CN113224255A - 利用激光蚀刻的发光器件制造方法及用于其的制造装置 - Google Patents

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CN113224255A CN202110125170.2A CN202110125170A CN113224255A CN 113224255 A CN113224255 A CN 113224255A CN 202110125170 A CN202110125170 A CN 202110125170A CN 113224255 A CN113224255 A CN 113224255A
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Abstract

本发明公开一种利用激光蚀刻的发光器件制造方法及用于其的发光器件制造装置，本发明的利用激光蚀刻的发光器件制造方法包括：第一发光层蒸镀步骤，在空穴移动层的上部面蒸镀第一发光层，上述空穴移动层蒸镀于阳极基板的上部面；第一发光器件形成步骤，利用激光对上述第一发光层进行蚀刻来形成第一发光器件；第二发光层蒸镀步骤，在包括向第一发光器件的周边露出的空穴移动层的上部面在内的区域蒸镀第二发光层；第二发光器件形成步骤，利用激光对上述第二发光层进行蚀刻来形成第二发光器件；第三发光层蒸镀步骤，在包括向上述第一发光器件和第二发光器件的周边露出的空穴移动层的上部面在内的区域蒸镀第三发光层；以及第三发光器件形成步骤，利用激光对上述第三发光层进行蚀刻来形成第三发光器件。

Description

利用激光蚀刻的发光器件制造方法及用于其的制造装置
技术领域
本发明涉及构成平板显示板的发光器件的制造方法及用于其的装置。
背景技术
用于平板显示板的发光器件有有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode；OLED)和量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diodes；QLED)。
有机发光二极管通过依次层叠阳极(Anode)电极、空穴注入层(HIL)、空穴移动层(HTL)、发光层(EML)、电子移动层(ETL)、电子注入层(EIL)以及阴极电极(Cathode)而成。并且，上述有机发光二极管可通过使发光层形成红色(R)发光器件、绿色(G)发光器件以及蓝色(B)发光器件来呈现颜色。
上述红色(R)发光器件、绿色(G)发光器件以及蓝色(B)发光器件(以下统称为RGB发光器件)分别蒸镀不同种类的有机物而成。上述RGB发光器件通常可利用精细金属掩膜板(Fine Metal Mask)来形成。上述精细金属掩膜板为比纸还薄的金属材料板，是形成RGB发光器件的消耗型核心部件。上述精细金属掩膜板具有微米等级大小的很多小器件孔。形成上述RGB发光器件的有机物将在经过精细金属掩膜板的器件孔的过程中蒸镀于基板的相应器件的位置，从而可形成RGB发光器件。
在蒸镀工序之后，将在上述精细金属掩膜板的微米等级大小的器件孔及其周边残留有机物，因而需定期进行清洗。并且，上述精细金属掩膜板有可能在蒸镀工序或清洗工序中受损或导致器件孔变形。
并且，上述精细金属掩膜板的器件孔很难形成几微米或几十纳米等级以下的大小，精细金属掩膜板存在难以适用于制造超高分辨率面板的层面。
量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diodes；QLED)由包含量子点(Quantum dot)的发光器件形成。上述量子点发光二极管可通过设置红色(R)发光器件、绿色(G)发光器件以及蓝色(B)发光器件(以下统称为RGB发光器件)来呈现颜色。上述RGB发光器件各自可通过使包含不同大小的量子点粒子的层分别图案化而成。但是，尚未开发出可通过图案化来使发光层形成上述RGB发光器件的商业化等级的图案化技术。
当前商用的有机发光二极管可通过利用精细金属掩膜板进行图案化，但对于量子点发光二极管而言，由于构成发光层的物质特性存在差异，因而很难使用精细金属掩膜板。目前已开发的RGB发光层图案化方式主要有印模(stamp)方式、光刻胶(photoresist)方式或喷墨打印(Ink-jet printing)方式等的物理图案化方式。但是，这些物理图案化方式将产生掩膜/喷嘴/笔尖的堵塞、产生斑点、形成壁面、图案缩减等现象，将成为导致工序不良率增加的原因。并且，由于发光层图案越精致、微细，将越频繁发生这种现象，因而成了超高分辨率微细图案化技术的很大障碍。另外，化学图案化方式为利用量子点物质的化学反应的方式，将利用量子点的化学耐性差异。但是，虽然上述化学图案化方式可确保图案化的超微细量子点器件的均匀度，但存在量子点发光特性下降的问题，可使用的量子点物质非常受限。
发明内容
本发明的目的在于提供利用激光蚀刻制造超高分辨率的发光器件的方法及用于其的制造装置。
本发明一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法的特征在于，包括：第一发光层蒸镀步骤，在空穴移动层的上部面蒸镀第一发光层，上述空穴移动层蒸镀于阳极基板的上部面；第一发光器件形成步骤，利用激光对上述第一发光层进行蚀刻来形成第一发光器件；第二发光层蒸镀步骤，在包括向第一发光器件的周边露出的空穴移动层的上部面在内的区域蒸镀第二发光层；第二发光器件形成步骤，利用激光对上述第二发光层进行蚀刻来形成第二发光器件；第三发光层蒸镀步骤，在包括向上述第一发光器件和第二发光器件的周边露出的空穴移动层的上部面在内的区域蒸镀第三发光层；以及第三发光器件形成步骤，利用激光对上述第三发光层进行蚀刻来形成第三发光器件。
本发明另一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法的特征在于，第一发光层涂敷步骤，在阳极基板的上部面涂敷第一发光层；第一发光器件形成步骤，利用激光对上述第一发光层进行蚀刻来形成第一发光器件；第二发光层涂敷步骤，在包括向第一发光器件的周边露出的上述阳极基板的上部面在内的区域涂敷第二发光层；第二发光器件形成步骤，利用激光对上述第二发光层进行蚀刻来形成第二发光器件；第三发光层涂敷步骤，在包括向上述第一发光器件和第二发光器件的周边露出的上述阳极基板的上部面在内的区域涂敷第三发光层；以及第三发光器件形成步骤，利用激光对上述第三发光层进行蚀刻来形成第三发光器件。
并且，根据本发明，在上述第三发光器件形成步骤之后，还可包括如下的发光器件蚀刻步骤，即，用激光对上述第一发光器件和第二发光器件的上部面进行追加蚀刻。
并且，根据本发明，在第三发光器件形成步骤之后，在上述发光器件蚀刻步骤中，还可对上述第三发光器件的上部面用激光一同进行蚀刻。
并且，根据本发明，能够以比第一发光器件的厚度大1～20％的厚度蒸镀第一发光层，能够以比第二发光器件的厚度大1～20％的厚度蒸镀第二发光层。
并且，根据本发明，上述第一发光层和第二发光层的厚度可大于第三发光层的厚度。
并且，根据本发明，上述第一发光层和第二发光层可以比第三发光层的厚度大1～20％。
并且，上述发光器件可以是有机发光二极管或量子点发光二极管。
并且，本发明提供一种发光器件制造装置，用于如上所述的利用激光蚀刻的发光器件制造方法，本发明的特征在于，包括：有机物蒸镀模块，用于向阳极基板蒸镀有机物；基板冷却模块，位于用于放置上述阳极基板的基板支撑架的下部，用于将上述阳极基板冷却至所需温度；激光照射模块，用于照射上述激光；以及气体吹送模块，向照射上述激光的区域吹送非活性气体。
并且，本发明提供一种发光器件制造装置，用于利用激光蚀刻的发光器件制造方法，本发明的特征在于，包括：量子点物质涂敷模块，用于向基板涂敷量子点物质；基板冷却模块，位于用于放置上述基板的基板支撑架的下部，用于将上述基板冷却至所需温度；激光照射模块，用于照射上述激光；以及气体吹送模块，用于向照射上述激光的区域吹送非活性气体。
本发明的利用激光蚀刻的发光器件制造方法及用于其的制造装置可在不使用精细金属掩膜板的情况下形成超高分辨率的RGB发光器件。
并且，由于本发明可直接在基板形成RGB发光器件，因而可在不使用精细金属掩膜板或转印设备等附加装置的情况下形成超高分辨率的RGB发光器件。
并且，由于本发明不使用精细金属掩膜板，因而可减少因精细金属掩膜板的残留有机物清洗而造成的工序时间增加或因精细金属掩膜板的变形和损伤而造成的更换时间的增加以及因更换费用而造成的费用增加。
并且，本发明可减少因精细金属掩膜板的器件孔被堵塞而有可能产生的发光器件的不良。
附图说明
图1为本发明一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法的流程图。
图2为本发明一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的第一发光层蒸镀步骤的工序图。
图3为本发明一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的第一发光器件形成步骤的工序图。
图4为本发明一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的第二发光层蒸镀步骤的工序图。
图5为本发明一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的第二发光器件形成步骤的工序图。
图6为本发明一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的第三发光层蒸镀步骤的工序图。
图7为本发明一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的第三发光器件形成步骤的工序图。
图8为本发明一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的发光器件蚀刻步骤的工序图。
图9为本发明一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的发光器件的部分立体图。
图10为本发明另一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法的流程图。
图11为本发明另一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的第一发光层蒸镀步骤的工序图。
图12为本发明另一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的第一发光器件形成步骤的工序图。
图13为本发明另一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的第二发光层蒸镀步骤的工序图。
图14为本发明另一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的第二发光器件形成步骤的工序图。
图15为本发明另一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的第三发光层蒸镀步骤的工序图。
图16为本发明另一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的第三发光器件形成步骤的工序图。
图17为本发明另一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的发光器件蚀刻步骤的工序图。
图18为本发明另一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的发光器件的部分立体图。
具体实施方式
以下，参照附图来对本发明一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法及用于其的制造装置。
首先，对本发明一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法进行说明。
图1为本发明一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法的流程图。图2为本发明一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的第一发光层蒸镀步骤的工序图。图3为本发明一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的第一发光器件形成步骤的工序图。图4为本发明一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的第二发光层蒸镀步骤的工序图。图5为本发明一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的第二发光器件形成步骤的工序图。图6为本发明一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的第三发光层蒸镀步骤的工序图。图7为本发明一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的第三发光器件形成步骤的工序图。图8为本发明一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的发光器件蚀刻步骤的工序图。图9为本发明一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的发光器件的部分立体图。
参照图1至图9，本发明一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法可包括第一发光层蒸镀步骤S110、第一发光器件形成步骤S120、第二发光层蒸镀步骤S130、第二发光器件形成步骤S140、第三发光层蒸镀步骤S150以及第三发光器件形成步骤S160。并且，上述利用激光蚀刻的发光器件制造方法还可包括发光器件蚀刻步骤S170。
上述利用激光蚀刻的发光器件制造方法可制造的发光器件为有机发光二极管。即，上述发光器件可以是有机发光二极管。因此，上述利用激光蚀刻的发光器件制造方法可在使空穴注入层(HIL)和空穴移动层(HTL)形成于阳极基板的上部之后进行。并且，可在进行上述利用激光蚀刻的发光器件制造方法之后进行电子移动层(ETL)形成工序、电子注入层(EIL)形成工序以及阴极形成工序。在作为上述发光器件的有机发光二极管中，其中的其他层可通过进行已知的普通工序来形成。
并且，在上述内容中，第一发光层和第一发光器件可以是R发光层和R发光器件、G发光层和G发光器件、B发光层和B发光器件中的一个，第二发光层和第二发光器件可以是另一个，第三发光层和第三发光器件可以是剩下的一个。
以下，以上述第一发光层和第一发光器件为R发光层和R发光器件、第二发光层和第二发光器件为G发光层和G发光器件、第三发光层和第三发光器件为B发光层和B发光器件作为基准来进行说明。并且，在以下说明内容中，在不需要区分第一发光层、第二发光层以及第三发光层的情况下，将说明为发光层，在不需要区分第一发光器件、第二发光器件以及第三发光器件的情况下，将说明为发光器件。上述发光层意味着分别连续涂敷的层，发光器件可意味着在用激光对发光层进行蚀刻的过程中互相分离并独立形成的薄膜。
在上述利用激光蚀刻的发光器件制造方法中，可通过超精密蚀刻方式进行，即，在将用于形成第一发光层的有机物蒸镀于阳极基板中的用于形成多个RGB发光器件的整个区域后，在除了形成第一发光器件的区域之外的区域对第一发光层进行蚀刻，从而形成第一发光器件。其中，上述激光蚀刻可意味着利用激光对发光层进行蚀刻的步骤。在上述利用激光蚀刻的发光器件制造方法中，可按RGB发光器件中的各个发光器件反复执行发光层蒸镀和蚀刻，从而可形成R发光器件、G发光器件以及B发光器件。
上述利用激光蚀刻的发光器件制造方法可通过微米或纳米等级大小的激光蚀刻来实现具有超高分辨率的发光器件。在上述利用激光蚀刻的发光器件制造方法中，可利用激光对发光层进行蚀刻，从而形成发光器件。因此，上述发光层可由特性上可在激光蚀刻步骤中被顺畅地蚀刻并使得被蚀刻的蚀刻截面维持形态的有机物形成。即，为了通过激光实现适当的蚀刻，上述发光层的有机物可由最佳的材质形成。
并且，位于上述发光层的下部的空穴移动层可由激光蚀刻损失最少的物质形成。上述利用激光蚀刻的发光器件制造方法可利用激光对发光层进行超单层蚀刻来形成发光器件。
并且，为了对发光层进行精密蚀刻，可对上述激光调节激光的光束形态及大小、激光的重叠照射、激光的功率、激光的波长、激光照射时间、激光扫描速度、激光扫描宽度。例如，可通过控制强度和照射时间来将上述激光进行蚀刻的发光层的厚度和大小精密调节成纳米等级。例如，在上述利用激光蚀刻的发光器件制造方法中，以10nm以下的厚度形成发光层，可通过激光蚀刻来将发光层均匀地蚀刻成厚度达到10nm以下。并且，在上述利用激光蚀刻的发光器件制造方法中，可使发光器件的大小达到8.5微米以下。
并且，在上述利用激光蚀刻的发光器件制造方法中，若在对发光层进行蚀刻的过程中造成空穴移动层受损，则可在先重新蒸镀空穴移动层后形成发光层。
并且，上述激光可在以利用远心透镜或阵列透镜的垂直照射方式进行照射的过程中对发光层进行更准确的蚀刻来实现图案化。并且，由于是利用远心透镜照射上述激光，因而可在发光层均匀地形成大面积发光器件。并且，上述激光可利用垂直共振腔面射型激光(VCSEL，Vertical Cavity Surface Emitting Laser)。
并且，可利用远心透镜和激光透射控制板(reticle)照射上述激光。上述激光透射控制板可通过调节激光的透射面和非透射面的特性来精密地去除发光层中的除了形成发光器件的区域之外的发光层。例如，上述激光透射控制板可通过控制激光的透射面和非透射面的透射率来以纳米等级精密地去除除了形成发光器件的区域之外的发光层。
上述激光透射控制板可在包括挥发的有机物被蒸镀的区域在内的区域被赋予疏水性。例如，上述激光透射控制板可形成疏水性涂敷膜。因此，上述激光透射控制板可使挥发的有机物的残留最小化，可轻松去除所附着的有机物。
并且，位于上述发光层的下部的空穴移动层可由能够使得因发光层的蚀刻步骤中照射的激光而产生的损失最小化的材质形成。
并且，上述阳极基板可由能够使得因发光层的蚀刻步骤中照射的激光而产生的损失最小化的材质形成。并且，在发光层的蚀刻步骤中，上述阳极基板可在使发光层顺畅地被蚀刻的情况下被冷却至适当温度，以使得其他层所受到的影响达到最小。并且，可通过向上述发光层的上部面喷射冷却至适当温度的冷却气体来对发光层和位于发光层的下部的空穴注入层和空穴移动层进行冷却。并且，还可借助冷却气体对位于上述发光层的上部的电子移动层和电子注入层进行冷却。上述冷却气体可使用非活性气体。当向上述发光层照射激光时，可在照射区域的周边防止在形成于阳极基板上部的空穴注入层和空穴移动层产生劣化现象。
并且，在通过对上述发光层照射激光来进行蚀刻的步骤中，为了迅速去除因发光层挥发而产生的烟雾或蒸气，可在靠近激光照射位置的位置吹送非活性气体(N2气体、氩气体)。并且，可通过吸入上述烟雾或蒸气来向外部排出。在此情况下，可使得挥发的发光层的有机物重新蒸镀于空穴移动层或发光层的情况最小化。另一方面，在冷却并喷射上述吹送气体的情况下，可一同执行在上述内容中提及的阳极基板或空穴注入层和空穴移动层的冷却作用。
并且，可在上述发光层的蚀刻步骤中单独蚀刻发光器件，或可在以行为单位来进行蚀刻后以形成各个器件的方式进行蚀刻。
参照图2，上述第一发光层蒸镀步骤S110为在空穴移动层130的上部面蒸镀第一发光层140a的步骤。上述空穴移动层140a可形成于阳极基板110和空穴注入层120的上部。其中，上述阳极基板110可形成使得阳极电极形成于基层基板的上部面的结构或以阳极电极的方式形成阳极基板110的结构。上述基层基板可以是玻璃基板、可挠性基板。可由为了形成第一发光器件140而通常使用的多种有机物蒸镀上述第一发光层140a。在上述第一发光层蒸镀步骤S110中，可采用通常使用的多种有机物蒸镀方法。上述空穴移动层130可蒸镀于在阳极基板110的整个面积上所蒸镀的空穴注入层120的上部面。
参照图3，上述第一发光器件形成步骤S120为利用激光对第一发光层140a进行蚀刻来形成第一发光器件140的步骤。在上述第一发光器件形成步骤S120中，可通过对第一发光层140a中的除了形成第一发光器件140的区域之外的区域照射激光a来在第一发光层140a中对除了第一发光器件140之外的区域进行蚀刻。因此，在上述第一发光器件形成步骤S120中，可露出第一发光器件140和除了形成第一发光器件140的区域之外的空穴移动层130的上部面。上述第一发光器件140形成于空穴移动层130的上部面中的用于形成第一发光器件140的区域。
优选地，在上述第一发光器件形成步骤S120中，在对第一发光层140a进行蚀刻的过程中使得位于第一发光层140a的下部的空穴移动层30的受损最小化。因此，在上述第一发光器件形成步骤S120中，可在激光蚀刻过程中利用软激光扫描(soft laser scanning)来控制第一发光层140a的蚀刻厚度。并且，可一边控制阳极基板110的温度，一边进行上述第一发光器件形成步骤S120。例如，可通过在上述阳极基板110的下部面设置控温单元来按所需工序温度对阳极基板110进行加热或冷却。
参照图4，上述第二发光层蒸镀步骤S130为在向第一发光器件140的周边露出的空穴移动层130的上部面蒸镀第二发光层150a的步骤。并且，在上述第二发光层蒸镀步骤S130中，还可在第一发光器件140的上部面蒸镀第二发光层150a。可由为了形成第二发光器件150而通常使用的多种有机物蒸镀上述第二发光层150a。上述第二发光层蒸镀步骤S130可采用与第一发光层蒸镀步骤S110相同的方法来进行。
参照图5，上述第二发光器件形成步骤S140为通过对第二发光层150a进行蚀刻来形成第二发光器件150的步骤。在上述第二发光器件形成步骤S140中，可用激光a对第二发光层150a进行蚀刻。在上述第二发光器件形成步骤S140中，可对除了形成第二发光器件150的区域之外的区域中的蒸镀于空穴移动层130的上部面的第二发光层150a全部进行蚀刻。并且，在上述第二发光器件形成步骤S140中，还可对在第一发光器件140的上部面所蒸镀的第二发光层150a一同进行蚀刻。在此情况下，在上述第二发光器件形成步骤S140中，能够以使得第一发光器件140的上部面不受损的方式对第二发光层150a进行蚀刻。在上述第二发光器件形成步骤S140中，可露出第一发光器件140和第二发光器件150以及除了形成第一发光器件140、第二发光器件150的区域之外的空穴移动层130的上部面。
另一方面，由于上述第二发光层150a将在蒸镀于第一发光器件140的上部面之后被去除，因而优选地由与形成第一发光层140a的物质之间的反应率低的物质形成。并且，优选地，上述第二发光层150a由便于与形成第一发光层140a的物质分离的物质形成。
参照图6，上述第三发光层蒸镀步骤S150为在向第一发光器件140和第二发光器件150的周边露出的空穴移动层130的上部面蒸镀第三发光层160a的步骤。并且，在上述第三发光层蒸镀步骤S150中，还可在第一发光器件140和第二发光器件150的上部面蒸镀第三发光层160a。可由为了形成第三发光器件160而通常使用的多种有机物蒸镀上述第三发光层160a。上述第三发光层蒸镀步骤S150可采用与第一发光层蒸镀步骤S110相同的方法来进行。
参照图7，上述第三发光器件形成步骤S160为通过对第三发光层160a进行蚀刻来形成第三发光器件160的步骤。在上述第三发光器件形成步骤S160中，可用激光a对第三发光层160a进行蚀刻。在上述第三发光器件形成步骤S160中，可对除了形成第三发光器件160的区域之外的区域中的蒸镀于空穴移动层130的上部面的第三发光层160a全部进行蚀刻。并且，在上述第三发光器件形成步骤S160中，还可对在第一发光器件140和第二发光器件150的上部面所蒸镀的第三发光层160a一同进行蚀刻。在此情况下，在上述第三发光器件形成步骤S160中，能够以使得第一发光器件140和第二发光器件150的上部面不受损的方式对第三发光层160a进行蚀刻。在上述第三发光器件形成步骤S160中，可露出第一发光器件140、第二发光器件150、第三发光器件160以及除了形成第一发光器件140、第二发光器件150、第三发光器件160的区域之外的空穴移动层130的上部面。
因此，在上述第三发光器件形成步骤S160之后，可在空穴移动层130的上部面沿着水平方向互相隔开形成第一发光器件140、第二发光器件150以及第三发光器件160。
参照图8，上述发光器件蚀刻步骤S170为用激光a对第一发光器件140和第二发光器件150的上部面进行追加蚀刻的步骤。并且，在上述发光器件蚀刻步骤S170中，可用激光a对第三发光器件160的上部面进行追加蚀刻。由于上述第一发光器件140和第二发光器件150分别在使第二发光层150a或第三发光层160a蒸镀于上部面之后被蚀刻，因而有可能在上部面残留第二发光层150a或第三发光层160a的有机物。因此，在上述发光器件蚀刻步骤S170中，可通过对第一发光器件140和第二发光器件150的上部面进行追加蚀刻来去除在各自的上部面所残留的有机物。为了与第一发光器件140及第二发光器件150的厚度相符合，能够以相同的高度对上述第三发光器件160进行蚀刻。因此，在上述发光器件蚀刻步骤S170之后，能够以相同的厚度形成第一发光器件140、第二发光器件150以及第三发光器件160。
并且，上述发光器件蚀刻步骤S170可与通过对第三发光层160a进行蚀刻来形成第三发光器件160的过程中一同进行。为此，当蒸镀上述第一发光层140a时，能够以使得第一发光层140a的厚度大于第一发光器件140的最终厚度的方式进行蒸镀。例如，能够以比第一发光器件140的最终厚度大1～20％的厚度蒸镀上述第一发光层140a。并且，同样能够以比第二发光器件150的最终厚度大1～20％的厚度蒸镀上述第二发光层150a。并且，上述第一发光层140a和第二发光层150a的厚度可大于第三发光层160a。上述第一发光层140a和第二发光层150a的厚度可比第三发光层160a的厚度大1～20％。
而且，上述第一发光器件140和第二发光器件150可在通过对第三发光层160a进行蚀刻来形成第三发光器件160的过程中被过蚀刻，由此形成第一发光器件140和第二发光器件150的所需的厚度。并且，为了能够实现以与第一发光器件140和第二发光器件150相同的方式进行蚀刻，上述第三发光层160a的厚度可与第三发光器件160的厚度相对应。即，能够以与第三发光器件160的厚度相同的厚度蒸镀上述第三发光层160a。在对上述第三发光层160a进行蚀刻的过程中，以使厚度达到第三发光层160a的厚度加上第一发光层140a和第二发光层150a的增加的厚度之和的方式进行蚀刻。在此情况下，在对第一发光器件140和第二发光器件150的上部面进行过蚀刻的过程中不会使其他有机物残留在上部面。
例如，若假设上述第一发光器件140、第二发光器件150以及第三发光器件160的最终设定厚度为300nm，则能够以310nm的厚度形成第一发光层140a和第二发光层150a。因此，上述第一发光器件140和第二发光器件150可在对第一发光层140a和第二发光层150a进行蚀刻的过程中先以310nm的厚度形成。接着在以300nm的厚度蒸镀上述第三发光层160a之后，可在形成第三发光器件160的过程中以310nm的厚度进行蚀刻。在此情况下，第一发光器件140和第二发光器件150将被多蚀刻10nm并可由此一同去除残留在上部面的其他有机物。最终，上述第一发光器件140、第二发光器件150以及第三发光器件160可分别形成300nm的厚度。
另一方面，由于上述第三发光层160a将在蒸镀于第一发光器件140和第二发光器件150的上部面之后被去除，因而优选地由与形成第一发光层140a的物质及形成第二发光层150a的物质之间的反应率低的物质形成。并且，优选地，上述第三发光层160a由便于与形成第一发光层140a及第二发光层150a的物质分离的物质形成。
在上述内容中，以第一发光器件140为R发光器件、第二发光器件150为G发光器件、第三发光器件160为B发光器件的方式进行了说明。即，由于依次形成上述第一发光器件140、第二发光器件150以及第三发光器件160，因而可依次形成R发光器件、G发光器件以及B发光器件。
并且，上述R发光器件、G发光器件以及B发光器件可以有不同的形成顺序。即，可先形成上述B发光器件，之后形成R发光器件和G发光器件。另一方面，由于形成上述G发光器件的有机物的特性优秀，形成B发光器件的有机物的特性灵敏，因而可先形成G发光器件并在之后依次形成R发光器件和B发光器件。例如，在形成上述G发光器件的有机物容易被激光蚀刻且形成B发光器件的有机物相对较难被激光蚀刻的情况下，可通过最后形成B发光器件来使得通过激光进行的蚀刻最小化。
并且，以在形成发光层之后进行用于形成发光器件的激光蚀刻的方式说明了上述利用激光蚀刻的发光器件制造方法。
追加性地，根据上述利用激光蚀刻的发光器件制造方法，可在形成发光层、电子移动层以及电子注入层之后进行激光蚀刻。即，在形成上述第一发光器件140的过程中，在形成第一发光层140a、电子移动层以及电子注入层之后进行激光蚀刻。在此情况下，在上述激光蚀刻过程中，可使得除了形成第一发光器件140的区域之外的区域中的第一发光层140a、电子移动层以及电子注入层被蚀刻。
并且，在形成上述第二发光器件150的过程中，可在形成第二发光层150a、电子移动层以及电子注入层之后进行激光蚀刻。在此情况下，在上述激光蚀刻过程中，可使得除了形成第二发光器件150的区域之外的区域中的第二发光层150a、电子移动层以及电子注入层被蚀刻。
并且，在形成上述第三发光器件160的过程中，可在形成第三发光层160a、电子移动层以及电子注入层之后进行激光蚀刻。在此情况下，在上述激光蚀刻过程中，可使得除了形成第三发光器件160的区域之外的区域中的第三发光层160a、电子移动层以及电子注入层被蚀刻。
并且，根据上述利用激光蚀刻的发光器件制造方法，在形成第一发光器件140的过程中，可在对第一发光层140a进行蚀刻时一同对位于下部的空穴移动层进行蚀刻。并且，可在蒸镀上述第二发光层150a时先蒸镀空穴移动层，之后形成第二发光层150a。并且，可在形成上述第二发光器件150时对第二发光层150a和空穴移动层一同进行蚀刻。并且，可在蒸镀上述第三发光层160a时先蒸镀空穴移动层，之后形成第三发光层160a。可在形成上述第三发光器件160时只对第三发光层160a进行蚀刻。
在此情况下，在对上述发光层和空穴移动层进行蚀刻的过程中，若空穴注入层受损，则可先重新蒸镀空穴注入层。
并且，根据上述利用激光蚀刻的发光器件制造方法，在形成第一发光器件140的过程中，当对第一发光层140a进行蚀刻时，可一同蚀刻位于下部的空穴移动层和空穴注入层。并且，可在蒸镀上述第二发光层150a时先蒸镀空穴移动层和空穴注入层，之后形成第二发光层150a。并且，可在形成上述第二发光器件150时对第二发光层150a、空穴移动层以及空穴注入层一同进行蚀刻。并且，可在蒸镀上述第三发光层160a时先蒸镀空穴移动层和空穴注入层，之后形成第三发光层160a。可在形成上述第三发光器件160时只对第三发光层160a进行蚀刻。
本发明一实施例的发光器件可通过利用激光蚀刻的发光器件制造方法来制造。上述发光器件可以是有机发光二极管。因此，上述发光器件有可能残留被激光蚀刻的痕迹，即，第一发光器件140和第二发光器件150有可能在上部面残留被激光蚀刻的痕迹。并且，在上述第三发光器件160也以如上所述的内容被蚀刻的情况下，同样有可能在上部面残留被蚀刻的痕迹。通常，由于第一发光器件140、第二发光器件150以及第三发光器件160通过蒸镀而成，因而不会在上部面残留蚀刻痕迹。
并且，上述第一发光器件140、第二发光器件150以及第三发光器件160有可能在侧面残留被激光蚀刻的痕迹。并且，上述第一发光器件140、第二发光器件150以及第三发光器件160可使得大小的精密度和间隔均匀。
参照图9，本发明一实施例的发光器件能够以由第一发光器件140、第二发光器件150以及第三发光器件160形成一个像素的方式形成。并且，作为上述发光器件的有机发光二极管可通过使得由第一发光器件140、第二发光器件150以及第三发光器件160构成的像素排列成格子形状来形成平板显示板。
本发明一实施例的发光器件制造装置可以是用于利用激光蚀刻的发光器件制造方法的制造装置。即，上述发光器件制造装置可以是用于制造有机发光二极管的装置。因此，上述发光器件制造装置可包括用于蒸镀有机物的蒸镀模块、激光照射模块、基板冷却模块以及气体吹送模块。
上述蒸镀模块可由通常所使用的有机物蒸镀模块来形成。
上述激光照射模块可照射用于对发光层进行蚀刻的激光。并且，上述激光照射模块可调节所照射的激光的光束形态及大小、激光的重叠照射、激光的功率、激光的波长、激光照射时间、激光扫描速度、激光扫描宽度。
并且，上述激光照射模块还可包括远心透镜或阵列透镜。并且，上述激光照射模块可包括远心透镜和激光透射控制板。
上述基板冷却模块位于用于放置基板的基板支撑架的下部，可将基板冷却至所需温度。上述基板冷却模块可包括形成于基板支撑架的冷却流路或位于基板支撑架下部的冷却单元。
上述气体吹送模块可向照射激光的区域吹送非活性气体。上述气体吹送模块可包括：喷嘴，用于喷射非活性气体；以及气体管，用于向喷嘴供给气体。
接着，对本发明另一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法进行说明。
图10为本发明另一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法的流程图。图11为本发明另一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的第一发光层蒸镀步骤的工序图。图12为本发明另一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的第一发光器件形成步骤的工序图。图13为本发明另一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的第二发光层蒸镀步骤的工序图。图14为本发明另一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的第二发光器件形成步骤的工序图。图15为本发明另一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的第三发光层蒸镀步骤的工序图。图16为本发明另一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的第三发光器件形成步骤的工序图。图17为本发明另一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的发光器件蚀刻步骤的工序图。图18为本发明另一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中的发光器件的部分立体图。
在本发明另一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法中，与图1至图9中的利用激光蚀刻的发光器件制造方法相同或相似的结构可直接引用，并可在下述内容中省略具体说明。
参照图10至图18，本发明另一实施例的利用激光蚀刻的发光器件制造方法可包括第一发光层涂敷步骤S210、第一发光器件形成步骤S220、第二发光层涂敷步骤S230、第二发光器件形成步骤S240、第三发光层涂敷步骤S250以及第三发光器件形成步骤S260。上述利用激光蚀刻的发光器件制造方法还可包括发光器件蚀刻步骤S270。
上述利用激光蚀刻的发光器件制造方法可制造的发光器件为量子点发光二极管。即，上述发光器件可以是量子点发光二极管。上述量子点发光二极管可形成已知的普通结构。例如，可如下形成上述量子点发光二极管，即，RGB发光器件以格子形状排列在阳极基板的上部面并在各个RGB发光器件的上部面形成上部电极。其中，上述阳极基板可形成使得阳极电极形成于基层基板的上部面的结构或以阳极电极的方式形成阳极基板的结构。并且，上述基层基板可与下部电极形成为一体。并且，上述量子点发光二极管可在基层基板与下部电极之间形成追加层。并且，上述量子点发光二极管可在下部电极与发光层之间或发光层与上部电极之间形成用于提高效率的追加层。例如，可在上述下部电极与发光层之间形成空穴移动层，可在发光层与上部电极之间形成电子传递层。
在上述利用激光蚀刻的发光器件制造方法中，以在量子点发光二极管通过激光蚀刻形成各个RGB发光器件的方法为中心来进行。因此，利用上述激光蚀刻进行的RGB发光器件的形成可在形成下部电极之后进行。构成上述量子点发光二极管的其它层可通过进行已知的普通工序来形成。
在上述利用激光蚀刻的发光器件制造方法中，可利用激光对发光层进行蚀刻，从而形成发光器件。因此，上述发光层可由特性上可在激光蚀刻步骤中被顺畅地蚀刻并使得被蚀刻的蚀刻截面维持垂直形态的量子点物质形成。即，为了通过激光实现适当的蚀刻，上述发光层的量子点物质可由最佳的材质形成。
并且，为了对发光层进行精密蚀刻，可对上述激光调节激光的光束形态及大小、激光的重叠照射、激光的功率、激光的波长、激光照射时间、激光扫描速度、激光扫描宽度。例如，可通过控制强度和照射时间来将上述激光进行蚀刻的发光层的厚度和大小精密调节成纳米等级。例如，在上述利用激光蚀刻的发光器件制造方法中，以500nm以下的厚度形成发光层，可通过激光蚀刻来将发光层均匀地蚀刻成厚度达到500nm以下。
并且，上述阳极基板可由能够使得因发光层的蚀刻步骤中照射的激光而产生的损失最小化的材质形成。并且，在发光层的蚀刻步骤中，上述阳极基板可在使发光层顺畅地被蚀刻的情况下被冷却至适当温度，以使得其他层所受到的影响达到最小。并且，可通过向上述发光层的上部面喷射冷却至适当温度的冷却气体来对被蚀刻的发光层进行冷却。上述冷却气体可使用非活性气体。
用于上述第一发光层、第二发光层以及第三发光层的量子点物质可由普通的量子点物质形成。上述量子点物质可包含规定大小的量子点和树脂。并且，上述量子点物质还可包含溶剂。用于上述第一发光层、第二发光层以及第三发光层的量子点物质可包含大小不同的量子点。例如，上述第一发光层中的量子点的大小可相对大，第二发光层中的量子点和第三发光层中的量子点的大小可相对小。
并且，上述量子点物质还可包含对于相应发光层蚀刻中所使用的激光的波长具有高吸收率的吸光材料。例如，在使用355nm带宽的激光来对上述第一发光层进行蚀刻的情况下，量子点物质可包含能够相对吸收很多355nm带宽激光的吸光材料。因此，在为了对上述第一发光层进行蚀刻而照射355nm带宽的激光时，第一发光层借助吸光材料的作用来吸收更多的激光并由此被加热得更多，从而可提高蚀刻效率。但是，应以不降低量子点的发光效率的方式混合适当的上述吸光材料。
并且，在使用532nm带宽的激光来对上述第二发光层进行蚀刻的情况下，量子点物质可包含能够相对吸收很多532nm带宽光的吸光材料。因此，在为了对上述第二发光层进行蚀刻而照射532nm带宽的激光时，第二发光层借助吸光材料的作用来吸收更多的激光并由此被加热得更多，从而可提高蚀刻效率。
并且，在使用1064m带宽的激光来对上述第三发光层进行蚀刻的情况下，量子点物质可包含能够相对吸收很多1064nm带宽光的吸光材料。因此，在为了对上述第三发光层进行蚀刻而照射1064nm带宽的激光时，第三发光层借助吸光材料的作用来吸收更多的激光并由此被加热得更多，从而可提高蚀刻效率。
参照图11，上述第一发光层涂敷步骤S210为在阳极基板210的上部面涂敷第一发光层220a的步骤。可由为了形成R发光器件而通常使用的多种量子点物质涂敷上述第一发光层220a。在上述第一发光层涂敷步骤S210中，可采用通常使用的多种涂敷方法。例如，可通过干式工序或湿式工序进行上述第一发光层涂敷步骤S210。其中，上述阳极基板210可形成在基层基板的上部面形成阳极电极的结构，或可形成由阳极电极形成的结构。
上述第一发光层涂敷步骤S210还可包括使第一发光层220a固化的过程。上述第一发光层220a可通过照光被加热并固化。在上述第一发光层涂敷步骤S210中使用的激光的波长和在对第一发光层进行蚀刻的过程中所使用的激光的波长可互不相同。这可同样适用于以下的涂敷第二发光层和第三发光层的过程。
参照图12，上述第一发光器件形成步骤S220为通过对第一发光层220a进行蚀刻来形成第一发光器件220的步骤。在上述第一发光器件形成步骤S220中，可用激光a来对第一发光层220a进行蚀刻。在上述第一发光器件形成步骤S220中，可对除了形成第一发光器件220的区域之外的区域中的第一发光层220a全部进行蚀刻。上述第一发光层220a的蚀刻可通过使用355nm波长带宽的激光来进行。在此情况下，上述第一发光层220a可包含能够相对吸收很多355nm波长带宽光的吸光材料。因此，上述第一发光层220a使得光吸收率在被蚀刻的区域中增加并使得温度上升，从而可更有效地进行蚀刻。
在上述第一发光器件形成步骤S220中，可露出第一发光器件220和除了形成第一发光器件220的区域之外的阳极基板210(或空穴移动层)的上部面。上述第一发光器件220形成于阳极基板210的上部面中的用于形成第一发光器件220的区域。因此，这里的上述第一发光器件220可以是R发光器件。
在上述第一发光器件形成步骤S220中，在对第一发光层220a进行蚀刻的过程中，需使得位于第一发光层220a的下部的阳极基板210(或空穴移动层)的受损最小化。因此，在上述第一发光器件形成步骤S220中，可在激光蚀刻过程中利用软激光扫描来控制第一发光层220a的蚀刻厚度。并且，在上述第一发光器件形成步骤S220中，可控制阳极基板210的温度。例如，可通过在上述阳极基板210的下部面设置控温单元来按所需工序温度对阳极基板210进行加热或冷却。
参照图13，上述第二发光层涂敷步骤S230为在向第一发光器件220的周边露出的阳极基板210(或空穴移动层)的上部面涂敷第二发光层230a的步骤。并且，在上述第二发光层涂敷步骤S230中，还可在第一发光器件220的上部面涂敷第二发光层230a。可由为了形成G发光器件而通常使用的多种量子点物质涂敷上述第二发光层230a。上述第二发光层涂敷步骤S230可采用与第一发光层涂敷步骤S210相同的方法来进行。
上述第二发光层涂敷步骤S230还可包括使第二发光层230a固化的过程。上述第二发光层230a可通过照光被加热并固化。
参照图14，上述第二发光器件形成步骤S240为通过对第二发光层230a进行蚀刻来形成第二发光器件230的步骤。在上述第二发光器件形成步骤S240中，可用激光a来对第二发光层230a进行蚀刻。在上述第二发光器件形成步骤S240中，可对除了形成第二发光器件230的区域之外的区域中的在下部电极的上部面所涂敷的第二发光层230a全部进行蚀刻。并且，在上述第二发光器件形成步骤S240中，可对在第一发光器件220的上部面所涂敷的第二发光层230a进行蚀刻。在此情况下，在上述第二发光器件形成步骤S240中，能够以不使得第一发光器件220的上部面受损的方式对第二发光层230a进行蚀刻。上述第二发光层230a的蚀刻可通过使用532nm波长带宽的激光来进行。在此情况下，上述第二发光层230a可包含能够相对吸收很多532nm波长带宽光的吸光材料。因此，上述第二发光层230a使得光吸收率在被蚀刻的区域中增加并使得温度上升，从而可更有效地进行蚀刻。
在上述第二发光器件形成步骤S240中，可露出第一发光器件220和第二发光器件230以及除了形成第一发光器件220和第二发光器件230的区域之外的阳极基板210的上部面。
另一方面，由于上述第二发光层230a将在涂敷于第一发光器件220的上部面之后被去除，因而优选地由与形成第一发光层220a的物质之间的反应率低的物质形成。并且，优选地，上述第二发光层230a由便于与形成第一发光层220a的物质分离的物质形成。
参照图15，上述第三发光层涂敷步骤S250为在向第一发光器件220和第二发光器件230的周边露出的阳极基板210(或空穴移动层)的上部面涂敷第三发光层240a的步骤。并且，上述第三发光层240a还可涂敷于第一发光器件220和第二发光器件230的上部面。可由为了形成B发光器件而通常使用的多种量子点物质涂敷上述第三发光层240a。上述第三发光层涂敷步骤S250可采用与第一发光层涂敷步骤S210相同的方法来进行。
上述第三发光层涂敷步骤还可包括使第三发光层240a固化的过程。上述第三发光层240a可通过照光被加热并固化。
参照图16，上述第三发光器件形成步骤S260为通过对第三发光层240a进行蚀刻来形成第三发光器件的步骤。在上述第三发光器件形成步骤S260中，可用激光a来对第三发光层240a进行蚀刻。在上述第三发光器件形成步骤S260中，可对除了形成第三发光器件240的区域之外的区域中的在阳极基板210的上部面所涂敷的第三发光层240a全部进行蚀刻。并且，在上述第三发光器件形成步骤S260中，可对在第一发光器件220和第二发光器件230的上部面所涂敷的第三发光层240a进行蚀刻。在此情况下，在上述第三发光器件形成步骤S260中，能够以不使得第一发光器件220和第二发光器件230的上部面受损的方式对第三发光层240a进行蚀刻。上述第三发光层240a的蚀刻可通过使用1064nm波长带宽的激光来进行。在此情况下，上述第三发光层240a可包含能够相对吸收很多1064nm波长带宽光的吸光材料。因此，上述第三发光层240a使得光吸收率在被蚀刻的区域中增加并使得温度上升，从而可更有效地进行蚀刻。
在上述第三发光器件形成步骤S260中，可露出第一发光器件220、第二发光器件230和第三发光器件240以及除了形成第一发光器件220、第二发光器件230和第三发光器件240的区域之外的阳极基板210的上部面。
因此，在上述第三发光器件形成步骤S260之后，可在阳极基板210的上部面形成第一发光器件220、第二发光器件230以及第三发光器件240。
参照图17，上述发光器件蚀刻步骤S270为用激光a对第一发光器件220和第二发光器件230的上部面进行追加蚀刻的步骤。在上述发光器件蚀刻步骤S270中，可用激光a来对第三发光器件240的上部面进行追加蚀刻。由于上述第一发光器件220和第二发光器件230分别在使第二发光层230a或第三发光层240a涂敷于上部面之后被蚀刻，因而有可能在上部面残留第二发光层230a或第三发光层240a的量子点物质。因此，在上述发光器件蚀刻步骤S270中，可通过对第一发光器件220和第二发光器件230的上部面进行追加蚀刻来去除残留在上部面的量子点物质。为了与第一发光器件220及第二发光器件230的厚度相符合，能够以相同的高度对上述第三发光器件240进行蚀刻。因此，在上述发光器件蚀刻步骤S270之后，能够以相同的厚度形成第一发光器件220、第二发光器件230以及第三发光器件240。
并且，上述发光器件蚀刻步骤S270可与通过对第三发光层240a进行蚀刻来形成第三发光器件240的过程中一同进行。为此，当涂敷上述第一发光层220a时，能够以使得第一发光层220a的厚度大于第一发光器件220的最终厚度的方式进行涂敷。例如，能够以比第一发光器件220的厚度大1～20％的厚度涂敷上述第一发光层220a。并且，同样能够以比第二发光器件230的厚度大1～20％的厚度涂敷上述第二发光层230a。并且，上述第一发光层220a和第二发光层230a的厚度可大于第三发光层240a的厚度。上述第一发光层220a和第二发光层230a的厚度可比第三发光层240a的厚度大1～20％。
而且，上述第一发光器件220和第二发光器件230可在通过对第三发光层240a进行蚀刻来形成第三发光器件240的过程中被过蚀刻，由此形成第一发光器件220和第二发光器件230的所需厚度。并且，为了能够实现以与第一发光器件220和第二发光器件230相同的方式进行蚀刻，上述第三发光层240a的厚度可与第三发光器件240的厚度相对应。即，能够以与第三发光器件240的厚度相同的厚度涂敷上述第三发光层240a。在对上述第三发光层240a进行蚀刻的过程中，以使厚度达到第三发光层240a的厚度加上第一发光层220和第二发光层230a的增加的厚度之和的方式进行蚀刻。在此情况下，在对第一发光器件220和第二发光器件230的上部面进行过蚀刻的过程中不会使其他量子点物质残留在上部面。
例如，若假设上述第一发光器件220、第二发光器件230以及第三发光器件240的最终设定厚度为300nm，则能够以310nm的厚度形成第一发光层220a和第二发光层230a。因此，上述第一发光器件220和第二发光器件230可在对第一发光层220a和第二发光层230a进行蚀刻的过程中先以310nm的厚度形成。接着在以300nm的厚度涂敷上述第三发光层240a之后，可在形成第三发光器件240的过程中以310nm的厚度进行蚀刻。在此情况下，第一发光器件220和第二发光器件230将被多蚀刻10nm并可由此一同去除残留在上部面的其他量子点物质。最终，上述第一发光器件220、第二发光器件230以及第三发光器件240可分别形成300nm的厚度。
另一方面，由于上述第三发光层240a将在涂敷于第一发光器件220和第二发光器件230的上部面之后被去除，因而优选地由与形成第一发光层220a的物质即形成第二发光层230a的物质之间的反应率低的物质形成。并且，优选地，上述第三发光层240a由便于与形成第一发光层220a及第二发光层230a的物质分离的物质形成。
在上述内容中，以第一发光器件220为R发光器件、第二发光器件230为G发光器件、第三发光器件240为B发光器件的方式进行了说明。即，由于依次形成上述第一发光器件220、第二发光器件230以及第三发光器件240，因而可依次形成R发光器件、G发光器件以及B发光器件。
并且，上述R发光器件、G发光器件以及B发光器件可以有不同的形成顺序。即，可先形成上述B发光器件，之后形成R发光器件和G发光器件。
另一方面，若在上述阳极基板210与发光层220a、230a、240a之间形成电子移动层并在发光层220a、230a、240a与上部电极之间形成电子注入层，则可进行如下工序。
例如，根据上述利用激光蚀刻的发光器件制造方法，可在使电子移动层及电子注入层形成于阳极基板210的上部面之后，通过形成发光层220a、230a、240a来进行激光蚀刻。即，在形成上述第一发光器件220的过程中，在形成第一发光层220a、电子移动层以及电子注入层之后进行激光蚀刻。在此情况下，在上述激光蚀刻过程中，可使得除了形成第一发光器件220的区域之外的区域中的第一发光层220a、电子移动层以及电子注入层被蚀刻。
并且，在形成上述第二发光器件230的过程中，可在形成第二发光层230a、电子移动层以及电子注入层之后进行激光蚀刻。在此情况下，在上述激光蚀刻过程中，可使得除了形成第二发光器件230的区域之外的区域中的第二发光层230a、电子移动层以及电子注入层被蚀刻。
并且，在形成上述第三发光器件240的过程中，可在形成第三发光层240a、电子移动层以及电子注入层之后进行激光蚀刻。在此情况下，在上述激光蚀刻过程中，可使得除了形成第三发光器件240的区域之外的区域中的第三发光层240a、电子移动层以及电子注入层被蚀刻。
并且，根据上述利用激光蚀刻的发光器件制造方法，在形成第一发光器件220的过程中，当对第一发光层220a进行蚀刻时，可一同蚀刻位于下部的空穴移动层。并且，可在涂敷上述第二发光层230a时先涂敷空穴移动层，之后形成第二发光层230a。并且，可在形成上述第二发光器件230时对第二发光层230a和空穴移动层一同进行蚀刻。并且，可在涂敷上述第三发光层240a时先涂敷空穴移动层，之后形成第三发光层240a。可在形成上述第三发光器件240时只对第三发光层240a进行蚀刻。在此情况下，在对上述第三发光层240a和空穴移动层进行蚀刻的过程中，若空穴注入层受损，则可先重新涂敷空穴注入层。
并且，根据上述利用激光蚀刻的发光器件制造方法，在形成第一发光器件220的过程中，当对第一发光层220a进行蚀刻时，可一同蚀刻位于下部的空穴移动层和空穴注入层。并且，可在涂敷上述第二发光层230a时先涂敷空穴移动层和空穴注入层，之后形成第二发光层230a。并且，可在形成上述第二发光器件230时对第二发光层230a、空穴移动层以及空穴注入层一同进行蚀刻。并且，可在涂敷上述第三发光层240a时先涂敷空穴移动层和空穴注入层，之后形成第三发光层240a。可在形成上述第三发光器件240时只对第三发光层进行蚀刻。
本发明一实施例的发光器件可通过利用激光蚀刻的发光器件制造方法来制造。因此，上述发光器件有可能残留被激光蚀刻的痕迹，即，第一发光器件和第二发光器件有可能在上部面残留被激光蚀刻的痕迹。并且，在上述第三发光器件也以如上所述的方式被蚀刻的情况下，同样有可能在上部面残留被蚀刻的痕迹。通常，由于第一发光器件、第二发光器件以及第三发光器件通过涂敷而成，因而不会在上部面残留蚀刻痕迹。
并且，上述第一发光器件、第二发光器件以及第三发光器件有可能在侧面残留被激光蚀刻的痕迹。并且，上述第一发光器件、第二发光器件以及第三发光器件可使得大小的精密度和间隔均匀。
参照图18，本发明一实施例的发光器件能够以由第一发光器件220、第二发光器件230以及第三发光器件240形成一个像素的方式形成。并且，通过使得由作为上述发光器件的第一发光器件220、第二发光器件230以及第三发光器件240构成的像素排列成格子形状来形成平板显示板。
本发明一实施例的发光器件制造装置可以是用于利用激光蚀刻的发光器件制造方法的制造装置。因此，上述发光器件制造装置可包括用于涂敷量子点的涂敷模块、激光照射模块、基板冷却模块以及气体吹送模块。
上述涂敷模块可由通常所使用的量子点物质涂敷模块来形成。例如，上述涂敷模块可由干式涂敷模块或湿式涂敷模块来形成。
上述激光照射模块可照射用于对发光层进行蚀刻的激光。并且，上述激光照射模块可调节所照射的激光的光束形态及大小、激光的重叠照射、激光的功率、激光的波长、激光照射时间、激光扫描速度、激光扫描宽度。
并且，上述激光照射模块可包括远心透镜或阵列透镜。并且，上述激光照射模块可包括垂直共振腔面射型激光。并且，上述激光照射模块可包括远心透镜和激光透射控制板。
上述基板冷却模块位于用于放置基板的基板支撑架的下部，可将基板冷却至所需温度。上述基板冷却模块可包括形成于基板支撑架的冷却流路或位于基板支撑架下部的冷却单元。
上述气体吹送模块可向照射激光的区域吹送非活性气体。上述气体吹送模块可包括：喷嘴，用于喷射非活性气体；以及气体管，用于向喷嘴供给气体。
以上，以附图中的多个优选实施例为中心来详细说明了本发明。但这些实施例仅属于例示，并不用于限定本发明，应从说明的角度进行考虑而不是限定的角度。本发明的真正的技术保护范围应根据所附的发明要求保护范围中的技术思想来定，而不是以上所述的说明。

Claims (19)

1.一种利用激光蚀刻的发光器件制造方法，其特征在于，包括：
第一发光层蒸镀步骤，在空穴移动层的上部面蒸镀第一发光层，上述空穴移动层蒸镀于阳极基板的上部面；
第一发光器件形成步骤，利用激光对上述第一发光层进行蚀刻来形成第一发光器件；
第二发光层蒸镀步骤，在包括向第一发光器件的周边露出的空穴移动层的上部面在内的区域蒸镀第二发光层；
第二发光器件形成步骤，利用激光对上述第二发光层进行蚀刻来形成第二发光器件；
第三发光层蒸镀步骤，在包括向上述第一发光器件和第二发光器件的周边露出的空穴移动层的上部面在内的区域蒸镀第三发光层；以及
第三发光器件形成步骤，利用激光对上述第三发光层进行蚀刻来形成第三发光器件。
2.根据权利要求1所述的利用激光蚀刻的发光器件制造方法，其特征在于，在上述第三发光器件形成步骤之后，还包括如下的发光器件蚀刻步骤，即，用激光对上述第一发光器件和第二发光器件的上部面进行追加蚀刻。
3.根据权利要求2所述的利用激光蚀刻的发光器件制造方法，其特征在于，在第三发光器件形成步骤之后，在上述发光器件蚀刻步骤中，还对上述第三发光器件的上部面用激光一同进行蚀刻。
4.根据权利要求3所述的利用激光蚀刻的发光器件制造方法，其特征在于，
以比第一发光器件的厚度大1～20％的厚度蒸镀第一发光层，
以比第二发光器件的厚度大1～20％的厚度蒸镀第二发光层。
5.根据权利要求3所述的利用激光蚀刻的发光器件制造方法，其特征在于，上述第一发光层和第二发光层的厚度大于第三发光层的厚度。
6.根据权利要求3所述的利用激光蚀刻的发光器件制造方法，其特征在于，上述第一发光层和第二发光层的厚度比第三发光层的厚度大1～20％。
7.根据权利要求1所述的利用激光蚀刻的发光器件制造方法，其特征在于，上述发光器件为有机发光二极管。
8.一种发光器件制造装置，用于根据权利要求1所述的利用激光蚀刻的发光器件制造方法，上述发光器件制造装置的特征在于，包括：
有机物蒸镀模块，用于向阳极基板蒸镀有机物；
基板冷却模块，位于用于放置上述阳极基板的基板支撑架的下部，用于将上述阳极基板冷却至所需温度；
激光照射模块，用于照射上述激光；以及
气体吹送模块，用于向照射上述激光的区域吹送非活性气体。
9.一种利用激光蚀刻的发光器件制造方法，其特征在于，包括：
第一发光层涂敷步骤，在阳极基板的上部面涂敷第一发光层；
第一发光器件形成步骤，利用激光对上述第一发光层进行蚀刻来形成第一发光器件；
第二发光层涂敷步骤，在包括向第一发光器件的周边露出的上述阳极基板的上部面在内的区域涂敷第二发光层；
第二发光器件形成步骤，利用激光对上述第二发光层进行蚀刻来形成第二发光器件；
第三发光层涂敷步骤，在包括向上述第一发光器件和第二发光器件的周边露出的上述阳极基板的上部面在内的区域涂敷第三发光层；以及
第三发光器件形成步骤，利用激光对上述第三发光层进行蚀刻来形成第三发光器件。
10.根据权利要求9所述的利用激光蚀刻的发光器件制造方法，其特征在于，在上述第三发光器件形成步骤之后，还包括如下的发光器件蚀刻步骤，即，用激光对上述第一发光器件和第二发光器件的上部面进行追加蚀刻。
11.根据权利要求10所述的利用激光蚀刻的发光器件制造方法，其特征在于，在第三发光器件形成步骤之后，在上述发光器件蚀刻步骤中，还对上述第三发光器件的上部面用激光一同进行蚀刻。
12.根据权利要求10所述的利用激光蚀刻的发光器件制造方法，其特征在于，
以比第一发光器件的厚度大1～20％的厚度涂敷第一发光层，
以比第二发光器件的厚度大1～20％的厚度涂敷第二发光层。
13.根据权利要求10所述的利用激光蚀刻的发光器件制造方法，其特征在于，上述第一发光层和第二发光层的厚度大于第三发光层的厚度。
14.根据权利要求10所述的利用激光蚀刻的发光器件制造方法，其特征在于，上述第一发光层和第二发光层的厚度比第三发光层的厚度大1～20％。
15.根据权利要求9所述的利用激光蚀刻的发光器件制造方法，其特征在于，上述第一发光器件形成步骤、上述第二发光器件形成步骤以及第三发光器件形成步骤在对上述基板进行冷却或向上述发光层的上部喷射冷却气体的情况下进行。
16.根据权利要求9所述的利用激光蚀刻的发光器件制造方法，其特征在于，在向照射上述激光的区域吹送非活性气体的情况下进行工序。
17.根据权利要求9所述的利用激光蚀刻的发光器件制造方法，其特征在于，通过远心透镜或阵列透镜照射上述激光。
18.根据权利要求9所述的利用激光蚀刻的发光器件制造方法，其特征在于，上述发光器件为量子点发光二极管。
19.一种发光器件制造装置，用于根据权利要求9所述的利用激光蚀刻的发光器件制造方法，上述发光器件制造装置的特征在于，包括：
量子点物质涂敷模块，用于向阳极基板涂敷量子点物质；
基板冷却模块，位于用于放置上述阳极基板的基板支撑架的下部，用于将上述阳极基板冷却至所需温度；
激光照射模块，用于照射上述激光；以及
气体吹送模块，用于向照射上述激光的区域吹送非活性气体。
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