CN113078096A - 晶片承载结构和料盘 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体设备技术领域，公开了一种晶片承载结构和料盘。晶片承载结构包括：粘接层和承载层，所述粘接层成型于所述承载层上，所述粘接层用于粘接晶片，所述承载层的延伸率的取值范围为0％至5％。利用本发明实施例提供的晶片承载结构，通过粘接层对晶片进行粘接，在转移晶片承载结构时，晶片承载结构上的晶片不容易发生位移，且在后续将目标晶片从晶片承载结构上剥离时，可以仅针对目标晶片进行剥离，而不会影响到其他不需要剥离的晶片。

Description

晶片承载结构和料盘
技术领域
本发明涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种晶片承载结构和料盘。
背景技术
固晶即通过胶体(对于LED来说，胶体一般是导电胶或绝缘胶)把晶片粘结在支架的指定区域，形成热通路或电通路，为后序的打线连接提供条件的工序。
在固晶过程中，将粘覆有多个晶片的晶片承载结构的外周缘通过子母环进行固定，从而形成料盘，然后将料盘放入料仓中进行固晶操作。现有技术中的晶片承载结构一般采用蓝膜制成，即采用蓝宝石制备而成。
但是由于蓝膜具有一定的延展性，将多个晶片从一个料盘转移至另一个料盘的过程中，粘覆有晶片的蓝膜会被拉伸而产生形变，这样会导致多个晶片之间产生位移，进而改变晶片之间的排布位置，从而影响晶片的性能。
发明内容
为了解决相关技术中的晶片承载结构容易发生形变导致多个晶片之间发生位移的技术问题，本发明提供了一种晶片承载结构和料盘。
第一方面，本发明提供了一种晶片承载结构，包括：粘接层和承载层，所述粘接层成型于所述承载层上，所述粘接层用于粘接晶片，所述承载层的延伸率的取值范围为0％至5％。
可选地，所述承载层包括PET膜。
可选地，所述承载层的透光率的取值范围为96％至100％，且所述粘接层的透光率的取值范围为75％至100％。
可选地，所述粘接层包括紫外线失粘剂。
可选地，所述紫外线失粘剂的粘性的取值范围为50g至1500g。
第二方面，本发明提供了一种料盘，包括：支撑件和上树的晶片承载结构，所述支撑件上开设有通孔，所述晶片承载结构覆盖所述通孔。
可选地，所述支撑件包括金属材料支撑件、高分子材料支撑件、陶瓷材料支撑件、玻璃材料支撑件或复合材料支撑件中的一种或多种。
可选地，所述支撑件的厚度介于1mm至10mm之间。
可选地，所述通孔包括直线段和圆弧段，所述圆弧段与所述直线段首尾连接，所述晶片承载结构覆盖所述直线段和所述圆弧段。
可选地，所述支撑件的外部轮廓为矩形，所述直线段与所述支撑件的一条侧边平行。
本发明实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：
本发明实施例提供的晶片承载结构和料盘，晶片承载结构包括：粘接层和承载层，所述粘接层成型于所述承载层上，所述粘接层用于粘接晶片，所述承载层的延伸率的取值范围为0％至2％。利用粘接层粘住晶片后，在将一个晶片承载结构上的晶片转移至另一个晶片承载结构的过程中，多个晶片之间不容易发生位移；且在后续将晶片从晶片承载结构上剥离时，剥离的目标晶片时不会影响到非目标晶片。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
附图中：
图1是本发明实施例提供的晶片承载结构的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的料盘的结构示意图。
附图标记：
100、晶片承载结构；110、承载层；120、粘接层；
200、料盘；210、通孔；211、直线段；212、圆弧段；220、支撑件；300、晶片。
具体实施方式
为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本发明的具体实施方式。以下描述中，需要理解的是，“前”、“后”、“上”、“下”、“左”、“右”、“纵”、“横”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“头”、“尾”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系、以特定的方位构造和操作，仅是为了便于描述本技术方案，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位，因此不能理解为对本发明的限制。
还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，“安装”、“相连”、“连接”、“固定”、“设置”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。当一个元件被称为在另一元件“上”或“下”时，该元件能够“直接地”或“间接地”位于另一元件之上，或者也可能存在一个或更多个居间元件。术语“第一”、“第二”、“第三”等仅是为了便于描述本技术方案，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量，由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本发明实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本发明。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本发明的描述。
参考图1和图2，依据本发明实施例提供的晶片承载结构100包括粘接层120和承载层110，粘接层120成型于承载层110上，粘接层120用于粘接晶片300，承载层110的延伸率的取值范围为0％至2％。本发明实施例提供的晶片承载结构100利用粘接层120进行粘接晶片300，从而使得晶片300可以从晶片承载结构100上剥离，同时，通过设置承载层110的延伸率的取值范围为0％至5％，这样，将目标晶片300从晶片承载结构100上剥离时，承载层110不至于发生形变，能够避免剥离时其他晶片300在晶片承载结构100上发生位移。
当承载层110的延伸率大于5％时，将晶片300从晶片承载结构100上剥离开时，晶片承载结构100中的承载层110会发生微小的形变，不利于多次重复使用晶片承载结构100。当承载层110的延伸率小于5％时，将晶片300从晶片承载结构100上剥离开时，晶片承载结构100中的承载层110不会发生形变，从而延长晶片承载结构100的使用寿命。
在一具体实施方式中，承载层110的延伸率为0.5％至1.5％。当承载层110的延伸率小于1.5％时，承载层110不易发生形变，提高晶片300转移的效率。
此处说明所谓的延伸率是指承载层110发生永久形变的延伸率。
在一具体实施方式中，粘接层120可以涂覆于承载层110上，通过涂覆的方式，可以使得粘接层120均匀地形成于承载层110上，避免粘接层120在承载层110上形成凸起，影响晶片300在多个晶片承载结构100之间的转移。
在一具体实施方式中，承载层110的延伸率的取值范围为小于1％。承载层110的延展性越小越好，能够更好地避免多个晶片300之间发生位移。
具体地，承载层110包括PET膜。承载层110包括PET膜，PET分子结构高度对称，具有一定的结晶取向能力，因此PET具有较高的成膜性。同时，PET还具有很好的光学性能和耐候性。承载层110具有良好的光学透明性。
承载层110的厚度范围介于5um至50um之间，承载层110的厚度可以根据晶片的尺寸大小和厚度进行调整。
具体地，粘接层120包括失粘剂。失粘剂可以为热解失粘剂或光照失粘剂中的一种或多种，光照失粘剂可以采用紫外线失粘剂。通过使得粘接层120失去粘性，晶片300与粘接层120的结合面可以剥离，从而对晶片300进行转移。粘接层120为单一涂层，通过失粘剂制备形成的一层结构。粘接层120的厚度范围介于1um至70um之间，粘接层120厚度范围可以根据晶片300的厚度范围和晶片300的尺寸大小来决定。
粘接层120包括紫外线失粘剂。紫外线失粘剂在经过紫外线光照射时会失去粘性。失粘光照强度可以根据具体的要求进行调整，粘接层120失粘后，粘接层120与晶片300的结合面可轻易地分开。具体地，紫外线失粘剂的粘性的取值范围为50g至1500g。在特定光照强度的紫外线光照射下，紫外线失粘剂的粘性的取值范围可以降低为5g至10g。将粘接层120的粘性降低，可以将晶片300从晶片承载结构100上剥离。
具体地，承载层110的透光率的取值范围为75％至100％，粘接层120的透光率的取值范围为75％至100％。这样，在将晶片300从晶片承载结构100上剥离时，可以通过激光进行照射，从而使得粘接层120失去粘性，晶片300可以从粘接层120上剥离开。
当承载层110的透光率小于75％时，通过激光照射承载层110，激光难以透过承载层110照射到粘接层120上，粘接层120与晶片300之间较难失去粘性，晶片300难以从粘接层120上剥离。
当承载层110的透光率大于100％时，激光很容易穿透承载层110照射到粘接层120上，从而使得粘接层120与晶片300之间失去粘性。
在一具体方式中，承载层110的透光率的取值范围为95％至98％，这样激光更容易透过承载层110，从而照射到粘接层120上。
当粘接层120的透光率大于75％时，通过激光照射可以穿透粘接层120，激光照射到粘接层120与晶片300之间的接触面，从而使得粘接层120与晶片300之间的接触面失去粘性，晶片300可以从粘接层120上剥离。
在一具体实施方式中，粘接层120的透光率的取值范围为95％至98％，这样，激光容易穿透粘接层120，从而使得粘接层120与晶片300之间剥离。
在一具体实施方式中，晶片承载结构100的透光率的取值范围为大于92％，透光率越大越好，这样使得晶片300与粘接层120之间更容易剥离。
本发明实施例还提供一种料盘200，包括：支撑件220和晶片承载结构100，支撑件220上开设有通孔210，晶片承载结构100覆盖通孔210。
晶片承载结构100部分覆盖支撑件220，这样使得支撑件220对晶片承载结构100提供支撑力，在料盘200转移过程中，多个晶片300之间不容易发生位移。晶片承载结构100与支撑件220固定连接，固定连接的方式包括焊接、粘接、或卡合等方式。具体地，晶片承载结构100的外周缘通过粘接粘覆于支撑件220上。
具体地，晶片300放置在晶片承载结构100覆盖通孔210的上方。通孔210便于在料盘200远离晶片300的一侧放置激光发生器，激光发生器发出的激光透过通孔210照射于晶片承载结构100上，晶片承载结构100上的粘接层120被激光照射后失去粘性，由此可以将晶片300从晶片承载结构100上剥离。
具体地，通孔210包括直线段211和圆弧段212，圆弧段212与直线段211首尾连接，晶片承载结构100覆盖直线段211和圆弧段212。通孔210上设置有直线段211和圆弧段212，直线段211与圆弧段212首尾连接，直线段211可以用于料盘200定位，通过CCD(电荷耦合元件)相机进行拍摄，定位直线段211，从而使得料盘200的摆放位置更加准确。
支撑件220的外部轮廓为矩形、梯形、或者五边形中的一种或多种，直线段211与支撑件220的一条侧边平行。支撑件220的外部轮廓为矩形。为了更准确的定位支撑件220的位置，进而确定放置于支撑件220上晶片300的位置，通过通孔210上的直线段211，可以利用CCD相机进行拍摄定位，从而确定料盘200的位置。
支撑件220包括金属材料支撑件、高分子材料支撑件、陶瓷材料支撑件、玻璃材料支撑件或复合材料支撑件中的一种或多种。具体地，金属材料包括不锈钢。陶瓷材料包括氧化物陶瓷、碳化物陶瓷、氮化物陶瓷中的一种或多种。复合材料包括纤维增强塑料，纤维增强塑料俗称为玻璃钢复合材料。
高分子材料包括塑料、纤维、或橡胶等材料。这些材料具有较好的耐磨性和耐腐蚀性，可以延长支撑件220的使用寿命。
设置支撑件为金属材料支撑件，金属材料具有一定的硬度，可以使得晶片承载结构100粘接于金属材料支撑件上后，金属材料支撑件可以提供给晶片承载结构100稳定的支撑力。
设置支撑件为陶瓷材料支撑件，由于陶瓷材料的硬度较高，具有一定的抵抗变形的能力，进一步提升对晶片承载结构100的支撑稳定性。且陶瓷材料支撑件在使用过程中不易发生形变，能够延长料盘200的使用寿命。可以理解，玻璃材料也具有较高的硬度，可以使得晶片承载结构100粘接于玻璃材料支撑件上后，玻璃材料支撑件不易发生形变，延长了料盘200的使用寿命。玻璃材料也可以包括钢化玻璃材料。
支撑件220的厚度介于1mm至10mm之间。设置支撑件220的厚度为1mm，减轻了支撑件220的重量，提高料盘200的转移效率。设置支撑件220的厚度为10mm，避免了在转移料盘200的过程中，支撑件220容易损坏，延长料盘200的使用寿命，节约成本。当然，也可以设置支撑件220的厚度介于3mm至7mm之间。这样可以减轻料盘200的总体重量，还可以避免由于支撑件220太薄而在转移料盘200的过程中容易破碎。
具体地，料盘200还包括识别码，识别码与支撑件220粘接。这样，通过扫描识别码可以识别支撑件220上的晶片300类型。识别码可以为RFID(射频识别)码或二维码。
可以理解的，以上实施例仅表达了本发明的优选实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制；应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，可以对上述技术特点进行自由组合，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围；因此，凡跟本发明权利要求范围所做的等同变换与修饰，均应属于本发明权利要求的涵盖范围。

Claims (10)

1.一种晶片承载结构，其特征在于，包括：粘接层和承载层，所述粘接层成型于所述承载层上，所述粘接层用于粘接晶片，所述承载层的延伸率的取值范围为0％至5％。
2.根据权利要求1所述的晶片承载结构，其特征在于，所述承载层包括PET膜。
3.根据权利要求1所述的晶片承载结构，其特征在于，所述承载层的透光率的取值范围为75％至100％，且所述粘接层的透光率的取值范围为75％至100％。
4.根据权利要求1所述的晶片承载结构，其特征在于，所述粘接层包括紫外线失粘剂。
5.根据权利要求4所述的晶片承载结构，其特征在于，所述紫外线失粘剂的粘性的取值范围为50g至1500g。
6.一种料盘，其特征在于，包括：支撑件和如权利要求1至5任一项所述的晶片承载结构，所述支撑件上开设有通孔，所述晶片承载结构覆盖所述通孔。
7.根据权利要求6所述的料盘，其特征在于，所述支撑件包括金属材料支撑件、高分子材料支撑件、陶瓷材料支撑件、玻璃材料支撑件、或复合材料支撑件中的一种或多种。
8.根据权利要求6所述的料盘，其特征在于，所述支撑件的厚度介于1mm至10mm之间。
9.根据权利要求6所述的料盘，其特征在于，所述通孔包括直线段和圆弧段，所述圆弧段与所述直线段首尾连接，所述晶片承载结构覆盖所述直线段和所述圆弧段。
10.根据权利要求9所述的料盘，其特征在于，所述支撑件的外部轮廓为矩形，所述直线段与所述支撑件的一条侧边平行。
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