CN113206138B - 一种有机发光显示面板及装置、精密掩膜版及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种有机发光显示面板及装置、精密掩膜版及其制备方法。该有机发光显示面板包括显示区和围绕所述显示区的边框区，有机发光显示面板还包括多个有机发光像素图案，有机发光像素图案均位于显示区，有机发光像素图案包括第一像素图案和第二像素图案，第一像素图案位于边框区和第二像素图案之间，第一像素图案的规格与第二像素图案的规格在预设的公差范围之内。本发明实施例解决了传统通过蚀刻工艺形成掩膜版开口时，因蚀刻工艺均一性差，掩膜版上边缘区域的开口尺寸、形状等不能满足制备像素图案要求的问题，对不满足要求的开口通过激光修补使其满足沉积像素图案的要求，避免在边框区设置虚设像素，有利于显示面板窄边框设计。

Description

一种有机发光显示面板及装置、精密掩膜版及其制备方法

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光显示面板及装置、精密掩膜版及其制备方法。

背景技术

有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)是一种极具发展前景的平板显示技术。OLED具有依次形成于基板上的阳极、有机发光层和阴极。OLED各功能材料层与阴极金属层薄膜通过真空热蒸镀工艺制备，真空热蒸镀工艺需要使用掩膜版，掩膜版的作用是使OLED材料蒸镀到设计的位置，因此掩膜版的开孔位置、形状以及表面平整度等都相当重要。

为了实现显示面板的窄边框设计，现有的掩膜版制作方法主要有蚀刻、电铸和激光这三种加工方法。其中，蚀刻作为较传统的制作工艺，掩膜版存在蚀刻均一性差的问题。通过蚀刻所形成的掩膜版开口中，边缘区域的开口尺寸较小，不能很好地应用于显示区，使得在制备掩膜版时需要将该尺寸规格不满足要求的开口设置为虚设开口，换言之，需要将尺寸规格不满足要求的开口在蒸镀时形成虚设像素，该虚设像素一般位于显示区的外围，不具备正常显示功能，例如在显示面板的边缘一般会形成至少两行两列的虚设像素开口，导致显示面板的边框区变宽。

发明内容

本发明提供一种有机发光显示面板及装置、精密掩膜版及其制备方法，通过激光修补工艺对掩膜版上不满足要求的开口进行激光修补处理，使其满足沉积像素图案的要求，利于显示面板的窄边框设计。

第一方面，本发明实施例提供了一种有机发光显示面板，包括显示区和围绕所述显示区的边框区；

所述有机发光显示面板还包括多个有机发光像素图案，所述有机发光像素图案均位于所述显示区；所述有机发光像素图案包括第一像素图案和第二像素图案，所述第一像素图案位于所述边框区和所述第二像素图案之间，所述第一像素图案的规格与所述第二像素图案的规格在预设的公差范围之内。

第二方面，本发明实施例还提供了一种有机发光显示装置，包括第一方面所述的有机发光显示面板。

第三方面，本发明实施例还提供了一种精密掩膜版，包括与显示区对应的蒸镀区以及围绕所述蒸镀区的非蒸镀区；

所述蒸镀区包括多个用于形成像素图案的掩膜图案；所述掩膜图案包括第一掩膜图案和第二掩膜图案，所述第一掩膜图案位于所述非蒸镀区和所述第二掩膜图案之间，所述第一掩膜图案的规格与所述第二掩膜图案的规格在预设的公差范围之内。

第四方面，本发明实施例还提供了一种精密掩膜版的制备方法，包括：

提供一掩膜基板；

采用光刻工艺在所述掩膜基板与显示区对应的蒸镀区蚀刻形成多个掩膜图案，所述掩膜图案用于形成像素图案；所述掩膜图案包括标准掩膜图案和异常掩膜图案，所述异常掩膜图案的规格与所述标准掩膜图案的规格在预设的公差范围之外；

采用激光蚀刻工艺对至少部分所述异常掩膜图案进行修补，形成多个激光修补掩膜图案，所述激光修补掩膜图案的规格与所述标准掩膜图案的规格在预设的公差范围之内。

本发明实施例提供的有机发光显示面板，包括显示区和围绕所述显示区的边框区，有机发光显示面板还包括多个有机发光像素图案，有机发光像素图案均位于显示区，有机发光像素图案包括第一像素图案和第二像素图案，第一像素图案位于边框区和第二像素图案之间，第一像素图案的规格与第二像素图案的规格在预设的公差范围之内。由于传统的刻蚀工艺存在均一性差的问题，掩膜版上尤其边缘区域的开口的尺寸、形状等不能满足制备像素图案的要求，一般会偏小。本发明实施例将不满足要求的开口通过激光修补后，能够对开口的尺寸、形状等进行调整，使其满足沉积像素图案的要求。即，该激光修补后的开口可组成激光修补掩膜图案，从而用于沉积形成第一像素图案。其中激光修补过程是利用激光束依次对开口边缘进行适当的激光刻蚀，从而实现开口的修补处理，保证了显示区制备的像素图案满足要求，从而避免在边框区形成虚设像素，有利于显示面板窄边框的设计。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1是本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的结构示意图。；

图2为本发明实施例提供的一种掩膜版实施方式的结构示意图；

图3为图2所示虚线框Aa中掩膜版和显示面板的放大示意图；

图4为相关技术采用传统掩膜版实施方式结构放大示意图；

图5为图3中虚线框Bb的局部放大示意图；

图6是如图4所示相关技术中显示面板沿AA’剖面线处有机发光像素制备示意图；

图7是图3中显示面板沿BB’剖面线处有机发光像素制备示意图；

图8为本发明实施例提供的一种精密掩膜版上第一开口的剖面放大示意图；

图9为本发明实施例提供的一种精密掩膜版上第二开口的剖面放大示意图；

图10为现有技术中一种有机发光显示面板的示意图；

图11为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的示意图；

图12为本发明实施例提供的一种有机发光显示装置的结构示意图；

图13为本发明实施例提供的一种精密掩膜版的制备方法的工艺流程示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本发明具体实施例作进一步的详细描述。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。

另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。

本发明实施例提供有机发光显示面板及装置、精密掩膜版及其制备方法，该有机发光显示面板包括显示区和围绕所述显示区的边框区，有机发光显示面板还包括多个有机发光像素图案，有机发光像素图案均位于显示区，有机发光像素图案包括第一像素图案和第二像素图案，第一像素图案位于边框区和第二像素图案之间，第一像素图案的规格与第二像素图案的规格在预设的公差范围之内。

其中，有机发光像素图案为掩膜时将有机发光材料或者发光补偿材料蒸镀到有机发光显示面板的阵列基板上形成的图案，该有机发光像素图案实质是显示面板每个像素中有机发光材料膜层或发光补偿材料的图案。该有机发光像素图案包括第一像素图案和第二像素图案，第一像素图案和第二像素图案区别在于制备有机发光像素图案时所对应的掩膜版上掩膜开口不同。其中，第二像素图案所对应的掩膜开口采用传统的蚀刻工艺一步形成，也即第二像素图案对应的掩膜开口为标准掩膜开口；第一像素图案对应的掩膜开口则是由于传统蚀刻工艺的均一性差形成的规格不满足要求的掩膜开口，该不满足要求的掩膜开口进一步还进行了激光修补处理，从而达到制备有机发光像素图案的要求。换言之，第一像素图案对应的掩膜开口为激光修补掩膜开口。由于两种掩膜开口制备工艺上的差异，其在形状、尺寸等规格上也会存在微小的区别。基于此，阵列基板上所沉积形成的第一像素图案和第二像素图案也存在规格上的区别。此处第一像素图案和第二像素图案规格不同即表示第一像素图案和第二像素图案从形状、尺寸等图形参数存在一定差异。

另外，本实施例所述的预设的公差范围是指，设计人员依据有机发光显示面板中像素的均一性要求，在规格上预先设定的第一像素图案和第二像素图案的差异上限，目的在于控制第一像素图案和第二像素图案的尺寸、形状等规格参数保持近似一致，使显示区的像素满足均一性要求。

需要说明的是，由于本发明实施例中采用的精密掩膜版中标准掩膜开口和激光修补掩膜开口均能满足制备有机发光像素图案的要求，故而可将标准掩膜开口和激光修补掩膜开口均设置对应于显示面板的显示区，使沉积形成的第一像素图案和第二像素图案均位于显示区，避免了在显示区外围设置虚设像素。

本发明实施例提供的有机发光显示面板，解决了传统通过蚀刻工艺形成掩膜版开口时，因为蚀刻工艺存在均一性差，掩膜版上尤其边缘区域的开口的尺寸、形状等不能满足制备像素图案的要求，一般会偏小的问题，本发明实施例通过将不满足要求的开口通过激光修补后，能够对开口的尺寸、形状等进行调整，使其满足沉积像素图案的要求。即，该激光修补后的开口可组成激光修补掩膜图案，从而用于沉积形成第一像素图案。其中激光修补过程是利用激光束依次对开口边缘进行适当的激光刻蚀，从而实现开口的修补处理，保证了显示区制备的像素图案满足要求，避免在边框区形成虚设像素，有利于显示面板的窄边框设计。

以上是本发明的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1为本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的结构示意图。如图1所示，该显示面板100包括显示区110和围绕显示区110的边框区120，有机发光显示面板100还包括多个有机发光像素图案130，有机发光像素图案130均位于显示区110，有机发光像素图案130包括第一像素图案131和第二像素图案132，第一像素图案131位于边框区120和第二像素图案132之间，第一像素图案131的规格与第二像素图案132的规格在预设的公差范围之内。

有机发光显示面板的制备是通过将多种有机材料依次蒸镀到阵列基板上形成的。蒸镀有机材料通常需要使用掩膜版精密掩膜版，且掩膜版通常焊接在金属框架上且放在蒸镀机中使用。如上所述，有机发光像素图案为掩膜时将有机发光材料或者发光补偿材料蒸镀到有机发光显示面板的阵列基板上形成的图案。

现有技术中，由于传统蚀刻工艺均一性差，掩膜版边缘区域的掩膜开口不能满足制备像素图案的要求，如果该掩膜开口设置在显示区，那么就会形成不符合要求的像素图案。现有技术是增加掩膜开口的数量，使边缘区域的不符合要求的掩膜开口在制备时落于显示区之外，而显示区的像素图案仍能满足要求。而落于显示区之外形成的像素图案不能进行发光显示，故会构成虚设像素图案。

而本实施例中，第一像素图案131采用激光修补掩膜图案沉积形成，第二像素图案132采用标准掩膜图案沉积形成。其中，第一像素图案131和第二像素图案132采用同一精密掩膜版同步沉积形成，精密掩膜版中同时包括激光修补掩膜图案和标准掩膜图案，对应则沉积形成第一像素图案131和第二像素图案132。该精密掩膜版制备时，需要采用两个工艺步骤，包括传统的蚀刻工艺和激光修补工艺。其中标准掩膜图案采用传统的蚀刻工艺制成，其原理是通过曝光显影将光刻胶进行图案化处理，然后利用图案化后的光刻胶通过湿法或干法刻蚀工艺蚀刻掉所需除去的部分，在掩膜版上形成多个开口。其中满足要求的开口组成标准掩膜图案，可以用于直接形成第二像素图案132。而由背景技术部分所述，因为蚀刻工艺存在均一性差的问题，掩膜版上尤其边缘区域的开口的尺寸、形状等不能满足制备像素图案的要求，一般会偏小。本发明实施例将不满足要求的开口通过激光修补后，能够对开口的尺寸、形状等进行调整，使其满足沉积像素图案的要求。即，该激光修补后的开口可组成激光修补掩膜图案，从而用于沉积形成第一像素图案131。其中激光修补过程是利用激光束依次对开口边缘进行适当的激光刻蚀，从而实现开口的修补处理。

需要说明的是，图2为本发明实施例提供的一种掩膜版实施方式的结构示意图。如图2所示，显示母版21的制备过程需要多个金属掩膜条22依次排列构成完整的精密掩膜版，即利用多个金属掩膜条22通过张网和焊接等步骤将金属掩膜条固定到掩膜版框架(未示出)上，从而同步在显示母版21上蒸镀形成多个有机发光显示面板100，并最终通过切割实现分离。示例性地，图中一个金属掩膜条22对应可在显示母版21上形成至少一行多个有机发光显示面板100。可以理解，每个金属掩膜条22上对应一个有机发光显示面板的位置，设置有蒸镀区和围绕蒸镀区的非蒸镀区，其中蒸镀区中设置有掩膜开口用于形成有机发光显示面板上的像素图案。

图3为图2所示虚线框Bb中掩膜版和显示面板的放大示意图。如图3所示，该精密掩膜版200包括与显示区对应的蒸镀区210以及围绕蒸镀区210的非蒸镀区220，蒸镀区210包括多个用于形成像素图案的掩膜图案，掩膜图案包括第一掩膜图案231和第二掩膜图案232，第一掩膜图案231位于非蒸镀区220和第二掩膜图案232之间，第一掩膜图案231的规格与第二掩膜图案232的规格在预设的公差范围之内。

其中，第一掩膜图案231与第一像素图案131对应设置，第一掩膜图案231用于掩膜沉积有机发光材料从而形成第一像素图案131，第二掩膜图案232与第二像素图案132对应设置，用于掩膜有机发光材料沉积形成第二像素图案132。因此，第一掩膜图案231和第二掩膜图案232的规格直接决定了第一像素图案131和第二像素图案132的规格。可以理解，上述第一掩膜图案231实质是由第二开口234即标准掩膜开口组成的掩膜图案，而第二掩膜图案232则是由第一开口233即激光修补掩膜开口组成的掩膜图案。

另外需要说明的是，关于精密掩膜版200上的第一掩膜图案231和第二掩膜图案232的描述可参考上述实施例中对于第一像素图案和第二像素图案的描述，此处不再赘述。

具体地，使用传统蚀刻工艺加工有机发光显示面板中的精密掩膜版。图4为相关技术采用传统掩膜版实施方式结构放大示意图。如图4所示，该精密掩膜版蒸镀区210中包括标准的掩膜开口211和边缘区域相对较小的掩膜开口212，该边缘区域的掩膜开口212不能满足制备像素图案的要求，如果该掩膜开口212设置对位显示面板的显示区110，则会形成不符合要求的像素图案2121。对比图3可知，采用激光修补方法将蒸镀区210中不符合要求的掩膜开口212依次进行适当的激光处理，从而实现开口的修补处理，使蒸镀区210边缘区域的开口212尺寸与蒸镀区210中间区域的开口211尺寸相近，并且对不符合要求的掩膜开口212依次进行适当的激光处理后，形成的像素图案2121与中间区域的开口211形成的像素图案2122的尺寸接近一致。此时，相较于图4中的开口设置方式，本发明实施例中提供的精密掩膜版无需设置图4蒸镀区210内边缘的开口，相比现有技术中采用蚀刻工艺加工的精密掩膜版，本实施例提供的采用激光修补显示区边缘区开口的方法，通过对不满足制备像素图案2121的开口212进行修补处理，进一步可以避免显示面板边框区虚设像素的设置，从而有利于窄边框的设计。

上述实施例中，第一掩膜图案231实质上采用蚀刻工艺和激光修补工艺形成，第二掩膜图案232则是采用蚀刻工艺形成。

具体地，第二掩膜图案232采用传统的蚀刻工艺制程，其原理是通过曝光显影将光刻胶进行图案化处理，然后利用图案化后的光刻胶通过湿法或干法刻蚀工艺蚀刻掉所需除去的部分，在掩膜版上形成多个开口，其中满足要求的开口组成标准掩膜图案，可以用于直接形成第二掩膜图案232。而由背景技术部分所述，因为蚀刻工艺存在均一性差的问题，掩膜版上尤其边缘区域的掩膜图案的尺寸、形状等偏小。本发明实施例将不满足要求的掩膜图案通过激光修补后，能够对掩膜图案的尺寸、形状等进行调整，该激光修补后的掩膜图案形成第一掩膜图案。

综上，本实施例提供的有机发光显示面板，包括显示区和围绕所述显示区的边框区，有机发光显示面板还包括多个有机发光像素图案，有机发光像素图案均位于显示区，有机发光像素图案包括第一像素图案和第二像素图案，第一像素图案位于边框区和第二像素图案之间，第一像素图案的规格与第二像素图案的规格在预设的公差范围之内，由于传统的刻蚀工艺存在均一性差的问题，掩膜版上尤其边缘区域的开口的尺寸、形状等不能满足制备像素图案的要求，一般会偏小。本发明实施例将不满足要求的开口通过激光修补后，能够对开口的尺寸、形状等进行调整，使其满足沉积像素图案的要求。即，该激光修补后的开口可组成激光修补掩膜图案，从而用于沉积形成第一像素图案。其中激光修补过程是利用激光束依次对开口边缘进行适当的激光刻蚀，从而实现开口的修补处理，有利于显示面板窄边框的设计。

图5为图3中虚线框Bb的局部放大示意图。参照图5，第一像素图案131的轮廓线的锯齿程度大于第二像素图案132的轮廓线的锯齿程度。

在上述实施例的基础上，第一像素图案131采用激光修补掩膜图案沉积形成，第二像素图案132采用标准掩膜图案沉积形成。本发明实施例提供的精密掩膜版中，对应地，如图3所示的掩模版中，第一掩膜图案231的轮廓线的锯齿程度大于所第二掩膜图案232的轮廓线的锯齿程度，其表现在如图5所示的掩膜开口为第一开口233即激光修补掩膜开口的轮廓线的锯齿程度大于第二开口234即标准掩膜开口的轮廓线的锯齿程度。

具体地，利用传统的标准掩膜制备方法即蚀刻工艺制备掩膜开口时，掩膜开口的内沿相对比较光滑。而由于激光在蚀刻精密掩膜版时，是对掩膜版不符合要求的开口的内沿沿竖直方向依次进行点刻，因此，掩膜版激光修补后的掩膜开口的内沿会形成锯齿。可以理解，利用该精密掩膜版上的标准掩膜图案和激光修补图案分别沉积形成第二像素图案132和第一像素图案131时，会将掩膜开口的内沿形状复制下来，导致掩膜版沉积形成的第一像素图案131的轮廓线呈现锯齿状，而第二像素图案132的轮廓线相对较平滑。

可以理解的是，第一像素图案131的轮廓线的锯齿是由激光蚀刻工艺造成的，其具体激光蚀刻工艺是本领域技术人员所掌握的，此处不在详细描述。

类似地，利用传统的蚀刻工艺制备掩膜图案时，掩膜图案对应的开口的内沿也是比较光滑，而由于激光在刻蚀精密掩膜版时，是对掩膜版不符合要求的掩膜开口的内沿沿竖直方向依次进行激光点刻，因此，经过激光修补后的掩膜开口对应的掩膜图案，即，第一掩膜图案的内沿会形成锯齿，并且由于第一掩膜图案与第一像素图案131对应设置，第二掩膜图案与第二像素图案132对应设置，第一掩膜图案的轮廓线呈现锯齿状，而第二掩膜图案的轮廓线相对较平滑。

在描述本实施例提供的有机发光显示面板中有机发光像素图案的阴影区的相关内容前，此处简要说明一下现有技术中利用蚀刻工艺对精密掩膜版进行蚀刻后形成有机发光像素图案的示意图。

图6是如图4所示相关技术中显示面板沿AA’剖面线处有机发光像素制备示意图。参考图4和图6，利用蚀刻工艺对精密掩膜版进行加工后，将有机发光材料利用蒸镀源加热并蒸镀到有机发光显示面板的阵列基板上，蒸镀源与阵列基板的蒸镀角β为60°，采用蚀刻工艺后，像素图案对应的掩膜图案开口的侧壁坡度角α1经过测量后均为65°，也就是说，像素图案对应的掩膜图案开口的侧壁坡度角大于蒸镀角，参照图6，H1和H2分别为5μm和22μm，此时蒸镀源将有机发光材料蒸镀到阵列基板上后，对应于像素图案的阴影区的宽度为S1和S2，且S1＝S2＝2×(H1/tan60°+H2/tan60°-H2/tan65°)＝11μm。

图7是图3中显示面板沿BB’剖面线处有机发光像素制备示意图。参照图3及图7，第一像素图案131和第二像素图案132的边缘区域均包括阴影区，第一像素图案131中阴影区的宽度S11/S21小于第二像素图案132中阴影区的宽度S11’/S21’。

需要说明的是，在本实施例及一些实施例中，有机发光像素图案中的第一像素图案和第二像素图案的形状都呈梯形。

其中，在图7中，第一像素图案为131，第二像素图案为132。参照图7，利用蚀刻工艺对精密掩膜版进行加工后，将有机发光材料利用蒸镀源加热并镀到有机发光显示面板的阵列基板上，蒸镀源与阵列基板的蒸镀角β为60°，采用蚀刻工艺后，第二像素图132对应的掩膜图案的开口的侧壁坡度角α2经过测量后均为60°，也就是说第二像素图案对应的掩膜图案的开口的侧壁坡度角等于蒸镀角，符合蒸镀的要求。在本实施例中，H1和H2依旧为5μm和22μm，此时蒸镀源将有机发光材料蒸镀到阵列基板上后，对应于第二像素图案132的阴影区的宽度为S11’和S21’，且S11’＝S21’＝2×H1/tan60°＝5.78μm。

需要说明的是，在一些实施例中，第二像素图案132对应的掩膜图案的开口的侧壁坡度角也可以小于蒸镀角，只需保持在55±5°之间即可。

参照图7，利用激光蚀刻工艺对精密掩膜版上不符合要求的掩膜开口进行激光修补处理后掩膜沉积得到第一像素图案131，该第一像素图案131需要利用蒸镀源加热并镀到有机发光显示面板的阵列基板上，蒸镀源与阵列基板的蒸镀角β为60°，第一像素图案131的侧壁坡度角α2经过测量后均为60°。由于对精密掩膜版采取激光蚀刻工艺，在激光蚀刻过程中会导致H1和H2的长度发生变化，在本实施例中，H1为4μm，H2为23μm，并且，激光在蚀刻精密掩膜版时，是对精密掩膜版的边缘沿竖直方向进行蚀刻，此时蒸镀源将有机发光材料蒸镀到阵列基板上后，蒸镀源照射后的第一像素图案131的阴影区的宽度肯定会缩短，计算可得S11＝S21＝2×H1/tan60°＝4.62μm。

类似的，在一些实施例中，第一像素图案的侧壁坡度角也可以小于蒸镀角，只需保持在55±5°之间即可。

综上，利用激光修补掩膜图案沉积形成的第一像素图案的阴影区的宽度小于利用标准掩膜图案沉积形成的第二像素图案的阴影区的宽度，有利于蒸镀源将有机发光材料蒸镀到有机发光面板的阵列基板上，提高有机发光显示面板的发光效率。

可选地，第一掩膜图案包括多个第一开口，第二掩膜图案包括多个第二开口。图8为本发明实施例提供的一种精密掩膜版上第一开口的剖面放大示意图。图9为本发明实施例提供的一种精密掩膜版上第二开口的剖面放大示意图。参照图8和图9，在垂直精密掩膜版的表面的方向上，第一开口233和第二开口234的内壁均包括相互连接且倾斜角度不同的第一侧壁a和第二侧壁b，且第一侧壁a的长度大于第二侧壁b的长度，图8中的第一开口233中第一侧壁a与精密掩膜版的表面的夹角α2，与图9中的第二开口234中第一侧壁a与精密掩膜版的表面的夹角α2为同一夹角。

示例性的，参照图8和图9分别为精密掩膜版中第一开口233和第二开口234的剖面示意图，图8中的第一开口233对应沉积形成的有机发光像素图案是第一像素图案，第一开口233包含第一侧壁a和第二侧壁b，其中，第一开口233的第一侧壁a与精密掩膜版的表面的夹角α2为60°。图12中的第二开口234对应沉积形成的有机发光像素图案为第二像素图案，第二开口234也包含第一侧壁a和第二侧壁b，其中，在图9中，第二开口234的第一侧壁a与精密掩膜版的表面的夹角α2也为60度。

需要说明的是，由于第一像素图案是由激光修补掩膜沉积形成的，激光在蚀刻精密掩膜版时，是对精密掩膜版的边缘沿竖直方向进行蚀刻，使用该方法有利于缩减第一像素图案与第二像素图案的规格差异，并且保证第一掩膜图案的第一开口233与第二掩膜图案的第二开口234与精密掩膜版的夹角保持接近相似，使蒸镀源将有机发光材料蒸镀到阵列基板上，形成满足要求的有机发光像素图案。

可选地，继续参照图8，第一开口233中第一侧壁a与精密掩膜版的表面的夹角α2在50°±15°的范围内。

可选地，继续参照图8，第一开口233中第二侧壁b与精密掩膜版的表面垂直。

如上所述，由于激光在刻蚀精密掩膜版时，是对掩膜版不符合要求的开口的内沿沿竖直方向依次进行点刻，因此，掩膜版激光修补后的掩膜开口，即，第一开口233的第二侧壁b与精密掩膜版的表面呈垂直状态。

可选地，第一掩膜图案的尺寸与第二掩膜图案的尺寸的公差在±3μm的范围内。

其中，第一掩膜图案由蚀刻工艺和激光修补工艺形成，第二掩膜图案由蚀刻工艺形成。采用蚀刻工艺后分别形成第一掩膜图案和第二掩膜图案后，若掩膜沉积在阵列基板上的像素图案的规格超出公差范围，则通过激光修补工艺对第一掩膜图案进行修补处理，使第一掩膜图案与第二掩膜图案的尺寸尽量保持一致，有效避免了因精密掩膜版上掩膜图案存在的差异导致的像素图案的尺寸也存在较大差异。

图10为现有技术中一种有机发光显示面板的示意图。如图10所示，该有机发光显示面板包括显示区110和边框区120，还包括公共有机膜层覆盖区COMMON与电极连接区Contact，公共有机膜层覆盖区COMMON边缘延伸至边框区120，电极连接区Contact位于边框区120中。

示例性的，将该有机发光显示面板用于一只穿戴产品时，由于传统的蚀刻工艺加工掩膜版进而形成开口，因蚀刻工艺存在均一性差的问题，使得掩膜版边缘区域的掩膜开口不能满足制备像素图案的要求。现有技术是增加掩膜开口的数量，使边缘区的不符合要求的掩膜开口在制备时落于显示区外，而这些落于显示区外的像素图案不能进行发光显示，故构成虚设的像素图案，这些虚设的像素图案在边框区中占有一定空间。参照图10，当有机发光显示面板用于一穿戴产品时，显示区110与公共有机膜层覆盖区COMMON的边缘的距离L2大约为100μm，电极连接区Contact的边缘至显示区110的边缘的距离为L3，大约为160μm，因现有技术的有机发光显示面板中存在虚设的像素图案dummy，该类像素图案的成膜区距离显示区110的距离大约在180μm，此时，由于虚设的像素图案的增加，导致有机发光显示面板上虚设的像素图案的成膜区占据整个边框区宽度的19％左右，此时，边框区120的宽度L1在950μm左右。

下面对如图10所示的有机发光显示面板的边框区膜层结构进行简单介绍，其中，有机发光显示面板由阵列基板以及形成于阵列基板上的各类膜层结构组成，如图所示，阵列基板可划分为显示区AA和边框区，边框区中可设置有VSR扫描驱动电路或者ESD防静电电路结构，并且，像素驱动电路中的电源信号线PVEE也可设置在该边框区内。此外，由于有机发光元件对水汽较为敏感，通常有机发光显示面板需要进行封装。示例性地，本发明实施例中可选在阵列基板边框区设置玻璃胶封装区，通过激光熔融玻璃粉Frit实现阵列基板与盖板玻璃的密封贴合。为保证激光束的有效利用，还可在阵列基板的玻璃胶封装区中设置反射金属层Metal，以集中激光束的能量加热熔融玻璃粉Frit。本领域技术人员可以理解，基于上述的阵列基板结构，其上的膜层还依次包括覆盖像素驱动电路且边缘延伸至边框区的平坦层PLN、反射电极层RE、像素定义层PDL、公共有机膜层COMMON以及阴极层Cathode等。

图11为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的示意图。如图11所示，有机发光显示面板还包括公共有机膜层覆盖区COMMON，显示区110位于公共有机膜层覆盖区COMMON中，令同一位置处边框区120的宽度为L1，显示区110与公共有机膜层覆盖区COMMON的边缘的距离为L2，则可设置L1和L2满足：L2/L1＜11％。

如上所述，在现有技术中，由于虚设的像素图案的增加，导致有机发光显示面板上虚设的像素图案的成膜区占据整个边框区宽度的19％左右，该占比表明虚设的像素图案的成膜区占据边框区较大比例，导致显示面板在设计窄边框时存在限制。

在本实施例中，通过将不满足要求的开口通过激光修补后，能够对开口的尺寸、形状等进行调整，使其满足沉积像素图案的要求。参照图11，在取消虚设的像素开口成膜区的限制后，对应的公共有机膜层覆盖区COMMON的边缘到显示区的距离减少至L2，以此使边框区的宽度压缩至L1，此时，显示区110与公共有机膜层覆盖区COMMON的边缘的距离L2与整个边框区120的宽度L1的比值满足L2/L1＜11％，达成显示面板窄边框设计能力提升的目的。

需要说明的是，边框区120的宽度压缩与激光修补处理后能够对不满足要求的开口的尺寸、形状等进行的调整有关，以此取消边框区120中类似虚设的像素图案所在的成膜区，实现窄边框设计。示例性地，当本实施例中的有机发光显示面板用于一穿戴产品时，显示区110与公共有机膜层覆盖区COMMON的边缘的距离L2大约为60μm，公共有机膜层覆盖区COMMON的边缘与电极连接区Contact边缘的距离L4大约为40μm。此时，相比现有技术中显示区110与公共有机膜层覆盖区的边缘的距离L2＝100μm压缩了40μm，相比现有技术中公共有机膜层覆盖区COMMON的边缘与电极连接区Contact边缘的距离L4＝60μm压缩了20μm，从而使得边框区120的宽度从950μm压缩至890μm，使得显示区110与公共有机膜层覆盖区COMMON的边缘的距离与整个边框区的宽度的比值小于11％，达成显示面板窄边框设计能力提升的目的。

可选地，继续参照图11，有机发光显示面板还包括电极连接区Contact，显示区110与电极连接区Contact无交叠，令同一位置处边框区120的宽度为L1，电极连接区Contact与显示区110的边缘的距离为L3，则L1和L3满足：L3/L1＜17％。

其中，在显示面板中，电极连接区Contact主要用于将位于上层的例如阴极层的信号线引至阵列基板上，从而通过阵列基板边缘设置的台阶区与外界信号线连接，用于通过外界信号线接收驱动信号，实现显示面板的驱动。

具体地，参照图11，在取消虚设的像素开口成膜区的限制后，对应的电极连接区Contact与显示区110的边缘的距离减少至L3，使边框区120的宽度压缩至L1，此时电极连接区Contact与显示区110的边缘的距离L3与整个边框区120的宽度L1的比值满足L3/L1＜17％，因此，整个边框区120的压缩量大约为60μm，达成显示面板窄边框设计能力提升的目的。

类似地，本实施例中的有机发光显示面板用于上述实施例中提供的一穿戴产品时，电极连接区Contact的边缘至显示区110的边缘的距离为L3，大约为100μm。此时，显示区110与公共有机膜层覆盖区COMMON的边缘的距离L2大约为60μm，公共有机膜层覆盖区COMMON的边缘与电极连接区Contact边缘的距离L4大约为40μm。相比现有技术中显示区110与公共有机膜层覆盖区的边缘的距离L2＝100μm压缩了40μm，相比现有技术中公共有机膜层覆盖区COMMON的边缘与电极连接区Contact边缘的距离L4＝60μm压缩了20μm，边框区120的宽度从950μm压缩至890μm，使得电极连接区Contact与显示区110的边缘的距离与整个边框区120的宽度的比值小于17％，进一步达成显示面板窄边框设计能力提升的目的。

图12为本发明实施例提供的一种有机发光显示装置的结构示意图。如图12所示，该有机发光显示装置121包括上述任一实施例提供的有机发光显示面板100。

需要说明的是，由于本实施例提供的显示装置151包括本发明实施例提供的任意的有机发光显示面板100，其具有该有机发光显示面板100相同或相应的有益效果，此处不再赘述。

图13为本发明实施例提供的一种精密掩膜版的制备方法的工艺流程示意图。如图13所示，该工艺制备方法的具体步骤如下：

提供一掩膜基板。

参考图13的a)图，其中，在本实施例中，提供的掩膜基板的材质为镍铁合金，如因瓦合金(Invar)。在其他的实施例中，掩膜基板也可以选用不锈钢。提供的掩膜基板的厚度一般为10-50μm。在一些实施例中，掩膜基板的厚度可以为15-25μm。

参考图13的b)图，采用光刻工艺在掩膜基板与显示区对应的蒸镀区210蚀刻形成多个掩膜图案，掩膜图案用于形成像素图案，掩膜图案包括标准掩膜图案232和异常掩膜图案231，异常掩膜图案231的规格与标准掩膜图案232的规格在预设的公差范围之外。

其中，光刻工艺的原理是通过曝光显影将光刻胶进行图案化处理，利用图案化的光刻胶对掩膜基板进行刻蚀形成掩膜图案。在制备显示面板时，有机发光材料或发光补偿材料通过该精密掩膜版蒸镀至阵列基板上时，会将掩膜图案转移至阵列基板上，也即在阵列基板上形成有机发光像素图案，有机发光像素图案与掩膜图案一致。

具体地，在精密掩膜版上，由于光刻过程中采用的蚀刻工艺存在均一性差的问题，导致掩膜图案中包括标准掩膜图案232，还包括不满足要求的异常掩膜图案231。由于异常掩膜图案231的存在，会导致所形成的像素图案的规格与标准掩膜图案形成的像素图案在规格上存在较大差异，从而影响像素图案的均一性。因此，为了避免影响显示区的像素图案的规格，一般异常掩膜图案的位置会设置对应于显示面板的边框区，造成显示面板边框区会存在虚设像素，不利于有机发光显示面板窄边框的设计。

此外，需要说明的是，本实施例所述的预设的公差范围是指，设计人员依据有机发光显示面板中像素的均一性要求，在规格上预先设定的异常掩膜图案和标准掩膜图案的差异上限，目的在于控制所制备形成的像素图案的尺寸、形状等规格参数保持近似一致，使显示区的像素满足均一性要求。

参考图13的c)图，采用激光蚀刻工艺对至少部分异常掩膜图案231进行修补，形成多个激光修补掩膜图案，激光修补掩膜图案的规格与标准掩膜图案232的规格在预设的公差范围之内。

其中，在本实施例中，通过激光修补后的掩膜图案可以为上述实施例中的第一掩膜图案231，该第一掩膜图案231用于形成第一像素图案，经过激光修补掩膜图案形成的像素图案的规格与有机发光显示面板的标准掩膜图案形成的像素图案的规格在预设的公差范围内。

可选地，采用激光蚀刻工艺对至少部分异常掩膜图案进行修补，形成多个激光修补掩膜图案，激光修补掩膜图案的规格与标准掩膜图案的规格在预设的公差范围之内，包括：采用激光蚀刻工艺对至少部分异常掩膜图案的形状、尺寸、内壁坡度角中的至少一项进行修补，形成多个激光修补掩膜图案，激光修补掩膜图案的形状、尺寸、内壁坡度角与标准掩膜图案的形状、尺寸、内壁坡度角在预设的公差范围之内。

另外需要说明的是，本实施例中提到的内壁坡度角为上述实施例中提供的掩膜图案上的开口的第一侧壁与精密掩膜版表面的夹角。

可选地，采用激光蚀刻工艺对至少部分异常掩膜图案进行修补，形成多个激光修补掩膜图案之前，还包括：检测蒸镀区的掩膜图案，确定掩膜图案中的异常掩膜图案。

其中，在提供一掩膜基板后，首先采用光刻工艺在该掩膜基板与显示区对应的蒸镀区蚀刻形成多个掩膜图案，这些掩膜图案都用于形成像素图案。

具体地，在光刻工艺完成后，在不确定掩膜图案中是否存在异常掩膜图案，或是，不确定该类异常掩膜图案与其他标准掩膜图案有哪些差别时，可以在光刻工艺完成后检测蒸镀区的掩膜图案，确定掩膜图案中存在的异常掩膜图案，甚至可以检测出该类异常掩膜图案与标准掩膜图案的差别，有利于精确地对异常掩膜图案进行激光修补，进一步提高对精密掩膜版的加工效率，改善精密掩膜版质量。

可选地，继续参照图3，蒸镀区210包括中间蒸镀区(图3中对应第一掩膜图案231的区域)以及与中间蒸镀区连接的边缘蒸镀区(图3中对应第二掩膜图案232的区域)，位于中间蒸镀区的掩膜图案包括多个标准掩膜图案，位于边缘蒸镀区的掩膜图案包括多个异常掩膜图案，采用激光蚀刻工艺对至少部分所述掩膜图案进行修补，形成多个激光修补掩膜图案，激光修补掩膜图案的规格与标准掩膜图案的规格在预设的公差范围之内，包括：对边缘蒸镀区的掩膜图案采用激光蚀刻工艺进行修补，形成多个激光修补掩膜图案，以使边缘蒸镀区的掩膜图案与标准掩膜图案的规格在预设的公差范围之内。

如上所述，第一掩膜图案采用蚀刻工艺和激光修补工艺形成，第二掩膜图案采用蚀刻工艺形成，对边缘蒸镀区的掩膜图案，即，第二掩膜图案进行激光修补，使得对应于有机发光显示面板中位于显示区边缘区域的像素图案的尺寸与显示区中间区域的像素图案的尺寸保持在公差范围内，进一步提高了有机发光显示面板的窄边框设计。

本实施例提供的精密掩膜版的制备方法，包括提供一掩膜基板，采用光刻工艺在掩膜基板与显示区对应的蒸镀区蚀刻形成多个掩膜图案，掩膜图案用于形成像素图案，掩膜图案包括标准掩膜图案和异常掩膜图案，异常掩膜图案的规格与标准掩膜图案的规格在预设的公差范围之外，继而通过采用激光刻蚀工艺对至少部分异常掩膜图案进行修补，形成多个激光修补掩膜图案，其中激光修补掩膜图案的规格与标准掩膜图案的规格在预设的公差范围之内，从而能够改善精密掩膜版中掩膜图案的均一性，确保有机发光显示面板中像素图案的均一性，保证显示区制备的像素图案满足要求，避免在边框区形成虚设像素，有利于显示面板窄边框的设计。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (17)

1.一种有机发光显示面板，其特征在于，包括显示区和围绕所述显示区的边框区；

所述有机发光显示面板还包括多个有机发光像素图案，所述有机发光像素图案均位于所述显示区；所述有机发光像素图案包括第一像素图案和第二像素图案，所述第一像素图案位于所述边框区和所述第二像素图案之间，所述第一像素图案的规格与所述第二像素图案的规格在预设的公差范围之内；

所述第一像素图案采用激光修补掩膜图案沉积形成，所述第二像素图案采用标准掩膜图案沉积形成。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述第一像素图案的轮廓线的锯齿程度大于所述第二像素图案的轮廓线的锯齿程度。

3.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述第一像素图案和所述第二像素图案的边缘区域均包括阴影区，所述第一像素图案中所述阴影区的宽度小于所述第二像素图案中所述阴影区的宽度。

4.根据权利要求3所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述第一像素图案和所述第二像素图案的横截面均呈梯形，所述第一像素图案的阴影区的坡度角和所述第二像素图案的阴影区的坡度角在预设的公差范围之内。

5.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述有机发光显示面板还包括公共有机膜层覆盖区，所述显示区位于所述公共有机膜层覆盖区中；

令同一位置处所述边框区的宽度为L1，所述显示区与所述公共有机膜层覆盖区的边缘的距离为L2，则L1和L2满足：L2/L1＜11％。

6.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述有机发光显示面板还包括电极连接区，所述显示区与所述电极连接区无交叠；

令同一位置处所述边框区的宽度为L1，所述电极连接区与所述显示区的边缘的距离为L3，则L1和L3满足：L3/L1＜17％。

7.一种有机发光显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的有机发光显示面板。

8.一种精密掩膜版，其特征在于，包括与显示区对应的蒸镀区以及围绕所述蒸镀区的非蒸镀区；

所述蒸镀区包括多个用于形成像素图案的掩膜图案；所述掩膜图案包括第一掩膜图案和第二掩膜图案，所述第一掩膜图案位于所述非蒸镀区和所述第二掩膜图案之间，所述第一掩膜图案的规格与所述第二掩膜图案的规格在预设的公差范围之内；

所述第一掩膜图案采用蚀刻工艺和激光修补工艺形成，所述第二掩膜图案采用蚀刻工艺形成。

9.根据权利要求8所述的精密掩膜版，其特征在于，所述第一掩膜图案的轮廓线的锯齿程度大于所述第二掩膜图案的轮廓线的锯齿程度。

10.根据权利要求8所述的精密掩膜版，其特征在于，所述第一掩膜图案包括多个第一开口，所述第二掩膜图案包括多个第二开口；在垂直所述精密掩膜版的表面的方向上，所述第一开口和所述第二开口的内壁均包括相互连接且倾斜角度不同的第一侧壁和第二侧壁，且所述第一侧壁的长度大于所述第二侧壁的长度；

所述第一开口中所述第一侧壁与所述精密掩膜版的表面的夹角，与所述第二开口中所述第一侧壁与所述精密掩膜版的表面的夹角在预设的公差范围之内。

11.根据权利要求10所述的精密掩膜版，其特征在于，所述第一开口中所述第一侧壁与所述精密掩膜版的表面的夹角在50°±15°的范围内。

12.根据权利要求10所述的精密掩膜版，其特征在于，所述第一开口中所述第二侧壁与所述精密掩膜版的表面垂直。

13.根据权利要求8所述的精密掩膜版，其特征在于，所述第一掩膜图案的尺寸与所述第二掩膜图案的尺寸的公差在±3μm的范围内。

14.一种精密掩膜版的制备方法，其特征在于，包括：

提供一掩膜基板；

采用光刻工艺在所述掩膜基板与显示区对应的蒸镀区蚀刻形成多个掩膜图案，所述掩膜图案用于形成像素图案；所述掩膜图案包括标准掩膜图案和异常掩膜图案，所述异常掩膜图案的规格与所述标准掩膜图案的规格在预设的公差范围之外；

采用激光蚀刻工艺对至少部分所述异常掩膜图案进行修补，形成多个激光修补掩膜图案，所述激光修补掩膜图案的规格与所述标准掩膜图案的规格在预设的公差范围之内。

15.根据权利要求14所述的精密掩膜版的制备方法，其特征在于，采用激光蚀刻工艺对至少部分所述异常掩膜图案进行修补，形成多个激光修补掩膜图案，所述激光修补掩膜图案的规格与所述标准掩膜图案的规格在预设的公差范围之内，包括：

采用激光蚀刻工艺对至少部分所述异常掩膜图案的形状、尺寸、内壁坡度角中的至少一项进行修补，形成多个激光修补掩膜图案，所述激光修补掩膜图案的形状、尺寸、内壁坡度角与所述标准掩膜图案的形状、尺寸、内壁坡度角在预设的公差范围之内。

16.根据权利要求14所述的精密掩膜版的制备方法，其特征在于，采用激光蚀刻工艺对至少部分所述异常掩膜图案进行修补，形成多个激光修补掩膜图案之前，还包括：

检测所述蒸镀区的所述掩膜图案，确定所述掩膜图案中的所述异常掩膜图案。

17.根据权利要求14所述的精密掩膜版的制备方法，其特征在于，所述蒸镀区包括中间蒸镀区以及与所述中间蒸镀区连接的边缘蒸镀区，位于所述中间蒸镀区的掩膜图案包括多个标准掩膜图案，位于所述边缘蒸镀区的掩膜图案包括多个异常掩膜图案；

采用激光蚀刻工艺对至少部分所述异常掩膜图案进行修补，形成多个激光修补掩膜图案，所述激光修补掩膜图案的规格与所述标准掩膜图案的规格在预设的公差范围之内，包括：

对所述边缘蒸镀区的所述掩膜图案采用激光蚀刻工艺进行修补，形成多个激光修补掩膜图案，以使所述边缘蒸镀区的所述掩膜图案与所述标准掩膜图案的规格在预设的公差范围之内。