CN113162578A - 滤波器、多工器以及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种滤波器、双工器、多工器以及电子设备。本发明实施例滤波器中的至少两个谐振器具有双层底电极结构，其中至少一个谐振器上的第一底电极上存在电隔离沟槽，从而使得此谐振器的第一底电极和第二底电极之间形成一个MIM电容，再通过特定的连接方式使其集成在梯型结构滤波器的特定位置，从而在不增加更多层和芯片面积的前提下实现集成电容滤波器芯片。
Description
技术领域
本发明涉及滤波器技术领域，特别地涉及一种滤波器、多工器以及电 子设备。
背景技术
近年来，随着通信市场的迅猛发展，无线通讯终端和设备不断朝着小 型化、多模-多频段的方向发展，对滤波器性能的要求也越来越高，主要体 现在更低的插入损耗、更宽的带宽、更高的带外抑制及滚降。相对带宽较 宽的滤波器设计需要机电耦合系数较高的谐振器来实现，但是高机电耦合 系数谐振器不利于实现滤波器的高滚降特性，通过在谐振器两端并联电容 或在电路中级联电容可实现滤波器滚降特性的提升，使其同时满足宽带宽高滚降的要求。
现有技术US9608595B1中所示，在声表面波谐振器的反射器两端并 联加入插指电容，形成窄带滤波器；现有技术US10476481B1中所示，利 用现有工艺层制成集成电容滤波器芯片。上述两种设计方法在版图平面结 构上加入了所述电容，占据一定的芯片面积，不利于器件的小型化设计， 在一定程度上增加了制造成本。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种滤波器、多工器以及电子设备，有助于 改善非线性性能。本发明提供如下技术方案：
一种滤波器，所述滤波器包含多个谐振器，至少两个所述谐振器的底 电极包括从下至上依次堆叠的第一底电极、隔离层和第二底电极，所述第 一底电极的边缘和所述第二底电极的边缘电连接，至少一个所述谐振器中 的所述第一底电极上具有电隔离沟槽，所述电隔离沟槽将所述第一底电极 分为第一底电极隔离岛区和第一底电极边缘区。
可选地，所述隔离层为空气腔或介质层。
可选地，所述空气腔的厚度为0.05μm至3μm。
可选地，所述空气腔的厚度为0.01μm至5μm。
可选地，所述电隔离沟槽的宽度为0.5um至15um。
可选地，所述第一底电极隔离岛区的形状与所述谐振器的有效区域形 状相同。
可选地，所述第一底电极隔离岛区的形状为圆形或多边形。
可选地，所述至少两个所述谐振器，为所述滤波器中的所有谐振器。
可选地，所述第一底电极隔离岛区通过第一金属连接过孔与衬底下方 的焊盘相连，再通过布线层和/或其他金属连接过孔连接到所述滤波器的电 路节点上。
可选地，所述滤波器包括具有所述电隔离沟槽的谐振器R1与不具有 所述电隔离沟槽的谐振器R2，其中，所述谐振器R1与所述谐振器R2通 过顶电极相互电连接，所述谐振器R1的第一底电极隔离岛区和所述谐振 器R2的第一底电极均通过第一金属连接过孔与各自的焊盘相连，再通过 布线层将两个所述焊盘相连。
可选地，具有电隔离沟槽的谐振器的数量为多个，所述多个具有电隔 离沟槽的谐振器通过顶电极相互电连接，所述多个具有电隔离沟槽的谐振 器的第一底电极隔离岛区各自通过所述第一金属连接过孔与衬底下方的 焊盘相连，再通过所述衬底下方的布线层彼此相连。
可选地，所述滤波器包括具有所述电隔离沟槽的谐振器R1与不具有 所述电隔离沟槽的谐振器R2，其中，所述谐振器R1的顶电极和所述谐振 器R2的底电极通过第二金属连接过孔相互电连接，所述谐振器R1的第一 底电极隔离岛区和所述谐振器R2的第一底电极均通过所述第一金属连接 过孔与各自的焊盘相连，然后再通过所述布线层将所述两个焊盘相连。
可选地，所述滤波器包括具有所述电隔离沟槽的谐振器R1与不具有 所述电隔离沟槽的谐振器R2，其中，所述谐振器R1的顶电极和所述谐振 器R2的顶电极通过顶电极金属层进行电连接，谐振器R1的第一底电极隔 离岛区通过第一金属连接过孔与谐振器R1的焊盘相连，在布线层设置电 感器并将其一端与谐振器R1的焊盘相连，谐振器R1和谐振器R2均通过 底电极与外电路相连，谐振器R2的焊盘与地相连。
可选地，所述滤波器包括具有所述电隔离沟槽的谐振器R1与不具有 所述电隔离沟槽的谐振器R2，其中，所述谐振器R1第二底电极和所述谐 振器R2的第二底电极通过第二底电极金属层进行电连接，所述谐振器R1 的第一底电极隔离岛区通过所述第一金属连接过孔与在所述布线层设置 的电感线圈的第一端相连，所述电感线圈的第二端接地，谐振器R1和谐 振器R2均通过顶电极金属层与外电路相连。
可选地，所述滤波器包括具有所述电隔离沟槽的谐振器R1与不具有 所述电隔离沟槽的谐振器R2，其中，所述谐振器R1的第一底电极隔离岛 区通过所述第一金属连接过孔与所述焊盘相连，通过布线层和所述第一金 属连接过孔与所述谐振器R2的第一底电极相连，从而在谐振器R1和谐振 器R2之间级联一个电容器。
一种多工器，包含本发明所述的滤波器。
一种电子设备，包含本发明所述的滤波器。
本发明中的部分或全部谐振器具有双层底电极结构，其中至少一个谐 振器上的第一底电极上存在电隔离沟槽，该电隔离沟槽将第一底电极分为 第一底电极隔离岛区和第一底电极边缘区，从而使得此谐振器的第一底电 极隔离岛区和第二底电极之间形成一个MIM电容，再通过特定的连接方 式使其集成在梯型结构滤波器的特定位置，从而在不增加更多层和芯片面 积的前提下实现集成电容滤波器芯片。具有灵活性好，生产成本低等优点。
附图说明
附图用于更好地理解本发明，不构成对本发明的不当限定。其中：
图1(a)和图1(b)分别是本发明与实施方式有关的具有电隔离沟槽的谐 振器结构俯视图和PP'剖面图；
图2(a)和图2(b)为本发明实施方式中的具有电隔离沟槽的谐振器的第 一底电极的示意图；
图3(a)、图3(b)、图3(c)分别是本发明实施方式中的第一种谐振器结 构俯视图、PP'剖面图和等效电路图；
图4(a)、图4(b)、图4(c)分别是本发明实施方式中第二种谐振器结构 俯视图、PP'剖面图和等效电路图；
图5(a)、图5(b)、图5(c)分别是本发明实施方式中第三种谐振器结构 俯视图、PP'剖面图和等效电路图；
图6(a)、图6(b)、图6(c)、图6(d)分别是本发明实施方式中第四种谐 振器结构俯视图、PP'剖面图、等效电路图和底视图；
图7(a)、图7(b)、图7(c)分别是本发明实施方式中第五种谐振器结构 俯视图、PP'剖面图和等效电路图；
图8(a)、图8(b)、图8(c)分别是本发明实施方式中第六种谐振器结构 俯视图、PP'剖面图和等效电路图；
图9(a)、图9(b)、图9(c)分别是本发明实施方式中第七种谐振器结构 俯视图、PP'剖面图和等效电路图；
图10(a)为本发明第一实施例的电路结构图，图10(b)为图10(a)对应的 插损频率特性对比示意图；
图11(a)为本发明第二实施例的电路结构图，图11(b)为图11(a)对应的 插损频率特性对比示意图；
图12(a)为本发明第三实施例的电路结构图，图12(b)为图12(a)对应的 插损频率特性对比示意图；
图13(a)为本发明第四实施例的电路结构图，图13(b)为图13(a)对应的 插损频率特性对比示意图。
其中，各个标号代表的含义如下：
20-焊盘或布线层，21-第一金属连接过孔，22-衬底，23-第一底电极， 24-隔离层，25-第二底电极，26-压电薄膜层，27-顶电极，28-电隔离沟槽， 29-顶电极连接边。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明，先将发明原理做详细阐述。
本发明实施例对于滤波器中的谐振器采用双层底电极的形式，可以是 部分谐振器采用单层底电极，部分谐振器(并且是至少两个谐振器)采用 双层底电极，也可以是所有谐振器均具有双层底电极结构，双层底电极包 括从下至上依次堆叠的第一底电极、隔离层和第二底电极，第一底电极和 第二底电极在谐振器边缘电连接。在至少一个谐振器的第一底电极上具有 电隔离沟槽，从而使得此谐振器的第一底电极和第二底电极之间形成一个金属-绝缘介质-金属MIM(Metal-Insulator-Metal)电容，再通过特定的连 接方式使其集成在梯型结构滤波器的特定位置，从而在不增加更多层和芯 片面积的前提下实现集成电容滤波器芯片。
图1(a)和图1(b)分别是本发明实施方式中的第一种谐振器结构俯视图 和PP'剖面图。如图所示，滤波器包括两个谐振器R1和R2，二者均采用 双层底电极谐振器设计，即谐振器的底电极包括从下至上依次堆叠的第一 底电极、隔离层和第二底电极，第一底电极和第二底电极在谐振器的边缘 电连接，第一底电极与穿过衬底的电连接第一金属连接过孔的一端相连， 第一金属连接过孔另一端与位于衬底下方的焊盘相连。其中，左侧的谐振 器R1中第一底电极23中设置电隔离沟槽，该电隔离沟槽将第一底电极分 为第一底电极隔离岛区和第一底电极边缘区；图中右侧的谐振器R2的第 一底电极23中无电隔离沟槽。由于R1中设置电隔离沟槽形成了第一底电 极隔离岛区，因此R1中的第一底电极隔离岛区和第二底电极25之间形成 一个MIM电容，该电容的电容值的大小与被隔离的第一底电极隔离岛区与第二底电极的正对面积以及隔离层的材料和厚度有关。该电容通过特定 的连接方式使其集成在滤波器的特定位置，能够在不增加更多层和芯片面 积的前提下实现滤波器性能的提升。隔离层厚度为t，隔离层材料的相对 介电常数为εr，第一底电极隔离岛区与第二底电极的正对面积S，则MIM 电容的电容值C＝ε0×εr×S/t。
本发明实施方式的滤波器可以为梯形结构滤波器，包含多个串联谐振 器和多个并联谐振器，串联谐振器相互连接在输入端口和输出端口之间， 并联支路连接于串联支路的某一个节点和地之间。
本发明实施方式的滤波器，隔离层为空气腔或介质层。当隔离层为空 气腔时，不仅起隔离功效还起到了声学镜功效。空气腔的厚度可以为 0.01μm至5μm。进一步可选地，空气腔的厚度为0.05μm至3μm。从而实 现理想的可选电容范围。
本发明实施方式的滤波器，第一底电极隔离区的形状与谐振器的有效 区域形状相同。具有电隔离沟槽的第一底电极可以如图2(a)或图2(b)所示。 其中21为第一金属连接过孔，50所示的第一底电极隔离岛区不与第二底 电极电连接，51所示的第一底电极边缘区与第二底电极电连接。如图所示， 第一底电极隔离岛区50的形状可以为圆形或多边形部分。此外，第一底 电极隔离岛区50也可以为其他任意形状。改变电隔离沟槽的位置或者宽度，能够影响到第一底电极隔离岛区的面积，从而影响第一底电极隔离岛 区与第二底电极的正对面积S改变，最终MIM电容就会随之变化。
本发明实施方式的滤波器中，具有电隔离沟槽的谐振器中对应的MIM 电容通过特定的连接方式使其集成在滤波器的特定位置，下面列举多个具 体例子进行详细说明。
图3(a)、图3(b)、图3(c)分别是本发明实施方式中的第一种谐振器结 构俯视图、PP'剖面图和等效电路图。如图所示，R1为具有电隔离沟槽的 谐振器，R2为无电隔离沟槽的谐振器。谐振器R1和谐振器R2通过顶电 极相互电连接，谐振器R1的第一底电极隔离岛区和谐振器R2的第一底电 极均通过第一金属连接过孔与焊盘相连，然后再通过衬底下方的布线层将 上述两个焊盘相连。由于焊盘与布线层均为导体材料，故图中绘为一体， 未单独绘出两个焊盘和布线层，本文其他实施方式中若有类似情形不再赘 述。谐振器R1和谐振器R2均通过底电极与外电路相连接，从而在谐振器 R1和谐振器R2之间形成一个并联电容，并联电容值的大小与第一底电极 隔离岛区与第二底电极的正对面积以及空腔的高度有关。
图4(a)、图4(b)、图4(c)分别是本发明实施方式中第二种谐振器结构 俯视图、PP'剖面图和等效电路图。如图所示，R1和R2均为具有电隔离 沟槽的谐振器。谐振器R1和谐振器R2通过顶电极相互电连接，谐振器 R1和谐振器R2的第一底电极隔离岛区均通过第一金属连接过孔与焊盘相 连，然后再通过布线层将上述两个焊盘相连，从而在谐振器R1和谐振器 R2之间并联形成两个相互级联的电容，电容的大小与第一底电极隔离岛 区与第二底电极的正对面积以及空腔的高度有关。
图5(a)、图5(b)、图5(c)分别是本发明实施方式中第三种谐振器结构 俯视图、PP'剖面图、等效电路图。R1为具有电隔离沟槽的谐振器，R2为 无电隔离沟槽的谐振器。谐振器R1顶电极和谐振器R2的底电极通过第二 金属连接过孔30相互电连接，谐振器R1的第一底电极隔离岛区和谐振器 R2的第一底电极均通过第一金属连接过孔与各自的焊盘相连，然后再通 过布线层将上述两个焊盘相连，这样就会在谐振器R1两端并联形成一个 电容，电容的大小与第一底电极隔离岛区与第二底电极的正对面积以及空 腔的高度有关。
图6(a)、图6(b)、图6(c)、图6(d)分别是本发明实施方式中第四种谐 振器结构俯视图、PP'剖面图、等效电路图和底视图。如图所示，谐振器 R1的顶电极和谐振器R2的顶电极通过顶电极金属层进行电连接，谐振器 R1的第一底电极隔离岛区通过其第一金属连接过孔与谐振器R1的焊盘相 连，在布线层设置电感器并将其一端与谐振器R1的焊盘相连，谐振器R1 和谐振器R2均通过底电极与外电路相连。如图6(d)所示，谐振器R1的焊 盘P1与谐振器R1下方的第一金属连接过孔相连，谐振器R2的焊盘P2 与地相连。从而在谐振器R1的底电极一端(谐振器R1的左侧)形成一个 串联LC谐振器电路，电容的电容值的大小与谐振器R1的第一底电极与 第二底电极的正对面积以及空腔的高度有关，串联LC谐振电路的谐振频 点由上述电感的电感值和上述电容值决定。该实施例的滤波器的串联路径 的某一个节点与地之间加入一串联LC谐振电路。
图7(a)、图7(b)、图7(c)分别是本发明实施方式中第五种谐振器结构 俯视图、PP'剖面图和等效电路图。如图所示，R1为具有电隔离沟槽的谐 振器，R2为无电隔离沟槽的谐振器。谐振器R1第二底电极和谐振器R2 的第二底电极通过第二底电极金属层进行电连接，谐振器R1的第一底电 极隔离岛区通过第一金属连接过孔与在布线层设置的电感线圈的第一端 (焊盘P1端)相连，电感线圈的第二端(焊盘P2端)接地，谐振器R1 和谐振器R2均通过顶电极金属层与外电路相连，从而在谐振器R1和谐振 器R2之间的节点到地形成一个串联LC谐振电路，电容的大小与谐振器 R1的第一底电极隔离岛区与第二底电极的正对面积以及空腔的高度有关， 串联LC谐振电路的谐振频点由上述电感的电感值和上述电容值决定。
图8(a)、图8(b)、图8(c)分别是本发明实施方式中第六种谐振器结构 俯视图、PP'剖面图和等效电路图。如图所示，R1为具有电隔离沟槽的谐 振器，R2为无电隔离沟槽的谐振器。谐振器R1的第一底电极隔离岛区通 过第一金属连接过孔与焊盘相连，通过布线层和第一金属连接过孔与谐振 器R2的第一底电极相连，从而在谐振器R1和谐振器R2之间级联一个电 容器，电容的大小与第一底电极隔离岛区与第二底电极的正对面积以及空 腔的高度有关。
图9(a)、图9(b)、图9(c)分别是本发明实施方式中第七种谐振器结构 俯视图、PP'剖面图和等效电路图。本发明所述实施例中没有设置第一金属 连接过孔的谐振器R3均可设置为图中所示的具有单层底电极的谐振器结 构。该实施例示例性地说明了滤波器中并非所有谐振器都采用双层底电极 的情况。另外单层底电极下方的空气腔也可省略。
本发明实施方式的滤波器可以在不增加芯片面积的前提下，实现滤波 器远带抑制特性的改善。下面结合实验测试进行说明。各实施例电路结构 只是示例性说明，具体结构(包括阶数、谐振器拆分形式、并联支路合地 方式以及匹配网络结构等)不做限定。
对比测试1
图10(a)为本发明第一实施例的电路结构图，图10(b)为图11(a)对应的 插损频率特性对比示意图。
图10(a)中，串联谐振器Se_1～Se_3、并联谐振器Sh_1～Sh_4组成的梯 型结构滤波器。T1为信号输入端口，T2为信号输出端口，L1和L2为输 入端串联电感和输出端串联电感，L3和L4为并联支路接地电感。本发明 第一实施例中，在此电路结构在串联谐振器Se_2两端集成一个并联电容。 具体可以采用图5(a)至图5(c)所示的方式来集成该电容。第一对比例不采 用集成并联电容结构，除此之外第一对比例的拓扑结构与第一实施例相同。
图10(b)中，以通带为2515MHz-2675MHz(相对带宽6.16％)的滤波 器为例，粗实线为本发明第一实施例插损频率特性曲线，细实线为第一对 比例插损频率特性曲线，由于第一实施例采用了集成并联电容结构，等效 串联支路中谐振器Se_2两端并联一个电容，从而使得其等效机电耦合系 数变小，从而可以使得滤波器通带右侧的滚降特性得到有效改善。
另外，若在串联支路中应用图3(a)至图3(c)所示结构、图4(a)至图4(c) 所示结构或图8(a)至图8(c)所示结构，也能实现类似的器件性能改善效果。
对比测试2
图11(a)为本发明第二实施例的电路结构图，图11(b)为图11(a)对应的 插损频率特性对比示意图。
图11(a)中，串联谐振器Se_1～Se_3、并联谐振器Sh_1～Sh_5组成的梯 型结构压电滤波器。T1为信号输入端口，T2为信号输出端口，L1和L2 为输入端串联电感和输出端串联电感，L3和L4为并联支路接地电感。此 电路结构并联谐振器Sh_4和并联谐振器Sh_5相互串联形成滤波器的一个 并联支路，并且第二实施例中，同样集成了电容，具体可以采用如图4(a) 至图4(c)所示的方式，从而在并联谐振器Sh_4和并联谐振器Sh_5两端并 联形成两个相互串联的电容。
图11(b)中，以通带为2515MHz-2675MHz(相对带宽6.16％)的滤波 器为例，粗实线为本发明第二实施例插损频率特性曲线，细实线为第一对 比例插损频率特性曲线，由于第二实施例中等效第四并联支路中谐振器 Sh_4和谐振器Sh_5两端并联一个电容，从而使得所述并联支路的等效机 电耦合系数变小，从而可以使得滤波器通带右侧的滚降特性得到有效改善。
另外，若在串联支路中应用图3(a)至图3(c)所示结构、图5(a)至图5(c) 所示结构或图8(a)至图8(c)所示结构，也能实现类似的器件性能改善效果。
对比测试3
图12(a)为本发明第三实施例的电路结构图，图12(b)为图12(a)对应的 插损频率特性对比示意图。
图12(a)中，串联谐振器Se_1～Se_3、并联谐振器Sh_1～Sh_4组成的梯 型结构压电滤波器。T1为信号输入端口，T2为信号输出端口，L1和L2 为输入端串联电感和输出端串联电感，L3和L4为并联支路接地电感。串 联谐振器Se_4第二底电极与串联谐振器Se_3底电极相连，串联谐振器 Se_4被隔离的部分第一底电极通过第一金属连接过孔和布线层与靠近信 号输入端口的并联支路相连，从而在靠近信号输出端的串联谐振器Se_4 与靠近信号输入端口的并联支路之间形成一个交耦电容，有利于改善滤波 器的进阻带抑制特性。第二对比例相对于第三实施例，串联谐振器se4无 电隔离沟槽，且其第一底电极与并联谐振器sh2无电连接。
图12(b)中，粗实线为本发明第三实施例插损频率特性曲线，细实线 为第二对比例插损频率特性曲线。如图12(b)所示，相对于第二对比例， 第三实施例的进阻带抑制明显提升，高频端特别是在N79 (4400MHz-5000MHz)频段的带外抑制提升15dB左右。
对比测试4
图13(a)为本发明第四实施例的电路结构图，图13(b)为图13(a)对应的 插损频率特性对比示意图。
图13(a)中，串联谐振器Se_1～Se_4、并联谐振器Sh_1～Sh_4组成的梯 型结构压电滤波器。T1为信号输入端口，T2为信号输出端口，L1和L2 为输入端串联电感和输出端串联电感，L3和L4为并联支路接地电感。第 四实施例中，对于此电路结构，在串联谐振器Se_3和串联谐振器Se_4之 间的节点到地形成一个串联LC谐振电路，即采用如图6(a)至图6(d)中所 示的本发明集成LC串联谐振电路结构。第三对比例除了无LC串联谐振 电路外，其他与第四实施例拓扑结构相同。
图13(b)中，粗实线为本发明第四实施例电路的插损频率特性曲线， 细实线为本发明第三对比例电路的插损频率特性曲线。由于第四实施例中 加入了图6(a)至图6(d)所示的结构，等效串联谐振器Se_3和串联谐振器 Se_4之间的节点到地形成一个串联LC谐振电路，串联LC电路的谐振频 点设置在9GHz附近。相对于第四对比例，第四实施例所述结构滤波器在 8GHz-10GHz频段滤波器的带外抑制特性有不同程度提升，在9GHz频点 带外抑制提升可达到20dB左右。
综上所述，本发明实施方式的滤波器中的谐振器利用现有薄膜体声波 谐振器制造工艺，在不增加多余层的前提下实现薄膜体声波滤波器集成电 容电感，改善滤波器的滚降及带外抑制特性；该设计不会增加芯片面积， 增加了设计灵活性，减少了芯片尺寸，降低了生产成本。
本发明实施例的双工器、多工器及电子设备，包括本发明实施例的滤 波器。
本发明涉及的结构的材料选择范围如下：
20：为衬底下方金属层，可进行布线或实现信号线焊盘，材料可选金、 铝、镁、钨、铜、钛、铱、锇、铬或以上金属的合金等。
21：第一金属连接过孔，材料可选金、铝、镁、钨、铜等金属。
22：衬底，可选材料为单晶硅、砷化镓、蓝宝石、石英等。
23：第一底电极，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜、钛、铱、 锇、铬等金属。
24：声学镜，此图示意为一空腔。此空腔高度在0.05um至3um之间。
25：第二底电极，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜、钛、铱、 锇、铬等金属。
26：压电薄膜层，可选单晶氮化铝，多晶氮化铝、氧化锌，PZT等材 料并包含上述材料的一定原子比的稀土元素掺杂材料。
27：顶电极，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、 铬等金属，顶电极包含质量负载层。
28：电隔离沟槽。
29：顶电极连接边，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、 锇、铬等金属。
上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术 人员应该明白的是，取决于设计要求和其他因素，可以发生各种各样的修 改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、 等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。
Claims (17)
1.一种滤波器，所述滤波器包含多个谐振器，其特征在于，至少两个所述谐振器的底电极包括从下至上依次堆叠的第一底电极、隔离层和第二底电极，所述第一底电极的边缘和所述第二底电极的边缘电连接，至少一个所述谐振器中的所述第一底电极上具有电隔离沟槽，所述电隔离沟槽将所述第一底电极分为第一底电极隔离岛区和第一底电极边缘区。
2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述隔离层为空气腔或介质层。
3.根据权利要求2所述的滤波器，其特征在于，所述空气腔的厚度为0.05μm至3μm。
4.根据权利要求2所述的滤波器，其特征在于，所述空气腔的厚度为0.01μm至5μm。
5.根据权利要求2所述的滤波器，其特征在于，所述电隔离沟槽的宽度为0.5um至15um。
6.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述第一底电极隔离岛区的形状与所述谐振器的有效区域形状相同。
7.根据权利要求6所述的滤波器，其特征在于，所述第一底电极隔离岛区的形状为圆形或多边形。
8.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述至少两个所述谐振器，为所述滤波器中的所有谐振器。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的滤波器，其特征在于，所述第一底电极隔离岛区通过第一金属连接过孔与衬底下方的焊盘相连，再通过布线层和/或其他金属连接过孔连接到所述滤波器的电路节点上。
10.根据权利要求9所述的滤波器，其特征在于，所述滤波器包括具有所述电隔离沟槽的谐振器R1与不具有所述电隔离沟槽的谐振器R2，其中，所述谐振器R1与所述谐振器R2通过顶电极相互电连接，所述谐振器R1的第一底电极隔离岛区和所述谐振器R2的第一底电极均通过第一金属连接过孔与各自的焊盘相连，再通过布线层将两个所述焊盘相连。
11.根据权利要求9所述的滤波器，其特征在于，具有电隔离沟槽的谐振器的数量为多个，所述多个具有电隔离沟槽的谐振器通过顶电极相互电连接，所述多个具有电隔离沟槽的谐振器的第一底电极隔离岛区各自通过所述第一金属连接过孔与衬底下方的焊盘相连，再通过所述衬底下方的布线层彼此相连。
12.根据权利要求9所述的滤波器，其特征在于，所述滤波器包括具有所述电隔离沟槽的谐振器R1与不具有所述电隔离沟槽的谐振器R2，其中，所述谐振器R1的顶电极和所述谐振器R2的底电极通过第二金属连接过孔相互电连接，所述谐振器R1的第一底电极隔离岛区和所述谐振器R2的第一底电极均通过所述第一金属连接过孔与各自的焊盘相连，然后再通过所述布线层将所述两个焊盘相连。
13.根据权利要求9所述的滤波器，其特征在于，所述滤波器包括具有所述电隔离沟槽的谐振器R1与不具有所述电隔离沟槽的谐振器R2，其中，所述谐振器R1的顶电极和所述谐振器R2的顶电极通过顶电极金属层进行电连接，谐振器R1的第一底电极隔离岛区通过第一金属连接过孔与谐振器R1的焊盘相连，在布线层设置电感器并将其一端与谐振器R1的焊盘相连，谐振器R1和谐振器R2均通过底电极与外电路相连，谐振器R2的焊盘与地相连。
14.根据权利要求9所述的滤波器，其特征在于，所述滤波器包括具有所述电隔离沟槽的谐振器R1与不具有所述电隔离沟槽的谐振器R2，其中，所述谐振器R1第二底电极和所述谐振器R2的第二底电极通过第二底电极金属层进行电连接，所述谐振器R1的第一底电极隔离岛区通过所述第一金属连接过孔与在所述布线层设置的电感线圈的第一端相连，所述电感线圈的第二端接地，谐振器R1和谐振器R2均通过顶电极金属层与外电路相连。
15.根据权利要求9所述的滤波器，其特征在于，所述滤波器包括具有所述电隔离沟槽的谐振器R1与不具有所述电隔离沟槽的谐振器R2，其中，所述谐振器R1的第一底电极隔离岛区通过所述第一金属连接过孔与所述焊盘相连，通过布线层和所述第一金属连接过孔与所述谐振器R2的第一底电极相连，从而在谐振器R1和谐振器R2之间级联一个电容器。
16.一种多工器，其特征在于，包含权利要求1至15中任一项所述的滤波器。
17.一种电子设备，其特征在于，包含权利要求1至15中任一项所述的滤波器。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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| PP01 | Preservation of patent right |
Effective date of registration: 20240130 Granted publication date: 20230407 |
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