CN113224210A - 一种p型ibc电池的制备方法 - Google Patents
一种p型ibc电池的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113224210A CN113224210A CN202110319310.XA CN202110319310A CN113224210A CN 113224210 A CN113224210 A CN 113224210A CN 202110319310 A CN202110319310 A CN 202110319310A CN 113224210 A CN113224210 A CN 113224210A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- silicon
- substrate
- deposition
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 16
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 18
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 12
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 10
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 7
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 claims description 3
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 claims description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M sodium hydroxide Inorganic materials [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- WGRULTCAYDOGQK-UHFFFAOYSA-M sodium;sodium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na].[Na+] WGRULTCAYDOGQK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/208—Particular post-treatment of the devices, e.g. annealing, short-circuit elimination
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开一种P型IBC电池的制备方法，与Topcon高效工艺叠加，效率较高；利用P型单晶硅衬底作为P区，正背面均无需B掺杂，且无需掩膜和光刻，工艺步骤简单，将传统IBC电池复杂的工艺步骤降低到12步，生产成本降低非常明显，有利于IBC电池的商业化推广。
Description
技术领域
本发明涉及一种P型IBC电池制备方法，属于太阳能电池生产技术领域。
背景技术
随着光伏行业的发展，降本提效的需求日益迫切，其中提升太阳能电池的光电转换效率是降本提效最主要的途径之一。当前的高效电池结构主要包括Topcon、HIT以及IBC电池等，以上电池结构均以N型晶硅为基底，其中IBC电池结构与其它高效电池结构具有很好的兼容性。
IBC电池由于具备以下优点而逐渐受到青睐：（1）正面无遮光，短路电流Isc提升明显；（2）正面无金属接触复合，有利于提升开路电压Voc；（3）与其它高效工艺具有很好的兼容性；（4）组件可以实现二维封装，降低片间距，有利于提升组件单位面积的发电功率，且外观优美；（5）可以实现薄片化，降低硅片成本。但是传统的IBC电池具有20步以上的工艺步骤，工艺复杂，成本高昂，不利于商业化生产。
因此简化IBC电池的工艺流程，降低商业化生产成本，对于本技术领域的研发人员来说具有非常重要的意义。
发明内容
解决上述技术问题，本发明提出了一种P型IBC电池工艺制备方法，将传统IBC电池复杂的工艺步骤降低到12步，生产成本降低非常明显，有利于IBC电池的商业化推广。
本申请提供一种P型IBC电池的制备方法，所述工艺制备方法包括如下工艺步骤：
S01硅片清洗抛光：对P型单晶硅基底进行化学清洗和碱抛光，去除硅基底表面的机械损伤层和污染物，且使硅基底正背表面形貌较为平坦；
S02双面沉积氧化硅和非晶硅膜层：抛光后的基底正背面沉积氧化硅层和非晶硅层；
S03背面P扩散、退火：对背面非晶硅层进行磷掺杂处理，后高温退火处理，非晶硅转化为多晶硅；
S04背面激光刻蚀：利用纳秒级或皮秒激光对背面进行图案化处理；
S05去除正侧面PSG：在S02和S03过程中，同时会在基底正面以及侧面形成磷硅玻璃层，即PSG，采用HF酸去除；
S06碱制绒：利用KOH溶液使基底正面和背面局部区域构造为金字塔绒面结构；
S07双面沉积AlOx膜层：以ALD原子层沉积方式在基底正背面沉积一层致密的氧化铝薄膜；
S08背面沉积减反射膜层：以PECVD的方式在基底背面沉积氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种叠层膜；
S09正面沉积减反射膜层：以PECVD的方式在基底正面沉积氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种叠层膜；
S10背面激光开膜：利用纳秒级或皮秒级激光对背面减反射层和钝化膜叠层进行开膜处理；
S11丝网印刷正负电极：N区印刷负电极Ag浆，P区印刷正电极Al浆；
S12烧结：正电极Al浆和负电极Ag浆共烧结，形成良好的欧姆接触。
进一步的，在步骤S02中，沉积氧化硅层的厚度为1-2nm，非晶硅层的厚度为80-250nm；
进一步的，在步骤S03中，高温退火处理后的多晶硅方阻为20-60ohm/sq；
更进一步的，在步骤S07中，氧化铝膜层的厚度为3-8nm。
与传统IBC电池相比，本发明提出的P型IBC电池结构以及工艺制备方法，具备如下有益效果：
1、与Topcon高效工艺叠加，效率较高；
2、利用P型单晶硅衬底作为P区，正背面均无需B掺杂，且无需掩膜和光刻，工艺步骤简单；
3、P区正电极采用Al浆，Ag浆使用量降低50%，且采用P型单晶硅作为基底，明显降低了生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明中的技术方案，下面将对本发明中所需要使用的附图进行简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其它附图。
图1：本发明提供的P型IBC电池结构示意图；
图2：本发明提供的P型IBC电池工艺流程图；
其中1为P型单晶硅基底，2为氧化硅层，3为B掺杂的多晶硅层，4为正面减反射和钝化膜叠层，5为正电极铝栅线，6为负电极银栅线，7为背面减反射和钝化膜叠层。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域的技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一：
本发明提供了一种P型IBC电池结构，如图1所示，依次包括正面减反射和钝化膜叠层4、P型单晶硅为基底1、背面N型扩散层、背面减反射和钝化膜叠层7以及设置于背面钝化层之上的正负金属电极。
所述P型单晶硅基底包括正面和背面，所述正面构造为金字塔绒面结构；所述背面构造呈金字塔绒面结构和抛光面间隔排列；
所述正面减反射和钝化膜叠层4为氧化铝、氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种；
所述背面N型扩散层包括氧化硅层2以及掺杂P元素的多晶硅层3，且叠层贴合设置于单晶硅基底背面抛光区域；
所述背面减反射和钝化膜叠层7为氧化铝、氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种；
所述背面金属电极包括正电极Al栅线5以及负电极Ag栅线6，所述正电极Al栅线5置于背面绒面区域，所述负电极Ag栅线6置于背面抛光区域。
实施例二：
另一方面，本发明提供一种P型IBC电池的工艺制备方法，所述工艺制备方法包括如下工艺步骤：
S01硅片清洗抛光：对P型单晶硅基底进行化学清洗和碱抛光，去除硅基底表面机械损伤层以及污染物，且使基底正背表面形貌较为平坦；
S02双面沉积氧化硅和非晶硅膜层：抛光后的基底正背面沉积氧化硅层和非晶硅层；
S03背面P扩散+退火：对背面非晶硅层进行P掺杂处理，后高温退火处理，非晶硅转化为多晶硅膜层；
S04背面激光刻蚀：利用532nm波长的纳秒或皮秒激光对背面进行图案化处理；
S05去除正侧面PSG：在S02和S03过程中，同时会在基底正面以及侧面形成磷硅玻璃层，即PSG，此步采用HF氢氟酸酸去除；
S06碱制绒：利用KOH氢氧化钾或NaOH氢氧化钠碱溶液使基底正面和背面局部区域构造为金字塔绒面结构；
S07双面沉积AlOx氧化铝膜层：以ALD原子层沉积方式在基底正背面沉积一层致密的氧化铝薄膜；
S08背面沉积减反射膜层：以PECVD的方式在基底背面沉积氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种叠层膜；
S09正面沉积减反射膜层：以PECVD的方式在基底正面沉积氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种叠层膜；
S10背面激光开膜：利用532nm波长的纳秒或皮秒激光对背面减反射层和钝化膜叠层进行开膜处理；
S11丝网印刷正负电极：N区印刷负电极Ag浆，P区印刷正电极Al浆；
S12烧结：正电极Al铝浆和负电极Ag银浆共烧结，形成良好的欧姆接触；
进一步地：在步骤S02中，沉积氧化硅层的厚度为1-2nm，非晶硅层的厚度为80-250nm；
进一步地：在步骤S03中，高温退火处理后的多晶硅方阻为20-60ohm/sq；
进一步地：在步骤S07中，氧化铝膜层的厚度为3-8nm。
本申请提供一种工艺简单且成本较低的P型IBC电池，可通过采用上述工艺方法进行实现。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。另外，本申请实施例提供的上述技术方案中与现有技术中对应技术方案实现原理一致的部分并未详细说明，以免过多赘述。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (2)
1.一种P型IBC电池的制备方法，其特征在于，所述工艺制备方法包括如下工艺步骤：
S01硅片清洗抛光：对P型单晶硅基底进行化学清洗和碱抛光，去除硅基底表面的机械损伤层和污染物，且使硅基底正背表面形貌较为平坦；
S02双面沉积氧化硅和非晶硅膜层：抛光后的基底正背面沉积氧化硅层和非晶硅层；
S03背面P扩散、退火：对背面非晶硅层进行磷掺杂处理，后高温退火处理，非晶硅转化为多晶硅；
S04背面激光刻蚀：利用纳秒级或皮秒激光对背面进行图案化处理；
S05去除正侧面PSG：在S02和S03过程中，同时会在基底正面以及侧面形成磷硅玻璃层，即PSG，采用HF酸去除；
S06碱制绒：利用KOH溶液使基底正面和背面局部区域构造为金字塔绒面结构；
S07双面沉积AlOx膜层：以ALD原子层沉积方式在基底正背面沉积一层致密的氧化铝薄膜；
S08背面沉积减反射膜层：以PECVD的方式在基底背面沉积氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种叠层膜；
S09正面沉积减反射膜层：以PECVD的方式在基底正面沉积氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种叠层膜；
S10背面激光开膜：利用纳秒级或皮秒级激光对背面减反射层和钝化膜叠层进行开膜处理；
S11丝网印刷正负电极：N区印刷负电极Ag浆，P区印刷正电极Al浆；
S12烧结：正电极Al浆和负电极Ag浆共烧结，形成良好的欧姆接触。
2.根据权利要求7所述的一种P型IBC电池的制备方法，其特征在于，在步骤S02中，沉积氧化硅层的厚度为1-2nm，非晶硅层的厚度为80-250nm；
根据权利要求7所述的一种P型IBC电池的制备方法，其特征在于，在步骤S03中，高温退火处理后的多晶硅方阻为20-60ohm/sq；
根据权利要求7所述的一种P型IBC电池的制备方法，其特征在于，在步骤S07中，氧化铝膜层的厚度为3-8nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110319310.XA CN113224210A (zh) | 2021-03-25 | 2021-03-25 | 一种p型ibc电池的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110319310.XA CN113224210A (zh) | 2021-03-25 | 2021-03-25 | 一种p型ibc电池的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113224210A true CN113224210A (zh) | 2021-08-06 |
Family
ID=77084133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110319310.XA Pending CN113224210A (zh) | 2021-03-25 | 2021-03-25 | 一种p型ibc电池的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113224210A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114937717A (zh) * | 2022-05-30 | 2022-08-23 | 江苏日托光伏科技股份有限公司 | 一种钙钛矿-hbc叠层双面电池制备方法 |
| WO2023213088A1 (zh) * | 2022-05-05 | 2023-11-09 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 太阳电池及其制备方法、光伏系统 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108598215A (zh) * | 2018-04-24 | 2018-09-28 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种新型ibc太阳能电池的简易制备方法 |
| CN109244194A (zh) * | 2018-11-06 | 2019-01-18 | 东方日升（常州）新能源有限公司 | 一种低成本p型全背电极晶硅太阳电池的制备方法 |
| CN110459615A (zh) * | 2019-08-19 | 2019-11-15 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 一种复合介电钝化层结构太阳电池及其制备工艺 |
| CN110600561A (zh) * | 2019-08-30 | 2019-12-20 | 黄河水电光伏产业技术有限公司 | 一种ibc电池叉指状pn结的电池结构及其制备方法 |
-
2021
- 2021-03-25 CN CN202110319310.XA patent/CN113224210A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108598215A (zh) * | 2018-04-24 | 2018-09-28 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种新型ibc太阳能电池的简易制备方法 |
| CN109244194A (zh) * | 2018-11-06 | 2019-01-18 | 东方日升（常州）新能源有限公司 | 一种低成本p型全背电极晶硅太阳电池的制备方法 |
| CN110459615A (zh) * | 2019-08-19 | 2019-11-15 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 一种复合介电钝化层结构太阳电池及其制备工艺 |
| CN110600561A (zh) * | 2019-08-30 | 2019-12-20 | 黄河水电光伏产业技术有限公司 | 一种ibc电池叉指状pn结的电池结构及其制备方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023213088A1 (zh) * | 2022-05-05 | 2023-11-09 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 太阳电池及其制备方法、光伏系统 |
| CN114937717A (zh) * | 2022-05-30 | 2022-08-23 | 江苏日托光伏科技股份有限公司 | 一种钙钛矿-hbc叠层双面电池制备方法 |
| CN114937717B (zh) * | 2022-05-30 | 2023-09-01 | 江苏日托光伏科技股份有限公司 | 一种钙钛矿-hbc叠层双面电池制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2023045347A1 (zh) | 一种背接触电池及其制作方法 | |
| CN112164728A (zh) | 图形化的钝化接触太阳能电池及其制造方法 | |
| WO2023050822A1 (zh) | 一种背接触电池的制作方法 | |
| CN112510105A (zh) | 一种高效太阳能电池及其制备方法 | |
| CN114678446A (zh) | 一种低成本接触钝化全背电极太阳能电池及其制备方法 | |
| CN210926046U (zh) | 太阳能电池 | |
| WO2022142343A1 (zh) | 太阳能电池及其制备方法 | |
| WO2015140145A1 (en) | Conductive polymer/si interfaces at the backside of solar cells | |
| WO2011156486A2 (en) | Transparent conducting oxide for photovoltaic devices | |
| CN110690297A (zh) | 一种p型隧穿氧化物钝化接触太阳能电池及其制备方法 | |
| WO2017020690A1 (zh) | 基于p型硅衬底的背接触式太阳能电池 | |
| CN112820793A (zh) | 太阳能电池及其制备方法 | |
| CN114497290A (zh) | 一种背接触异质结太阳能电池制造方法 | |
| CN114975691A (zh) | 一种具有选择性发射极的钝化接触太阳电池及其制备方法、组件和系统 | |
| CN112951927A (zh) | 太阳能电池的制备方法 | |
| WO2024012162A1 (zh) | 一种p型ibc电池的制作方法 | |
| CN113224210A (zh) | 一种p型ibc电池的制备方法 | |
| CN114038922A (zh) | 一种提升绝缘隔离效果的背接触异质结太阳能电池及其制作方法 | |
| CN116525697A (zh) | 一种背接触式太阳能电池及其制备方法 | |
| CN210349847U (zh) | 一种p型隧穿氧化物钝化接触太阳能电池 | |
| US20230361227A1 (en) | Laminated passivation structure of solar cell and preparation method thereof | |
| CN114050105A (zh) | 一种TopCon电池的制备方法 | |
| CN117238998A (zh) | 一种N型TOPCon电池及新型背面结构制备方法 | |
| CN116613226A (zh) | 太阳能电池及其制备方法 | |
| JP5375414B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |