CN113087525B - 一种钼酸盐基复合微波介质陶瓷材料及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

一种钼酸盐基复合微波介质陶瓷及其制备方法，包括负谐振频率温度系数的低温烧结型Li2/3Mg2/3MoO4微波介质陶瓷材料、正谐振频率温度系数的低温烧结型(A1/2Bi1/2)MoO4微波介质陶瓷材料；以负谐振频率温度系数的微波介质陶瓷材料为主料，以正谐振频率温度系数的微波介质陶瓷材料为调料，通过两相复合方法，获得接近零谐振频率温度系数的低温烧结型复合微波介质陶瓷材料{(Li2(1‑x)/3Bix/2)(Ax/2Mg2(1‑x)/3)}MoO4(A为Na+或K+)。解决了现有微波介质陶瓷烧结温度高、谐振频率温度系数随温度变化较大的问题。在LTCC低温烧结微波介质陶瓷材料中具有广泛的应用。

Description

一种钼酸盐基复合微波介质陶瓷材料及其制备方法
技术领域
本发明属于电子元器件领域，具体来说，属于微波电子元器件领域，更进一步来说，属于微波电子元器件陶瓷材料领域。
背景技术
微波介质陶瓷(MWDC)是指应用于微波频段(300MHz～300GHz)电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷材料。在微波电子元器件中，微波介质陶瓷作为制作微波谐振器和滤波器的关键材料，其理想的性能体现在：以高介电常数实现器件的体积小型化、以高品质因数保证器件的工作高频化、以近零的谐振频率温度系数来保证器件的工作稳定性。目前，广泛采用的微波介质陶瓷材料虽然在性能上满足一些电子元器件的使用要求，但随着现代电子信息技术不断升级(如5G技术)，各种移动通讯设备更新换代和普及，电子元器件集成化、高频化、小型化、轻量化和便携化发展已成必然趋势，采用低温共烧陶瓷(LTCC，Low Temperature Co～fired Ceramic)技术是实现高密度封装和电子元器件集成化、小型化、轻量化、高可靠性等技术发展的重要手段。
对于传统的微波介质陶瓷而言，虽然具有较高性能并获得了广泛应用，但由于普遍要求较高烧结温度(≥1200℃)，限制了在LTCC技术领域中的应用。为了降低这些陶瓷的烧结温度，目前最有效且经济方法是添加低熔点氧化物或者玻璃作为助烧剂来降低烧结温度。虽然陶瓷的烧结温度降低了，但其微波介电性能通常被严重恶化。此外，综合考虑节能、无毒、低能耗等需求，在实际使用中，许多微波介质材料被限制使用。因此，开发一种信号响应速度快、损耗小、工作环境温度适应性强、能够广泛应用在移动通讯雷达及卫星通信等领域、满足LTCC器件性能需求的低温烧结微波介质陶瓷材料，是解决上述技术问题的关键。
在现有微波介质陶瓷材料中，钼酸盐Li2/3Mg2/3MoO4微波介质陶瓷材料具有优异的微波介电性能(εr＝9.5,Q×f＝80000GHz,τf＝-69ppm/℃)，同时其本身具有较低的烧结温度(880℃/4h)(h代表小时)，使得Li2/3Mg2/3MoO4微波介质陶瓷材料成为了很有希望的LTCC技术候选材料。但是，其较负的谐振频率温度系数(τf)限制该材料的应用范围。因此，如何有效调节Li2/3Mg2/3MoO4微波介质陶瓷材料的谐振频率温度系数，进而开发一种谐振频率温度系数近零(也称为低温漂或温度稳定型)、使用性能稳定、烧结温度低且便于实现工业化生产的Li2/3Mg2/3MoO4微波介质陶瓷材料具有积极的意义。
有鉴于此，特提出本发明。
发明内容
本发明的目的是：解决现有钼酸盐微波介质陶瓷材料谐振频率温度系数较大、温度稳定性较差的问题。
采取的设计构思是：以满足LTCC烧结工艺的低温烧结微波介质陶瓷材料为主料，通过两相复合方法，添加具有结构相同且具有相反谐振频率温度系数的材料复合形成复相陶瓷材料或者固溶体，来获得接近零谐振频率温度系数且可在无烧结助剂作用下低温烧结。
为此，本发明提供一种钼酸盐基复合微波介质陶瓷材料，以具有负谐振频率温度系数(τf)的Li2/3Mg2/3MoO4微波介质陶瓷材料为主料，以具有正谐振频率温度系数(τf)的(A1/2Bi1/2)MoO4(A＝Na+、K+)陶瓷材料具有正的谐振频率温度系数(τf～+43ppm/℃/τf～+117ppm/℃)为调料(也称为添加剂)，通过向Li2/3Mg2/3MoO4微波介质陶瓷材料中添加(Li// 2Bi1/2)MoO4陶瓷材料，来调节Li2/3Mg2/3MoO4的谐振频率温度系数(τf)接近于零。同时，由于(A1/2Bi1/2)MoO4(A＝Na+、K+)陶材料可在不添加烧结助剂作用下于700℃下烧结成瓷，两相复合均可在较低的温度下烧结成瓷且保持优异的性能，从而通过采用(A1/2Bi1/2)MoO4(A＝Na+、K+)与Li2/3Mg2/3MoO4陶瓷材料进行复合，获得一种具有较低烧结温度且谐振频率温度系数(τf)接近于零的复合微波介质陶瓷材料，所述复合微波介质陶瓷材料的化学表达式为{(Li2(1-x)/3Bix/2)(Ax/2Mg2(1-x)/3)}MoO4(A＝Na+、K+)，所述x＝0.45～0.75，在不添加烧结助剂作用下，可在低于880℃下烧结成瓷。流程示意图如图1所示。
本发明所述的一种钼酸盐基复合微波介质陶瓷的制备方法，采用固相合成法，首先将氧化物与碳酸盐通过一次球磨混合均匀，通过保温煅烧过程使得原料进行初步的反应得到所需相，通过二次球磨细化反应物的颗粒尺寸，最后压制成生坯，经过烧结等过程制备出复合陶瓷材料。
包括如下步骤：
(1)原材料准备：以高纯度(纯度≥99％以上)Li2CO3、MgO、A2CO3、Bi2O3和MoO3为原料，按Li2/3Mg2/3MoO4、(A1/2Bi1/2)MoO4(A＝Na+、K+)化学计量比配制称量；高纯度优选99.9％～99.99％；
(2)球磨混料：将配制好原料以无水乙醇和玛瑙球为球磨介质，在转速为200r/min～350r/min的高转速球磨机中球磨4h～6h；转速优选250r/min～300r/min；
(3)球磨混料烘干、预烧：将球磨混合后的混合料在80℃～100℃的温度下进行烘干；烘干后研磨成粉，过80目筛网；再以2℃/min～5℃/min的升温速率在450℃～650℃进行保温2h～4h，得到预烧合成的Li2/3Mg2/3MoO4、(A1/2Bi1/2)MoO4陶瓷粉；
(4)复合陶瓷粉制备：将预烧合成的陶瓷粉按比例(1-x)Li2/3Mg2/3MoO4-x(A1/ 2Bi1/2)MoO4配料得到{(Li2(1-x)/3Bix/2)(Ax/2Mg2(1-x)/3)}MoO4(0.45≤x≤0.75)复合陶瓷粉；
(5)复合陶瓷粉球磨：将预烧合成得到的复合陶瓷粉以无水乙醇和玛瑙球为球磨介质，在转速为250r/min～350r/min的高转速球磨机中球磨8h～12h均匀混合；
(6)复合陶瓷粉球磨后烘干：将球磨后的复合陶瓷粉在80℃～100℃的温度下进行烘干；
(7)研磨成粉过筛：将烘干后的复合陶瓷粉研磨成粉，向复合陶瓷粉中加入聚乙烯醇水溶液(PVA)进行手工研磨造粒，造粒粉经过80～120目的筛网进行过筛；
(8)制备复合陶瓷圆柱生坯：将过筛后的复合陶瓷粉采用钢模模具在5～10MPa压力下压制成直径为15mm，高7～8mm的圆柱生坯；
(9)复合陶瓷材料的制备：将复合陶瓷圆柱生坯放于烧结炉中，以3℃/min～7℃/min的升温速率在650℃～880℃进行保温1h～4h，得到所述的所述钼酸盐基复合微波介质陶瓷材料。
所述一种钼酸盐基复合微波介质陶瓷材料，具有如下特点：
(1)烧结温度低，且可调。典型烧结温度范围：650℃～880℃。
(2)温度稳定性高，谐振频率温度系数接近于零，且可调。典型谐振频率温度系数范围：-30.12ppm/℃～+15.12ppm/℃。
(3)介电常数适中，且可调。典型介电常数范围：14.6～27.6。
(4)品质因数高，且可调。典型品质因数范围：25304GHz～62125GHz。
能适用于LTCC技术的需要。同时，其较低的烧结温度(650℃～880℃)使得在工业生产中极大的降低了能耗。
所述一种钼酸盐基复合微波介质陶瓷材料，广泛应用于移动通讯、电子对抗、卫星通讯、北斗系统(GPS)、蓝牙技术、无线局域网(MLAN)和物联网等现代微波电子通讯领域。
附图说明
图1为复合陶瓷材料制备工艺流程示意图。
具体实施方式
本发明所述的一种钼酸盐基复合微波介质陶瓷材料的化学表达式为{(Li2(1-x)/ 3Bix/2)(Ax/2Mg2(1-x)/3)}MoO4(A＝Na+、K+)，针对表达式中x取不同数值及A代表不同的元素，结合图1，对应实施例的制备方法及材料性能如下：
实施例1：x＝0.45，A＝Na+
制备方法：
1)以纯度≥99.9％的Li2CO3、MgO、Na2CO3、Bi2O3和MoO3为主体原料，按Li2/3Mg2/ 3MoO4、(Na1/2Bi1/2)MoO4化学计量比配制称量，以无水乙醇和玛瑙球为球磨介质，在300r/min的转速下球磨4h～6h混合后于80℃烘干，然后以2℃/min～5℃/min的升温速率在500℃～600℃进行保温2h～4h后得到预烧合成的Li2/3Mg2/3MoO4、(Li1/2Bi1/2)MoO4陶瓷粉；
2)将步骤1)预烧合成的陶瓷粉按比例(1-x)Li2/3Mg2/3MoO4-x(Li1/2Bi1/2)MoO4配料得到{(Li1.1/3Bi0.45/2)(Na0.45/2Mg1.1/3)}MoO4复合陶瓷粉；将配制好的复合陶瓷粉以无水乙醇和玛瑙球为球磨介质，在转速为250r/min～350r/min的高转速球磨机中球磨8h～12h均匀混合；80℃的温度下进行烘干，研磨成粉过筛，向复合陶瓷粉中加入聚乙烯醇水溶液(PVA)进行手工研磨造粒，造粒粉过80～120目筛网，在5～10MPa压力下压制成直径为15mm，高7mm～8mm的圆柱生坯；
3)将步骤2)得到的生坯置于马弗炉内，以3℃/min～7℃/min的升温速率在760～860进行保温1～4h后得到所述复合陶瓷材料。
材料性能：
该组陶瓷材料最佳的性能指标如下：介电常数为15.5,品质因素为62125GHz,谐振频率温度系数为-25.15ppm/℃。
实施例2：x＝0.55，A＝Na+
制备方法：
1)以纯度≥99.9％的Li2CO3、MgO、Na2CO3、Bi2O3和MoO3为主体原料，按Li2/3Mg2/ 3MoO4、Na1/2Bi1/2MoO4计量比称量配制，在300r/min的转速下以无水乙醇和玛瑙球为球磨介质球磨4h～6h，80℃烘干，然后以2℃/min～4℃/min的升温速率在500℃～650℃进行保温2h～6h后得到预烧合成的Li2/3Mg2/3MoO4、(Na1/2Bi1/2)MoO4陶瓷粉；
2)将步骤1)预烧合成的陶瓷粉按比例(1-x)Li2/3Mg2/3MoO4-x(Na1/2Bi1/2)MoO4配料得到{(Li0.9/3Bi0.55/2)(Na0.55/2Mg0.9/3)}MoO4复合陶瓷粉；将将配制好的复合陶瓷粉以无水乙醇和玛瑙球为球磨介质，在转速为250r/min～350r/min的高转速球磨机中球磨8h～12h均匀混合；80℃的温度下进行烘干；研磨成粉过筛，向复合陶瓷粉中加入聚乙烯醇水溶液(PVA)进行手工研磨造粒，造粒粉过80～120目筛网，采用钢模模具在5～10MPa压力下压制成直径为15mm，高7mm～8mm的圆柱生坯；
3)将步骤2)得到的生坯置于马弗炉内，以3℃/min～7℃/min的升温速率在740℃～840℃进行保温1～4h后得到所述复合陶瓷材料。
材料性能：
该组陶瓷材料最佳的性能指标如下：介电常数为18.4，品质因数为49125GHz，谐振频率温度系数为-10.86ppm/℃。
实施例3：x＝0.65，A＝Na+
制备方法：
1)以纯度≥99.9％的Li2CO3、MgO、Na2CO3、Bi2O3和MoO3为主体原料，按Li2/3Mg2/ 3MoO4、Na1/2Bi1/2MoO4化学计量比配制称量，以无水乙醇和玛瑙球为球磨介质，在300r/min的转速下球磨4h～6h，80℃烘干，然后以2℃/min～4℃/min的升温速率在500℃～650℃进行保温2h～6h后得到预烧合成的Li2/3Mg2/3MoO4、(Na1/2Bi1/2)MoO4陶瓷；
2)将步骤1)预烧合成的陶瓷粉按比例(1-x)Li2/3Mg2/3MoO4-x(Na1/2Bi1/2)MoO4配料得到{(Li0.7/3Bi0.65/2)(Na0.65/2Mg0.7/3)}MoO4复合陶瓷粉；将将配制好的复合陶瓷粉以无水乙醇和玛瑙球为球磨介质，在转速为250r/min～350r/min的高转速球磨机中球磨8h～12h均匀混合；80℃的温度下进行烘干；研磨成粉过筛，向复合陶瓷粉中加入聚乙烯醇水溶液(PVA)进行手工研磨造粒，造粒粉过80～120目筛网，采用钢模模具在5～10MPa压力下压制成直径为15mm，高7mm～8mm的圆柱生坯；
3)将步骤2)得到的生坯置于马弗炉内，以3℃/min～7℃/min的升温速率在720℃～820℃进行保温1h～4h后得到所述复合陶瓷材料。
材料性能：
该组陶瓷材料最佳的性能指标如下：介电常数为23.6,品质因数为37304GHz,谐振频率温度系数为+2.12ppm/℃。
实施例4：x＝0.75，A＝Na+
制备方法：
1)Li2CO3、MgO、Na2CO3、Bi2O3和MoO3为主体原料，按Li2/3Mg2/3MoO4、Na1/2Bi1/2MoO4化学计量比配制称量，以无水乙醇和玛瑙球为球磨介质，在300r/min的转速下球磨4～6h，80℃烘干，然后以2～4℃/min的升温速率在500℃～650℃进行保温2h～6h后得到预烧合成的Li2/3Mg2/3MoO4、(Na1/2Bi1/2)MoO4陶瓷；
2)将步骤1)预烧合成的陶瓷粉按比例(1-x)Li2/3Mg2/3MoO4-x(Na1/2Bi1/2)MoO4配料得到{(Li0.5/3Bi0.75/2)(Na0.75/2Mg0.5/3)}MoO4复合陶瓷粉；将将配制好的复合陶瓷粉以无水乙醇和玛瑙球为球磨介质，在转速为250r/min～350r/min的高转速球磨机中球磨8h～12h均匀混合；80℃的温度下进行烘干；研磨成粉过筛，向复合陶瓷粉中加入聚乙烯醇水溶液(PVA)进行手工研磨造粒，造粒粉过80～120目筛网，采用钢模模具在5～10MPa压力下压制成直径为15mm，高7mm～8mm的圆柱生坯；
3)将步骤2)得到的生坯置于马弗炉内，以3℃/min～7℃/min的升温速率在700℃～800℃进行保温1h～4h后得到所述复合陶瓷材料。
材料性能：
该组陶瓷材料最佳的性能指标如下：介电常数为27.6,品质因素为25304GHz,谐振频率温度系数为+15.12ppm/℃。
实施例5：x＝0.3，A＝K+
制备方法：
1)以纯度≥99.9％的Li2CO3、MgO、K2CO3、Bi2O3和MoO3为主体原料，按Li2/3Mg2/3MoO4、Na1/2Bi1/2MoO4化学计量比配制称量，以无水乙醇和玛瑙球为球磨介质，在300r/min的转速下球磨4h～6h，80℃烘干，然后以2℃/min～4℃/min的升温速率在500℃～650℃进行保温2h～6h后得到预烧合成的Li2/3Mg2/3MoO4、(K1/2Bi1/2)MoO4陶瓷；
2)将步骤1)预烧合成的陶瓷粉按比例(1-x)Li2/3Mg2/3MoO4-x(K1/2Bi1/2)MoO4配料得到{(Li1.4/3Bi0.3/2)(K0.3/2Mg1.4/3)}MoO4复合陶瓷粉；将将配制好的复合陶瓷粉以无水乙醇和玛瑙球为球磨介质，在转速为250r/min～350r/min的高转速球磨机中球磨8h～12h均匀混合；80℃的温度下进行烘干；研磨成粉过筛，向复合陶瓷粉中加入聚乙烯醇水溶液(PVA)进行手工研磨造粒，造粒粉过80～120目筛网，采用钢模模具在5～10MPa压力下压制成直径为15mm，高7mm～8mm的圆柱生坯；
3)将步骤2)得到的生坯置于马弗炉内，以3℃/min～7℃/min的升温速率在750℃～850℃进行保温1h～4h后得到所述复合陶瓷材料。
材料性能：
该组陶瓷材料最佳的性能指标如下：介电常数为14.6,品质因数为53897GHz,谐振频率温度系数为-30.2ppm/℃。
实施例6：x＝0.4，A＝K+
制备方法：
1)以纯度≥99.9％的Li2CO3、MgO、K2CO3、Bi2O3和MoO3为主体原料，按Li2/3Mg2/3MoO4、K1/2Bi1/2MoO4化学计量比配制称量，以无水乙醇和玛瑙球为球磨介质，在300r/min的转速下球磨4h～6h，80℃烘干，然后以2℃/min～4℃/min的升温速率在500℃～650℃进行保温2h～6h后得到预烧合成的Li2/3Mg2/3MoO4、(K1/2Bi1/2)MoO4陶瓷；
2)将步骤1)预烧合成的陶瓷粉按比例(1-x)Li2/3Mg2/3MoO4-x(K1/2Bi1/2)MoO4配料得到{(Li1.2/3Bi0.4/2)(K0.4/2Mg1.2/3)}MoO4复合陶瓷粉；将将配制好的复合陶瓷粉以无水乙醇和玛瑙球为球磨介质，在转速为250r/min～350r/min的高转速球磨机中球磨8h～12h均匀混合；80℃的温度下进行烘干；研磨成粉过筛，向复合陶瓷粉中加入聚乙烯醇水溶液(PVA)进行手工研磨造粒，造粒粉过80～120目筛网，采用钢模模具在5～10MPa压力下压制成直径为15mm，高7～8mm的圆柱生坯；
3)将步骤2)得到的生坯置于马弗炉内，以3℃/min～7℃/min的升温速率在730℃～830℃进行保温1h～4h后得到所述复合陶瓷材料。
材料性能：
该组陶瓷材料最佳的性能指标如下：介电常数为15.9,品质因数为42775GHz,谐振频率温度系数为-19.7ppm/℃。
实施例7：x＝0.5，A＝K+
制备方法：
1)以纯度≥99.9％的Li2CO3、MgO、K2CO3、Bi2O3和MoO3为主体原料，按Li2/3Mg2/3MoO4、K1/2Bi1/2MoO4化学计量比配制称量，以无水乙醇和玛瑙球为球磨介质，在300r/min的转速下球磨4h～6h，80℃烘干，然后以2～4℃/min的升温速率在500℃～650℃进行保温2h～6h后得到预烧合成的Li2/3Mg2/3MoO4、(K1/2Bi1/2)MoO4陶瓷；
2)将步骤1)预烧合成的陶瓷粉按比例(1-x)Li2/3Mg2/3MoO4-x(K1/2Bi1/2)MoO4配料得到{(Li1/3Bi0.5/2)(K0.5/2Mg1/3)}MoO4复合陶瓷粉；将将配制好的复合陶瓷粉以无水乙醇和玛瑙球为球磨介质，在转速为250r/min～350r/min的高转速球磨机中球磨8h～12h均匀混合；80℃的温度下进行烘干；研磨成粉过筛，向复合陶瓷粉中加入聚乙烯醇水溶液(PVA)进行手工研磨造粒，造粒粉过80～120目筛网，采用钢模模具在5～10MPa压力下压制成直径为15mm，高7～8mm的圆柱生坯；
3)将步骤2)得到的生坯置于马弗炉内，以3℃/min～7℃/min的升温速率在700℃～800℃进行保温1h～4h后得到所述复合陶瓷材料。
材料性能：
该组陶瓷材料最佳的性能指标如下：介电常数为18.2,品质因数为36701GHz,谐振频率温度系数为-5.6ppm/℃。
实施例8：x＝0.6，A＝K+
制备方法：
1)以纯度≥99.9％的Li2CO3、MgO、K2CO3、Bi2O3和MoO3为主体原料，按Li2/3Mg2/3MoO4、K1/2Bi1/2MoO4化学计量比配制称量，以无水乙醇和玛瑙球为球磨介质，在300r/min的转速下球磨4h～6h，80℃烘干，然后以2℃/min～4℃/min的升温速率在500℃～650℃进行保温2h～6h后得到预烧合成的Li2/3Mg2/3MoO4、(K1/2Bi1/2)MoO4陶瓷；
2)将步骤1)预烧合成的陶瓷粉按比例(1-x)Li2/3Mg2/3MoO4-x(K1/2Bi1/2)MoO4配料得到{(Li0.8/3Bi0.6/2)(K0.6/2Mg0.8/3)}MoO4复合陶瓷粉；将将配制好的复合陶瓷粉以无水乙醇和玛瑙球为球磨介质，在转速为250r/min～350r/min的高转速球磨机中球磨8h～12h均匀混合；80℃的温度下进行烘干；研磨成粉过筛，向复合陶瓷粉中加入聚乙烯醇水溶液(PVA)进行手工研磨造粒，造粒粉过80～120目筛网，采用钢模模具在5～10MPa压力下压制成直径为15mm，高7mm～8mm的圆柱生坯；
3)将步骤2)得到的生坯置于马弗炉内，以3℃/min～7℃/min的升温速率在670℃～770℃进行保温1h～4h后得到所述复合陶瓷材料。
材料性能：
该组陶瓷材料最佳的性能指标如下：介电常数为21.6,品质因数为26775GHz,谐振频率温度系数为+10.5ppm/℃。
最后应说明的是：上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，本发明包括但不限于以上实施例,这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。凡符合本发明要求的实施方案均属于本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种钼酸盐基复合微波介质陶瓷材料，其特征在于包括：Li2/3Mg2/3MoO4微波介质陶瓷材料、(A1/2Bi1/2)MoO4微波介质陶瓷材料；
所述Li2/3Mg2/3MoO4微波介质陶瓷材料的谐振频率温度系数为负值；
所述(A1/2Bi1/2)MoO4微波介质陶瓷材料的谐振频率温度系数为正值；
以所述Li2/3Mg2/3MoO4微波介质陶瓷材料为主料，以所述(A1/2Bi1/2)MoO4微波介质陶瓷材料为调料，通过向所述主料中添加所述调料，经复合形成一种具有较低烧结温度且谐振频率温度系数接近于零的复合微波介质陶瓷材料，所述复合微波介质陶瓷材料的化学表达式为{(Li2(1-x)/3Bix/2)(Ax/2Mg2(1-x)/3)}MoO4；
所述A为Na+或K+；
所述x＝0.45～0.75。
2.如权利要求1所述的一种钼酸盐基复合微波介质陶瓷材料，其特征在于：
所述Li2/3Mg2/3MoO4微波介质陶瓷材料的谐振频率温度系数为-69ppm/℃；
所述(A1/2Bi1/2)MoO4微波介质陶瓷材料的谐振频率温度系数：所述A为Na+，为+43ppm/℃；所述A为K+时，为+117ppm/℃。
3.如权利要求1所述的一种钼酸盐基复合微波介质陶瓷材料，其特征在于：所述{(Li2(1-x)/3Bix/2)(Ax/2Mg2(1-x)/3)}MoO4复合微波介质陶瓷材料的烧结温度范围：650℃～880℃。
4.如权利要求1所述的一种钼酸盐基复合微波介质陶瓷材料，其特征在于：所述{(Li2(1-x)/3Bix/2)(Ax/2Mg2(1-x)/3)}MoO4复合微波介质陶瓷材料的谐振频率温度系数范围：-30.12ppm/℃～+15.12ppm/℃；介电常数范围：14.6～27.6；品质因数范围：25304GHz～62125GHz。
5.如权利要求1所述的一种钼酸盐基复合微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述{(Li2(1-x)/3Bix/2)(Ax/2Mg2(1-x)/3)}MoO4复合微波介质陶瓷材料中：
当x＝0.45、A＝Na+时：介电常数为15.5,品质因素为62125GHz,谐振频率温度系数为-25.15ppm/℃；
当x＝0.55、A＝Na+时：介电常数为18.4，品质因数为49125GHz，谐振频率温度系数为-10.86ppm/℃；
当x＝0.65、A＝Na+时：介电常数为23.6,品质因数为37304GHz,谐振频率温度系数为+2.12ppm/℃；
当x＝0.75、A＝Na+时：介电常数为27.6,品质因素为25304GHz,谐振频率温度系数为+15.12ppm/℃；
当x＝0.5、A＝K+时：介电常数为18.2,品质因数为36701GHz,谐振频率温度系数为-5.6ppm/℃；
当x＝0.6、A＝K+时：介电常数为21.6,品质因数为26775GHz,谐振频率温度系数为+10.5ppm/℃。
6.如权利要求1所述的一种钼酸盐基复合微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述制备方法采用固相合成法，首先将氧化物与碳酸盐通过一次球磨混合均匀，通过保温煅烧过程使得原料进行初步的反应得到所需相，通过二次球磨细化反应物的颗粒尺寸，最后压制成生坯，经过烧结过程制备出复合陶瓷材料。
7.如权利要求6所述的一种钼酸盐基复合微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
(1)原材料准备：以纯度在99％以上的高纯度Li2CO3、MgO、A2CO3、Bi2O3和MoO3为原料，按Li2/3Mg2/3MoO4、(A1/2Bi1/2)MoO4化学式的化学计量比配制称量；
(2)球磨混料：将配制好原料以无水乙醇和玛瑙球为球磨介质，在转速为250r/min～350r/min的高转速球磨机中球磨4～6h；
(3)球磨混料烘干、预烧：将球磨混合后的混合料在80℃～100℃的温度下进行烘干；烘干后研磨成粉，过80目筛网；再以2℃/min～5℃/min的升温速率在450℃～650℃进行保温2h～4h，得到预烧合成的Li2/3Mg2/3MoO4、(A1/2Bi1/2)MoO4陶瓷粉；
(4)复合陶瓷粉制备：将预烧合成的陶瓷粉按比例(1-x)Li2/3Mg2/3MoO4-x(A1/2Bi1/2)MoO4配料得到{(Li2(1-x)/3Bix/2)(Ax/2Mg2(1-x)/3)}MoO4复合陶瓷粉；
(5)复合陶瓷粉球磨：将配制好的复合陶瓷粉以无水乙醇和玛瑙球为球磨介质，在高转速球磨机中球磨8h～12h均匀混合；
(6)复合陶瓷粉球磨后烘干：将球磨后的复合陶瓷粉在80℃～100℃的温度下进行烘干；
(7)研磨成粉过筛：将烘干后的复合陶瓷粉研磨成粉，向复合陶瓷粉中加入聚乙烯醇水溶液进行手工研磨造粒，造粒粉经过80～120目的筛网进行过筛；
(8)制备复合陶瓷圆柱生坯：将过筛后的复合陶瓷粉采用钢模模具在5MPa～10MPa压力下压制成直径为15mm，高7mm～8mm的圆柱生坯；
(9)复合陶瓷材料的制备：将复合陶瓷圆柱生坯放于烧结炉中，以3℃/min～7℃/min的升温速率在650℃～880℃进行保温1～4h，得到所述的钼酸盐基复合微波介质陶瓷材料。
8.如权利要求7所述的一种钼酸盐基复合微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述高纯度为99.9％～99.99％；所述球磨机的转速为250r/min～300r/min。
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