CN113233789A - 一种强化微晶玻璃的回收利用方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种强化微晶玻璃的回收利用方法，包括以下步骤：1）提供一种具有缺陷的强化后的微晶玻璃，对微晶玻璃具有缺陷的一个或多个表面进行任选的机械抛光；2）对步骤1）处理后的微晶玻璃进行不同的离子交换处理后得到无表面缺陷的微晶玻璃。本发明通过机械抛光与两种离子交换相结合，对表面具有缺陷的微晶玻璃进行处理，使处理后的微晶玻璃满足商业要求，最终提升其商业价值。
Description
技术领域
本发明涉及玻璃制品技术领域，具体涉及一种强化微晶玻璃的回收利用方法。
背景技术
微晶玻璃是指具有特定组成的基础玻璃，在一定温度条件下进行晶化热处理，使玻璃内均匀地析出大量的微小晶体，形成致密的微晶相和玻璃相的多相复合体。通过控制微晶的种类、数量、尺寸大小等条件，可以获得不同种类的微晶玻璃。微晶玻璃是材料科学上的一项新的进展，微晶玻璃比陶瓷的亮度高，比普通玻璃的韧性强，集中了玻璃、陶瓷及石材的三重优点。因此，微晶玻璃的应用非常广泛。
透明微晶玻璃已经开始应用于电子显示屏材料，尤其是智能手机显示屏。目前，智能手机已经占据了手机的主要市场，但智能手机在日常生活中难免会磕磕碰碰，所以碎屏已经成为广大用户的烦恼。强化微晶玻璃可以很大程度提高玻璃盖板的机械强度。强化微晶玻璃是微晶玻璃在高温盐浴中经过离子交换而获得，通过盐浴中的大半径离子与微晶玻璃中的小半径离子进行交换，在微晶玻璃表面形成体积差，使微晶玻璃表面形成一定张应力来获得阻碍或者抑制玻璃裂纹扩展的能力，从而使微晶玻璃的机械强度达到一个比较高的水平。
但是，在离子交换过程中以及离子交换后的后续工艺(清洗、丝印、镀膜等)处理过程中，都可能会使玻璃表面产生表面缺陷，这种表面缺陷可能会改变玻璃的外观和强度。如果微晶玻璃制品因表面缺陷而无法满足电子装置中所要求的美观或功能性要求，该微晶玻璃制品可能无法使用，甚至可能不得不作为废品将其丢弃。而这类微晶玻璃制品的数量较大，微晶玻璃制品经过离子交换和后续工艺处理后的成品率仅为7％～15％，出于经济上的考虑也需要对这类表面具有缺陷的微晶玻璃制品进行再加工从而回收利用。然而，经过离子强化后微晶玻璃的强度大大提高，再加工的难度也随之提高，一旦处理不当极有可能造成无法挽回的损失，因此，需要能够有效回收处理这类具有表面缺陷的微晶玻璃制品的方法。
发明内容
针对现有技术存在的上述不足，本发明的目的在于提供一种强化微晶玻璃的回收利用方法，以解决现有技术回收利用具有表面缺陷的微晶玻璃制品难度大的问题。
为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
一种强化微晶玻璃的回收利用方法，包括以下步骤：
1)提供一种具有缺陷的强化后的微晶玻璃，对微晶玻璃具有缺陷的一个或多个表面进行任选的机械抛光；
2)对步骤1)处理后的微晶玻璃进行两次离子交换处理后得到无表面缺陷的微晶玻璃，其中：
第一次离子交换：将包含至少一种一价盐的盐浴加热至430℃～470℃，把抛光后的微晶玻璃放入所述盐浴中进行第一次离子交换，此次离子交换的时间为20min～10h；
第二次离子交换：将包含至少一种不同于第一次离子交换的一价盐盐浴加热至360℃～400℃，把经过第一次离子交换处理后的微晶玻璃放入所述盐浴中进行第二次离子交换，此次离子交换时间为5～20min。
本发明还提供一种强化微晶玻璃的回收利用方法，包括以下步骤：
1)提供一种具有缺陷的强化后的微晶玻璃，对微晶玻璃具有缺陷的一个或多个表面进行任选的机械抛光；
2)对于步骤1)处理后的微晶玻璃进行如下离子交换，其中：
将包含至少一种一价盐的盐浴加热至430℃～470℃，把抛光后的微晶玻璃放入所述盐浴中进行离子交换，此次离子交换的时间为40min～20h；
处理后得到无表面缺陷的微晶玻璃。
本发明还提供一种强化微晶玻璃的回收利用方法，包括以下步骤：
1)对微晶玻璃具有缺陷的一个或多个表面进行任选的机械抛光；
2)对步骤1)处理后的微晶玻璃进行两次离子交换处理，其中：
第一次离子交换：将包含至少一种一价盐的盐浴加热至430℃～470℃，把抛光后的微晶玻璃放入所述盐浴中进行第一次离子交换，此次离子交换的时间为20min～10h；
第二次离子交换：将包含至少一种不同于第一次离子交换的一价盐盐浴加热至360℃～400℃，把经过第一次离子交换处理后的微晶玻璃放入所述盐浴中进行第二次离子交换，此次离子交换时间为5～20min；
3)重复步骤1)和步骤2)得到无表面缺陷的微晶玻璃。
本发明还公开了一种用于回收利用强化微晶玻璃的方法，包括以下步骤：
1)提供一种具有缺陷的强化后的微晶玻璃，对微晶玻璃具有缺陷的一个或多个表面进行任选的机械抛光；
2)对于步骤1)处理后的微晶玻璃进行如下离子交换，其中：
将包含至少一种一价盐的盐浴加热至430℃～470℃，把抛光后的微晶玻璃放入所述盐浴中进行离子交换，此次离子交换的时间为40min～20h；
3)依次重复步骤1)和步骤2)，处理后得到无表面缺陷的微晶玻璃。
本发明还提供一种作为消费品的电子终端，包括：
外壳，所述外壳包括前表面、后表面和侧表面；
以及部分位于所述外壳内的电子组件，所述电子组件包括显示器，该显示器位于所述外壳的前表面处或者毗邻所述前表面；
所述前表面或/和后表面或/和侧表面包括如本发明所述强化微晶玻璃的回收利用方法获得的微晶玻璃制品；
还包括覆盖于外壳的前表面处或位于所述显示器上的覆盖制品，所述覆盖制品包括如本发明所述强化微晶玻璃的回收利用方法获得的微晶玻璃制品；
所述作为消费品的电子终端包括手机、平板电脑、或其他电子终端。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
本发明通过机械抛光与两种离子交换相结合，先对强化后的微晶玻璃具有缺陷的表面进行机械打磨抛光，将其具有的表面缺陷通过机械抛光去掉，从而使原本具有缺陷的表面不再具有缺陷，不过机械抛光的同时也会导致微晶玻璃的压应力下降，所以需要对机械抛光后的进行重新处理；然后，采用两种离子交换对微晶玻璃抛光后的表面进行处理，其中，含有锂离子和钾离子的混合盐浴在适当工艺条件下使微晶玻璃和盐浴进行Li+-Na+、K+-Na+这种常规化学强化离子交换的同时，盐浴中另一部分的锂离子能够取代Na2Si2O5聚集物中其中一个钠离子的位置，从而破坏Na2Si2O5聚集物的结构，进而大大减少Na2Si2O5聚集物的数量，不仅使得抛光后的微晶玻璃表面增加了新的应力以接近抛光前的应力，其表面具有足够的强度，从而增加微晶玻璃对破裂的抗性；还改善了微晶玻璃表面的耐水解性，去除了在微晶玻璃表面产生的Na掺杂的硅酸盐聚集物，避免了在微晶玻璃表面形成新的缺陷，进而使处理后的微晶玻璃满足商业要求，最终提升其商业价值。
附图说明
图1a、1b、1c示意性地图示了本发明所述微晶玻璃具有的部分表面缺陷。
图2示意性地展示了Na2Si2O5聚集物的形成过程。
图3示意性地展示了本发明所述微晶玻璃表面具有其中一种划伤缺陷的形式。
图4示意性地展示了本发明所述微晶玻璃表面具有其中另一种划伤缺陷的形式。
图5示意性地展示了本发明所述微晶玻璃表面具有其中另一种划伤缺陷的形式。
图6示意性地展示了本发明所述微晶玻璃表面具有其中一种脏污缺陷的形式。
图7示意性地展示了本发明所述微晶玻璃表面具有其中另一种脏污缺陷的形式。
图8示意性地展示了本发明所述微晶玻璃表面具有其中另一种脏污缺陷的形式。
图9示意性地展示了本发明实施例中微晶玻璃表面缺陷的代码。
图中：1为微晶玻璃、2为钠离子、3为锂离子、4为硅氧四面体、5为缺陷。
具体实施方式
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明。
一、本发明涉及的相关专用名称及相关测量方法解释如下
微晶玻璃：经过核化-晶化工艺使玻璃的内部析出具有一定结构尺寸的晶体，能够提高玻璃的网络结构强度。
强化微晶玻璃：是经过高温离子交换工艺处理后的化学钢化玻璃。在高温熔盐中大碱金属离子取代玻璃中的小碱金属离子从而产生交换离子体积差，在玻璃的表层中产生由高到低的压应力，阻碍和延缓玻璃微裂纹的扩展，达到提高玻璃机械强度的目的。
表面压应力CS：玻璃经过化学强化后，表面较小半径的碱金属离子被替换为较大半径的碱金属离子，由于较大半径的碱金属离子的挤塞效应，玻璃表面因此产生压应力，称为表面压应力。
有效厚度：微晶玻璃制品作为产品所需要的最低厚度。
压应力深度DOL-0：从强化玻璃表面到压应力为零的位置的距离。
张应力线密度CT-LD：根据SLP应力仪测试获得玻璃在其厚度截面下，其张应力积分与厚度的比值。化学强化玻璃中压应力与张应力为平衡相等的关系，而SLP-1000应力仪对玻璃的张应力区域更为精准，故采用张应力积分与厚度比值表征玻璃单位厚度下容纳的应力大小，用来表征化学强化玻璃的应力程度。
耐水解性测试：为高温高湿测试，测试前先检查样品状况，将样品放入恒温恒湿箱内，设定温度85℃，湿度85％，持续时间10天，结束后取出样品，在室温条件下恢复2h，观察样品表面，在标准光源下目视检验，检视距离30cm左右，无明显气泡、麻点、开裂、变形等不良；透明素材表面不能有不可擦拭的发雾不良。
整机跌落测试：一种强化玻璃强度测试的方法，将强化玻璃片与手机等电子设备样品贴附在一起，由高处自由落体跌下，记录强化玻璃破碎的高度，这一高度值可以反映强化玻璃的强度，将此测试方法称为整机跌落测试。
化学强化极限实验：特指锂铝硅化学强化玻璃的钠-锂离子进行交换的时间与应力的关系。将锂铝硅玻璃片放入430℃的纯硝酸钠盐中，进行离子交换。每隔一段时间(15min或者30min、或者60min)取出玻璃，采用SLP1000或SLP2000应力仪进行应力测试并记录，测试完成后再放入盐浴继续强化，一直强化至应力CT-LD出现明显下降趋势后停止实验。
本发明中，应力测量可由Orihara公司生产的FSM6000及SLP1000分别对表层高压应力区和深层低压应力区进行测量，并采用PMC软件将应力曲线进行拟合，得到表2的相应测试结果。当然也可采用其他可对表层高压应力区和深层低压应力区进行测量的应力测试仪。本发明中对于微晶玻璃表面出现的缺陷采用二次元影像测量仪进行选择性放大观测。
二、一种强化微晶玻璃的回收利用方法
目前，通过增大微晶玻璃的表面压应力(CS)以及应力层的深度来增加强化微晶玻璃的强度。为了提供更高的CS并增大应力层的深度，可将微晶玻璃放在高温盐浴中经过离子交换而获得。在离子交换处理中，使含有至少一种半径较小的碱金属离子的微晶玻璃与含有至少一种半径较大的碱金属离子的盐浴接触，离子半径较小的碱金属离子从微晶玻璃表面扩散入盐浴中，同时，来自盐浴中离子半径较大的碱金属离子取代微晶玻璃表面中的这些离子半径较小的离子。微晶玻璃中发生的这种离子半径较大的离子对离子半径较小的离子的取代在微晶玻璃表面产生压应力层，从而增加了微晶玻璃对抗破裂的耐性。随着离子交换处理的进行，盐浴中离子半径较小的碱金属离子(即从微晶玻璃扩散如盐浴中的离子)的盐浓度增大，同时，盐浴中离子半径较大的碱金属离子(即从盐浴迁移进入微晶玻璃中的离子)的浓度减小。在这一过程中，理想情况下，在整个微晶玻璃表面上生成均匀的表面压应力。然而，所引发的应力有时会分布得不均匀，导致应力在某一局部区域中高度集中，这可能会在微晶玻璃表面处产生缺陷。随着离子交换的进行，由于离子体积的变化，可能会形成表面缺陷，例如凹陷或凸起，这是因为取代较大离子的较小离子会在微晶玻璃基材表面上留下空隙或凹陷。
然而，通常情况下造成强化微晶玻璃表面出现缺陷的原因是多方面的，在离子交换过程中以及离子交换后的后续工艺中，例如清洗、丝印、镀膜等，都可能导致强化微晶玻璃表面出现缺陷。并且，化学强化处理后得到表面具有缺陷的微晶玻璃制品数量是很低的，更多导致微晶玻璃制品表面具有缺陷的原因是化学强化后的后续工艺处理。在离子交换后的后续工艺中，例如清洗、丝印、镀膜等工序，难免会对微晶玻璃制品表面造成损伤，使微晶玻璃制品每经历一道工序后都会产生一定数量的表面具有缺陷的微晶玻璃制品。而强化微晶玻璃表面出现的缺陷种类也很多，例如，点状缺陷、线状缺陷、无感刮伤、脏污、麻点等，这些都被认为是微晶玻璃表面具有的缺陷。商业上不需要带有这些缺陷的微晶玻璃，这就导致具有这些表面缺陷的微晶玻璃不再具有商业价值。然而，对于表面具有缺陷的微晶玻璃的处理存在很大难度，因为这些表面具有缺陷的微晶玻璃都经过了化学强化，其强度大大提高，很难实现对其进行回收处理再利用，从而使得改变这些表面具有缺陷的微晶玻璃商业价值的难度很大。如果对其进行反向强化将应力消除，由于反向强化是通过半径较小的离子去置换玻璃中半径较大的离子，会在玻璃表面与内部形成较大的体积差，这会导致微晶玻璃制品直接破碎，无法挽救。
本发明所述的实施方式针对上述具有缺陷的强化后的微晶玻璃，具体包括以下步骤：
1)提供一种具有缺陷的强化后的微晶玻璃，对微晶玻璃具有缺陷的一个或多个表面进行任选的机械抛光；
2)对步骤1)处理后的微晶玻璃进行如下两次离子交换，其中：
第一次离子交换：将包含至少一种一价盐的盐浴加热至430℃～470℃，把抛光后的微晶玻璃放入所述盐浴中进行第一次离子交换，此次离子交换的时间为20min～10h；
第二次离子交换：将包含至少一种不同于第一次离子交换的一价盐盐浴加热至360℃～400℃，把经过第一次离子交换处理后的微晶玻璃放入所述盐浴中进行第二次离子交换，此次离子交换时间为5～20min；处理后得到无表面缺陷的微晶玻璃。
在本发明中，对微晶玻璃具有缺陷的一个或多个表面进行任选的机械抛光，一方面是将微晶玻璃表面的缺陷打磨掉，另一方面，机械抛光也会将微晶玻璃原本具有的表面CS层打磨掉，需要对机械抛光后的微晶玻璃赋予新的表面应力。本发明通过对抛光后的微晶玻璃进行两次离子交换，第一次离子交换的盐浴选用含有钠离子的盐浴，进行Na+-Li+离子交换，使微晶玻璃中半径较小的碱金属离子从微晶玻璃表面扩散入盐浴中，同时，来自盐浴中半径较大的碱金属离子取代微晶玻璃表面这些半径较小的碱金属离子，使微晶玻璃表面形成新的表面CS层，从而增加了微晶玻璃对破裂的耐性。其中，对于第一次离子交换的时间，可根据微晶玻璃的应力性能进行调整。首先，对质量合格的微晶玻璃进行化学强化极限实验，质量合格的微晶玻璃是指微晶玻璃的表面缺陷尺寸在商业产品允许的范围内，从而获得质量合格的微晶玻璃进行离子交换的时间与应力的关系，获得离子交换时间与应力曲线图，再对表面具有缺陷并经过机械抛光后的微晶玻璃进行应力检测，并将其与之前获得的应力曲线图进行比较，进而获得进行第一次离子交换的时时间。例如，对表面具有缺陷并经过机械抛光后的微晶玻璃进行应力检测，得到其表面CS为300MPa，与质量合格的微晶玻璃的应力曲线图进行对比，发现质量合格的微晶玻璃表面CS达到300MPa的时间为2h，表面CS达到200MPa时离子交换时间为5h，则表面具有缺陷并经过机械抛光后的微晶玻璃第一次离子交换的时间应当至少为3h，以此类推，也可以根据应力层的深度来确定第一次离子交换的时间。第一次离子交换的时间可包括20min～10h及其之间的所有范围和子范围，例如20min～1h，1h～2h，1h～3h，2h～6h，5h～7h，4h～8h，3h～9h，2h～5.5h，4h～7.5h，5.5h～8h，1.5h～4.5h，2.5h～6.5h，3.5h～7.5h，4.5h～6.5h，30min～2h，40min～5h，50min～4h，45min～5h，5.5h～8.5h，9h～10h，1h，2h，3h，4h，5h，6h，7h，或者8h等。第一次离子交换的温度可包括360℃～400℃及其之间所有的范围和子范围，例如360℃、370℃、380℃、390℃、400℃、360℃～370℃、365℃～375℃、360℃～385℃、375℃～395℃等。
在第一次离子交换完成后，对微晶玻璃进行检测时发现，此时的微晶玻璃已经具有了良好的应力性能，然而，耐水解性这一性能却出现了意料之外的结果，在对第一次离子交换处理后的微晶玻璃进行耐水解性测试时发现，此时微晶玻璃的耐水解性出现了较大程度的下降，微晶玻璃表面出现起泡、麻点、开裂、变形等不同程度的不良，有的微晶玻璃表面出现的不良更加严重，例如，部分微晶玻璃表面出现了较为严重的开裂和变形。在对这些耐水解性下降的微晶玻璃进行研究后发现，在第一次离子交换完成后，微晶玻璃制品的表面上形成了一种结晶，对这种结晶的结构和形成原理进行深入研究后发现，在含有锂基晶体的微晶玻璃中，特别是含有二硅酸锂晶相、硅酸锂晶相、透锂长石或锂辉石一种或多种的微晶玻璃中，当钠扩散进入到微晶玻璃中时，一部分钠离子与微晶玻璃中可用的锂发生交换，使微晶玻璃获得良好的应力性能，但另一部分钠离子则会与微晶玻璃结构中的锂基晶体(例如，二硅酸锂盐Li2Si2O5及其他晶相形式)发生交换，这一过程参见附图2，这种交换的结果会导致微晶玻璃表面的锂基晶体部分溶解，形成玻璃质状的Na掺杂的硅酸盐玻璃层外观，即Na2Si2O5聚集物。由于扩散过程的动力学，这种聚集物会出现在正在进行离子交换的微晶玻璃表面，微晶玻璃一旦冷却就难以从其表面去除这些聚集物，这些聚集物不仅会在微晶玻璃表面形成新的缺陷(例如，凹陷或凸起)，更令人惊讶的是，正是这些聚集物的出现导致微晶玻璃制品的表面不耐水解，因为这种聚集物能够溶于水，使得具有这些聚集物的微晶玻璃制品表面在接触到水溶液时，水更容易通过溶解聚集物而深入微晶玻璃制品内部，导致微晶玻璃制品表面出现各种不良，从而使微晶玻璃制品的耐水解性下降。所以，需要对这些聚集物进行处理，本发明通过第二次离子交换来处理微晶玻璃表面形成的Na2Si2O5聚集物，第二次离子交换的盐浴选用含有锂离子和钾离子的混合盐浴，在微晶玻璃和盐浴进行Li+-Na+、K+-Na+这种常规化学强化离子交换的同时，盐浴中另一部分的锂离子能够取代Na2Si2O5聚集物中其中一个钠离子的位置，从而破坏Na2Si2O5聚集物的结构，进而大大减少Na2Si2O5聚集物的数量，使经过第一次离子交换后微晶玻璃的表面得到改善，并赋予微晶玻璃表面耐水解的能力。第二次离子交换的时间为5～20min，可包括5～20min及其之间的所有范围和子范围，例如5min～10min，5min～6min，5min～7min，5min～8min，5min～9min，6min～10min，7min～15min，5min～13min，6min～18min，6min～19min，8min～13min，7min～12min，6min～14min，7min～15min，7min～19min，7min～14min，8min～18min，8min～15min，5min，10min，15min，或者20min等。第二次离子交换的温度可包括430℃～470℃及其之间所有的范围和子范围，例如430℃、440℃、450℃、460℃、470℃、440℃～450℃、430℃～440℃、435℃～440℃、445℃～455℃等。
在另一些实施方式中，采用另一种工艺来回收具有缺陷的强化后的微晶玻璃，包括以下步骤：
1)提供一种具有缺陷的强化后的微晶玻璃，对微晶玻璃具有缺陷的一个或多个表面进行任选的机械抛光；
2)对于步骤1)处理后的微晶玻璃进行如下一次离子交换，其中：
将包含至少一种一价盐的盐浴加热至430℃～470℃，把抛光后的微晶玻璃放入所述盐浴中进行离子交换，此次离子交换的时间为40min～20h；处理后得到无表面缺陷的微晶玻璃。
将抛光后的微晶玻璃放入包含至少一种一价盐的盐浴中进行离子交换，此时盐浴优选混合盐浴，进一步优选采用包含KNO3和NaNO3的混合盐浴。将微晶玻璃放入混合盐浴内，可同时进行K+-Na+、Na+-Li+二元离子交换，盐浴中钠离子与微晶玻璃中更深处的锂离子进行离子交换，使微晶玻璃获得较深的压应力，而钾离子与微晶玻璃中的钠离子进行离子交换，为微晶玻璃提供较高的表面压应力。此次离子交换的温度可包括430℃～470℃及其之间所有的范围和子范围，例如430℃、440℃、450℃、460℃、470℃、440℃～450℃、430℃～440℃、435℃～440℃、445℃～455℃等。离子交换时间为40min～20h，可包括40min～20h及其之间的所有范围和子范围，例如40min～50min，50min～60min，1h～2h，2h～3h，3h～4h，4h～5h，5h～6h，6h～7h，8h～9h，9h～10h，10h～11h，12h～13h，13h～14h，14h～15h，15h～16h，16h～17h，17h～18h，18h～19h，19h～20h，1h～5h，6h～8h，3h～6h，4h～8h，8h～12h，12h～16h，3h，6h，9h，12h，15h，18h，或者20h等。
在一些实施方式中，步骤1)中，微晶玻璃具有的缺陷包含至少一处高度或深度大于或等于2nm且宽度或长度大于或等于7μm的表面缺陷。一般的，在微晶玻璃经过化学强化后，进行后续每道工序前，要对其表面进行检测，以判定微晶玻璃的表面是否具有缺陷，从而将表面具有缺陷的微晶玻璃筛选出来。所述缺陷可以是凹陷，也可以是凸起。有些缺陷的尺寸过大，严重影响了微晶玻璃的工业性能，例如导致微晶玻璃对破裂的耐性下降，具有这些缺陷的微晶玻璃是需要进行再次加工的，可参考附图1a～1c，附图1a～1c示意性的展示了部分表面具有缺陷的微晶玻璃。随着离子交换的进行，由于离子体积的变化，可能会在微晶玻璃表面形成缺陷，通常情况下，微晶玻璃表面形成的缺陷有很多形式，例如，点状缺陷、线状缺陷、有感刮伤、无感刮伤、麻点、脏污等，这些缺陷也包含凹陷或凸起，且并不局限于缺陷的形状。采用二次元影像测量仪可以对微晶玻璃表面进行选择性放大观测，参考附图3～8，在对微晶玻璃表面放大至87.7倍时，可以清晰的观察到微晶玻璃的表面状态，从附图3～8中可以看出，微晶玻璃表面具有许多细小的黑点，推测这些细小的黑点可能是在微晶玻璃表面形成的一些细小凹陷，与附图中的缺陷5相比，这些细小凹陷的尺寸非常小，不会对微晶玻璃的工业性能造成影响，所以这些非常细小的凹陷是在商业产品允许的范围内，这样的表面缺陷是可以接受的。而附图中所展示的缺陷5仅包括划伤缺陷和脏污缺陷，划伤缺陷和脏污缺陷的尺寸相较于这些细小凹陷则非常大，附图3～5展示了部分微晶玻璃表面具有的划伤缺陷，将附图3～5进行对比能够看出，即便都属于划伤缺陷，但在微晶玻璃表面仍然存在不同形式的划伤缺陷，附图仅展示了一部分划伤缺陷的形式，而附图6～8则展示了部分微晶玻璃表面具有的不同形式的脏污缺陷，从这些附图中可以看出微晶玻璃表面具有的缺陷类型是多种形式的，并且形状是不固定的，同时，这些缺陷也不仅仅局限于凹陷或凸起，例如，点状缺陷还可包含在微晶玻璃表面出现的亮点、黑点、内污、针孔、锯齿、色点、气泡和白点等，线状缺陷还可包含线状杂质、毛丝和纤维等，因为无论是缺陷的形式和其成因，这些缺陷的尺寸都要受到限制，一旦缺陷的高度或深度、宽度或长度超过限制，这样的微晶玻璃便失去了商业价值。在一些实施方式中，微晶玻璃表面具有至少一处缺陷，并且所述缺陷的高度或深度大于或等于2nm，可为2nm至100nm，或者2nm至200nm，或者2nm至300nm，或者2nm至400nm，或者2nm至500nm，或者2nm至600nm，或者2nm至700nm，或者2nm至800nm，或者2nm至10nm，或者2nm至10nm，或者100nm至500nm，或者100nm至1000nm，或者200nm至2000nm，或者500nm至1000nm，或者1000nm至10μm，或者100nm至5μm，或者200nm至50μm，或者2nm至80μm，或者10nm至60μm，或者100nm至30μm，或者200nm至30μm，或者500nm至30μm，或者1000nm至30μm，或者30μm至100μm等，或者30μm至100μm，或者30μm至40μm，或者40μm至50μm，或者30μm至60μm，或者30μm至70μm，或者30μm至80μm，或者30μm至90μm，或者40μm至140μm，或者30μm至150μm等，或者10nm至10mm，或者100nm至15mm，或者100nm至100mm；所述缺陷的宽度或长度大于或等于7μm，可为0.03mm至5.0mm，或者0.03mm至7.0mm，或者0.03mm至4.0mm，或者0.03mm至9.0mm，或者0.06mm至5.0mm，或者0.07mm至9.0mm，或者0.09mm至6.0mm，或者0.08mm至9.0mm，或者0.07mm至9.0mm，或者0.03mm至10.0mm，或者0.07mm至3.0mm，或者0.07mm至9.6mm，或者0.06mm至8.5mm，或者0.03mm至6.5mm，或者7μm至100μm，或者7μm至10μm，或者7μm至20μm，或者7μm至50μm，或者7μm至200mm，或者7μm至1000μm，或者7μm至500μm；或者10μm至10mm，或者10μm至100mm等。
在一些实施方式中，步骤1)中，所述微晶玻璃进行机械抛光的厚度不小于所述微晶玻璃具有的缺陷的高度或深度。当所述缺陷为凸起时，步骤1)所述微晶玻璃进行任选机械抛光的厚度不小于凸起的高度；当所述缺陷为凹陷时，步骤1)所述微晶玻璃进行任选机械抛光的厚度不小于凹陷的深度；当所述缺陷为凸起和凹陷之外的其它形式缺陷时，步骤1)所述微晶玻璃进行任选机械抛光的厚度不小于该缺陷的深度，即将微晶玻璃表面具有的这类缺陷完全抛光去掉。通过任选的机械抛光，将微晶玻璃表面的缺陷打磨掉，在机械抛光后对微晶玻璃进行清洁(例如，可以采用清洗剂和超声进行清洁)，将其表面的尘粒清洗掉，以便于后续进行离子交换。在实际生产中，机械抛光的厚度也可以小于所述微晶玻璃具有的缺陷的高度或深度，但处理后微晶玻璃表面缺陷的高度或深度要足够小，即缺陷的高度或深度小于或等于0.03mm，因为在整个生产流程中，每一步加工工艺开始之前都会对需要加工的微晶玻璃进行检测，以保证质量合格的微晶玻璃进入该工艺进行加工，也避免微晶玻璃表面具有的缺陷在该工艺加工过程中被进一步扩大。因此，经过研究发现，本发明所述方法对微晶玻璃的抛光厚度以将微晶玻璃表面的缺陷抛除掉为最佳，但从后续工艺处理以及成本考虑，机械抛光厚度也不应当过大，由于微晶玻璃制品的用途不同，其有效厚度也不同。本发明发现每次机械抛光的厚度与机械抛光次数的乘积小于微晶玻璃制品本身厚度与有效厚度之差为优选方案。
在具体实施时，经过本发明所述方法处理后的微晶玻璃无表面缺陷，所述无表面缺陷的微晶玻璃不含有至少一处高度或深度大于或等于2nm且宽度或长度大于或等于0.007mm的表面缺陷，且所述无表面缺陷的微晶玻璃的表面CS不低于200MPa。同样的，在实际应用中，并非所有具有缺陷的微晶玻璃都是不合格的，当微晶玻璃表面具有的缺陷不会对微晶玻璃的工业性能造成影响时，且所述缺陷的尺寸在商业产品允许的范围内，这样的表面缺陷是可以接受的。其中，有些缺陷是不被接受的，微晶玻璃的表面不能出现这些缺陷，例如，有感刮伤、麻点、亮点、白点、黑点和脏污，无论这些缺陷的形成原因是何，这些缺陷都严重影响微晶玻璃表面外观而不被允许出现，但对于其他类型的缺陷，只要其尺寸控制在商业产品允许的范围内，且不会对微晶玻璃的工业性能造成影响，这部分缺陷是被允许存在的。通过本发明所述方法处理后得到的微晶玻璃中，部分微晶玻璃表面不再具有任何缺陷，部分微晶玻璃表面可能仍然存在部分微弱的缺陷，但这部分微弱的缺陷不会对微晶玻璃的工业性能造成影响，其尺寸是在商业产品允许的范围内，所以这些表面缺陷在商业产品允许范围内的微晶玻璃，与表面不具有缺陷的微晶玻璃可以一同被视为无表面缺陷的微晶玻璃。在一些实施方式中，所述缺陷的高度或深度小于2nm，可为1nm至2nm，或者1nm，或者2nm等，甚至更小；所述缺陷的宽度或长度小于7μm，可为1μm至3μm，或者2μm至4μm，或者3μm至5μm，或者4μm至6μm，或者5μm至7μm，或者1μm至2μm，或者2μm至3μm，或者3μm至4μm，或者4μm至5μm，或者5μm至6μm，或者6μm至7μm，或者1μm至4μm，或者2μm至5μm，或者3μm至6μm，或者4μm至7μm，或者1μm至5μm，或者2μm至6μm，或者3μm至7μm，或者1μm至6μm，或者2μm至7μm等；所述无表面缺陷的微晶玻璃的表面CS不低于200MPa，包括不低于200MPa及其之间所有范围和子范围内，例如，优选为200MPa～500MPa，优选为200MPa～300MPa，优选为210MPa～350MPa，优选为300MPa～400MPa，优选为400MPa～500MPa，优选为250MPa～350MPa，优选为240MPa～400MPa，优选为380MPa～480MPa，优选为350MPa～450MPa，优选为310MPa～470MPa等。
在一些实施例中，所述微晶玻璃包括含有钠元素和锂元素的微晶玻璃。本发明所述微晶玻璃中含有钠元素和锂元素，在第一次离子交换中，进行Na+-Li+离子交换，使微晶玻璃中半径较小的锂离子从微晶玻璃表面扩散入盐浴中，同时，来自盐浴中半径较大的钠离子取代微晶玻璃表面这些半径较小的锂离子，使微晶玻璃表面形成新的表面CS层，从而增加了微晶玻璃对破裂的耐性。在第二次离子交换中，在微晶玻璃和盐浴进行Li+-Na+、K+-Na+这种常规化学强化离子交换的同时，盐浴中另一部分的锂离子能够取代Na2Si2O5聚集物中其中一个钠离子的位置，从而破坏Na2Si2O5聚集物的结构，进而减少Na2Si2O5聚集物的数量，对经过第一次离子交换后微晶玻璃的表面进行改善，赋予微晶玻璃表面耐水解的能力。
在一些实施例中，所述微晶玻璃包含二硅酸锂晶相、硅酸锂晶相、透锂长石或锂辉石中的一种或多种。本发明的微晶玻璃中，主要包含二硅酸锂晶相、硅酸锂晶相、透锂长石或锂辉石中的一种或多种，这几种晶相可以在微晶玻璃中择一存在，也可以同时存在，多者存在均能增强微晶玻璃的抗破坏强度、抗拉弯强度，但这几种晶相的存在也会为离子交换带来不良影响，在第一次离子交换后，对微晶玻璃进行检测时发现，大部分微晶玻璃的耐水解性出现了大幅度的下降，在对这部分微晶玻璃进行研究后发现，第一次离子交换过程中钠离子除了与微晶玻璃中可用的锂离子发生交换的同时，另一部分钠离子会与微晶玻璃中的硅酸锂晶相及其他形式的锂基晶体(例如：二硅酸锂晶相、硅酸锂晶相、透锂长石或锂辉石)发生交换，这种交换最终会导致部分锂基晶体溶解，形成玻璃质状的Na2Si2O5聚集物，从而导致第一次离子交换后微晶玻璃的耐水解性大幅度下降，因此需要对包含这几种晶相的微晶玻璃进行第二次离子交换，以破坏Na2Si2O5聚集物的结构，进而减少Na2Si2O5聚集物的数量，对经过第一次离子交换后微晶玻璃的表面进行改善，避免这些聚集物在微晶玻璃表面形成缺陷的同时，重新赋予微晶玻璃表面耐水解的性能。
在一些实施例中，步骤2)中，第一次离子交换使用的盐浴中包含不低于99wt％的NaNO3。在对微晶玻璃具有缺陷的一个或多个表面进行任选的机械抛光后，不仅可以将微晶玻璃表面的缺陷打磨掉，同时也将微晶玻璃原本具有的表面CS层也打磨掉了，此时需要赋予微晶玻璃新的表面CS层。第一次离子交换盐浴选用NaNO3，进行Na+-Li+离子交换，使微晶玻璃中半径较小的碱金属离子从微晶玻璃表面扩散入盐浴中，同时，来自盐浴中半径较大的碱金属离子取代微晶玻璃表面这些半径较小的碱金属离子，使微晶玻璃表面形成新的表面CS层，从而增加了微晶玻璃对破裂的耐性，使微晶玻璃重新获得较强的抗跌落性能。第一次离子交换盐浴中NaNO3的含量不低于99wt％，包括不低于99wt％及其之间所有范围和子范围内，例如，99wt％～99.2wt％，99wt％～99.4wt％，99wt％～99.5wt％，99wt％～99.5wt％，99wt％～99.6wt％，99wt％～99.7wt％，99wt％～99.8wt％，99wt％～99.9wt％，99wt％～99.99wt％，99wt％～99.1wt％，99wt％～100wt％，99.1wt％，99.2wt％，99.3wt％，99.4wt％，99.5wt％，99.6wt％，99.7wt％，99.8wt％，99.9wt％，100wt％。
在一些实施例中，步骤2)中，第一次离子交换使用的盐浴中锂离子的浓度不超过150ppm。在第一次离子交换使用的盐浴中需要对锂离子的浓度进行严格的控制，因为第一次离子交换中进行的是Na+-Li+离子交换，盐浴中锂离子浓度过高会严重影响第一次离子交换的效果，从而影响微晶玻璃表面获得的应力效果，需要将第一次离子交换使用的盐浴中锂离子浓度控制在一定范围内，在具体实施时，可以通过多种方式实现这一目的，例如，可以向第一盐浴中投加一定量的重庆鑫景特种玻璃有限公司的离子筛功能陶瓷产品“KmateTM”或者市面上的磷酸钠产品以控制锂离子浓度。在一些实施方式中，可将离子筛功能陶瓷产品添加至盐浴中，用于吸附盐浴中的锂离子。离子筛功能陶瓷产品包含Si、Al、Na氧化物，在经过高温活化沸石失水后，形成内部具有许多孔径大小均一的晶体，这样的晶体具有很强的吸附能力，能有效地把直径小于其孔径的分子吸入孔内，而把直径大于其孔径的分子阻挡在晶体外，从而对直径大小不同的分子进行分离，离子筛功能陶瓷产品的添加量为盐浴质量的0.5wt％～1.5wt％，吸附时间为6h～10h。在另一些实施方式中，可将磷酸钠添加至盐浴中，以沉淀出盐浴中的锂离子。所以，对第一次离子交换使用的盐浴中锂离子浓度控制的方式是多种的，第一次离子交换使用的盐浴中锂离子浓度包括不超过150ppm及其之间的所有范围和子范围，例如10ppm～100ppm，20ppm～120ppm，10ppm～110ppm，20ppm～110ppm，30ppm～140ppm，50ppm～100ppm，60ppm～100ppm，70ppm～100ppm，80ppm～100ppm，90ppm～100ppm，100ppm～150ppm，10ppm，20ppm，30ppm，40ppm，50ppm，60ppm，70ppm，80ppm，90ppm，100ppm，110ppm，120ppm，130ppm，140ppm，150ppm。
在一些实施例中，步骤2)中，第二次离子交换使用的盐浴中包含不低于0.08wt％且不高于0.2wt％的LiNO3和不超过99.92wt％且不低于99.8wt％的KNO3。由于在第一次离子交换后，盐浴中存在的一些盐可能会在微晶玻璃表面上形成结晶，特别是含有二硅酸锂晶相、硅酸锂晶相、透锂长石或锂辉石一种或多种的微晶玻璃，部分钠离子会与二硅酸锂盐Li2Si2O5及其其他形式发生交换，在微晶玻璃表面形成Na2Si2O5聚集物，一旦微晶玻璃冷却就难以将其表面的这些聚集物去除，这些聚集物不仅可能会在微晶玻璃表面形成新的缺陷(例如，凹陷或凸起)，还会导致微晶玻璃的耐水解性变差，需要对微晶玻璃进行第二次离子交换。第二次离子交换使用的是包含LiNO3和KNO3的混合盐浴，盐浴中包含0.08wt％～0.2wt％的LiNO3及其之间的所有范围和子范围，例如0.08wt％～0.09wt％，0.08wt％～0.1wt％，0.08wt％～0.11wt％，0.08wt％～0.12wt％，0.08wt％～0.13wt％，0.08wt％～0.14wt％，0.08wt％～0.15wt％，0.08wt％～0.16wt％，0.08wt％～0.17wt％，0.08wt％～0.18wt％，0.08wt％～0.19wt％，0.09wt％～0.1wt％，0.09wt％～0.11wt％，0.09wt％～0.12wt％，0.09wt％～0.13wt％，0.09wt％～0.14wt％，0.09wt％～0.15wt％，0.09wt％～0.2wt％，0.1wt％～0.11wt％，0.1wt％～0.12wt％，0.1wt％～0.15wt％，0.1wt％～0.2wt％等，以及99.8wt％～99.92wt％的KNO3及其之间的所有范围和子范围，例如，99.91wt％～99.92wt％，99.9wt％～99.92wt％，99.89wt％～99.92wt％，99.88wt％～99.92wt％，99.87wt％～99.92wt％，99.86wt％～99.92wt％，99.85wt％～99.92wt％，99.84wt％～99.92wt％，99.83wt％～99.92wt％，99.82wt％～99.92wt％，99.81wt％～99.92wt％，99.9wt％～99.91wt％，99.89wt％～99.91wt％，99.87wt％～99.89wt％，99.86wt％～99.89wt％，99.85wt％～99.89wt％，99.8wt％～99.91wt％，99.89wt％～99.9wt％，99.88wt％～99.9wt％等。
在一些实施方式中，采用一次离子交换对抛光后微晶玻璃进行强化，步骤2)中，使用的盐浴是包含同为一价盐的KNO3和NaNO3混合盐浴，盐浴中包含50wt％～80wt％的KNO3及其之间所有的范围和子范围，例如，50wt％～60wt％，60wt％～70wt％，70wt％～80wt％，50wt％～70wt％，60wt％～80wt％，55wt％～60wt％，65wt％～70wt％，70wt％～75wt％，75wt％～80wt％，50wt％，51wt％，52wt％，53wt％，54wt％，55wt％，56wt％，57wt％，58wt％，59wt％，60wt％，65wt％，70wt％，75wt％，80wt％等；以及20wt％～50wt％的NaNO3及其之间的所有范围和子范围，例如，40wt％～50wt％，30wt％～40wt％，20wt％～30wt％，30wt％～50wt％，20wt％～40wt％，40wt％～45wt％，30wt％～35wt％，25wt％～30wt％，20wt％～25wt％，50wt％，49wt％，48wt％，47wt％，46wt％，45wt％，44wt％，43wt％，42wt％，41wt％，40wt％，35wt％，30wt％，25wt％，或者20wt％等。其中，同样需要对盐浴中的锂离子浓度进行控制，因为此次离子交换中进行的是K+-Na+、Na+-Li+二元离子交换，盐浴中锂离子浓度过高会严重影响其中钠锂离子交换的效果，对微晶玻璃更深层应力效果造成不良的影响，需要将离子交换使用的盐浴中锂离子浓度控制在一定范围内，在具体实施时，可以通过多种方式实现这一目的，例如，可以向第一盐浴中投加一定量重庆鑫景特种玻璃有限公司的离子筛功能陶瓷产品“KmateTM”或者市面上的磷酸钠产品以控制锂离子浓度。离子筛功能陶瓷产品的添加量为盐浴质量的0.5wt％～1.5wt％，吸附时间为6h～10h。也可以将磷酸钠添加至盐浴中，以沉淀出盐浴中的锂离子。所以，对此次离子交换使用的盐浴中锂离子浓度控制的方式是多种的，步骤2)中，离子交换使用的盐浴中锂离子的浓度包括30ppm～100ppm及其之间的所有范围和子范围，例如，30ppm～40ppm，40ppm～50ppm，50ppm～60ppm，60ppm～70ppm，70ppm～80ppm，80ppm～90ppm，90ppm～100ppm，30ppm～50ppm，40ppm～60ppm，50ppm～70ppm，60ppm～80ppm，70ppm～90ppm，80ppm～100ppm，30ppm～60ppm，40ppm～70ppm，50ppm～80ppm，60ppm～90ppm，70ppm～100ppm，30ppm～70ppm，40ppm～80ppm，50ppm～90ppm，60ppm～100ppm，30ppm，40ppm，50ppm，60ppm，70ppm，80ppm，90ppm，或者100ppm等。
本发明还提供一种强化微晶玻璃的回收利用方法，包括以下步骤：
1)对微晶玻璃具有缺陷的一个或多个表面进行任选的机械抛光；
2)对步骤1)处理后的微晶玻璃进行如下两次离子交换处理，其中：
第一次离子交换：将包含至少一种一价盐的盐浴加热至430℃～470℃，把抛光后的微晶玻璃放入所述盐浴中进行第一次离子交换，此次离子交换的时间为20min～10h；
第二次离子交换：将包含至少一种不同于第一次离子交换的一价盐盐浴加热至360℃～400℃，把经过第一次离子交换处理后的微晶玻璃放入所述盐浴中进行第二次离子交换，此次离子交换时间为5～20min；
3)重复步骤1)和步骤2)得到无表面缺陷的微晶玻璃。
在具体实施时，经过机械抛光和两次离子交换后，由于离子体积的变化，可能仍然会在部分微晶玻璃表面形成缺陷，也有可能是微晶玻璃表面聚集物处理得不够彻底所形成的缺陷，这些缺陷包含凹陷或凸起，所述缺陷可以是点状的，也可以是线状的，并不限制缺陷的形状，此时可再次对仍然具有表面缺陷的微晶玻璃重复进行步骤1)和步骤2)多次，直到获得无表面缺陷的微晶玻璃为止。步骤1)和步骤2)重复进行的次数可以是2次，或者可以是3次，或者可以是4次，或者可以是5次，或者可以是6次，或者可以是7次，或者可以是8次，或者可以是9次，或者可以是10次，当多次重复处理后得到无表面缺陷的微晶玻璃便可停止处理。重复处理的次数与微晶玻璃制品本身厚度、以及其有效厚度有关，每次机械抛光的厚度与抛光次数的乘积要小于微晶玻璃制品本身厚度与有效厚度之差。第一次离子交换的时间可包括20min～10h及其之间的所有范围和子范围，例如20min～1h，1h～2h，1h～3h，2h～6h，5h～7h，4h～8h，3h～9h，2h～5.5h，4h～7.5h，5.5h～8h，1.5h～4.5h，2.5h～6.5h，3.5h～7.5h，4.5h～6.5h，30min～2h，40min～5h，50min～4h，45min～5h，5.5h～8.5h，9h～10h，1h，2h，3h，4h，5h，6h，7h，或者8h等。第一次离子交换的温度可包括360℃～400℃及其之间所有的范围和子范围，例如360℃、370℃、380℃、390℃、400℃、360℃～370℃、365℃～375℃、360℃～385℃、375℃～395℃等。第二次离子交换的时间为5～20min，可包括5～20min及其之间的所有范围和子范围，例如5min～10min，5min～6min，5min～7min，5min～8min，5min～9min，6min～10min，7min～15min，5min～13min，6min～18min，6min～19min，8min～13min，7min～12min，6min～14min，7min～15min，7min～19min，7min～14min，8min～18min，8min～15min，5min，10min，15min，或者20min等。第二次离子交换的温度可包括430℃～470℃及其之间所有的范围和子范围，例如430℃、440℃、450℃、460℃、470℃、440℃～450℃、430℃～440℃、435℃～440℃、445℃～455℃等。
在另一些实施方式中，采用另一种工艺来回收具有缺陷的强化后的微晶玻璃，包括以下步骤：
1)提供一种具有缺陷的强化后的微晶玻璃，对微晶玻璃具有缺陷的一个或多个表面进行任选的机械抛光；
2)对于步骤1)处理后的微晶玻璃进行如下一次离子交换，其中：
将包含至少一种一价盐的盐浴加热至430℃～470℃，把抛光后的微晶玻璃放入所述盐浴中进行离子交换，此次离子交换的时间为40min～20h；
3)依次重复步骤1)和步骤2)，处理后得到无表面缺陷的微晶玻璃。
在具体实施时，经过机械抛光和一次离子交换后，由于离子体积的变化，可能仍然会在部分微晶玻璃表面形成缺陷，此时可再次对仍然具有表面缺陷的微晶玻璃重复进行步骤1)和步骤2)多次，直到获得无表面缺陷的微晶玻璃为止。步骤1)和步骤2)重复进行的次数可以是2次，或者可以是3次，或者可以是4次，或者可以是5次，或者可以是6次，或者可以是7次，或者可以是8次，或者可以是9次，或者可以是10次，当多次重复处理后得到无表面缺陷的微晶玻璃便可停止处理。重复处理的次数与微晶玻璃制品本身厚度、以及其有效厚度有关，每次机械抛光的厚度与抛光次数的乘积要小于微晶玻璃制品本身厚度与有效厚度之差。此次离子交换的温度可包括430℃～470℃及其之间所有的范围和子范围，例如430℃、440℃、450℃、460℃、470℃、440℃～450℃、430℃～440℃、435℃～440℃、445℃～455℃等。离子交换时间为40min～20h，可包括40min～20h及其之间的所有范围和子范围，例如40min～50min，50min～60min，1h～2h，2h～3h，3h～4h，4h～5h，5h～6h，6h～7h，8h～9h，9h～10h，10h～11h，12h～13h，13h～14h，14h～15h，15h～16h，16h～17h，17h～18h，18h～19h，19h～20h，1h～5h，6h～8h，3h～6h，4h～8h，8h～12h，12h～16h，3h，6h，9h，12h，15h，18h，或者20h等。
在一些实施方式中，步骤1)中，微晶玻璃具有的缺陷包含至少一处高度或深度大于或等于2nm且宽度或长度大于或等于7μm的表面缺陷。在一些实施方式中，微晶玻璃表面具有至少一处缺陷，并且所述缺陷的高度或深度大于或等于2nm，可为2nm至100nm，或者2nm至200nm，或者2nm至300nm，或者2nm至400nm，或者2nm至500nm，或者2nm至600nm，或者2nm至700nm，或者2nm至800nm，或者2nm至10nm，或者2nm至10nm，或者100nm至500nm，或者100nm至1000nm，或者200nm至2000nm，或者500nm至1000nm，或者1000nm至10μm，或者100nm至5μm，或者200nm至50μm，或者2nm至80μm，或者10nm至60μm，或者100nm至30μm，或者200nm至30μm，或者500nm至30μm，或者1000nm至30μm，或者30μm至100μm等；所述缺陷的宽度或长度大于或等于7μm，可为0.03mm至5.0mm，或者0.03mm至7.0mm，或者0.03mm至4.0mm，或者0.03mm至9.0mm，或者0.06mm至5.0mm，或者0.07mm至9.0mm，或者0.09mm至6.0mm，或者0.08mm至9.0mm，或者0.07mm至9.0mm，或者0.03mm至10.0mm，或者0.07mm至3.0mm，或者0.07mm至9.6mm，或者0.06mm至8.5mm，或者0.03mm至6.5mm，或者7μm至100μm，或者7μm至10μm，或者7μm至20μm，或者7μm至50μm，或者7μm至200mm，或者7μm至1000μm，或者7μm至500μm等。
在一些实施方式中，步骤1)中，所述微晶玻璃进行任选机械抛光的厚度不小于所述微晶玻璃具有的缺陷的高度或深度。当所述缺陷为凸起时，步骤1)所述微晶玻璃进行任选机械抛光的厚度不小于凸起的高度；当所述缺陷为凹陷时，步骤1)所述微晶玻璃进行任选机械抛光的厚度不小于凹陷的深度。当所述缺陷为凸起和凹陷之外的其它形式缺陷时，步骤1)所述微晶玻璃进行任选机械抛光的厚度不小于该缺陷的深度，即将微晶玻璃表面具有的这类缺陷完全抛光去掉。通过任选的机械抛光，将微晶玻璃表面的缺陷打磨掉，在机械抛光后对微晶玻璃进行清洁(例如，可以采用清洗剂和超声进行清洁)，将其表面的尘粒清洗掉，以便于后续进行离子交换。经过研究发现，本发明所述方法对微晶玻璃的抛光厚度以将微晶玻璃表面的缺陷抛除掉为最佳，但从后续工艺处理以及成本考虑，机械抛光厚度也不应当过大，由于微晶玻璃制品的用途不同，其有效厚度也不同。本发明发现每次机械抛光的厚度与机械抛光次数的乘积小于微晶玻璃制品本身厚度与有效厚度之差为优选方案。
在具体实施时，经过本发明所述方法处理后的微晶玻璃无表面缺陷，所述无表面缺陷的微晶玻璃不含有高度或深度大于或等于2nm且宽度或长度大于或等于0.007mm的缺陷，且所述无表面缺陷的微晶玻璃的表面CS不低于200MPa。在一些实施方式中，所述缺陷的高度或深度小于2nm，可为1nm至2nm，或者1nm，或者2nm等，甚至更小；所述缺陷的宽度或长度小于7μm，可为1μm至3μm，或者2μm至4μm，或者3μm至5μm，或者4μm至6μm，或者5μm至7μm，或者1μm至2μm，或者2μm至3μm，或者3μm至4μm，或者4μm至5μm，或者5μm至6μm，或者6μm至7μm，或者1μm至4μm，或者2μm至5μm，或者3μm至6μm，或者4μm至7μm，或者1μm至5μm，或者2μm至6μm，或者3μm至7μm，或者1μm至6μm，或者2μm至7μm等；所述无表面缺陷的微晶玻璃的表面CS不低于200MPa，包括不低于200MPa及其之间所有范围和子范围内，例如，优选为200MPa～500MPa，优选为230MPa～330MPa，优选为220MPa～340MPa，优选为350MPa～400MPa，优选为450MPa～500MPa，优选为260MPa～370MPa，优选为280MPa～440MPa，优选为360MPa～450MPa，优选为350MPa～450MPa，优选为360MPa～490MPa，优选为380MPa～500MPa等。
在一些实施例中，所述微晶玻璃包括含有钠元素和锂元素的微晶玻璃。本发明所述微晶玻璃中含有钠元素和锂元素，在第一次离子交换中，进行Na+-Li+离子交换，使微晶玻璃中半径较小的碱金属离子从微晶玻璃表面扩散入盐浴中，同时，来自盐浴中半径较大的碱金属离子取代微晶玻璃表面这些半径较小的碱金属离子，使微晶玻璃表面形成新的表面CS层，从而增加了微晶玻璃对破裂的耐性。在第二次离子交换中，进行Li+-Na+、K+-Na+交换，使部分锂离子取代Na2Si2O5聚集物中其中一个钠离子的位置，从而破坏Na2Si2O5聚集物的结构，进而减少Na2Si2O5聚集物的数量，对经过第一次离子交换后微晶玻璃的表面进行改善，赋予微晶玻璃表面耐水解的能力。
在一些实施例中，所述微晶玻璃包含二硅酸锂晶相、硅酸锂晶相、透锂长石或锂辉石中的一种或多种。本发明的微晶玻璃中，主要包含二硅酸锂晶相、硅酸锂晶相、透锂长石或锂辉石中的一种或多种，这几种晶相可以在微晶玻璃中择一存在，也可以同时存在，多者存在均能增强微晶玻璃的抗破坏强度、抗拉弯强度，但这几种晶相的存在也会为离子交换带来不良影响，在第一次离子交换后，对微晶玻璃进行检测时发现，大部分微晶玻璃的耐水解性出现了大幅度的下降，在对这部分微晶玻璃进行研究后发现，第一次离子交换过程中钠离子除了与微晶玻璃中可用的锂离子发生交换的同时，另一部分钠离子会与微晶玻璃中的硅酸锂晶相及其他形式的锂基晶体(例如：二硅酸锂晶相、硅酸锂晶相、透锂长石或锂辉石)发生交换，这种交换最终会导致部分锂基晶体溶解，形成玻璃质状的Na2Si2O5聚集物，从而导致第一次离子交换后微晶玻璃的耐水解性大幅度下降，因此需要对包含这几种晶相的微晶玻璃进行第二次离子交换，以破坏Na2Si2O5聚集物的结构，进而减少Na2Si2O5聚集物的数量，对经过第一次离子交换后微晶玻璃的表面进行改善，避免这些聚集物在微晶玻璃表面形成缺陷的同时，重新赋予微晶玻璃表面耐水解的性能。
在一些实施例中，步骤2)中，第一次离子交换使用的盐浴中包含不低于99wt％的NaNO3。第一次离子交换盐浴中NaNO3的含量不低于99wt％，包括不低于99wt％及其之间所有范围和子范围内，例如，99wt％～99.2wt％，99wt％～99.4wt％，99wt％～99.5wt％，99wt％～99.5wt％，99wt％～99.6wt％，99wt％～99.7wt％，99wt％～99.8wt％，99wt％～99.9wt％，99wt％～99.99wt％，99wt％～99.1wt％，99wt％～100wt％，99.1wt％，99.2wt％，99.3wt％，99.4wt％，99.5wt％，99.6wt％，99.7wt％，99.8wt％，99.9wt％，100wt％。
在一些实施例中，步骤2)中，第一次离子交换使用的盐浴中锂离子的浓度不超过150PPM。在第一次离子交换使用的盐浴中需要对锂离子的浓度进行严格的控制，因为第一次离子交换中进行的是Na+-Li+离子交换，盐浴中锂离子浓度过高会严重影响第一次离子交换的效果，从而影响微晶玻璃表面获得的应力效果，需要将第一次离子交换使用的盐浴中锂离子浓度控制在一定范围内。在一些事实施方式中，可以通过多种方式实现这一目的，例如，可以向第一盐浴中投加一定量的磷酸钠，以沉淀出锂离子，磷酸钠的投加量为盐浴质量的0.5wt％～1.0wt％，因此，第一次离子交换使用的盐浴中锂离子浓度包括不超过150ppm及其之间的所有范围和子范围，例如10ppm～100ppm，20ppm～120ppm，10ppm～110ppm，20ppm～110ppm，30ppm～140ppm，50ppm～100ppm，60ppm～100ppm，70ppm～100ppm，80ppm～100ppm，90ppm～100ppm，100ppm～150ppm，10ppm，20ppm，30ppm，40ppm，50ppm，60ppm，70ppm，80ppm，90ppm，100ppm，110ppm，120ppm，130ppm，140ppm，150ppm等。
在一些实施例中，步骤2)中，第二次离子交换使用的盐浴中包含不低于0.08wt％且不高于0.2wt％的LiNO3和不超过99.92wt％且不低于99.8wt％的KNO3。第二次离子交换使用的是包含LiNO3和KNO3的混合盐浴，盐浴中包含0.08wt％～0.2wt％的LiNO3及其之间的所有范围和子范围，例如0.08wt％～0.09wt％，0.08wt％～0.1wt％，0.08wt％～0.11wt％，0.08wt％～0.12wt％，0.08wt％～0.13wt％，0.08wt％～0.14wt％，0.08wt％～0.15wt％，0.08wt％～0.16wt％，0.08wt％～0.17wt％，0.08wt％～0.18wt％，0.08wt％～0.19wt％，0.09wt％～0.1wt％，0.09wt％～0.11wt％，0.09wt％～0.12wt％，0.09wt％～0.13wt％，0.09wt％～0.14wt％，0.09wt％～0.15wt％，0.09wt％～0.2wt％，0.1wt％～0.11wt％，0.1wt％～0.12wt％，0.1wt％～0.15wt％，0.1wt％～0.2wt％等，以及99.8wt％～99.92wt％的KNO3及其之间的所有范围和子范围，例如，99.91wt％～99.92wt％，99.9wt％～99.92wt％，99.89wt％～99.92wt％，99.88wt％～99.92wt％，99.87wt％～99.92wt％，99.86wt％～99.92wt％，99.85wt％～99.92wt％，99.84wt％～99.92wt％，99.83wt％～99.92wt％，99.82wt％～99.92wt％，99.81wt％～99.92wt％，99.9wt％～99.91wt％，99.89wt％～99.91wt％，99.87wt％～99.89wt％，99.86wt％～99.89wt％，99.85wt％～99.89wt％，99.8wt％～99.91wt％，99.89wt％～99.9wt％，99.88wt％～99.9wt％等。
在一些实施方式中，采用抛光和一次离子交换重复进行处理具有缺陷的微晶玻璃，在步骤2)中，使用的盐浴是包含同为一价盐的KNO3和NaNO3混合盐浴，盐浴中包含50wt％～80wt％的KNO3及其之间所有的范围和子范围，例如，50wt％～60wt％，60wt％～70wt％，70wt％～80wt％，50wt％～70wt％，60wt％～80wt％，55wt％～60wt％，65wt％～70wt％，70wt％～75wt％，75wt％～80wt％，50wt％，51wt％，52wt％，53wt％，54wt％，55wt％，56wt％，57wt％，58wt％，59wt％，60wt％，65wt％，70wt％，75wt％，80wt％等；以及20wt％～50wt％的NaNO3及其之间的所有范围和子范围，例如，40wt％～50wt％，30wt％～40wt％，20wt％～30wt％，30wt％～50wt％，20wt％～40wt％，40wt％～45wt％，30wt％～35wt％，25wt％～30wt％，20wt％～25wt％，50wt％，49wt％，48wt％，47wt％，46wt％，45wt％，44wt％，43wt％，42wt％，41wt％，40wt％，35wt％，30wt％，25wt％，或者20wt％等。其中，同样需要对盐浴中的锂离子浓度进行控制，因为此次离子交换中进行的是K+-Na+、Na+-Li+二元离子交换，盐浴中锂离子浓度过高会严重影响其中钠锂离子交换的效果，对微晶玻璃更深层应力效果造成不良的影响，需要将离子交换使用的盐浴中锂离子浓度控制在一定范围内，在具体实施时，可以通过多种方式实现这一目的，例如，可以向第一盐浴中投加一定量重庆鑫景特种玻璃有限公司的离子筛功能陶瓷产品“KmateTM”或者市面上的磷酸钠产品以控制锂离子浓度。离子筛功能陶瓷产品的添加量为盐浴质量的0.5wt％～1.5wt％，吸附时间为6h～10h。也可以将磷酸钠添加至盐浴中，以沉淀出盐浴中的锂离子。所以，对此次离子交换使用的盐浴中锂离子浓度控制的方式是多种的，步骤2)中，离子交换使用的盐浴中锂离子的浓度包括30ppm～100ppm及其之间的所有范围和子范围，例如，30ppm～40ppm，40ppm～50ppm，50ppm～60ppm，60ppm～70ppm，70ppm～80ppm，80ppm～90ppm，90ppm～100ppm，30ppm～50ppm，40ppm～60ppm，50ppm～70ppm，60ppm～80ppm，70ppm～90ppm，80ppm～100ppm，30ppm～60ppm，40ppm～70ppm，50ppm～80ppm，60ppm～90ppm，70ppm～100ppm，30ppm～70ppm，40ppm～80ppm，50ppm～90ppm，60ppm～100ppm，30ppm，40ppm，50ppm，60ppm，70ppm，80ppm，90ppm，或者100ppm等。
本发明还公开一种消费电子终端，消费电子终端包括外壳及电子组件，电子组件部分位于外壳内。外壳包括前表面、后表面和侧表面；电子组件包括显示器，该显示器位于外壳的前表面处或者毗邻前表面；前表面或/和后表面或/和侧表面包括本发明所述强化微晶玻璃的回收利用方法获得的微晶玻璃制品。消费电子终端包括手机、平板电脑或其他电子终端。
本发明所述强化微晶玻璃的回收利用方法获得的微晶玻璃制品可被包含在其他制品中，例如具有显示器的制品(或显示制品)(如，消费电子产品，包括移动电话、平板电脑、计算机、导航系统等)、建筑制品、运输制品(如，汽车、火车、飞机、海上航行器等)、器具制品、或需要一定透明度、抗划伤性、耐磨性或其组合的任何制品。
在一些实施方式中，还可以包括覆盖于外壳的前表面处或位于显示器上的覆盖制品，覆盖制品和/或外壳的一部分包括本发明所述强化微晶玻璃的回收利用方法获得的微晶玻璃制品。
在本发明中，按照摩尔百分比进行计算，所述微晶玻璃可以具有包括以下在内的组合物：
SiO2：58％～74％；
Al2O3：6％～30％；
Li2O：1％～16％
Na2O：1％～6％；
K2O：0.2％～2％；
ZrO2：1％～6％；
P2O5：0.5％～5％。
本发明所述回收利用方法适用于微晶玻璃，且微晶玻璃的组分含量不局限于本发明所公开的组分含量，本发明公开的微晶玻璃组分仅作示例说明。
在本发明中，SiO2是玻璃网络架构主要部分，高含量的SiO2能够保证玻璃具有高强度、耐热膨胀、化学稳定等优异性能，但过高的SiO2会导致玻璃难以熔融及成形，因此，SiO2摩尔百分比优选为58％～74％，例如60％～65％、64％～68％、60％～64％、60％～69％、65％～68％、68％～70％等。
Al2O3在玻璃中形成铝氧四面体并连接硅氧网络架构中的非桥氧，提升网络架构的强度，进一步增强玻璃强度和稳定性，并且铝氧四面体体积较大，拓宽了网络架构的空隙，有利于离子交换的进行，但需要形成二硅酸锂晶相或者硅酸锂晶相，铝的含量需要进行控制，Al2O3摩尔百分比优选为6％～30％，例如6％～10％、6％～15％、8％～14％、5％～20％、10％～30％、20％～30％、15％～25％等。
Li2O为化学强化中的关键交换离子，也是形成晶体的主要成分，但Li2O过量会导致析晶速度过快，无法控制，Li2O摩尔百分比优选为1％～16％，例如5％～10％、4％～12％、3％～14％、2％～13％、5％～13％、7％～15％、9％～12％、8％～14％等。
Na2O可以为玻璃带来较高的表面CS，但微晶玻璃需要过高的表面CS，因此，Na2O摩尔百分比优选为1％～6％，例如1％、2％、3％、1.8％、2％、2.8％、3％、4％、5％、1％～3％、1％～4％、2％～3％、2％～5％等。
K2O能够有效降低玻璃粘度，以降低玻璃生产难度，缓解低钠成分对粘度的提高，可作为调节玻璃析晶上下限的重要成分，K2O摩尔百分比优选为0.2％～2％，例如0.2％～1.2％、0.2％～1.0％、0.2％～1.6％、0.5％～1.5％、0.7％～1.3％、0.8％～1.6％、0.4％～1.7％、0.9％～1.9％、0.5％～1.9％、1％、1.2％、1.3％、1.8％、0.2％、0.8％、0.3％、1.4％、1.5％等。
ZrO2作为晶核剂，在成核期间形成由ZrO2形成的化合物晶核，晶化期间，晶相会在这些晶核上生长，快速形成晶体，ZrO2摩尔百分比优选为1％～6％，例如1％、2.5％、3.4％、4.8％、5.2％、3.8％、3.3％、1.4％、5.5％、1％～2.5％、1％～4.5％、2％～3％、2％～5.5％等。
P2O5为玻璃次网络结构，其加入可以促进玻璃高温熔化，降低熔化难度，拓宽网络架构，有利于晶体内离子交换，并且P2O5也可作为晶核剂，有利于分相析晶，使玻璃析晶均匀，提高微晶玻璃强度均匀性，但由于其具有双键，如果过量会降低玻璃表面的抗划伤性能，P2O5摩尔百分比优选为0.5％～5％，例如1％～2.2％、1.2％～4.2％、2.5％～3.5％、2％～4.5％、3％～5％、1％、2％、3％、4％、5％等。
在本发明中，微晶玻璃由晶相和玻璃相组成，具有均匀致密的结构，其内部结晶度高，并且晶粒尺寸能够控制在较小的范围内，析晶过程中晶相和残余玻璃相化学组成相近，为微晶玻璃带来高透明度的同时，大含量的晶相也为微晶玻璃的机械强度提供了保证，但这也为微晶玻璃的回收处理带来了麻烦。微晶玻璃在经过化学强化后，其强度大大提高，对于表面具有缺陷的微晶玻璃的处理则变得非常困难。现有技术对于表面具有缺陷的玻璃制品，通常采用反向强化应力消除，消除玻璃制品的应力效应，再对玻璃制品进行处理，但这种技术不适用于微晶玻璃，如果对其进行反向强化将应力消除，由于反向强化是通过半径较小的离子去置换玻璃中半径较大的离子，会在玻璃表面与内部形成较大的体积差，这会导致微晶玻璃制品直接破碎，无法挽救。本发明通过机械抛光与两次离子交换相结合，先对强化后的微晶玻璃具有缺陷的表面进行机械打磨抛光，将其具有的表面缺陷通过机械抛光去掉，从而使原本具有缺陷的表面不再具有缺陷，不过机械抛光的同时也会将微晶玻璃的压应力下降，并且将之前产生的耐水解层抛去，所以需要对机械抛光后的进行重新处理；然后，采用两次离子交换对微晶玻璃抛光后的表面进行处理，其中，第一次离子交换重新增加抛光后的微晶玻璃表面新的应力接近抛光前的应力，使微晶玻璃抛光后的表面具有足够的强度，从而增加微晶玻璃对破裂的抗性，而第二次离子交换是重新形成耐水解层。对第一次离子交换在微晶玻璃表面产生的Na掺杂的硅酸盐聚集物进行处理，将这些聚集物从微晶玻璃表面去除，不仅可以避免在微晶玻璃表面形成新的缺陷，还改善了微晶玻璃表面的耐水解性，进而使处理后的微晶玻璃满足商业要求，最终提升其商业价值。
三、下面通过具体实施例对本发明加以说明
表1为本发明微晶玻璃组分情况：
表1
| 组分 | 摩尔百分比 |
| SiO<sub>2</sub> | 73.4 |
| Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> | 7.5 |
| P<sub>2</sub>O<sub>5</sub> | 2.2 |
| K<sub>2</sub>O | 0.2 |
| ZrO<sub>2</sub> | 3.8 |
| Na<sub>2</sub>O | 1.6 |
| Li<sub>2</sub>O | 11.3 |
采用表1组分获得的微晶玻璃，对其进行化学强化，微晶玻璃在化学强化后，会进入清洗、运输、丝印、镀膜等后续工艺，在进入这些工艺前，对微晶玻璃的表面进行检测，如果发现微晶玻璃表面具有的缺陷达到本发明所述微晶玻璃表面具有的缺陷尺寸，则被认为是需要进行回收利用的微晶玻璃。实施例1～5是表1组分的微晶玻璃经过化学强化后，在进行清洗和/或运输和/或丝印和/或镀膜等后续工艺前被筛选出的，其表面具有的缺陷尺寸被认为是需要进行回收处理的。同时，在以下实施例中，本发明并不限定表面具有缺陷的微晶玻璃在后续工艺前所进行的化学强化工艺条件，实施例中给出的微晶玻璃化学强化工艺条件仅作示例说明。
以实施例1为例，可通过以下化学强化工艺获得强化后的微晶玻璃，但不局限于以下化学强化工艺：
1)将微晶玻璃预热至460℃，再将其放入加热至480℃、含有NaNO3的盐浴中进行10h的离子交换；
2)将步骤1)处理后的微晶玻璃取出，再放入加热至410℃、含有KNO3的盐浴中进行10min的离子交换；
3)将步骤2)处理后的微晶玻璃取出冷却，获得强化后的微晶玻璃。
上述化学强化工艺仅作示例说明，本发明并不对获取强化微晶玻璃的途径进行限定。
其中，在下表中，D代表直径，W代表宽度，L代表长度，H代表深度，DS代表相邻两个缺陷之间的距离，N代表缺陷数量。参见附图9，当微晶玻璃表面缺陷呈不规则形状时，选择不规则形状最远两端的距离为长度，例如附图9c中的长度和宽度；当微晶玻璃表面缺陷呈不规则形状但近似于圆形时，选择不规则形状最远两端的距离为直径，例如附图中9a的直径。通过对缺陷的长度和/或宽度或者直径进行测量，以判断具有该缺陷的微晶玻璃是否需要进行回收处理。
表2为实施例1～5进行化学强化的情况：
表2
表3为实施例1～5微晶玻璃制品表面缺陷情况：
表3
从表3可以看出，微晶玻璃制品在经过后续工艺后，表面出现了缺陷，选择具有不同类型缺陷的微晶玻璃制品实施例1～5，采用本发明所述回收利用方法进行处理。结合表2可以看出，这些表面具有缺陷的微晶玻璃制品自身仍然具有优异的应力效应，也为回收利用带来了难度。首先，对微晶玻璃进行对比实验，将实施例1和实施例2采用现有技术进行反向强化，将其应力消除，通过半径较小的离子去置换玻璃中半径较大的离子，结果发现，实施例1和实施例2在进行反向强化时，微晶玻璃制品发生了破碎，无法继续使用也无法回收处理。
本发明提供一种强化微晶玻璃的回收利用方法，以实施例1为例，具体包括以下步骤：
1)实施例1的微晶玻璃在经过强化后，表面具有缺陷，对实施例1具有缺陷的表面用抛光机进行机械抛光，抛光的厚度不小于表面缺陷的深度。
2)对步骤1)处理后的微晶玻璃进行两次离子交换处理后得到无表面缺陷的微晶玻璃，其中：
第一次离子交换：将包含100wt％、NaNO3的盐浴加热至450℃，把抛光后的微晶玻璃放入所述盐浴中进行第一次离子交换，此次离子交换的时间为10h，其中，向第一次离子交换的盐浴中加入1wt％的重庆鑫景特种玻璃有限公司的离子筛功能陶瓷产品“KmateTM”，以控制此次盐浴中锂离子的浓度，使锂离子的浓度低于150PPM。同样的，投加磷酸钠也能实现对盐浴中锂离子的浓度进行控制，磷酸钠的投加量为盐浴质量的1.0wt％，以沉淀的形式控制盐浴中锂离子的浓度。
第二次离子交换：将包含99.92wt％KNO3和0.08wt％LiNO3的混合盐浴加热至380℃，把经过第一次离子交换处理后的微晶玻璃放入所述盐浴中进行第二次离子交换，此次离子交换时间在5min。
表4
结合表3和表4可以看出，实施例1～3在经过本发明所述机械抛光和两次离子交换后，微晶玻璃制品表面的情况得到了极大的改善，实施例2的表面虽然还具有微小的线状缺陷，但该线状缺陷的尺寸已经有了大幅度的减少，被控制在商业产品允许的范围内，这样的微晶玻璃制品可以被认为是合格的产品，其重新被赋予了商业价值。实施例4和实施例5在经过机械抛光和两次离子交换后，其表面仍然具有不被商业产品允许的缺陷，但在检测后发现，这些缺陷的尺寸均出现了较大程度的缩小，其表面缺陷的状态有一定程度的改观，但还不足以被认可为合格的商业产品，所以对实施例4和实施例5重复进行机械抛光和离子交换的处理，实施例4在重复进行2次、实施例5在重复进行3次后，两者表面的情况有了很好的改变，处理后的微晶玻璃制品不再具有缺陷。其中，实施例1～5在分别对两次离子交换后，对实施例1～5进行耐水解性测试，第一次离子交换后，实施例1～5微晶玻璃制品表面出现了起泡、麻点、开裂、变形等不同程度的不良，实施例2的不良较为严重，表面同时出现了开裂和变形，经过第二次离子交换后，微晶玻璃的耐水解性有了非常显著的改善，在对经过第二次离子交换后的实施例1～5进行耐水性测试，实施例1～5微晶玻璃表面没有出现任何不良。同时，经过本发明所述方法处理后得到的无表面缺陷的微晶玻璃制品仍然具有优异的应力性能，将表2和表4中进行对比分析，实施例在经过本发明所述方法处理后，CS-50有了明显的提升，CT-LD和DOL-0也稳定在与处理前差别不大的水平，但部分实施例有所提升，体现在微晶玻璃的抗跌落高度有了非常明显的提升，这不仅表明本发明处理后微晶玻璃制品的耐水解性有了明显改善，还可以获得如处理前一样、甚至更好的应力效果。
实施例也证实了，本发明通过机械抛光与两次离子交换相结合，先对强化后的微晶玻璃具有缺陷的表面进行机械打磨抛光，将其具有的表面缺陷通过机械抛光去掉，从而使原本具有缺陷的表面不再具有缺陷，不过机械抛光的同时也会将微晶玻璃的压应力下降，并且将之前产生的耐水解层抛去，所以需要对机械抛光后的进行重新处理；然后，采用两次离子交换对微晶玻璃抛光后的表面进行处理，其中，第一次离子交换重新增加抛光后的微晶玻璃表面新的应力接近抛光前的应力，使微晶玻璃抛光后的表面具有足够的强度，从而增加微晶玻璃对破裂的抗性，而第二次离子交换是重新形成耐水解层。对第一次离子交换在微晶玻璃表面产生的Na掺杂的硅酸盐聚集物进行处理，将这些聚集物从微晶玻璃表面去除，不仅可以避免在微晶玻璃表面形成新的缺陷，还改善了微晶玻璃表面的耐水解性，进而使处理后的微晶玻璃满足商业要求，最终提升其商业价值。
本发明还提供一种强化微晶玻璃的回收利用方法，采用表1组分获得的微晶玻璃，实施例6～10是表1组分的微晶玻璃进行化学强化后，在进行清洗和/或运输和/或丝印和/或镀膜等后续工艺前被筛选出的，其表面具有的缺陷尺寸被认为是需要进行回收处理的。
表5
表6为实施例6～10微晶玻璃制品表面缺陷情况：
表6
从表6可以看出，实施例6～10在经过后续工艺后，表面出现了缺陷，选择具有不同类型缺陷的微晶玻璃制品实施例6～10，采用本发明提供的另一种回收利用方法进行处理。结合表5可以看出，这些表面具有缺陷的微晶玻璃制品自身仍然具有优异的应力效应，也为回收利用带来了难度。
采用表1组分获得的微晶玻璃，实施例11～15是表1组分的微晶玻璃进行化学强化后，在进行清洗和/或运输和/或丝印和/或镀膜等后续工艺前被筛选出的，其表面具有的缺陷尺寸被认为是满足商业要求的合格微晶玻璃。
表7
将表5与表7进行对比可以看出，实施例6～10的微晶玻璃由于具有表面缺陷，其应力效应也受到了影响，与表7的实施例相比，表5中的实施例应力效应要低于表7，其抗跌落高度也小于表7，这也表明表面具有缺陷的微晶玻璃在回收过程中，不仅需要解决表面缺陷的问题，同时还要赋予微晶玻璃新的应力效应。
本发明提供一种强化微晶玻璃的回收利用方法，以实施例6为例，具体包括以下步骤：
1)对微晶玻璃具有缺陷的一个或多个表面进行任选的机械抛光；
2)对步骤1)处理后的微晶玻璃进行一次离子交换处理，其中：
将包含50wt％NaNO3和50wt％KNO3的盐浴加热至450℃，把抛光后的微晶玻璃放入所述盐浴中进行离子交换，此次离子交换的时间为1h，并将盐浴中锂离子的浓度控制在50ppm以内。可以向盐浴中加入盐浴质量1wt％的离子筛，或者加入盐浴质量1wt％的磷酸钠，两者都能实现对盐浴中锂离子浓度的控制。
表8
结合表5和表8来看，实施例6～10在经过处理后，微晶玻璃制品表面的情况得到了极大的改善，获得的微晶玻璃表面不再具有需要改善的缺陷，即获得了合格的微晶玻璃制品，重新被赋予了商业价值。同时，表面CS层也有所提升，表面强度得到了一定程度的提高，这表明这种实施方法能够对表面具有缺陷的微晶玻璃进行处理，使处理后的微晶玻璃获得与处理前相近的应力效应，从而使处理后的微晶玻璃满足商业要求，最终提升其商业价值。
最后需要说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制技术方案，本领域的普通技术人员应当理解，那些对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术方案的宗旨和范围，均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (24)
1.一种强化微晶玻璃的回收利用方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）提供一种具有缺陷的强化后的微晶玻璃，对微晶玻璃具有缺陷的一个或多个表面进行任选的机械抛光；
2）对步骤1）处理后的微晶玻璃进行两次离子交换处理后得到无表面缺陷的微晶玻璃，其中：
第一次离子交换：将包含至少一种一价盐的盐浴加热至430℃~470℃，把抛光后的微晶玻璃放入所述盐浴中进行第一次离子交换，此次离子交换的时间为20min~10h；
第二次离子交换：将包含至少一种不同于第一次离子交换的一价盐盐浴加热至360℃~400℃，把经过第一次离子交换处理后的微晶玻璃放入所述盐浴中进行第二次离子交换，此次离子交换时间为5~20min。
2.一种强化微晶玻璃的回收利用方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）提供一种具有缺陷的强化后的微晶玻璃，对微晶玻璃具有缺陷的一个或多个表面进行任选的机械抛光；
2）对于步骤1）处理后的微晶玻璃进行如下离子交换，其中：
将包含至少一种一价盐的盐浴加热至430℃~470℃，把抛光后的微晶玻璃放入所述盐浴中进行离子交换，此次离子交换的时间为40min~20h；
处理后得到无表面缺陷的微晶玻璃。
3.根据权利要求1或2所述强化微晶玻璃的回收利用方法，其特征在于，步骤1）中，微晶玻璃具有的缺陷包含至少一处高度或深度大于或等于2nm且宽度或长度大于或等于7μm的表面缺陷。
4.根据权利要求3所述强化微晶玻璃的回收利用方法，其特征在于，步骤1）中，所述微晶玻璃进行任选机械抛光的厚度不小于所述微晶玻璃具有的缺陷的高度或深度。
5.根据权利要求1或2所述强化微晶玻璃的回收利用方法，其特征在于，所述无表面缺陷的微晶玻璃不含有高度或深度大于或等于2nm且宽度或长度大于或等于0.007mm的缺陷，且所述无表面缺陷的微晶玻璃的表面CS不低于200MPa。
6.根据权利要求1或2所述强化微晶玻璃的回收利用方法，其特征在于，所述微晶玻璃包括含有钠元素和锂元素的微晶玻璃。
7.根据权利要求6所述强化微晶玻璃的回收利用方法，其特征在于，所述微晶玻璃包含二硅酸锂晶相、硅酸锂晶相、透锂长石或锂辉石中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述强化微晶玻璃的回收利用方法，其特征在于，步骤2）中，第一次离子交换使用的盐浴中包含不低于99wt%的NaNO3，优选为包含不低于99.5wt%的NaNO3，优选为包含不低于99.7wt%的NaNO3，优选为包含不低于99.8wt%的NaNO3。
9.根据权利要求8所述强化微晶玻璃的回收利用方法，其特征在于，步骤2）中，第一次离子交换使用的盐浴中锂离子的浓度不超过150PPM，优选为锂离子浓度不超过140PPM，优选为锂离子浓度不超过120PPM，优选为锂离子浓度不超过100PPM。
10.根据权利要求9所述强化微晶玻璃的回收利用方法，其特征在于，向步骤2）中第一次离子交换使用的盐浴中投加离子筛对盐浴中的锂离子的浓度进行控制，离子筛的添加量为盐浴质量的0.5wt%~1.5wt%，吸附时间为6h~10h。
11.根据权利要求8所述强化微晶玻璃的回收利用方法，其特征在于，步骤2）中，第二次离子交换使用的盐浴中包含不低于0.08wt%且不高于0.2wt%的LiNO3 和不超过99.92wt%且不低于99.8wt%的KNO3，优选为包含0.09wt%~0.12wt%的LiNO3 和99.88wt%~99.91wt%的KNO3。
12.根据权利要求2所述强化微晶玻璃的回收利用方法，其特征在于，步骤2）中，离子交换使用的盐浴包含50wt%~80wt%的KNO3和20wt%~50wt%的NaNO3，优选为包含50wt%~70wt%的KNO3和30wt%~50wt%的NaNO3，优选为包含60wt%~80wt%的KNO3和20wt%~40wt%的NaNO3，优选为包含55wt%~75wt%的KNO3和25wt%~45wt%的NaNO3。
13.根据权利要求12所述强化微晶玻璃的回收利用方法，其特征在于，步骤2）中，离子交换使用的盐浴中锂离子的浓度为30ppm~100ppm，锂离子浓度优选为50ppm~80ppm，锂离子浓度优选为60ppm~70ppm。
14.一种强化微晶玻璃的回收利用方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）对微晶玻璃具有缺陷的一个或多个表面进行任选的机械抛光；
2）对步骤1）处理后的微晶玻璃进行两次离子交换处理，其中：
第一次离子交换：将包含至少一种一价盐的盐浴加热至430℃~470℃，把抛光后的微晶玻璃放入所述盐浴中进行第一次离子交换，此次离子交换的时间为20min~10h；
第二次离子交换：将包含至少一种不同于第一次离子交换的一价盐盐浴加热至360℃~400℃，把经过第一次离子交换处理后的微晶玻璃放入所述盐浴中进行第二次离子交换，此次离子交换时间为5~20min；
3）依次重复步骤1）和步骤2）得到无表面缺陷的微晶玻璃。
15.一种强化微晶玻璃的回收利用方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）提供一种具有缺陷的强化后的微晶玻璃，对微晶玻璃具有缺陷的一个或多个表面进行任选的机械抛光；
2）对于步骤1）处理后的微晶玻璃进行如下离子交换，其中：
将包含至少一种一价盐的盐浴加热至430℃~470℃，把抛光后的微晶玻璃放入所述盐浴中进行离子交换，此次离子交换的时间为40min~20h；
3）依次重复步骤1）和步骤2），处理后得到无表面缺陷的微晶玻璃。
16.根据权利要求14或15所述强化微晶玻璃的回收利用方法，其特征在于，步骤1）中，微晶玻璃具有的缺陷包含至少一处高度或深度大于或等于2nm且宽度或长度大于或等于7μm的表面缺陷。
17.根据权利要求14或15所述强化微晶玻璃的回收利用方法，其特征在于，所述无表面缺陷的微晶玻璃不含有高度或深度大于或等于2nm且宽度或长度大于或等于0.007mm的缺陷，且所述无表面缺陷的微晶玻璃的表面CS不低于200MPa。
18.根据权利要求14或15所述强化微晶玻璃的回收利用方法，其特征在于，所述微晶玻璃包括含有钠元素和锂元素的微晶玻璃。
19.根据权利要求14所述强化微晶玻璃的回收利用方法，其特征在于，步骤2）中，第一次离子交换使用的盐浴包含不低于99wt%的NaNO3，优选为包含不低于99.5wt%的NaNO3，优选为包含不低于99.7wt%的NaNO3，优选为包含不低于99.8wt%的NaNO3。
20.根据权利要求19所述强化微晶玻璃的回收利用方法，其特征在于，步骤2）中，第一次离子交换使用的盐浴中锂离子的浓度不超过150ppm，优选为锂离子浓度不超过140ppm，优选为锂离子浓度不超过120ppm，优选为锂离子浓度不超过100ppm。
21.根据权利要求19所述强化微晶玻璃的回收利用方法，其特征在于，步骤2）中，第二次离子交换使用的盐浴中包含不低于0.08wt%且不高于0.2wt%的LiNO3 和不超过99.92wt%且不低于99.8wt%的KNO3，优选为包含0.09wt%~0.12wt%的LiNO3 和99.88wt%~99.91wt%的KNO3。
22.根据权利要求15所述强化微晶玻璃的回收利用方法，其特征在于，步骤2）中，离子交换使用的盐浴包含50wt%~80wt%的KNO3和20wt%~50wt%的NaNO3，优选为包含50wt%~70wt%的KNO3和30wt%~50wt%的NaNO3，优选为包含60wt%~80wt%的KNO3和20wt%~40wt%的NaNO3，优选为包含55wt%~75wt%的KNO3和25wt%~45wt%的NaNO3。
23.根据权利要求22所述强化微晶玻璃的回收利用方法，其特征在于，步骤2）中，离子交换使用的盐浴中锂离子的浓度为30ppm~100ppm，锂离子浓度优选为50ppm~80ppm，锂离子浓度优选为60ppm~70ppm。
24.一种作为消费品的电子终端，其特征在于，包括：
外壳，所述外壳包括前表面、后表面和侧表面；
以及部分位于所述外壳内的电子组件，所述电子组件包括显示器，该显示器位于所述外壳的前表面处或者毗邻所述前表面；
所述前表面或/和后表面或/和侧表面包括如权利要求1~23任一所述强化微晶玻璃的回收利用方法获得的微晶玻璃制品；
还包括覆盖于外壳的前表面处或位于所述显示器上的覆盖制品，所述覆盖制品包括如权利要求1~23任一所述强化微晶玻璃的回收利用方法获得的微晶玻璃制品；
所述作为消费品的电子终端包括手机、平板电脑、或其他电子终端。
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