CN108352453A - 电致发光器件、其制备方法及油墨组合物 - Google Patents
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- 238000007639 printing Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 11
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 60
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 60
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 49
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 101
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 19
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 14
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 13
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 9
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N Ethynylbenzene Chemical group C#CC1=CC=CC=C1 UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 8
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 claims description 6
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000010020 roller printing Methods 0.000 claims description 6
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 claims description 6
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 5
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CTAPFRYPJLPFDF-UHFFFAOYSA-N isoxazole Chemical compound C=1C=NOC=1 CTAPFRYPJLPFDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 claims description 5
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical compound C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 claims description 5
- DXBHBZVCASKNBY-UHFFFAOYSA-N 1,2-Benz(a)anthracene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=CC2=C1 DXBHBZVCASKNBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HKMTVMBEALTRRR-UHFFFAOYSA-N Benzo[a]fluorene Chemical compound C1=CC=CC2=C3CC4=CC=CC=C4C3=CC=C21 HKMTVMBEALTRRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 206010034962 Photopsia Diseases 0.000 claims description 4
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000003951 lactams Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910000065 phosphene Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 4
- 235000009854 Cucurbita moschata Nutrition 0.000 claims description 3
- 240000001980 Cucurbita pepo Species 0.000 claims description 3
- 235000009852 Cucurbita pepo Nutrition 0.000 claims description 3
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 235000020354 squash Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 claims description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 23
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- -1 diamine compound Chemical class 0.000 description 22
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 7
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 6
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical group C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 5
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 5
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 5
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- NQMUGNMMFTYOHK-UHFFFAOYSA-N 1-methoxynaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(OC)=CC=CC2=C1 NQMUGNMMFTYOHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IYTXKIXETAELAV-UHFFFAOYSA-N Aethyl-n-hexyl-keton Natural products CCCCCCC(=O)CC IYTXKIXETAELAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical group CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 4
- ZAJNGDIORYACQU-UHFFFAOYSA-N decan-2-one Chemical compound CCCCCCCCC(C)=O ZAJNGDIORYACQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 4
- IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N m-xylene Chemical group CC1=CC=CC(C)=C1 IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 4
- HFPZCAJZSCWRBC-UHFFFAOYSA-N p-cymene Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C)C=C1 HFPZCAJZSCWRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000003254 radicals Chemical group 0.000 description 4
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N tetraglyme Chemical compound COCCOCCOCCOCCOC ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NKJOXAZJBOMXID-UHFFFAOYSA-N 1,1'-Oxybisoctane Chemical compound CCCCCCCCOCCCCCCCC NKJOXAZJBOMXID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XHLHPRDBBAGVEG-UHFFFAOYSA-N 1-tetralone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)CCCC2=C1 XHLHPRDBBAGVEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N Octadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCN REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N SnO2 Inorganic materials O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical class COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 3
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 3
- 229910052956 cinnabar Inorganic materials 0.000 description 3
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N dibenzyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1COCC1=CC=CC=C1 MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SQNZJJAZBFDUTD-UHFFFAOYSA-N durene Natural products CC1=CC(C)=C(C)C=C1C SQNZJJAZBFDUTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 150000002240 furans Chemical class 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 150000002390 heteroarenes Chemical class 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- UKWHYYKOEPRTIC-UHFFFAOYSA-N mercury(II) oxide Inorganic materials [Hg]=O UKWHYYKOEPRTIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 3
- AGIQIOSHSMJYJP-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-Trimethoxybenzene Chemical compound COC1=CC=C(OC)C(OC)=C1 AGIQIOSHSMJYJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKIRBHVFJGXOIS-UHFFFAOYSA-N 1,2-di(propan-2-yl)benzene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1C(C)C OKIRBHVFJGXOIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylbenzene Chemical group CCC1=CC=CC=C1CC KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QNLZIZAQLLYXTC-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethylnaphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=C(C)C(C)=CC=C21 QNLZIZAQLLYXTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DPZNOMCNRMUKPS-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethoxybenzene Chemical compound COC1=CC=CC(OC)=C1 DPZNOMCNRMUKPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DSNHSQKRULAAEI-UHFFFAOYSA-N 1,4-Diethylbenzene Chemical group CCC1=CC=C(CC)C=C1 DSNHSQKRULAAEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- APQSQLNWAIULLK-UHFFFAOYSA-N 1,4-dimethylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C)=CC=C(C)C2=C1 APQSQLNWAIULLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 1-Hexadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRRDISHSXWGFRF-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]-2-methoxyethane Chemical compound CCOCCOCCOCCOC JRRDISHSXWGFRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HYLLZXPMJRMUHH-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOC HYLLZXPMJRMUHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SNAQINZKMQFYFV-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCOC SNAQINZKMQFYFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical compound C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 1-hexoxyhexane Chemical compound CCCCCCOCCCCCC BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RERATEUBWLKDFE-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propane Chemical compound COCC(C)OCC(C)OCC(C)OC RERATEUBWLKDFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UDONPJKEOAWFGI-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-3-phenoxybenzene Chemical compound CC1=CC=CC(OC=2C=CC=CC=2)=C1 UDONPJKEOAWFGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPUYECUOLPXSFR-UHFFFAOYSA-N 1-methylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C)=CC=CC2=C1 QPUYECUOLPXSFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AOPDRZXCEAKHHW-UHFFFAOYSA-N 1-pentoxypentane Chemical compound CCCCCOCCCCC AOPDRZXCEAKHHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LIWRTHVZRZXVFX-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-3-propan-2-ylbenzene Chemical group CC(C)C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 LIWRTHVZRZXVFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OHZAHWOAMVVGEL-UHFFFAOYSA-N 2,2'-bithiophene Chemical compound C1=CSC(C=2SC=CC=2)=C1 OHZAHWOAMVVGEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GFWVDQCGGDBTBS-UHFFFAOYSA-N 2,6,8-trimethylnonan-4-one Chemical compound CC(C)CC(C)CC(=O)CC(C)C GFWVDQCGGDBTBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HJKGBRPNSJADMB-UHFFFAOYSA-N 3-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CN=C1 HJKGBRPNSJADMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GNKZMNRKLCTJAY-UHFFFAOYSA-N 4'-Methylacetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=C(C)C=C1 GNKZMNRKLCTJAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZPQAKYPOZRXKFA-UHFFFAOYSA-N 6-Undecanone Chemical compound CCCCCC(=O)CCCCC ZPQAKYPOZRXKFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNMZZHPSYMOGCI-UHFFFAOYSA-N Aethyl-octyl-keton Natural products CCCCCCCCC(=O)CC YNMZZHPSYMOGCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LHXDLQBQYFFVNW-UHFFFAOYSA-N Fenchone Chemical compound C1CC2(C)C(=O)C(C)(C)C1C2 LHXDLQBQYFFVNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005543 GaSe Inorganic materials 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Natural products OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 150000007824 aliphatic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N azulene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC2=C1 CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OCKPCBLVNKHBMX-UHFFFAOYSA-N butylbenzene Chemical compound CCCCC1=CC=CC=C1 OCKPCBLVNKHBMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 2
- FUGIIBWTNARRSF-UHFFFAOYSA-N decane-5,6-diol Chemical compound CCCCC(O)C(O)CCCC FUGIIBWTNARRSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 2
- QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N dioxomolybdenum Chemical compound O=[Mo]=O QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N isophorone Chemical compound CC1=CC(=O)CC(C)(C)C1 HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- VKCYHJWLYTUGCC-UHFFFAOYSA-N nonan-2-one Chemical compound CCCCCCCC(C)=O VKCYHJWLYTUGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSGCRAOTEDLMFQ-UHFFFAOYSA-N nonan-5-one Chemical compound CCCCC(=O)CCCC WSGCRAOTEDLMFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RZJRJXONCZWCBN-UHFFFAOYSA-N octadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC RZJRJXONCZWCBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- YTZKOQUCBOVLHL-UHFFFAOYSA-N p-methylisopropylbenzene Natural products CC(C)(C)C1=CC=CC=C1 YTZKOQUCBOVLHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- MTZWHHIREPJPTG-UHFFFAOYSA-N phorone Chemical compound CC(C)=CC(=O)C=C(C)C MTZWHHIREPJPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930193351 phorone Natural products 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ABDKAPXRBAPSQN-UHFFFAOYSA-N veratrole Chemical compound COC1=CC=CC=C1OC ABDKAPXRBAPSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LHXDLQBQYFFVNW-XCBNKYQSSA-N (+)-Fenchone Natural products C1C[C@]2(C)C(=O)C(C)(C)[C@H]1C2 LHXDLQBQYFFVNW-XCBNKYQSSA-N 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M .beta-Phenylacrylic acid Natural products [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical class CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrachloroethane Chemical class ClC(Cl)C(Cl)Cl QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBKONEOXTCPAFI-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trichlorobenzene Chemical class ClC1=CC=C(Cl)C(Cl)=C1 PBKONEOXTCPAFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical class ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTZQTRPPVKQPFO-UHFFFAOYSA-N 1,2-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2C=NOC2=C1 KTZQTRPPVKQPFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMUWSGQKPAEPBA-UHFFFAOYSA-N 1,2-dibutylbenzene Chemical compound CCCCC1=CC=CC=C1CCCC NMUWSGQKPAEPBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVSYDCGFYSVNAX-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihexylbenzene Chemical compound CCCCCCC1=CC=CC=C1CCCCCC GVSYDCGFYSVNAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQYVVSNFPLKMNU-UHFFFAOYSA-N 1,2-dipentylbenzene Chemical compound CCCCCC1=CC=CC=C1CCCCC FQYVVSNFPLKMNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000183 1,3-benzoxazoles Chemical class 0.000 description 1
- AFZZYIJIWUTJFO-UHFFFAOYSA-N 1,3-diethylbenzene Chemical group CCC1=CC=CC(CC)=C1 AFZZYIJIWUTJFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTFRNSPYRPYKDV-UHFFFAOYSA-N 1,3-dipropoxybenzene Chemical compound CCCOC1=CC=CC(OCCC)=C1 UTFRNSPYRPYKDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWTBXGSNWKXTPX-UHFFFAOYSA-N 1,3-dipropylbenzene Chemical compound CCCC1=CC=CC(CCC)=C1 GWTBXGSNWKXTPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005967 1,4-Dimethylnaphthalene Substances 0.000 description 1
- 150000000094 1,4-dioxanes Chemical class 0.000 description 1
- NNHYAHOTXLASEA-UHFFFAOYSA-N 1-(dimethoxymethyl)-4-methoxybenzene Chemical compound COC(OC)C1=CC=C(OC)C=C1 NNHYAHOTXLASEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVVNLKTXAVHPLZ-UHFFFAOYSA-N 1-benzofuran;pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1.C1=CC=C2OC=CC2=C1 DVVNLKTXAVHPLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNRDGHFESOHOBF-UHFFFAOYSA-N 1-benzoselenophene Chemical compound C1=CC=C2[se]C=CC2=C1 BNRDGHFESOHOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMLURENDJQQGCM-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene;pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1.C1=CC=C2SC=CC2=C1 HMLURENDJQQGCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVCJZVGIIMAVDI-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-butylbenzene Chemical compound CCCCC1=CC=CC=C1CC1=CC=CC=C1 LVCJZVGIIMAVDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTPNRXUCIXHOKM-UHFFFAOYSA-N 1-chloronaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(Cl)=CC=CC2=C1 JTPNRXUCIXHOKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWSHGRJUSUJPQD-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-4-propan-2-ylbenzene Chemical group C1=CC(C(C)C)=CC=C1C1=CC=CC=C1 KWSHGRJUSUJPQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZQCAOQMXPROIJ-UHFFFAOYSA-N 1-phosphonopropan-2-ylphosphonic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(C)CP(O)(O)=O DZQCAOQMXPROIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCUPBIBNSTXCPQ-UHFFFAOYSA-N 1-tert-butyl-4-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1 MCUPBIBNSTXCPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 10H-phenoxazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3OC2=C1 TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 1H-indazole Chemical compound C1=CC=C2C=NNC2=C1 BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEBQZJXMAOMNBO-UHFFFAOYSA-N 1h-indole;pyridine Chemical class C1=CC=NC=C1.C1=CC=C2NC=CC2=C1 IEBQZJXMAOMNBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXWWHNCQZBVZPV-UHFFFAOYSA-N 2'-methylacetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1C YXWWHNCQZBVZPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUMOJENFFHZAFP-UHFFFAOYSA-N 2-Ethoxynaphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(OCC)=CC=C21 GUMOJENFFHZAFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVYVQNHYIHAJTD-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-ylnaphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C(C)C)=CC=C21 TVYVQNHYIHAJTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGIJRRREJXSQJR-UHFFFAOYSA-N 2h-thiazine Chemical compound N1SC=CC=C1 AGIJRRREJXSQJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCKZIWSINLBROE-UHFFFAOYSA-N 3,4-dihydro-1h-naphthalen-2-one Chemical compound C1=CC=C2CC(=O)CCC2=C1 KCKZIWSINLBROE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKYQGGAVQQOZQC-UHFFFAOYSA-N 3-phosphanylpropane-1,1,1-triol Chemical compound OC(O)(O)CCP GKYQGGAVQQOZQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWCDLEQTELFBAW-UHFFFAOYSA-N 3h-dioxazole Chemical compound N1OOC=C1 BWCDLEQTELFBAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQIIVEISJBBUCR-UHFFFAOYSA-N 4-(3-phenylpropyl)pyridine Chemical compound C=1C=NC=CC=1CCCC1=CC=CC=C1 AQIIVEISJBBUCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGYYLUNYOCBBME-UHFFFAOYSA-M 4-fluoro-2-phenyl-4-(4-propylcyclohexyl)cyclohexa-1,5-diene-1-carboxylate Chemical compound C1CC(CCC)CCC1C1(F)C=CC(C([O-])=O)=C(C=2C=CC=CC=2)C1 KGYYLUNYOCBBME-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJTQKPNNQVLHHO-UHFFFAOYSA-N 9h-carbazole;1h-indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1.C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 QJTQKPNNQVLHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N Benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002899 Bi2Te3 Inorganic materials 0.000 description 1
- SAIKULLUBZKPDA-UHFFFAOYSA-N Bis(2-ethylhexyl) amine Chemical compound CCCCC(CC)CNCC(CC)CCCC SAIKULLUBZKPDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- LTEQMZWBSYACLV-UHFFFAOYSA-N Hexylbenzene Chemical compound CCCCCCC1=CC=CC=C1 LTEQMZWBSYACLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004890 Hydrophobing Agent Substances 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000764773 Inna Species 0.000 description 1
- 229910015667 MoO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015711 MoOx Inorganic materials 0.000 description 1
- BOEPPLMESBNXAS-UHFFFAOYSA-N N1=CC=CC=C1.[Se]1C=CC2=C1C=CC=C2 Chemical compound N1=CC=CC=C1.[Se]1C=CC2=C1C=CC=C2 BOEPPLMESBNXAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000305 Nylon 6,10 Polymers 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical group [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007604 Zn—Sn—O Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N benzarone Chemical compound CCC=1OC2=CC=CC=C2C=1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1 RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- BNBQRQQYDMDJAH-UHFFFAOYSA-N benzodioxan Chemical compound C1=CC=C2OCCOC2=C1 BNBQRQQYDMDJAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- WLJVXDMOQOGPHL-UHFFFAOYSA-N benzyl-alpha-carboxylic acid Natural products OC(=O)CC1=CC=CC=C1 WLJVXDMOQOGPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- YFNONBGXNFCTMM-UHFFFAOYSA-N butoxybenzene Chemical compound CCCCOC1=CC=CC=C1 YFNONBGXNFCTMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229930016911 cinnamic acid Natural products 0.000 description 1
- 235000013985 cinnamic acid Nutrition 0.000 description 1
- WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N cinnoline Chemical compound N1=NC=CC2=CC=CC=C21 WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- DZQISOJKASMITI-UHFFFAOYSA-N decyl-dioxido-oxo-$l^{5}-phosphane;hydron Chemical class CCCCCCCCCCP(O)(O)=O DZQISOJKASMITI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- SEGLCEQVOFDUPX-UHFFFAOYSA-N di-(2-ethylhexyl)phosphoric acid Chemical class CCCCC(CC)COP(O)(=O)OCC(CC)CCCC SEGLCEQVOFDUPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000004826 dibenzofurans Chemical class 0.000 description 1
- DHFABSXGNHDNCO-UHFFFAOYSA-N dibenzoselenophene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3[se]C2=C1 DHFABSXGNHDNCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N dibenzothiophene Chemical class C1=CC=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVXOPEOQUQWRHQ-UHFFFAOYSA-N dibutyl phosphite Chemical compound CCCCOP([O-])OCCCC BVXOPEOQUQWRHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRKQOINLCJTGBK-UHFFFAOYSA-N dihydroxidosulfur Chemical compound OSO HRKQOINLCJTGBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXKJFZQQPQGTFL-UHFFFAOYSA-N dihydroxyacetone Chemical compound OCC(=O)CO RXKJFZQQPQGTFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940113088 dimethylacetamide Drugs 0.000 description 1
- LAWOZCWGWDVVSG-UHFFFAOYSA-N dioctylamine Chemical compound CCCCCCCCNCCCCCCCC LAWOZCWGWDVVSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- OPTDDWCXQQYKGU-UHFFFAOYSA-N diphenyldichloromethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 OPTDDWCXQQYKGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N diphenylmethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CC1=CC=CC=C1 CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- HKNRNTYTYUWGLN-UHFFFAOYSA-N dithieno[3,2-a:2',3'-d]thiophene Chemical compound C1=CSC2=C1SC1=C2C=CS1 HKNRNTYTYUWGLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N dodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAKDVDDBABPPKC-UHFFFAOYSA-N dodecylphosphane Chemical class CCCCCCCCCCCCP AAKDVDDBABPPKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- FYIBGDKNYYMMAG-UHFFFAOYSA-N ethane-1,2-diol;terephthalic acid Chemical compound OCCO.OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 FYIBGDKNYYMMAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 150000002195 fatty ethers Chemical class 0.000 description 1
- 229930006735 fenchone Natural products 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000003205 fragrance Substances 0.000 description 1
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PHNWGDTYCJFUGZ-UHFFFAOYSA-N hexyl dihydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCOP(O)(O)=O PHNWGDTYCJFUGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 125000003454 indenyl group Chemical class C1(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 150000002475 indoles Chemical class 0.000 description 1
- HOBCFUWDNJPFHB-UHFFFAOYSA-N indolizine Chemical compound C1=CC=CN2C=CC=C21 HOBCFUWDNJPFHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N indolo[3,2-c]carbazole Chemical compound C1=CC=CC2=NC3=C4C5=CC=CC=C5N=C4C=CC3=C21 VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960005544 indolocarbazole Drugs 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N lichenxanthone Natural products COC1=CC(O)=C2C(=O)C3=C(C)C=C(OC)C=C3OC2=C1 QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- FSPSELPMWGWDRY-UHFFFAOYSA-N m-Methylacetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC(C)=C1 FSPSELPMWGWDRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 238000005360 mashing Methods 0.000 description 1
- RPZHFKHTXCZXQV-UHFFFAOYSA-N mercury(I) oxide Inorganic materials O1[Hg][Hg]1 RPZHFKHTXCZXQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N methyl p-hydroxycinnamate Natural products OC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRVDJDISBSALJP-UHFFFAOYSA-N methyloxidanyl Chemical group [O]C GRVDJDISBSALJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N n,n-dioctyloctan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCCCCCCC)CCCCCCCC XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N n-Decanedioic acid Natural products OC(=O)CCCCCCCCC(O)=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DYFFAVRFJWYYQO-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=CC=CC=1N(C)C1=CC=CC=C1 DYFFAVRFJWYYQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 125000003261 o-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJGCRMAPOWGWMW-UHFFFAOYSA-N octylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCCCP(O)(O)=O NJGCRMAPOWGWMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 description 1
- 150000005063 oxadiazines Chemical class 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000004893 oxazines Chemical class 0.000 description 1
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 125000001037 p-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 235000011837 pasties Nutrition 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229960003424 phenylacetic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000003279 phenylacetic acid Substances 0.000 description 1
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- KRIOVPPHQSLHCZ-UHFFFAOYSA-N propiophenone Chemical compound CCC(=O)C1=CC=CC=C1 KRIOVPPHQSLHCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPNGPNLZQNNVQM-UHFFFAOYSA-N pteridine Chemical compound N1=CN=CC2=NC=CN=C21 CPNGPNLZQNNVQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAVSMINTEBGDTI-UHFFFAOYSA-N pyridine;thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1.C1=CC=NC=C1 KAVSMINTEBGDTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013088 quantum-dot photovoltaic Methods 0.000 description 1
- JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N quinazoline Chemical compound N1=CN=CC2=CC=CC=C21 JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000108 silver(I,III) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 229910052959 stibnite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,7-diazaspiro[4.5]decane-7-carboxylate Chemical compound C1N(C(=O)OC(C)(C)C)CCCC11CNCC1 ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUVINXPYWBROJD-ONEGZZNKSA-N trans-anethole Chemical compound COC1=CC=C(\C=C\C)C=C1 RUVINXPYWBROJD-ONEGZZNKSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTTGYFREQJCEML-UHFFFAOYSA-N tributyl phosphite Chemical compound CCCCOP(OCCCC)OCCCC XTTGYFREQJCEML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAJQCIFYLSXSEZ-UHFFFAOYSA-N tridecyl dihydrogen phosphate Chemical class CCCCCCCCCCCCCOP(O)(O)=O GAJQCIFYLSXSEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVIIAEVMQHEPAY-UHFFFAOYSA-N tridodecyl phosphite Chemical compound CCCCCCCCCCCCOP(OCCCCCCCCCCCC)OCCCCCCCCCCCC IVIIAEVMQHEPAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEDNBHNWMHJNAB-UHFFFAOYSA-N tris(8-methylnonyl) phosphite Chemical compound CC(C)CCCCCCCOP(OCCCCCCCC(C)C)OCCCCCCCC(C)C QEDNBHNWMHJNAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
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- H10K50/80—Constructional details
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- H10K50/14—Carrier transporting layers
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Abstract
一种电致发光器件及其制备方法，其中，电致发光器件，包含阳极(102)、发光层(104)和阴极(106)，发光层(104)位于阳极(102)和阴极(106)之间，其中发光层(104)包含无机发光纳米材料和聚酰亚胺聚合物，其中聚酰亚胺聚合物的HOMO和无机发光纳米材料的价带能级VB满足：VB(无机发光纳米材料)≤HOMO(聚酰亚胺)+0.3eV，从而提供了一种易于大面积加工的高性能电致发光器件的解决方案。还涉及包括有纳米发光材料和聚酰亚胺聚合物的油墨组合物。
Description
本发明涉及一种包含纳米发光材料的电致发光器件，尤其是涉及具有包括量子点及聚酰亚胺聚合物共混物的量子点发光器件。本发明还涉及包括有纳米发光材料和聚酰亚胺聚合物的油墨组合物，此油墨组合物的印刷工艺及在光电子器件中的应用，特别是在电致发光器件中的应用。
照明和显示是人类社会的重大需求，其能耗是当今社会能源消耗的一大部分。因此人们不断寻求新的节能环保技术，其中发光二极管(LED)由于其节能、环保、耐用等优点，正逐步取代传统照明材料，成为新一代的照明光源。但目前商业化的LED采用的薄膜沉积技术对真空要求较高，生产成本较高，不易实现大面积和柔性衬底生产。有机发光二极管(OLED)是作为新一代的照明和显示技术，虽然可以实现大面积器件生产，但器件寿命还有待提高。同时OLED的电致发光光谱半峰宽超过40nm，不利于其在显示设备的应用；此外，OLED在高亮度下的效率滚降以及寿命降低的问题也限制了在固态照明领域的应用
胶体量子点(QD)是一种可溶液加工的半导体纳米晶体，具有尺寸可调谐的光电子性质。通过改变量子点尺寸或改变其组分，其发光波长可以在所有可见波段调节，同时量子点发光光谱的半峰宽一般小于30nm，可以实现具有高色域的显示器和具有高显色指数的白光照明；而且量子点发光二极管(QLED)可以通过溶液加工在柔性衬底上大面积生产，可大大降低生产成本。因此以量子点作为发光层的量子点发光二极管(QLED)是极具潜力的下一代显示和固态照明光源。
目前量子点二极管器件(QLED)中常用的有机空穴传输材料的最高占据轨道能级(HOMO)一般高于-5.6eV，而一般量子点的价带能级在-6.0～-7.0eV之间。两者之间能级结构的不匹配使得空穴注入效率较低，导致发光层中量子点注入电荷不平衡，量子点呈现非电中性，大大降低了QLED的发光效率。同时目前通用的QLED器件中，发光层由纯的QD组成，而且厚度很薄，这对印刷工艺是个极大的挑战。为了提高可加工性，人们在发光层中使用聚合物和QD的混合物，如文献中(App.Phy.Lett.2007，91，243114；App.Phy.Lett.2008，92，043303)报道的CdSe/ZnS量子点掺杂于PVK或PFO，但PVK和PFO本身不稳定，对QLED的性能，特别是寿命都有很大的限制。
因此，寻找一种合适的发光层材料组合对于提高QLED性能尤其是寿命显得尤为重要。
发明内容
本发明旨在提供一种电致发光器件，以解决上述的现有技术中量子点发光二极管发光层材料问题，该电致发光器件包含：阳极、发光层和阴极，所述发光层位于所述阳极和所述阴极之间，其中，所述发光层包含无机发光纳米材料和聚酰亚胺聚合物。
在本发明的一些优选实施例中，所述聚酰亚胺聚合物包含通式(I)的重复单元
其中：A代表四价芳香族基团或脂肪族基团；B代表二价芳香族或脂肪族基团。
在本发明的一些优选实施例中，所述聚酰亚胺聚合物具有通式(II)的重复单元
其中：A代表四价芳香族基团或脂肪族基团；B代表二价芳香族或脂肪族基团；E为具有电子传输功能的基团，x+y＝1。
在本发明的一些优选实施例中，所述聚酰亚胺聚合物中A在多次出现时，相同或不同地选自以下基团，且A能够进一步被取代：
其中所示虚线键表示与相邻结构单元键合的键。
在本发明的一些优选实施例中，所述聚酰亚胺聚合物中B在多次出现时，相同或不同地选自以下基团，且B能够进一步被取代：
其中所示虚线键表示与相邻结构单元键合的键。
在本发明的一些优选实施例中，E选自吩嗪、菲罗啉、蒽、菲、芴、二芴、螺二芴、对苯乙炔、哒嗪、吡嗪、三嗪、三唑、咪唑、喹啉、异喹啉、喹噁啉、噁唑、异噁唑、噁二唑、噻二唑、吡啶、吡唑、吡咯、嘧啶、吖啶、芘、苝、反茚并芴、顺茚并、二苯并-茚并芴、茚并萘、苯并蒽、氮磷杂环戊二烯、氮硼杂环戊二烯、芳香酮类、内酰胺及其衍生物。
在本发明的一些优选实施例中，所述聚酰亚胺聚合物的HOMO≤-5.6eV。
在本发明的一些优选实施例中，所述聚酰亚胺聚合物的HOMO满足：无机发光纳米材料的VB≤HOMO+0.3eV。
在本发明的一些优选实施例中，所述无机发光纳米材料的发光波长位于380nm～2500nm之间。
在本发明的一些优选实施例中，所述的无机发光纳米材料的发光峰的波长大于所述的聚酰亚胺聚合物的发光峰值。
在本发明的一些优选实施例中，所述的无机发光纳米材料是量子点材料，即其粒径具有单分散的尺寸分布，其形状可选自球形、立方体、棒状或支化结构的不同纳米形貌。
在本发明的一些优选实施例中，所述的无机发光纳米材料为元素周期表IV族、II-VI族、II-V族、III-V族、III-VI族、IV-VI族、I-III-VI族、II-IV-VI族、II-IV-V族二元或多元半导体化合物的量子点或其混合物。
在本发明的一些优选实施例中，所述的无机发光纳米材料为发光钙钛矿纳米粒子材料、金属纳米粒子材料、或金属氧化物纳米粒子材料，或其混合物。
在本发明的一些优选实施例中，所述无机发光纳米材料和所述聚酰亚胺聚合物的掺杂比例在1∶99～99∶1之间。
在本发明的一些优选实施例中，所述电致发光器件选自量子点发光二极管、量子点发光电池、量子点发光场效应管、或量子点激光器。
本发明的另一个目的在于提供一种油墨组合物，包含无机发光纳米材料和聚酰亚胺聚合物，及至少一种有机溶剂。
在本发明的一些优选实施例中，其中所述发光层是通过印刷或涂布的方法制备而成，所述印刷或涂布的方法选自：喷墨打印，喷印，活版印刷，丝网印刷，浸涂，旋转涂布，刮刀涂布，辊筒印花，扭转辊印刷，平版印刷，柔版印刷，轮转印刷，喷涂，刷涂或移印，或狭缝型挤压式涂布。
有益效果：本发明的电致发光器件，其发光层包括无机发光纳米材料和聚酰亚胺聚合物，其中聚酰亚胺HOMO能级位于有机空穴传输层HOMO能级与QD材料价带能级之间，有效降低了器件的操作电压，提高发光效率，同时改善了器件的可加工性，提供了一种制造成本低、高性能的量子点发光器件的解决方案。本发明还提供了一种新型的聚酰亚胺聚合物，具有增强的电子传输性能。
图1为所述电致发光器件的剖面结构示意图；
图2为本发明实施例量子点发光二极管的光谱曲线。
本发明提供一种电致发光器件，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明所提供的电致发光器件中，该电致发光器件包括有一个阳极、一个发光层和一个阴极，发光层位于阳极和阴极之间，其中发光层包含无机发光纳米材料和一种聚酰亚胺聚合物。
一般地，发光层中的聚酰亚胺聚合物至少包含一个通式(I)的重复单元：
其中：A代表四价芳香族基团或脂肪族基团；B代表二价芳香族或脂肪族基团。
在某些实施例中，通式(I)中A所表示的四价有机基团是从作为原料的四羧酸二酐中去除2个羧酸酐基(CO)2O而得到的残基，同时B所表示的二价有机基团是从作为原料的二胺化合物中去除2个-NH2基得到的残基。优选的，具有通式(I)所示的重复单元的聚酰亚胺是四羧酸二酐和二胺化合物的聚合物。
四羧酸二酐的例子包括任意的芳香族和脂肪族化合物，优选的是芳香族或杂芳族化合物，即通式(I)中A所表示的四价有机基团优选为芳香族或杂芳族有机基团。
在某些优选的实施例中，上述通式(I)中，A在多次出现时，可相同或不同地选自以下基团，且A可以进一步被取代：
其中所示虚线键表示与相邻结构单元键合的键。
另外，二胺化合物是在分子结构中具有两个氨基的二胺化合物。二胺化合物的例子包括任意的芳香族和脂肪族化合物，优选的是芳香族或杂芳族化合物，即通式(I)中B所表示的二价有机基团优选为芳香族或杂芳族有机基团。
在一些优选的实施方案中，上述通式(I)中，B在多次出现时，可相同或不同地选自以下基团，且B可以进一步被取代：
其中所示虚线键表示与相邻结构单元键合的键。
在一些较为优选的实施方案中，所述的电致发光器件，包含具有如下的通式(II)所示的聚酰亚胺聚合物：
其中A，B的定义如上述，E是具有电子传输功能的基团，x+y＝1。
y在1％-30mol％的范围，较好的是在5％-25mol％的范围，更好的是在10％-25mol％的范围，最好的是在15％-25mol％的范围。
E是具有电子输运能力的功能基团。一般的，OLED中用于电子传输的材料都可以包含本发明的聚合物中。具有电子输运能力的功能基团优选选自三(8-羟基喹啉)铝(AlQ3)、吩嗪、菲罗啉、蒽、菲、芴、二芴、螺二芴、对苯乙炔、哒嗪、吡嗪、三嗪、三唑、咪唑、喹啉、异喹啉、喹噁啉、噁唑、异噁唑、噁二唑、噻二唑、吡啶、吡唑、吡咯、嘧啶、吖啶、芘、苝、反茚并芴、顺茚并、二苯并-茚并芴、茚并萘、苯并蒽、氮磷杂环戊二烯、氮硼杂环戊二烯、芳香酮类、内酰胺及它们的衍生物。
另一方面，具有电子输运能力的功能基团可选自至少包含一个以下结构式的基团：
R1可选自如下的基团：氢、烷基、烷氧基、氨基、烯、炔、芳烷基、杂烷基、芳基和杂芳基；Ar1-Ar5每个可独立选自环芳香烃化合物，如苯、联苯、三苯基、苯并、萘、蒽、非那烯、菲、芴、芘、屈、苝、薁；芳香杂环化合物，如二苯并噻吩、二苯并呋喃、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、咔唑、吡唑、咪唑、三氮唑、异恶唑、噻唑、恶二唑、恶三唑、二恶唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、恶嗪、恶噻嗪、恶二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲哚嗪、苯并恶唑、苯异恶唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、邻二氮(杂)萘、喹唑啉、喹喔啉、萘、酞、蝶啶、氧杂蒽、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩恶嗪、二苯并硒吩、苯并硒吩、苯并呋喃吡啶、吲哚咔唑、吡啶吲哚、吡咯二吡啶、呋喃二吡啶、苯并噻吩吡啶、噻吩吡啶、苯并硒吩吡啶和硒吩二吡啶；包含2至10环结构的基团，它们可以是相同或不同类型的环芳香烃基团或芳香杂环基团，并彼此直接或通过至少一个以下的基团连结在一起，如氧原子、氮原子、硫原子、硅原子、磷原子、硼原子、链结构单元和脂肪环基团。其中，每个Ar可以进一步被取代，取代基可选为氢、烷基、烷氧基、氨基、烯、炔、芳烷基、杂烷基、芳基和杂芳基；n是一个从0到20的整数；X1-X8选自CR1或N。
在某些实施例中，所述的聚酰亚胺聚合物，其HOMO≤-5.6eV，较好是≤-5.7eV，更好是≤-5.8eV，更好是≤-5.9eV，最好是≤-6.0eV。
一般无机量子点的价带能级在-6.0～-7.0eV之间，具有较深HOMO能级聚酰亚胺有利于减小空穴传输材料与量子点材料间的注入势垒，便于器件的电荷传输平衡，提高器件效率。
在某些实施例中，所述的发光器件，其中聚酰亚胺聚合物的HOMO和无机发光纳米材料的价带能级VB满足：VB(无机发光纳米材料)≤HOMO(聚酰亚胺)+0.3eV，较好是
VB(无机发光纳米材料)≤HOMO(聚酰亚胺)+0.2eV，更好是VB(无机发光纳米材料)≤HOMO(聚酰亚胺)+0.1eV，最好是VB(无机发光纳米材料)≤HOMO(聚酰亚胺)。
在某些实施例中，无机纳米材料的平均粒径约在1到1000nm范围内。在某些优选的实施例中，无机纳米材料的平均粒径约在1到100nm。在某些更为优选的实施例中，无机纳米材料的平均粒径约在1到20nm，最好在1到10nm。
所述的无机纳米材料可以选自不同的形状，包含但不限于球形、立方体、棒状、盘形或支化结构等不同纳米形貌，以及各种形状颗粒的混合物。
在一个优选的实施例中，所述的无机纳米材料是量子点材料，具有非常狭窄的、单分散的尺寸分布，即颗粒与颗粒之间的尺寸差异非常小。优选地，单分散的量子点在尺寸上的偏差均方根小于15％rms；更优地，单分散的量子点在尺寸上的偏差均方根小于10％rms；最优地，单分散的量子点在尺寸上的偏差均方根小于5％rms。
在一个优选的实施例中，所述的无机纳米材料是发光材料。
在一些更加优选的实施例中，所述的无机发光纳米材料是量子点发光材料。
一般地，发光量子点可以在波长380纳米到2500纳米之间发光。例如，已发现，具有CdS核的量子点的发光波长位于约400纳米到560纳米范围；具有CdSe核的量子点的发光波长位于约490纳米到620纳米范围；具有CdTe核的量子点的发光波长位于约620纳米到680纳米范围；具有InGaP核的量子点的发光波长位于约600纳米到700纳米范围；具有PbS核的量子点的发光波长位于约800纳米到2500纳米范围；具有PbSe核的量子点的发光波长位于约1200纳米到2500纳米范围；具有CuInGaS核的量子点的发光波长位于约600纳米到680纳米范围；具有ZnCuInGaS核的量子点的发光波长位于约500纳米到620纳米范围；具有CuInGaSe核的量子点的发光波长位于约700纳米到1000纳米范围；
在一个优选的实施例中，所述的量子点材料包含至少一种能够发出发光峰值波长位于450nm～460nm的蓝光、或发光峰值波长位于520nm～540nm的绿光、或发光峰值波长位于615nm～630nm的红光，或它们的混合物。
所包含的量子点可以选自特殊的化学组成、形貌结构和/或大小尺寸，以获得在电刺激下发出所需波长的光。关于量子点的发光性质与其化学组成、形貌结构和/或大小尺寸的关系可以参见Annual Review of Material Sci.，2000，30，545-610；Optical Materials Express.，2012，2，594-628；Nano Res，2009，2，425-447。特此将上述列出的文件中的全部内容并入本文作为参考。
量子点的窄的粒径分布能使量子点具有更窄的发光光谱(J.Am.Chem.Soc.，1993，115，8706；US 20150108405)。此外，根据所采用的化学组成和结构的不同，量子点的尺寸需在上述的尺寸范围内做相应调节，以获得所需波长的发光性质。
优选地，发光量子点是半导体纳米晶体。在一个实施例中，半导体纳米晶体的尺寸为约5纳米到约15纳米的范围内。此外，根据所采用的化学组成和结构的不同，量子点的尺寸需在上述的尺寸范围内做相应调节，以获得所需波长的发光性质。
所述的半导体纳米晶体包括至少一种半导体材料，其中半导体材料可选为元素周期表IV族、II-VI族、II-V族、III-V族、III-VI族、IV-VI族、I-III-VI族、II-IV-VI族、II-IV-V族二元或多元半导体化合物或他们的混合物。具体所述的半导体材料的实例包括，但不限制于：IV族半导体化合物，由单质Si、Ge和二元化合物SiC、SiGe组成；II-VI族半导体化合物，由二元化合物包括CdSe、CdTe、CdO、CdS、CdSe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgO、HgS、HgSe、HgTe，三元化合物包括CdSeS、CdSeTe、CdSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CgHgS、CdHgSe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、HgZnS、HgSeSe及四元化合物包括CgHgSeS、CdHgSeTe、CgHgSTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、HgZnSeTe、HgZnSTe、CdZnSTe、HgZnSeS、组成；III-V族半导体化合物，由二元化合物包括AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb，三元化合物包括AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、和四元化合物包括GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb组成；IV-VI族半导体化合物，由二元化合物包括SnS、SnSe、SnTe、PbSe、PbS、PbTe，三元化合物包括SnSeS、SnSeTe、SnSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、PbSTe、PbSeS、PbSeTe和四元化合物包括SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe组成。
在一个优选的实施例中，发光量子点包含II-VI族半导体材料，优选选自CdSe，CdS，CdTe，ZnO，ZnSe，ZnS，ZnTe，HgS，HgSe，HgTe，CdZnSe及它们的任何组合。在合适的实施方案中，由于CdSe，CdS的合成相对成熟而将此材料用作用于可见光的发光量子点。
在另一个优选的实施例中，发光量子点包含III-V族半导体材料，优选选自InAs，InP，InN，GaN，InSb，InAsP，InGaAs，GaAs，GaP，GaSb，AlP，AlN，AlAs，AlSb，CdSeTe，ZnCdSe及它们的任何组合。
在另一个优选的实施例中，发光量子点包含IV-VI族半导体材料，优选选自PbSe，PbTe，PbS，PbSnTe，Tl2SnTe5及它们的任何组合。
在一个优选的实施例中，量子点为一核壳结构。核与壳分别相同或不同地包括一种或多种半导体材料。
所述的量子点的核可以选自上述的元素周期表IV族、II-VI族、II-V族、III-V族、III-VI族、IV-VI族、I-III-VI族、II-IV-VI族、II-IV-V族二元或多元半导体化合物。具体的用于量子点核的实例包括但不限制于ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、MgS、MgSe、GaAs、GaN、GaP、GaSe、GaSb、HgO、HgS、HgSe、HgTe、InAs、
InN、InSb、AlAs、AlN、AlP、AlSb、PbO、PbS、PbSe、PbTe、Ge、Si，及它们任意组合的合金或混合物。
所述的量子点的壳包含与核相同或不同的半导体材料。可用于壳的半导体材料包括元素周期表IV族、II-VI族、II-V族、III-V族、III-VI族、IV-VI族、I-III-VI族、II-IV-VI族、II-IV-V族二元或多元半导体化合物。具体的用于量子点核的实例包括但不限制于ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、MgS、MgSe、GaAs、GaN、GaP、GaSe、GaSb、HgO、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InN、InSb、AlAs、AlN、AlP、AlSb、PbO、PbS、PbSe、PbTe、Ge、Si，及它们任意组合的合金或混合物。
所述的具有核壳结构的量子点，壳可以包括单层或多层的结构。壳包括一种或多种与核相同或不同的半导体材料。在一个优选的实施例中，壳具有约1到20层的厚度。在一个更为优选的实施例中，壳具有约5到10层的厚度。在某些实施例中，在量子点核的表面生长两种或两种以上的壳。
在一个优选的实施例中，用于壳的半导体材料具有比核更大的带隙。特别优选的，壳核具有I型的半导体异质结结构。
在另一个优选的实施例中，用于壳的半导体材料具有比核更小的带隙。
在一个优选的实施例中，用于壳的半导体材料具有与核相同或接近的原子晶体结构。这样的选择有利于减小核壳间的应力，使量子点更为稳定。
合适的采用核壳结构的发光量子点的例子(但不限制于)有：
红光：CdSe/CdS，CdSe/CdS/ZnS，CdSe/CdZnS等；
绿光：CdZnSe/CdZnS，CdSe/ZnS等；
蓝光：CdS/CdZnS，CdZnS/ZnS等；
优选的量子点的制备方法是胶状生长法。在一个优选的实施例中，制备单分散的量子点的方法选自热注射法(hot-iniect)和/或加热法(heating-up)。制备方法包含在文件Nano Res，2009，2，425-447；Chem.Mater.，2015，27(7)，2246-2285。特此将上述列出的文件中的全部内容并入本文作为参考。
在一个优选的实施例中，所述量子点的表面包含有机配体。有机配体可以控制量子点的生长过程，调控量子点的相貌和减小量子点表面缺陷从而提高量子点的发光效率及稳定性。所述的有机配体可以选自吡啶，嘧啶，呋喃，胺，烷基膦，烷基膦氧化物，烷基膦酸或烷基次膦酸，烷基硫醇等。具体的有机配体的实例包括但不限制于三正辛基膦，三正辛基氧化膦，三羟基丙基膦，三丁基膦，三(十二烷基)膦，亚磷酸二丁酯，亚磷酸三丁酯，亚磷酸十八烷基酯，亚磷酸三月桂酯，亚磷酸三(十二烷基)酯，亚磷酸三异癸酯，双(2-乙基己基)磷酸酯，三(十三烷基)磷酸酯，十六胺，油胺，十八胺，双十八胺，三十八胺，双(2-乙基己基)胺，辛胺，二辛胺，三辛胺，十二胺，双十二胺，三十二胺，
十六胺，苯基磷酸，己基磷酸，四癸基磷酸，辛基磷酸，正十八烷基磷酸，丙烯二磷酸，二辛醚，二苯醚，辛硫醇，十二烷基硫醇。
在另一个优选的实施例中，所述量子点的表面包含无机配体。由无机配体保护的量子点可以通过对量子点表面有机配体进行配体交换得到。具体的无机配体的实例包括但不限制于：S2-，HS-，Se2-，HSe-，Te2-，HTe-，TeS3 2-，OH-，NH2 -，PO4 3-，MoO4 2-，等。该类无机配体量子点的例子可以参考文件：J.Am.Chem.Soc.2011，133，10612-10620；ACS Nano，2014，9，9388-9402。特此将上述列出的文件中的全部内容并入本文作为参考。
在某些实施例中，量子点表面具有一种或多种相同或不同的配体。
在一个优选的实施例中，具有单分散的量子点所表现出的发光光谱具有对称的峰形和窄的半峰宽。一般地，量子点的单分散性越好，其所表现的发光峰越对称，且半峰宽越窄。优选地，所述的量子点的发光半峰宽小于70纳米；更优选地，所述的量子点的发光半峰宽小于40纳米；最优选地，所述的量子点的发光半峰宽小于30纳米。
一般地，所述的量子点的发光量子效率大于10％，较好是大于50％，更好是大于60％，最好是大于70％。
其他可能对本发明有用的有关量子点的材料，技术，方法，应用和其他信息，在以下专利文献中有所描述，WO2007/117698，WO2007/120877，WO2008/108798，WO2008/105792，WO2008/111947，WO2007/092606，WO2007/117672，WO2008/033388，WO2008/085210，WO2008/13366，WO2008/063652，WO2008/063653，WO2007/143197，WO2008/070028，WO2008/063653，US6207229，US6251303，US6319426，US6426513，US6576291，US6607829，US6861155，US6921496，US7060243，US7125605，US7138098，US7150910，US7470379，US7566476，WO2006134599A1，特此将上述列出的专利文件中的全部内容并入本文作为参考。
在另一个优选的实施方案中，发光半导体纳米晶体是纳米棒。纳米棒的特性不同于球形纳米晶粒。例如，纳米棒的发光沿长棒轴偏振化，而球形晶粒的发光是非偏振的(参见Woggon等，Nano Lett.，2003，3，509)。纳米棒具有优异的光学增益特性，使得它们可能用作激光增益材料(参见Banin等Adv.Mater.2002，14，317)。此外，纳米棒的发光可以可逆地在外部电场的控制下打开和关闭(参见Banin等，Nano Lett.2005，5，1581)。纳米棒的这些特性可以在某种情况下优选地结合到本发明的器件中。制备半导体纳米棒的例子有WO03097904A1，US2008188063A1，US2009053522A1，KR20050121443A，特此将上述列出的专利文件中的全部内容并入本文作为参考。
在另一些优选的实施例中，所述的无机发光纳米材料是发光钙钛矿纳米粒子材料。
钙钛矿纳米粒子材料具有AMX3的结构通式，其中A包括有机胺或碱金属阳离子，M包括金属阳离子，X包括具氧或卤素阴离子。具体的实例包括但不限制于：CsPbCl3，
CsPb(Cl/Br)3，CsPbBr3，CsPb(I/Br)3，CsPbI3，CH3NH3PbCl3，CH3NH3Pb(C1/Br)3，CH3NH3PbBr3，CH3NH3Pb(I/Br)3，CH3NH3PbI3，等。有关钙钛矿纳米粒子材料的文献可参见NanoLett.，2015，15，3692-3696；ACS Nano，2015，9，4533-4542；AngewandteChemie，2015，127(19)：5785-5788；Nano Lett.，2015，15(4)，2640-2644；Adv.Optical Mater.2014，2，670-678；J.Phys.Chem.Lett，2015，6(3)：446-450；J.Mater.Chem.A，2015，3，9187-9193；Inorg.Chem.2015，54，740-745；RSC Adv.，2014，4，55908-55911；J.Am.Chem.Soc.，2014，136(3)，850-853；Part.Part.Syst.Charact.2015，32(7)，709-720；Nanoscale，2013，5(19)：8752-8780。特此将上述列出的专利文件中的全部内容并入本文作为参考。
在某些实施例中，所述的聚酰亚胺聚合物本身具有发光功能。在一个优选的实施例中，所述的发光器件中，无机发光纳米材料的发光峰的波长大于所述的聚酰亚胺聚合物的发光峰值。即聚酰亚胺聚合物的激发态能量要大于无机发光纳米材料的激发态能量，有利于形成能量传递体系，能量通过聚酰亚胺聚合物传递到无机发光纳米材料，提高器件效率。在一个更加优选的实施例中，聚酰亚胺聚合物的发光光谱与无机发光纳米材料的吸收光谱有至少部分重叠，较好是有较大部分重叠，最好是很大部分重叠或吸收峰值与发射峰值的波长基本重叠。这里波长基本重叠是指波长之间的差不大于10nm。
本发明一个目的是改善QLED器件的加工性，特别是发光层的加工性，主要通过聚酰亚胺聚合物提高发光层的可打印性。在某些实施例中，发光层中无机发光纳米材料和聚酰亚胺聚合物的掺杂比例在1∶99～99∶1之间。优选地，无机发光纳米材料占总重量的百分比为2-30％，较好的是3-25％，更好是4-20％，最好是5-18％。如果量子点的掺杂比例设定在以上优选的范围内，有利于于得到较佳的器件性能。
本发明还涉及一种混合物，包含至少一种的如上所述的无机发光纳米材料和至少一种的如上所述的聚酰亚胺聚合物。
本发明还涉及一种油墨组合物，包含如上所述的无机发光纳米材料和如上所述的聚酰亚胺聚合物，及至少一种有机溶剂。
在一个优选的实施方案中，根据本发明的油墨组合物是一溶液。
在另一个优选的实施方案中，根据本发明的油墨组合物是一悬浮液。
用于印刷工艺时，油墨的粘度、表面张力是重要的参数。合适的油墨的表面张力参数适合于特定的基板和特定的印刷方法。
在一个优选的实施例中，根据本发明的油墨组合物在工作温度或在25℃下的表面张力约在19dyne/cm到50dyne/cm范围；更好是在22dyne/cm到35dyne/cm范围；最好是在25dyne/cm到33dyne/cm范围。
在另一个优选的实施例中，根据本发明的油墨组合物在工作温度或25℃下的粘度约在1cps到100cps范围；较好是在1cps到50cps范围；更好是在1.5cps到20cps范
围；最好是在4.0cps到20cps范围。如此配制的油墨组合物将适合于喷墨印刷。
粘度可以通过不同的方法调节，如通过合适的溶剂选取和油墨组合物中功能材料的浓度。根据本发明的包含基于无机发光纳米材料和一聚酰亚胺聚合物的混合物的油墨组合物可方便人们将油墨组合物按照所用的印刷方法在适当的范围调节。一般地，根据本发明的油墨组合物包含的混合物的重量比为0.3％～30wt％范围，较好的为0.5％～20wt％范围，更好的为0.5％～15wt％范围，更好的为0.5％～10wt％范围，最好的为1％～5wt％范围。
在一些实施例中，根据本发明的油墨组合物，所述的至少一种的有机溶剂选自基于芳族或杂芳族的溶剂，特别是脂肪族链/环取代的芳族溶剂、或芳族酮溶剂，或芳族醚溶剂。
适合本发明的溶剂的例子有，但不限于：基于芳族或杂芳族的溶剂：对二异丙基苯、戊苯、四氢萘、环己基苯、氯萘、1，4-二甲基萘、3-异丙基联苯、对甲基异丙苯、二戊苯、三戊苯、戊基甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、邻二乙苯、间二乙苯、对二乙苯、1，2，3，4-四甲苯、1，2，3，5-四甲苯、1，2，4，5-四甲苯、丁苯、十二烷基苯、二己基苯、二丁基苯、对二异丙基苯、1-甲氧基萘、环己基苯、二甲基萘、3-异丙基联苯、对甲基异丙苯、1-甲基萘、1，2，4-三氯苯、1，3-二丙氧基苯、4，4-二氟二苯甲烷、1，2-二甲氧基-4-(1-丙烯基)苯、二苯甲烷、2-苯基吡啶、3-苯基吡啶、N-甲基二苯胺、4-异丙基联苯、α，α-二氯二苯甲烷、4-(3-苯基丙基)吡啶、苯甲酸苄酯、1，1-双(3，4-二甲基苯基)乙烷、2-异丙基萘、二苄醚等；基于酮的溶剂：1-四氢萘酮，2-四氢萘酮，2-(苯基环氧)四氢萘酮，6-(甲氧基)四氢萘酮，苯乙酮、苯丙酮、二苯甲酮、及它们的衍生物，如4-甲基苯乙酮、3-甲基苯乙酮、2-甲基苯乙酮、4-甲基苯丙酮、3-甲基苯丙酮、2-甲基苯丙酮，异佛尔酮、2，6，8-三甲基-4-壬酮、葑酮、2-壬酮、3-壬酮、5-壬酮、2-癸酮、2，5-己二酮、佛尔酮、二正戊基酮；芳族醚溶剂：3-苯氧基甲苯、丁氧基苯、苄基丁基苯、对茴香醛二甲基乙缩醛、四氢-2-苯氧基-2H-吡喃、1，2-二甲氧基-4-(1-丙烯基)苯、1，4-苯并二噁烷、1，3-二丙基苯、2，5-二甲氧基甲苯、4-乙基本乙醚、1，2，4-三甲氧基苯、4-(1-丙烯基)-1，2-二甲氧基苯、1，3-二甲氧基苯、缩水甘油基苯基醚、二苄基醚、4-叔丁基茴香醚、反式-对丙烯基茴香醚、1，2-二甲氧基苯、1-甲氧基萘、二苯醚、2-苯氧基甲醚、2-苯氧基四氢呋喃、乙基-2-萘基醚、戊醚c己醚、二辛醚、乙二醇二丁醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇丁基甲醚、二乙二醇二丁醚、三乙二醇二甲醚、三乙二醇乙基甲醚、三乙二醇丁基甲醚、三丙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚；酯溶剂：辛酸烷酯、癸二酸烷酯、硬脂酸烷酯、苯甲酸烷酯、苯乙酸烷酯、肉桂酸烷酯、草酸烷酯、马来酸烷酯、烷内酯、油酸烷酯等。
进一步，根据本发明的油墨组合物，所述的至少一种的有溶剂可选自：脂肪族酮，例如，2-壬酮、3-壬酮、5-壬酮、2-癸酮、2，5-己二酮、2，6，8-三甲基-4-壬酮、佛尔酮、二正戊基酮等；或脂肪族醚，例如，戊醚、己醚、二辛醚、乙二醇二丁醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇丁基甲醚、二乙二醇二丁醚、三乙二醇二甲醚、三乙二醇乙基甲醚、三乙二醇丁基甲醚、三丙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚等。
在另一些实施例中，所述的油墨组合物进一步包含另一种有机溶剂。另一种有机溶剂的例子，包括(但不限于)：甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇、二氯甲烷、三氯甲烷、氯苯、邻二氯苯、四氢呋喃、苯甲醚、吗啉、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、1，4二氧杂环己烷、丙酮、甲基乙基酮、1，2二氯乙烷、3-苯氧基甲苯、1，1，1-三氯乙烷、1，1，2，2-四氯乙烷、醋酸乙酯、醋酸丁酯、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、四氢萘、萘烷、茚和/或它们的混合物。
本发明还涉及所述油墨组合物作为涂料或油墨在制备电子器件时的用途，特别优选的是通过打印或涂布的制备方法。
其中，适合的打印或涂布技术包括(但不限于)喷墨打印，活版印刷，丝网印刷，浸涂，旋转涂布，刮刀涂布，辊筒印花，扭转辊印刷，平版印刷，柔版印刷，轮转印刷，喷涂，刷涂或移印，狭缝型挤压式涂布等。首选的是喷墨印刷，丝网印刷及凹版印刷。溶液或悬浮液可以另外包括一个或多个组份例如表面活性化合物，润滑剂，润湿剂，分散剂，疏水剂，粘接剂等，用于调节粘度，成膜性能，提高附着性等。有关打印技术，及其对有关溶液的相关要求，如溶剂及浓度，粘度等，的详细信息请参见Helmut Kipphan主编的《印刷媒体手册：技术和生产方法》(Handbook of Print Media：Technologies and Production Methods)，ISBN 3-540-67326-1。
在一个优选的实施例中，以上所述的电子器件是电致发光器件，如图1所示，包括一基片(101)，一阳极(102)，至少一发光层(104)，一阴极(106)。基片(101)可以是不透明或透明。一个透明的基板可以用来制造一个透明的发光元器件。例如可参见Bulovic等Nature 1996，380，p29，和Gu等，Appl.Phys.Lett.1996，68，p2606。基材可以是刚性的或弹性的。基片可以是塑料，金属，半导体晶片或玻璃。最好是基片有一个平滑的表面。无表面缺陷的基板是特别理想的选择。在一个优选的实施例中，基片可选自聚合物薄膜或塑料，其玻璃化温度Tg为150℃以上，较好是超过200℃，更好是超过250℃，最好是超过300℃。合适的基板的例子有聚(对苯二甲酸乙二醇酯)(PET)和聚乙二醇(2，6-萘)(PEN)。
阳极(102)可包括一导电金属或金属氧化物，或导电聚合物。阳极可以容易地注入空穴到HIL或HTL或发光层中。在一个的实施例中，阳极的功函数和作为HIL或HTL的
p型半导体材料的HOMO能级或价带能级的差的绝对值小于0.5eV，较好是小于0.3eV，最好是小于0.2eV。阳极材料的例子包括但不限于，Al，Cu，Au，Ag，Mg，Fe，Co，Ni，Mn，Pd，Pt，ITO，铝掺杂氧化锌(AZO)等。其他合适的阳极材料是已知的，本领域普通技术人员可容易地选择使用。阳极材料可以使用任何合适的技术沉积，如一合适的物理气相沉积法，包括射频磁控溅射，真空热蒸发，电子束(e-beam)等。
在某些实施例中，阳极是图案结构化的。图案化的ITO导电基板可在市场上买到，并且可以用来制备根据本发明的器件。
阴极(106)可包括一导电金属或金属氧化物。阴极可以容易地注入电子到EIL或ETL或直接到发光层中。在一个的实施例中，阴极的功函数和作为EIL或ETL或HBL的n型半导体材料的LUMO能级或导带能级的差的绝对值小于0.5eV，较好是小于0.3eV，最好是小于0.2eV。原则上，所有可用作OLED的阴极的材料都可能作为本发明器件的阴极材料。阴极材料的例子包括但不限于，Al，Au，Ag，Ca，Ba，Mg，LiF/Al，MgAg合金，BaF2/Al，Cu，Fe，Co，Ni，Mn，Pd，Pt，ITO等。阴极材料可以使用任何合适的技术沉积，如一合适的物理气相沉积法，包括射频磁控溅射，真空热蒸发，电子束(e-beam)等。
发光层(104)中至少包含一发光纳米材料，其厚度可以在2nm到200nm之间。在一个优选的实施例中，根据本发明的发光器件中，其发光层包含了一无机发光纳米材料和一聚酰亚胺聚合物的混合物，其厚度较好在5nm到100nm之间，更好在15nm到80nm之间。
在一个优选的实施例中，根据本发明的发光器件进一步包含一个空穴注层(HIL)或空穴传输层(HTL)(103)，其中包含有机HTM或无机p型材料。
合适的有机HIM/HTM材料可选包含如下结构单元的化合物：酞菁、卟啉、胺、芳香胺、联苯类三芳胺、噻吩、并噻吩如二噻吩并噻吩和并噻吩、吡咯、苯胺、咔唑、氮茚并氮芴及它们的衍生物。另外，合适的HIM也包括含有氟烃的聚合物、含有导电掺杂的聚合物、导电聚合物，如PEDOT/PSS；自组装单体，如含有膦酸和sliane衍生物的化合物；金属氧化物，如MoOx；金属络合物和交联化合物等。
合适的无机p型半导体选自金属氧化物，硫族化合物，IV族、II-VI族、III-V族和IV-VI族半导体，包括前述任何一种的合金，和/或包含前述任何一种合金的混合物。典型但非限制性的实例包括NiO、Cu2O、Cr2O3、MoO2、PbO、Hg2O、Ag2O、MnO、CoO、SnO、Pr2O3、Cu2S、SnS、Sb2S3、CuI、Bi2Te3、Te、Se。
在另一个优选的实施例中，根据本发明的发光器件进一步包含一个电子注层(EIL)或电子传输层(ETL)(105)，其中包含如上所述的有机ETM或无机n型材料。
EIM/ETM材料的例子并不受特别的限制，任何金属络合物或有机化合物都可能被用作为EIM/ETM，只要它们可以传输电子。优选的有机EIM/ETM材料可选自三(8-羟
基喹啉)铝(AlQ3)、吩嗪、菲罗啉、蒽、菲、芴、二芴、螺二芴、对苯乙炔、哒嗪、吡嗪、三嗪、三唑、咪唑、喹啉、异喹啉、喹噁啉、噁唑、异噁唑、噁二唑、噻二唑、吡啶、吡唑、吡咯、嘧啶、吖啶、芘、苝、反茚并芴、顺茚并、二苯并-茚并芴、茚并萘、苯并蒽、氮磷杂环戊二烯、氮硼杂环戊二烯、芳香酮类、内酰胺及它们的衍生物。
在另一个优选的实施例中，EIM/ETM材料可以是无机n型半导体材料。
在一个优选的实施方案中，无机n型材料选自金属氧化物，IV族、III-V族、IV-VI族和II-VI族半导体，包括前述任何一种的合金，和/或包含前述任何一种、包括三元和四元混合物或合金的混合物。优选的金属氧化物包括但不限于ZnO、In2O3、Ga2O3、TiO2、MoO3、SnO2以及它们的合金SnO2：Sb、In2O3：Sn(ITO)、ZnO：Al、Zn-Sn-O、In-Zn-O、IGZO(如InGaZnO4、In2Ga2ZnO7、InGaZnOx)等。
本发明涉及一种电子器件，其中包含至少一种根据本发明的聚酰亚胺聚合物。
所述的电子器件可选自有机发光二极管(OLED)、有机光伏电池(OPV)、有机发光电池(OLEEC)、有机场效应管(OFET)、有机发光场效应管、有机激光器、有机自旋电子器件、有机传感器，有机等离激元发射二极管(Organic Plasmon Emitting Diode)，量子点发光二极管(QLED)、量子点光伏电池(QPV)、量子点发光电池(QLEEC)、量子点场效应管(QFET)、量子点发光场效应管、量子点激光器，量子点传感器。
下面将结合优选实施例对本发明进行了说明，但本发明并不局限于下述实施例，应当理解，所附权利要求概括了本发明的范围在本发明构思的引导下本领域的技术人员应意识到，对本发明的各实施例所进行的一定的改变，都将被本发明的权利要求书的精神和范围所覆盖。
具体实施例
1.材料及能级结构
在本发明的实施例中采用的聚酰亚胺结构式如下：
上述材料合成方法均为现有技术，详见现有技术中的参考文献，在此不再赘述。
对于通式(II)所代表的化合物，本发明实施例优选如下结构式的化合物。
材料PI-2合成反应方程式如下：
中间体M-1与M-2均购自国内中间体生产商。具体反应步骤如下：
a.在干净的三口烧瓶中，机械搅拌条件下，将等摩尔浓度的中间体M-1与M-2溶解于N，N-二甲基乙酰胺(DMAc)中，使两者混合均匀，在室温条件下，搅拌8小时，待溶液出现粘稠状态时，无需处理，继续进行下一步反应，得液体状中间体产物M-3；b.将上述所得到的中间体产物M-3溶液加热至150摄氏度条件下，反应至溶液出现浅黄色，同时溶液粘稠。降温停止反应，待反应液达到室温时，减压蒸馏出其中的DMAc溶剂，得到浅黄色固体，磨成粉末，先后分别用二氯甲烷与乙醇打浆处理，过滤得浅黄色固体粉末PI-2。
有机材料的能级可通过量子计算得到，比如利用TD-DFT(含时密度泛函理论)通过Gaussian09W(Gaussian Inc.)，具体的模拟方法可参见WO2011141110。首先用半经验方法“Ground State/Semi-empirical/Default Spin/AM1”(Charge 0/Spin Singlet)来优化分子几何结构，然后有机分子的能量结构由TD-DFT(含时密度泛函理论)方法算得
“TD-SCF/DFT/Default Spin/B3PW91”与基组“6-31G(d)”(Charge 0/Spin Singlet)。HOMO和LUMO能级按照下面的校准公式计算，S1和T1直接使用。
HOMO(eV)＝((HOMO(G)×27.212)-0.9899)/1.1206
LUMO(eV)＝((LUMO(G)×27.212)-2.0041)/1.385
其中HOMO(G)和LUMO(G)是Gaussian 09W的直接计算结果，单位为Hartree。具体的模拟方法可参见WO2011141110。其中聚合物PI-1和PI-2是通过对如下的三聚体模拟而得：
表一
| 材料 | HOMO[eV] | LUMO[eV] | T1[eV] | S1[eV] |
| PI-1 | -6.49 | -3.24 | 2.67 | 3.12 |
| PI-2 | -6.32 | -3.23 | 2.62 | 2.98 |
2.电致发光器件的制备及性能
下面通过具体实施例来详细说明采用上述电致发光器件的制备过程，
实施例1
制备步骤如下：
1)ITO透明电极(阳极)玻璃衬底的清洗：使用5％Decon90清洗液的水溶液超声处理30分钟，之后去离子水超声清洗数次，然后异丙醇超声清洗，氮气吹干；在氧气等离子下处理5分钟，以清洁ITO表面并提升ITO电极的功函；
2)空穴传输层制备：在经过氧气等离子体处理过的玻璃衬底上旋涂PEDOT：PSS溶液，得到40nm的薄膜，旋涂完成后在手套箱中150℃退火20分钟，然后在PEDOT：PSS层上旋涂得到20nm的TFB薄膜(5mg/mL甲苯溶液)，随后在180℃的热板上处理60分钟；
其中，TFB是一种空穴传输材料(购自American Dye Source，Inc)，用于HTL，其结构式如下：
3)量子点发光层制备：完成退火后旋涂量子点/聚酰亚胺溶液，其中的量子点为CdSe/CdS核壳结构，分散在氯仿中，聚酰亚胺结构如PI-1所示，溶液浓度为5mg/mL，量子点和聚酰亚胺的比例为80∶20(wt％)。
4)电子传输层制备：量子点溶液旋涂完成后，再旋涂一层40nm ZnO乙醇溶液，其中ZnO乙醇溶液中的ZnO通过低温溶液工艺合成，尺寸约为5nm的纳米颗粒，分散在
乙醇中形成浓度为45mg/mL上述溶液；
5)阴极制备：将旋涂完成的器件放入真空蒸镀腔体，蒸镀阴极电极银，完成量子点发光器件。
实施例2
所有电致发光器件的步骤如实施例1中所述，除了量子点发光层制备中采用的量子点/聚酰亚胺溶液，量子点和聚酰亚胺的比例为50∶50(wt％)。
实施例3
所有电致发光器件的步骤如实施例1中所述，除了量子点发光层制中采用的量子点/聚酰亚胺溶液，量子点和聚酰亚胺的比例为30∶70(wt％)。
所有实施例中器件的性能列于表二，电致发光光谱图如2所示。
表二
Claims (17)
- 一种电致发光器件，包含：阳极、发光层和阴极，所述发光层位于所述阳极和所述阴极之间，其特征在于，所述发光层包含无机发光纳米材料和聚酰亚胺聚合物。
- 根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述聚酰亚胺聚合物包含通式(I)的重复单元其中：A代表四价芳香族基团或脂肪族基团；B代表二价芳香族或脂肪族基团。
- 根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述聚酰亚胺聚合物具有通式(II)的重复单元其中：A代表四价芳香族基团或脂肪族基团；B代表二价芳香族或脂肪族基团；E为具有电子传输功能的基团，x+y＝1。
- 根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述聚酰亚胺聚合物中A在多次出现时，相同或不同地选自以下基团，且A能够进一步被取代：其中所示虚线键表示与相邻结构单元键合的键。
- 根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述聚酰亚胺聚合物中B在多次出现时，相同或不同地选自以下基团，且B能够进一步被取代：其中所示虚线键表示与相邻结构单元键合的键。
- 根据权利要求3所述的电致发光器件，其中，E选自吩嗪、菲罗啉、蒽、菲、芴、二芴、螺二芴、对苯乙炔、哒嗪、吡嗪、三嗪、三唑、咪唑、喹啉、异喹啉、喹噁啉、噁唑、异噁唑、噁二唑、噻二唑、吡啶、吡唑、吡咯、嘧啶、吖啶、芘、苝、反茚并芴、顺茚并、二苯并-茚并芴、茚并萘、苯并蒽、氮磷杂环戊二烯、氮硼杂环戊二烯、芳香酮类、内酰胺及其衍生物。
- 根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述聚酰亚胺聚合物的HOMO≤-5.6eV。
- 根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述聚酰亚胺聚合物的HOMO满足：无机发光纳米材料的VB≤HOMO+0.3eV。
- 根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述无机发光纳米材料的发光波长位于380nm～2500nm之间。
- 根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的无机发光纳米材料的发光峰的波长大于所述的聚酰亚胺聚合物的发光峰值。
- 根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的无机发光纳米材料是量子点材料，即其粒径具有单分散的尺寸分布，其形状可选自球形、立方体、棒状或支化结构的不同纳米形貌。
- 根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的无机发光纳米材料为元素周期表IV族、II-VI族、II-V族、III-V族、III-VI族、IV-VI族、I-III-VI族、II-IV-VI族、II-IV-V族二元或多元半导体化合物的量子点或其混合物。
- 根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的无机发光纳米材料为发光钙钛矿纳米粒子材料、金属纳米粒子材料、或金属氧化物纳米粒子材料，或其混合物。
- 根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述无机发光纳米材料和所述聚酰亚胺聚合物的掺杂比例在1∶99～99∶1之间。
- 根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件选自量子点发光二极管、量子点发光电池、量子点发光场效应管、或量子点激光器。
- 一种油墨组合物，包含无机发光纳米材料和聚酰亚胺聚合物，及至少一种有机溶剂。
- 一种制备根据权利要求1所述的电致发光器件的方法，其中所述发光层是通过印刷或涂布的方法制备而成，所述印刷或涂布的方法选自：喷墨打印，喷印，活版印刷，丝网印刷，浸涂，旋转涂布，刮刀涂布，辊筒印花，扭转辊印刷，平版印刷，柔版印刷，轮转印刷，喷涂，刷涂或移印，或狭缝型挤压式涂布。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510889778 | 2015-11-04 | ||
| CN2015108897787 | 2015-12-04 | ||
| PCT/CN2016/100165 WO2017076135A1 (zh) | 2015-11-04 | 2016-09-26 | 电致发光器件、其制备方法及油墨组合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108352453A true CN108352453A (zh) | 2018-07-31 |
| CN108352453B CN108352453B (zh) | 2020-09-08 |
Family
ID=58661761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201680059821.XA Active CN108352453B (zh) | 2015-11-04 | 2016-09-26 | 电致发光器件、其制备方法及油墨组合物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20180331312A1 (zh) |
| CN (1) | CN108352453B (zh) |
| WO (1) | WO2017076135A1 (zh) |
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- 2016-09-26 US US15/773,559 patent/US20180331312A1/en not_active Abandoned
- 2016-09-26 CN CN201680059821.XA patent/CN108352453B/zh active Active
- 2016-09-26 WO PCT/CN2016/100165 patent/WO2017076135A1/zh active Application Filing
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |