CN113156689B - 阵列基板、显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置，该阵列基板包括衬底基板、薄膜晶体管层、彩膜层；彩膜层位于薄膜晶体管层远离衬底基板的一侧；彩膜层至少包括多个第一颜色色阻、多个第二颜色色阻、多个第三颜色色阻；沿第一方向，第一颜色色阻的厚度、第二颜色色阻的厚度和第三颜色色阻的厚度中的至少两者不相等；第一方向为阵列基板的出光方向；本发明实施例能够通过补偿色阻厚度改善因高温烘烤引发的色度偏移问题，且依照不同颜色色阻色度偏移程度不均衡情况，设置不同的色阻厚度进行差异化调节，进而实现显示效果均一性改善。

Description

阵列基板、显示面板和显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，功能先进的显示面板渐成为现今消费电子产品的重要特色，其中液晶显示面板已经逐渐成为各种电子设备如行动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本计算机屏幕所广泛应用具有高分辨率彩色屏幕的显示面板。

现有技术中，如图1所示，液晶显示面板01通常包括阵列基板001’和彩膜基板002’；彩膜层05’和遮光层06’设置在彩膜基板002’上，开关器件02’、金属走线04’、像素电极08’和公共电极07’等设置在阵列基板001’上，如此设置，在阵列基板001’和彩膜基板002’对位贴合时，对位精度不准会造成显示画面异常。

Color on array(COA)技术是一种将彩膜层制作在阵列基板上的技术，该技术能够有效消除彩膜层制作在彩膜基板上时，彩膜基板与阵列基板对盒时产生的偏差；特别的是，当将该种结构的面板应用在曲面屏时，能有效改善因阵列基板中的金属层暴露在彩膜基板上黑矩阵限定的开口区内而出现的金属漏光现象。

但是，由于阵列基板上还设置有诸多的开关器件层、电路传输层、以及电极电压层等，COA技术中在RGB色阻制程完成后，还需经过PLN/ITO/PV等多道高温加热制程，色阻在经过烘烤等高温制程后，色度会产生一定的偏移，且不同颜色的色组的偏移程度不均一，最终影响显示效果。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板、显示面板和显示装置，以解决现有技术 COA阵列基板中彩色色阻因多次高温制程造成的色偏技术问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板、薄膜晶体管层、彩膜层；所述彩膜层位于所述薄膜晶体管层远离所述衬底基板的一侧；所述彩膜层至少包括多个第一颜色色阻、多个第二颜色色阻、多个第三颜色色阻；沿第一方向，所述第一颜色色阻的厚度、第二颜色色阻的厚度和第三颜色色阻的厚度中的至少两者不相等；所述第一方向为所述阵列基板的出光方向。

第二方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括上述第一方面的阵列基板；与所述阵列基板相对设置的对置基板；以及位于所述阵列基板与所述对置基板之间的液晶层。

第三方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括上述显示面板。

本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置，该阵列基板包括衬底基板、薄膜晶体管层和彩膜层，彩膜层位于薄膜晶体管层远离衬底基板的一侧；本案通过将彩膜层集成在阵列基板上，能有效改善现有技术中彩膜基板与阵列基板的对位问题，可以降低显示面板制备过程中对盒制程的难度，避免了对盒时的误差。特别的是，当将本发明中的阵列基板应用在曲面屏时，也能显著改善现有技术中向薄膜晶体管传输控制信号的栅极线、数据线等金属层暴露在彩膜基板上黑矩阵限定的开口区内而出现的金属漏光现象。

此外，彩膜层包括多个第一颜色色阻、多个第二颜色色阻、多个第三颜色色阻，在沿阵列基板出光方向上，第一颜色色阻的厚度、第二颜色色阻的厚度和第三颜色色阻的厚度中的至少两者不相等。在COA阵列基板中，除上述提到的彩膜层和薄膜晶体管层之外，通常还会设置像素电极层、公共电极层、触控电极层、金属走线层以及位于上述任两相邻导电膜层之间的无机绝缘层或有机绝缘层；而在考虑对液晶驱动效率、触控灵敏性等性能考虑的情况下，这些膜层通常会设置在彩膜层远离薄膜晶体管层的一侧，也即其制作步骤位于彩膜层之后；上述每道工艺过程几乎都会经历高温烘烤，每一次的高温烘烤对其下方彩膜层色阻的色度造成影响，且多次高温烘烤的色度影响效果会累积，最终形成较为严重的色度偏移现象；并且，对不同颜色的彩色色阻而言，其高温烘烤造成的色度偏移严重程度不均一。实验研究表明，通过补偿色阻厚度能够有效改善因高温烘烤引发的色度偏移问题，且依照不同颜色色阻色度偏移程度不均衡情况，设置不同的色阻厚度进行差异化调节，进而实现显示效果均一性改善；

附图说明

图1为现有技术中一种显示面板的膜层结构示意图；

图2为现有技术中一种COA阵列基板的膜层结构示意图；

图2a为图2中红色色阻经过9次高温烘烤色偏模拟情况；

图2b为图2中绿色色阻经过9次高温烘烤色偏模拟情况；

图2c为图2中蓝色色阻经过9次高温烘烤色偏模拟情况；

图3是本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；

图4是图3中沿A-A’方向的一种剖面结构示意图；

图5是图3中沿A-A’方向的又一种剖面结构示意图；

图6是图5中平坦化层和彩膜层的一种相对位置结构示意图；

图7是图3中沿A-A’方向的又一种剖面结构示意图；

图8是图7中平坦化层和彩膜层的一种相对位置结构示意图；

图9是图3中沿A-A’方向的又一种剖面结构示意图；

图10是图9中平坦化层和彩膜层的一种相对位置结构示意图；

图11是图9中平坦化层和彩膜层的又一种相对位置结构示意图；

图12是本发明实施例提供的一种显示面板的膜层结构示意图；

图13是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。

应当理解，尽管在本发明实施例中可能采用术语第一、第二来描述绝缘层、遮光部，但这些绝缘层、遮光部不应限于这些术语。这些术语仅用来将绝缘层、遮光部彼此区分开。例如，在不脱离本发明实施例范围的情况下，第一绝缘层也可以被称为第二绝缘层，类似地，第二绝缘层也可以被称为第一绝缘层。

图2为现有技术中一种COA阵列基板的膜层结构示意图。如图2所示，在 COA阵列基板001中，包括衬底基板01、开关器件02、彩膜03(包括RGB色阻031/032/033)，RGB色阻厚度基本相当；目前彩膜材料的耐受温度通常小于 250℃，但在低温多晶硅阵列基板的薄膜晶体管工艺制程中，有源层的工艺温度需求在500℃～600℃左右；即便是温度较低的源漏极层形成工艺，温度也需要 300℃～400℃，上述高温均大于彩膜层色阻的耐受极限，通过将彩膜层设置于于薄膜晶体管层远离衬底基板的一侧，薄膜晶体管层的高温工艺流程均在形成彩膜之前进行，一定程度提高了彩膜层设置在阵列基板上的可靠性。

但除上述提到的彩膜03和开关器件02之外，通常还会设置平坦化层PLN 04、金属走线M 07、公共电极ITO 06、像素电极ITO 08，以及位于上述金属层之间的绝缘层PV1/PV2。由此可见，在彩膜制程完成之后，还会经历还需经过 PLN/M/PV1/ITO1/PV2/ITO2/BM等多道高温烘烤制程工序，彩膜色阻在经过烘烤oven等高温制程后，色度会产生一定的偏移，且多次Oven高温烘烤后会导致色度偏移不断累积，最终导致偏移量较RGB制程完成时偏移较大。

以现有技术2中COA阵列基板001制程工艺为例，在RGB色阻制程完成后还需经过PLN/M3/PV1/ITO1/PV2/ITO2/PI/PA/ODF等9道制程，为验证多道高温烘烤对RGB色阻色偏程度的影响，通过实验模拟了9次230℃高温烘烤之后，色阻的色偏程度和不同颜色色阻色偏的差异性。请参见下图2a/2b/2c/2d；图2a为图2中红色R色阻经过9次高温烘烤色偏模拟情况；图2b为图2中绿色G色阻经过9次高温烘烤色偏模拟情况；图2c为图2中蓝色B色阻经过9次高温烘烤色偏模拟情况；请参照图2a/2b/2c可知，R色阻第1次与第9次 Rx差异-0.004，Ry差异0.0015；G色阻第1次与第9次Gx差异0.002，Gy差异-0.004；B色阻第1次与第9次Bx差异-0.0015，By差异0.008；相对于Inline 色度监控公差±0.005，上述数据显示，Rx，Gy，Bx的色偏Color shift影响较大；且上述实验结果表明，不同颜色的色组的色偏偏移程度不均一，最终影响显示效果。

为解决上述问题，本发明实施例提供了一种阵列基板，如图3和图4所示，图3是本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；图4是图3中沿 A-A’方向的一种剖面结构示意图；结合图3和图4所示，阵列基板100包括衬底基板10、薄膜晶体管层20、彩膜层30；彩膜层30位于薄膜晶体管层20远离衬底基板10的一侧；彩膜层30至少包括多个第一颜色色阻301、多个第二颜色色阻302、多个第三颜色色阻303；沿第一方向，第一颜色色阻301的厚度、第二颜色色阻302的厚度和第三颜色色阻303的厚度中的至少两者不相等；第一方向为阵列基板的出光方向。

需要说明的是，本申请实施例中所描述的第一颜色色阻301厚度实际包括现有技术中COA阵列基板中相同颜色色阻的本体厚度以及按照色偏模拟数据增加的补偿厚度、第二颜色色阻302厚度实际包括现有技术中COA阵列基板中相同颜色色阻的本体厚度以及按照色偏模拟数据增加的补偿厚度、第三颜色色阻303的厚度实际包括现有技术中COA阵列基板中相同颜色色阻的本体厚度以及按照色偏模拟数据增加的补偿厚度。本申请不对各颜色色阻的本体厚度和补偿厚度的尺寸分别做绝对限制，只要实际产品中呈现的各种颜色色阻的整体厚度满足本申请实施例要求的关系，均属于本申请的保护范围。

示例性地，请继续参见图3和图4，本申请实施例中的阵列基板100的彩膜层30包括多个第一颜色色阻301、多个第二颜色色阻302、多个第三颜色色阻303；沿第一方向，第一颜色色阻301的厚度、第二颜色色阻302的厚度和第三颜色色阻303的厚度中的三者均不相等；第一方向为阵列基板的出光方向。本申请实施例通过增加部分色阻的厚度能够有效改善因高温烘烤引发的色度偏移问题；且鉴于不同颜色色阻耐受高温烘烤程度的差异，按照不同颜色色阻色度偏移程度不均衡情况，设置不同的色阻厚度进行差异化调节，进而实现显示效果均一性改善。

需要说明的是，图3和图4所示的阵列基板100中仅示出了彩膜层30包含三种颜色色组的情形，在实际产品中，上述阵列基板100还可包括更多颜色种类的彩色色阻，本申请不对此进行限制。此外，上述图3和图4仅示例示出了阵列基板100的部分膜层结构，不构成对实际产品中阵列基板100膜层结构的限制，例如阵列基板100还包括数据线和栅极线，数据线与薄膜晶体管层20中的薄膜晶体管201的源极或漏极电联接并将相应的数据信号传输至薄膜晶体管，并进而传输到像素电极上，栅极线与与薄膜晶体管201的栅极电联接并用于传输栅极驱动信号，图4所示的栅极为底栅型，但在其他实施例中也可为顶栅型，本申请的实施例不对栅极的位置关系进行限定。

可选地，参见图4，本申请实施例提供的阵列基板100还包括平坦化层40，平坦化层40位于彩膜层30远离衬底基板10一侧。

示例性地，请继续参见上述图4，阵列基板100还包括平坦化层40，平坦化层40位于彩膜层30远离衬底基板10一侧，也即更靠近阵列基板100出光面的位置，制程设置在彩膜层30之后；由于本申请实施例中彩膜层30的各类颜色色阻301/302/303在靠近阵列基板100出光面一侧的高度不等，当将平坦化层 40设置彩膜层30上方，可以平坦由上述色阻301/302/303设置厚度不等造成的色阻面不平整性，这样，如果后续工艺步骤中需要制作金属导电走线时，可以降低断线风险，提升产品良率。

可选地，请继续参见图3和图4，阵列基板100还包括第一导电层60和第二导电层80以及位于两者之间的第一无机绝缘层91，第一导电层60和/或第二导电层80位于彩膜层30远离衬底基板10一侧。

示例性地，参见图4，第一导电层60位于彩膜层30远离衬底基板10一侧，第一导电层60包括多个第一电极601；第一电极601可以为公共电极或像素电极，第二导电层80位于第一导电层60远离彩膜层30的一侧，第二导电层80 包括多个第二电极801，第二电极801可以为像素电极或公共电极；以第一电极601为公共电极，第二电极801为像素电极例；当将该阵列基板100应用于显示面板中时，若像素电极801接收到相应的数据信号，则像素电极801可与公共电极601形成面内场，以驱动显示面板中的液晶分子扭转，使得光线透过该像素电极601所在像素，控制像素进行显示。有上述分析可知，由于第一电极601与第二电极601之间形成的电场用于驱动液晶扭转进行显示，因此该电场距离其待驱动物质液晶的距离应尽量靠近，以此提升电场的驱动效率和显示性能，因此将第一导电层60和第二导电层80设置在彩膜层30远离衬底基板 10一侧时，可以实现第一导电层60和第二导电层80更为靠近液晶层，提升第一导电层60和第二导电层80中驱动电极的工作性能和效率。此外，为避免第一导电层60和第二导电层80之间出现电联接，造成驱动信号干扰或混乱，通常会在第一导电层60和第二导电层80之间设置具有电性绝缘的第一无机绝缘层91。

可选地，请继续参见图4，本申请实施例中的阵列基板100还可包括第三金属层70和第二无机绝缘层90，第三金属层70位于彩膜层30远离衬底基板 10一侧，第二无机绝缘，90位于第三金属层70靠近第一导电层60一侧，第三金属层70与第一导电层70电联接。

示例性地，请继续参见图3和图4，阵列基板100还包括第三金属层70，第三金属层70，第三金属层70包括多条第三金属线701；对于集成有触控功能的阵列基板而言，其公共电极通常可以复用为触控电极，当第一导电层60为公共电极层时，通过将第三金属层70中的第三金属线701与公共电极层60中的第一电极601电联接，可以将IC发出的触控信号传输至第一电极601，实现集成触控功能，如此设计，可以省去触控电极层的制程，节省工艺的同时还能实现最终显示装置的轻薄化。当第一电极601复用为触控电极时，由于第三金属线701需要向第一电极601传输触控信号，因此第三金属线701的结构稳定性对触控功能稳定至关重要，当将第三金属线701紧邻第一导电层60设置时，第三金属线701通过过孔与第一导电层60连接的工艺难度降低，同时两膜层之间的距离较短，第三金属线701断线的风险较小，提升集成触控显示面板的触控功能可靠性。此外，为避免第三金属层70和第一导电层60之间出现电联接，造成驱动信号干扰或混乱，通常会在第三金属层70和第一导电层60之间设置具有电性绝缘的第二无机绝缘层90。

此外，还需要说明的是，本申请实施例中阵列基板100还可以包括有遮光层50；遮光层50用于遮挡阵列基板100中的金属走线701进行遮挡，并对像素开口区域2进行实际限定，当将遮光层50也设置在阵列基板100上时，能够提高遮光层50与金属走线701之间的对位稳定性，一定程度上降低金属走线暴露在开口区域2的风险，对金属漏光现象进行改善。

可选地，本申请实施例提供的阵列基板100中的第一颜色色阻、第二颜色色阻、第三颜色色阻可分别为红色色阻、蓝色色阻、绿色色阻；沿第一方向，红色色阻厚度为D_R、蓝色色阻厚度为D_B、绿色色阻厚度为D_G，其中D_B＞D_G， D_B＞D_R。

示例性地，请继续参见图4，阵列基板100包括第一颜色色阻301、第二颜色色阻302和第三颜色色阻303，其中第一颜色色阻301位红色色阻，第二颜色色阻302为绿色色阻B，第三颜色色阻303为蓝色色阻，红绿蓝/RGB作为三元色可混合出多彩色，满足色彩显示的需求；按照现有技术中COA阵列基板的制程烘烤模拟色偏数据显示，在相同色阻厚度下，蓝色色阻B受多次高温烘烤的色偏程度大于红色色阻R和绿色色阻G。因此在包含有RGB色阻的COA 阵列基板中，通过设置蓝色色阻的厚度D_B分别大于红色色阻厚度为D_R和绿色色阻的厚度D_G，可以有效改善COA阵列基板制程经过多次高温烘烤出现的偏红或偏绿的色偏问题，有效改善显示效果。

需要说明的是，图4仅示例性的以RGB作为三原色作为示例，在实际工艺中，色阻的颜色可不局限为上述三种，也可能包含黄色色阻、白色色阻等，同时，不同颜色色阻之间的排布关系也可按需设计，上述示例不构成对实际阵列基板100中色阻颜色种类、数量以及色阻之间的排布关系进行限定，只要满足上述色阻厚度关系的产品均属于本申请的保护范围。

进一步可选地，可设置蓝色色阻的厚度D_B与红色色阻厚度为D_R及与绿色色阻的厚度关系为：D_B-D_G≥0.15um，D_B-D_R≥0.15um。

对现有设计的COA阵列基板而言，其蓝色色阻、红色色阻、绿色色阻的厚度基本相当，大体在0.25um左右；按照现有COA阵列基板在彩膜层制程后还需要经过9道高温烘烤程序考量，通过蓝色色阻、红色色阻、绿色色阻的厚度设置满足D_B-D_G＝0.15um，D_B-D_R＝0.15um即可改善高温烘烤造成色偏现象。

需要说明的是，鉴于现有显示面板朝向高度集成化方向发展，指纹识别、环境监测等功能也会逐渐集成到显示面板中，因此，COA阵列基板中的膜层数量也可能越来越多，鉴于蓝色色阻、红色色阻、绿色色阻耐受高温烘烤的程度不同，其差异化设计要就更高，如此设计色阻厚度关系满足下述公式 D_B-D_G＞0.15um，D_B-D_R＞0.15um，能够满足高集成化显示面板中色偏效果的改善，提升显示效果。

可选地，图5是图3中沿A-A’方向的又一种剖面结构示意图；图6是图5 中平坦化层和彩膜层的一种相对位置结构示意图；参见图3、图5和图6，本申请实施例提供的一种阵列基板100还包括第一平坦化层401，第一平坦化层401 位于彩膜层30靠近衬底基板10一侧；第一平坦化层401包括多个深度不均一的凹槽41，凹槽41的开口方向朝向彩膜层30；在第一方向上，第一颜色色阻 301和/或第二颜色色阻302和/或第三颜色色阻303中的至少部分厚度一一对应位于凹槽41中。

示例性地，请继续参见图5和图6，第一平坦化层401位于彩膜层30靠近阵列基板100的衬底基板10的一侧，第一平坦化层401上设有多个开口41，开口朝向彩膜层30，在阵列基板100出光方向上，每一个开口41对应一个色阻301/302/303设置，如此，第一颜色色阻301或第二颜色色阻302或第三颜色色阻303的至少部分厚度可对应设置在凹槽41中；需要明白的时，也可是第一颜色色阻301或第二颜色色阻302或第三颜色色阻303中的两种颜色的色阻设置在凹槽41中；当然也可以是三种颜色的色阻均包含一一对应设置在凹槽41 中的情形，如第一颜色色阻301至少部分对应位于凹槽411中，第二颜色色阻 302至少部分对应位于凹槽412中，第三颜色色阻303至少部分对应位于凹槽 413中；本实施例对具体设置在凹槽41中第一颜色色阻301、或第二颜色色阻 302、第三颜色色阻303的种类和具体数量进行限制，只要满足存在有色阻、色阻的至少部分对应设置在位于色阻下方第一平坦化层401的凹槽41内即属于本案保护范围。根据电容计算公式，像素电极到数据线的距离增大，两者产生的寄生电容降低，有利于功耗下降，因此，相较于阵列基板100上的其他膜层来说，第一平坦化层401的厚度一般较大，现有技术中，第一平坦化层401的厚度一般在3um左右，通过将第一颜色色阻301和/或第二颜色色阻302和/或第三颜色色阻303的至少部分厚度设置在第一平坦化层401的凹槽41中，能够容纳至少部分色阻301/302/30的厚度，有效降低阵列基板100的厚度，并最终减低整机的厚度；此外，鉴于本案为改善高温烘烤对色阻色偏的影响，是通过增加现有设计中色阻的厚度实现的，将色阻301/302/303对应至少部分设置在凹槽 41中，能够避免为改善色偏效果对显示装置尺寸的影响。

进一步可选地，图7是图3中沿A-A’方向的又一种剖面结构示意图；图8 是图7中平坦化层和彩膜层的一种相对位置结构示意图；参见图3、图7和图8 阵列基板100还包括第二平坦化层402，第二平坦化层402位于彩膜层30远离第一平坦化层401的一侧。

示例性地，请继续参见图7和图8，平坦化层40包括第一平坦化层401和第二平坦化层402，第二平坦化层402位于彩膜层30远离第一平坦化层401的一侧，也即彩膜层30夹设在第一平坦化层401和第二平坦化层402之间，如此设置，位于下方的第一平坦化层401上朝向彩膜层30的凹槽41能够至少部分容置色阻301/302/303的厚度，位于上方的第二平坦化层402还能平坦色阻 301/302/303背离衬底基板10一段形成的不平整性；这样，如果后续工艺步骤中需要制作金属导电走线时，可以降低断线风险，提升产品良率。

可选地，图9是图3中沿A-A’方向的又一种剖面结构示意图；图10是图9 中平坦化层和彩膜层的又一种相对位置结构示意图；参见图9和图10，在第一方向上，第一颜色色阻301、第二颜色色阻302和第三颜色色阻303的厚度分别等于与其对应的凹槽41的深度。

示例性地，请继续参见图9和图10，由于阵列基板100中第一平坦化层401 的厚度一般在3um左右，现有技术中色阻的厚度加上为改善本申请色偏问题补偿的色阻厚度一般在2.7um左右；第一平坦化层401可以设置足够深的凹槽容置彩膜层30的色阻。如图10所示，第一颜色色阻301对应完全设置在凹槽411 中，第二颜色色阻302对应完全设置在凹槽412中，第三颜色色阻303对应完全设置在凹槽413中，通过将凹槽411、凹槽412、凹槽413的深度分别设置等于第一颜色色阻301、第二颜色色阻302和第三颜色色阻303的厚度，这样可以省去彩膜层30厚度，有利于阵列基板100乃至显示装置的厚度，有利于显示产品的轻薄化；此外，由于凹槽41的深度分别等于其对应的色阻301/302/303 的厚度，彩膜层30靠近出光面一侧的表面较为平整，有利于降低后续工艺制程难度。

进一步可选地，图11是图9中平坦化层和彩膜层的又一种相对位置结构示意图；请参见图9和图11，第一颜色色阻301包括第一颜色本体部3011和第一颜色补偿部3012，第二颜色色阻302包括第二颜色本体部3021和第二颜色补偿部3022，第三颜色色阻303包括第三颜色本体部3031和第三颜色补偿部3032；凹槽41包括第一凹槽411、第二凹槽412、第三凹槽413；沿第一方向，第一补偿部3012的厚度等于第一凹槽411的深度，第二补偿部3022的厚度等于第二凹槽412的深度，第三补偿部3032的厚度等于第三凹槽413的深度，第一颜色本体部3011、第二颜色本体部3021和第三颜色本体部3031在第一方向上的厚度均相等。

示例性地，请继续参见图9和图11，第一颜色色阻301包括第一颜色本体部3011和第一颜色补偿部3012，第二颜色色阻302包括第二颜色本体部3021 和第二颜色补偿部3022，第三颜色色阻303包括第三颜色本体部3031和第三颜色补偿部3032；其中第一颜色本体部3011、第二颜色本体部3021和第三颜色本体部3031的厚度大体等于按照现有设计COA基板中对应颜色色阻的厚度；第一补偿部3012的厚度、第二颜色补偿部3022的厚度、第三颜色补偿部3032 的厚度是分别按照高温烘烤色偏情况对应补偿设置的厚度；通过将第一平坦化层401上设置的凹槽41的深度等效为其上方对应设置的第一补偿部3012/第一补偿部3012/第三颜色补偿部3032的厚度，能够在不改变现有模组厚度的基础上，实现为改善高温烘烤色偏问题需求的色阻厚度增加，满足客户对产品参数要求的信赖度；同时由于第一颜色本体部3011、第二颜色本体部3021和第三颜色本体部3031的厚度在第一方向上的厚度均相等，彩膜层30靠近出光面一侧的表面较为平整，有利于降低后续工艺制程难度。

本发明实施例还提供一种显示面板，该显示面板包括本发明实施例提供的阵列基板，因此本发明实施例提供的显示面板具备本发明实施例提供的阵列基板有益效果，相同之处可参照上述对阵列基板的描述，在此不再赘述。

示例性的，图12是本发明实施例提供的一种显示面板1000的膜层结构示意图；如图12所示，显示面板1000包括阵列基板100和与阵列基板100相对设置的对置基板200，以及位于阵列基板100与对置基板200之间的液晶层300。该液晶层300包括液晶分子，在阵列基板100的像素电极接收到相应的数据信号时，像素电极能够与公共电极形成电场，以驱动液晶层300中相应位置处的液晶分子扭转，而使光线能够透过该区域，从而使显示面板1000显示相应的画面。

本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括本发明实施例提供的显示面板。因此本发明实施例提供的显示装置具备本发明实施例提供的显示面板有益效果，相同之处可参照上述对显示面板的描述，在此不再赘述。

示例性的，图13是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。如图 13，该显示装置可以为手机、显示屏等，尤其可以为车载大尺寸显示屏。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (8)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、薄膜晶体管层、彩膜层；所述彩膜层位于所述薄膜晶体管层远离所述衬底基板的一侧；所述彩膜层至少包括多个第一颜色色阻、多个第二颜色色阻、多个第三颜色色阻；沿第一方向，所述第一颜色色阻的厚度、所述第二颜色色阻的厚度和所述第三颜色色阻的厚度中的至少两者不相等；所述第一方向为所述阵列基板的出光方向；

所述阵列基板还包括第一平坦化层，所述第一平坦化层位于所述彩膜层靠近所述衬底基板一侧；所述第一平坦化层包括多个深度不均一的凹槽，所述凹槽的开口方向朝向所述彩膜层；在所述第一方向上，所述第一颜色色阻和/或第二颜色色阻和/或第三颜色色阻中的至少部分厚度一一对应位于所述凹槽中；

所述第一颜色色阻、所述第二 颜色色阻、所述第三颜色色阻可分别为红色色阻、蓝色色阻、绿色色阻；沿所述第一方向，所述红色色阻厚度为DR、所述蓝色色阻厚度为DB、所述绿色色阻厚度为DG，其中DB>DG，DB>DR；其中，DB-DG≥0.15um，DB-DR≥0.15um。

2.根据权利要求1所述阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二平坦化层，所述第二平坦化层位于所述彩膜层远离所述第一平坦化层的一侧。

3.根据权利要求1所述阵列基板，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一颜色色阻、所述第二颜色色阻和第三颜色色阻的厚度分别等于与其对应的所述凹槽的深度。

4.根据权利要求1所述阵列基板，其特征在于，所述第一颜色色阻包括第一颜色本体部和第一颜色补偿部，所述第二颜色色阻包括第二颜色本体部和第二颜色补偿部，所述第三颜色色阻包括第三颜色本体部和第三颜色补偿部；所述凹槽包括第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽；沿所述第一方向，所述第一颜色补偿部的厚度等于所述第一凹槽的深度，所述第二颜色补偿部的厚度等于所述第二凹槽的深度，所述第三颜色补偿部的厚度等于所述第三凹槽的深度，所述第一颜色本体部、所述第二颜色本体部和所述第三颜色本体部在所述第一方向上的厚度均相等。

5.根据权利要求1所述阵列基板，其特征在于，还包括第一导电层和第二导电层以及位于两者之间的第一无机绝缘层，所述第一导电层和/或所述第二导电层位于所述彩膜层远离衬底基板一侧。

6.根据权利要求5所述阵列基板，其特征在于，还包括第三金属层和第二无机绝缘层，所述第三金属层位于所述彩膜层远离所述衬底基板一侧，所述第二无机绝缘层位于所述第三金属层靠近所述第一导电层一侧，所述第三金属层与所述第一导电层电联接。

7.一种显示面板，其特征在于，包括：权利要求1～6任一项所述的阵列基板；与所述阵列基板相对设置的对置基板；以及位于所述阵列基板与所述对置基板之间的液晶层。

8.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求7所述的显示面板。

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