功能。所述计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。所述计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，所述计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线(例如同轴电缆、光纤、数字用户线(DSL))或无线(例如红外、无线、微波等)方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。所述计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。所述可用介质可以是磁性介质，(例如，软盘、硬盘、磁带)、光介质(例如，DVD)、或者半导体介质(例如固态硬盘Solid State Disk(SSD))等。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于装置、电子设备、计算机可读存储介质以及计算机程序产品的实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种曝光方法，其特征在于，所述方法包括：
获取N个曝光策略，其中，每个曝光策略用于曝光生成一个子图案，并且所述N个曝光策略用于生成的所有子图案的叠加图案为目标图案，并且至少两个曝光策略用于生成不同的子图案，所述N为大于1的正整数；
控制DMD阵列分别按照所述N个曝光策略对基板进行曝光，以在所述基板上曝光生成所述目标图案。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制DMD阵列分别按照所述N个曝光策略对基板进行曝光，包括：
控制DMD阵列对基板进行N次曝光，其中，每次曝光时按照所述N个曝光策略中的一个曝光策略控制所述DMD阵列中的DMD微镜片，并且每次曝光时所按照的曝光策略不同。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述DMD阵列在垂直于扫描方向被划分为M个大小相同的子区域，所述M为N的大于1的因子；
所述控制DMD阵列分别按照所述N个曝光策略对基板进行曝光，包括：
控制DMD阵列对基板进行L次曝光，其中，所述L＝N/M，每次曝光时按照所述N个曝光策略中的M个曝光策略分别控制所述M个子区域中的DMD微镜片，并且任意两次曝光时所按照的曝光策略中不存在相同的曝光策略，并且每次曝光时所述DMD阵列在垂直扫描方向上的偏移量为所述DMD阵列的宽度的1/M。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述DMD阵列在扫描方向被划分为J个大小相同的子区域，所述J为N的大于1的因子；
所述控制DMD阵列分别按照所述N个曝光策略对基板进行曝光，包括：
控制DMD阵列对基板进行K次曝光，其中，所述K＝N/J，每次曝光时按照所述N曝光策略中的J个曝光策略分别控制所述J个子区域中的DMD微镜片，并且任意两次曝光时所按照的曝光策略中不存在相同的曝光策略。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述DMD阵列被划分为M*J个大小相同的子区域，并且在垂直于扫描方向上存在M行子区域，在扫描方向存在J行子区域，M*J等于N的因子；
所述控制DMD阵列分别按照所述N个曝光策略对基板进行曝光，包括：
控制DMD阵列对基板进行R次曝光，其中，所述R＝N/(M*J)，每次曝光时按照所述N曝光策略中的M*J个曝光策略分别控制所述M*J个子区域中的DMD微镜片，并且任意两次曝光时所按照的曝光策略中不存在相同的曝光策略，并且每次曝光时所述DMD阵列在垂直扫描方向上的偏移量为所述DMD阵列的宽度的1/M。
6.根据权利要求3-5任一所述的方法，其特征在于，所述DMD阵列中任意两个相邻的子区域之间设置有缓冲区；
所述方法还包括：
如果所述DMD阵列中任一子区域所包括的DMD微镜片的数量小于下限数量，将与该子区域相邻的缓冲区中的DMD微镜片划分至该子区域，其中，所述下限数量为控制该子区域中的DMD微镜片时所按照的曝光策略所需的最少DMD微镜片数量。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N个曝光策略中至少两个曝光策略中所使用的点阵控制算法不同。
8.一种曝光装置，其特征在于，所述装置包括：
策略获取模块，用于获取N个曝光策略，其中，每个曝光策略用于曝光生成一个子图案，并且所述N个曝光策略用于生成的所有子图案的叠加图案为目标图案，并且至少两个曝光策略用于生成不同的子图案，所述N为大于1的正整数；
曝光控制模块，用于控制DMD阵列分别按照所述N个曝光策略对基板进行曝光，以在所述基板上曝光生成所述目标图案。
9.一种电子设备，其特征在于，包括处理器、通信接口、存储器和通信总线，其中，处理器，通信接口，存储器通过通信总线完成相互间的通信；
存储器，用于存放计算机程序；
处理器，用于执行存储器上所存放的程序时，实现权利要求1-7任一所述的方法步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质内存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-7任一所述的方法步骤。
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| PB01 | Publication | ||
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