CN113106386B - 一种用于制备晶圆的保护环及其加工方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种用于制备晶圆的保护环及其加工方法，所述保护环的外周面和一侧圆环面为图案铣削区，所述图案铣削区内遍布吸附槽，所述图案铣削区的粗糙度大于图案铣削区以外的粗糙度。本发明通过在保护环上设置吸附槽，能够解决保护环吸附能力差的问题，在晶圆制备过程中，本发明能够通过吸附槽将吸附靶材上掉落的薄膜吸附收集，避免薄膜掉入晶圆，影响产品质量；此外，通过图案铣削区的粗糙程度大于其他区域，进一步地强化吸附槽对薄膜的吸附能力，本发明具有对薄膜的吸附能力强、结构简单和适应性强等特点。

Description

一种用于制备晶圆的保护环及其加工方法

技术领域

本发明属于半导体技术领域，涉及用于制备晶圆的保护环，尤其涉及一种用于制备晶圆的保护环及其加工方法。

背景技术

晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨、抛光和切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。

物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)是一种真空薄膜沉积技术，在真空条件下，采用物理方法，将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜。物理气相沉积制备的薄膜具有高硬度、低摩擦系数、高耐磨性和化学稳定性等优点，广泛应用于半导体制备、太阳能和玻璃涂层等领域。

但是物理气相沉积过程中，吸附靶材上会掉落多余的薄膜，若掉入晶圆内影响产品效果。

CN104942697A公开了一种晶圆研磨头，晶圆研磨头的下表面平坦形成晶圆吸附区，晶圆吸附区由内至外依次形成第一区、第二区、第三区、外围区和晶圆保持环，第一区、第二区、第三区、外围区和晶圆保持环同心，在吸附晶圆时，第一区和第三区形成负压，第二区和外围区形成正压，吸附完成后，晶圆保持环形成负压；在第一区、第二区或者第三区中布置有晶圆传感器，晶圆传感器安装在形成于晶圆研磨头中的孔中，晶圆传感器的尾部通过弹簧连接到晶圆研磨头，弹簧的弹性系数符合：弹簧形成的弹簧力小于晶圆表面的破碎应力。该晶圆研磨头使得晶圆被吸附时表面承受的力减小，降低晶圆发生破碎的概率，但是依然存在薄膜掉落晶圆表面，影响产品质量。

CN103187232A公开了一种减少晶片背面生成聚合物的聚焦环，所述聚焦环包括内圈环和外圈环，所述内圈环的表面为耐等离子体腐蚀的金属氧化物，保证了晶片背面形成的聚合物不含硅，容易清洁，同时，只在内圈环采用金属氧化物材料，使得金属氧化物材料不会与等离子直接接触，保证了在等离子体轰击下，等离子体处理室中不会有金属氧化物颗粒污染情况出现。该发明所述的聚焦环主体既可采用半导体材料也可采用绝缘材料，能明显减少晶片背面生成聚合物，但是结构复杂，依然存在薄膜掉落晶圆表面，影响产品质量。

现有制备晶圆的装置均存在结构复杂和薄膜掉落影响产品质量的问题，因此，如何在保证制备晶圆的装置具有结构简单的情况下，还能够避免薄膜掉落影响晶圆的产品质量，成为目前迫切需要解决的问题。

发明内容

针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种用于制备晶圆的保护环及其加工方法，是圆制作的辅助零部件，能够应用于物理气相沉积系统装置，本发明通过设置吸附槽，并使图案铣削区的粗糙程度大于其他区域，强化对薄膜的吸附能力，保护晶圆，具有对薄膜的吸附能力强、结构简单和适应性强等特点。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

第一方面，本发明提供了一种用于制备晶圆的保护环，所述保护环的外周面和一侧圆环面为图案铣削区，所述图案铣削区内遍布吸附槽，所述图案铣削区的粗糙度大于图案铣削区以外的粗糙度。

本发明通过在保护环上设置吸附槽，能够解决保护环吸附能力差的问题，在晶圆制备过程中，本发明能够通过吸附槽将吸附靶材上掉落的薄膜吸附收集，避免薄膜掉入晶圆，影响产品质量；此外，通过图案铣削区的粗糙程度大于其他区域，进一步地强化吸附槽对薄膜的吸附能力，本发明具有对薄膜的吸附能力强、结构简单和适应性强等特点。

作为本发明的一个优选技术方案，所述吸附槽的截面呈正六边形。

优选地，所述吸附槽的深度为0.1～0.3mm，例如，深度为0.10mm、0.12mm、0.14mm、0.16mm、0.18mm、0.20mm、0.22mm、0.24mm、0.26mm、0.28mm或0.30mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

本发明通过控制吸附槽的深度在0.1～0.3mm，通过对吸附槽的尺寸控制，利用物质间的作用力，提高吸附槽的内聚力从而有效吸附薄膜，若深度小于0.1mm，吸附槽较浅且吸附表面小，不易吸附薄膜；若深度大于0.3mm，吸附槽深度较大，使薄膜与吸附槽底面距离够远，底面不能达到吸附效果。

优选地，所述吸附槽的截面边长为0.5～2mm，例如，边长为0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、1.0mm、1.1mm、1.2mm、1.3mm、1.4mm、1.5mm、1.6mm、1.7mm、1.8mm、1.9mm或2.0mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

作为本发明的一个优选技术方案，以所述保护环的圆心为中心，所述吸附槽在图案铣削区呈同心圆排布。

优选地，相邻所述同心圆排布的吸附槽交错设置。

优选地，相邻所述吸附槽之间的距离为0.8～1.2mm，例如，距离为0.80mm、0.84mm、0.88mm、0.92mm、0.96mm、1.00mm、1.04mm、1.08mm、1.12mm、1.16mm或1.20mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

本发明通过控制相邻吸附槽之间的距离，图案铣削区对薄膜的吸附能力强，若距离低于0.8mm，使吸附槽过于密集，相邻吸附槽之间的区域小，首先增加了加工难度，其次密集的吸附槽之间相互影响，导致吸附效果变差；若距离高于1.2mm，使吸附槽过于稀疏，同样使吸附能力降低。

作为本发明的一个优选技术方案，位于所述图案铣削区，所述保护环表面进行喷砂处理。

优选地，位于所述图案铣削区，所述保护环表面的Ra为3～5μm，例如，Ra为3.0μm、3.2μm、3.4μm、3.6μm、3.8μm、4.0μm、4.2μm、4.4μm、4.6μm、4.8μm或5.0μm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

本发明通过控制图案铣削区内，通过喷砂使保护环表面的Ra为3～5μm，进一步地加强本发明的吸附能力，若Ra低于3μm，则表面光洁度较高，对薄膜的吸附能力差；Ra高于5μm，表面粗糙结构的尺寸较大，毛细吸附力低。

需要说明的是，Ra为美国标准的粗糙度符号。

作为本发明的一个优选技术方案，所述图案铣削区以外，所述保护环表面进行抛光处理。

优选地，所述图案铣削区以外，所述保护环表面的Ra≤1.6μm，例如，Ra为0.01μm、0.1μm、0.2μm、0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm、1.0μm、1.1μm、1.2μm、1.3μm、1.4μm、1.5μm或1.6μm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

作为本发明的一个优选技术方案，所述保护环的内周面呈装配结构，所述装配结构用于将所述的保护环与设备装配连接。

需要说明的是，本发明中所述的用于制备晶圆的保护环是辅助零部件，通过将保护环的内周面设计成与设备装配连接的结构，适用于不同的装置结构，例如，在物理气相沉积系统装置中进行使用，在沉积过程中能够避免薄膜掉落至晶圆上。

第二方面，本发明提供了一种如第一方面所述的用于制备晶圆的保护环的加工方法，所述的加工方法包括以下步骤：

对保护环的图案铣削区铣削吸附槽后，对图案铣削区外的表面进行抛光，并对图案铣削区进行喷砂处理，加工得到所述用于制备晶圆的保护环。

作为本发明的一个优选技术方案，所述保护环在铣削吸附槽前进行粗车和精车外形。

优选地，所述铣削吸附槽的工艺为滚花加工。

优选地，所述铣削吸附槽后对图案铣削区进行去毛刺并清洗。

优选地，所述滚花加工的TPI为24～31，例如，TPI为24、25、26、27、28、29、30或31。

需要说明的是，TPI为每英寸扣数(螺距数)，在滚花加工中即每英寸中的齿数。

优选地，所述滚花加工的深度为0.1～0.3mm，例如，深度为0.10mm、0.12mm、0.14mm、0.16mm、0.18mm、0.20mm、0.22mm、0.24mm、0.26mm、0.28mm或0.30mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

作为本发明的一个优选技术方案，所述抛光后，保护环图案铣削区外表面的Ra≤1.6μm，例如，Ra为0.01μm、0.1μm、0.2μm、0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm、1.0μm、1.1μm、1.2μm、1.3μm、1.4μm、1.5μm或1.6μm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

优选地，所述喷砂后，所述图案铣削区保护环表面的Ra为3～5μm，例如，Ra为3.0μm、3.2μm、3.4μm、3.6μm、3.8μm、4.0μm、4.2μm、4.4μm、4.6μm、4.8μm或5.0μm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

优选地，所述喷砂处理后对保护环进行清洗、干燥和包装。

优选地，所述清洗的步骤包括：用清洁剂和水清洗后，再用水进行冲洗。

作为本发明的一个优选技术方案，所述的加工方法具体包括以下步骤：

对保护环进行粗车和精车，铣削外形和装配结构；再对图案铣削区进行滚花加工出吸附槽，滚花加工的TPI为22～31，深度为0.1～0.3mm，滚花加工去除毛刺并清洗表面，清洗后对图案铣削区以外的表面进行抛光处理，图案铣削区以外表面的Ra≤1.6μm，图案铣削区进行喷砂处理，图案铣削区的Ra为3～5μm，喷砂后用清洁剂和水清洗，再用水进行冲洗，清洗完成后进行干燥和包装，加工得到所述用于制备晶圆的保护环。

本发明所述的数值范围不仅包括上述例举的点值，还包括没有例举出的上述数值范围之间的任意的点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：

本发明通过在保护环上设置吸附槽，能够解决保护环吸附能力差的问题，在晶圆制备过程中，本发明能够通过吸附槽将吸附靶材上掉落的薄膜吸附收集，避免薄膜掉入晶圆，影响产品质量；此外，通过图案铣削区的粗糙程度大于其他区域，进一步地强化吸附槽对薄膜的吸附能力，本发明具有对薄膜的吸附能力强、结构简单和适应性强等特点。

附图说明

图1为本发明一个具体实施方式中提供的用于制备晶圆的保护环的结构示意图；

图2为本发明一个具体实施方式中提供的用于制备晶圆的保护环的侧视剖面图。

其中，1-图案铣削区；2-吸附槽；3-装配结构。

具体实施方式

需要理解的是，在本发明的描述中，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

需要说明的是，在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。

在一个具体实施方式中，本发明提供了一种用于制备晶圆的保护环，如图1和图2所示，所述保护环的外周面和一侧圆环面为图案铣削区1，图案铣削区1内遍布吸附槽2，图案铣削区1的粗糙度大于图案铣削区1以外的粗糙度。

本发明通过在保护环上设置吸附槽2，能够解决保护环吸附能力差的问题，在晶圆制备过程中，本发明能够通过吸附槽2将吸附靶材上掉落的薄膜吸附收集，避免薄膜掉入晶圆，影响产品质量；此外，通过图案铣削区1的粗糙程度大于其他区域，进一步地强化吸附槽2对薄膜的吸附能力，本发明具有对薄膜的吸附能力强、结构简单和适应性强等特点。

进一步地，吸附槽2的截面呈正六边形，深度为0.1～0.3mm，截面边长为0.5～2mm。更进一步地，以保护环的圆心为中心，吸附槽2在图案铣削区1呈同心圆排布，相邻同心圆排布的吸附槽2交错设置，相邻吸附槽2之间的距离为0.8～1.2mm。

进一步地，位于图案铣削区1，保护环表面进行喷砂处理，表面的Ra为3～5μm；图案铣削区1以外，保护环表面进行抛光处理，表面的Ra≤1.6μm。

进一步地，保护环的内周面呈装配结构3，装配结构3用于将保护环与设备装配连接。本发明中所述的用于制备晶圆的保护环是辅助零部件，通过将保护环的内周面设计成与设备装配连接的结构，适用于不同的装置结构，例如，在物理气相沉积系统装置中进行使用，在沉积过程中能够避免薄膜掉落至晶圆上。

在另一个具体实施方式中，本发明提供了一种上述的用于制备晶圆的保护环的加工方法，所述的加工方法具体包括以下步骤：

对保护环进行粗车和精车，铣削外形和装配结构3；再对图案铣削区1进行滚花加工出吸附槽2，滚花加工的TPI为22～31，深度为0.1～0.3mm，滚花加工去除毛刺并清洗表面，清洗后对图案铣削区1以外的表面进行抛光处理，图案铣削区1以外表面的Ra≤1.6μm，图案铣削区1进行喷砂处理，图案铣削区1的Ra为3～5μm，喷砂后用清洁剂和水清洗，再用水进行冲洗，清洗完成后进行干燥和包装，加工得到所述用于制备晶圆的保护环。

实施例1

本实施例提供了一种用于制备晶圆的保护环，基于一个具体实施方式中所述的保护环，其中，吸附槽2的截面呈正六边形，深度为0.2mm，截面边长为1mm，相邻吸附槽2之间的距离为1.016mm。位于图案铣削区1，保护环表面进行喷砂处理，表面的Ra为4μm；图案铣削区1以外，保护环表面进行抛光处理，表面的Ra为1μm。

本实施例还提供了一种上述保护环的加工方法，基于一个具体实施方式中所述的加工方法，其中，滚花加工的TPI为25，深度为0.2mm。图案铣削区1以外表面的Ra为1μm，图案铣削区1的Ra为4μm。

实施例2

本实施例提供了一种用于制备晶圆的保护环，基于一个具体实施方式中所述的保护环，其中，吸附槽2的截面呈正六边形，深度为0.1mm，截面边长为0.5mm，相邻吸附槽2之间的距离为1.154mm。位于图案铣削区1，保护环表面进行喷砂处理，表面的Ra为5μm；图案铣削区1以外，保护环表面进行抛光处理，表面的Ra为1.6μm。

本实施例还提供了一种上述保护环的加工方法，基于一个具体实施方式中所述的加工方法，其中，滚花加工的TPI为22，深度为0.1mm。图案铣削区1以外表面的Ra为1.6μm，图案铣削区1的Ra为5μm。

实施例3

本实施例提供了一种用于制备晶圆的保护环，基于一个具体实施方式中所述的保护环，其中，吸附槽2的截面呈正六边形，深度为0.3mm，截面边长为2mm，相邻吸附槽2之间的距离为0.819mm。位于图案铣削区1，保护环表面进行喷砂处理，表面的Ra为3μm；图案铣削区1以外，保护环表面进行抛光处理，表面的Ra为0.6μm。

本实施例还提供了一种上述保护环的加工方法，基于一个具体实施方式中所述的加工方法，其中，滚花加工的TPI为31，深度为0.3mm。图案铣削区1以外表面的Ra为0.6μm，图案铣削区1的Ra为3μm。

实施例4

本实施例提供了一种用于制备晶圆的保护环，基于一个具体实施方式中所述的保护环，其中，吸附槽2的截面呈正六边形，深度为0.15mm，截面边长为0.8mm，相邻吸附槽2之间的距离为0.907mm。位于图案铣削区1，保护环表面进行喷砂处理，表面的Ra为3.5μm；图案铣削区1以外，保护环表面进行抛光处理，表面的Ra为0.3μm。

本实施例还提供了一种上述保护环的加工方法，基于一个具体实施方式中所述的加工方法，其中，滚花加工的TPI为28，深度为0.15mm。图案铣削区1以外表面的Ra为0.3μm，图案铣削区1的Ra为3.5μm。

实施例5

本实施例提供了一种用于制备晶圆的保护环，基于一个具体实施方式中所述的保护环，其中，吸附槽2的截面呈正六边形，深度为0.25mm，截面边长为1.5mm，相邻吸附槽2之间的距离为1.104mm。位于图案铣削区1，保护环表面进行喷砂处理，表面的Ra为4.5μm；图案铣削区1以外，保护环表面进行抛光处理，表面的Ra为0.8μm。

本实施例还提供了一种上述保护环的加工方法，基于一个具体实施方式中所述的加工方法，其中，滚花加工的TPI为23，深度为0.25mm。图案铣削区1以外表面的Ra为0.8μm，图案铣削区1的Ra为4.5μm。

实施例6

本实施例提供了一种用于制备晶圆的保护环，与实施例1相比，其区别在于，所述吸附槽2的深度为0.05mm，其余结构和参数与实施例1完全相同，加工方法中滚花加工的深度做适应性变化。

实施例7

本实施例提供了一种用于制备晶圆的保护环，与实施例1相比，其区别在于，所述吸附槽2的深度为0.4mm，其余结构和参数与实施例1完全相同，加工方法中滚花加工的深度做适应性变化。

实施例8

本实施例提供了一种用于制备晶圆的保护环，与实施例1相比，其区别在于，相邻吸附槽2之间的距离为0.605mm，其余结构和参数与实施例1完全相同，加工方法中滚花加工的TPI适应性变化为42。

实施例9

本实施例提供了一种用于制备晶圆的保护环，与实施例1相比，其区别在于，相邻吸附槽2之间的距离为1.411mm，其余结构和参数与实施例1完全相同，加工方法中滚花加工的TPI适应性变化为18。

实施例10

本实施例提供了一种用于制备晶圆的保护环，与实施例1相比，其区别在于，位于图案铣削区1，保护环表面的Ra为2μm，其余结构和参数与实施例1完全相同，加工方法中滚花加工的喷砂参数做适应性调整。

实施例11

本实施例提供了一种用于制备晶圆的保护环，与实施例1相比，其区别在于，位于图案铣削区1，保护环表面的Ra为7μm，其余结构和参数与实施例1完全相同，加工方法中滚花加工的喷砂参数做适应性调整。

对比例1

本对比例提供了一种用于制备晶圆的保护环，与实施例1相比，所述的图案铣削区1不设置吸附槽2，其余结构和参数与实施例1完全相同。

将上述实施例和对比例中制备得到的用于制备晶圆的保护环，安装在物理气相沉积系统装置中，制备晶圆，观察晶圆的产品质量，结果如表1所示。

表1

	掉落在晶圆表面的薄膜碎片
		实施例1	无碎片
实施例2	无碎片
		实施例3	无碎片
实施例4	无碎片
		实施例5	无碎片
实施例6	无明显碎片
		实施例7	无明显碎片
实施例8	无明显碎片
		实施例9	无明显碎片
实施例10	无明显碎片
		实施例11	无明显碎片
对比例1	明显碎片

由上表可知：

(1)实施例1与实施例6、7相比，实施例1对薄膜碎片的吸附效果优于实施例6、7，由此可以看出，本发明通过控制吸附槽2的深度在0.1～0.3mm，通过对吸附槽2的尺寸控制，利用物质间的作用力，提高吸附槽2的内聚力从而有效吸附薄膜，若深度小于0.1mm，吸附槽2较浅且吸附表面小，不易吸附薄膜；若深度大于0.3mm，吸附槽2深度较大，使薄膜与吸附槽2底面距离够远，底面不能达到吸附效果。

(2)实施例1与实施例8、9相比，实施例1对薄膜碎片的吸附效果优于实施例8、9，由此可以看出，本发明通过控制相邻吸附槽2之间的距离，图案铣削区1对薄膜的吸附能力强，若距离低于0.8mm，使吸附槽2过于密集，相邻吸附槽2之间的区域小，首先增加了加工难度，其次密集的吸附槽2之间相互影响，导致吸附效果变差；若距离高于1.2mm，使吸附槽2过于稀疏，同样使吸附能力降低。

(3)实施例1与实施例10、11相比，实施例1对薄膜碎片的吸附效果优于实施例10、11，由此可以看出，本发明通过控制图案铣削区1内，通过喷砂使保护环表面的Ra为3～5μm，进一步地加强本发明的吸附能力，若Ra低于3μm，则表面光洁度较高，对薄膜的吸附能力差；Ra高于5μm，表面粗糙结构的尺寸较大，毛细吸附力低。

(4)实施例1与对比例1相比，实施例1对薄膜碎片的吸附效果优于对比例1，由此可以看出，本发明通过在保护环上设置吸附槽2，能够解决保护环吸附能力差的问题，在晶圆制备过程中，本发明能够通过吸附槽2将吸附靶材上掉落的薄膜吸附收集，避免薄膜掉入晶圆，影响产品质量；此外，通过图案铣削区1的粗糙程度大于其他区域，进一步地强化吸附槽2对薄膜的吸附能力，本发明具有对薄膜的吸附能力强、结构简单和适应性强等特点。

申请人声明，以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (21)

1.一种用于制备晶圆的保护环，其特征在于，所述保护环的外周面和一侧圆环面为图案铣削区，所述图案铣削区内遍布吸附槽，相邻所述吸附槽之间的距离为0.8～1.2mm，所述图案铣削区的粗糙度大于图案铣削区以外的粗糙度，位于所述图案铣削区，所述保护环表面的Ra为3～5μm。

2.根据权利要求1所述的保护环，其特征在于，所述吸附槽的截面呈正六边形。

3.根据权利要求1所述的保护环，其特征在于，所述吸附槽的深度为0.1～0.3mm。

4.根据权利要求2所述的保护环，其特征在于，所述吸附槽的截面边长为0.5～2mm。

5.根据权利要求1所述的保护环，其特征在于，以所述保护环的圆心为中心，所述吸附槽在图案铣削区呈同心圆排布。

6.根据权利要求5所述的保护环，其特征在于，相邻所述同心圆排布的吸附槽交错设置。

7.根据权利要求1所述的保护环，其特征在于，位于所述图案铣削区，所述保护环表面进行喷砂处理。

8.根据权利要求1所述的保护环，其特征在于，所述图案铣削区以外，所述保护环表面进行抛光处理。

9.根据权利要求1所述的保护环，其特征在于，所述图案铣削区以外，所述保护环表面的Ra≤1.6μm。

10.根据权利要求1所述的保护环，其特征在于，所述保护环的内周面呈装配结构，所述装配结构用于将所述的保护环与设备装配连接。

11.一种权利要求1-10任一项所述的用于制备晶圆的保护环的加工方法，其特征在于，所述的加工方法包括以下步骤：

对保护环的图案铣削区铣削吸附槽后，对图案铣削区外的表面进行抛光，并对图案铣削区进行喷砂处理，加工得到所述用于制备晶圆的保护环。

12.根据权利要求11所述的加工方法，其特征在于，所述保护环在铣削吸附槽前进行粗车和精车外形。

13.根据权利要求11所述的加工方法，其特征在于，所述铣削吸附槽的工艺为滚花加工。

14.根据权利要求11所述的加工方法，其特征在于，所述铣削吸附槽后对图案铣削区进行去毛刺并清洗。

15.根据权利要求13所述的加工方法，其特征在于，所述滚花加工的TPI为22～31。

16.根据权利要求13所述的加工方法，其特征在于，所述滚花加工的深度为0.1～0.3mm。

17.根据权利要求11所述的加工方法，其特征在于，所述抛光的Ra≤1.6μm。

18.根据权利要求11所述的加工方法，其特征在于，所述喷砂的Ra为3～5μm。

19.根据权利要求11所述的加工方法，其特征在于，所述喷砂处理后对保护环进行清洗、干燥和包装。

20.根据权利要求19所述的加工方法，其特征在于，所述清洗的步骤包括：用清洁剂和水清洗后，再用水进行冲洗。

21.根据权利要求11所述的加工方法，其特征在于，所述的加工方法具体包括以下步骤：

对保护环进行粗车和精车，铣削外形和装配结构；再对图案铣削区进行滚花加工出吸附槽，滚花加工的TPI为22～31，深度为0.1～0.3mm，滚花加工去除毛刺并清洗表面，清洗后对图案铣削区以外的表面进行抛光处理，图案铣削区以外表面的Ra≤1.6μm，图案铣削区进行喷砂处理，图案铣削区的Ra为3～5μm，喷砂后用清洁剂和水清洗，再用水进行冲洗，清洗完成后进行干燥和包装，加工得到所述用于制备晶圆的保护环。

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