CN113102390A - 一种磁场约束双束脉冲激光诱导冲击波清洗微纳颗粒方法 - Google Patents

一种磁场约束双束脉冲激光诱导冲击波清洗微纳颗粒方法 Download PDF

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Abstract

一种磁场约束双束脉冲激光诱导冲击波清洗微纳颗粒方法，包括以下步骤：1)将待清洗基板粘结在三维移动平台上，移动三维移动平台使待所述待清洗基板位于激光脉冲聚焦焦点正下方处；2)利用脉冲激光束和脉冲激光束聚焦在永磁铁N极和永磁铁S极之间诱导气体击穿产生等离子体冲击波，使得待清洗基板表面上的微纳米颗粒污染物在冲击波去除力的作用下从待清洗基板表面飞离。本发明在保留了双光束脉冲激光诱导冲击波清洗的绿色环保、控制方便、有效去除清洗盲区的优势的同时，能通过磁场的约束作用增强等离子体强度与存续时间，增强冲击波的强度，提高基板的清洗面积与清洗效率。

Description

一种磁场约束双束脉冲激光诱导冲击波清洗微纳颗粒方法
技术领域
本发明涉及表面清洗技术，特别涉及一种磁场约束双束脉冲激光诱导冲击波清洗微纳颗粒方法。
背景技术
颗粒污染在产品生产制造或工作环境的影响下，会无可避免地附着于产品的表面上，当微型机械、精密光学元器件、集成芯片上等精细产品表面附着一定密度的颗粒污染物时，其产品性能将大大降低，有时甚至会导致产品报废。
双束脉冲激光诱导等离子体冲击波清洗是直接在气体氛围中聚焦，诱导气体电离产生等离子体冲击波，利用波的力作用去除待清洗基板表面的纳米颗粒污染物。该技术避免了激光与基体的直接相互作用，能够抑制传统单脉冲激光诱导等离子体清洗存在的清洗盲区。
发明内容
为了克服已有技术的不足，本发明提供了一种一种磁场约束双束脉冲激光诱导冲击波清洗微纳颗粒方法，能有效提高双束脉冲激光诱导冲击波清洗的基板清洗面积，提高清洗效率。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种磁场约束双束脉冲激光诱导冲击波清洗微纳颗粒方法，所述方法包括以下步骤：
1)将待清洗基板粘结在三维移动平台上，移动三维移动平台使待所述待清洗基板位于激光脉冲聚焦焦点正下方处；
2)利用第一脉冲激光束和第二脉冲激光束聚焦在永磁铁N极和永磁铁S极之间诱导气体击穿产生等离子体冲击波，使得待清洗基板表面上的微纳米颗粒污染物在冲击波去除力的作用下从待清洗基板表面飞离。
进一步，所述三维移动平台由计算机控制系统控制，三维移动平台移动精度为5μm。
所述待清洗基板的背面与三维移动平台在实验时使用双面胶带粘结固定，在实验后取下。
所述待清洗基板表面位于双束脉冲激光聚焦焦点的正下方，等离子体与待清晰基板表面距离要保证实验不会损伤基板，且有好的清洗效果。
所述第一脉冲激光束和第二脉冲激光束分别由脉冲激光器和脉冲激光器分别产生得到；所述第一脉冲光束经过反射镜形成反射脉冲激光束，所述反射脉冲激光束和第二脉冲激光束由第一聚焦镜和第二聚焦镜分别聚焦于永磁铁N极和永磁铁S极的中间空间内一点，此点与永磁铁N极和永磁铁S极的垂直距离相同。
所述第一脉冲激光束和第二脉冲激光束由数字延迟发生器控制两脉冲延迟时间，在0-100μs之间可调，反射脉冲激光束和第二脉冲激光束中至少有一束脉冲能单独击穿气体诱导产生等离子体冲击波。
所述反射脉冲激光束和第二脉冲激光束所在平面平行于所述待清洗基板表面与所述两永磁铁平面，所述反射脉冲激光束和第二脉冲激光束聚焦点一直位于在所述两个永磁铁的中心平面上。
所述反射脉冲激光束和第二脉冲激光束在同一平面内夹角在0-180度之间可调，且所述反射脉冲激光束和第二脉冲激光束的光束能量比值在1：0-1:1之间可调。
所述永磁铁N极和永磁铁S极之间距离不固定，且可根据永磁铁N极和永磁铁S极的距离调控磁场强度。
所述反射脉冲激光束和第二脉冲激光束聚焦导气体击穿，击穿次数在1-100之间；
所述反射脉冲激光束和第二脉冲激光束聚焦在待清洗表面上方气体中诱导击穿，此气体包括空气和惰性气体；
所述清洗用第一脉冲激光器和第二脉冲激光器，两者波长为1064nm或532nm，脉宽在10fs-10ns之间，单脉冲能量范围为100-1000mJ；
所述的微纳米颗粒污染物的尺寸为0.01-1000μm。
本发明提出一种磁场约束双束脉冲激光诱导冲击波清洗微纳颗粒方法，使用两个激光器分别产生一束激光脉冲聚焦于所述磁场内同一点，产生的等离子体经过磁场的约束，冲击波强度增大，最后抵出至待洗表面，表面上的颗粒污染物受冲击波擦除作用力飞离；在双束脉冲激光诱导冲击波清洗的优势上，磁场约束能增强激光诱导等离子体的强度与存续时间，增强冲击波强度，最终能提高基板的清洗面积与清洗效率。
本发明的有益效果主要表现在：通过双束脉冲激光诱导气体击穿等离子体冲击波，避免了激光与基体的直接相互作用，在保留了绿色环保、控制方便、对基板无损伤优势的同时，能有效去除单脉冲诱导冲击波清洗方法正下方的残余颗粒，扩大清洗面积，提高清洗效率。
附图说明
图1为本发明所述磁场约束双束脉冲激光诱导气体击穿冲击波去除基板表面微纳米颗粒污染物的方法的装置图。
其中，1第一脉冲激光器，2数字延迟发生器，3第二脉冲激光器，4第一脉冲激光束，5反射镜，6反射脉冲激光束，7第二脉冲激光束，8第一聚焦镜，9第二聚焦镜，10三维移动平台，11基板，12污染颗粒，13永磁铁N极，14计算机控制系统，15冲击波，16聚焦焦点，17永磁铁S极。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步描述。
参照图1，一种磁场约束双束脉冲激光诱导冲击波清洗微纳颗粒方法，所述方法包括以下步骤：
1)将待清洗基板11粘结在三维移动平台10上，移动三维移动平台10使待所述待清洗基板10位于激光脉冲聚焦焦点16正下方处；
2)利用第一脉冲激光束4和第二脉冲激光束7聚焦在永磁铁N极13和永磁铁S极17之间诱导气体击穿产生等离子体冲击波15，使得待清洗基板11表面上的微纳米颗粒污染物(12)在冲击波15去除力的作用下从待清洗基板10表面飞离。
所述三维移动平台10由计算机控制系统14控制，三维移动平台10移动精度为5μm。
所述待清洗基板10的背面与三维移动平台10在实验时使用双面胶带粘结固定，在实验后取下。
所述待清洗基板10表面位于双束脉冲激光聚焦焦点16的正下方，等离子体与待清晰基板10表面距离要保证实验不会损伤基板，且有好的清洗效果。
所述第一脉冲激光束4和第二脉冲激光束7分别由脉冲激光器1和脉冲激光器3分别产生得到；所述第一脉冲光束4经过反射镜形成反射脉冲激光束6，所述反射脉冲激光束6和第二脉冲激光束7由第一聚焦镜8和第二聚焦镜9分别聚焦于永磁铁N极13和永磁铁S极17的中间空间内一点，此点与永磁铁N极13和永磁铁S极17的垂直距离相同。
所述第一脉冲激光束4和第二脉冲激光束7由数字延迟发生器2控制两脉冲延迟时间，在0-100μs之间可调，反射脉冲激光束6和第二脉冲激光束7中至少有一束脉冲能单独击穿气体诱导产生等离子体冲击波。
所述反射脉冲激光束6和第二脉冲激光束7所在平面平行于所述待清洗基板表面与所述两永磁铁平面，所述双束脉冲激光束聚焦点一直位于在所述两个永磁铁的中心平面上。
所述反射脉冲激光束6和第二脉冲激光束7在同一平面内夹角在0-180度之间可调，且所述反射脉冲激光束6和第二脉冲激光束7的光束能量比值在1：0-1:1之间可调。
所述永磁铁N极13和永磁铁S极17之间距离不固定，且可根据永磁铁N极13和永磁铁S极17的距离调控磁场强度。
所述反射脉冲激光束6和第二脉冲激光束7聚焦导气体击穿，击穿次数在1-100之间；
所述反射脉冲激光束6和第二脉冲激光束77聚焦在待清洗表面上方气体中诱导击穿，此气体包括空气和惰性气体；
所述清洗用第一脉冲激光器1和第二脉冲激光器3，两者波长为1064nm或532nm，脉宽在10fs-10ns之间，单脉冲能量范围为100-1000mJ；
所述的微纳米颗粒污染物的尺寸为0.01-1000μm。
本实施例中，分别由第一脉冲激光器1、第二脉冲激光器3产生的第一脉冲激光束4、第二脉冲激光束7在数字延迟发生器2的时间调控下，所述第一脉冲光束4经过反射镜形成反射脉冲激光束6，通过第一聚焦镜8和第二聚焦镜9聚焦于N极永磁铁13与S极永磁铁17中间平面内一点，激光聚焦产生的冲击波15最终涌出至硅圆晶片11表面上。N极永磁铁13与S极永磁铁17的尺寸相同，为70mm(X方向)×40mm(Y方向)×40mm(Z方向)，其电磁强度可通过两永磁铁之间的距离调整。在三维移动平台10上通过双面胶带固定单面抛光的硅圆晶片11，再通过计算机控制系统14控制三维移动平台10的移动，以调节激光聚焦点16与硅圆晶片11表面的距离，此时待硅圆晶片11表面位于聚焦焦点16及的正下上方。两激光脉冲延迟时间由数字延迟发生器2控制，第一脉冲激光束4、第二脉冲激光束7分别由两台Nd:YAG脉冲激光器产生，其工艺参数为：输出波长1064nm，脉宽6ns，频率10Hz，光斑直径0.5mm。第一聚焦镜8和第二聚焦镜9焦距为150mm。硅圆晶片11抛光表面的污染颗粒12为聚苯乙烯胶乳纳米颗粒，平均直径为300nm。通过调节N极永磁铁13与S极永磁铁17之间的距离、两脉冲激光的能量、脉冲次数、脉冲之间的延迟时间、以及激光聚焦焦点16与工件硅圆晶片11表面的距离,调节出最佳激光冲击波去除硅圆晶片11表面微纳米颗粒的参数。当激光能量过高和激光聚焦点与硅圆晶片11表面的距离过小时,会造成硅圆晶片11表面损伤；当激光能量过低和激光聚焦点与硅圆晶片11表面的距离过大时，清洗的效率会大大降低；当双束脉冲间延迟时间过大时，未能有效去除残余未清洗区域。通过实验我们设定两永磁铁之间的距离为15mm，B＝1T，激光焦点距离硅圆晶片11表面垂直距离为4mm，单脉冲激光能量均为200mJ,每一次的脉冲数为3，双束脉冲延迟间隔为200ns。
本说明书的实施例所述的内容仅仅是对发明构思的实现形式的列举，仅作说明用途。本发明的保护范围不应当被视为仅限于本实施例所陈述的具体形式，本发明的保护范围也及于本领域的普通技术人员根据本发明构思所能想到的等同技术手段。

Claims (10)

1.一种磁场约束双束脉冲激光诱导冲击波清洗微纳颗粒方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
1)将待清洗基板(11)粘结在三维移动平台(10)上，移动三维移动平台(10)使待所述待清洗基板(10)位于激光脉冲聚焦焦点(16)正下方处；
2)利用第一脉冲激光束(4)和第二脉冲激光束(7)聚焦在永磁铁N极(13)和永磁铁S极(17)之间诱导气体击穿产生等离子体冲击波(15)，使得待清洗基板(11)表面上的微纳米颗粒污染物(12)在冲击波(15)去除力的作用下从待清洗基板(10)表面飞离。
2.如权利要求1所述的磁场约束双束脉冲激光诱导冲击波清洗微纳颗粒方法，其特征在于，所述三维移动平台(10)由计算机控制系统(14)控制，三维移动平台(10)移动精度为5μm。
3.如权利要求2所述的磁场约束双束脉冲激光诱导冲击波清洗微纳颗粒方法，其特征在于，所述待清洗基板(10)的背面与三维移动平台(10)在实验时使用双面胶带粘结固定，在实验后取下。
4.如权利要求1所述的磁场约束双束脉冲激光诱导冲击波清洗微纳颗粒方法，其特征在于，所述待清洗基板(10)表面位于双束脉冲激光聚焦焦点(16)的正下方，等离子体与待清晰基板(10)表面距离要保证实验不会损伤基板，且有好的清洗效果。
5.如权利要求1所述的磁场约束双束脉冲激光诱导冲击波清洗微纳颗粒方法，其特征在于，所述第一脉冲激光束(4)和第二脉冲激光束(7)分别由第一脉冲激光器(1)和第二脉冲激光器(3)分别产生得到；所述第一脉冲光束(4)经过反射镜形成反射脉冲激光束(6)，所述反射脉冲激光束(6)和第二脉冲激光束(7)由第一聚焦镜(8)和第二聚焦镜(9)分别聚焦于永磁铁N极(13)和永磁铁S极(17)的中间空间内一点，此点与永磁铁N极(13)和永磁铁S极(17)的垂直距离相同。
6.如权利要求5所述的时间调控双脉冲激光诱导等离子体冲击波清洗方法，其特征在于，所述第一脉冲激光束(4)和第二脉冲激光束(7)由数字延迟发生器(2)控制两脉冲延迟时间，在0-100μs之间可调，反射脉冲激光束(6)和第二脉冲激光束(7)中至少有一束脉冲能单独击穿气体诱导产生等离子体冲击波。
7.如权利要求5所述的磁场约束双束脉冲激光诱导冲击波清洗微纳颗粒方法，其特征在于，所述反射脉冲激光束(6)和第二脉冲激光束(7)所在平面平行于所述待清洗基板表面与所述两永磁铁平面，所述反射脉冲激光束(6)和第二脉冲激光束(7)聚焦点一直位于在所述两个永磁铁的中心平面上。
8.如权利要求5所述的磁场约束双束脉冲激光诱导冲击波清洗微纳颗粒方法，其特征在于，所述反射脉冲激光束(6)和第二脉冲激光束(7)在同一平面内夹角在0-180度之间可调，且所述反射脉冲激光束(6)和第二脉冲激光束(7)的光束能量比值在1：0-1:1之间可调。
9.如权利要求5所述的磁场约束双束脉冲激光诱导冲击波清洗微纳颗粒方法，其特征在于，所述永磁铁N极(13)和永磁铁S极(17)之间距离不固定，且可根据永磁铁N极(13)和永磁铁S极(17)的距离调控磁场强度。
10.如权利要求1所述的磁场约束双束脉冲激光诱导冲击波清洗微纳颗粒方法，其特征在于，反射脉冲激光束(6)和第二脉冲激光束(7)聚焦导气体击穿，击穿次数在1-100之间；
反射脉冲激光束(6)和第二脉冲激光束(7)聚焦在待清洗表面上方气体中诱导击穿，此气体包括空气和惰性气体；
所述清洗用第一脉冲激光器(1)和第一脉冲激光器(3)，两者波长为1064nm或532nm，脉宽在10fs-10ns之间，单脉冲能量范围为100-1000mJ；
所述的微纳米颗粒污染物的尺寸为0.01-1000μm。
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