CN113061864B - 一种夹持环及其内部螺孔的加工方法和用途 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种夹持环及其内部螺孔的加工方法和用途,所述夹持环包括环形底盘和环绕环形底盘外围的外圆周体,环形底盘中部设置有内圆周体,内圆周体设置有均匀分布的固定面,固定面上设置有呈三角形设置的螺孔,所述夹持环应用于半导体的物理气相沉积镀膜生产过程,能够防止晶圆在溅射过程中产生移动,所述夹持环通过粗铣出固定面,依次经第一加工、第二加工和第三加工的加工方法制备出夹持环内部的螺孔,所述加工方法操作简单,能够满足夹持环复杂的结构要求,稳定生产出满足使用要求的夹持环。
Description
技术领域
本发明涉及零部件加工技术领域,尤其涉及一种夹持环及其内部螺孔的加工方法和用途。
背景技术
在半导体的物理气相沉积镀膜生产过程中,靶材溅射原子掉落在机台上,为保护机台,会安装夹持环,通过在侧面上增加螺孔,将晶圆表面压紧,压紧晶体,从而发挥的作用具体是防止晶圆在溅射过程中产生移动。
夹持环的架构复杂,在侧面加工螺孔要求高,加工难度系数高。
CN101396750B公开了一种复合材料锥面内螺纹加工工艺,包括刀具选择、工艺参数的设定、制作装夹工装、加工螺纹底孔、加工螺纹等步骤,其中装夹工装为特制装置,但该方法的加工工艺步骤复杂。
CN104289881B公开了一种塑胶模吊环螺孔的高效精密加工方法,该方法的工艺流程依次为,工件锯料、粗铣六面、压板、确定工件中心、确定工件螺孔中心、打盲孔、打螺纹底孔、打T型孔、孔口倒角、加工内螺纹、停机螺纹孔检查、取下工件,但该方法的加工工艺步骤复杂。
CN1147435Y公开了一种一次成型内螺纹铣削技术,属机械加工技术。本发明专利介绍的一次成型内螺纹铣削技术,是应用由钻头和内螺纹铣刀组成的复合螺纹刀具,在数控机床上按设计好的数控程序,在一道工序中同时完成螺纹钻底孔和内螺纹切制成型的新型内螺纹加工方法,但未涉及夹持环中的螺孔加工。
因此,有必要提供一种加工方法简单,能够满足高要求的夹持环内部螺孔的加工方法,适用于半导体的物理气相沉积镀膜生产过程。
发明内容
鉴于现有技术中存在的问题,本发明提供一种夹持环,所述夹持环包括环形底盘和环绕环形底盘外围的外圆周体,环形底盘中部设置有内圆周体,内圆周体设置有均匀分布的固定面,固定面上设置有呈三角形设置的螺孔,所述夹持环应用于半导体的物理气相沉积镀膜生产过程,能够防止晶圆在溅射过程中产生移动,所述夹持环通过粗铣出固定面,依次经第一加工、第二加工和第三加工的加工方法制备出夹持环内部的螺孔,所述加工方法操作简单,能够满足夹持环复杂的结构要求,稳定生产出满足使用要求的夹持环。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
第一方面,本发明提供一种夹持环,所述夹持环包括环形底盘和环绕环形底盘外围的外圆周体;所述环形底盘中部设置有内圆周体;所述内圆周体设置有均匀分布的固定面;所述固定面上设置有呈三角形设置的螺孔。
本发明提供的夹持环中包括环形底盘、外圆周体和内圆周体,能够适用于放置晶圆,其中在内圆周体设置固定面,且在固定面上设置有螺孔,用于固定晶圆,从而适用于半导体的物理气相沉积镀膜生产过程。
优选地,所述固定面的数量为至少3个,例如可以是3个、4个、5个或6个等。
优选地,所述三角形为等腰三角形。
优选地,所述等腰三角形的长边靠近环形底盘。
优选地,所述螺孔的数量为3个。
优选地,所述螺孔为贯通螺孔。
优选地,所述螺孔内设置有螺纹。
优选地,所述螺纹的规格包括M3。
第二方面,本发明提供第一方面所述的夹持环内部螺孔的加工方法,所述加工方法包括以下步骤:
(1)采用计算机数字控制机床加工中心粗铣夹持环,得到均匀分布的固定面;
(2)采用第一刀具对夹持环的固定面进行第一加工,得到锥度孔;
(3)采用第二刀具对夹持环的固定面进行第二加工,得到底孔;
(4)采用第三道具对夹持环的固定面进行第三加工,得到螺纹,制备出夹持环内部螺孔。
本发明中采用计算机数字控制机床加工中心在夹持环的内圆周体内加工出固定面,计算机数字控制机床加工中心适用于加工复杂零件的高效率自动化机床,综合加工能力较强,工件一次装夹后能完成较多的加工内容,加工精度较高,特别是它能完成许多普通设备不能完成的加工,对形状较复杂,精度要求高的单件加工或中小批量多品种生产更为适用。第一加工用来加工预先钻,加工出一个锥度孔,用来定位和孔口倒角,第二加工是用来预先打出贯通孔,从而有利于第三加工中一次性加工出螺纹,采取分步骤加工螺孔的方法具有以下优势:一是侧向头不合适一次加工,二是可以保证加工过程出现问题可以及时停止,三是有利于确认每一步加工的加工情况和加工精度,保证M3螺纹孔的加工精度。
本发明的加工方法需要使用侧铣头和机床第四轴转台。
本发明中夹持环的尺寸根据实际要求而确定,侧铣头、机床第四轴转台和设定的加工方法参数,得到满足实际尺寸要求的夹持环的内部螺孔。
优选地,步骤(2)所述第一刀具包括D4点孔钻。
优选地,所述第一加工的主轴转速为1100~1300r/min,例如可以是1100r/min、1120r/min、1140r/min、1160r/min、1180r/min、1200r/min、1220r/min、1240r/min、1260r/min、1280r/min或1300r/min等。
优选地,所述第一加工的进给量为15~25mm/min,例如可以是15mm/min、16mm/min、17mm/min、18mm/min、19mm/min、20mm/min、21mm/min、22mm/min、23mm/min、24mm/min或25mm/min等。
优选地,所述第一加工的加工深度为1~2mm,例如可以是1mm、1.1mm、1.2mm、1.3mm、1.4mm、1.5mm、1.6mm、1.7mm、1.8mm、1.9mm或2mm等。
优选地,步骤(3)所述第二刀具包括D2.6长钻头。
优选地,所述第二加工的主轴转速为1100~1300r/min,例如可以是1100r/min、1120r/min、1140r/min、1160r/min、1180r/min、1200r/min、1220r/min、1240r/min、1260r/min、1280r/min或1300r/min等。
优选地,所述第二加工的进给量为15~25mm/min,例如可以是15mm/min、16mm/min、17mm/min、18mm/min、19mm/min、20mm/min、21mm/min、22mm/min、23mm/min、24mm/min或25mm/min等。
优选地,所述第二加工的加工深度为0.5~1mm,例如可以是0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm或1mm等。
优选地,所述第二加工进行多次直至形成贯通孔。
优选地,步骤(4)所述第三刀具包括M3螺纹铣刀。
优选地,所述第三加工的主轴转速为1100~1300r/min,例如可以是1100r/min、1120r/min、1140r/min、1160r/min、1180r/min、1200r/min、1220r/min、1240r/min、1260r/min、1280r/min或1300r/min等。
优选地,所述第三加工的进给量为90~110mm/min,例如可以是90mm/min、92mm/min、94mm/min、96mm/min、98mm/min、100mm/min、102mm/min、104mm/min、106mm/min、108mm/min或110mm/min等。
优选地,所述第三加工的加工深度为5~6mm,例如可以是5mm、5.1mm、5.2mm、5.3mm、5.4mm、5.5mm、5.6mm、5.7mm、5.8mm、5.9mm或6mm等。
作为本发明优选的技术方案,所述加工方法包括以下步骤:
(1)采用计算机数字控制机床加工中心粗铣夹持环,得到均匀分布的固定面;
(2)采用D4点孔钻作为第一刀具对夹持环的固定面进行第一加工,其中主轴转速为1100~1300r/min,进给量为15~25mm/min,加工深度为1~2mm,得到锥度孔;
(3)采用D2.6长钻头作为第二刀具对夹持环的固定面进行第二加工,其中主轴转速为1100~1300r/min,进给量为15~25mm/min,每次加工深度为0.5~1mm,多次加工直至形成贯通孔,得到底孔;
(4)采用M3螺纹铣刀作为第三道具对夹持环的固定面进行第三加工,其中主轴转速为1100~1300r/min,进给量为90~110mm/min,加工深度为5~6mm,得到M3螺纹,制备出夹持环内部螺孔。
第三方面,本发明提供一种第一方面所述的夹持环在半导体物理气相沉积中的用途。
本发明中夹持环应用于半导体的物理气相沉积镀膜生产过程,能够防止晶圆在溅射过程中产生移动,保证溅射镀膜的顺利进行。
与现有技术相比,本发明至少具有以下有益效果:
(1)本发明提供的夹持环,结构简单,应用于半导体的物理气相沉积镀膜生产过程,能够防止晶圆在溅射过程中产生移动,保证溅射镀膜的顺利进行;
(2)本发明提供的夹持环内部螺孔的加工方法,操作简单,能够满足夹持环复杂的结构要求,稳定生产出满足使用要求的夹持环。
附图说明
图1是本发明实施例1夹持环的示意图。
图2是图1中A-A的剖视图。
图3是图2中a部的局部放大图。
图中:1-环形底盘;2-外圆周体;3-内圆周体;4-固定面;5-螺孔。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
下面对本发明进一步详细说明。但下述的实例仅仅是本发明的简易例子,并不代表或限制本发明的权利保护范围,本发明的保护范围以权利要求书为准。
一、实施例
实施例1
本实施例提供一种夹持环,如图1和图2所示,所述包括环形底盘1和环绕环形底盘1外围的外圆周体2,环形底盘1中部设置有内圆周体3,内圆周体3设置有3个均匀分布的固定面4,每个固定面4上设置有呈等腰三角形设置的3个贯通螺孔5,如图3所示,包括M3螺纹,等腰三角形的长边靠近环形底盘1。
本实施例还提供所述夹持环内部螺孔的加工方法,所述加工方法包括以下步骤:
(1)采用计算机数字控制机床加工中心粗铣夹持环,得到3个均匀分布的固定面;
(2)采用D4点孔钻作为第一刀具对夹持环的每个固定面进行第一加工,其中主轴转速为1200r/min,进给量为20mm/min,加工深度为1.5mm,得到锥度孔;
(3)采用D2.6长钻头作为第二刀具对夹持环的每个固定面进行第二加工,其中主轴转速为1200r/min,进给量为20mm/min,每次加工深度为0.7mm,多次加工直至形成贯通孔,得到底孔;
(4)采用M3螺纹铣刀作为第三道具对夹持环的每个固定面进行第三加工,其中主轴转速为1200r/min,进给量为100mm/min,加工深度为6mm,得到M3螺纹,制备出夹持环内部螺孔。
实施例2
本实施例提供的夹持环与实施例1相同。
本实施例还提供所述夹持环内部螺孔的加工方法,所述加工方法包括以下步骤:
(1)采用计算机数字控制机床加工中心粗铣夹持环,3个得到均匀分布的固定面;
(2)采用D4点孔钻作为第一刀具对夹持环的每个固定面进行第一加工,其中主轴转速为1100r/min,进给量为15mm/min,加工深度为1mm,得到锥度孔;
(3)采用D2.6长钻头作为第二刀具对夹持环的每个固定面进行第二加工,其中主轴转速为1100r/min,进给量为15mm/min,每次加工深度为0.5mm,多次加工直至形成贯通孔,得到底孔;
(4)采用M3螺纹铣刀作为第三道具对夹持环的每个固定面进行第三加工,其中主轴转速为1100r/min,进给量为90mm/min,加工深度为5mm,得到M3螺纹,制备出夹持环内部螺孔。
实施例3
本实施例提供的夹持环与实施例1相同。
本实施例还提供所述夹持环内部螺孔的加工方法,所述加工方法包括以下步骤:
(1)采用计算机数字控制机床加工中心粗铣夹持环,得到3个均匀分布的固定面;
(2)采用D4点孔钻作为第一刀具对夹持环的每个固定面进行第一加工,其中主轴转速为1300r/min,进给量为25mm/min,加工深度为2mm,得到锥度孔;
(3)采用D2.6长钻头作为第二刀具对夹持环的每个固定面进行第二加工,其中主轴转速为1300r/min,进给量为25mm/min,每次加工深度为1mm,多次加工直至形成贯通孔,得到底孔;
(4)采用M3螺纹铣刀作为第三道具对夹持环的每个固定面进行第三加工,其中主轴转速为1300r/min,进给量为110mm/min,加工深度为6mm,得到M3螺纹,制备出夹持环内部螺孔。
实施例1~3中的夹持环应用在半导体的物理气相沉积镀膜生产过程中,较好的防止晶圆在溅射过程中产生移动,保证溅射镀膜的顺利进行。
实施例1~3中夹持环内部螺孔的位置和直径的加工精度均在±0.01mm范围内。
二、对比例
对比例1
本对比例提供一种夹持环及其内部螺孔的加工方法,与实施例1的区别仅在于不进行步骤(2)第一加工,其余均与实施例1相同。
本对比例中夹持环内部螺孔的位置加工精度为±0.5mm。
对比例2
本对比例提供一种夹持环及其内部螺孔的加工方法,与实施例1的区别仅在于不进行步骤(3)第二加工,其余均与实施例1相同。
本对比例中夹持环内部螺孔的直径加工精度为±0.1mm。
对比例3
本对比例提供一种夹持环及其内部螺孔的加工方法,与实施例1的区别仅在于不进行步骤(4)第三加工,其余均与实施例1相同。
本对比例中夹持环内部螺孔的直径加工精度为±0.1mm。
对比例1~3中的夹持环应用在半导体的物理气相沉积镀膜生产过程中,固定晶圆的效果较差。
通过对比上述实施例和对比例的结果可知,本发明中,通过对夹持环进行粗铣、第一加工、第二加工和第三加工,能够满足夹持环复杂的结构要求,稳定生产出满足使用要求的夹持环,应用在半导体的物理气相沉积镀膜生产过程中,较好的防止晶圆在溅射过程中产生移动,保证溅射镀膜的顺利进行。
申请人声明,本发明通过上述实施例来说明本发明的详细结构特征,但本发明并不局限于上述详细结构特征,即不意味着本发明必须依赖上述详细结构特征才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了,对本发明的任何改进,对本发明所选用部件的等效替换以及辅助部件的增加、具体方式的选择等,均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
Claims (4)
1.一种夹持环,其特征在于,所述夹持环包括环形底盘和环绕环形底盘外围的外圆周体;
所述环形底盘中部设置有内圆周体;
所述内圆周体设置有均匀分布的固定面;
所述固定面上设置有呈三角形设置的螺孔;所述螺孔的数量为3个;
所述三角形为等腰三角形;
所述等腰三角形的长边靠近环形底盘;
所述螺孔内设置有螺纹;
所述夹持环的内部螺孔由以下加工方法制备得到:
(1)采用计算机数字控制机床加工中心粗铣夹持环,得到均匀分布的固定面;
(2)采用D4点孔钻作为第一刀具对夹持环的固定面进行第一加工,其中主轴转速为1100~1300r/min,进给量为15~25mm/min,加工深度为1~2mm,得到锥度孔;
(3)采用D2.6长钻头作为第二刀具对夹持环的固定面进行第二加工,其中主轴转速为1100~1300r/min,进给量为15~25mm/min,每次加工深度为0.5~1mm,多次加工直至形成贯通孔,得到底孔;
(4)采用M3螺纹铣刀作为第三道具对夹持环的固定面进行第三加工,其中主轴转速为1100~1300r/min,进给量为90~110mm/min,加工深度为5~6mm,得到M3螺纹,制备出夹持环内部螺孔;
所述夹持环用于半导体物理气相沉积领域。
2.根据权利要求1所述的夹持环,其特征在于,所述固定面的数量为至少3个。
3.根据权利要求1所述的夹持环,其特征在于,所述螺孔为贯通螺孔。
4.根据权利要求1所述的夹持环,其特征在于,所述螺纹的规格包括M3。
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