CN113296369A - 用于光学临近修正的图形量测方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种用于光学临近修正的图形量测方法，所述方法包括：电子束扫描测试样本，提取所述测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸；将提取的特征尺寸以及边缘尺寸与标准值作比较，获得差值；根据上述差值调整电子束，直到提取的测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸与标准值的偏差小于一设定阈值；记录上述步骤获得的电子束调整的参数值，用于检测后续的二维图形。上述技术方案使得测量尺寸更精确，提高光学临近修正的效果。

Description

用于光学临近修正的图形量测方法及装置

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于光学临近修正的图形量测方法及装置。

背景技术

用于光学临近修正的图形量测方法一般采用电镜扫描方式，扫描电镜的电子束只有在沿着图形边缘垂直方向扫描，才会有灰度的梯度变化，才能扫出清晰的SEM影像。传统的单一方向扫描只能满足单一方向的要求，而对于复杂的2D图形总有一边会模糊不清，这会给OPC在修正时提取准确的2D图形的特征尺寸和边缘尺寸带来一定的困难。

因此，如何提高二维图形量测的准确性是需要解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种用于光学临近修正的图形量测方法及装置，其能够提高二维图形量测的准确性。

为了解决上述问题，本发明提供了一种用于光学临近修正的图形量测方法，所述方法包括：电子束扫描测试样本，提取所述测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸；将提取的特征尺寸以及边缘尺寸与标准值作比较，获得差值；根据上述差值调整电子束，直到提取的测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸与标准值的偏差小于一设定阈值；记录上述步骤获得的电子束调整的参数值，用于检测后续的二维图形。

可选的，所述标准值为第一量测模式下的所述测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸；所述第一量测模式下的电子束扫描方向与所述测试样本的特征尺寸的量测方向相同。

可选的，所述电子束扫描所述测试样本采用倾斜扫描的方式。

可选的，所述根据上述差值调整电子束包括：调整电子束的电子剂量和/或所述倾斜扫描的角度。

可选的，所述测试样本为二维光刻胶测试图形，所述二维光刻胶测试图形具有第一方向和第二方向；所述二维光刻胶测试图形的特征尺寸包括第一方向上的第一特征尺寸和第二方向上的第二特征尺寸；调整所述电子束的电子剂量和/或所述倾斜扫描的角度使得所述二维光刻胶测试图形的第一方向上的所述第一特征尺寸和所述第二方向上的所述第二特征尺寸在所述电子束扫描下的微缩量相同。

可选的，所述测试样本为二维光刻胶测试图形，所述二维光刻胶测试图形包括第一二维光刻胶测试图形和第二二维光刻胶测试图形，所述第一二维光刻胶测试图形和所述第二二维光刻胶测试图形的延伸方向不同；所述第一二维光刻胶测试图形具有第一方向和第二方向，所述第二二维光刻胶测试图形具有第三方向和第四方向；调整所述电子束的电子剂量和/或所述倾斜扫描的角度使得所述第一二维光刻胶测试图形在所述第一方向和所述第二方向上以及所述第二二维光刻胶测试图形在所述第三方向和所述第四方向上的特征尺寸在所述电子束扫描下的微缩量均相同。

可选的，所述第一二维光刻胶测试图形和所述第二二维光刻胶测试图形的延伸方向相垂直；所述第一方向和所述第三方向相同；所述第二方向和所述第四方向相同。

可选的，所述测试样本包括特征尺寸以及边缘尺寸不同的多个测试样本。

可选的，所述直到提取的测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸与标准值的偏差小于一设定阈值，包括提取的每个所述测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸与对应的所述测试样本的标准值相比，偏差均小于一设定阈值。

上述技术方案，通过获得特征尺寸以及边缘尺寸的测量值和测试样本标准值之间的差值，依据获得的差值调整电子束的角度和/或者剂量，使得特征尺寸以及边缘尺寸在不同方向上清晰成像，同时减小了光刻胶的微缩量减小，使得测量尺寸更精确，并且由于倾斜扫描角度可以调整，能够适用于更复杂的图形测试。

本发明还提供了一种用于光学临近修正的图形量测装置，所述装置包括：参数提取单元，用于采用电子束扫描测试样本，提取所述测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸；计算单元，用于将提取的特征尺寸以及边缘尺寸与标准值作比较，获得差值；调整单元，用于根据上述差值调整电子束，直到提取的测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸与标准值的偏差小于一设定阈值；存储单元，记录上述步骤获得的电子束调整的参数值，用于检测后续的二维图形。

可选的，所述标准值为第一量测模式下的所述测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸；所述第一量测模式下的电子束扫描方向与所述测试样本的特征尺寸的量测方向相同。

可选的，所述电子束扫描所述测试样本采用倾斜扫描的方式。

可选的，所述根据上述差值调整电子束包括：调整电子束的电子剂量和/或所述倾斜扫描的角度。

可选的，所述测试样本为二维光刻胶测试图形，所述二维光刻胶测试图形具有第一方向和第二方向；所述二维光刻胶测试图形的特征尺寸包括第一方向上的第一特征尺寸和第二方向上的第二特征尺寸；调整所述电子束的电子剂量和/或所述倾斜扫描的角度使得所述二维光刻胶测试图形的第一方向上的所述第一特征尺寸和所述第二方向上的所述第二特征尺寸在所述电子束扫描下的微缩量相同。

可选的，所述测试样本为二维光刻胶测试图形，所述二维光刻胶测试图形包括第一二维光刻胶测试图形和第二二维光刻胶测试图形，所述第一二维光刻胶测试图形和所述第二二维光刻胶测试图形的延伸方向不同；所述第一二维光刻胶测试图形具有第一方向和第二方向，所述第二二维光刻胶测试图形具有第三方向和第四方向；调整所述电子束的电子剂量和/或所述倾斜扫描的角度使得所述第一二维光刻胶测试图形在所述第一方向和所述第二方向上以及所述第二二维光刻胶测试图形在所述第三方向和所述第四方向上的特征尺寸在所述电子束扫描下的微缩量均相同。

可选的，所述第一二维光刻胶测试图形和所述第二二维光刻胶测试图形的延伸方向相垂直；所述第一方向和所述第三方向相同；所述第二方向和所述第四方向相同。

上述技术方案，通过获得特征尺寸以及边缘尺寸的测量值和测试样本标准值之间的差值，依据获得的差值调整电子束的角度和/或者剂量，使得特征尺寸以及边缘尺寸在不同方向上清晰成像，同时减小了光刻胶的微缩量减小，使得测量尺寸更精确，并且由于倾斜扫描角度可以调整，能够适用于更复杂的图形测试。

附图说明

图1是本发明一具体实施方式提供的用于光学临近修正的图形量测方法的流程图。

图2是本发明一具体实施方式提供的用于光学临近修正的图形量测方法的示意图。

图3是本发明一具体实施方式提供的第一测量模式下电子束扫描待测二维图形的示意图。

图4是本发明另一具体实施方式提供的用于光学临近修正的图形量测方法的示意图。

图5是本发明一具体实施方式提供的用于光学临近修正的图形量测装置的原理图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明提供的用于光学临近修正的图形量测方法及装置的具体实施方式做详细说明。

附图1所示是本发明一具体实施方式提供的用于光学临近修正的图形量测方法的流程图。本发明用于光学临近修正的图形量测方法包括：步骤S101电子束扫描测试样本，提取所述测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸；步骤S102将提取的特征尺寸以及边缘尺寸与标准值作比较，获得差值；步骤S103根据上述差值调整电子束，直到提取的测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸与标准值的偏差小于一设定阈值；步骤S104记录上述步骤获得的电子束调整的参数值，用于检测后续的二维图形。

步骤S101所示电子束扫描测试样本，提取所述测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸。具体的，所述电子束扫描所述测试样本可以采用倾斜扫描的方式，使得在所述测试样本的两个垂直方向清晰成像。具体如附图2所示，所述测试样本P11、以及P12为二维光刻胶测试图形，所述二维光刻胶测试图形具有第一方向和第二方向，所述二维光刻胶测试图形的特征尺寸包括第一方向上的第一特征尺寸X1、X2以及第二方向上的第二特征尺寸Y1、Y2，所述测试样本可以是第一特征尺寸相同即X1＝X2、第二特征尺寸相同即Y1＝Y2、或者特征尺寸相同即X1＝X2且Y1＝Y2的二维图形，还包括第一特征尺寸不同和/或第二特征尺寸不同即X1≠X2和/或Y1≠Y2的多个测试样本，多个测试样本的具体情况将在展示附图4时表述。附图2中所示倾斜扫描方式的电子束与测试图形的待测边缘之间有α角度差，可以同时测量第一方向以及第二方向的特征尺寸以及边缘尺寸。具体的，测试样本P11的第一方向上的第一特征尺寸X1可以定义为测试样本P11的边缘在第一方向上的最大值、最小值或平均值；也可以定位为测试样本P11的边缘上的部分区域在在第一方向上的最大值、最小值或平均值。测试样本P11的第二方向上的第二特征尺寸Y1可以定义为测试样本P11的边缘在第二方向上的最大值、最小值或平均值；也可以定位为测试样本P11的边缘上的部分区域在在第二方向上的最大值、最小值或平均值。测试样本P11的边缘尺寸可以理解为测试样本P11的边缘轮廓。同理P12的第一特征尺寸X2、第二特征尺寸Y2和边缘尺寸也可以与P11的同样理解。

步骤S102所示将提取的特征尺寸以及边缘尺寸与标准值作比较，获得差值，所述标准值具体为第一量测模式下的所述测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸，所述第一量测模式下的电子束扫描方向与所述测试样本的特征尺寸的量测方向相同。如附图3所示，所述第一量测模式下的电子束扫描方式具体为分别对测试样本P1第一方向上的的特征尺寸X以及第二方向上的特征尺寸Y进行测量，即以电子束沿着图形边缘垂直方向扫描的方式作为第一量测模式获得的所述测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸。具体的，测试样本P1在第一方向上的特征尺寸X以及边缘尺寸是电子束沿第一方向扫描测试样本P1得到的量测值；测试样本P1在第二方向上的特征尺寸Y以及边缘尺寸是电子束沿第二方向扫描测试样本P1得到的量测值。所述差值可以包括特征尺寸的差值，以及边缘尺寸的差值。所述特征尺寸的差值可以通过比较提取的测试样本的特征尺寸和第一量测模式下的测试样本的特征尺寸的差异得到；所述边缘尺寸的差值可以通过比较提取的测试样本的边缘轮廓和第一量测模式下的测试样本的边缘轮廓的差异得到，例如，将提取的测试样本的边缘轮廓和第一量测模式下的测试样本的边缘轮廓进行叠对比较可以得到边缘尺寸的差值，例如，可以定义叠对后差异区域的最大尺寸或平均尺寸为边缘尺寸的差值。

步骤S103所示根据上述差值调整电子束，直到提取的测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸与标准值的偏差小于一设定阈值。根据上述差值调整电子束包括调整电子束的电子剂量或所述倾斜扫描的角度α，也可以同时调整电子束的电子剂量和所述倾斜扫描的角度。由于倾斜扫描具有更大的扫描面积，因此同剂量电子束在倾斜扫描与第一量测模式下扫描的过程中光刻胶的微缩量是不同的，因此需要根据上述差值调整电子束剂量或者倾斜扫描的角度α以减少所述光刻胶的微缩量。具体如附图2所示，M1为真实光刻胶外轮廓，M2为电子束扫描后的光刻胶外轮廓，调整所述电子束的电子剂量和/或所述倾斜扫描的角度α使得所述二维光刻胶测试图形P11的第一方向上的所述第一特征尺寸X1的微缩量ΔX11和所述第二方向上的所述第二特征尺寸Y1在所述电子束扫描下的微缩量ΔY11相同,即ΔX11＝ΔY11。在具有多个相同特征尺寸的测试样本的情况下，可以调整电子束剂量或者倾斜扫描的角度α，使得ΔX11＝ΔY11＝ΔX12＝ΔY12。所述直到提取的测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸与标准值的偏差小于一设定阈值，包括提取的每个所述测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸与对应的所述测试样本的标准值相比，偏差均小于一设定阈值，设定的阈值具体可以按照工艺要求设置。例如，所述阈值可以为1nm、0.8nm、0.5nm、0.3nm等。

在其他具体实施方式中，所述测试样本为二维光刻胶测试图形，所述二维光刻胶测试图形还可以包括如附图4所示的第一二维光刻胶测试图形P1和第二二维光刻胶测试图形P2，所述第一二维光刻胶测试图形P1具有第一方向的特征尺寸X1和第二方向的特征尺寸Y1，所述第二二维光刻胶测试图形P2具有第三方向的特征尺寸X2和第四方向的特征尺寸Y2；调整所述电子束的电子剂量和/或所述倾斜扫描的角度使得所述第一二维光刻胶测试图形P1在所述第一方向上的特征尺寸微缩量ΔX1和所述第二方向上的特征尺寸微缩量ΔY1以及所述第二二维光刻胶测试图形P2在所述第三方向上的特征尺寸微缩量ΔX2和所述第四方向上的特征尺寸微缩量ΔY2在所述电子束扫描下均相同，即ΔX1＝ΔY1＝ΔX2＝ΔY2。附图4中，所述第一二维光刻胶测试图形P1和所述第二二维光刻胶测试图形P2的延伸方向相垂直，在其他示例中，所述第一二维光刻胶测试图形P1和所述第二二维光刻胶测试图形P2的延伸方向具有锐角的夹角。

步骤S104所示记录上述步骤获得的电子束调整的参数值，用于检测后续的二维图形。具体是记录在上述步骤中电子束调整的电子剂量以及倾斜扫描的角度α，在检测后续的二维图形时直接调取参数值完成量测，能够快速准确的得到待测二维图形的特征尺寸及边缘尺寸。

上述技术方案，通过获得测量值和测试样本标准值之间的差值，依据差值调整倾斜扫描电子束的角度以及剂量，使得特征尺寸以及边缘尺寸在不同方向上清晰成像，同时减小了光刻胶的微缩量，使得测量尺寸更精确，并且由于倾斜扫描角度可以调整，能够适用于更复杂的图形测试。在收集OPC模型的测试图形的特征尺寸和边缘尺寸时，利用上述方法可以得到更精确的数据结果，进而提高光学临近的修正效果。

附图5所示是本发明一具体实施方式提供的用于光学临近修正的图形量测装置的原理图。所述用于光学临近修正的图形量测装置包括：参数提取单元，用于采用电子束扫描测试样本，提取所述测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸；计算单元，用于将提取的特征尺寸以及边缘尺寸与标准值作比较，获得差值；调整单元，用于根据上述差值调整电子束，直到提取的测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸与标准值的偏差小于一设定阈值；存储单元，记录获得的电子束调整的参数值，用于检测后续的二维图形。

所示参数提取单元，用于采用电子束扫描测试样本，提取所述测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸，所述电子束扫描所述测试样本采用倾斜扫描的方式，使得在所述测试样本的两个垂直方向清晰成像。具体如附图2所示，所述测试样本P11、以及P12为二维光刻胶测试图形，所述二维光刻胶测试图形具有第一方向和第二方向，所述二维光刻胶测试图形的特征尺寸包括第一方向上的第一特征尺寸X1和/或X2以及第二方向上的第二特征尺寸Y1和/或Y2，所述测试样本可以是第一特征尺寸相同即X1＝X2、第二特征尺寸相同即Y1＝Y2、或者特征尺寸相同即X1＝X2且Y1＝Y2的二维图形，还包括第一特征尺寸不同和/或第二特征尺寸不同即X1≠X2和/或Y1≠Y2的多个测试样本，多个测试样本的具体情况将在展示附图4时表述。附图2中所示倾斜扫描方式的电子束与测试图形的待测边缘之间有α角度差，可以同时测量第一方向以及第二方向的特征尺寸以及边缘尺寸。

所示计算单元将提取的特征尺寸以及边缘尺寸与标准值作比较，获得差值，所述标准值具体为第一量测模式下的所述测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸，所述第一量测模式具体如附图3所示，所述第一量测模式下的电子束扫描方式具体为分别对测试样本P1第一方向上的的特征尺寸X以及第二方向上的特征尺寸Y进行测量，即以电子束沿着图形边缘垂直方向扫描的方式作为第一量测模式获得所述测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸。

所示调整单元根据上述差值调整电子束，判断偏差情况，直到提取的测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸与标准值的偏差小于一设定阈值。根据上述差值调整电子束包括调整电子束的电子剂量或所述倾斜扫描的角度α，也可以同时调整电子束的电子剂量和所述倾斜扫描的角度。由于倾斜扫描具有更大的扫描面积，因此同剂量电子束在倾斜扫描与第一量测模式下扫描的的过程中光刻胶的微缩量是不同的，因此需要根据上述差值调整电子束剂量或者倾斜扫描的角度α，使得光刻胶的微缩量减小。具体如附图2所示，M1为真实光刻胶外轮廓，M2为电子束扫描后由于光阻导致的光刻胶外轮廓，调整所述电子束的电子剂量和/或所述倾斜扫描的角度α使得所述二维光刻胶测试图形P11的第一方向上的所述第一特征尺寸X1的微缩量ΔX11和所述第二方向上的所述第二特征尺寸Y1在所述电子束扫描下的微缩量ΔY11相同,即ΔX11＝ΔY11。在具有多个相同特征尺寸的测试样本的情况下，可以调整电子束剂量或者倾斜扫描的角度α，使得ΔX11＝ΔY11＝ΔX12＝ΔY12。所述直到提取的测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸与标准值的偏差小于一设定阈值，包括提取的每个所述测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸与对应的所述测试样本的标准值相比，偏差均小于一设定阈值，设定的阈值具体可以按照工艺要求设置。

在其他具体实施方式中，所述测试样本为二维光刻胶测试图形，所述二维光刻胶测试图形还可以包括如附图4所示的第一二维光刻胶测试图形P1和第二二维光刻胶测试图形P2，所述第一二维光刻胶测试图形P1具有第一方向的特征尺寸X1和第二方向的特征尺寸Y1，所述第二二维光刻胶测试图形P2具有第三方向的特征尺寸X2和第四方向的特征尺寸Y2；调整所述电子束的电子剂量和/或所述倾斜扫描的角度使得所述第一二维光刻胶测试图形P1在所述第一方向上的特征尺寸微缩量ΔX1和所述第二方向上的特征尺寸微缩量ΔY1以及第二二维光刻胶测试图形P2在所述第三方向上的特征尺寸微缩量ΔX2和所述第四方向上的特征尺寸微缩量ΔY2在所述电子束扫描下均相同，即ΔX1＝ΔY1＝ΔX2＝ΔY2。附图4中，所述第一二维光刻胶测试图形P1和所述第二二维光刻胶测试图形P2的延伸方向相垂直，在其他示例中，所述第一二维光刻胶测试图形P1和所述第二二维光刻胶测试图形P2的延伸方向具有锐角的夹角。

所述存储单元记录上述步骤获得的电子束调整的参数值，用于检测后续的二维图形。具体是记录在上述步骤中电子束调整的电子剂量以及倾斜扫描的角度α，在检测后续的二维图形时直接调取参数值完成量测，能够快速准确的得到待测二维图形的特征尺寸及边缘尺寸

上述技术方案通过参数提取单元获得测量值和测试样本标准值之间的差值，再通过计算单元将提取的特征尺寸以及边缘尺寸与标准值作比较，获得差值，调整单元，用于根据上述差值调整电子束，直到提取的测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸与标准值的偏差小于一设定阈值，最后通过存储单元，记录获得的电子束调整的参数值，用于检测后续的二维图形，依据差值调整倾斜扫描电子束的角度以及剂量，使得特征尺寸以及边缘尺寸在不同方向上清晰成像，同时减小了光刻胶的微缩量，使得测量尺寸更精确，并且由于倾斜扫描角度可以调整，能够适用于更复杂的图形测试。在收集OPC模型的测试图形的特征尺寸和边缘尺寸时，利用上述方法可以得到更精确的数据结果，进而提高光学临近的修正效果。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (16)

1.一种用于光学临近修正的图形量测方法，其特征在于，包括：

电子束扫描测试样本，提取所述测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸；

将提取的特征尺寸以及边缘尺寸与标准值作比较，获得差值；

根据上述差值调整电子束，直到提取的测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸与标准值的偏差小于一设定阈值；

记录上述步骤获得的电子束调整的参数值，用于检测后续的二维图形。

2.根据权利要求1所述的用于光学临近修正的图形量测方法，其特征在于，所述标准值为第一量测模式下的所述测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸；所述第一量测模式下的电子束扫描方向与所述测试样本的特征尺寸的量测方向相同。

3.根据权利要求2所述的用于光学临近修正的图形量测方法，其特征在于，所述电子束扫描所述测试样本采用倾斜扫描的方式。

4.根据权利要求3所述的用于光学临近修正的图形量测方法，其特征在于，所述根据上述差值调整电子束包括：调整电子束的电子剂量和/或所述倾斜扫描的角度。

5.根据权利要求4所述的用于光学临近修正的图形量测方法，其特征在于，所述测试样本为二维光刻胶测试图形，所述二维光刻胶测试图形具有第一方向和第二方向；

所述二维光刻胶测试图形的特征尺寸包括第一方向上的第一特征尺寸和第二方向上的第二特征尺寸；

调整所述电子束的电子剂量和/或所述倾斜扫描的角度使得所述二维光刻胶测试图形的第一方向上的所述第一特征尺寸和所述第二方向上的所述第二特征尺寸在所述电子束扫描下的微缩量相同。

6.根据权利要求4所述的用于光学临近修正的图形量测方法，其特征在于，所述测试样本为二维光刻胶测试图形，所述二维光刻胶测试图形包括第一二维光刻胶测试图形和第二二维光刻胶测试图形，所述第一二维光刻胶测试图形和所述第二二维光刻胶测试图形的延伸方向不同；

所述第一二维光刻胶测试图形具有第一方向和第二方向，所述第二二维光刻胶测试图形具有第三方向和第四方向；

调整所述电子束的电子剂量和/或所述倾斜扫描的角度使得所述第一二维光刻胶测试图形在所述第一方向和所述第二方向上以及所述第二二维光刻胶测试图形在所述第三方向和所述第四方向上的特征尺寸在所述电子束扫描下的微缩量均相同。

7.根据权利要求6所述的用于光学临近修正的图形量测方法，其特征在于，所述第一二维光刻胶测试图形和所述第二二维光刻胶测试图形的延伸方向相垂直；所述第一方向和所述第三方向相同；所述第二方向和所述第四方向相同。

8.根据权利要求1所述的用于光学临近修正的图形量测方法，其特征在于，所述测试样本包括特征尺寸以及边缘尺寸不同的多个测试样本。

9.根据权利要求8所述的用于光学临近修正的图形量测方法，其特征在于，所述直到提取的测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸与标准值的偏差小于一设定阈值，包括提取的每个所述测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸与对应的所述测试样本的标准值相比，偏差均小于一设定阈值。

10.一种用于光学临近修正的图形量测装置，其特征在于，包括：

参数提取单元，用于采用电子束扫描测试样本，提取所述测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸；

计算单元，用于将提取的特征尺寸以及边缘尺寸与标准值作比较，获得差值；

调整单元，用于根据上述差值调整电子束，直到提取的测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸与标准值的偏差小于一设定阈值；

存储单元，记录上述步骤获得的电子束调整的参数值，用于检测后续的二维图形。

11.根据权利要求10所述的用于光学临近修正的图形量测装置，其特征在于，所述标准值为第一量测模式下的所述测试样本的特征尺寸以及边缘尺寸；

所述第一量测模式下的电子束扫描方向与所述测试样本的特征尺寸的量测方向相同。

12.根据权利要求11所述的用于光学临近修正的图形量测装置，其特征在于，所述电子束扫描所述测试样本采用倾斜扫描的方式。

13.根据权利要求12所述的用于光学临近修正的图形量测装置，其特征在于，所述根据上述差值调整电子束包括：调整电子束的电子剂量和/或所述倾斜扫描的角度。

14.根据权利要求13所述的用于光学临近修正的图形量测装置，其特征在于，所述测试样本为二维光刻胶测试图形，所述二维光刻胶测试图形具有第一方向和第二方向；

所述二维光刻胶测试图形的特征尺寸包括第一方向上的第一特征尺寸和第二方向上的第二特征尺寸；

调整所述电子束的电子剂量和/或所述倾斜扫描的角度使得所述二维光刻胶测试图形的第一方向上的所述第一特征尺寸和所述第二方向上的所述第二特征尺寸在所述电子束扫描下的微缩量相同。

15.根据权利要求13所述的用于光学临近修正的图形量测装置，其特征在于，所述测试样本为二维光刻胶测试图形，所述二维光刻胶测试图形包括第一二维光刻胶测试图形和第二二维光刻胶测试图形，所述第一二维光刻胶测试图形和所述第二二维光刻胶测试图形的延伸方向不同；

所述第一二维光刻胶测试图形具有第一方向和第二方向，所述第二二维光刻胶测试图形具有第三方向和第四方向；

调整所述电子束的电子剂量和/或所述倾斜扫描的角度使得所述第一二维光刻胶测试图形在所述第一方向和所述第二方向上以及所述第二二维光刻胶测试图形在所述第三方向和所述第四方向上的特征尺寸在所述电子束扫描下的微缩量均相同。

16.根据权利要求15所述的用于光学临近修正的图形量测装置，其特征在于，所述第一二维光刻胶测试图形和所述第二二维光刻胶测试图形的延伸方向相垂直；所述第一方向和所述第三方向相同；所述第二方向和所述第四方向相同。

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