CN113097415A - 一种硅基oled微显示芯片结构及其增透方法 - Google Patents

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叶成
祖伟
刘胜芳
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Abstract

本发明公开了一种硅基OLED微显示芯片结构及其增透方法，其结构包括依次设置的硅基CMOS驱动电路层、OLED发光层、封装层以及覆盖玻璃层，覆盖玻璃层为减反射玻璃层，减反射玻璃层包括盖板玻璃和设在盖板玻璃上的增透膜，所述增透膜在盖板玻璃上单面或双面设置。增透方法，包括以下步骤：硅基CMOS驱动电路上蒸镀有机材料和阴极金属材料，构成OLED层，将蒸镀有有机材料和阴极金属材料的基板传递至薄膜封装设备，进行有机和无机薄膜封装，构成封装层；盖板玻璃和增透膜的材料复合形成增透AR玻璃；在封装层上覆盖增透AR玻璃。在盖板玻璃上形成抗反射膜层，大大降低了玻璃表面反射率，最高透光率将达到98％；从而使硅基OLED微显示器件具有低反射、高透过的优异性能。

Description

一种硅基OLED微显示芯片结构及其增透方法
技术领域
本发明涉及硅基OLED微显示技术领域，尤其是涉及一种硅基OLED微显示芯片结构及其增透方法。
背景技术
硅基OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)微显示器是一种将主动型发光器件OLED制作在硅基CMOS驱动电路基板上的一种新型显示技术，已广泛应用于机戴头盔、枪瞄、夜视仪等军用市场，并且在AR/VR市场的应用前景也极其广泛，被称为下一代显示技术的黑马。
常规的硅基OLED微显示器件结构主要包含硅基CMOS驱动电路、OLED发光结构，薄膜封装结构、盖板玻璃等结构；其中OLED发光结构包含阳极金属材料，OLED发光材料和阴极金属材料；阳极金属和阴极金属给OLED发光材料提供发光所需要的驱动电压，OLED发光材料发出的光透过阴极、薄膜封装和盖板玻璃，完成显示的效果。因此需要阴极为透明材料。阴极需要给OLED提供驱动电压，为了确保OLED发光的均一性，需要阴极材料的电阻尽可能小。目前常用的阴极材料有Ag和Mg/Ag合金。
阴极材料Ag或者Mg/Ag合金的厚度在纳米量级时，表现为高透过率的透明材料。但是Ag或者Mg/Ag合金，作为金属材料，仍具有部分金属特性，即较高的反射率；因此，以上结构的硅基OLED微显示器件，在较强的环境光氛围下，会表现出一定的反射特性，从而影响其显示效果，然而目前并没有解决发射特性的方案。
发明内容
针对现有技术不足，本发明是提供一种硅基OLED微显示芯片结构及其增透方法，其可有效增加硅基OLED微显示器件的透过率，减小其反射率。
为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案为：
一种硅基OLED微显示芯片结构，包括依次设置的硅基CMOS驱动电路层、OLED发光层、封装层以及覆盖玻璃层，所述覆盖玻璃层为减反射玻璃层，减反射玻璃层包括盖板玻璃和设在盖板玻璃上的增透膜，所述增透膜在盖板玻璃上单面或双面设置。
所述盖板玻璃的两面上均设有单层增透膜，或盖板玻璃的两面上设有两层以上增透膜。
所述盖板玻璃上的单层增透膜厚度范围为50nm～500nm。
所述增透膜的材料为SiO、SiN、氟化镁、二氧化钛、Al2O3中的部分或全部。
所述盖板玻璃的上面或下面上设有单层增透膜。
所述盖板玻璃的上面或下面上设有两层以上增透膜。
一种所述硅基OLED微显示芯片结构的增透方法，包括以下步骤：
硅基CMOS驱动电路上蒸镀有机材料和阴极金属材料，构成OLED层，将蒸镀有有机材料和阴极金属材料的基板传递至薄膜封装设备，进行有机和无机薄膜封装，构成封装层；
盖板玻璃和增透膜的材料复合形成增透AR玻璃；
在封装层上覆盖增透AR玻璃。
所述增透膜的材料采用浸镀或磁控溅射或蒸镀方式在超白玻璃一面或两个面上形成抗反射膜层。
本发明与现有技术相比，具有以下优点：
该硅基OLED微显示芯片结构及其增透方法设计合理，使用减反射AR玻璃，又叫增透玻璃，运用浸镀或磁控溅射或蒸镀方式在超白玻璃两个表面形成抗反射膜层，大大降低了玻璃表面反射率，最高透光率将达到98％；从而使硅基OLED微显示器件具有低反射、高透过的优异性能。
附图说明
下面对本说明书各幅附图所表达的内容及图中的标记作简要说明：
图1为本发明显示芯片结构示意图。
图2为本发明第一种减反射玻璃结构示意图。
图3为本发明第二种减反射玻璃结构示意图。
图4为本发明第三种减反射玻璃结构示意图。
图中：
1.减反射玻璃层、101.盖板玻璃、102.上增透膜、103.下增透膜、2.封装层、3.OLED发光层、4.硅基CMOS驱动电路层。
具体实施方式
下面对照附图，通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
如图1至图4所示，该硅基OLED微显示芯片结构，包括依次设置的硅基CMOS驱动电路层4、OLED发光层3、封装层2以及覆盖玻璃层，覆盖玻璃层为减反射玻璃层1，减反射玻璃层包括盖板玻璃101和设在盖板玻璃上的增透膜，增透膜在盖板玻璃上单面或双面设置。
在已有的硅基OLED微显示器件制成上，将原有的普通盖板玻璃更换成增透(减反射)效能的AR玻璃，可以有效的增加硅基OLED微显示器件的透过率，减小其反射率，具有工艺简单，性能提升明显等特点。
优选的，盖板玻璃101的两面上均设有单层增透膜，或盖板玻璃的两面上设有两层以上增透膜。
盖板玻璃101的上面或下面上设有单层增透膜；或盖板玻璃的上面或下面上设有两层以上增透膜。
盖板玻璃上的单层增透膜厚度范围为50nm～500nm；增透膜的材料为SiO、SiN、氟化镁、二氧化钛、Al2O3中的部分或全部；增透膜的材料采用浸镀或磁控溅射或蒸镀方式在超白玻璃一面或两个面上形成抗反射膜层。
硅基OLED微显示芯片结构的增透方法，包括以下步骤：
硅基CMOS驱动电路上蒸镀有机材料和阴极金属材料，构成OLED层，将蒸镀有有机材料和阴极金属材料的基板传递至薄膜封装设备，进行有机和无机薄膜封装，构成封装层；
盖板玻璃和增透膜的材料复合形成增透AR玻璃；
在封装层上覆盖增透AR玻璃。
其中，增透膜的材料采用浸镀或磁控溅射或蒸镀方式在超白玻璃一面或两个面上形成抗反射膜层。
本发明中使用减反射AR玻璃，又叫增透玻璃，运用浸镀或磁控溅射或蒸镀方式在超白玻璃两个表面形成抗反射膜层，大大降低了玻璃表面反射率，最高透光率将达到98％；从而使硅基OLED微显示器件具有低反射、高透过的优异性能。
优选具体实例为：
如图2所示：
增透AR玻璃上下两面由单层增透(减反射)膜构成，或者由多层增透(减反射)膜堆叠构成，每层增透(减反射)膜的厚度在50nm～500nm之间；如图2中，盖板玻璃的上面设有上增透膜102，盖板玻璃的下面设有下增透膜103。增透(减反射)膜由减反材料构成，增透(减反射)材料采用浸镀或磁控溅射或蒸镀方式制备构成减反膜，增透(减反射)材料通过浸镀或磁控溅射或蒸镀方式在盖板玻璃上或者上一层增透(减反射)膜上制备，构成本层增透(减反射)膜。增透(减反射)材料为SiO，SiN，氟化镁，二氧化钛，Al2O3中的部分或全部。此种AR玻璃的透过率可高达98％；传统盖板玻璃本身的透过率最高仅能达到90％；大大降低了玻璃表面反射率，提高了产品性能。
如图3所示：
增透AR玻璃上表面由单层增透(减反射)膜构成，或者由多层增透(减反射)膜堆叠构成，每层增透(减反射)膜的厚度在50nm～500nm之间。增透(减反射)膜由减反材料构成，增透(减反射)材料采用浸镀或磁控溅射或蒸镀方式制备构成减反膜，增透(减反射)材料通过浸镀或磁控溅射或蒸镀方式在盖板玻璃上或者上一层增透(减反射)膜上制备，构成本层增透(减反射)膜。增透(减反射)材料为SiO，SiN，氟化镁，二氧化钛，Al2O3中的部分或全部。此种方案的AR玻璃的透过率可达到93％～94％。
如图4所示：
增透AR玻璃下表面由单层增透(减反射)膜构成，或者由多层增透(减反射)膜堆叠构成，每层增透(减反射)膜的厚度在50nm～500nm之间。增透(减反射)膜由减反材料构成，增透(减反射)材料采用浸镀或磁控溅射或蒸镀方式制备构成减反膜，增透(减反射)材料通过浸镀或磁控溅射或蒸镀方式在盖板玻璃上或者上一层增透(减反射)膜上制备，构成本层增透(减反射)膜。增透(减反射)材料为SiO，SiN，氟化镁，二氧化钛，Al2O3中的部分或全部。此种方案的AR玻璃的透过率可达到93％～94％。
上述仅为对本发明较佳的实施例说明，上述技术特征可以任意组合形成多个本发明的实施例方案。
上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种硅基OLED微显示芯片结构，包括依次设置的硅基CMOS驱动电路层、OLED发光层、封装层以及覆盖玻璃层，其特征在于：所述覆盖玻璃层为减反射玻璃层，减反射玻璃层包括盖板玻璃和设在盖板玻璃上的增透膜，所述增透膜在盖板玻璃上单面或双面设置。
2.如权利要求1所述硅基OLED微显示芯片结构，其特征在于：所述盖板玻璃的两面上均设有单层增透膜，或盖板玻璃的两面上设有两层以上增透膜。
3.如权利要求1所述硅基OLED微显示芯片结构，其特征在于：所述盖板玻璃上的单层增透膜厚度范围为50nm～500nm。
4.如权利要求1所述硅基OLED微显示芯片结构，其特征在于：所述增透膜的材料为SiO、SiN、氟化镁、二氧化钛、Al2O3中的部分或全部。
5.如权利要求1所述硅基OLED微显示芯片结构，其特征在于：所述盖板玻璃的上面或下面上设有单层增透膜。
6.如权利要求1所述硅基OLED微显示芯片结构，其特征在于：所述盖板玻璃的上面或下面上设有两层以上增透膜。
7.一种如权利要求1至6任一项所述硅基OLED微显示芯片结构的增透方法，其特征在于：所述增透方法包括以下步骤：
硅基CMOS驱动电路上蒸镀有机材料和阴极金属材料，构成OLED层，将蒸镀有有机材料和阴极金属材料的基板传递至薄膜封装设备，进行有机和无机薄膜封装，构成封装层；
盖板玻璃和增透膜的材料复合形成增透AR玻璃；
在封装层上覆盖增透AR玻璃。
8.如权利要求7所述增透方法，其特征在于：所述增透膜的材料采用浸镀或磁控溅射或蒸镀方式在超白玻璃一面或两个面上形成抗反射膜层。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101913780A (zh) * 2010-08-02 2010-12-15 常州亚玛顿股份有限公司 具有双层减反射涂层的太阳能电池组件封装玻璃
CN203510854U (zh) * 2013-09-30 2014-04-02 深圳市正星光电技术有限公司 一种高透过率玻璃及触摸显示屏
CN107140845A (zh) * 2016-12-09 2017-09-08 辽宁中迅科技有限公司 用溶液化学法制备可调节的宽频减反增透镀膜玻璃的方法
CN208607636U (zh) * 2018-08-08 2019-03-15 牧东光电科技有限公司 一种超白的触摸屏
CN109683214A (zh) * 2017-10-19 2019-04-26 深圳市三鑫精美特玻璃有限公司 应用于可见光和近红外光波段的双面镀膜玻璃及生产工艺
CN211088275U (zh) * 2019-10-30 2020-07-24 安徽熙泰智能科技有限公司 一种硅基oled微显示芯片的减反射封装结构

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101913780A (zh) * 2010-08-02 2010-12-15 常州亚玛顿股份有限公司 具有双层减反射涂层的太阳能电池组件封装玻璃
CN203510854U (zh) * 2013-09-30 2014-04-02 深圳市正星光电技术有限公司 一种高透过率玻璃及触摸显示屏
CN107140845A (zh) * 2016-12-09 2017-09-08 辽宁中迅科技有限公司 用溶液化学法制备可调节的宽频减反增透镀膜玻璃的方法
CN109683214A (zh) * 2017-10-19 2019-04-26 深圳市三鑫精美特玻璃有限公司 应用于可见光和近红外光波段的双面镀膜玻璃及生产工艺
CN208607636U (zh) * 2018-08-08 2019-03-15 牧东光电科技有限公司 一种超白的触摸屏
CN211088275U (zh) * 2019-10-30 2020-07-24 安徽熙泰智能科技有限公司 一种硅基oled微显示芯片的减反射封装结构

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