CN113241582A - 一种vcsel芯片及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种VCSEL芯片及其制造方法，利用透明导电材料平铺在整个光窗平台上表面形成抗反射透明导电层，达到全面接触的效果，再镀上所需的金属电极，达到降低接触电阻的目的，从而提供更好的光学性质，降低高频阻抗，提升高频特性，减少热效应，并增加可靠度。

Description

一种VCSEL芯片及其制造方法
技术领域
本发明涉及VCSEL芯片技术领域，尤其涉及一种VCSEL芯片及其制造方法。
背景技术
现有的VCSEL芯片制造工艺，在制造VCSEL光窗环形电极时，形成欧姆接触的范围仅仅占圆形平台表面的一部分，由于接触面积有限，因此形成的阻抗比较大，在高频操作的时候，会有产热及降低频响的问题。
发明内容
鉴于上述状况，有必要提出一种降低光窗接触电阻的VCSEL芯片及其制造方法。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种VCSEL芯片包括从下至上由无掺杂u-GaAS衬底、P型电极接触层、p-DBR、MQW和n-DBR组成的外延结构，以及由所述外延结构形成的一次刻蚀台面、二次刻蚀台面，还包括抗反射透明导电层和BCB；所述一次刻蚀台面由所述n-DBR、所述MQW并向下超出所述MQW延伸向所述p-DBR刻蚀形成，所述二次刻蚀台面由一次刻蚀台面下方的所述n-DBR刻蚀形成；所述P型电极接触层设置在所述无掺杂u-GaAS衬底上，所述一次刻蚀台面上设有n型电极,所述n型电极的中部具有光窗平台，所述一次刻蚀台面配置在所述二次刻蚀台面上，所述抗反射透明导电层覆盖在所述一次刻蚀台面形成的光窗平台的上表面，在所述P型电极接触层上设有p 型电极、所述二次刻蚀台面和所述BCB。
进一步的，所述一次刻蚀台面内设有氧化孔和有源区。
进一步的，所述抗反射透明导电层的制造材料包括ITO、ZnO和AlxZn1-xO1+0.5x及覆盖于其上之SiO2、Si3N4或其组合之薄膜所形成。
进一步的，所述抗反射透明导电层还包括覆盖所述n型电极外的所述一次刻蚀台面的上部并向侧边延伸的盖帽型部分。
本发明还提供一种VCSEL芯片的制造方法，包括以下步骤：在光窗平台的上表面沉积透明导电材料形成覆盖所述光窗平台的上表面的抗反射透明导电层。
进一步的，所述抗反射透明导电层配置在n型半导体上。
进一步的，所述透明导电材料包括ITO、ZnO和AlxZn1-xO1+0.5x及覆盖于其上之 SiO2、Si3N4或其组合之薄膜所形成。
进一步的，将透明导电材料沉积到光窗平台的上表面的工艺包括电子束蒸发、物理气相沉积、溅射沉积。
进一步的，形成所述抗反射透明导电层时使所述抗反射透明导电层覆盖所述 n型电极外的所述一次刻蚀台面的上部并向侧边延伸形成盖帽型部分。
本发明的有益效果在于：利用透明导电材料平铺在整个光窗平台上表面形成抗反射透明导电层，达到全面接触的效果，再镀上所需的金属电极，达到降低接触电阻的目的，从而提供更好的光学性质，降低高频阻抗，提升高频特性，减少热效应，并增加可靠度。
附图说明
图1是本发明实施例一种VCSEL芯片的制造方法的流程示意图；
图2是本发明实施例一种VCSEL芯片的结构示意图。
标号说明：
100、无掺杂u-GaAS衬底；110、p型电极接触层；111、p型电极；200、BCB；
210、金属垫；300、一次刻蚀台面；310、n型电极；311、金属焊接垫；
320、氧化孔；330、有源区；400、二次刻蚀台面；500、抗反射透明导电层。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明一种VCSEL芯片及其制造方法进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参照图1-图2，一种VCSEL芯片，包括从下至上由无掺杂u-GaAS衬底 100、P型电极接触层110、p-DBR、MQW(Mult iple Quantum Wel l)，多量子阱) 和n-DBR组成的外延结构，以及由外延结构形成的一次刻蚀台面300、二次刻蚀台面400，还包括抗反射透明导电层500和BCB200；一次刻蚀台面300由n-DBR、 MQW并向下超出MQW延伸向p-DBR刻蚀形成，二次刻蚀台面400由一次刻蚀台面 300下方的n-DBR刻蚀形成；P型电极接触层110设置在无掺杂u-GaAS衬底上 100，一次刻蚀台面300上设有n型电极310,n型电极310的中部具有光窗平台，一次刻蚀台面300配置在二次刻蚀台面400上，抗反射透明导电层500覆盖在一次刻蚀台面300形成的光窗平台的上表面，在P型电极接触层110上设有p 型电极111、二次刻蚀台面400和BCB200。
利用透明导电材料平铺在整个光窗平台上表面形成抗反射透明导电层500，达到全面接触的效果，再镀上所需的金属电极，即p型电极111和n型电极310，达到降低接触电阻的目的，从而提供更好的光学性质，降低高频阻抗，提升高频特性，减少热效应，并增加可靠度。
请参照图1-图2，一次刻蚀台面300内设有氧化孔320和有源区330(MQW)。
优选的，抗反射透明导电层500的制造材料包括ITO、ZnO和AlxZn1-xO1+0.5x及覆盖于其上之SiO2、Si3N4或其组合之薄膜所形成。ITO即IndiumTinOxide，掺锡氧化铟，也称铟锡氧化物。
请参照图2，抗反射透明导电层500还包括覆盖n型电极310外的一次刻蚀台面300的上部并向侧边延伸的盖帽型部分。
请参照图1-图2，本发明还提供一种VCSEL芯片的制造方法，包括以下步骤：在光窗平台的上表面沉积透明导电材料形成覆盖光窗平台的上表面的抗反射透明导电层500。
可以理解的，传统的芯片的制造工艺一般包括外延生长、n电极蒸镀剥离、台面刻蚀、侧向氧化、二次台面刻蚀、p电极蒸镀剥离、BCB涂覆及刻蚀和PAD 溅射剥离。本申请主要是在BCB涂覆及刻蚀之后进行抗反射透明导电层500沉积，然后再进行溅射剥离。可以理解的，p/n电极蒸镀剥离，即其中一个制作p 型电极111(p电极)另一个制作n型电极310(n电极)，具体根据VCSEL的结构而定，通常n型光窗先制作位于一次刻蚀台面300上的n型电极310，再制作 p型电极111，p型光窗先制作位于一次刻蚀台面300上的p型电极111，再制作n型电极310，而本申请的方案一般采用n型光窗，即先制作n型电极310。
具体的，本发明先通过外延生长工艺形成产生光子的有源层和分布布拉格反射镜(DBR，包括n-DBR和p-DBR)，有源层夹在n-DBR和p-DBR之间；通过n 电极蒸镀剥离工艺形成n型电极310；通过台面刻蚀工艺形成一次刻蚀台面300；通过侧向氧化工艺形成氧化孔320；通过二次台面刻蚀工艺形成二次刻蚀台面 400；通过p电极蒸发剥工艺离形成p型电极111；通过BCB涂覆及刻蚀工艺形成BCB200；通过抗反射透明导电层500沉积工艺形成抗反射透明导电层500；然后进行PAD溅射剥离工艺，形成连接n型电极310的金属焊接垫311和连接p 型电极111的金属垫210。其中，n电极蒸镀剥离工艺和台面刻蚀工艺可对换顺序。
优选的，抗反射透明导电层500配置在n型半导体上。或者，作为本发明的另一实施方式，抗反射透明导电层500配置在高p型掺杂的p型半导体上。一般的，透明导电材料比较适合n型。
优选的，透明导电材料包括ITO、ZnO和AlxZn1-xO1+0.5x及覆盖于其上之SiO2、 Si3N4或其组合之薄膜所形成。可以理解的，ITO、ZnO和AlxZn1-xO1+0.5x均为n型材料。
优选的，将透明导电材料沉积到光窗平台的上表面的工艺包括电子束蒸发、物理气相沉积、溅射沉积。
请参照图1和图2，形成抗反射透明导电层500时使抗反射透明导电层500 覆盖n型电极310外的一次刻蚀台面300的上部并向侧边延伸形成盖帽型部分。
特别的，根据公式：(2z+1)*λ/4＝d*√(n^2-(sinα)^2)，对VCSEL结构而言，α＝π/2，取得抗反射透明导电材料结构的最佳厚度。其中透明导电材料由铟锡氧化物(ITO)与氧化锌(ZnO)，氧化锌铝(AZO：AlxZn1-xO1+0.5x)担任，抗反射层功能则由SiO2，Si3N4与透明导电材料担任，两者共同组成抗反射导电透明材料。即使用反射率最大值的厚度，其中Z为非负的整数；n为折射系数，可以理解的，不同材料不同波段的折射系数的数值有异；d为抗反射透明导电层的厚度。
需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
综上，本发明提供的一种VCSEL芯片及其制造方法，利用透明导电材料平铺在整个光窗平台上表面形成抗反射透明导电层，达到全面接触的效果，再在抗反射透明导电层上镀上所需的金属电极，即p型电极和n型电极，达到降低接触电阻的目的，从而提供更好的光学性质，降低高频阻抗，提升高频特性，减少热效应，并增加可靠度。
以上，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种VCSEL芯片，其特征在于，包括从下至上由无掺杂u-GaAS衬底、P型电极接触层、p-DBR、MQW和n-DBR组成的外延结构，以及由所述外延结构形成的一次刻蚀台面、二次刻蚀台面，还包括抗反射透明导电层和BCB；所述一次刻蚀台面由所述n-DBR、所述MQW并向下超出所述MQW延伸向所述p-DBR刻蚀形成，所述二次刻蚀台面由一次刻蚀台面下方的所述n-DBR刻蚀形成；所述P型电极接触层设置在所述无掺杂u-GaAS衬底上，所述一次刻蚀台面上设有n型电极,所述n型电极的中部具有光窗平台，所述一次刻蚀台面配置在所述二次刻蚀台面上，所述抗反射透明导电层覆盖在所述一次刻蚀台面形成的光窗平台的上表面，在所述P型电极接触层上设有p型电极、所述二次刻蚀台面和所述BCB。
2.根据权利要求1所述的一种VCSEL芯片，其特征在于，所述一次刻蚀台面内设有氧化孔和有源区。
3.根据权利要求1所述的一种VCSEL芯片，其特征在于，所述抗反射透明导电层的制造材料包括ITO、ZnO和AlxZn1-xO1+0.5x及覆盖于其上之SiO2、Si3N4或其组合之薄膜所形成。
4.根据权利要求1所述的一种VCSEL芯片，其特征在于，所述抗反射透明导电层还包括覆盖所述n型电极外的所述一次刻蚀台面的上部并向侧边延伸的盖帽型部分。
5.一种VCSEL芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在光窗平台的上表面沉积透明导电材料形成覆盖所述光窗平台的上表面的抗反射透明导电层。
6.根据权利要求5所述的一种VCSEL芯片的制造方法，其特征在于，所述抗反射透明导电层配置在n型半导体上。
7.根据权利要求5所述的一种VCSEL芯片的制造方法，其特征在于，所述抗反射透明导电层配置在高p型掺杂的p型半导体上。
8.根据权利要求5所述的一种VCSEL芯片的制造方法，其特征在于，所述透明导电材料包括ITO、ZnO和AlxZn1-xO1+0.5x。
9.根据权利要求5所述的一种VCSEL芯片的制造方法，其特征在于，将透明导电材料沉积到光窗平台的上表面的工艺包括电子束蒸发、物理气相沉积、溅射沉积。
10.根据权利要求5所述的一种VCSEL芯片的制造方法，其特征在于，形成所述抗反射透明导电层时使所述抗反射透明导电层覆盖所述n型电极外的所述一次刻蚀台面的上部并向侧边延伸形成盖帽型部分。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114268020A (zh) * 2021-11-16 2022-04-01 深圳市德明利光电有限公司 一种高折射率对比的Al2O3 AlxGa1-xAs DBR VCSEL制作方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030096439A1 (en) * 1999-09-20 2003-05-22 Hsing-Chung Lee Methods for forming index guided vertical cavity surface emitting lasers
CN103996772A (zh) * 2014-06-03 2014-08-20 天津三安光电有限公司 发光二极管芯片及其制作方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030096439A1 (en) * 1999-09-20 2003-05-22 Hsing-Chung Lee Methods for forming index guided vertical cavity surface emitting lasers
CN103996772A (zh) * 2014-06-03 2014-08-20 天津三安光电有限公司 发光二极管芯片及其制作方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
董建: ""高速850nm垂直腔面发射激光器的设计与研制"", 《中国优秀博硕士学位论文全文数据库（硕士） 信息科技辑》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114268020A (zh) * 2021-11-16 2022-04-01 深圳市德明利光电有限公司 一种高折射率对比的Al2O3 AlxGa1-xAs DBR VCSEL制作方法
CN114268020B (zh) * 2021-11-16 2023-11-28 深圳市嘉敏利光电有限公司 一种高折射率对比的Al2O3 AlxGa1-xAs DBR VCSEL制作方法

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