CN113287062B - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

显示基板及其制备方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113287062B
CN113287062B CN201980003155.1A CN201980003155A CN113287062B CN 113287062 B CN113287062 B CN 113287062B CN 201980003155 A CN201980003155 A CN 201980003155A CN 113287062 B CN113287062 B CN 113287062B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
conductive structure
base plate
substrate base
orthographic projection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201980003155.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113287062A (zh
Inventor
石博
徐元杰
宋文华
李挺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Publication of CN113287062A publication Critical patent/CN113287062A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113287062B publication Critical patent/CN113287062B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133388—Constructional arrangements; Manufacturing methods with constructional differences between the display region and the peripheral region
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本公开的实施例提供一种显示基板、显示基板的制备方法和显示装置，该显示基板包括工作区域和位于工作区域外侧的封框胶设置区域，其中，该显示基板还包括：衬底基板、设置在衬底基板的第一侧的第一导电结构、以及设置在第一导电结构的远离衬底基板的一侧的第二导电结构；第一导电结构和第二导电结构均位于封框胶设置区域；第二导电结构至少包括相对于衬底基板的主表面倾斜的倾斜部，该倾斜部配置为使得从衬底基板的与第一侧相反的第二侧入射至倾斜部的光线经倾斜部反射后至少部分从第一导电结构的正上方出射，从而可以实现至少部分光线从第一导电结构的正上方出射至封框胶设置区域照射至封框胶，进而提高了封框胶的粘结性，使得在机械振动的条件下封框胶不容易发生破损或者脱落。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本公开的实施例涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
随着光电技术与半导体制造技术的发展，在显示装置中，例如，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)凭借其高品质画质、高空间利用率、低消耗功率、无辐射等优越特性在当前的显示器市场中占据着主导地位。
例如，在薄膜晶体管液晶显示器的制作过程中需要将彩膜基板和阵列基板进行对盒粘结，阵列基板和彩膜基板依靠封框胶黏合在一起，且需要在封框胶中添加硅球、玻璃纤维等支撑物，用于支撑液晶面板的盒厚。封框胶不仅起到粘接阵列基板和彩膜基板以及支撑盒厚的作用，还用于密封液晶，一般封框胶所涂布的范围在彩膜基板的周围，亦即，在显示区外的封框胶区域中。因此，封框胶是薄膜晶体管液晶显示器成盒制作工艺中的关键材料。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种显示基板，该显示基板包括工作区域和位于所述工作区域外侧的封框胶设置区域，其中，所述显示基板还包括：衬底基板、设置在所述衬底基板的第一侧的第一导电结构、以及设置在所述第一导电结构的远离所述衬底基板的一侧的第二导电结构；所述第一导电结构和所述第二导电结构均位于所述封框胶设置区域；所述第二导电结构至少包括相对于所述衬底基板的主表面倾斜的倾斜部，所述倾斜部配置为使得从所述衬底基板的与所述第一侧相反的第二侧入射至所述倾斜部的光线经所述倾斜部反射后至少部分从所述第一导电结构的正上方出射。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述倾斜部在所述衬底基板上的正投影和所述第一导电结构在所述衬底基板上的正投影至少部分重合。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一导电结构包括第一倾斜面，所述第一倾斜面相对于所述衬底基板的主表面倾斜，所述倾斜部在所述衬底基板上的正投影和所述第一倾斜面在所述衬底基板上的正投影至少部分重合。
例如，本公开至少一实施例提供的显示基板，还包括设置在所述衬底基板上的凸台，其中，所述凸台的远离所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影位于所述凸台的靠近所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影内；所述第一倾斜面对应的部分设置在所述凸台的第一侧表面上。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二导电结构包括在平行于所述衬底基板的主表面的方向上设置的第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分均包括所述倾斜部。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一部分和所述第二部分相互间隔，所述第一导电结构在所述衬底基板上的正投影位于所述第一部分的所述倾斜部的靠近所述衬底基板的端部在所述衬底基板上的正投影和所述第二部分的所述倾斜部的靠近所述衬底基板的端部在所述衬底基板上的正投影之间。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一导电结构在所述衬底基板上的正投影和所述第一部分的所述倾斜部在所述衬底基板上的正投影至少部分重合，和/或，所述第一导电结构在所述衬底基板上的正投影和所述第二部分的所述倾斜部在所述衬底基板上的正投影至少部分重合。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一导电结构在所述衬底基板上的正投影位于所述第一部分在所述衬底基板上的正投影和所述第二部分在所述衬底基板上的正投影之间。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一导电结构包括在平行于所述衬底基板的方向上的第一倾斜面和第二倾斜面，所述第一倾斜面和所述第二倾斜面相对于所述衬底基板的主表面倾斜。
例如，本公开至少一实施例提供的显示基板还包括设置在所述衬底基板上的凸台，其中，所述凸台的远离所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影位于所述凸台的靠近所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影内；所述第一倾斜面对应的部分设置于所述凸台的第一侧表面，所述第二倾斜面对应的部分设置于所述凸台的与所述第一侧表面相对的第二侧表面。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一倾斜面对应的部分和所述第一部分的所述倾斜部平行，所述第二倾斜面对应的部分和所述第二部分的倾斜部平行。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，在垂直于所述衬底基板的主表面的方向上，所述第一导电结构和所述第二导电结构之间设置有绝缘层，所述绝缘层具有向远离所述衬底基板的一侧突出的凸起部；所述凸起部的远离所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影在所述凸起部的靠近所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影内；所述倾斜部设置在所述凸起部的侧表面上。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一部分和所述第二部分相互连接；所述第一导电结构包括在平行于所述衬底基板的方向上相互间隔的第三部分和第四部分。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一部分的所述倾斜部的远离所述衬底基板的端部在所述衬底基板上的正投影在所述第三部分在所述衬底基板上的正投影内，所述第二部分的所述倾斜部的远离所述衬底基板的端部在所述衬底基板上的正投影在所述第四部分在所述衬底基板上的正投影内。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二导电结构在所述衬底基板上的正投影位于所述第三部分在所述衬底基板上的正投影和所述第四部分在所述衬底基板上的正投影之间。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，在垂直于所述衬底基板的主表面的方向上，所述第一导电结构和所述第二导电结构之间设置有绝缘层，所述绝缘层具有向靠近所述衬底基板的一侧凹陷的凹陷部；在垂直于所述衬底基板的主表面的平面上，所述凹陷部的截面形状为梯形，所述梯形的远离衬底基板的边的边长大于所述梯形的靠近所述衬底基板的边的边长；所述第一部分的倾斜部设置在所述凹陷部的第一侧表面上，所述第二部分的倾斜部设置在所述凹陷部的与所述第一侧表面相对的第二侧表面上。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，在所述倾斜部的远离所述衬底基板的一侧，在所述倾斜部的靠近所述衬底基板一侧的端部处，所述倾斜部和经过所述端部的所述衬底基板的主表面的法线的夹角为20°～80°。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，在所述倾斜部的远离所述衬底基板的一侧，在所述倾斜部的靠近所述衬底基板一侧的端部处，所述倾斜部和经过所述端部的所述衬底基板的主表面的法线的夹角为40°～60°。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，从所述衬底基板的与所述第一侧相反的所述第二侧入射至所述倾斜部的所述光线与所述衬底基板的主表面垂直。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述工作区域中设置有第一电极和第二电极，所述第一导电结构和所述第一电极采用同一构图工艺形成，所述第二导电结构和所述第二电极采用同一构图工艺形成。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述工作区域中设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极和源电极/漏电极；所述第一电极为所述栅极，所述第二电极为所述源电极/漏电极；或者，所述第一电极为所述源电极/漏电极，所述第二电极为所述栅极。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一导电结构和所述第二导电结构配置为传输数据信号、栅极扫描信号、公共电极信号、时钟信号、栅极控制信号、GOA正向扫描信号、GOA反向扫描信号或者触发信号。
本公开至少一实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括上述任一项所述的显示基板和与所述显示基板对盒的对置基板，其中，所述显示基板和所述对置基板通过设置在所述封框胶设置区域中的封框胶连接，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一导电结构和所述第二导电结构位于所述衬底基板和所述封框胶之间。
本公开至少一实施例还提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括工作区域和位于所述工作区域外侧的封框胶设置区域，所述制备方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板的第一侧形成第一导电结构；在所述第一导电结构的远离所述衬底基板的一侧形成第二导电结构；其中，所述第一导电结构和所述第二导电结构均位于所述封框胶设置区域；所述第二导电结构至少包括相对于所述衬底基板的主表面倾斜的倾斜部，所述倾斜部配置为使得从所述衬底基板的与所述第一侧相反的第二侧入射至所述倾斜部的光线经所述倾斜部反射后至少部分从所述第一导电结构的正上方出射。
例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，在形成所述第一导电结构之前，所述方法还包括在所述衬底基板上形成凸台，所述凸台的远离所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影位于所述凸台的靠近所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影内，所述在所述衬底基板的第一侧形成第一导电结构包括：在所述凸台的表面形成所述第一导电结构。
例如，本公开至少一实施例提供的制备方法，还包括：在形成所述第一导电结构之后且在形成所述第二导电结构之前，在所述第一导电结构上形成绝缘层，其中，所述绝缘层具有向远离所述衬底基板的一侧突出的凸起部；所述凸起部的远离所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影在所述凸起部的靠近所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影内；所述倾斜部设置在所述凸起部的侧表面上。
例如，本公开至少一实施例提供的制备方法，还包括：在形成所述第一导电结构之后且在形成所述第二导电结构之前，在所述第一导电结构上形成绝缘层，其中，所述第一导电结构包括在平行于所述衬底基板的方向上相互间隔的第三部分和第四部分；所述绝缘层具有向靠近所述衬底基板的一侧凹陷的凹陷部；所述凹陷部的靠近所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影在所述凹陷部的远离所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影内；所述倾斜部设置在所述凹陷部的侧表面上。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1为一种显示基板的平面结构示意图；
图2为在图1中的A-A’切割形成的截面结构示意图；
图3为另一种显示基板的平面结构示意图；
图4为在图3中的B-B’切割形成的截面结构示意图；
图5A为本公开一实施例提供的一种显示基板的截面结构示意图；
图5B为本公开一实施例提供的再一种显示基板的截面结构示意图；
图6为本公开一实施例提供的又一种显示基板的截面结构示意图；
图7为本公开一实施例提供的又一种显示基板的截面结构示意图；
图8为本公开一实施例提供的又一种显示基板的截面结构示意图；
图9为本公开一实施例提供的又一种显示基板的截面结构示意图；
图10为本公开一实施例提供的又一种显示基板的截面结构示意图；
图11为本公开一实施例提供的一种显示装置的框图；以及
图12为本公开一实施例提供的显示基板的制备方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
目前，市场对曲面显示的要求越来越高，通常采用将面板减薄后弯曲的方式来制作曲面显示面板。但是显示面板被弯曲后，由于应力的存在，该显示面板包括的封框胶的粘接性会受到影响，在机械振动的条件下封框胶容易发生破损，且在进行水煮实验(PCT实验)时，显示面板的4个边角处的封框胶容易发生脱落。封框胶脱落会对显示面板造成严重的影响，例如，在液晶显示面板中易造成液晶泄露。因此，需要增强封框胶的粘结性，由于封框胶的固化性越高，其粘结性越强，因此，需要提高封框胶的固化性能。
常用的封框胶的主要成分是环氧树脂和亚克力树脂，其中，环氧树脂是热固化树脂，亚克力树脂是光固化树脂。亚克力树脂需要采用紫外光照进行固化，在对显示基板采用封框胶进行封装时，紫外光固化的过程中通常会存在部分封框胶无法被紫外光照射而被固化的情形，因此，为了增强紫外光照固化的能力，可以提高封框胶涂覆位置的信号走线之间的镂空面积占比，从而使得更多的紫外光线照射至封框胶。但是，目前通常采用使得金属线的宽度变窄或者使得金属线的数量变少的方式来实现提高封框胶涂覆位置的信号走线之间的镂空面积占比，但是，这样会造成金属线的电阻变大，从而影响金属线的导电特性。
例如，图1为一种显示基板的平面结构示意图，图2为在图1中的A-A’切割形成的截面结构示意图，结合图1和图2所示，衬底基板01上设置有下金属走线02，下金属走线02上设置有绝缘层04，绝缘层04上设置有上金属走线03，上金属走线03包括在平行于衬底基板01的主表面的方向上相互间隔且相对的两个部分。上金属走线03在衬底基板01上的正投影和下金属走线02在衬底基板01上的正投影具有重叠部分，且从衬底基板01的远离下金属走线02的一侧入射的光线不能穿过下金属走线02，从而光线不能到达下金属走线02正上方的封框胶设置区域照射至封框胶，进而影响了封框胶的粘结性，使得在机械振动的条件下封框胶容易发生破损或者脱落，需要说明的是，上金属走线03在衬底基板01上的正投影和下金属走线02在衬底基板01上的正投影可以仅相交不具有重叠的部分，或者，上金属走线03在衬底基板01上的正投影和下金属走线02在衬底基板01上的正投影可以不相交且不具有重叠的部分，在此不作限定。
例如，图3为另一种显示基板的平面结构示意图，图4为在图3中的B-B’切割形成的截面结构示意图，结合图3和图4所示，衬底基板01上设置有下金属走线02，下金属走线02上设置有绝缘层04，绝缘层04上设置有上金属走线03，下金属走线02包括相互间隔且相对的两个部分。上金属走线03在衬底基板01上的正投影和下金属走线02在衬底基板01上的正投影具有重叠部分，且从衬底基板01的远离下金属走线02的一侧入射的光线不能穿过下金属走线02，从而光线不能到达下金属走线02正上方的封框胶设置区域照射至封框胶，进而影响了封框胶的粘结性，使得在机械振动的条件下封框胶容易发生破损或者脱落。需要说明的是，上金属走线03在衬底基板01上的正投影和下金属走线02在衬底基板01上的正投影可以仅相交不具有重叠的部分，或者，上金属走线03在衬底基板01上的正投影和下金属走线02在衬底基板01上的正投影可以不相交且不具有重叠的部分，在此不作限定。
本公开至少一实施例提供一种显示基板，该显示面板包括工作区域和位于工作区域外侧的封框胶设置区域，其中，该显示基板还包括：衬底基板、设置在衬底基板的第一侧的第一导电结构、以及设置在第一导电结构的远离衬底基板的一侧的第二导电结构；第一导电结构和第二导电结构均位于封框胶设置区域；第二导电结构至少包括相对于衬底基板的主表面倾斜的倾斜部，倾斜部配置为使得从衬底基板的与第一侧相反的第二侧入射至倾斜部的光线经倾斜部反射后至少部分从第一导电结构的正上方出射，从而可以实现从衬底基板的与第一侧相反的第二侧入射入射的至少部分光线到达第一导电结构正上方的封框胶设置区域并照射至封框胶，进而提高了封框胶的粘结性，使得在机械振动的条件下封框胶不容易发生破损或者脱落。
需要说明的是，至少部分第二导电结构的倾斜部和第一导电结构设置在封框胶设置区域，不限于第二导电结构的整体和第一导电结构全部设置在封框胶设置区域。
还需要说明的是，工作区域的外侧不限于显示基板的外侧边缘，还可以是显示基板的中间区域，例如，中心打孔区作为工作区域，该中心打孔区的四周也可以称为工作区域的外侧。
例如，图5A为本公开一实施例提供的一种显示基板的截面结构示意图，如图5A所示，显示面板100包括工作区域100a和位于工作区域100a外侧的封框胶设置区域100b，其中，该显示基板100还包括：衬底基板101、设置在衬底基板101的第一侧的第一导电结构102、以及设置在第一导电结构102的远离衬底基板101的一侧的第二导电结构103；第一导电结构102和第二导电结构103均位于封框胶设置区域100b；第二导电结构103至少包括相对于衬底基板101的主表面倾斜的倾斜部1031，倾斜部1031配置为使得从衬底基板101的与第一侧相反的第二侧入射至倾斜部1031的光线经倾斜部1031反射后至少部分从第一导电结构102的正上方出射。具有上述结构的显示基板可以实现从衬底基板101的与第一侧相反的第二侧入射入射的至少部分光线到达第一导电结构102正上方的封框胶设置区域100b照射至封框胶(图中未示出)，进而提高了封框胶的粘结性，使得在机械振动的条件下封框胶不容易发生破损或者脱落。
例如，第一导电结构102和第二导电结构103的材料可以是对光线具有反射作用的导电金属等。
例如，外部光源为线光源，线光源可以保证入射光线的均匀性，这样可以从整体上实现照射至封框胶设置区域100b的光线的均匀性，为最终形成的封框胶的均匀性提供保障，从而可以使得从衬底基板101的与第一侧相反的第二侧入射至倾斜部1031的光线与衬底基板101的主表面垂直。
例如，与显示基板100对盒的对置基板上设置有黑矩阵，在对盒显示基板和对置基板的过程中，黑矩阵设置在封框胶(图中未示出)的远离衬底基板101的一侧，光线不能从设置黑矩阵的一侧入射，否则大部分光线会被遮挡，从而光线能到达封框胶，不能起到使得封框胶固化的作用。
需要说明的是，“相对于衬底基板的主表面倾斜的倾斜部”是指倾斜部与衬底基板的主表面既不平行也不垂直。即倾斜部与衬底基板的主表面的夹角可以为(0°,90°)或者(90°，180°)。
例如，在倾斜部1031的远离衬底基板101的一侧，在倾斜部1031的靠近衬底基板101一侧的端部处，倾斜部1031和经过端部的衬底基板101的主表面的法线的夹角为锐角。
例如，在垂直于衬底基板101主表面的方向上，第一导电结构102和第二导电结构103位于衬底基板101和将要设置到封框胶设置区域100b的封框胶之间。
例如，如图5A所示，倾斜部1031在衬底基板101上的正投影和第一导电结构102在衬底基板101上的正投影至少部分重合，该结构设计可以更充分地对光线进行反射，从而使得从第一导电结构102的正上方出射的光线增多。
例如，如图5A所示，第一导电结构102包括第一倾斜面102a，第一倾斜面102a相对于衬底基板101的主表面倾斜，倾斜部1031在衬底基板101上的正投影和第一倾斜面102a在衬底基板101上的正投影至少部分重合。
例如，如图5A所示，从衬底基板101的与第一侧相反的第二侧入射至第二导电结构103的倾斜部1031的C2位置处的光线C1经倾斜部1031反射后到达第一导电结构102上的C3位置，接着光线在C3位置处经过第一导电结构102反射后至少部分从第一导电结构102的正上方的C4位置出射，至封框胶设置区域100b，最终照射至第一导电结构102正上方的封框胶上。
例如，图5B为本公开一实施例提供的再一种显示基板的截面结构示意图，如图5B所示，该显示基板100还包括设置在衬底基板101上的凸台105，该凸台105的远离衬底基板101的表面在衬底基板101上的正投影位于凸台105的靠近衬底基板101的表面在衬底基板101上的正投影内；第一倾斜面102a对应的部分设置在凸台105的第一侧表面上。该凸台105为第一导电结构102提供了支撑，第一导电结构102的第一倾斜面102a搭接在凸台105的第一侧表面上。第一倾斜面102a相对于衬底基板101的主表面倾斜。具有该结构的第一导电结构102可以在保证第一导电结构102总长度不变的情况下，即保证第一导电结构102电阻不变的情况下，使第一导电结构102尽可能少的遮挡光线，使得光线尽可能多的射入封框胶设置区域100b。
例如，图6为本公开一实施例提供的又一种显示基板的截面结构示意图。如图6所示，第二导电结构103包括在平行于衬底基板101的主表面的方向上设置的第一部分103a和第二部分103b，第一部分103a和第二部分103b均包括倾斜部1031。例如，第一部分103a的倾斜部1031和第二部分103b的倾斜部1031均对从衬底基板101的与第一侧相反的第二侧入射至倾斜部1031且与衬底基板101的主表面垂直的光线进行反射，从而使得更多的光线从第一导电结构102的正上方出射至封框胶设置区域100b。
例如，在本公开的实施例中，与衬底基板101的主表面垂直的光线可以是光线入射的方向和衬底基板101的主表面基本垂直，例如，光线入射的方向和衬底基板101的主表面的夹角为80°～100°均可以认为是光线入射的方向和衬底基板101的主表面垂直。
例如，在一个示例中，从衬底基板101的与第一侧相反的第二侧入射至倾斜部1031的光线经倾斜部1031反射后到达第一导电结构102，并经第一导电结构102反射后至少部分从第一导电结构102的正上方出射。
例如，如图6所示，从衬底基板101的与第一侧相反的第二侧入射至第二导电结构103的第一部分103a的倾斜部1031的C2位置处的光线C1经倾斜部1031反射后到达第一导电结构102上的C3位置，接着光线在C3位置处经过第一导电结构102反射后至少部分从第一导电结构102的正上方的C4位置出射，至封框胶设置区域100b，最终照射至第一导电结构102正上方的封框胶上。
例如，如图6所示，从衬底基板101的与第一侧相反的第二侧入射至第二导电结构103的第二部分103b的倾斜部1031的D2位置处的光线D1经倾斜部1031反射后到达第一导电结构102上的D3位置，接着光线在D3位置处经过第一导电结构102反射后到达第二部分103b的倾斜部1031的D4位置处，然后，光线在D4位置处经过倾斜部1031反射后到达第一导电结构102上的D5位置，接着光线在D5位置处经过第一导电结构102再次反射后至少部分从第一导电结构102的正上方的D6位置出射，至封框胶设置区域100b，最终照射至第一导电结构102正上方的封框胶上。
需要说明的是，从衬底基板101的与第一侧相反的第二侧入射至第二导电结构103的倾斜部1031的光线经过第一导电结构102和第二导电结构103反射的次数不作限制，只要满足至少部分光线从第一导电结构102的正上方出射，到达第一导电结构102正上方的封框胶设置区域100b照射至封框胶(图中未示出)即可。
还需要说明的是，第二导电结构103对光线的反射还可以包括除倾斜部之外的其他部分对光线的反射。
例如，如图6所示，至少在封框胶设置区域，第二导电结构103包括的第一部分103a和第二部分103b在平行于衬底基板101的方向上相互间隔，第一导电结构102在衬底基板101上的正投影位于第一部分103a的倾斜部1031的靠近衬底基板101的端部在衬底基板101上的正投影和第二部分103b的倾斜部1031的靠近衬底基板101的端部在衬底基板101上的正投影之间，这样可以实现第一导电结构102在衬底基板101上的正投影位于第二导电结构103包括的第一部分103a和第二部分103b在衬底基板101上的正投影限定的范围之内，从而实现从衬底基板101的与第一侧相反的第二侧入射至倾斜部1031的光线经倾斜部1031反射后至少部分从第一导电结构102的正上方出射。
例如，第二导电结构103包括的第一部分103a和第二部分103b在整个电路中是电连接的。
例如，如图6所示，第一导电结构102在衬底基板101上的正投影和第二导电结构103包括的第一部分103a的倾斜部1031在衬底基板101上的正投影至少部分重合。
例如，如图6所示，第一导电结构102在衬底基板101上的正投影和第二导电结构103包括的第二部分103b的倾斜部1031在衬底基板101上的正投影至少部分重合。
例如，可以是第一导电结构102在衬底基板101上的正投影和第二导电结构103包括的第一部分103a的倾斜部1031在衬底基板101上的正投影以及第二导电结构103包括的第二部分103b的倾斜部1031在衬底基板101上的正投影均具有重合区域。
例如，第一导电结构102在衬底基板101上的正投影和第二导电结构103的第一部分103a的倾斜部1031在衬底基板101上的正投影和/或第二部分103b的倾斜部1031在衬底基板101上的正投影至少部分重合可以更充分地对光线进行反射，从而使得从第一导电结构102的正上方出射的光线增多。
例如，在图6所示的结构中，第一导电结构102的截面形状为正梯形，例如等腰梯形。在工艺条件允许的条件下可以将第一导电结构102设置为截面形状为三角形，例如，等腰三角形、直角三角形等。
例如，如图6所示，在垂直于衬底基板101的主表面的方向上，在第一导电结构102和第二导电结构103之间还设置有绝缘层104，该绝缘层104起到将第一导电结构102和第二导电结构103电性隔绝的作用。该绝缘层104具有向远离衬底基板101的一侧突出的凸起部，凸起部的远离衬底基板101的表面在衬底基板101上的正投影在凸起部的靠近衬底基板101的表面在衬底基板101上的正投影内，且绝缘层104具有相对于衬底基板101的主表面倾斜的第一表面和第二表面，第二导电结构103包括的第一部分103a的倾斜部1031搭接在绝缘层104的第一表面上，第二导电结构103包括的第二部分103b的倾斜部1031搭接在绝缘层104的第二表面上。
例如，图7为本公开一实施例提供的又一种显示基板的截面结构示意图，如图7所示，第一导电结构102在衬底基板101上的正投影位于第二导电结构103的第一部分103a在衬底基板101上的正投影和第二部分103b在衬底基板101上的正投影之间。
例如，当第一导电结构102的长度设置的很短时，第一导电结构102在衬底基板101上的正投影和第二导电结构103的第一部分103a的倾斜部1031、第二导电结构103第二部分103b的倾斜部1031在衬底基板101上的正投影没有重合，且和第一部分103a和第二部分103b的整体都没有重合，即可以实现第一导电结构102的正上方基本都有光线出射，而光线不被第二导电结构103遮挡，从而增大了光线从第一导电结构102的正上方的出射量。
例如，图8为本公开一实施例提供的又一种显示基板的截面结构示意图。如图8所示，该显示基板100还包括设置在衬底基板101上的凸台105，该凸台105的远离衬底基板101的表面在衬底基板101上的正投影位于凸台105的靠近衬底基板101的表面在衬底基板101上的正投影内，第一导电结构102的第一倾斜面102a对应的部分设置于凸台105的第一侧表面，第一导电结构102的第二倾斜面102b对应的部分设置于凸台105的与第一侧表面相对的第二侧表面上。
例如，该凸台105为第一导电结构102提供了支撑，第一导电结构102的第一倾斜面102a搭接在凸台105的第一侧表面上，第一导电结构102的第二倾斜面102b搭接在凸台105的第二侧表面上。
例如，如图8所示，第一导电结构102包括在平行于衬底基板101的主表面的方向上设置的第一倾斜面102a和第二倾斜面102b，第一倾斜面102a和第二倾斜面102b相对于衬底基板101的主表面倾斜。具有该结构的第一导电结构102可以在保证第一导电结构102总长度不变的情况下，即保证第一导电结构102电阻不变的情况下，使第一导电结构102尽可能少的遮挡光线，使得光线尽可能多的射入封框胶设置区域100b。
例如，凸台105的材料为无机绝缘材料，该凸台105的形成可以不用增加工艺步骤。例如，在工作区域中为防止栅极中的金属离子，特别是铜离子扩散至衬底基板也会在衬底基板和栅极之间增加一层无机绝缘层，通过构图工艺可以实现该无机绝缘层即可包括该凸台105。
例如，在图6和图8所示的结构中，第一导电结构102的第一倾斜面102a和第二导电结构103的第一部分103a的倾斜部1031平行，第一导电结构102的第二倾斜面102b和第二导电结构103的第二部分103b的倾斜部1031平行。该种结构的设计可以更方便于从衬底基板101的与第一侧相反的第二侧入射至倾斜部1031的光线经倾斜部1031反射后到达第一导电结构102，并经第一导电结构102反射后至少部分从第一导电结构102的正上方出射。
例如，图9为本公开一实施例提供的又一种显示基板的截面结构示意图，如图9所示，第二导电结构103的第一部分103a和第二部分103b相互连接，且第一导电结构102包括在平行于衬底基板101的方向上相互间隔的第三部分1021和第四部分1022。
例如，如图9所示，第二导电结构103的第一部分103a的倾斜部1031的远离衬底基板101的端部在衬底基板101上的正投影在第一导电结构102的第三部分1021在衬底基板101上的正投影内，第二导电结构103的第二部分103b的倾斜部1031的远离衬底基板101的端部在衬底基板101上的正投影在第一导电结构102的第四部分1022在衬底基板101上的正投影内，该种结构的设计可以更方便于从衬底基板101的与第一侧相反的第二侧入射至倾斜部1031的光线经倾斜部1031反射后到达第一导电结构102，并经第一导电结构102反射后至少部分从第一导电结构102的正上方出射，或者更方便于从衬底基板101的与第一侧相反的第二侧入射至倾斜部1031的光线至少部分从第一导电结构102的正上方出射。
例如，如图9所示，从衬底基板101的与第一侧相反的第二侧入射至第二导电结构103的第一部分103a的倾斜部1031的F2位置处的光线F1经倾斜部1031反射后到达第一导电结构102上的F3位置，接着光线在F3位置处经过第一导电结构102反射后至少部分从第一导电结构102的正上方的F4位置出射，至封框胶设置区域100b，最终照射至第一导电结构102正上方的封框胶上。
例如，如图9所示，从衬底基板101的与第一侧相反的第二侧入射至第二导电结构103的第二部分103b的倾斜部1031的G2位置处的光线G1经倾斜部1031反射后至少部分从第一导电结构102的正上方直接从G3位置出射，至封框胶设置区域100b，最终照射至第一导电结构102正上方的封框胶上。
例如，图10为本公开一实施例提供的又一种显示基板的截面结构示意图，如图10所示，第二导电结构103的整体在衬底基板101上的正投影位于第一导电结构102的第三部分1021在衬底基板101上的正投影和第四部分1022在衬底基板101上的正投影之间，该种结构的设计可以减小第二导电结构对第一导电结构的遮挡，使得从第一导电结构102的正上方出射的光线增多。
例如，在图9和图10所示的结构中，在垂直于衬底基板101的主表面的方向上，第一导电结构102和第二导电结构103之间设置有绝缘层104，绝缘层104具有向靠近衬底基板101的一侧凹陷的凹陷部。
例如，在垂直于衬底基板101的主表面的平面上，凹陷部的截面形状为梯形，该梯形的远离衬底基板101的边的边长大于该梯形的靠近衬底基板101的边的边长。
例如，第二导电结构103的第一部分103a的倾斜部1031设置在凹陷部的第一侧表面上，第二导电结构103的第二部分103b的倾斜部1031设置在凹陷部的与第一侧表面相对的第二侧表面上。
例如，在上述任一示例中，在远离衬底基板101的一侧，在倾斜部1031的靠近衬底基板101一侧的端部处，倾斜部1031和经过该端部的衬底基板101的主表面的法线的夹角为20°～80°，例如，如图7所示，图7中的夹角β为20°～80°；如图10所示，图10中的夹角β为20°～80°。
例如，在上述任一示例中，在远离衬底基板101的一侧，在倾斜部1031的靠近衬底基板101一侧的端部处，倾斜部1031和经过该端部的衬底基板101的主表面的法线的夹角为40°～60°，例如，如图7所示，图7中的夹角β为40°～60°；如图10所示，图10中的夹角β为40°～60°。
例如，在远离衬底基板101的一侧，在倾斜部1031的靠近衬底基板101一侧的端部处，倾斜部1031和经过该端部的衬底基板101的主表面的法线的夹角为40°、45°、50°、55°或者60°。
例如，上述夹角范围可以更方便地实现倾斜部1031对从衬底基板101的与第一侧相反的第二侧入射至倾斜部1031的光线经倾斜部1031反射后至少部分从第一导电结构102的正上方出射。
例如，在图6所示的显示基板100中，工作区域100a中设置有第一电极201和第二电极202，在封框胶设置区域100b该第一导电结构102和第一电极201采用同一构图工艺形成，第二导电结构103和第二电极202采用同一构图工艺形成。
例如，该显示基板100为阵列基板，阵列基板的衬底基板101上形成有横纵交叉的数据线和栅极扫描线，围设形成多个像素单元。每个像素单元中形成有薄膜晶体管(TFT)开关和像素电极。TFT开关包括栅极、有源层、源电极和漏电极。在数据线与栅极扫描线的交叉处，栅极与栅极扫描线相连，源电极与数据线相连，漏电极与像素电极相连，源电极和漏电极通过有源层在栅极的开启电压下导通，从而连通数据线和像素电极。在阵列基板上还布设有贯穿各个像素单元的公共电极线，公共电极线在阵列基板的四周边缘与公共电极相连，为公共电极提供恒定电压。在显示基板的各层导电材料结构之间可以设置如栅极绝缘层和钝化层等绝缘材料保持绝缘。
例如，该第一电极可以是栅极、源电极、漏电极、像素电极和公共电极等中的任意一个，第二电极可以是上述电极中的与第一电极选择不同的另一个。
例如，该第一电极为栅极，第二电极为源电极/漏电极；或者，第一电极为源电极/漏电极，第二电极为栅极。
例如，在显示基板100的工作区域100a中设置有发光二极管、VDD线、VSS线等。
例如，该第一电极为VDD线、VSS线、阳极、阴极中的任意一个，第二电极可以是上述中的与第一电极选择不同的另一个。
例如，在显示基板100的工作区域100a中设置有发光二极管，该发光二极管包括阳极和阴极，第一电极为阳极，第二电极为阴极；或者，第二电极为阳极，第一电极为阴极。
例如，第一导电结构和第二导电结构配置为传输数据信号、栅极扫描信号、公共电极信号(COM)、时钟信号(CLK)、栅极控制信号、GOA正向扫描信号(VSD)、GOA反向扫描信号(VDS)或者触发信号(STV)等。
例如，数据信号即为源极信号(source信号、Vdata信号)。
例如，栅极控制信号包括：栅极开启信号(VGH)和栅极关闭信号(VGL)。
例如，触发信号(STV)又称为栅极启动信号或者垂直同步信号。
例如，第一导电结构和第二导电结构可以传输相同的信号或者不同的信号。
本公开至少一实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括上述任一实施例中的显示基板和与该显示基板对盒的对置基板，例如，图11为本公开一实施例提供的一种显示装置的框图，如图11所示，在该显示装置300中，显示基板100和对置基板200通过设置在封框胶设置区域中的封框胶400连接，在垂直于衬底基板的方向上，第一导电结构和第二导电结构位于衬底基板和封框胶400之间。
例如，该对置基板200为彩膜基板，彩膜基板包括形成有呈网格状的黑矩阵，黑矩阵之间填充有彩膜树脂，黑矩阵网格所形成的区域分别对应各个像素单元。公共电极与阵列基板上的像素电极之间形成驱动液晶层扭转的电场。为保持对盒后阵列基板和彩膜基板之间的距离，通常还在彩膜基板的黑矩阵上形成柱状隔垫物，对盒后，柱状隔垫物抵触在阵列基板的TFT开关上来保持阵列基板和彩膜基板之间的距离。
例如，该显示装置300可以为：液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本公开至少一实施例还提供一种显示基板的制备方法，例如，图12为本公开一实施例提供的显示基板的制备方法的流程图。如图12所示，该显示基板包括工作区域和位于工作区域外侧的封框胶设置区域，该制备方法包括以下步骤：
S11：提供衬底基板；
S12：在衬底基板的第一侧形成第一导电结构；
S13：在第一导电结构的远离衬底基板的一侧形成第二导电结构；其中，第一导电结构和第二导电结构均位于封框胶设置区域；第二导电结构至少包括相对于衬底基板的主表面倾斜的倾斜部，倾斜部配置为使得从衬底基板的与第一侧相反的第二侧入射至倾斜部的光线经倾斜部反射后至少部分从第一导电结构的正上方出射。
例如，在工作区域中设置有第一电极和第二电极，该封框胶设置区域中的第一导电结构和第一电极采用同一构图工艺形成，该封框胶设置区域中的第二导电结构和第二电极采用同一构图工艺形成。
例如，第一导电结构和第二导电结构配置为传输数据信号、栅极扫描信号、公共电极信号(COM)、时钟信号(CLK)、栅极控制信号、GOA正向扫描信号(VSD)、GOA反向扫描信号(VDS)或者触发信号(STV)等。
例如，数据信号即为源极信号(source信号、Vdata信号)。
例如，栅极控制信号包括：栅极开启信号(VGH)和栅极关闭信号(VGL)。
例如，触发信号(STV)又称为栅极启动信号或者垂直同步信号。
例如，第一导电结构和第二导电结构可以传输相同的信号或者不同的信号。
例如，该显示基板为阵列基板，阵列基板的衬底基板上形成有横纵交叉的数据线和栅极扫描线，围设形成多个像素单元。每个像素单元中形成有薄膜晶体管(TFT)开关和像素电极。TFT开关包括栅极、有源层、源电极和漏电极。在阵列基板上还布设有贯穿各个像素单元的公共电极线，公共电极线在阵列基板的四周边缘与公共电极相连，为公共电极提供恒定电压。在显示基板的各层导电材料结构之间可以设置如栅极绝缘层和钝化层等绝缘材料保持绝缘。
例如，该第一电极可以是栅极、源电极、漏电极、像素电极和公共电极中的任意一个，该第一导电结构和第一电极在同一工艺步骤中形成；第二电极可以是上述电极中的与第一电极选择不同的另一个，该第二导电结构和第二电极在同一工艺步骤中形成。
例如，该第一电极为栅极，第一导电结构和栅极在同一工艺步骤中形成，第二电极为源电极/漏电极，第二导电结构和源电极/漏电极在同一工艺步骤中形成；或者，第一电极为源电极/漏电极，第一导电结构和源电极/漏电极在同一工艺步骤中形成，第二电极为栅极，第二导电结构和栅极在同一工艺步骤中形成。
例如，在显示基板的工作区域中设置有发光二极管、VDD线、VSS线等。
例如，该第一电极为VDD线、VSS线、阳极、阴极中的任意一个，第二电极可以是上述中的与第一电极选择不同的另一个。
例如，在显示基板的工作区域中设置有发光二极管，该发光二极管包括阳极和阴极，第一电极为阳极，第一导电结构和阳极在同一工艺步骤中形成，第二电极为阴极，第二导电结构和阴极在同一工艺步骤中形成；或者，第二电极为阳极，第二导电结构和阳极在同一工艺步骤中形成，第一电极为阴极，第一导电结构和阴极在同一工艺步骤中形成。
例如，该衬底基板可以是柔性衬底基板或者刚性衬底基板，该衬底基板可以为玻璃基板、石英基板以及塑料基板等。
例如，采用上述制备方法制备的显示基板可以实现从衬底基板的与第一侧相反的第二侧入射入射的至少部分光线到达第一导电结构正上方的封框胶设置区域照射至封框胶，进而提高了封框胶的粘结性，使得在机械振动的条件下封框胶不容易发生破损或者脱落。
例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法中，在一个示例中，在形成第一导电结构之前，该方法还包括在衬底基板上形成凸台，凸台的远离衬底基板的表面在衬底基板上的正投影位于凸台的靠近衬底基板的表面在衬底基板上的正投影内。
例如，在衬底基板的第一侧形成第一导电结构包括：在凸台的表面形成第一导电结构，第一导电结构包括在平行于衬底基板的方向上设置的第一倾斜面和第二倾斜面，第一倾斜面和第二倾斜面相对于衬底基板的主表面倾斜。具有该结构的第一导电结构可以在保证第一导电结构总长度不变的情况下，使第一导电结构尽可能少的遮挡光线，使得光线尽可能多的射入封框胶设置区域。
例如，该凸台为第一导电结构提供了支撑，第一导电结构的第一倾斜面搭接在凸台的第一侧表面上，第一导电结构的第二倾斜面搭接在凸台的第二侧表面上。
例如，第一导电结构的截面形状为正梯形，例如等腰梯形。在工艺条件允许的条件下可以将第一导电结构设置为截面形状为三角形，例如，等腰三角形、直角三角形等。
例如，该凸台的材料为无机绝缘材料，该凸台的形成可以不用增加工艺步骤。例如，在工作区域中为防止栅极中的金属离子，特别是铜离子扩散至衬底基板也会在衬底基板和栅极之间增加一层无机绝缘层，通过构图工艺可以实现该无机绝缘层即可包括该凸台。
例如，在另一个示例中，该显示基板的制备方法还包括：在形成第一导电结构之后且在形成第二导电结构之前，在第一导电结构上形成绝缘层，其中，绝缘层具有向远离衬底基板的一侧突出的凸起部；凸起部的远离衬底基板的表面在衬底基板上的正投影在凸起部的靠近衬底基板的表面在衬底基板上的正投影内；倾斜部设置在所述凸起部的侧表面上。
例如，该绝缘层具有相对于衬底基板的主表面倾斜的第一表面和第二表面，第二导电结构包括的第一部分的倾斜部搭接在绝缘层的第一表面上，第二导电结构包括的第二部分的倾斜部搭接在绝缘层的第二表面上。
例如，在又一个示例中，该显示基板的制备方法还包括：在形成第一导电结构之后且在形成第二导电结构之前，在第一导电结构上形成绝缘层，其中，第一导电结构包括在平行于衬底基板的方向上相互间隔的第三部分和第四部分；绝缘层具有向靠近衬底基板的一侧凹陷的凹陷部；该凹陷部的靠近衬底基板的表面在衬底基板上的正投影在凹陷部的远离衬底基板的表面在衬底基板上的正投影内；倾斜部设置在凹陷部的侧表面上。
例如，第二导电结构的第一部分的倾斜部的远离衬底基板的端部在衬底基板上的正投影在第一导电结构的第三部分在衬底基板上的正投影内，第二导电结构的第二部分的倾斜部的远离衬底基板的端部在衬底基板上的正投影在第一导电结构的第四部分在衬底基板上的正投影内，该种结构的设计可以更方便于从衬底基板的与第一侧相反的第二侧入射至倾斜部的光线经倾斜部反射后到达第一导电结构，并经第一导电结构反射后至少部分从第一导电结构的正上方出射，或者更方便于从衬底基板的与第一侧相反的第二侧入射至倾斜部的光线至少部分从第一导电结构的正上方出射。
例如，在该显示基板的制备方法中，还可以使得第二导电结构的整体在衬底基板上的正投影位于第一导电结构的第三部分在衬底基板上的正投影和第四部分在衬底基板上的正投影之间，该种结构的设计可以减小第二导电结构对第一导电结构的遮挡，使得从第一导电结构的正上方出射的光线增多。
例如，在垂直于衬底基板的主表面的平面上，凹陷部的截面形状为梯形，该梯形的远离衬底基板的边的边长小于该梯形的靠近衬底基板的边的边长。
例如，第二导电结构的第一部分的倾斜部设置在凹陷部的第一侧表面上，第二导电结构的第二部分的倾斜部设置在凹陷部的与第一侧表面相对的第二侧表面上。
本公开的实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置具有以下至少一项有益效果：
(1)本公开至少一实施例提供的显示基板，可以实现至少部分光线从第一导电结构的正上方出射至封框胶设置区域照射至封框胶，进而提高了封框胶的粘结性，使得在机械振动的条件下封框胶不容易发生破损或者脱落。
(2)本公开至少一实施例提供的显示基板，第一导电结构在衬底基板上的正投影和第二导电结构第一部分的倾斜部在衬底基板上的正投影和/或第二部分的倾斜部在衬底基板上的正投影至少部分重合可以更充分地对光线进行反射，从而使得从第一导电结构的正上方出射的光线增多。
(3)本公开至少一实施例提供的显示基板，当第一导电结构的长度设置的很短时，第一导电结构在衬底基板上的正投影和第二导电结构的第一部分的倾斜部、第二导电结构第二部分的倾斜部在衬底基板上的正投影没有重合，且和第一部分和第二部分的整体都没有重合，即可以实现第一导电结构的正上方基本都有光线出射，而光线不被第二导电结构遮挡，从而增大了光线从第一导电结构的正上方的出射量。
(4)本公开至少一实施例提供的显示基板，包括设置在衬底基板上的凸台，第一导电结构的第一倾斜面对应的部分设置于凸台的第一侧表面，第一导电结构的第二倾斜面对应的部分设置于凸台的与第一侧表面相对的第二侧表面上，该凸台为第一导电结构提供了支撑，第一导电结构的第一倾斜面搭接在凸台的第一侧表面上，第一导电结构的第二倾斜面搭接在凸台的第二侧表面上，该凸台可以实现对第一导电结构的支撑，且减少第一导电结构的电阻。
有以下几点需要说明：
(1)本发明实施例附图只涉及到与本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
(3)在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (24)

1.一种显示基板，包括工作区域和位于所述工作区域外侧的封框胶设置区域，其中，
所述显示基板还包括：衬底基板、设置在所述衬底基板的第一侧的第一导电结构、以及设置在所述第一导电结构的远离所述衬底基板的一侧的第二导电结构；
所述第一导电结构和所述第二导电结构均位于所述封框胶设置区域；
所述第二导电结构至少包括相对于所述衬底基板的主表面倾斜的倾斜部，所述倾斜部配置为使得从所述衬底基板的与所述第一侧相反的第二侧入射至所述倾斜部的光线经所述倾斜部反射后至少部分从所述第一导电结构的正上方出射；
所述第一导电结构包括第一倾斜面，所述第一倾斜面相对于所述衬底基板的主表面倾斜，所述倾斜部在所述衬底基板上的正投影和所述第一倾斜面在所述衬底基板上的正投影至少部分重合。
2.根据权利要求1所述的显示基板，还包括设置在所述衬底基板上的凸台，其中，所述凸台的远离所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影位于所述凸台的靠近所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影内；所述第一倾斜面对应的部分设置在所述凸台的第一侧表面上。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第二导电结构包括在平行于所述衬底基板的主表面的方向上设置的第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分均包括所述倾斜部。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述第一部分和所述第二部分相互间隔，所述第一导电结构在所述衬底基板上的正投影位于所述第一部分的所述倾斜部的靠近所述衬底基板的端部在所述衬底基板上的正投影和所述第二部分的所述倾斜部的靠近所述衬底基板的端部在所述衬底基板上的正投影之间。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其中，所述第一导电结构在所述衬底基板上的正投影和所述第一部分的所述倾斜部在所述衬底基板上的正投影至少部分重合，和/或，所述第一导电结构在所述衬底基板上的正投影和所述第二部分的所述倾斜部在所述衬底基板上的正投影至少部分重合。
6.根据权利要求4所述的显示基板，其中，所述第一导电结构在所述衬底基板上的正投影位于所述第一部分在所述衬底基板上的正投影和所述第二部分在所述衬底基板上的正投影之间。
7.根据权利要求4～6中任一项所述的显示基板，其中，所述第一导电结构还包括第二倾斜面，所述第二倾斜面相对于所述衬底基板的主表面倾斜。
8.根据权利要求7所述的显示基板，还包括设置在所述衬底基板上的凸台，其中，
所述凸台的远离所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影位于所述凸台的靠近所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影内；所述第一倾斜面对应的部分设置于所述凸台的第一侧表面，所述第二倾斜面对应的部分设置于所述凸台的与所述第一侧表面相对的第二侧表面。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其中，所述第一倾斜面和所述第一部分的所述倾斜部平行，所述第二倾斜面和所述第二部分的所述倾斜部平行。
10.根据权利要求1～6中任一项所述的显示基板，其中，
在垂直于所述衬底基板的主表面的方向上，所述第一导电结构和所述第二导电结构之间设置有绝缘层，所述绝缘层具有向远离所述衬底基板的一侧突出的凸起部；
所述凸起部的远离所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影在所述凸起部的靠近所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影内；
所述倾斜部设置在所述凸起部的侧表面上。
11.根据权利要求3所述的显示基板，其中，
所述第一部分和所述第二部分相互连接；
所述第一导电结构包括在平行于所述衬底基板的方向上相互间隔的第三部分和第四部分。
12.根据权利要求11所述的显示基板，其中，所述第一部分的所述倾斜部的远离所述衬底基板的端部在所述衬底基板上的正投影在所述第三部分在所述衬底基板上的正投影内，所述第二部分的所述倾斜部的远离所述衬底基板的端部在所述衬底基板上的正投影在所述第四部分在所述衬底基板上的正投影内。
13.根据权利要求11所述的显示基板，其中，所述第二导电结构在所述衬底基板上的正投影位于所述第三部分在所述衬底基板上的正投影和所述第四部分在所述衬底基板上的正投影之间。
14.根据权利要求11～13中任一项所述的显示基板，其中，
在垂直于所述衬底基板的主表面的方向上，所述第一导电结构和所述第二导电结构之间设置有绝缘层，所述绝缘层具有向靠近所述衬底基板的一侧凹陷的凹陷部；
在垂直于所述衬底基板的主表面的平面上，所述凹陷部的截面形状为梯形，所述梯形的远离衬底基板的边的边长大于所述梯形的靠近所述衬底基板的边的边长；
所述第一部分的倾斜部设置在所述凹陷部的第一侧表面上，所述第二部分的倾斜部设置在所述凹陷部的与所述第一侧表面相对的第二侧表面上。
15.根据权利要求1～6中任一项所述的显示基板，其中，在所述倾斜部的远离所述衬底基板的一侧，在所述倾斜部的靠近所述衬底基板一侧的端部处，所述倾斜部和经过所述端部的所述衬底基板的主表面的法线的夹角为20°～80°。
16.根据权利要求15所述的显示基板，其中，在所述倾斜部的远离所述衬底基板的一侧，在所述倾斜部的靠近所述衬底基板一侧的端部处，所述倾斜部和经过所述端部的所述衬底基板的主表面的法线的夹角为40°～60°。
17.根据权利要求1～6中任一项所述的显示基板，其中，所述工作区域中设置有第一电极和第二电极，所述第一导电结构和所述第一电极采用同一构图工艺形成，所述第二导电结构和所述第二电极采用同一构图工艺形成。
18.根据权利要求17所述的显示基板，其中，所述工作区域中设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极和源电极/漏电极；所述第一电极为所述栅极，所述第二电极为所述源电极/漏电极；或者，所述第一电极为所述源电极/漏电极，所述第二电极为所述栅极。
19.根据权利要求1～6中任一项所述的显示基板，其中，所述第一导电结构和所述第二导电结构配置为传输数据信号、栅极扫描信号、公共电极信号、时钟信号、栅极控制信号、GOA正向扫描信号、GOA反向扫描信号或者触发信号。
20.一种显示装置，包括权利要求1～19中任一项所述的显示基板和与所述显示基板对盒的对置基板，其中，
所述显示基板和所述对置基板通过设置在所述封框胶设置区域中的封框胶连接，
在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一导电结构和所述第二导电结构位于所述衬底基板和所述封框胶之间。
21.一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括工作区域和位于所述工作区域外侧的封框胶设置区域，所述制备方法包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板的第一侧形成第一导电结构；
在所述第一导电结构的远离所述衬底基板的一侧形成第二导电结构；其中，
所述第一导电结构和所述第二导电结构均位于所述封框胶设置区域；
所述第二导电结构至少包括相对于所述衬底基板的主表面倾斜的倾斜部，所述倾斜部配置为使得从所述衬底基板的与所述第一侧相反的第二侧入射至所述倾斜部的光线经所述倾斜部反射后至少部分从所述第一导电结构的正上方出射；
所述第一导电结构包括第一倾斜面，所述第一倾斜面相对于所述衬底基板的主表面倾斜，所述倾斜部在所述衬底基板上的正投影和所述第一倾斜面在所述衬底基板上的正投影至少部分重合。
22.根据权利要求21所述的制备方法，其中，
在形成所述第一导电结构之前，所述方法还包括在所述衬底基板上形成凸台，所述凸台的远离所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影位于所述凸台的靠近所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影内，
所述在所述衬底基板的第一侧形成第一导电结构包括：在所述凸台的表面形成所述第一导电结构。
23.根据权利要求22所述的制备方法，还包括：在形成所述第一导电结构之后且在形成所述第二导电结构之前，在所述第一导电结构上形成绝缘层，其中，
所述绝缘层具有向远离所述衬底基板的一侧突出的凸起部；
所述凸起部的远离所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影在所述凸起部的靠近所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影内；
所述倾斜部设置在所述凸起部的侧表面上。
24.根据权利要求22所述的制备方法，还包括：在形成所述第一导电结构之后且在形成所述第二导电结构之前，在所述第一导电结构上形成绝缘层，其中，
所述第一导电结构包括在平行于所述衬底基板的方向上相互间隔的第三部分和第四部分；
所述绝缘层具有向靠近所述衬底基板的一侧凹陷的凹陷部；
所述凹陷部的靠近所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影在所述凹陷部的远离所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影内；
所述倾斜部设置在所述凹陷部的侧表面上。
CN201980003155.1A 2019-12-19 2019-12-19 显示基板及其制备方法、显示装置 Active CN113287062B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2019/126629 WO2021120104A1 (zh) 2019-12-19 2019-12-19 显示基板及其制备方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113287062A CN113287062A (zh) 2021-08-20
CN113287062B true CN113287062B (zh) 2022-08-16

Family

ID=76441752

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980003155.1A Active CN113287062B (zh) 2019-12-19 2019-12-19 显示基板及其制备方法、显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11378846B2 (zh)
CN (1) CN113287062B (zh)
WO (1) WO2021120104A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114265247B (zh) * 2021-12-20 2023-05-12 绵阳惠科光电科技有限公司 封装胶、显示面板以及显示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101137737B1 (ko) 2004-09-24 2012-04-25 삼성전자주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
JP5304518B2 (ja) 2009-07-30 2013-10-02 カシオ計算機株式会社 液晶表示パネル及びその製造方法
JP2015087480A (ja) * 2013-10-29 2015-05-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置およびその製造方法
CN103885252A (zh) 2014-03-12 2014-06-25 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
CN104635394B (zh) 2015-02-13 2017-07-18 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及液晶显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
US20210191172A1 (en) 2021-06-24
CN113287062A (zh) 2021-08-20
WO2021120104A1 (zh) 2021-06-24
US11378846B2 (en) 2022-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101183193B (zh) 电光装置、照明装置及电子设备
JP4561729B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
CN106054438B (zh) 显示装置
KR101972881B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
US20200203658A1 (en) Display panel and display device
US20160147111A1 (en) Liquid-Crystal Display
US10502985B2 (en) Display device
US11233021B2 (en) Array substrate, display panel, and display device having a notched display area
CN112038379B (zh) 像素阵列基板
CN112666743A (zh) 显示装置
WO2014208128A1 (ja) 表示装置
CN112650408A (zh) 显示装置
CN212461009U (zh) 一种显示屏、拼接显示屏和显示装置
CN113287062B (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
US20240118566A1 (en) Bendable device
CN103309098A (zh) 一种液晶显示装置
CN107966863B (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置
TW201413329A (zh) 液晶顯示裝置
US11977301B2 (en) Liquid crystal display panel and electronic paper
CN109752892B (zh) 一种液晶显示面板及显示装置
CN114924447B (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
KR20180077940A (ko) 보더리스타입 표시장치
US12016195B2 (en) Display device including corner display having cutouts and dams
CN219162497U (zh) 一种3d显示装置
US20240219779A1 (en) Liquid crystal display panel and electronic paper

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant