CN113122243A - 一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管，其中所述量子点具有核壳结构，所述量子点的壳层厚度为0.1‑1nm。本发明通过适当增加壳层，使壳层厚度控制在0.1‑1nm，以调节本征发光峰和缺陷态发光峰的强度比例，从而获得所需色温的白光。本发明还可通过在量子点的核表面掺杂第二阴离子元素，调节核表面的第一阴离子元素与第二阴离子元素的质量比例，从而调节缺陷态发光峰的峰位，获得所需色温的白光。本发明通过调控量子点合成途径，获得可以发射白光的量子点，并采用单层的器件结构，在仅仅使用一种量子点，即可以实现白光发射的量子点发光二极管，在降低工艺难度的同时、可以降低制造成本，有利于未来的应用推广。

Description

一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管
技术领域
本发明涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管。
背景技术
半导体量子点通常是由大量原子组成的一般为球形的半导体晶体，由于它的尺寸很小，接近波尔半径，表现为明显的量子效应。经过多年的研究和发展，II-VI族量子点的制备与合成技术已趋近完善，如：其形貌、尺寸和成分均可以实现精细制备，表面配体可以有选择性的进行调控；同时，其光致发光效率接近100％，发射峰宽可小于30nm，开始广泛应用于发光器件、显示器件和生物领域中。
基于半导体量子点的发光二极管，具备颜色纯度高、发光波长可调、驱动效率高等特点，并且易于通过溶液方法制备，降低了发光二极管的制备成本和工艺复杂程度，是未来显示行业的重要发展技术。经过了将近25年的发展，量子点的效率已经由0.01％提升至超过20％。利用量子点制备的QLED不仅能用于显示，也是未来照明行业的重要技术力量。传统制备QLED的思路，分别使用红、绿、蓝三色量子点制备器件，对于白光QLED器件，往往需要制备复杂的叠层器件结构，大幅增加了工艺难度、良率以及成本。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
本发明的目的在于提供一种新型量子点及其制备方法。
本发明的技术方案如下：
一种量子点，所述量子点具有核壳结构，其中，所述量子点的壳层厚度为0.1-1nm。
一种量子点材料组合物，其中，包括第一量子点和第二量子点，所述第一量子点和第二量子点均为具有核壳结构的量子点，所述量子点的壳层厚度为0.1-1nm，所述第一量子点的壳层厚度和所述第二量子点的壳层厚度不同。
一种量子点的制备方法，所述量子点具有核壳结构，其中，
制备量子点核；
在量子点核的表面生成量子点的壳层，调节量子点壳层的生成时间，控制量子点的壳层厚度为0.1-1nm，得到所述量子点。
一种量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，其中，所述量子点发光层包括本发明所述的量子点。
一种量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，其中，所述量子点发光层包括本发明所述的量子点材料组合物。
有益效果：本发明通过适当增加壳层，使壳层厚度控制在0.1-1nm，以调节本征发光峰和缺陷态发光峰的强度比例，从而获得所需色温的白光。本发明还可通过在量子点的核表面掺杂第二阴离子元素，调节核表面的第一阴离子元素与第二阴离子元素的质量比例，从而调节缺陷态发光峰的峰位，获得所需色温的白光。本发明通过调控量子点合成途径，获得可以发射白光的量子点，并采用单层的器件结构，在仅仅使用一种量子点，即可以实现白光发射的量子点发光二极管，在降低工艺难度的同时、可以降低制造成本，有利于未来的应用推广。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种量子点的制备方法的流程示意图。
图2为本发明另一实施例提供的一种量子点的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
本发明提供一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例提供一种量子点，所述量子点具有核壳结构，其中，所述量子点的壳层厚度为0.1-1nm。现有无壳层包裹的量子点，缺陷态发光强度可能高于本征发光峰。本实施例中，通过适当增加壳层，使壳层厚度控制在0.1-1nm，以调节本征发光峰和缺陷态发光峰的强度比例，从而获得所需色温的白光。本实施例中，在本征发光峰和缺陷态发光峰在一定峰位情况下，让本征发光峰与缺陷态发光峰的强度比例到达较优的比值，从而获得所需色温的白光。
在一种实施方式中，所述量子点的核表面具有第一阴离子元素，所述量子点的核表面还掺杂有第二阴离子元素，所述第一阴离子元素与第二阴离子元素不同，所述第一阴离子元素和第二阴离子元素独立地选自S元素、Se元素和Te元素等中的一种。例如，所述第一阴离子元素为S时，第二阴离子元素可以为Se或Te；所述第一阴离子元素为Se时，第二阴离子元素可以为S或Te；所述第一阴离子元素为Te时，第二阴离子元素可以为S或Se。本实施例进一步地通过在量子点的核表面掺杂第二阴离子元素，调节核表面的第一阴离子元素与第二阴离子元素的质量比例，从而调节缺陷态发光峰的峰位，获得效果更佳的白光。
在一种具体的实施方式中，所述量子点的核为CdS量子点，所述CdS量子点的发光波长为410-470nm，所述量子点的核表面还掺杂有Se元素或Te元素，所述量子点的壳为ZnS，所述量子点的壳层厚度为0.1-1nm(如0.2nm)。需说明的是，本实施例为上述实施方式中，所述第一阴离子元素为S时的一种情形。所述CdS量子点的发光波长为410-470nm时，所述CdS量子点可以发蓝光。本实施例中，在本征发光峰和缺陷发光峰在一定峰位情况下，本征发光峰与缺陷发光峰的比例到达最优的比值，最终获得可发射白光的量子点。
本发明实施例提供一种量子点材料组合物，其中，包括第一量子点和第二量子点，所述第一量子点和第二量子点均为具有核壳结构的量子点，所述量子点的壳层厚度为0.1-1nm，所述第一量子点的壳层厚度和所述第二量子点的壳层厚度不同。
换句话说，本发明实施例提供一种量子点材料组合物，其中，包括第一量子点和第二量子点，所述第一量子点具有核壳结构，所述第一量子点的壳层厚度为0.1-1nm；所述第二量子点具有核壳结构，所述第二量子点的壳层厚度为0.1-1nm；所述第一量子点的壳层厚度和所述第二量子点的壳层厚度不同。
本实施例采用两种本实施例所述的量子点，以合适比例混合作为量子点发光二极管的量子点发光层，更有利于精细调控发白光，在降低工艺难度的同时、可以降低制造成本，有利于未来的应用推广。
在一种具体的实施方式中，所述量子点的核为CdS量子点，所述CdS量子点的发光波长为410-470nm(CdS量子点发蓝光)，所述量子点的核表面还掺杂有Se元素，所述量子点的壳为ZnS；所述第一量子点的核表面的S和Se比例，与所述第二量子点的核表面的S和Se比例不同。本实施例采用上述量子点，可以进一步调控发白光。
在一种具体的实施方式中，所述量子点的核为CdS量子点，所述CdS量子点的发光波长为410-470nm(CdS量子点发蓝光)，所述量子点的核表面还掺杂有Te元素，所述量子点的壳为ZnS；所述第一量子点的核表面的S和Te比例，与所述第二量子点的核表面的S和Te比例不同。本实施例采用上述量子点，可以进一步调控发白光。
本发明实施例还提供一种量子点，所述量子点具有核壳结构，其中，所述量子点的核表面具有第一阴离子元素，所述量子点的核表面还掺杂有第二阴离子元素，所述第一阴离子元素与第二阴离子元素不同。本实施例中，通过在量子点的核表面掺杂第二阴离子元素，调节核表面的第一阴离子元素与第二阴离子元素的质量比例，从而调节缺陷态发光峰的峰位，获得所需色温的白光。以CdS量子点为例，使其核表面掺杂阴离子元素，加入Se元素或Te元素，缺陷态发光峰位相对本征发光峰红移，从而调节峰位，获得所需色温的白光。
在一种实施方式中，所述量子点的壳层厚度为0.1-1nm，以进一步调节本征发光峰和缺陷态发光峰的强度比例，从而获得所需色温的白光。
在一种实施方式中，所述第一阴离子元素和第二阴离子元素独立地选自S元素、Se元素和Te元素等中的一种，例如，第一阴离子元素为Se，第二阴离子元素为Te，形成核为CdSe，在该核的表面还掺杂有Te；又如第一阴离子元素为Te，第二阴离子元素为Se，形成核为CdTe，在该核的表面还掺杂有Se；又如，第一阴离子元素为S，第二阴离子元素为Se，形成核为CdS，在该核的表面还掺杂有Se。
在一种具体的实施方式中，所述量子点的核为CdS量子点，所述CdS量子点的发光波长为410-470nm(CdS量子点发蓝光)，，所述量子点的壳为ZnS，所述量子点的核表面还掺杂有阴离子元素Se或Te元素。
本发明实施例提供一种量子点材料组合物，其中，包括第一量子点和第二量子点，所述第一量子点和第二量子点均为量子点，所述量子点的核表面具有第一阴离子元素，所述量子点的核表面还掺杂有第二阴离子元素，所述第一阴离子元素与第二阴离子元素不同；所述第一阴离子元素为S，形成核为CdS的量子点，所述CdS量子点的发光波长为410-470nm，所述量子点的壳为ZnS，所述第二阴离子元素为Se或Te；所述第一量子点的核表面的S和Se比例，与所述第二量子点的核表面的S和Se比例不同；或者所述第一量子点的核表面的S和Te比例，与所述第二量子点的核表面的S和Te比例不同。
图1为本发明实施例提供的一种量子点的制备方法较佳实施例的流程图，所述量子点具有核壳结构，如图1所示，包括步骤：
S11、制备量子点核；
S12、在量子点核的表面生成量子点的壳层，调节量子点壳层的生成时间，控制量子点的壳层厚度为0.1-1nm，得到所述量子点。
本实施例中，通过调节量子点壳层的生成时间，控制量子点的壳层厚度为0.1-1nm，在本征发光峰和缺陷发光峰在一定峰位情况下，让本征发光峰与缺陷发光峰的比例到达较优的比值，最终获得所需的白光。本实施例通过调控量子点合成途径，获得可以发射白光的量子点。
在一种实施方式中，所述量子点的核表面具有第一阴离子元素，所述量子点的核表面还掺杂有第二阴离子元素，所述第一阴离子元素与第二阴离子元素不同。本实施例进一步地通过在量子点的核表面掺杂第二阴离子元素，调节核表面的第一阴离子元素与第二阴离子元素的质量比例，从而调节缺陷态发光峰的峰位，获得效果更佳的白光。本实施例中，所述第一阴离子元素和第二阴离子元素独立地选自S元素、Se元素和Te元素等中的一种，例如，第一阴离子元素为Se，第二阴离子元素为Te，形成核为CdSe，在该核的表面还掺杂有Te；又如第一阴离子元素为Te，第二阴离子元素为Se，形成核为CdTe，在该核的表面还掺杂有Se；又如，第一阴离子元素为S，第二阴离子元素为Se，形成核为CdS，在该核的表面还掺杂有Se。
在一种具体的实施方式中，所述量子点的核为CdS量子点，所述CdS量子点的发光波长为410-470nm(CdS量子点发蓝光)，所述量子点的核表面还掺杂有Se元素或Te元素，所述量子点的壳为ZnS，所述量子点的壳层厚度为0.1-1nm。
图2为本发明实施例提供的一种量子点的制备方法较佳实施例的流程图，所述量子点具有核壳结构，如图2所示，包括步骤：
S21、制备量子点核；所述量子点的核表面具有第一阴离子元素，所述量子点的核表面还掺杂有第二阴离子元素，所述第一阴离子元素与第二阴离子元素不同；
S22、在量子点核的表面生成量子点的壳层，得到所述量子点。
本实施例中，通过在量子点的核表面掺杂第二阴离子元素，调节核表面的第一阴离子元素与第二阴离子元素的质量比例，从而调节缺陷态发光峰的峰位，获得所需色温的白光。本实施例通过调控量子点合成途径，获得可以发射白光的量子点。
在一种实施方式中，所述在量子点核的表面生成量子点的壳层，得到所述量子点的步骤包括：在量子点核的表面生成量子点的壳层，调节量子点壳层的生成时间，控制量子点的壳层厚度为0.1-1nm，得到所述量子点。本实施例进一步地通过调节本征发光峰和缺陷态发光峰的强度比例，从而获得效果更佳的白光。
本发明实施例提供一种量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，其中，所述量子点发光层包括本发明实施例所述的量子点。
本实施例采用单层的器件结构，在仅仅使用一种本实施例所述的量子量子点，即可以实现白光发射的量子点发光二极管，在降低工艺难度的同时、可以降低制造成本，有利于未来的应用推广。
本发明实施例还提供一种量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，其中，所述量子点发光层包括本实施例所述的量子点材料组合物。具体地说，所述的量子点材料组合物包括第一量子点和第二量子点，所述第一量子点和第二量子点均为本实施例所述的量子点，所述第一量子点的壳层厚度和所述第二量子点的壳层厚度不同。具体地说，所述量子点的壳层厚度为0.1-1nm。
本实施例采用单层的器件结构，使用两种本实施例所述的量子点，以合适比例混合作为量子点发光二极管的量子点发光层，更有利于精细调控发白光，在降低工艺难度的同时、可以降低制造成本，有利于未来的应用推广。
在一种实施方式中，所述量子点的核表面具有第一阴离子元素，所述量子点的核表面还掺杂有第二阴离子元素，所述第一阴离子元素与第二阴离子元素不同。本实施例进一步地通过在量子点的核表面掺杂第二阴离子元素，调节核表面的第一阴离子元素与第二阴离子元素的质量比例，从而调节缺陷态发光峰的峰位，获得效果更佳的白光。本实施例中，所述第一阴离子元素和第二阴离子元素独立地选自S元素、Se元素和Te元素等中的一种，例如，第一阴离子元素为Se，第二阴离子元素为Te，形成核为CdSe，在该核的表面还掺杂有Te；又如第一阴离子元素为Te，第二阴离子元素为Se，形成核为CdTe，在该核的表面还掺杂有Se；又如，第一阴离子元素为S，第二阴离子元素为Se，形成核为CdS，在该核的表面还掺杂有Se。
在一种实施方式中，所述量子点的核为CdS量子点，所述CdS量子点的发光波长为410-470nm(CdS量子点发蓝光)，所述量子点的壳为ZnS，所述量子点的核表面还掺杂有阴离子元素Se或Te元素。
本发明实施例还提供一种量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，其中，所述量子点发光层包括本实施例所述的量子点材料组合物。具体地说，所述的量子点材料组合物包括第一量子点和第二量子点，所述第一量子点和第二量子点均为量子点，所述量子点的核表面具有第一阴离子元素，所述量子点的核表面还掺杂有第二阴离子元素，所述第一阴离子元素与第二阴离子元素不同；所述第一阴离子元素为S，形成核为CdS的量子点，所述CdS量子点的发光波长为410-470nm(CdS量子点发蓝光)，所述量子点的壳为ZnS，所述第二阴离子元素为Se；所述第一量子点的核表面的S和Se比例，与所述第二量子点的核表面的S和Se比例不同。
本发明实施例还提供一种量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，其中，所述量子点发光层包括本实施例所述的量子点材料组合物。具体地说，所述的量子点材料组合物包括第一量子点和第二量子点，所述第一量子点和第二量子点均为量子点，所述量子点的核表面具有第一阴离子元素，所述量子点的核表面还掺杂有第二阴离子元素，所述第一阴离子元素与第二阴离子元素不同；所述第一阴离子元素为S，形成核为CdS的量子点，所述CdS量子点的发光波长为410-470nm(CdS量子点发蓝光)，所述量子点的壳为ZnS，所述第二阴离子元素为Te；所述第一量子点的核表面的S和Te比例，与所述第二量子点的核表面的S和Te比例不同。
本实施例采用单层的器件结构，使用两种本实施例所述的量子点，以合适比例混合作为量子点发光二极管的量子点发光层，更有利于精细调控发白光，在降低工艺难度的同时、可以降低制造成本，有利于未来的应用推广。
量子点由于具有巨大的比表面积，在表面往往存在大量悬挂键，在能带中表现为带隙中出现缺陷能级，从而引起缺陷态发光。缺陷态的发光峰往往比本征发光峰红移，其半高宽约为100nm-150nm。
以一种蓝光量子点发光为例，存在缺陷态的情况下，本征发光峰位置为475nm，缺陷态发光峰位置约为550nm，半高宽约150nm，通过调控本征发光峰与缺陷态发光峰的强度比例，使得混合发光位于不同的CIE坐标值，从而呈现不同色温的白光。例如PL(本征)：PL(缺陷态)＝1:1，发光呈现纯白色温，当PL(本征)：PL(缺陷态)＝1:1.5，呈现偏黄的色温。
下面通过具体的实施例对本发明进行详细说明。
实施例1：
(1)油酸镉Cd(OA)2前驱体的制备:
在三口烧瓶中加入氧化镉(CdO)0.2mmol，油酸(OA)0.5ml，十八烯(ODE)5ml，先常温抽真空30mins，然后在加热到180℃排氩气60mins，然后维持180℃抽真空30mins，冷却至室温备用。
(2)油酸锌Zn(OA)2前驱体的制备：
在三口烧瓶中加入醋酸锌Zn(Ac)2 1.8mmol，油酸(OA)1ml，十八烯(ODE)5ml，先常温抽真空30mins，然后在加热到180℃排氩气60mins，然后维持180℃抽真空30mins，冷却至室温备用。
(3)硫(S)前驱体的制备：
称取30mg的S加入到1ml的十八烯(ODE)中，230℃加热20mins，维持在140℃备用。
(4)合成CdS核
取5ml的油酸镉Cd(OA)2前驱体加入到三口瓶中，先常温排气20mins，然后加热到120℃抽真空30mins，最后升温到300℃。待烧瓶内的前躯体升温到300℃时并维持在300℃，抽取1ml硫前躯体(S-ODE)快速热注入到烧瓶内。待反应成核60s时在后续的成核9min内补充前躯体Cd(OA)2，采用逐渐递增的滴加速率(0.6+n)/36mmol/min(n＝1,2,…9)。反应结束时撤去加热套，通过冰水浴快速降低温度，使得反应立即停止；取出量子点，用甲苯溶液离心清洗溶液中未反应完的前驱体，在多次离心后把量子点溶于非极性溶剂。
(5)形成ZnS壳层
取100mg的CdS量子点核、5ml油酸(OA)、10ml的十八烯(ODE)加入到三口烧瓶中，先进行常温排气20min，然后升温到180℃。到达目标温度后同时注入0.3mmol的油酸锌、0.3mmol的十二烷基硫醇进行最终的外壳生长，生长时间控制在180s内，反应结束时撤去加热套，通过冰水浴快速降低温度，使得反应立即停止；获得薄层外壳0.2nm，在本征发光峰和缺陷发光峰在一定峰位情况下，让本征发光峰与缺陷发光峰的比例到达最优的比值，最终获得可发射白光(本征：475nm，缺陷：550nm，峰强度比例为1:2)的量子点。
实施例2：
(1)油酸镉Cd(OA)2前驱体的制备:
在三口烧瓶中加入氧化镉(CdO)0.2mmol，油酸(OA)0.5ml，十八烯(ODE)5ml，先常温抽真空30mins，然后在加热到180℃排氩气60mins，然后维持180℃抽真空30mins，冷却至室温备用。
(2)油酸锌Zn(OA)2前驱体的制备：
在三口烧瓶中加入醋酸锌Zn(Ac)2 1.8mmol，油酸(OA)1ml，十八烯(ODE)5ml，先常温抽真空30mins，然后在加热到180℃排氩气60mins，然后维持180℃抽真空30mins，冷却至室温备用。
(3)硫(S)前驱体的制备：
称30mg的S加入到1ml的十八烯(ODE)中，230℃加热20mins，被维持在140℃备用。
(4)硒(Se)或(Te)前驱体的制备：
称取60mg的Se(或100mg Te)加入到1ml的十八烯(ODE)中，230℃加热20mins，被维持在140℃备用。
(5)合成CdS核和加入Se阴离子元素
取5ml的油酸镉Cd(OA)2前驱体加入到三口瓶中，先常温排气20mins，然后加热到120℃抽真空30mins，最后升温到300℃。待烧瓶内的前躯体升温到300℃时并维持在300℃，抽取1ml硫前躯体(S-ODE)快速热注入到烧瓶内。待反应成核60s时在后续的成核9min内补充前躯体Cd(OA)2，采用逐渐递增的滴加速率(0.6+n)/36mmol/min(n＝1,2,…9)。维持温度，继续注入0.5mL硒前驱体(Se-ODE)。反应结束时撤去加热套，通过冰水浴快速降低温度，使得反应立即停止；取出量子点，用丙酮溶液离心清洗溶液中未反应完的前驱体，在多次离心后把量子点溶于非极性溶剂。经过不同的阴离子比例，让本征发光峰与缺陷发光峰的峰位到达最优位置。本实施例中，不加入Se离子，本征发光峰位在480nm，缺陷发光峰位在510nm，加入Se离子，本征发光峰位可通过反应时间控制尺寸大小，保持在480nm，缺陷发光峰位移动至580nm。
(5)形成ZnS壳层
取100mg的CdS量子点核、5ml油酸(OA)、10ml的十八烯(ODE)加入到三口烧瓶中，先进行常温排气20min，然后升温到180℃。到达目标温度后同时注入0.3mmol的油酸锌、0.3mmol的十二烷基硫醇进行最终的外壳生长，生长时间控制在180s内，反应结束时撤去加热套，通过冰水浴快速降低温度，使得反应立即停止；在(4)的基础上获得薄层外壳0.5nm，在本征发光峰和缺陷态发光峰在一定峰位情况下，让本征发光峰与缺陷态发光峰的比例到达最优的比值，最终获得可发射白光(本征：475nm，缺陷：530nm，峰强度比例为1:1.5)的量子点。
实施例3：QLED器件的制备
本实施例的一种正置顶发射结构的QLED器件的制备过程如下：
步骤S1：在ITO衬底上，旋涂PEDOT：PSS，转速5000，时间30秒，随后150℃加热15分钟；
步骤S2：旋涂TFB(8mg/mL)，转速3000，时间30秒，随后150℃加热30分钟；
步骤S3：旋涂实施例1中合成的量子点(20mg/mL)，转速2000，时间30秒；
步骤S4：旋涂ZnO(30mg/mL)，转速3000，时间30秒，随后80℃加热30分钟；
步骤S5：通过热蒸发，真空度3×10-4Pa，蒸镀Ag，速度为1埃/秒，时间200秒，厚度20nm，得到顶发射的正置型量子点发光二极管。
综上所述，本发明提出一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管。本发明通过适当增加壳层，使壳层厚度控制在0.1-1nm，以调节本征发光峰和缺陷态发光峰的强度比例，从而获得所需色温的白光。本发明还可通过在量子点的核表面掺杂第二阴离子元素，调节核表面的第一阴离子元素与第二阴离子元素的质量比例，从而调节缺陷态发光峰的峰位，获得所需色温的白光。本发明通过调控量子点合成途径，获得可以发射白光的量子点，并采用单层的器件结构，在仅仅使用一种量子点，即可以实现白光发射的量子点发光二极管，在降低工艺难度的同时、可以降低制造成本，有利于未来的应用推广。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种量子点，所述量子点具有核壳结构，其特征在于，所述量子点的壳层厚度为0.1-1nm。
2.根据权利要求1所述的量子点，其特征在于，所述量子点的核表面具有第一阴离子元素，所述量子点的核表面还掺杂有第二阴离子元素，所述第一阴离子元素与第二阴离子元素不同，所述第一阴离子元素和第二阴离子元素独立地选自S元素、Se元素和Te元素中的一种。
3.根据权利要求1所述的量子点，其特征在于，所述量子点的核为CdS量子点，所述CdS量子点的发光波长为410-470nm，所述量子点的核表面还掺杂有Se元素或Te元素，所述量子点的壳为ZnS。
4.一种量子点材料组合物，其特征在于，包括第一量子点和第二量子点，所述第一量子点和第二量子点均为具有核壳结构的量子点，所述量子点的壳层厚度为0.1-1nm，所述第一量子点的壳层厚度和所述第二量子点的壳层厚度不同。
5.根据权利要求4所述的量子点材料组合物，其特征在于，所述量子点的核为CdS量子点，所述CdS量子点的发光波长为410-470nm，所述量子点的核表面还掺杂有Se元素，所述量子点的壳为ZnS；所述第一量子点的核表面的S和Se比例，与所述第二量子点的核表面的S和Se比例不同；
或者，所述量子点的核为CdS量子点，所述CdS量子点的发光波长为410-470nm，所述量子点的核表面还掺杂有Te元素，所述量子点的壳为ZnS；所述第一量子点的核表面的S和Te比例，与所述第二量子点的核表面的S和Te比例不同。
6.一种量子点的制备方法，所述量子点具有核壳结构，其特征在于，
制备量子点核；
在量子点核的表面生成量子点的壳层，调节量子点壳层的生成时间，控制量子点的壳层厚度为0.1-1nm，得到所述量子点。
7.根据权利要求6所述的量子点的制备方法，其特征在于，所述量子点的核表面具有第一阴离子元素，所述量子点的核表面还掺杂有第二阴离子元素，所述第一阴离子元素与第二阴离子元素不同，所述第一阴离子元素和第二阴离子元素独立地选自S元素、Se元素和Te元素中的一种。
8.根据权利要求7所述的量子点的制备方法，其特征在于，所述量子点的核为CdS量子点，所述CdS量子点的发光波长为410-470nm，所述量子点的核表面还掺杂有Se元素或Te元素，所述量子点的壳为ZnS。
9.一种量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，其特征在于，所述量子点发光层包括权利要求1-3任一项所述的量子点。
10.一种量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，其特征在于，所述量子点发光层包括权利要求4-5任一项所述的量子点材料组合物。
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