CN113075806A - 显示面板残影风险评估方法及显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示面板残影风险评估方法及显示面板，该显示面板残影风险评估方法通过测量显示面板中液晶的介电系数，确定介电系数是否小于或等于介电阈值，在介电系数小于或等于介电阈值时，判定该显示面板存在残影风险，从而对显示面板的残影风险进行有效预测，为改善产品良率提供指导；本申请通过将显示面板中液晶的介电系数控制为大于介电阈值，大大降低了显示面板出现残影缺陷的风险，提高了产品品质和良率。

Description

显示面板残影风险评估方法及显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板残影风险评估方法及显示面板。

背景技术

液晶显示是当前的主流显示技术，随着市场需求的变化，液晶显示装置正朝着大尺寸、高分辨率的方向发展。但是，随着液晶显示装置尺寸的不断增大以及分辨率的不断提高，诸多问题也在逐渐显现，其中较为严重的就是显示残影问题，尤其是线状残影。目前，线状残影的产生原因尚不得知，因此，在产品检验时无法对该问题进行有效预测，往往会造成一部分存在残影风险的产品流向客户，严重影响用户体验及产品形象。

因此，当前在生产显示面板时，无法对显示面板的残影风险进行有效预测，生产出的显示面板出现残影问题会严重影响显示品质和产品良率。

发明内容

本申请提供一种显示面板残影风险评估方法及显示面板，用于解决当前无法预测显示面板的残影风险的技术问题。

本申请提供一种显示面板残影风险评估方法，其包括：

提供一显示面板，所述显示面板包括液晶；

检测所述液晶的介电系数；

在所述液晶的介电系数小于或等于介电阈值时，判定所述显示面板存在残影风险。

在本申请的显示面板残影风险评估方法中，所述在所述液晶的介电系数小于或等于介电阈值时，判定所述显示面板存在残影风险的步骤，包括：

当所述液晶的介电系数小于或等于负3时；

判定所述显示面板存在残影风险。

在本申请的显示面板残影风险评估方法中，所述在所述液晶的介电系数小于或等于介电阈值时，判定所述显示面板存在残影风险的步骤，还包括：

当所述液晶的介电系数大于负3时；

判定所述显示面板无残影风险。

在本申请的显示面板残影风险评估方法中，所述在所述液晶的介电系数小于或等于介电阈值时，判定所述显示面板存在残影风险的步骤，还包括：

当所述液晶的介电系数小于或等于介电阈值时；

判定所述液晶中存在具有下列通式的至少其中之一的高极性分子，所述通式包括：

其中，n为大于或等于1的整数；

判定所述显示面板存在残影风险。

在本申请的显示面板残影风险评估方法中，所述显示面板还包括第一基板和第二基板，所述液晶位于所述第一基板和所述第二基板之间；

所述检测所述液晶的介电系数的步骤，包括：

检测所述显示面板未设置所述液晶时，所述第一基板与所述第二基板之间的空盒电容；

检测所述液晶在未偏转状态时，所述第一基板与所述第二基板之间的第一介质电容；

检测所述液晶在偏转状态时，所述第一基板与所述第二基板之间的第二介质电容；

根据所述第一介质电容与所述空盒电容的比值，确定第一介电参量；

根据所述第二介质电容与所述空盒电容的比值，确定第二介电参量；

根据所述第二介电参量与所述第一介电参量的差值，确定所述介电系数。

本申请还提供一种显示面板残影风险评估方法，其包括：

提供一显示面板，所述显示面板包括液晶；

检测所述液晶的成分；

在所述液晶中存在具有下列通式的至少其中之一的分子时，判定所述显示面板存在残影风险，所述通式包括：

其中，n为大于或等于1的整数。

在本申请的显示面板残影风险评估方法中，所述检测所述液晶的成分的步骤，包括：

在预设温度下，使所述液晶蒸发，形成液晶气体；

通过质谱仪分析所述液晶气体的成分；

通过所述液晶气体的成分，确定所述液晶的成分。

本申请还提供一种显示面板，其包括：

第一基板；

第二基板，与所述第一基板相对设置；

液晶，设置于所述第一基板与所述第二基板之间，所述液晶的介电系数大于介电阈值。

在本申请的显示面板中，所述介电阈值为负3。

在本申请的显示面板中，所述第一基板包括薄膜晶体管阵列层，所述第二基板包括彩色滤光层；

所述显示面板还包括设置于所述第一基板的远离所述液晶层一侧的背光模组。

本申请的有益效果是：本申请提供一种显示面板残影风险评估方法及显示面板，该显示面板残影风险评估方法通过测量显示面板中液晶的介电系数，确定介电系数是否小于或等于介电阈值，在介电系数小于或等于介电阈值时，判定该显示面板存在残影风险，从而对显示面板的残影风险进行有效预测，为改善产品良率提供指导；此外，本申请提供的显示面板，将显示面板中液晶的介电系数控制为大于介电阈值，大大降低了显示面板出现残影缺陷的风险，提高了产品品质和良率。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1是本申请实施例提供的显示面板残影风险评估方法流程图。

图2是本申请实施例提供的显示面板的一种结构示意图。

图3是测试第一基板与第二基板之间的空盒电容的示意图。

图4是测试第一基板与第二基板之间的第一介质电容的示意图。

图5是测试第一基板与第二基板之间的第二介质电容的示意图。

图6是本申请实施例提供的显示面板的另一种结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请实施例提供一种显示面板残影风险评估方法及显示面板，其中，所述显示面板残影风险评估方法通过测量显示面板中液晶的介电系数，确定所述介电系数是否小于或等于介电阈值，在所述介电系数小于或等于介电阈值时，判定所述显示面板存在残影风险，从而对显示面板的残影风险进行有效预测，为改善产品良率提供指导；此外，本申请实施例提供的显示面板，将显示面板中液晶的介电系数控制为大于介电阈值，大大降低了显示面板出现残影缺陷的风险，提高了产品品质和良率。

请参阅图1，图1是本申请实施例提供的显示面板残影风险评估方法流程图。该方法根据显示面板中液晶的介电系数，判断该显示面板是否存在残影风险，为及时预防高风险产品的产出以及高风险产品流向客户提供重要指导。所述显示面板残影风险评估方法包括以下步骤：

步骤S101，请参阅图2，提供一显示面板，所述显示面板包括液晶30。

具体地，所述显示面板为液晶显示面板，所述显示面板包括第一基板10、与所述第一基板10相对设置的第二基板20、以及设置于所述第一基板10的远离所述液晶30一侧的背光模组40，所述液晶30设置于所述第一基板10与所述第二基板20之间。

可选地，所述第一基板10可以是阵列基板，所述第一基板10包括阵列排布的多个薄膜晶体管、以及扫描线、数据线和像素电极，所述像素电极用于提供第一电场。所述第二基板20可以是彩膜基板，所述第二基板20包括用于改变出光色彩的彩色滤光层和公共电极，所述公共电极用于提供第二电场。所述液晶30在所述第一电场和所述第二电场的共同作用下，产生不同角度的偏转，从而使所述显示面板呈现不同灰阶的显示。所述背光模组40用于提供背光源。

步骤S102，检测所述液晶30的介电系数。

具体地，所述检测所述液晶30的介电系数的步骤，包括：

请参阅图3，检测所述显示面板未设置所述液晶30时，所述第一基板10与所述第二基板20之间的空盒电容C0。所述显示面板未设置所述液晶是指：将所述显示面板中的液晶去除后的状态；或在制造所述显示面板的过程中，所述第一基板10与所述第二基板20之间未注入液晶时的状态。检测所述第一基板10与所述第二基板20之间的空盒电容C0的方法是：采用电容测试仪器，所述电容测试仪器的一端连接第一基板10，另一端连接第二基板20，开启所述电容测试仪器测得所述空盒电容C0。

请参阅图4，检测所述液晶30在未偏转状态时，所述第一基板10与所述第二基板20之间的第一介质电容C1。其中，所谓“未偏转状态”是指，位于所述第一基板10上的像素电极和位于所述第二基板20上的公共电极均不施加电场作用时，所述液晶30的存在状态，比如，液晶30的长轴方向与所述第一基板10所在平面平行的状态。所述第一介质电容C1是所述第一基板10与所述第二基板20之间存在未偏转液晶时的电容。

请参阅图5，检测所述液晶30在偏转状态时，所述第一基板10与所述第二基板20之间的第二介质电容C2。其中，所谓“偏转状态”是指，在所述第一基板10上的像素电极和所述第二基板20上的公共电极的共同电场作用下，所述液晶30产生最大角度偏转的状态，比如，液晶30的长轴方向与所述第一基板10所在平面垂直的状态。所述第二介质电容C2是所述第一基板10与所述第二基板20之间存在偏转液晶时的电容。

然后，根据所述第一介质电容C1与所述空盒电容C0的比值，确定第一介电参量；并根据所述第二介质电容C2与所述空盒电容C0的比值，确定第二介电参量；最后，将所述第二介电参量C2与所述第一介电参量C1作差，即得到所述液晶30的介电系数。

步骤S103，在所述液晶30的介电系数小于或等于介电阈值时，判定所述显示面板存在残影风险。

具体地，所述介电阈值为负3。所述步骤S103包括：当所述液晶30的介电系数小于或等于负3时，判定所述显示面板存在残影风险；当所述液晶30的介电系数大于负3时，判定所述显示面板无残影风险。其中，介电阈值为负3是申请人经过较多创造性试验，和在创造性试验的基础上经过创造性地归纳、总结、分析而得出的。

本实施例根据液晶的介电系数与介电阈值的大小关系，判断显示面板是否存在残影风险，为甄别高残影风险的显示面板提供有效手段，并为及时预防高风险产品的产出以及高风险产品流向客户提供重要指导。

进一步地，所述步骤S103还包括：当所述液晶30的介电系数小于或等于介电阈值时，判定所述液晶30中存在具有下列通式的至少其中之一的高极性分子，所述通式包括：

其中，n为大于或等于1的整数；进而判定所述显示面板存在残影风险。

在本实施例中，具有上述两种通式的分子是高极性分子，这种分子会对液晶的介电系数产生明显影响，导致液晶的介电系数降低，并小于或等于负3，从而增加显示面板的残影风险。

此外，具有上述两种通式的高极性分子对液晶中离子的吸引力较强，会导致液晶中的离子向高极性分子所在的区域聚集，进而导致显示面板的两基板之间的电场分布不均匀，增加显示面板的残影风险。

综上所述，本申请实施例提供的显示面板残影风险评估方法，通过测量显示面板中液晶的介电系数，确定所述介电系数是否小于或等于介电阈值，在所述介电系数小于或等于介电阈值时，判定所述显示面板存在残影风险，从而对显示面板的残影风险进行有效预测，为甄别高残影风险的显示面板和改善产品良率提供指导。

本申请实施例还提供一种显示面板残影风险评估方法，该方法包括以下步骤：请参阅图2，提供一显示面板，所述显示面板包括液,30；检测所述液晶30的成分；在所述液晶30中存在具有下列通式的至少其中之一的分子时，判定所述显示面板存在残影风险，所述通式包括：

其中，n为大于或等于1的整数。

其中，所述显示面板为液晶显示面板，所述显示面板包括第一基板10、与所述第一基板10相对设置的第二基板20、以及设置于所述第一基板10的远离所述液晶30一侧的背光模组40，所述液晶30设置于所述第一基板10与所述第二基板20之间。

可选地，所述第一基板10可以是阵列基板，所述第一基板10包括阵列排布的多个薄膜晶体管、以及扫描线、数据线和像素电极，所述像素电极用于提供第一电场。所述第二基板20可以是彩膜基板，所述第二基板20包括用于改变出光色彩的彩色滤光层和公共电极，所述公共电极用于提供第二电场。所述液晶30在所述第一电场和所述第二电场的共同作用下，产生不同角度的偏转，从而使所述显示面板呈现不同灰阶的显示。所述背光模组40用于提供背光源。

具体地，检测所述液晶30的成分的方法可以是气相质谱法，该方法可以包括以下步骤：在预设温度下，使所述液晶30蒸发，形成液晶气体；通过质谱仪分析所述液晶气体的成分；通过所述液晶气体的成分，确定所述液晶30的成分。其中，所述预设温度是指以梯度递增或梯度递减的方式设定的多个温度；所述液晶30在每个温度条件下会蒸发特定成分的液晶气体；通过对多个温度条件下的液晶气体成分的分析，得出所述液晶30的组成成分。

本实施例提供了两种分子的通式，在所述液晶30的成分中含有这两种通式的分子时，即可判定该显示面板存在残影风险，其依据是：通过多次创造性试验和在创造性试验的基础上经过创造性地分析得出，当液晶中含有上述两种通式的分子时，该液晶的介电系数将会小于或等于负3，结合上述实施例可知，节点系数小于或等于负3时，显示面板存在残影风险。

进一步地，具有上述两种通式的分子是高极性分子，该高极性分子对液晶中离子的吸引力较强，会导致液晶中的离子向高极性分子所在的区域聚集，进而导致显示面板的两基板之间的电场分布不均匀，增加显示面板的残影风险。

综上所述，本实施例提供的显示面板残影风险评估方法，通过对显示面板中液晶的成分进行分析，在液晶中具有高极性分子时，判定该显示面板存在残影风险，从而对显示面板的残影风险进行有效预测，为甄别高残影风险的显示面板和改善产品良率提供指导。

本申请实施例还提供一种显示面板，请参阅图6，图6是本申请实施例提供的显示面板的另一种结构示意图。所述显示面板包括第一基板、与所述第一基板相对设置的第二基板、设置于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶30、以及设置于所述第一基板的远离所述液晶30的背光模组40，所述背光模组40用于提供背光源。

所述第一基板包括第一衬底基板101、设置于所述第一衬底基板101上的半导体层102、覆盖所述半导体层102的栅极绝缘层103、设置于所述栅极绝缘层103上的栅极104、覆盖所述栅极104的层间绝缘层105、设置于所述层间绝缘层105上的源极106和漏极107、覆盖所述源极106和漏极107的平坦层108、设置于所述平坦层108上的像素电极109。其中，所述半导体层102、所述栅极绝缘层103、所述栅极104、所述层间绝缘层105、所述源极106和所述漏极107构成薄膜晶体管阵列层；所述像素电极109用于提供第一电场。

所述第二基板包括第二衬底基板203、位于所述第二衬底基板203上的彩色滤光层202和位于所述彩色滤光层202上的公共电极201，所述公共电极201朝向所述液晶30设置，所述公共电极201用于提供第二电场。所述彩色滤光层202可以包括红色阻、绿色阻和蓝色阻。

所述液晶30位于所述像素电极109和所述公共电极201之间，所述液晶30在所述第一电场和所述第二电场的共同作用下，产生不同角度的偏转，从而使所述显示面板呈现不同灰阶的显示。

进一步地，所述液晶30的介电系数大于介电阈值，所述介电阈值可以为负3。本实施例将液晶的介电系数设为大于介电阈值，可以有效降低显示面板出现残影问题的风险。

进一步地，所述液晶30不包含具有下列通式的分子，以降低所述显示面板出现残影问题的风险，所述通式包括：

其中，n为大于或等于1的整数。

具有上述两种通式的分子是高极性分子，若显示面板中存在该高极性分子时，该高极性分子会对液晶中的离子产生较强的吸引力，导致液晶中的离子向高极性分子所在的区域聚集，进而导致显示面板的两基板之间的电场分布不均匀，增加显示面板的残影风险。本实施例通过控制液晶中的高极性分子的存在，降低显示面板出现残影问题的风险。

综上所述，本申请实施例提供的显示面板，包括第一基板、第二基板和位于第一基板和第二基板之间的液晶，所述液晶的介电系数大于介电阈值。本实施例将显示面板中液晶的介电系数控制为大于介电阈值，大大降低了显示面板出现残影缺陷的风险，有利于提高产品品质和良率。

本申请实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括本申请实施例提供的显示面板。所述显示装置可以是笔记本电脑、平板电脑、手机、电脑显示器、电视机、导航仪等具有显示画面功能的仪器。

需要说明的是，虽然本申请以具体实施例揭露如上，但上述实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种显示面板残影风险评估方法，其特征在于，包括：

提供一显示面板，所述显示面板包括液晶；

检测所述液晶的介电系数；

在所述液晶的介电系数小于或等于介电阈值时，判定所述显示面板存在残影风险。

2.根据权利要求1所述的显示面板残影风险评估方法，其特征在于，所述在所述液晶的介电系数小于或等于介电阈值时，判定所述显示面板存在残影风险的步骤，包括：

当所述液晶的介电系数小于或等于负3时；

判定所述显示面板存在残影风险。

3.根据权利要求1所述的显示面板残影风险评估方法，其特征在于，所述在所述液晶的介电系数小于或等于介电阈值时，判定所述显示面板存在残影风险的步骤，还包括：

当所述液晶的介电系数大于负3时；

判定所述显示面板无残影风险。

4.根据权利要求1所述的显示面板残影风险评估方法，其特征在于，所述在所述液晶的介电系数小于或等于介电阈值时，判定所述显示面板存在残影风险的步骤，还包括：

当所述液晶的介电系数小于或等于介电阈值时；

判定所述液晶中存在具有下列通式的至少其中之一的高极性分子，所述通式包括：

其中，n为大于或等于1的整数；

判定所述显示面板存在残影风险。

5.根据权利要求1所述的显示面板残影风险评估方法，其特征在于，所述显示面板还包括第一基板和第二基板，所述液晶位于所述第一基板和所述第二基板之间；

所述检测所述液晶的介电系数的步骤，包括：

检测所述显示面板未设置所述液晶时，所述第一基板与所述第二基板之间的空盒电容；

检测所述液晶在未偏转状态时，所述第一基板与所述第二基板之间的第一介质电容；

检测所述液晶在偏转状态时，所述第一基板与所述第二基板之间的第二介质电容；

根据所述第一介质电容与所述空盒电容的比值，确定第一介电参量；

根据所述第二介质电容与所述空盒电容的比值，确定第二介电参量；

根据所述第二介电参量与所述第一介电参量的差值，确定所述介电系数。

6.一种显示面板残影风险评估方法，其特征在于，包括：

提供一显示面板，所述显示面板包括液晶；

检测所述液晶的成分；

在所述液晶中存在具有下列通式的至少其中之一的分子时，判定所述显示面板存在残影风险，所述通式包括：

其中，n为大于或等于1的整数。

7.根据权利要求6所述的显示面板残影风险评估方法，其特征在于，所述检测所述液晶的成分的步骤，包括：

在预设温度下，使所述液晶蒸发，形成液晶气体；

通过质谱仪分析所述液晶气体的成分；

通过所述液晶气体的成分，确定所述液晶的成分。

8.一种显示面板，其特征在于，包括：

第一基板；

第二基板，与所述第一基板相对设置；

液晶，设置于所述第一基板与所述第二基板之间，所述液晶的介电系数大于介电阈值。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述介电阈值为负3。

10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第一基板包括薄膜晶体管阵列层，所述第二基板包括彩色滤光层；

所述显示面板还包括设置于所述第一基板的远离所述液晶层一侧的背光模组。

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