JP7492389B2 - 画像検査装置および画像検査方法 - Google Patents
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Description
以上のように半導体デバイスは半導体回路の設計データからシリコンに次々と転写されていくプロセスを経て製造される。
GDSII画像は、CADデータ2などから生成した画像(理想的な幾何学的特徴量を持つ画像)であって、パターン毎、材料毎に生成した画像である、
パターンは、マスクやウェハー上に形成するパターンであって、ここでは、L&S,ホール、ドットの3種類としている。更に、他の種類(例えばOPC)を増やしてもよい。
・ラインの明るさ
・スペース部の明るさ
・各エッジの明るさ
・各エッジの幅
・コーナラウンディング
などという属性データをもとに、図9の(b)に示すように、濃淡のある疑似SEM画像を生成する。
(1)CADデータ、例えばGDSIIファイルはポリゴンを表現するデータなのでそれを用いてまず擬似SEM画像(図9の(b)参照)を生成する。SEM画像はラインの明るさ、スペース部の明るさ、各エッジの明るさ、各エッジの幅、角の丸まり具合を示すコーナーラウンディング量などがパラメータとしてあるので、それらを指定することで擬似SEM画像を生成する。尚、この擬似SEM画像そのものを後述するGAN技術を使って直接に生成することも可能である。
図13は、本発明のGAN技術を用いた学習データの生成説明図を示す。この図13は、1つのGAN生成器に同じ初期条件を与えて複数の画像を生成したのち統計処理する例を示す。
。
以上実施例として述べた種々の画像変換は1つだけ行っても良いし、必要な画像変換をシリーズに行っても良い。
2:CADデータ
3:疑似データ生成部
4:学習部
5:学習データ
6:推定部
7:統計処理部
8:復元画像
9:復元プロファイル
Claims (7)
- 電子ビームをサンプルに照射して放出された2次電子あるいは反射された反射電子の画像をもとに測長する画像検査装置において、
サンプルに形成するパターンの設計データから生成した疑似SEM画像と、前記設計データをもとにサンプル上に形成されたパターンの上に、電子線ビームを細く絞って照射しつつ走査し、放出された2次電子あるいは反射された反射電子を検出して生成したSEM画像と、を対にして理想的な幾何学的特徴を深層学習する手段と、
前記深層学習によって得られた理想的な幾何学的特徴量のみ有する画像を生成する復元手段と
を備え、
前記理想的な幾何学的特徴量をもとに、前記SEM画像から理想的な幾何学的特徴量のみ抽出して画像を生成することを特徴とする画像検査装置。 - 前記設計データは、サンプルに形成するパターンのCADデータであることを特徴とする請求項1に記載の画像検査装置。
- 前記幾何学的特徴量は、測定対象のパターンの種類毎の幾何学的特徴量であることを特徴とする請求項1から請求項2のいずれかに記載の画像検査装置。
- 前記パターンの種類は、パターンがL&S、ホール、ドットのいずれかであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の画像検査装置。
- 前記設計データから生成した理想的な幾何学的特徴量は、該設計データをもとに生成した理想的な幾何学的特徴量、あるいは該設計データとノイズをもとに生成した疑似的な理想的な幾何学的特徴量であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の画像検査装置。
- 前記疑似的な理想的な幾何学的特徴量と、前記理想的な幾何学的特徴量との類似度が所定閾値以下となるように前記疑似的な理想的な幾何学的特徴量を演算、あるいは異なるノイズをもとに演算した複数の疑似的な理想的な幾何学的特徴量を平均して算出したものが所定閾値以下であることを特徴する請求項5に記載の画像検査装置。
- 電子ビームをサンプルに照射して放出された2次電子あるいは反射された反射電子の画像をもとに測長する画像検査方法において、
サンプルに形成するパターンの設計データから生成した疑似SEM画像と、前記設計データをもとにサンプル上に形成されたパターンの上に、電子線ビームを細く絞って照射しつつ走査し、放出された2次電子あるいは反射された反射電子を検出して生成したSEM画像と、を対にして理想的な幾何学的特徴を深層学習する手段と、
前記深層学習によって得られた理想的な幾何学的特徴量のみ有する画像を生成する復元手段とを設け、
前記理想的な幾何学的特徴量をもとに、前記SEM画像から理想的な幾何学的特徴量のみ抽出して画像を生成するステップを
有することを特徴とする画像検査方法。
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