CN113133147A - 一种加热电路 - Google Patents

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CN113133147A CN201911416405.2A CN201911416405A CN113133147A CN 113133147 A CN113133147 A CN 113133147A CN 201911416405 A CN201911416405 A CN 201911416405A CN 113133147 A CN113133147 A CN 113133147A
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    • H05B6/00Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/02Induction heating
    • H05B6/36Coil arrangements

Abstract

本发明实施例公开了一种加热电路,所述加热电路包括:所述加热电路包括:逆变电路、至少一个子电路、第一电源及第二电源;其中,所述子电路包括:加热元件、检测元件及开关模组;所述开关模组分别与所述加热元件及所述检测元件连接;若所述开关模组处于第一开关状态,所述第一电源、所述逆变电路与所述加热元件连接成第一导通回路,所述第一电源通过所述第一导通回路给所述加热元件供电,所述加热元件基于所述第一电源的供电发热;若所述开关模组处于第二开关状态,所述第二电源、所述检测元件与所述加热元件连接成第二导通回路,所述第二电源通过所述第二导通回路向所述加热元件及所述检测元件供电。

Description

一种加热电路
技术领域
本发明涉及电子技术领域,尤其涉及一种加热电路。
背景技术
对家电进行加热前,可以对家电的加热元件阻抗进行检测而确定所述加热元件上是否存在烹饪设备等,从而可以减少当加热元件上不存在烹饪设备等而进行加热的情况的发生。而用于提供加热电流的加热回路与用于检测加热元件是否存在烹饪设备等的检测回路都需要连接加热元件;如此,加热回路与检测回路会相互影响,会导致检测检测加热元件阻抗的不准确或者导致加热元件加热的电流过大等情况的发生。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供了一种加热电路。
本发明实施例的技术方案是这样实现的:
一种加热电路,其特征在于,所述加热电路包括:逆变电路、至少一个子电路、第一电源及第二电源、;其中,所述子电路包括:开关模组、加热元件及检测元件;
所述开关模组分别与所述加热元件及所述检测元件连接;
若所述开关模组处于第一开关状态,所述第一电源、所述逆变电路与所述加热元件连接成第一导通回路,所述第一电源通过所述第一导通回路给所述加热元件供电,所述加热元件基于所述第一电源的供电发热;
若所述开关模组处于第二开关状态,所述第二电源、所述检测元件与所述加热元件连接成第二导通回路,所述第二电源通过所述第二导通回路向所述加热元件及所述检测元件供电。
上述方案中,所述开关模组包括:第一开关元件及第二开关元件;
所述第一开关元件与所述加热元件连接;
所述第二开关元件与所述检测元件连接;
若所述第一开关元件导通、所述第二开关元件断开,所述开关模组处于所述第一开关状态;
若所述第一开关元件断开、所述第二开关元件导通,所述开关模组处于所述第二开关状态。
上述方案中,所述开关模组包括:
第一端,与所述加热元件连接;
第二端,与所述逆变电路连接;
第三端,与所述检测元件连接;
若所述第一端与所述第二端连接,所述开关模组处于所述第一开关状态;
若所述第一端与所述第三端连接,所述开关模组处于所述第二开关状态。
上述方案中,其中,所述子电路为N个,N个子电路并联连接;
其中,所述N为大于1的整数。
上述方案中,所述子电路包括:第一MOS管、第二MOS管;
所述第一MOS管的漏极与所述第二电源连接,所述第一MOS管的源极分别与所述第二MOS管的漏极及所述检测元件连接;
所述第二MOS管的源极与所述接地点连接。
上述方案中,所述子电路还包括:第一电容;
所述第一电容连接位于所述开关模组与所述检测元件之间;其中,所述第一电容用于控制所述加热元件的检测电流的交变频率。
上述方案中,所述检测元件包括:第一电阻和第二电阻;所述子电路包括:第三MOS管和第四MOS管;
所述第一电阻连接在所述第三MOS管的漏极与所第二电源之间;
所述第二电阻连接在所述第四MOS管的源极与所述接地点之间;
所述第三MOS管的源极分别与所述第四MOS管的漏极及所述开关模组连接;
其中,所述第二电阻基于所述第二电源的供电,检测所述加热元件的电阻。
上述方案中,所述第一电源为用于提供第一电压的电源,所述第二电源为用于提供第二电压的电源;其中,所述第一电压大于所述第二电压;
或者,
所述第一电源通过所述第一导通回路给所述加热元件供电时,流经所述第加热元件的电流为第一电流;
所述第二电源通过所述第二导通回路给所述加热元件供电时,流经所述加热元件的电流为第二电流;
其中,所述第一电流大于所述第二电流。
上述方案中,所述逆变电路包括:第一IGBT和第二IGBT;
所述第一IGBT的集电极与所述第一电源连接,所述第一IGBT的发射极与分别与所述开关模组及所述第二IGBT的集电极连接;
所述第二IGBT的发射极接地。
上述方案中,所述加热电路还包括:第二电容;其中,
所述第二电容连接在所述加热元件与所述接地点之间;
若所述开关模组处于所述第一开关状态,所述第二电容用于控制所述加热元件的加热电流的交变频率;
若所述开关模组处于所述第二开关状态,所述第二电容用于控制所述加热元件的检测电流的交变频率。
本发明实施例提供了一种加热电路,通过开关模组分别与加热元件及检测元件连接,若开关模组处于第一开关状态,实现所述第一电源、所述逆变电路与所述加热元件连接成第一导通回路(即加热回路),所述第一电源通过所述第一导通回路给所述加热元件供电,所述加热元件基于所述第一电源的供电发热;若开关模组处于第二开关状态,实现所述第二电源、所述检测元件与所述加热元件连接成第二导通回路(即检测回路),所述第二电源通过所述第二导通回路向所述加热元件及所述检测元件供电。
如此,可以使得所述加热电路在对所述加热元件的加热时并不对所述检测元件的检测,或者使得所述加热电路在对所述检测元件的检测时不对所述加热元件的加热,使得所述第一导通回路和所述第二导通回路互不影响。也就是说,本发明实施例能够使得所述加热电路在对所述加热元件加热时,并不受到所述第二电源的影响,大大降低了由于第二电源对所述加热元件进行加热而导致所述加热元件的电流过大的情况发生;或者使得所述加热电路在对所述加热元件检测阻抗时,不受到第一电源的影响,从而提高了检测所述加热元件上存在阻抗的准确性。
附图说明
图1为本发明实施例加热电路的一个可选组成结构示意图;
图2为本发明实施例加热电路的另一个可选组成结构示意图;
图3为本发明实施例加热电路的又一个可选组成结构示意图;
图4为本发明实施例加热电路的又一个可选组成结构示意图;
图5为本发明实施例加热电路的示意图;
图6为本发明实施例加热电路的示意图。
具体实施方式
下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
如图1所示,本发明实施例提供一种加热电路,所述加热电路包括:逆变电路11、至少一个子电路12、第一电源13及第二电源14;其中,所述子电路包括:开关模组121、加热元件122及检测元件123;
所述开关模组121分别与所述加热元件122及所述检测元件123连接;
若所述开关模组121处于第一开关状态,所述第一电源13、所述逆变电路11与所述加热元件122连接成第一导通回路,所述第一电源通过所述第一导通回路给所述加热元件供电,所述加热元件基于所述第一电源的供电发热;
若所述开关模组121处于第二开关状态,所述第二电源14、所述检测元件123与所述加热元件122连接成第二导通回路,所述第二电源14通过所述第二导通回路向所述加热元件122及所述检测元件123供电。
在本发明实施例中,所述检测元件123基于所述第二电源14的供电,检测所述加热元件122的阻抗;其中,检测到的阻抗,用于控制所述第一电源13向所述加热元件122的供电。
这里,所述加热元件122包括但不限于以下至少之一:线圈、电热线、电热板、电热棒及电热片。
这里,所述检测元件123可以包括电阻。
例如,所述加热元件为电磁炉中的线圈。若所述开关模组处于第二开关状态,所述加热电路的第二导通回路导通,所述第二电源对所述线圈及所述检测元件供电。可利用一电流表对第二导通回路的电流进行检测,将检测到的电流与预设电流进行比较,以确定出所述电磁炉的线圈上是否存在一定阻抗的烹饪设备;其中,所述预定电流为所述线圈上不存在烹饪设备时的检测电流。或者,若所述检测元件为电阻,则可以利用一个电压表检测所述电阻两端的电压,基于所述检测到的电压与预定电压进行比较,以确定所述电磁炉的线圈上是否存在一定阻抗的烹饪设备;其中,所述预定电压为线圈上不存在烹饪设备时检测电压。若确定出所述线圈上存在一定阻抗的烹饪设备;可使得所述开关模组处于第一开关状态(所述第一导通回路导通),从而利用所述第一电源对所述电磁炉进行加热。
这里,所述加热元件可以为一个或多个。
在一实施例中,所述加热元件为多个,多个所述加热元件串联连接。
在另一实施例中,所述加热元件为多个,多个所述加热元件并联在所述逆变电路与所述开关模组之间。这里,每各所述加热元件还可以连接一个开关元件;其中,所述开关元件连接在所述加热元件与所述开关模组之间。
这里,所述开关模组为具有开关功能的模组。这里,若所述开关模组处于第一开关状态时,能使所述第一电源、所述逆变电路与所述加热元件连接成第一导通回路;若所述开关模组处于第二开关状态时,能使所述第二电源、所述检测元件与所述加热元件连接成第二导通回路。
其中,所述逆变电路用于基于第一电源的直流信号转换为交流信号,例如,转换为频率高于预设值的高频电信号。
如此,本发明实施例,可以使得所述加热电路在对所述加热元件的加热时并不对所述检测元件的检测,或者使得所述加热电路在对所述检测元件的检测时不对所述加热元件的加热,使得所述第一导通回路和所述第二导通回路互不影响。
如此,能够使得所述加热电路在对所述加热元件加热时,并不受到所述第二电源的影响,大大降低了由于第二电源对所述加热元件进行加热而导致所述加热元件的电流过大的情况;或者使得所述加热电路在对所述加热元件检测阻抗时,不受到第一电源的影响,从而提高了检测所述加热元件上存在阻抗的准确性。
在一些实施例中,如图2所示,所述开关模组121包括:第一开关元件1210及第二开关元件1211;
所述第一开关元件1210与所述加热元件122连接;
所述第二开关元件1211与所述检测元件123连接;
若所述第一开关元件1210导通、所述第二开关元件1211断开,所述开关模组121处于所述第一开关状态;
若所述第一开关元件1210断开、所述第二开关元件1211导通,所述开关模组121处于所述第二开关状态。
这里,所述第一开关元件和所述第二开关元件均可以为单刀单掷开关、或单刀单掷继电器。
在本发明实施例中,若所述第一开关元件和所述第二开关元件为单刀单掷继电器,能够实现自动导通或关断第一开关元件和第二开关元件,从而能够降低因人力去开启或关闭第一开关元件和所述第二开关元件所带来的危险。若所述第一开关元件和所述第二开关元件为单刀单掷开关,能够使得整个加热电路的硬件成本降低,以及能够减轻整个加热电路的重量。
在另一些实施例中,如图3所示,所述开关模组121包括:
第一端,与所述加热元件122连接;
第二端,与所述逆变电路11连接;
第三端,与所述检测元件123连接;
若所述第一端与所述第二端连接,所述开关模组121处于所述第一开关状态;
若所述第一端与所述第三端连接,所述开关模组121处于所述第二开关状态。
这里,所述开关模组可以为单刀双掷开关或单刀双掷继电器。
这里,如图3所示,示例了所述开关模组121的所述第一端与所述第二端连接,如此,所述加热电路的开关模组处于第一开关状态。在其它示例中,也可以是所述开关模组的所述第一端与所述第三端连接。
在本发明实施例中,若所述开关模组为单刀双掷继电器,可以实现自动使所述开关模组处于第一开关状态或者处于第二开关状态,从而自动实现所述第一导通回路的导通或者所述第二导通回路的导通;如此,能够降低因人力去调节所述开关模组处于第一开关状态或者处于第二开关状态所带来的危险。若所述开关模组为单刀单掷开关,能够使得整个加热电路的硬件成本降低,以及能够减轻整个加热电路的重量。
更进一步地,在本发明实施例中,所述一个子电路中开关模组包括的开关器件为一个,基于该一个开关器件便可使得所述开关模组处于第一开关状态或者处于第二开关状态。如此,相对于一个子电路中开关模组包括的开关器件为两个时,可以减少开关器件的个数,简化加热电路的结构以及降低所述加热电路硬件成本,并且,还能进一步减轻所述加热电路的重量。若所述子电路为多个时,效果更加显著,能够大大减少开关器件个数以及降低所述加热电路硬件成本等。
可以理解的是,所述至少一个子电路12可以包括一个或多个子电路。
例如,如图1所示,示出的所述加热电路包括一个子电路。又如,如图4所示,示出的加热电路包括2个子电路,其中,所述2个子电路为并联连接。若所述子电路为3个或3个以上的子电路时,可类似图4所示的加热电路中子电路的连接,3个或3个以上的所述子电路并联连接。
这里,所述加热电路中包括多个子电路时,所述多个子电路可以分别连接一个第二电源;或者,所述多个子电路中可以均连接同一个第二电源;或者,所述多个子电路中部分子电路连接一个第二电源,其它子电路连接另一个第二电源。
这里,若所述多个子电路连接不同的第二电源时,不同的多个第二电源提供的电压相同,或者,不同的多个第二电源中任意两个第二电源提供的电压之差在预定范围内。
在一些实施例中,所述子电路为N个,N个子电路并联连接;其中,所述N为大于1的整数。
可以理解的是,N个子电路的元器件个数和类型基本是相同的。例如,所述子电路为2个,具体为子电路1和子电路2。
在一实际应用中,子电路1和子电路2中的加热元件、检测元件及开关模组个数和类型均是相同的。
在另一实际应用中,子电路1中的加热元件为线圈;子电路2中的加热元件为电热板;所述线圈和所述电热板的阻抗之差在预定阈值范围内。
在又一实际应用中,子电路1中的检测元件为2个,所述子电路1中2个检测元件串联连接;子电路2中检测元件为1个;所述子电路1中的2个检测元件的阻抗之和,与所述子电路2中的1个检测元件的阻抗之差在预定阈值范围内。
例如,所述子电路中的2个检测元件的阻抗均是10欧(Ω),所述子电路2的检测元件的阻抗在19Ω至20Ω之间。
又如,所述子电路中的2个检测元件的阻抗一个为50Ω,一个为20Ω;所述子电路2的检测元件的阻抗在68Ω至72Ω之间。
在又一实际应用中,子电路1中的开关模组为包括第一开关元件及第二开关元件的开关模组,子电路2中的开关模组为包括第一端、第二端及第三端的开关模组。
总之,所述多个子电路只要为满足各个子电路中具备有加热元件、检测元件及开关模组,以及满足能够实现各个子电路对加热元件进行加热与对加热元件进行阻抗检测互不影响的各种形式都可以,在此不作限制。
在本发明实施例中,所述N个子电路可以共同利用一个逆变电路,可以基于一个逆变电路实现多路的检测加热元件阻抗和/或加热所述加热元件的功能;提高了逆变电路的利用率。
且,所述多个子电路还可以共用一个第一电源,能够提高所述第一电源的利用率。
且,若所述多个子电路共用一个第二电源或者部分子电路共用一个第二电源时,还可以提高所述第二电源的利用率。
需要说明的是,绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT),是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
在一些实施例中,如图5所示,所述逆变电路11包括:第一IGBT和第二IGBT;
所述第一IGBT的集电极与所述第一电源连接,所述第一IGBT的发射极与分别与所述开关模组121及所述第二IGBT的集电极连接;
所述第二IGBT的发射极接地。
这里,图5中示出的加热电路包括的2个子电路。
这里,所述逆变电路11可以用于将所述直流电压逆变为交流电压。例如,将所述220V的直流电压逆变为220V的正弦波电压或者方波电压。
所述逆变电路11还可以用于正半波的交流电压转变为完整波形的交流电压(完整波形的交流电压为具有正半波和负半波的电压)。例如,将220V的正半波的方波电压转变为220V的正半波、负半波的方波电压。
在本发明实施例中,可以通过所述第一IGBT和所述第二IGBT的导通与关断的频率,调节所述第一电源输出的电信号频率。可以通过所述第一IGBT和所述第二IGBT组成的逆变电路,将第一电源的直流信号转变为交流信号,或者进一步地,转换为高于预设值的高频电信号。
且,由于所述逆变电路采用的IGBT,因而其兼有MOS管高输入阻抗和功率晶体管的低导通压降两方面的优点。从而,本发明实施例可以提高给所述加热元件供电的稳定性和安全工作电压区域,进而提高给所述加热元件供电的安全性。
需要说明的是,所述高频与后续实施例中提到的低频是相对而言的,在同一参考标准下,所述高频的频率大于所述低频的频率。
可以理解的是,所述逆变电路可以由两个金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)管组成,或者,所述逆变电路可以由两个三极管组成。
例如,在一些实施例中,所述逆变电路还可以包括:第五MOS管和第六MOS管;
所述第五MOS管的漏极与所述第一电源13连接,所述第五MOS管的源极分别与开关模组121和所述第六MOS管的漏极连接;
所述第六MOS管的源极接地。
如此,在本发明实施例中,可以通过所述第五MOS管和所述第六MOS管的交替导通,为所述加热元件提供高频电信号。
在一些实施例中,所述第一电源为用于提供第一电压的电源,所述第二电源为用于提供第二电压的电源;其中,所述第一电压大于所述第二电压;
或者,
所述第一电源通过所述第一导通回路给所述加热元件供电时,流经所述第加热元件的电流为第一电流;
所述第二电源通过所述第二导通回路给所述加热元件供电时,流经所述加热元件的电流为第二电流;
其中,所述第一电流大于所述第二电流。
这里,所述第一电源用于获取大于或等于110V的电源,所述第二电源用于获取小于或等于36V的电源。
在一实施例中,所述第一电源用于获取220V的直流电压;所述第二电源用于获取5V的直流电压。
可以理解的是,若所述第一电源获取的电压大于110V,则所述第一电源获取的电压为强电电压;若所述第二电源获取的电压小于36V,则所述第二电源获取的电压为弱电电压;若在第一电源和第二电源的供电情况下,若第一导通回路与所述第二导通回路均导通,则所述第一导通回路的噪音会串扰到第二导通回路,从而使得检测到加热元件上存在阻抗不准确。且,在第二导通回路对加热元件的阻抗进行检测时,第二导通回路实际上的电压可能为大于110V的强电电压,如此,也给会给加热电路附近的人带来了一定危险。
而本发明实施例,由于通过开关模组处于不同的开关状态,能够使得第一导通回路导通时、第二导通回路断开,或者使得第二导通回路导通时、第一导通回路断开;从而实现强电和弱电的隔离,以及降低了由于弱电电路的绝缘性能低而带来的危险。
请再次参见图5,在一些实施例中,所述子电路12包括:第一MOS管、第二MOS管;
所述第一MOS管的漏极与所述第二电源连接,所述第一MOS管的源极分别与所述第二MOS管的漏极及所述检测元件123连接;
所述第二MOS管的源极与所述接地点连接。
这里,所述若所述第一MOS管为N沟道型MOS管,则所述第二MOS管为N沟道型MOS管;若所述第一MOS管为P沟道型MOS管,则所述第二MOS管为P沟道型MOS管。
在本发明实施例中,若所述第二导通回路导通时,所述第二电源通过所述第一MOS管和所述第二MOS管给所述加热元件提供低压高频电信号。如此,若所述加热元件上不存在烹饪设备时,流经所述检测元件的检测电流为第一检测电流值;若所述加热元件上存在烹饪设备时,流经所述检测元件的检测电流为第二检测电流值;从而通过电流计检测到所述检测元件的电流的大小,确定出所述加热元件上是否存在具有一定阻抗的烹饪设备。进一步地,可以通过预定的第一检测电流值和第二检测电流值等,计算出所述烹饪设备的阻抗值。
或者,可以通过检测所述检测元件上电压的大小,从而确定出所述加热元件上是否存在具有一定阻抗的烹饪设备。进一步地,可以基于检测元件上的第一检测电压值和第二检测电压值,计算出所述烹饪设备的阻抗值;其中,所述第一检测电压值为所述加热元件上不存在所述烹饪设备时、所述检测元件上的电压值;所述第二电压值为所述加热元件上存在所述烹饪设备时、所述检测元件上的电压值。
请再次参见图5,在一些实施例中,所述子电路12还包括:第一电容C1;
所述第一电容C1连接位于所述开关模组121与所述检测元件123之间;其中,所述第一电容C1用于控制所述加热元件122的检测电流的交变频率。
这里,一个子电路12中包括一个检测元件。在一实施例中,所述检测元件为电阻。如此,可以减少加热电路中检测元件的个数。
在本发明实施例中,可以通过调节所述第一电容C1的容抗、加热元件的阻抗和检测元件的阻抗,来调节所述第二导通回路中加热元件的振荡频率(即交变频率)。
在一些实施例中,如图6所示,所述检测元件123包括:第一电阻R1和第二电阻R2;所述子电路12包括:第三MOS管和第四MOS管;
所述第一电阻R1连接在所述第三MOS管的漏极与所第二电源14之间;
所述第二电阻R2连接在所述第四MOS管的源极与所述接地点PGND之间;
所述第三MOS管的源极分别与所述第四MOS管的漏极及所述开关模组121连接;
其中,第二电阻R2基于所述第二电源14的供电,检测所述加热元件122的电阻。
这里,一个子电路中检测元件包括:第一电阻和第二电阻。
这里,如图6所示,示出的所述开关模组为包括第一开关元件1210和第二开关元件1211的开关模组,则所述第三MOS管的源极与所述开关模组121连接为:所述第三MOS管的源极与所述第二开关元件1211连接。
在本发明实施例中,通过在一个子电路中的检测元件设置两个电阻,且该两个电阻分别连接在第三MOS管与第二电源之间、第四MOS管与地之间,可以使得第二导通回路在充电和放电时,第二导通回路的阻抗一致,从而能够一方面使得第二导通回路的供电更加稳定,以及降低第二导通回路中元器件的损耗。
且,若基于所述第二电阻R2的电压检测所述加热电阻是否存在一定阻抗的烹饪设置时,由于所述第二电阻R2的低电压端是接地的、其电压为0,可以仅获取所述第二电阻R2的高电压端(例如图6所示的检测点),就可以获取到所述第二电阻R2上的电压;如此,会使得检测所述检测元件的电压更加简单。同时,也能进一步提高检测到的加热元件的阻抗的准确性。
请再次参见图6,在一些实施例中,所述加热电路还包括:第二电容C2;其中,
所述第二电容C2连接在所述加热元122件与所述接地点PGND之间;
若所述开关模组121处于所述第一开关状态,所述第二电容C2用于控制所述加热元件122的加热电流的交变频率;
若所述开关模组121处于所述第二开关状态,所述第二电容C2用于控制所述加热元件122的检测电流的交变频率。
在本发明实施例中,若所述开关模组处于第一开关状态,可以通过调节第二电容的容抗、加热元件的阻抗,来调节所述加热元件的加热电流的交变频率。
在本发明实施例的一种实际应用中,若第二电容C2存在于所述加热电路中,所述加热电路中可以不需要第一电容。如此,在所述开关模组处于第二开关状态时,所述第二电容C2可以用于控制所述加热元件的检测电流的交变频率。
这里,可以通过调节第二电容C2的容抗、第一电阻和第二电阻的阻抗以及加热元件的阻抗,来调节所述第二导通回路中加热元件的振荡频率(即交变频率)。
在本发明实施例中另一种实际应用中,若第二电容C2和所述第一电容C1均存在于所述加热电路中。如此,在所述开关模组处于第一开关状态时,所述第二电容C2和所述第一电容C1共同用于控制所述加热元件的检测电流的交变频率。
这里,可以通过调节第二电容C2和第一电容C1的容抗、第一电阻和第二电阻的阻抗以及加热元件的阻抗,来调节所述第二导通回路中加热元件的振荡频率(即交变频率)。
在本发明实施例中,可以通过一个电容,来实现第一导通回路中加热元件的加热电流或第二导通回路中加热元件的检测电流的交变频率的调节,能够提高第二电容的利用率;相对于使用两个电容分别调节第一导通回路中加热元件的加热电流或第二导通回路中加热元件的检测电流的交变频率来说,能够减少加热电路的元器件个数,从而降低所述加热电路的硬件成本。
示例1
请再次参考图5,本发明实施例提供了一种加热电路,所述加热电路,包括:
逆变电11、2个子电路12、第一电源13、第二电源14及第二电容C2;
其中,所述子电路12包括:开关模组121、加热元件122、检测元件123、第一电容C1、第一MOS管及第二MOS管;
所述逆变电路11包括:第一IGBT和第二IGBT;所述第一IGBT的集电极与所述第一电源13连接,所述第一IGBT的发射极与所述第二IGBT的集电极连接;所述第二IGBT的发射极接地PGND;
所述开关模组121,包括:第一端、第二端和第三端;其中,所述第一端与所述加热元件122连接;所述第二端与所述第一IGB的发射极连接;所述第三端与所述第一电容C1连接;
所述第一电容C1与所述检测元件123连接;
所述第一MOS管的漏极与所述第二电源14连接,所述第一MOS管的源极分别与所述第二MOS管的漏极及所述检测元件123连接;所述第二MOS管的源极与所述接地点PGND连接;
所述第二电容C2连接在所述加热元件122与所述接地点PGND之间;
若所述开关模组121的所述第一端与所述第二端连接,所述开关模组121处于第一开关状态,所述第一电源13、所述逆变电路11与所述加热元件122连接成第一导通回路,所述第一电源13通过所述第一导通回路给所述加热元件122供电,所述加热元件122基于所述第一电源13的供电发热;
若所述开关模组121的所述第一端与所述第三端连接,所述开关模组121处于第二开关状态,所述第二电源14、所述检测元件123与所述加热元件122连接成第二导通回路,所述第二电源14通过所述第二导通回路向所述加热元件122及所述检测元件123供电。
这里,所述检测元件123基于所述第二电源14的供电,检测所述加热元件122的阻抗;其中,检测到的阻抗,用于控制所述第一电源13向所述加热元件122的供电。
在本发明实施例中,能够通过所述开关模组处于不同的状态,切换第一导通回路和第二导通回路的导通,从而使得所述第一导通回路与所述第二导通回路相互隔离;如此,能够使得所述加热电路在对所述加热元件加热时,并不受到所述第二电源的影响,大大降低了由于第二电源对所述加热元件进行加热而导致所述加热元件的电流过大的情况;或者使得所述加热电路在对所述加热元件检测阻抗时,不受到第一电源的影响,从而提高了检测所述加热元件上存在阻抗的准确性。
且,所述开关模组为包括三端的开关模组,能在第一端和第二端的连接时使得所述第一导通回路的导通;或者,在第一端和第三端连接时使得所述第二导通回路导通,使得可以切换导通第一导通回路和第二导通回路;相对于通过利用两个开关元件的开关模组来切换第二导通回路和第二导通回路来说,能够大大减少所述加热电路的元器件个数,从而能够大大降低所述加热电路的硬件成本。
示例2
请再次参考图6,本发明实施例提供了一种加热电路,所述加热电路,包括:
逆变电11、2个子电路12、第一电源13、第二电源14及第二电容C2;
其中,所述子电路12包括:开关模组121、加热元件122、第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1、第三MOS管及第四MOS管;
所述逆变电路11包括:第一IGBT和第二IGBT;所述第一IGBT的集电极与所述第一电源13连接,所述第一IGBT的发射极与所述第二IGBT的集电极连接;所述第二IGBT的发射极接地PGND;
所述开关模组121,包括:第一开关元件1210和第二开关元件1211;其中,所述第一开关元件1210连接在所述加热元件122与所述第一IGBT的发射极之间;所述第二开关元件1211连接在所述加热元件122与所述第一电容C1之间;
所述第一电容C1还与第三MOS管的源极连接;
所述第一电阻R1连接在所述第三MOS管的漏极与所第二电源14之间;所述第二电阻R2连接在所述第四MOS管的源极与所述接地点PGND之间;所述第三MOS管的源极还与所述第四MOS管的漏极接;其中,所述第二电阻基于所述第二电源14的供电,检测所述加热元件的电阻;
所述第二电容C2连接在所述加热元件122与所述接地点PGND之间;
若所述第一开关元件1210导通、所述第二开关元件1211断开,所述开关模组121处于所述第一开关状态,所述第一电源13、所述逆变电路11与所述加热元件122连接成第一导通回路,所述第一电源13通过所述第一导通回路给所述加热元件122供电,所述加热元件122基于所述第一电源13的供电发热;
若所述第一开关元件1210断开、所述第二开关元件1211导通,所述开关模组121处于所述第二开关状态,所述第二电源14、所述第一电阻R1、所述第二电阻R2与所述加热元件122连接成第二导通回路,所述第二电源14通过所述第二导通回路向所述加热元件122、第一电阻R1及所述第二电阻R2供电。
在本发明实施例中,所述第一电阻R1和所述第二电阻R2为上述实施例中检测元件123。
在一实施例中,所述第二电阻R2为上述实施例中的检测元件123。
这里,所述检测元件123基于所述第二电源14的供电,检测所述加热元件122的阻抗;其中,检测到的阻抗,用于控制所述第一电源13向所述加热元件122的供电。
在本发明实施例中,能够通过所述开关模组处于不同的状态,切换第一导通回路和第二导通回路的导通,从而使得所述第一导通回路与所述第二导通回路相互隔离;如此,能够使得所述加热电路在对所述加热元件加热时,并不受到所述第二电源的影响,大大降低了由于第二电源对所述加热元件进行加热而导致所述加热元件的电流过大的情况;或者使得所述加热电路在对所述加热元件检测阻抗时,不受到第一电源的影响,从而提高了检测所述加热元件上存在阻抗的准确性。
且,所述检测元件包括第一电阻R1和第二电阻R2,所述第一电阻R1与所述电阻R2在所述加热电路中的该种连接方式,可以使得第二导通回路在充电和放电时,第二导通回路的阻抗一致,从而能够一方面使得第二导通回路的供电更加稳定,以及降低第二导通回路中元器件的损耗。
且,该种连接方式时所述第二电阻R2的低电压端接地。如此,通过检测所述第二电阻R2的电压来确定所述加热元件上是否存在一定阻抗烹饪设备时,还能简化获取检测电压的操作。
且,所述第二电容在所述第一导通回路导通时,可以用来调节所述加热元件的加热电流的交变频率,或者,在所述第二导通回路导通时,可以用来调节所述加热元件的检测电流的交频频率;从而提高第二电容的利用率。且,可以替换所述加热电路的第一电容,使得所述加热电路中无需配置所述第一电容,从而还能减少所述加热电路的元器件个数,降低所述加热电路的硬件成本。
本申请所提供的几个产品实施例中所揭露的特征,在不冲突的情况下可以任意组合,得到新的产品实施例。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种加热电路,其特征在于,所述加热电路包括:逆变电路、至少一个子电路、第一电源及第二电源;其中,所述子电路包括:开关模组、加热元件及检测元件;
所述开关模组分别与所述加热元件及所述检测元件连接;
若所述开关模组处于第一开关状态,所述第一电源、所述逆变电路与所述加热元件连接成第一导通回路,所述第一电源通过所述第一导通回路给所述加热元件供电,所述加热元件基于所述第一电源的供电发热;
若所述开关模组处于第二开关状态,所述第二电源、所述检测元件与所述加热元件连接成第二导通回路,所述第二电源通过所述第二导通回路向所述加热元件及所述检测元件供电。
2.根据权利要求1所述的加热电路,其特征在于,所述开关模组包括:第一开关元件及第二开关元件;
所述第一开关元件与所述加热元件连接;
所述第二开关元件与所述检测元件连接;
若所述第一开关元件导通、所述第二开关元件断开,所述开关模组处于所述第一开关状态;
若所述第一开关元件断开、所述第二开关元件导通,所述开关模组处于所述第二开关状态。
3.根据权利要求1所述的加热电路,其特征在于,所述开关模组包括:
第一端,与所述加热元件连接;
第二端,与所述逆变电路连接;
第三端,与所述检测元件连接;
若所述第一端与所述第二端连接,所述开关模组处于所述第一开关状态;
若所述第一端与所述第三端连接,所述开关模组处于所述第二开关状态。
4.根据权利要求1所述的加热电路,其特征在于,其中,所述子电路为N个,N个子电路并联连接;
其中,所述N为大于1的整数。
5.根据权利要求1所述的加热电路,其特征在于,所述子电路包括:第一MOS管、第二MOS管;
所述第一MOS管的漏极与所述第二电源连接,所述第一MOS管的源极分别与所述第二MOS管的漏极及所述检测元件连接;
所述第二MOS管的源极与所述接地点连接。
6.根据权利要求1或5所述的加热电路,其特征在于,所述子电路还包括:第一电容;
所述第一电容连接位于所述开关模组与所述检测元件之间;其中,所述第一电容用于控制所述加热元件的检测电流的交变频率。
7.根据权利要求1所述的加热电路,其特征在于,所述检测元件包括:第一电阻和第二电阻;所述子电路包括:第三MOS管和第四MOS管;
所述第一电阻连接在所述第三MOS管的漏极与所第二电源之间;
所述第二电阻连接在所述第四MOS管的源极与所述接地点之间;
所述第三MOS管的源极分别与所述第四MOS管的漏极及所述开关模组连接;
其中,所述第二电阻基于所述第二电源的供电,检测所述加热元件的电阻。
8.根据权利要求1至5、7任一项所述的加热电路,其特征在于,所述第一电源为用于提供第一电压的电源,所述第二电源为用于提供第二电压的电源;其中,所述第一电压大于所述第二电压;
或者,
所述第一电源通过所述第一导通回路给所述加热元件供电时,流经所述第加热元件的电流为第一电流;
所述第二电源通过所述第二导通回路给所述加热元件供电时,流经所述加热元件的电流为第二电流;
其中,所述第一电流大于所述第二电流。
9.根据权利要求1所述的加热电路,其特征在于,所述逆变电路包括:第一IGBT和第二IGBT;
所述第一IGBT的集电极与所述第一电源连接,所述第一IGBT的发射极与分别与所述开关模组及所述第二IGBT的集电极连接;
所述第二IGBT的发射极接地。
10.根据权利要求1所述的加热电路,其特征在于,所述加热电路还包括:第二电容;其中,
所述第二电容连接在所述加热元件与所述接地点之间;
若所述开关模组处于所述第一开关状态,所述第二电容用于控制所述加热元件的加热电流的交变频率;
若所述开关模组处于所述第二开关状态,所述第二电容用于控制所述加热元件的检测电流的交变频率。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2101681U (zh) * 1991-08-16 1992-04-15 张国安 微机控制节能型双回路控温柜
CN102177765A (zh) * 2008-10-08 2011-09-07 松下电器产业株式会社 感应加热装置
CN106152193A (zh) * 2015-04-08 2016-11-23 美的集团股份有限公司 电磁加热系统及其锅具检测电路、检测方法
JP2017199585A (ja) * 2016-04-28 2017-11-02 日立アプライアンス株式会社 高周波加熱調理器
CN209562837U (zh) * 2018-12-29 2019-10-29 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 电磁加热系统及其控制电路和电烹饪器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2101681U (zh) * 1991-08-16 1992-04-15 张国安 微机控制节能型双回路控温柜
CN102177765A (zh) * 2008-10-08 2011-09-07 松下电器产业株式会社 感应加热装置
CN106152193A (zh) * 2015-04-08 2016-11-23 美的集团股份有限公司 电磁加热系统及其锅具检测电路、检测方法
JP2017199585A (ja) * 2016-04-28 2017-11-02 日立アプライアンス株式会社 高周波加熱調理器
CN209562837U (zh) * 2018-12-29 2019-10-29 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 电磁加热系统及其控制电路和电烹饪器

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