CN113206652A - 滤波器、复用器及通信模块 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及滤波器、复用器及通信模块。一种滤波器包括：输入端子；输出端子；多组第一电容器，其包括分别连接到在能够将高频信号从输入端子发送到输出端子的路径的不同位置处的多组第一节点的第一端、以及共同连接到第二节点的第二端；多组第一电感器，其包括分别连接到第一节点的第三端和共同连接到第三节点的第四端；第二电感器，其包括连接至第二节点的第五端和接地的第六端；以及第三电感器，其包括连接到第三节点的第七端和接地的第八端。
Description
技术领域
本发明的一些方面涉及滤波器、复用器和通信模块，例如，具有并联谐振电路的滤波器、复用器和通信模块。
背景技术
诸如智能电话和移动电话之类的无线通信终端使用去除不必要干扰波的滤波器。作为滤波器的示例，已知有一种滤波器，该滤波器在用于发送高频信号的路径与接地端子之间具有多个并联谐振电路(例如，专利文献1：国际公开No.2009/097774)。
发明内容
当多个并联谐振电路形成多个衰减极时，可以进行设计以改变多个衰减极当中的一些衰减极的频率。在这种情况下，如果一些衰减极的频率被改变，其它衰减极的频率因此也被改变，则滤波器的设计变得复杂。这使得难以使滤波器的频率特性更接近期望的特性。
本公开的目的是提供具有期望频率特性的滤波器、复用器和通信模块。
根据本发明的第一方面，提供了一种滤波器，其包括：输入端子；输出端子；多组第一电容器，其包括分别连接到在能够将高频信号从输入端子发送到输出端子的路径的不同位置处的多组第一节点的第一端以及共同连接到第二节点的第二端；多组第一电感器，其包括分别连接到第一节点的第三端和共同连接到第三节点的第四端；第二电感器，其包括连接至第二节点的第五端和接地的第六端；以及第三电感器，其包括连接到第三节点的第七端和接地的第八端。
在以上构造中，路径的至少一部分可以由多组第一电感器当中的至少两个第一电感器之间的磁耦合形成。
在以上构造中，路径的至少一部分可以包括第四电感器，该第四电感器连接在多组第一节点当中的至少两个第一节点之间。
在以上构造中，第二电感器的电感可以大于第三电感器的电感。
在以上构造中，滤波器还可以包括：层压体，该层压体包括多个层压的介电层以及设置在层压方向的外表面上的一个或更多个接地端子；第一金属图案，其设置在多个介电层当中的相邻介电层之间的第一表面上，并且形成第二节点的至少一部分；第二金属图案，其设置在第一表面上，与第一表面上的第一金属图案分离，并形成第三节点的至少一部分；一个或更多个第一通孔布线，其将一个或更多个接地端子中的至少一个和第一金属图案连接，并且贯穿多个介电层中的至少一个；以及一个或更多个第二通孔布线，其将一个或更多个接地端子中的至少一个和第二金属图案连接，并且贯穿多个介电层中的至少一个。
在以上构造中，一个或更多个第一通孔布线的截面面积之和可以小于一个或更多个第二通孔布线的截面面积之和。
在以上构造中，滤波器还可以包括：层压体，该层压体包括多个层压的介电层以及设置在层压方向的外表面上的一个或更多个接地端子；第一金属图案，其设置在多个介电层当中的相邻介电层之间的第一表面上，并且形成第二节点的至少一部分；第二金属图案，该第二金属图案设置在多个介电层当中的相邻介电层之间的第二表面上，并形成第三节点的至少一部分，第二表面比第一表面更靠近外表面；一个或更多个第一通孔布线，其将一个或更多个接地端子中的至少一个和第一金属图案连接，并贯穿多个介电层中的至少两个；以及一个或更多个第二通孔布线，其将一个或更多个接地端子中的至少一个和第二金属图案连接，并贯穿多个介电层中的至少一个。
在以上构造中，滤波器可以还包括与路径的至少一部分并联连接的第二电容器。
在以上构造中，滤波器可以是带通滤波器。
在以上构造中，带通滤波器的通过特性可以包括：第一衰减极，该第一衰减极在低于通带的频率处至少由多组第一电感器、多组第一电容器和第二电感器形成；以及第二衰减极，该第二衰减极在高于通带的频率处至少由多组第一电感器、多组第一电容器和第三电感器形成。
根据本发明的第二方面，提供了一种包括上述滤波器的复用器。
根据本发明的第三方面，提供了一种包括上述滤波器的通信模块。
附图说明
图1是根据第一实施方式的滤波器的电路图；
图2A是根据第一实施方式的滤波器的立体图，并且图2B是根据第一实施方式的滤波器的截面图；
图3A至图3D是根据第一实施方式的介电层的平面图；
图4A至图4D是根据第一实施方式的介电层的平面图；
图5是根据第一比较例的滤波器的电路图；
图6是例示了根据第一比较例的滤波器的通过特性的示意图；
图7是根据第二比较例的滤波器的电路图；
图8A至图8C是根据第二比较例的介电层的平面图；
图9是例示了根据第二比较例的样品A和样品B的通过特性的图；
图10是例示了根据第一实施方式的样品C和样品D的通过特性的图；
图11是例示根据第一实施方式的样品E、F的通过特性的图；
图12A至图12C是根据第一实施方式的第一变型的介电层的平面图；
图13是根据第一实施方式的第二变型的滤波器的电路图；
图14A至图14D是根据第一实施方式的第二变型的介电层的平面图；
图15是根据第一实施方式的第三变型的介电层的平面图；
图16是根据第二实施方式的三工器的电路图；以及
图17是根据第二实施方式的第一变型的通信模块的电路图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图描述本公开的实施方式。
(第一实施方式)
在第一实施方式中，将描述带通滤波器(BPF)作为示例。图1是根据第一实施方式的滤波器的电路图。如图1所示，滤波器100包括输入端子Tin、输出端子Tout、接地端子Tg、电容器C1至C3以及电感器L1至L5。每个电感器L1是由电感器L2和L3之间的磁耦合M2形成的电感器。例如，通过将电感器之间的距离设置为几十μm至几百μm来形成磁耦合M1和M2。
经由电感器L1(电感器L2和L3之间的磁耦合M2)和磁耦合M1在输入端子Tin和输出端子Tout之间形成路径SL。高频信号可以经由路径SL从输入端子Tin传输到输出端子Tout。电容器C4并联连接到路径SL并且位于输入端子Tin和输出端子Tout之间。路径SL设置有位于两侧的节点N1以及位于中央侧的节点N2。
电容器C1并联连接到电感器L1并且位于节点N1和N2之间。并联谐振电路PR1连接在节点N1与接地端子Tg之间。每个并联谐振电路PR1包括一端连接到节点N1的电容器C2和一端连接到节点N1的电感器L2。并联谐振电路PR2连接在节点N2与接地端子Tg之间。每个并联谐振电路PR2包括一端连接到节点N2的电容器C3和一端连接到节点N2的电感器L3。
电感器L4连接在接地端子Tg与节点G1之间，电感器L2的另一端和电感器L3的另一端连接到节点G1。电感器L5连接在接地端子Tg和节点G2之间，电容器C2的另一端和电容器C3的另一端连接到节点G2。
图2A是根据第一实施方式的滤波器100的立体图，并且图2B是根据第一实施方式的滤波器100的截面图。如图2A和图2B所示，滤波器100具有层压体10。层压体10包括多个层压的介电层11a至11h。端子14设置在层压体10的下表面(层压体10的沿层压方向的表面)上。例如，端子14是输入端子Tin、输出端子Tout和接地端子Tg。方向标识标记通过导体图案12a设置在层压体10的上表面上。
图3A至图4D是根据第一实施方式的介电层的平面图。图3A至图4C例示了在每个介电层的上表面上的导体图案以及贯穿一个上介电层的通孔布线。贯穿一个上介电层的通孔布线是指例如贯穿图3A的介电层11b的图3B的通孔布线13b以及贯穿图3B的介电层11c的图3C的通孔布线13c，图3A的介电层11b是图3B的介电层11c的一个上层，图3B的介电层11c是图3C的介电层11d的一个上层。图4D例示了设置在介电层11h的下表面上的端子14和贯穿介电层11h的通孔布线13h。图4D例示了其中图4C的介电层11h沿着图2B的向下方向透过的状态。
如图3A所示，形成电感器L2和L3的一部分的导体图案12b设置在介电层11b的上表面上。电感器L2的一端通过通孔布线13b至13f连接至节点N1。电感器L2的另一端通过通孔布线13b至13g连接至节点G1。电感器L3的一端通过通孔布线13b至13f连接到节点N2。电感器L3的另一端通过通孔布线13b至13g连接到节点G1。
如图3B和图3C所示，提供贯穿介电层11b的通孔布线13b，并且提供贯穿介电层11c的通孔布线13c。通孔布线13b连接到电感器L2和L3。如图3D所示，形成电容器C4的一个电极的导体图案12e设置在介电层11e的上表面上。提供贯穿介电层11d的通孔布线13d。
如图4A所示，形成电容器C1的一个电极和电容器C4的另一电极的导体图案12f设置在介电层11f的上表面上。导体图案12f通过通孔布线13f(见图4B)连接到节点N1。提供贯穿介电层11e的通孔布线13e。
如图4B所示，一个导体图案12g和另一导体图案12g设置在介电层11g的上表面上。一个导体图案12g形成电容器C2的一个电极并与节点N1相对应，并且另一导体图案12g形成电容器C3的一个电极和电容器C1的另一电极并与节点N2相对应。形成电容器C2的一个电极的一个导体图案12g通过通孔布线13g和13h(参见图4C和图4D)连接到输入端子Tin或输出端子Tout。提供贯穿介电层11f的通孔布线13f。
如图4C所示，导体图案12ha和导体图案12hb设置在介电层11h的上表面上。导体图案12ha形成节点G1作为导体图案12h，并且导体图案12hb形成电容器C2的另一电极和电容器C3的另一电极，并且对应于节点G2。导体图案12ha和12hb单独地形成在介电层11h的上表面上。提供贯穿介电层11g的通孔布线13g。
如图4D所示，输入端子Tin、接地端子Tg和输出端子Tout设置在介电层11h的下表面上。形成节点G1的导体图案12ha通过贯穿介电层11h的通孔布线13ha连接至接地端子Tg。形成节点G2的导体图案12hb通过贯穿介电层11h的通孔布线13hb连接至接地端子Tg。通孔布线13ha形成电感器L4，并且通孔布线13hb形成电感器L5。提供贯穿介电层11h的通孔布线13h。
介电层11a至11h由陶瓷材料制成，并且包括例如Si、Ca和Mg的氧化物(例如，作为透辉石晶体的CaMgSi2O6)作为主要成分。介电层11a至11h的主要成分可以是除包含Si、Ca和/或Mg的氧化物以外的氧化物。此外，介电层11a至11h可以包括含有Ti、Zr和Al中的至少一种的氧化物作为绝缘材料。
导体图案12a至12h、通孔布线13b至13f以及端子14的上部分是包含例如Ag、Pd、Pt、Cu、Ni、Au、Au-Pd合金或Ag-Pt合金作为主要成分的金属层。端子14的上部分除了以上金属材料之外还可以包括诸如TiO2、ZrO2或Al2O3之类的非导电材料。端子14的下部分是Ni膜和Sn膜。
(第一比较例)
图5是根据第一比较例的滤波器的电路图。如图5所示，电感器L2的另一端和电容器C2的另一端连接到节点G。节点G在没有电感器的情况下连接到接地端子Tg。滤波器的其它构造与第一实施方式中的滤波器的构造相同，并且将省略其描述。
图6是例示了根据第一比较例的滤波器的通过特性的示意图。如图6所示，通带50具有在大约3GHz和大约5GHz之间的频率。衰减极53形成在通带50的低频端附近，并且衰减极54形成在通带50的高频端附近。衰减极51远离通带50朝向低频侧形成，并且衰减极52远离通带50朝向高频侧形成。衰减极51和52主要由并联谐振电路PR1和PR2形成。衰减极53主要由电容器C1和电感器L1形成，并且衰减极54主要由磁耦合M1形成。
要求衰减极51和52设置在期望的频带中。可以通过改变电容器C4的电容来改变衰减极51和52的频率。例如，当电容器C4的电容减小时，衰减极51的频率更高，而衰减极52的频率更低。例如，当电容器C4的电容增加时，衰减极51的频率更低，而衰减极52的频率更高。因此，当尝试增加衰减极52的频率时，衰减极51的频率更低，因此难以使衰减极51和52的频率如所期望的那样。
如专利文献1中那样，可以想到将电容器旁路连接到电容器C4的路径。但是，添加电容器使滤波器的尺寸更大。
(第二比较例)
图7是根据第二比较例的滤波器的电路图。如图7所示，电感器L2的另一端和电容器C2的另一端连接到节点G。电感器L4连接在节点G和接地端子Tg之间。滤波器的其它构造与第一实施方式中的滤波器的构造相同，并且将省略其描述。
图8A至图8C是根据第二比较例的介电层的平面图。如图8A所示，设置在介电层11g的上表面上的导体图案12g与第一实施方式的图4B中的导体图案相同。
如图8B所示，形成节点G的导体图案12h设置在介电层11h的上表面上。与第一实施方式的图4C不同，导体图案12h未被分离为多个导体图案，而是一体地形成。
如图8C所示，形成节点G(参见图8B)的导体图案12h通过贯穿介电层11h的通孔布线13ha和13hb连接到接地端子Tg。通孔布线13ha和13hb形成电感器L4。滤波器的其它构造与第一实施方式中的滤波器的构造相同，并且将省略其描述。
(仿真)
对于第一实施方式和第二比较例，使用有限元方法执行了三维电磁场仿真以计算通过特性。
在仿真中，将介电层11b至11d中的每一个的厚度设置为100μm，将介电层11e至11g中的每一个的厚度设置为8μm，并且将介电层11h的厚度设置为25μm。介电层11b至11h中的每一个的平面尺寸设置为2000μm×1250μm。介电层11a至11h中的每一个包括CaMgSi2O6作为主要成分。
由于滤波器100处理1GHz至20GHz的高频，因此滤波器100的功能类似于分布常数电路。因此，未确定电容器C1至C4的电容和电感器L1至L5的电感，而是在表1中示出了第一实施方式中的电容和电感的近似值。这里，电感器L4和L5的电感的近似值对应于第一实施方式的样品D。
[表1]
对以下样品A至F进行了仿真。
样品A：第二比较例
通孔布线13ha的数量：3
通孔布线13hb的数量：0
样品B：第二比较例
通孔布线13ha的数量：1
通孔布线13hb的数量：0
样品A的电感器L4具有比样品B的电感器L4更小的电感。
样品C：第一实施方式
通孔布线13ha的数量：3
通孔布线13hb的数量：3
样品D：第一实施方式
通孔布线13ha的数量：3
通孔布线13hb的数量：1
样品C和D的电感器L4的电感几乎相同。样品C的电感器L5具有比样品D的电感器L5更小的电感。
样品E：第一实施方式
通孔布线13ha的数量：3
通孔布线13hb的数量：3
样品F：第一实施方式
通孔布线13ha的数量：1
通孔布线13hb的数量：3
样品E和F的电感器L5的电感几乎相同。样品E的电感器L4具有比样品F的电感器L4更小的电感。
图9是例示了根据第二比较例的样品A和B的通过特性的图。如图9所示，样品A和B的通带50和衰减极53和54几乎没有变化。样品B的衰减极52的频率低于样品A的衰减极52的频率。因此，在第二比较例中，可以通过改变电感器L4的电感来设置衰减极52的频率。由此，能够将衰减极52设置为期望的频率。然而，样品B的衰减极51的频率高于样品A的衰减极51的频率。在这种情况下，改变电感器L4的电感会改变衰减极51的频率。因此，在第二比较例中，难以使衰减极51和52的两个频率如所期望的那样。此外，在样品B中，在低于衰减极51的频带中的衰减量变小。
图10是例示了根据第一实施方式的样品C和D的通过特性的图。如图10所示，样品C和D的通带50和衰减极53和54几乎没有变化。样品D的衰减极52的频率低于样品C的衰减极52的频率。因此，在第一实施方式中，通过改变电感器L5的电感，可以在低于通带50的频率处的衰减特性几乎不变的情况下设置衰减极52的频率。因此，可以将衰减极52设置为期望的频率。
图11是例示了根据第一实施方式的样品E和F的通过特性的图。如图11所示，样品E和F的通带50和衰减极52、53和54几乎没有变化。样品F的衰减极51的频率高于样品E的衰减极51的频率。因此，在第一实施方式中，通过改变电感器L4的电感，可以在高于通带50的频率处的衰减特性几乎不变的情况下设置衰减极51的频率。因此，可以将衰减极51设置为期望的频率。在样品E的低于衰减极51的频带中的衰减量小于样品F的衰减量。因此，优选地，电感器L4的电感小。即，电感器L4的电感优选地等于或小于电感器L5的电感。因此，通孔布线13ha的数量优选地等于或大于通孔布线13hb的数量。
(第一实施方式的第一变型)
图12A至图12C是根据第一实施方式的第一变型的介电层的平面图。图12A的介电层11h1设置在第一实施方式的图4B的介电层11g与图12C的介电层11h2之间。
如图12A所示，形成节点G2的导体图案12hb设置在介电层11h1的上表面上。如图12B所示，形成节点G1的导体图案12ha设置在介电层11h2的上表面上。提供贯穿介电层11h1的通孔布线13h1。如图12C所示，端子14设置在介电层11h2的下表面上。提供贯穿介电层11h2的通孔布线13h2。
导体图案12hb通过包括通孔布线13h1和13h2的通孔布线13hb电连接到接地端子Tg。通孔布线13hb形成电感器L5。导体图案12ha通过包括通孔布线13h2的通孔布线13ha电连接到接地端子Tg。通孔布线13ha形成电感器L4。滤波器的其它构造与第一实施方式中的滤波器的构造相同，并且将省略其描述。
在第一实施方式的第一变型中，形成节点G2的导体图案12hb比形成节点G1的导体图案12ha更远离接地端子Tg。这允许增加电感器L5的电感。因此，可以改善比通带50低的频带中的衰减特性。
(第一实施方式的第二变型)
图13是根据第一实施方式的第二变型的滤波器的电路图。如图13所示，电感器L1与电容器C1并联连接在节点N1和N2之间。电感器L6连接在节点N2之间，但不是电感器耦合。
图14A至图14D是根据第一实施方式的第二变型的介电层的平面图。图14B的介电层11i和图14C的介电层11j设置在图14A的介电层11c与图14D的介电层11d之间。图14A的介电层11c的构造和图14D中的介电层11d的构造分别与第一实施方式中图3B的介电层11c和图3C的介电层11d的构造相同。在图14D中，提供贯穿介电层11j的通孔布线13j。
如图14B所示，形成电感器L6的导体图案12i设置在介电层11i的上表面上。电感器L6的两端分别通过通孔布线13b和13c连接到电感器L3的一端。
如图14C所示，形成电感器L1的导体图案12j设置在介电层11j的上表面上。电感器L1的一端分别通过通孔布线13b、13c和13i连接到电感器L2的一端，并且通过通孔布线13j、13d至13g连接到节点G1。电感器L1的另一端分别通过通孔布线13i连接到电感器L6的两端，并且通过通孔布线13j和13d至13g连接到节点G1。提供贯穿介电层11i的通孔布线13i。滤波器的其它构造与第一实施方式中的滤波器的构造相同，并且将省略其描述。
如在第一实施方式的第二变型一样，路径SL可以主要由电感器L1和L6而不是通过磁耦合形成。
(第一实施方式的第三变型)
图15是根据第一实施方式的第三变型的介电层的平面图。如图15所示，在介电层11h的下表面上设置多个接地端子Tg1和Tg2。电感器L4连接到接地端子Tg2，并且电感器L5连接到接地端子Tg1。滤波器的其它构造与第一实施方式中的滤波器的构造相同，并且将省略其描述。
如在第一实施方式的第三变型中，可以提供多个接地端子Tg1和Tg2。电感器L4可以连接到一个或更多个接地端子中的至少一个，电感器L5还可以连接到一个或更多个接地端子中的至少一个。
根据第一实施方式及其变型，电容器C2和C3(即，多组第一电容器)的一端分别连接到节点N1和N2(即，在路径SL中的不同位置处的多个第一节点)，并且其另一端共同连接到节点G2(即，第二节点)。电感器L2和L3(即，多组第一电感器)的一端分别连接到节点N1和N2，并且其另一端共同连接到节点G1(即，第三节点)。电感器L5的一端(即，第二电感器)连接至节点G2，并且其另一端接地(即，另一端连接至接地端子Tg)。电感器L4(即第三电感器)的一端连接至节点G1，并且其另一端接地(即，另一端连接至接地端子Tg)。因此，可以独立地设置电感器L4和L5的电感，使得可以独立地设置衰减极51和53的频率。因此，滤波器可以设计为具有期望的频率特性。
如在第一实施方式中一样，路径SL的至少一部分由多组电感器L2和L3中的至少两个电感器之间的磁耦合M1和M2形成。由此，可以在不使用电感器的情况下(通过磁耦合)来提供路径SL。
如在第一实施方式的第二变型中一样，路径SL的至少一部分可以包括连接在多组节点N1和N2当中的至少两个节点之间的电感器L1和L6(即，第四电感器)。
如在仿真中比较样品E和F一样，从改善低于通带50的频带中的衰减特性的观点出发，电感器L5的电感优选地大于电感器L4的电感，更优选地为电感器L4的电感的1.5倍以上，并且进一步优选地为电感器L4的电感的两倍以上。
如在第一实施方式中那样，形成节点G2的至少一部分的导体图案12hb(即，第一金属图案)以及形成节点G1的至少一部分的导体图案12ha(即，第二金属图案)设置在相邻的介电层11g和11h之间的表面(即，第一表面)上，并且被配置为彼此分离的单个图案。通孔布线13hb(即，第一通孔布线)连接导体图案12hb和接地端子Tg，并贯穿多个介电层11a至11h当中的至少一个介电层11h。通孔布线13ha(即，第二通孔布线)连接导体图案12ha和接地端子Tg并贯穿介电层11h。从而，电感器L5和L4可以由一个或更多个通孔布线13hb以及一个或更多个通孔布线13ha形成。
使一个或更多个通孔布线13hb的截面面积之和小于一个或更多个通孔布线13ha的截面面积之和，从而使得电感器L5的电感能够大于电感器L4的电感。
如在第一实施方式的第一变型中一样，导电图案12hb设置在介电层11g和11h1之间的表面(即，第一表面)上，并且导电图案12ha设置在介电层11h1和11h2之间的表面(即，比第一表面更靠近层压体10的下表面的第二表面)上。由此，电感器L5的电感能够大于电感器L4的电感。
电容器C1和C4(即，第二电容器)与路径SL的至少一部分并联连接。由此，能够形成衰减极53。可以不必设置电容器C1和C4中的至少一个。
滤波器可以是低通滤波器或高通滤波器。该滤波器是带通滤波器，并且该带通滤波器的通过特性包括在低于通带50的频率处的主要由电感器L2和L3、电容器C2和C3以及电感器L4形成的衰减极53(即，第一衰减极)、以及在高于通带50的频率处的主要由电感器L2和L3、电容器C2和C3以及电感器L5形成的衰减极52(即，第二衰减极)。因此，能够独立地设计衰减极51和52的频率。
在第一实施方式及其第一变型中，描述了四个并联谐振电路PR1和PR2，但是可以设置多个并联谐振电路PR1和PR2。
(第二实施方式)
图16是根据第二实施方式的三工器的电路图。如图16所示，三工器20包括滤波器22、24和26。滤波器22、24和26分别连接在公共端子Ant与端子LB、MB和HB之间。天线28连接到公共端子Ant。滤波器22例如是低通滤波器LPF，该低通滤波器LPF使低频带中的高频信号通过并抑制具有其它频率的信号。滤波器24例如是带通滤波器BPF，该带通滤波器BPF使具有比低频带的频率高的频率的中频带中的高频信号通过，并且抑制具有其它频率的信号。滤波器26例如是高通滤波器HPF，该高通滤波器HPF使具有比中频带的频率高的频率的高频带中的高频信号通过，并且抑制具有其它频率的信号。
滤波器22、24和26中的至少一个可以是根据第一实施方式及其变型的滤波器。尽管将三工器描述为复用器的示例，但是复用器可以是共用器、双工器或四工器。
(第二实施方式的第一变型)
图17是根据第二实施方式的第一变型的通信模块的电路图。如图17所示，模块30包括滤波器31、开关32、低噪声放大器LNA 33和功率放大器PA 34。
天线28连接到天线端子TA。滤波器31的一端连接到天线端子TA。开关32连接到滤波器31的另一端。LNA 33的输入端子和PA 34的输出端子连接到开关32。LNA 33的输出端子连接到接收端子TR。PA 34的输入端子连接到发送端子TT。RFIC(射频集成电路)35连接到接收端子TR和发送端子TT。
模块30是例如TDD(时分双工)通信系统的通信模块。在TDD通信方法中，发送频带和接收频带是相同的频带。滤波器31例如是带通滤波器，该带通滤波器使包括发送频带和接收频带的通带中的高频信号通过并抑制具有其它频率的信号。
当接收到接收信号时，开关32将滤波器31和LNA 33连接。由此，由天线28接收的高频信号被滤波器31滤波为接收频带中的信号，由LNA 33放大，并输出给RFIC 35。当发送传输信号时，开关32连接滤波器31和PA 34。由此，从RFIC 35输出的高频信号被PA 34放大，由滤波器31滤波为发送频带中的信号，并从天线28输出。
第一实施方式的第二变型的通信模块中的滤波器31可以用作第一实施方式及其变型的滤波器。该模块可以是用于另一电路系统的通信模块。
尽管已经详细描述了本发明的实施方式，但是应当理解，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对其进行各种改变、替换和更改。
Claims (12)
1.一种滤波器，该滤波器包括：
输入端子；
输出端子；
多组第一电容器，所述多组第一电容器包括分别连接到在能够将高频信号从所述输入端子发送到所述输出端子的路径的不同位置处的多组第一节点的第一端、以及共同连接到第二节点的第二端；
多组第一电感器，所述多组第一电感器包括分别连接到所述第一节点的第三端和共同连接到第三节点的第四端；
第二电感器，该第二电感器包括连接至所述第二节点的第五端和接地的第六端；以及
第三电感器，该第三电感器包括连接到所述第三节点的第七端和接地的第八端。
2.根据权利要求1所述的滤波器，其中，
所述路径的至少一部分由所述多组第一电感器当中的至少两个第一电感器之间的磁耦合形成。
3.根据权利要求1所述的滤波器，其中，
所述路径的至少一部分包括第四电感器，该第四电感器连接在所述多组第一节点当中的至少两个第一节点之间。
4.根据权利要求1所述的滤波器，其中，
所述第二电感器的电感大于所述第三电感器的电感。
5.根据权利要求1所述的滤波器，该滤波器还包括：
层压体，该层压体包括多个层压的介电层以及设置在层压方向的外表面上的一个或更多个接地端子；
第一金属图案，该第一金属图案设置在多个介电层当中的相邻介电层之间的第一表面上，并且形成所述第二节点的至少一部分；
第二金属图案，该第二金属图案设置在所述第一表面上，与在所述第一表面上的所述第一金属图案分离，并形成所述第三节点的至少一部分；
一个或更多个第一通孔布线，所述一个或更多个第一通孔布线将所述一个或更多个接地端子中的至少一个和所述第一金属图案连接，并且贯穿所述多个介电层中的至少一个；以及
一个或更多个第二通孔布线，所述一个或更多个第二通孔布线将所述一个或更多个接地端子中的至少一个和所述第二金属图案连接，并且贯穿所述多个介电层中的至少一个。
6.根据权利要求5所述的滤波器，其中，
所述一个或更多个第一通孔布线的截面面积之和小于所述一个或更多个第二通孔布线的截面面积之和。
7.根据权利要求1所述的滤波器，该滤波器还包括：
层压体，该层压体包括多个层压的介电层以及设置在层压方向的外表面上的一个或更多个接地端子；
第一金属图案，该第一金属图案设置在多个介电层当中的相邻介电层之间的第一表面上，并且形成所述第二节点的至少一部分；
第二金属图案，该第二金属图案设置在所述多个介电层当中的相邻介电层之间的第二表面上，并形成所述第三节点的至少一部分，所述第二表面比所述第一表面更靠近所述外表面；
一个或更多个第一通孔布线，所述一个或更多个第一通孔布线将所述一个或更多个接地端子中的至少一个和所述第一金属图案连接，并贯穿所述多个介电层中的至少两个；以及
一个或更多个第二通孔布线，所述一个或更多个第二通孔布线将所述一个或更多个接地端子中的至少一个和所述第二金属图案连接，并贯穿所述多个介电层中的至少一个。
8.根据权利要求1所述的滤波器，该滤波器还包括：
第二电容器，该第二电容器与所述路径的至少一部分并联连接。
9.根据权利要求1所述的滤波器，其中，
所述滤波器是带通滤波器。
10.根据权利要求9所述的滤波器，其中，
所述带通滤波器的通过特性包括：
第一衰减极，该第一衰减极在低于通带的频率处至少由所述多组第一电感器、所述多组第一电容器和所述第二电感器形成；以及
第二衰减极，该第二衰减极在高于所述通带的频率处至少由所述多组第一电感器、所述多组第一电容器和所述第三电感器形成。
11.一种复用器，该复用器包括：
根据权利要求1至10中的任一项所述的滤波器。
12.一种通信模块，该通信模块包括：
根据权利要求1至10中的任一项所述的滤波器。
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