CN113122164A - 一种高抗pid的封装胶膜及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种高抗PID的封装胶膜及其制备方法。所述高抗PID的封装胶膜,包括从上至下依次设置的上胶膜层、阻隔层和下胶膜层,所述上胶膜层与所述下胶膜层中至少有一层添加有抗水解助剂和离子捕捉剂。本发明的高抗PID的封装胶膜,抗PID效果好,具有优异的粘结性能、光学性能和更高的发电功率。
Description
技术领域
本发明属于胶膜技术领域,涉及一种封装胶膜及其制备方法,尤其涉及一种抗PID的封装胶膜及其制备方法,特别涉及一种高抗PID的封装胶膜及其制备方法。
背景技术
太阳能电池组件的封装材料能够为太阳能电池组件提供保护,但是,目前广泛使用的封装材料为单层结构的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA),在长期的高温高湿环境下,EVA容易水解破坏,导致EVA与玻璃界面的粘结性明显下降,造成太阳能电池组件存在安全隐患。太阳能电池组件长期在高压环境中工作使用,封装材料、背板、玻璃和边框之间易产生湿漏电流通道,大量电荷聚集在电池片表面,使得电池表面钝化效果恶化,导致组件的性能大幅度衰减,即PID现象。
其中,PID衰减的主流影响因素是:①Na+离子迁移;②EVA分子链水解。现阶段抗PID胶膜的主流实现手段是:①高体阻的聚乙烯辛烯共弹性体(POE)材料代替EVA材料;②在配方中添加具有Na+离子捕捉功能的助剂。但是,上述两种方法都有缺点:POE胶膜的价格较高、交联速度慢,所需层压时间长;添加离子捕捉助剂会影响胶膜光学性能,导致雾度上升。
CN102911611B公开了一种用于太阳能电池组件封装的EVA胶膜,所述胶膜包括EVA、有机过氧化物交联剂、交联促进剂、防老化剂和含有支链结构的粘附力促进高聚物,所述支链结构连接在粘附力促进高聚物的伯碳、仲碳或者叔碳原子上,其中,n=1-10,m=1-4。该发明解决了EVA胶膜在长期恶劣环境下使用后的粘附力明显降低的问题,保证了太阳能电池组件的封装性,减少了环境湿气对组件电池片及导线的腐蚀,能够延长太阳能电池组件的使用寿命。但是,这种EVA胶膜不能有效解决太阳能电池组件在高压湿热环境下出现的PID现象。
CN103421443B公开了一种太阳能电池组件用封装胶膜,所述封装胶膜包括阻隔层和位于阻隔层两侧的第一粘结层与第二粘结层,所述阻隔层为含有乙烯-α-烯烃聚合物的聚烯烃阻隔层。该发明所述胶膜具有优异的阻隔性能,能够有效地解决太阳能电池组件在高压湿热环境下出现的PID现象,并且与与玻璃基板及电池片之间具有优异的粘结性能,提高了太阳能电池组件的使用寿命。但是,其提供的封装胶膜的抗PID效果有待进一步提高。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种高抗PID的封装胶膜及其制备方法,制得的封装胶膜抗PID效果好,具有优异的粘结性能、光学性能和更高的发电功率。
本发明的目的之一在于提供一种高抗PID的封装胶膜,为达此目的,本发明采用以下技术方案:
本发明的高抗PID的封装胶膜,包括从上至下依次设置的上胶膜层、阻隔层和下胶膜层,所述上胶膜层与所述下胶膜层中至少有一层添加有抗水解助剂、酸吸收剂和离子捕捉剂。
本发明的高抗PID的封装胶膜,阻隔层的设置,减慢了钠离子的迁移,可使功率衰减更小;另外,上胶膜层、下胶膜层中的离子捕捉剂、酸吸收剂、抗水解助剂的配合使用,协同作用可防止EVA分子链降解,在离子捕捉剂用量很少的情况下不影响雾度,实现了光学性能的最大提高。
本发明所述的高抗PID是指PID192h后功率衰减为2.1%以下。
本发明中,按质量份计,所述上胶膜层包含如下组分:
EVA树脂的质量份为95-100份,例如为95份、96份、97份、98份、99份或100份等,型号可以为韩华道达尔E282PV。
主交联剂的质量份为0.3-1份,例如为0.3份、0.4份、0.5份、0.6份、0.7份、0.8份、0.9份或1份等,型号可以为阿科玛LuperoxTBEC。
助交联剂的质量份为0.3-1份,例如为0.3份、0.4份、0.5份、0.6份、0.7份、0.8份、0.9份或1份等,型号可以为湖南民合TAIC。
硅烷偶联剂的质量份为0.05-1份,例如为0.05份、0.1份、0.2份、0.3份、0.4份、0.5份、0.6份、0.7份、0.8份、0.9份或1份等,型号可以为DowCorning6030。
抗老化助剂的质量份为0.01-0.5份,例如为0.01份、0.02份、0.03份、0.04份或0.05份等,型号可以为宿迁联盛抗氧剂1010。
离子捕捉剂的质量份为0.01-0.2份,例如为0.01份、0.02份、0.03份、0.04份、0.05份、0.06份、0.07份、0.08份、0.09份、0.1份、0.11份、0.12份、0.13份、0.14份、0.15份、0.16份、0.17份、0.18份、0.19份或0.2份等。
酸吸收剂的质量份为0.01-0.2份,例如为0.01份、0.02份、0.03份、0.04份、0.05份、0.06份、0.07份、0.08份、0.09份、0.1份、0.11份、0.12份、0.13份、0.14份、0.15份、0.16份、0.17份、0.18份、0.19份或0.2份等。
抗水解助剂的质量份为0.01-0.2份,例如为0.01份、0.02份、0.03份、0.04份、0.05份、0.06份、0.07份、0.08份、0.09份、0.1份、0.11份、0.12份、0.13份、0.14份、0.15份、0.16份、0.17份、0.18份、0.19份或0.2份等。
本发明中,按质量份计,所述下胶膜层包含如下组分:
EVA树脂的质量份为95-100份,例如为95份、96份、97份、98份、99份或100份等,型号可以为韩华道达尔E282PV。
主交联剂的质量份为0.3-1份,例如为0.3份、0.4份、0.5份、0.6份、0.7份、0.8份、0.9份或1份等,型号可以为阿科玛Luperox TBEC。
助交联剂的质量份为0.3-1份,例如为0.3份、0.4份、0.5份、0.6份、0.7份、0.8份、0.9份或1份等,型号可以为湖南民合TAIC。
硅烷偶联剂的质量份为0.05-1份,例如为0.05份、0.1份、0.2份、0.3份、0.4份、0.5份、0.6份、0.7份、0.8份、0.9份或1份等,型号可以为Dow Corning6030。
抗老化助剂的质量份为0.01-0.5份,例如为0.01份、0.02份、0.03份、0.04份或0.05份等,型号可以为宿迁联盛抗氧剂1010。
离子捕捉剂的质量份为0.01-0.2份,例如为0.01份、0.02份、0.03份、0.04份、0.05份、0.06份、0.07份、0.08份、0.09份、0.1份、0.11份、0.12份、0.13份、0.14份、0.15份、0.16份、0.17份、0.18份、0.19份或0.2份等。
酸吸收剂的质量份为0.01-0.2份,例如为0.01份、0.02份、0.03份、0.04份、0.05份、0.06份、0.07份、0.08份、0.09份、0.1份、0.11份、0.12份、0.13份、0.14份、0.15份、0.16份、0.17份、0.18份、0.19份或0.2份等。
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所述抗水解助剂为聚碳化二亚胺、碳化二亚胺、双(2,6-二异丙基苯基)碳二亚胺、二环己基碳二亚胺和二异丙基碳二亚胺中的任意一种或至少两种的混合物。
所述离子捕捉剂为黄原酸酯类离子捕捉剂、二硫代氨基甲酸盐类衍生物或在水存在下表现出阳离子交换特性的不溶性无机化合物中的任意一种或至少两种的混合物。
所述主交联剂为过氧化2-乙基己基碳酸叔丁酯、过氧化2-乙基己基碳酸叔戊酯、2,5-二甲基-2,5-双(过氧化叔丁基)己烷、过氧化-3,5,5-三甲基己酸叔丁酯、二(4-甲基苯甲酰)过氧化物、过氧化二苯甲酰、1,1-二(叔丁基过氧)环己烷、叔丁基过氧化-2-乙基己基-碳酸酯、正丁基-4,4-二(叔丁基过氧化)戊酸酯、过氧化二异丙苯、α,α′-双(叔丁基过氧化)-1,3-二异丙苯和1,1-双(叔丁基过氧)-3,3,5-三甲基环己烷中的任意一种或至少两种的混合物。
优选地,所述助交联剂为所述助交联剂为三烯丙基异氰尿酸酯、三聚氰酸三烯丙酯和丙烯酸类助交联剂中的任意一种或至少两种的混合物。
优选地,所述丙烯酸类助交联剂为三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯和乙氧基化季戊四醇四丙烯酸酯中的任意一种或至少两种的混合物。
优选地,所述硅烷偶联剂为乙烯基类硅烷偶联剂、氯烃基类硅烷偶联剂、氨烃基类硅烷偶联剂、环氧烃基类硅烷偶联剂、甲基丙烯酰氧烷基类硅烷偶联剂、含硫烃基类硅烷偶联剂、拟卤素类硅烷偶联剂和季氨烃基类硅烷偶联剂中的任意一种或至少两种的混合物。
优选地,所述抗老化助剂为抗氧剂、光稳定剂和紫外光吸收剂中的任意一种或至少两种的混合物。
优选地,所述光稳定剂为光屏蔽剂类光稳定剂、淬灭剂类光稳定剂、自由基捕获剂类光稳定剂或氢过氧化物分解剂类光稳定剂中的任意一种或至少两种的混合物。
优选地,所述紫外光吸收剂为苯酮类紫外光吸收剂、苯并三唑类紫外光吸收剂、水杨酸酯类紫外光吸收剂、取代丙烯腈类紫外光吸收剂和三嗪类紫外光吸收剂中的任意一种或至少两种的混合物。
阻隔层的目的是阻隔钠离子从玻璃表面迁移到电池片表面。所述阻隔层为透明材料层,具有高体阻、高阻隔性等特点。
优选地,所述透明材料为乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)膜、聚三氟氯乙烯(PCTFE)膜、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)膜、偏氟乙烯(PVDF)膜、氟乙烯(PVF)膜、聚四氟乙烯(PTFE)膜、乙烯-三氟氯乙烯共聚物(ECTFE)膜、聚碳酸酯(PC)膜、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)膜、环状聚烯烃(COC)膜、环烯烃聚合物(COP)膜、聚丙烯(PP)膜、聚乙烯(PE)膜和乙烯-乙烯醇共聚物(EVOH)膜中的任意一种或至少两种的混合物。上述材料的阻隔层,可以使功率衰减更小,另外,为了改善与上下两层胶膜的剥离力,可以根据实际需要对上述材料薄膜进行表面处理。其中,表面处理方式为火焰、电晕、等离子、底涂等方式,具体的,底涂是在阻隔层的表面涂覆一层功能性材料,功能性材料可以为丙烯酸、聚酯或环氧树脂。
所述阻隔层的厚度为5-200μm,例如为5μm、10μm、20μm、30μm、40μm、50μm、60μm、70μm、80μm、90μm、100μm、110μm、120μm、130μm、140μm、150μm、160μm、170μm、180μm、190μm或200μm等。
优选地,所述上胶膜层的厚度为50-400μm,例如上胶膜层的厚度为50μm、60μm、70μm、80μm、90μm、100μm、150μm、200μm、250μm、300μm、350μm或400μm等。
优选地,所述下胶膜层的厚度为50-400μm,例如下胶膜层的厚度为50μm、60μm、70μm、80μm、90μm、100μm、150μm、200μm、250μm、300μm、350μm或400μm等。
本发明的目的之二在于提供一种目的之一所述的高抗PID的封装胶膜的制备方法,包括如下步骤:双面淋膜工艺或者双面复合工艺。
所述双面淋膜工艺具体为:将上胶膜膜材经第一挤出机挤出,放卷装置提供阻隔层进行放卷,上胶膜与阻隔层经淋膜复合形成双层结构,下胶膜膜材经第二挤出机挤出与所述双层结构经淋膜复合,形成所述高抗PID的封装胶膜。具体地,上胶膜在第一挤出机中挤出,三辊上方设置放卷装置,放卷装置供透明阻隔膜进行放卷,上胶膜与透明阻隔膜在三辊处进行淋膜复合,形成双层结构的半成品;在传输过程中,双层结构的半成品冷却完全;半成品在第二挤出机的三辊处,与第二挤出机所挤出的下胶膜进行淋膜复合,形成最终的三层最终产品;如果涉及多层结构,重复上述操作即可。
所述双面复合工艺具体为:将上胶膜、阻隔层、下胶膜分别挤出后,按照由上至下的顺序层叠,经复合辊复合,得到所述高抗PID的封装胶膜。具体地,上胶膜、下胶膜及透明阻隔膜各自挤出后,按顺序层叠在复合辊进行复合,复合辊具有一定的温度来保证胶膜的剥离力。
与现有技术相比,本发明的有益效果为:
本发明的高抗PID的封装胶膜,制得的封装胶膜抗PID效果好,具有优异的粘结性能、光学性能和更高的发电功率,具体的,PID192h后,功率衰减不超过2.1%,正面功率衰减为0.55-1.7%,背面功率衰减为0.88-2.04,透光率为89.33-91.22%,雾度为2.3-5.9%,胶膜层与阻隔层的剥离力41-56N/cm,若阻隔层经表面处理,胶膜层与阻隔层的剥离力可达83N/cm。
附图说明
图1为本发明的高抗PID的封装胶膜的结构示意图;
其中,1-上胶膜层;2-阻隔层;3-下胶膜层。
具体实施方式
下面结合附图1,并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
如无具体说明,本发明的各种原料均可市售购得,或根据本领域的常规方法制备得到。
如图1所示,本发明的高抗PID的封装胶膜,包括从上至下依次设置的上胶膜层1、阻隔层2和下胶膜层3,上胶膜层1与下胶膜层3中至少有一层添加有抗水解助剂和离子捕捉剂。
实施例1
本实施例的高抗PID的封装胶膜,包括从上至下依次设置的上胶膜层、阻隔层和下胶膜层,上胶膜层与下胶膜层中至少有一层添加有抗水解助剂和离子捕捉剂。
上胶膜层的厚度为300μm,按质量份计,上胶膜层包含如下组分:
阻隔层的厚度为50μm,具体为ETFE膜。
下胶膜层的厚度为300μm,按质量份计,下胶膜层包含如下组分:
本实施例的高抗PID的封装胶膜的制备方法,包括如下步骤:购买市售50μm的透明ETFE膜,上下胶膜按配方流延成型后。按顺序层叠,进入复合辊进行复合。
实施例2
本实施例的高抗PID的封装胶膜,包括从上至下依次设置的上胶膜层、阻隔层和下胶膜层,上胶膜层与下胶膜层中至少有一层添加有抗水解助剂和离子捕捉剂。
上胶膜层的厚度为300μm,按质量份计,上胶膜层包含如下组分:
阻隔层的厚度为50μm,具体为ETFE膜。
下胶膜层的厚度为300μm,按质量份计,下胶膜层包含如下组分:
本实施例的高抗PID的封装胶膜的制备方法,包括如下步骤:购买市售50μm的透明ETFE膜,上下胶膜按配方流延成型后。按顺序层叠,进入复合辊进行复合。
实施例3
本实施例的高抗PID的封装胶膜,包括从上至下依次设置的上胶膜层、阻隔层和下胶膜层,上胶膜层与下胶膜层中至少有一层添加有抗水解助剂和离子捕捉剂。
上胶膜层的厚度为300μm,按质量份计,上胶膜层包含如下组分:
阻隔层的厚度为50μm,具体为ETFE膜。
下胶膜层的厚度为300μm,按质量份计,下胶膜层包含如下组分:
本实施例的高抗PID的封装胶膜的制备方法,包括如下步骤:购买市售50μm的透明ETFE膜,上下胶膜按配方流延成型后。按顺序层叠,进入复合辊进行复合。
实施例4
本实施例的高抗PID的封装胶膜,包括从上至下依次设置的上胶膜层、阻隔层和下胶膜层,上胶膜层与下胶膜层中至少有一层添加有抗水解助剂和离子捕捉剂。
上胶膜层的厚度为300μm,按质量份计,上胶膜层包含如下组分:
阻隔层的厚度为50μm,具体为ETFE膜。
下胶膜层的厚度为300μm,按质量份计,下胶膜层包含如下组分:
本实施例的高抗PID的封装胶膜的制备方法,包括如下步骤:购买市售50μm的透明ETFE膜,上下胶膜按配方流延成型后。按顺序层叠,进入复合辊进行复合。
实施例5
本实施例与实施例1的区别之处在于,阻隔层替换为PET,其他的与实施例1的均相同。
实施例6
本实施例与实施例1的区别之处在于,抗水解助剂的用量为0.01,减少的抗水解助剂的用量平均增加至其他组分中,以保证总量不变,其他的与实施例1的均相同。
实施例7
本实施例与实施例1的区别之处在于,抗水解助剂的用量为0.05,增加的抗水解助剂的用量平均从其他组分中扣除,以保证总量不变,其他的与实施例1的均相同。
实施例8
本实施例与实施例1的区别之处在于,抗水解助剂替换为聚碳化二亚胺,其他的与实施例1的均相同。
实施例9
本实施例与实施例1的区别之处在于,离子捕捉剂的用量为0.03,减少的抗水解助剂的用量平均增加至其他组分中,以保证总量不变,其他的与实施例1的均相同。
实施例10
本实施例与实施例1的区别之处在于,离子捕捉剂的用量为0.1,增加的抗水解助剂的用量平均从其他组分中扣除,以保证总量不变,其他的与实施例1的均相同。
实施例11
本实施例与实施例1的区别之处在于,离子捕捉剂替换为二氧化硅,其他的与实施例1的均相同。
实施例12
本实施例与实施例1的区别之处在于,阻隔层替换为乙烯-α-烯烃嵌段共聚物,其他的与实施例1的均相同。
实施例13
本实施例与实施例1的区别之处在于,抗水解助剂的用量为0,减少的抗水解助剂的用量平均增加至离子捕捉剂和酸吸收剂中,以保证总量不变,其他的与实施例1的均相同。
实施例14
本实施例与实施例1的区别之处在于,抗水解助剂的用量为0.5,增加的抗水解助剂的用量平均从离子捕捉剂和酸吸收剂中扣除,以保证总量不变,其他的与实施例1的均相同。
实施例15
本实施例与实施例1的区别之处在于,抗水解助剂替换为环氧树脂,其他的与实施例1的均相同。
实施例16
本实施例与实施例1的区别之处在于,离子捕捉剂的用量为0,减少的离子捕捉剂的用量平均增加至酸吸收剂和抗水解助剂中,以保证总量不变,其他的与实施例1的均相同。
实施例17
本实施例与实施例1的区别之处在于,离子捕捉剂的用量为0.5,增加的离子捕捉剂的用量平均从酸吸收剂和抗水解助剂扣除,以保证总量不变,其他的与实施例1的均相同。
实施例18
本实施例与实施例1的区别之处在于,离子捕捉剂替换为碳酸钙,其他的与实施例1的均相同。
实施例19
本实施例与实施例1的区别之处在于,酸吸收剂的用量为0,减少的酸吸收剂的用量平均增加至离子捕捉剂和抗水解助剂中,以保证总量不变,其他的与实施例1的均相同。
实施例20
本实施例与实施例1的区别之处在于,酸吸收剂的用量为0.5,增加的酸吸收剂的用量平均从离子捕捉剂和抗水解助剂中扣除,以保证总量不变,其他的与实施例1的均相同。
实施例21
本实施例与实施例1的区别之处在于,酸吸收剂替换为氧化镁,其他的与实施例1的均相同。
实施例22
本实施例与实施例1的区别之处在于,阻隔层为底涂处理后的ETFE,底涂处理具体为在ETFE的表面涂覆一层厚度为5μm的环氧树脂功能性材料,其他的与实施例1的均相同。
对比例1
本对比例与实施例1的区别之处在于,胶膜为单层胶膜层。
其中,按质量份计,该胶膜层包含如下组分:
对比例2
本对比例与实施例1的区别之处在于,胶膜为单层胶膜层。
其中,按质量份计,该胶膜层包含如下组分:
对比例3
本对比例与实施例1的区别之处在于,胶膜为单层胶膜层。
其中,按质量份计,该胶膜层包含如下组分:
将实施例1-22与对比例1-3制得的胶膜进行性能测试,测试结果如表1所示。
其中,抗PID性能测试参照标准IEC61215-2020进行,雾度的测试参照GB/T2410-2008进行,透光率的测试参照GB/T 29848-2018进行。
表1
由表1可以看出,加了阻隔层的胶膜,虽然雾度增加了,但是透光率满足要求,粘结性能好,PID结果非常好。
实施例12阻隔层替换为乙烯-α-烯烃嵌段共聚物,会使PID效果下降。
实施例13、16、19缺少抗水解助剂、离子捕捉剂和酸吸收剂中的任意一种,会使抗PID效果下降,且产品光学性能下降。
实施例14抗水解助剂的用量太多,会使产品光学性能下降。
实施例15抗水解助剂替换为环氧树脂,会使膜抗PID效果下降且产品雾度增加。
实施例17离子捕捉剂的用量太多,会使光学性能下降。
实施例18离子捕捉剂替换为,会使抗PID效果下降。
实施例20酸吸收剂的用量太多,会使光学性能下降。
实施例21酸吸收剂替换为氧化镁,会使抗PID效果下降。
实施例22阻隔层为底涂处理后的ETFE,增加了胶膜与阻隔层的剥离力。
对比例1没有阻隔层也没有具有抗PID功能的助剂,胶膜抗PID效果很差。
对比例2虽然有具有抗PID功能的助剂,但是没有阻隔层,胶膜抗PID效果不好。
对比例3虽然有具有抗PID功能的助剂,但是没有阻隔层,胶膜抗PID效果不好。
本发明通过上述实施例来说明本发明的详细工艺设备和工艺流程,但本发明并不局限于上述详细工艺设备和工艺流程,即不意味着本发明必须依赖上述详细工艺设备和工艺流程才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了,对本发明的任何改进,对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等,均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
以上详细描述了本发明的优选实施方式,但是,本发明并不限于上述实施方式中的具体细节,在本发明的技术构思范围内,可以对本发明的技术方案进行多种简单变型,这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是,在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征,在不矛盾的情况下,可以通过任何合适的方式进行组合,为了避免不必要的重复,本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外,本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合,只要其不违背本发明的思想,其同样应当视为本发明所公开的内容。
Claims (10)
1.一种高抗PID的封装胶膜,其特征在于,包括从上至下依次设置的上胶膜层、阻隔层和下胶膜层,所述上胶膜层与所述下胶膜层中至少有一层添加有抗水解助剂、酸吸收剂和离子捕捉剂。
4.根据权利要求1-3之一所述的高抗PID的封装胶膜,其特征在于,所述抗水解助剂为聚碳化二亚胺、碳化二亚胺、双(2,6-二异丙基苯基)碳二亚胺、二环己基碳二亚胺和二异丙基碳二亚胺中的任意一种或至少两种的混合物。
5.根据权利要求1-4之一所述的高抗PID的封装胶膜,其特征在于,所述离子捕捉剂为黄原酸酯类离子捕捉剂、二硫代氨基甲酸盐类衍生物或在水存在下表现出阳离子交换特性的不溶性无机化合物中的任意一种或至少两种的混合物;
优选地,所述酸吸收剂为氢氧化镁、氧化镁、氧化锌、四氧化三铅、氢氧化钙、氢氧化铝、氢氧化亚铁、碳酸钙、氢氧化钾和水滑石中的任意一种或者至少两种的混合物。
6.根据权利要求1-5之一所述的高抗PID的封装胶膜,其特征在于,所述主交联剂为过氧化2-乙基己基碳酸叔丁酯、过氧化2-乙基己基碳酸叔戊酯、2,5-二甲基-2,5-双(过氧化叔丁基)己烷、过氧化-3,5,5-三甲基己酸叔丁酯、二(4-甲基苯甲酰)过氧化物、过氧化二苯甲酰、1,1-二(叔丁基过氧)环己烷、叔丁基过氧化-2-乙基己基-碳酸酯、正丁基-4,4-二(叔丁基过氧化)戊酸酯、过氧化二异丙苯、α,α′-双(叔丁基过氧化)-1,3-二异丙苯和1,1-双(叔丁基过氧)-3,3,5-三甲基环己烷中的任意一种或至少两种的混合物;
优选地,所述助交联剂为三烯丙基异氰尿酸酯、三聚氰酸三烯丙酯和丙烯酸类助交联剂中的任意一种或至少两种的混合物;
优选地,所述丙烯酸类助交联剂为三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、丙氧化丙三醇三丙烯酸酯和乙氧基化季戊四醇四丙烯酸酯中的任意一种或至少两种的混合物;
优选地,所述硅烷偶联剂为乙烯基类硅烷偶联剂、氯烃基类硅烷偶联剂、氨烃基类硅烷偶联剂、环氧烃基类硅烷偶联剂、甲基丙烯酰氧烷基类硅烷偶联剂、含硫烃基类硅烷偶联剂、拟卤素类硅烷偶联剂或季氨烃基类硅烷偶联剂中的任意一种或至少两种的混合物;
优选地,所述抗老化助剂为抗氧剂、光稳定剂和紫外光吸收剂中的任意一种或者至少两种的混合物;
优选地,所述抗氧剂为受阻酚类抗氧剂、芳香胺类抗氧剂、亚磷酸酯类抗氧剂、硫醚类抗氧剂和金属钝化剂类抗氧剂中的任意一种或至少两种的混合物;
优选地,所述光稳定剂为光屏蔽剂类光稳定剂、淬灭剂类光稳定剂、自由基捕获剂类光稳定剂和氢过氧化物分解剂类光稳定剂中的任意一种或至少两种的混合物;
优选地,所述紫外光吸收剂为苯酮类紫外光吸收剂、苯并三唑类紫外光吸收剂、水杨酸酯类紫外光吸收剂、取代丙烯腈类紫外光吸收剂和三嗪类紫外光吸收剂中的任意一种或至少两种的混合物。
7.根据权利要求1-6之一所述的高抗PID的封装胶膜,其特征在于,所述阻隔层为透明材料层;
优选地,所述透明材料为乙烯-四氟乙烯共聚物膜、聚三氟氯乙烯膜、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物膜、偏氟乙烯膜、氟乙烯膜、聚四氟乙烯膜、乙烯-三氟氯乙烯共聚物膜、聚碳酸酯膜、聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚对苯二甲酸丁二酯膜、环状聚烯烃膜、环烯烃聚合物膜、聚丙烯膜、聚乙烯膜和乙烯-乙烯醇共聚物膜中的任意一种或至少两种的混合物;
优选地,所述阻隔层经过表面处理;
优选地,所述表面处理为火焰、电晕、等离子或底涂中的一种。
8.根据权利要求1-7之一所述的高抗PID的封装胶膜,其特征在于,所述阻隔层的厚度为5-200μm;
优选地,所述上胶膜层的厚度为50-400μm;
优选地,所述下胶膜层的厚度为50-400μm。
9.一种如权利要求1-8任一项所述的高抗PID的封装胶膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法为双面淋膜工艺或双面复合工艺。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述双面淋膜工艺具体为:将上胶膜膜材经第一挤出机挤出,放卷装置提供阻隔层进行放卷,上胶膜与阻隔层经淋膜复合形成双层结构,下胶膜膜材经第二挤出机挤出与所述双层结构经淋膜复合,形成所述高抗PID的封装胶膜;
优选地,所述双面复合工艺具体为:将上胶膜、阻隔层、下胶膜分别挤出后,按照由上至下的顺序层叠,经复合辊复合,得到所述高抗PID的封装胶膜。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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