CN113044053B - Eps控制器相mosfet撞击防损控制方法及系统 - Google Patents

Eps控制器相mosfet撞击防损控制方法及系统 Download PDF

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Abstract

本发明公开了EPS控制器相MOSFET撞击防损控制方法及系统。控制方法包括如下步骤：当车辆遭受碰撞事故时，判定车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型；当检测到故障类型符合预设故障类型时，控制电机驱动电路中的桥MOSFET关闭；获取电机实时转速，并分析电机实时转速的状态；当检测到电机实时转速低于预设电机转速阈值时，控制电机驱动电路中的相MOSFET关闭。本发明通过检测车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型，首先控制桥MOSFET关闭，并在电机实时转速低于预设电机转速阈值时，控制相MOSFET关闭，防止撞击导致电机产生较大发生电动势将处关闭状态的相MOSFET击穿损坏。

Description

EPS控制器相MOSFET撞击防损控制方法及系统
技术领域
本发明涉及车辆控制技术领域，具体是涉及EPS控制器相MOSFET撞击防损控制方法及系统。
背景技术
当前EPS(Electric Power Steering电动助力转向系统)多采用永磁无刷直流电机，其硬件电路请参考图1，多采用三项半控桥式整流电路进行电机的驱动控制，包括桥MOSFET600、相MOSFET、马达1000和驱动1100，当EPS控制器监测到控制器内部信号或者外部输入出现严重故障时，EPS控制器会关闭桥MOSFET(金属—氧化物—半导体场效应管)和相MOSFET以关闭EPS助力，驾驶员可通过操作机械转向系统实现车辆的转向控制，保证驾驶安全。
MOSFET在打开情况下，此时漏源极导通，电阻极小，漏源极电压很难达到击穿电压。当MOSFET关断时，由于反生电动势极高，漏源极之间产生较大电压差，超过BUDS(漏源极击穿电压)，容易产生MOSFET击穿现象。根据实车验证相MOSFET在关断的情况下，电机反拖8000rpm，相MOSFET出现击穿；MOSFET未关断情况下，电机反拖转速30000rpm，MOSFET未发生击穿。
当出现碰撞等极端工况时，EPS由于电机的高速转会检出由于高转速造成的旋变传感器信号异常或者差分电流等异常，EPS控制器会主动关闭助力(桥MOSFET和相MOSFET同时关闭)。同时由于撞击导致电机产生较高的旋转速度，根据电磁感应原理，EPS电动机此时则相当于一个发电机，产生较大的反生电动势通过三相驱动线路反作用于EPS控制器，由于此时相MOSFET处于关闭状态，相MOSFET两端产生较大的电压差，当产生足够高的反生电动势高于相MOSFET的耐压能力时，会导致MOSFET反向击穿。由于桥上MOSFET规格相对较大且MOS管的体二极管可使反生电流回流至电源，桥上MOS管实际表现中未出现击穿情况，根据实车验证击穿损坏均发生在相MOSFET上。
发明内容
本发明的目的是为了克服上述背景技术的不足，提供EPS控制器相MOSFET撞击防损控制方法及系统。
第一方面，本发明提供一种EPS控制器相MOSFET撞击防损控制方法，包括如下步骤：
当车辆遭受碰撞事故时，判定车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型；
当检测到故障类型符合预设故障类型时，控制电机驱动电路中的桥MOSFET关闭，所述预设故障类型包括旋变传感器信号异常和电机驱动回路差分电流异常；
获取电机实时转速；
当检测到所述电机实时转速低于预设电机转速阈值时，控制电机驱动电路中的相MOSFET关闭。
根据第一方面，在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述“当车辆遭受碰撞事故时，判定车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型”步骤，具体包括如下步骤：
当车辆遭受碰撞事故时，获取电机内部的实时电流信号和实时电压信号；
根据所述实时电流信号和所述实时电压信号，判断车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型。
根据第一方面，在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述实时电压信号包括电机旋变传感器的SIN电压信号和COS电压信号，所述“当车辆遭受碰撞事故时，判定车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型”步骤，具体包括如下步骤：
当车辆遭受碰撞事故时，获取电机内部的电机旋变传感器在同一时刻的SIN电压信号和COS电压信号；
根据获取的所述SIN电压信号VSIN和所述COS电压信号VCOS，进行如下参数转化和比对：
VSIN>Vmax 式(1)；
VSIN<Vmin 式(2)；
VCOS>Vmax 式(3)；
VCOS<Vmin 式(4)；
(VSIN-2.5)2+(VCOS-2.5)2＜(V励磁-2.5)2*0.41 式(5)；
其中，Vmax为预设电压上限值；Vmin为预设电压下限值；V励磁为预设励磁电压；
(VSIN-2.5)2+(VCOS-2.5)2＞(V励磁-2.5)2*1.55 式(6)；
当所述SIN电压信号和所述COS电压信号符合式(1)至式(6)任一式时，判定车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型为所述电机旋变传感器的信号异常。
根据第一方面，在第一方面的第三种可能的实现方式中，Vmax为4.395V，Vmin为0.605V。
根据第一方面，在第一方面的第四种可能的实现方式中，所述实时电流信号包括电机q轴的实时电流，所述所述“根据所述实时电流信号和所述实时电压信号，判断车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型”步骤，具体还包括如下步骤：
获取电机q轴的实时电流I1；
将电机q轴的实时电流I1根据式(7)进行差值计算比对，获取比对结果如下：
|I1-I2|＜I0 式(7)；
其中，I2为电机q轴的目标电流；I0为预设的差值阈值；
当电机q轴的实时电流I1满足式(7)时，则判定车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型为电机驱动回路差分电流异常。
根据第一方面，在第一方面的第五种可能的实现方式中，所述预设的差值阈值I0设为40A。
第二方面，本发明提供一种EPS控制器相MOSFET撞击防损控制系统，包括：
第一获取模块，用于当车辆遭受碰撞事故时，判定车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型；
第一控制模块，与所述第一获取模块通信连接，用于当检测到故障类型符合预设故障类型时，控制电机驱动电路中的桥MOSFET关闭，所述预设故障类型包括旋变传感器信号异常和电机驱动回路差分电流异常；
第二获取模块，与所述第一控制模块通信连接，用于获取电机实时转速；
比对模块，与所述第二获取模块通信连接，用于比对电机实时转速和电机转速阈值；
第二控制模块，用于当电机实时转速低于电机转速阈值时，控制电机驱动电路中的相MOSFET关闭。
根据第二方面，在第二方面的第一种可能的实现方式中，包括：
第三获取模块，用于当车辆遭受碰撞事故时，获取电机内部的实时电流信号和实时电压信号；
判断模块，与所述第三获取模块通信连接，用于根据电机内部的实时电流信号和实时电压信号，判断车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型。
根据第二方面，在第二方面的第二种可能的实现方式中，，还包括：
第一获取单元，用于获取同一时刻SIN电压信号和COS电压信号；
第一比对单元，与所述第一获取单元通信连接，用于将获取的同一时刻SIN电压信号VSIN和COS电压信号VCOS，根据公式(1)进行参数转化和比对：
VSIN>Vmax 式(1)；
VSIN<Vmin 式(2)；
VCOS>Vmax 式(3)；
VCOS<Vmin 式(4)；
(VSIN-2.5)2+(VCOS-2.5)2＜(V励磁-2.5)2*0.41 式(5)，
其中，Vmax为预设电压上限值，Vmin为预设电压下限值，V励磁为预设励磁电压；
(VSIN-2.5)2+(VCOS-2.5)2＞(V励磁-2.5)2*1.55 式(6)；
第一判定单元，与所述第一比对单元通信连接，用于当所述SIN电压信号和所述COS电压信号符合式(1)至式(6)任一式时，判定车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型为所述电机旋变传感器的信号异常。
根据第二方面，在第二方面的第三种可能的实现方式中，还包括：
第二获取单元，获取电机q轴的实时电流I1；
第二比对单元，与所述第二获取单元通信连接，用于将电机q轴的实时电流I1进行差值计算比对，获取比对结果如下：
|I1-I2|＜I0 式(7)；
其中，I2为电机q轴的目标电流；I0为预设的差值阈值；
第二判定单元，与所述第二比对单元通信连接，用于当电机q轴的实时电流I1满足式(7)时，则判定车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型为电机驱动回路差分电流异常。
与现有技术相比，本发明的优点如下：
本发明提供的EPS控制器相MOSFET车辆撞击防损控制方法及系统，所述方法通过检测车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型，针对性控制电机驱动电路中的桥MOSFET关闭，并在电机实时转速低于预设电机转速阈值时，再控制电机驱动电路中的相MOSFET关闭，防止撞击导致电机产生较高的旋转速度，根据电磁感应原理，EPS电动机此时相当于一个发动机，产生的较大发生电动势通过三相驱动线路发作用与EPS控制器，将处关闭状态的相MOSFET击穿损坏。
附图说明
图1是电机驱动电路示意图；
图2是本发明实施例的方法流程示意图；
图3是本发明实施例的另一方法流程示意图；
图4是本发明实施例的功能模块框图；
图5是本发明实施例的另一功能模块框图。
具体实施方式
现在将详细参照本发明的具体实施例，在附图中例示了本发明的例子。尽管将结合具体实施例描述本发明，但将理解，不是想要将本发明限于所述的实施例。相反，想要覆盖由所附权利要求限定的在本发明的精神和范围内包括的变更、修改和等价物。应注意，这里描述的方法步骤都可以由任何功能块或功能布置来实现，且任何功能块或功能布置可被实现为物理实体或逻辑实体、或者两者的组合。
为了使本领域技术人员更好地理解本发明，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
注意：接下来要介绍的示例仅是一个具体的例子，而不作为限制本发明的实施例必须为如下具体的步骤、数值、条件、数据、顺序等等。本领域技术人员可以通过阅读本说明书来运用本发明的构思来构造本说明书中未提到的更多实施例。
参见图2所示，本发明实施例提供一种EPS控制器相MOSFET撞击防损控制方法，包括以下步骤：
S100、当车辆遭受碰撞事故时，判定车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型；
S200、当检测到故障类型符合预设故障类型时，由于桥MOSFET规格相对较大且MOS管的晶体二极管可使反生电流回流至电源，桥MOS管实际表现中未出现击穿情况，根据实车验证击穿损坏均发生在相MOSFET上，因此优选控制电机驱动电路中的桥MOSFET关闭，所述预设故障类型包括旋变传感器信号异常和电机驱动回路差分电流异常；
S300、获取电机实时转速；
S400、当检测到所述电机实时转速低于预设电机转速阈值时，此时电机转速已经达到较小的状态，EPS电机不会产生较强的发生电动势，电机产生的反生电动势远低于相MOSFET的耐压能力，此种工况下控制电机驱动电路中的相MOSFET关闭不会导致相MOSFET击穿，以关闭EPS助力，驾驶员可通过操作机械转向系统实现车辆的转向控制，保证驾驶安全。
当检测到所述电机实时转速高于预设电机转速时，高转速造成的发生电动势会造成相MOSFET击穿损坏，此种工况下，限制关闭电机驱动电路中的相MOSFET，发出转速过高提醒信息，并持续检测电机实时转速，直至电机实时转速低于预设电机转速阈值，控制电机驱动电路中的相MOSFET关闭。
本发明提供的EPS控制器相MOSFET车辆撞击防损控制方法及系统，所述方法通过检测车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型，针对性控制电机驱动电路中的桥MOSFET关闭，并在电机实时转速低于预设电机转速阈值时，再控制电机驱动电路中的相MOSFET关闭，防止撞击导致电机产生较高的旋转速度，根据电磁感应原理，EPS电动机此时相当于一个发动机，产生的较大发生电动势通过三相驱动线路发作用与EPS控制器，将处关闭状态的相MOSFET击穿损坏。
在一实施例中，请参考图3，所述“当车辆遭受碰撞事故时，判定车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型”步骤，具体包括如下步骤：
S110、当车辆遭受碰撞事故时，获取电机内部的实时电流信号和实时电压信号；
S120、根据所述实时电流信号和所述实时电压信号，判断车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型。
在一实施例中，所述实时电压信号包括电机旋变传感器的SIN电压信号和COS电压信号，所述“当车辆遭受碰撞事故时，判定车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型”步骤，具体包括如下步骤：
当车辆遭受碰撞事故时，获取电机内部的电机旋变传感器在同一时刻的SIN电压信号和COS电压信号；
根据获取的所述SIN电压信号VSIN和所述COS电压信号VCOS，进行如下参数转化和比对：
VSIN>Vmax 式(1)；
VSIN<Vmin 式(2)；
VCOS>Vmax 式(3)；
VCOS<Vmin 式(4)；
(VSIN-2.5)2+(VCOS-2.5)2＜(V励磁-2.5)2*0.41 式(5)；
其中，Vmax为预设电压上限值；Vmin为预设电压下限值；V励磁为预设励磁电压；
(VSIN-2.5)2+(VCOS-2.5)2＞(V励磁-2.5)2*1.55 式(6)；
当所述SIN电压信号和所述COS电压信号符合式(1)至式(6)任一式时，获取的车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型为所述电机旋变传感器的信号异常。
在一具体实施例中，Vmax为4.395V，Vmin为0.605V。
在一实施例中，所述实时电流信号包括电机q轴的实时电流，所述所述“根据所述实时电流信号和所述实时电压信号，判断车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型”步骤，具体还包括如下步骤：
获取电机q轴的实时电流I1；
将电机q轴的实时电流I1进行差值计算比对，获取比对结果如下：
|I1-I2|＜I0 式(7)；
其中，I2为电机q轴的目标电流；I0为预设的差值阈值；
当电机q轴的实时电流I1满足式(7)时，则判定车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型为电机驱动回路差分电流异常。
在一实施例中，I0为40A，当采集到的电机q轴的实时电流和电机q轴的目标电流差值超过40A时，则检出差分电流异常。
其中，在电机中与磁极轴线相合就称为纵轴(也叫直轴、d轴)，与磁极轴线垂直就称为横轴(也叫交轴或q轴)；在电枢绕组有电流时，将产生电枢反应，电枢反应有纵轴电枢反应和横轴电枢反应，把产生纵轴电枢反应的电流称为纵轴电流，产生横轴电枢反应的电流称为横轴电流，也就是q轴电流。在电机矢量图时，电流可以分解为二个部分，与电势同向的称为Id、与电势垂直的称为Iq，即q轴电流。
在一实施例中，所述预设的差值阈值I0设为40A。
基于同一发明构思，请参考图4，本发明提供一种EPS控制器相MOSFET撞击防损控制系统，包括第一获取模块100、第一控制模块200、第二获取模块300、比对模块400和第二控制模块500，所述第一获取模块用于当车辆遭受碰撞事故时，判定车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型；所述第一控制模块与所述第一获取模块通信连接，用于当故障类型符合预设故障类型时，当检测到控制电机驱动电路中的桥MOSFET600关闭，所述预设故障类型包括旋变传感器信号异常和电机驱动回路差分电流异常；所述第二获取模块与所述第一控制模块通信连接，用于获取电机实时转速；所述比对模块与所述第二获取模块通信连接，用于比对电机实时转速和电机转速阈值；所述第二控制模块与所述比对模块通信连接，用于当电机实时转速低于电机转速阈值时，控制电机驱动电路中的相MOSFET700关闭。
在一实施例中，请参考图5，包括第三获取模块800和判断模块900，所述第三获取模块用于获取电机内部的实时电流信号和实时电压信号；所述判断模块与所述第三获取模块通信连接，用于根据电机内部的实时电流信号和实时电压信号，判断车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型。
在一实施例中，还包括第一获取单元和第一比对单元，所述第一获取单元用于获取同一时刻SIN电压信号和COS电压信号；第一比对单元与所述第一获取单元通信连接，用于将获取的同一时刻SIN电压信号VSIN和COS电压信号VCOS，根据公式(1)进行参数转化和比对：
VSIN>Vmax 式(1)；
VSIN<Vmin 式(2)；
VCOS>Vmax 式(3)；
VCOS<Vmin 式(4)；
(VSIN-2.5)2+(VCOS-2.5)2＜(V励磁-2.5)2*0.41 式(5)，
其中，V励磁为预设励磁电压；
(VSIN-2.5)2+(VCOS-2.5)2＞(V励磁-2.5)2*1.55 式(6)；
第一判定单元，当同一时刻SIN电压信号和COS电压信号符合式(1)至式(6)任一式时，用于判定旋变传感器信号异常。
在一实施例中，还包括第二获取单元、第二比对单元和第二判定单元，第二获取单元获取实时q轴电流；所述第二比对单元与所述第二获取单元通信连接，用于将实时q轴电流根据式(7)进行差值计算比对，获取比对结果：
|I1-I2|＜I0 式(7)；
其中，I2为电机q轴的目标电流；I0为预设的差值阈值；
所述第二判定单元与所述第二比对单元通信连接，用于当电机q轴实时电流I1根据式(7)比对不成立时，用于判定电机驱动回路差分电流异常。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述方法的所有方法步骤或部分方法步骤。
本发明实现上述方法中的全部或部分流程，也可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中，该计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。其中，计算机程序包括计算机程序代码，计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。计算机可读介质可以包括：能够携带计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，RandomAccess Memory)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质等。需要说明的是，计算机可读介质包含的内容可以根据司法管辖区内立法和专利实践的要求进行适当的增减，例如在某些司法管辖区，根据立法和专利实践，计算机可读介质不包括电载波信号和电信信号。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供一种电子设备，包括存储器和处理器，存储器上储存有在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现上述方法中的所有方法步骤或部分方法步骤。
所称处理器可以是中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等，处理器是计算机装置的控制中心，利用各种接口和线路连接整个计算机装置的各个部分。
存储器可用于存储计算机程序和/或模块，处理器通过运行或执行存储在存储器内的计算机程序和/或模块，以及调用存储在存储器内的数据，实现计算机装置的各种功能。存储器可主要包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序(例如声音播放功能、图像播放功能等)；存储数据区可存储根据手机的使用所创建的数据(例如音频数据、视频数据等)。此外，存储器可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如硬盘、内存、插接式硬盘，智能存储卡(SmartMedia Card，SMC)，安全数字(Secure Digital，SD)卡，闪存卡(Flash Card)、至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他易失性固态存储器件。
本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、服务器或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器和光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、服务器和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种EPS控制器相MOSFET撞击防损控制方法，其特征在于，包括如下步骤：
当车辆遭受碰撞事故时，判定车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型；
当检测到故障类型符合预设故障类型时，控制电机驱动电路中的桥MOSFET关闭，所述预设故障类型包括旋变传感器信号异常和电机驱动回路差分电流异常；
获取电机实时转速；
当检测到所述电机实时转速低于预设电机转速阈值时，控制电机驱动电路中的相MOSFET关闭。
2.如权利要求1所述的EPS控制器相MOSFET撞击防损控制方法，其特征在于，所述“当车辆遭受碰撞事故时，判定车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型”步骤，具体包括如下步骤：
当车辆遭受碰撞事故时，获取电机内部的实时电流信号和实时电压信号；
根据所述实时电流信号和所述实时电压信号，判断车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型。
3.如权利要求2所述的EPS控制器相MOSFET撞击防损控制方法，其特征在于，所述实时电压信号包括电机旋变传感器的SIN电压信号和COS电压信号，所述“当车辆遭受碰撞事故时，判定车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型”步骤，具体包括如下步骤：
当车辆遭受碰撞事故时，获取电机内部的电机旋变传感器在同一时刻的SIN电压信号和COS电压信号；
根据获取的所述SIN电压信号VSIN和所述COS电压信号VCOS，进行如下参数转化和比对：
VSIN>Vmax 式(1)；
VSIN<Vmin 式(2)；
VCOS>Vmax 式(3)；
VCOS<Vmin 式(4)；
(VSIN-2.5)2+(VCOS-2.5)2＜(V励磁-2.5)2*0.41 式(5)；
其中，Vmax为预设电压上限值；Vmin为预设电压下限值；V励磁为预设励磁电压；
(VSIN-2.5)2+(VCOS-2.5)2＞(V励磁-2.5)2*1.55 式(6)；
当所述SIN电压信号和所述COS电压信号符合式(1)至式(6)任一式时，判定车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型为所述电机旋变传感器的信号异常。
4.如权利要求3所述的EPS控制器相MOSFET撞击防损控制方法，其特征在于，Vmax为4.395V，Vmin为0.605V。
5.如权利要求2所述的EPS控制器相MOSFET撞击防损控制方法，其特征在于，所述实时电流信号包括电机q轴的实时电流，所述“根据所述实时电流信号和所述实时电压信号，判断车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型”步骤，具体还包括如下步骤：
获取电机q轴的实时电流I1；
将电机q轴的实时电流I1进行差值计算比对，获取比对结果如下：
|I1-I2|＜I0 式(7)；
其中，I2为电机q轴的目标电流；I0为预设的差值阈值；
当电机q轴的实时电流I1满足式(7)时，则判定车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型为电机驱动回路差分电流异常。
6.如权利要求5所述的EPS控制器相MOSFET撞击防损控制方法，其特征在于，所述预设的差值阈值I0设为40A。
7.一种EPS控制器相MOSFET撞击防损控制系统，其特征在于，包括：
第一获取模块，用于当车辆遭受碰撞事故时，判定车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型；
第一控制模块，与所述第一获取模块通信连接，用于当检测到故障类型符合预设故障类型时，控制电机驱动电路中的桥MOSFET关闭，所述预设故障类型包括旋变传感器信号异常和电机驱动回路差分电流异常；
第二获取模块，与所述第一控制模块通信连接，用于获取电机实时转速；
比对模块，与所述第二获取模块通信连接，用于比对电机实时转速和电机转速阈值；
第二控制模块，用于当电机实时转速低于电机转速阈值时，控制电机驱动电路中的相MOSFET关闭。
8.如权利要求7所述的EPS控制器相MOSFET撞击防损控制系统，其特征在于，包括：
第三获取模块，用于当车辆遭受碰撞事故时，获取电机内部的实时电流信号和实时电压信号；
判断模块，与所述第三获取模块通信连接，用于根据电机内部的实时电流信号和实时电压信号，判断车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型。
9.如权利要求7所述的EPS控制器相MOSFET撞击防损控制系统，其特征在于，还包括：
第一获取单元，用于获取同一时刻SIN电压信号和COS电压信号；
第一比对单元，与所述第一获取单元通信连接，用于将获取的同一时刻SIN电压信号VSIN和COS电压信号VCOS，根据公式(1)进行参数转化和比对：
VSIN>Vmax 式(1)；
VSIN<Vmin 式(2)；
VCOS>Vmax 式(3)；
VCOS<Vmin 式(4)；
(VSIN-2.5)2+(VCOS-2.5)2＜(V励磁-2.5)2*0.41 式(5)，
其中，Vmax为预设电压上限值，Vmin为预设电压下限值，V励磁为预设励磁电压；
(VSIN-2.5)2+(VCOS-2.5)2＞(V励磁-2.5)2*1.55 式(6)；
第一判定单元，与所述第一比对单元通信连接，用于当所述SIN电压信号和所述COS电压信号符合式(1)至式(6)任一式时，判定车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型为所述电机旋变传感器的信号异常。
10.如权利要求7所述的EPS控制器相MOSFET撞击防损控制系统，其特征在于，还包括：
第二获取单元，获取电机q轴的实时电流I1；
第二比对单元，与所述第二获取单元通信连接，用于将电机q轴的实时电流I1进行差值计算比对，获取比对结果如下：
|I1-I2|＜I0 式(7)；
其中，I2为电机q轴的目标电流；I0为预设的差值阈值；
第二判定单元，与所述第二比对单元通信连接，用于当电机q轴的实时电流I1满足式(7)时，则判定车辆遭受碰撞事故后出现的故障类型为电机驱动回路差分电流异常。
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