CN113036006A - 一种提高led芯片提取效率的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种提高LED芯片提取效率的方法，包括以下步骤：步骤一、将LED芯片放置在浸泡箱内部，并将腐蚀剂适量添加到浸泡箱内，浸泡箱内的加热管对腐蚀剂加热5‑10分钟，待浸泡箱内的温度降至常温时，将LED芯片取出备用；步骤二、将云母粉、氧化锡粉和锑粉按照1：1：1的比例放置在立式搅拌箱内；在对LED芯片进行加工时，将云母粉、氧化锡粉和锑粉混合得到混合物a，再将溶剂与混合物a混合得到混合物b将LED芯片浸泡在混合物b中，并对浸泡时的温度和时间进行控制，氧化锡具有较高的导电性和稳定性，与锑粉混合后，大大提高电导性，且再与云母粉混合，大大提高了LED芯片的耐高温性能，从而大大提高LED芯片的提取效率。
Description
技术领域
本发明涉及LED芯片技术领域，具体为一种提高LED芯片提取效率的方法。
背景技术
众所周知，LED芯片是一种固态的半导体器件，LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来，也称为led发光芯片，是led灯的核心组件，也就是指的P-N结。其主要功能是：把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子，为了提高LED芯片的提取效率，需要对LED芯片进行加工；
中国公开发明：CN111710765A公开了提高LED倒装芯片光提取效率的方法，其在使用时，在LED倒装芯片的衬底背面形成粗化的微纳图形结构，可有效减少了衬底表面附近光的全反射，增加了衬底内的波导光的提取效率，然而还存在以下问题：
现有方法只通过改善了LED芯片表面的粗化，这种方法容易影响LED芯片的透光和电导率，不利于电流在LED芯片表面的扩展和传导，从而大大降低LED芯片的使用寿命，为此，提出一种提高LED芯片提取效率的方法。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种提高LED芯片提取效率的方法。
(二)技术方案
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种提高LED芯片提取效率的方法，包括以下步骤：
步骤一、将LED芯片放置在浸泡箱内部，并将腐蚀剂适量添加到浸泡箱内，浸泡箱内的加热管对腐蚀剂加热5-10分钟，待浸泡箱内的温度降至常温时，将LED芯片取出备用；
步骤二、将云母粉、氧化锡粉和锑粉按照1：1：1的比例放置在立式搅拌箱内，通过电机带动搅拌杆转动充分混合搅拌箱内的物质，从而得到混合物a；
步骤三、向搅拌箱内添加溶剂，控制立式搅拌箱再次转动1-2min，并将混合物b取出备用，将LED芯片浸泡在混合物中；
步骤四、将LED芯片放置在加热箱内部进行烘干，取出后放置在室内冷却降温，即可得到LED芯片。
优选的，在所述步骤一中，腐蚀剂的成分是由磷酸和超纯水按照1：1的比例充分搅拌混合而成的。
优选的，在所述步骤三中，溶剂是蒸馏水或超纯水中的一种或多种。
优选的，在所述步骤一中，浸泡箱内加热管加热腐蚀剂的温度控制在40-50℃。
优选的，在所述步骤四中，用于烘干LED芯片的加热箱内部温度控制在20-30℃。
优选的，在所述步骤二中，云母粉、氧化锡粉和锑粉的目数均在900-1000目。
优选的，在所述步骤四中，冷却LED芯片的环境为无尘环境，且室内温度控制在15-25℃。
优选的，在所述步骤三中，浸泡温度为30℃-40℃，浸泡时间为50-60min。
(三)有益效果
与现有技术相比，本发明提供了一种提高LED芯片提取效率的方法，具备以下有益效果：
在对LED芯片进行加工时，将云母粉、氧化锡粉和锑粉混合得到混合物a，再将溶剂与混合物a混合得到混合物b将LED芯片浸泡在混合物b中，并对浸泡时的温度和时间进行控制，氧化锡具有较高的导电性和稳定性，与锑粉混合后，大大提高电导性，且再与云母粉混合，大大提高了LED芯片的耐高温性能，从而大大提高LED芯片的提取效率。
附图说明
图1为本发明流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
请参阅图1，本发明提供一种技术方案：一种提高LED芯片提取效率的方法，包括以下步骤：
步骤一、将LED芯片放置在浸泡箱内部，并将腐蚀剂适量添加到浸泡箱内，浸泡箱内的加热管对腐蚀剂加热5分钟，待浸泡箱内的温度降至常温时，将LED芯片取出备用；
步骤二、将云母粉、氧化锡粉和锑粉按照1：1：1的比例放置在立式搅拌箱内，通过电机带动搅拌杆转动充分混合搅拌箱内的物质，从而得到混合物a；
步骤三、向搅拌箱内添加溶剂，控制立式搅拌箱再次转动1min，并将混合物b取出备用，将LED芯片浸泡在混合物中；
步骤四、将LED芯片放置在加热箱内部进行烘干，取出后放置在室内冷却降温，即可得到LED芯片。
本实施例中，具体的：在所述步骤一中，腐蚀剂的成分是由磷酸和超纯水按照1：1的比例充分搅拌混合而成的；通过LED芯片浸泡在腐蚀剂的内部，从而对LED芯片的表面进行充分腐蚀，使得LED芯片能够方便进行下一步的加工工作。
本实施例中，具体的：在所述步骤三中，溶剂是蒸馏水或超纯水中的一种或多种；通过向混合物内添加溶剂，从而将云母粉、氧化锡粉和锑粉混合得到的混合物a进行融合，从而得到水溶液混合物b，方便对LED芯片表面进行加工。
本实施例中，具体的：在所述步骤一中，浸泡箱内加热管加热腐蚀剂的温度控制在40℃；通过对浸泡箱内的温度进行控制，从而对浸泡LED芯片用的腐蚀剂的温度进行控制，避免腐蚀剂温度过热导致LED芯片发生损坏的现象。
本实施例中，具体的：在所述步骤四中，用于烘干LED芯片的加热箱内部温度控制在20℃；通过对加热箱内部的温度进行控制，在有利于提高LED芯片干燥效率的同时，避免了LED芯片表面温度过高导致内部元件损坏的现象。
本实施例中，具体的：在所述步骤二中，云母粉、氧化锡粉和锑粉的目数均在900目；通过对云母粉、氧化锡粉和锑粉的目数进行控制，云母粉、氧化锡粉和锑粉进行充分混合得到混合物a时，大大提高了云母粉、氧化锡粉和锑粉的混合效果。
本实施例中，具体的：在所述步骤四中，冷却LED芯片的环境为无尘环境，且室内温度控制在15℃；通过对LED芯片的环境进行限定，避免粉尘吸附在LED芯片的表面，对LED芯片的工作产生影响，且对室内的温度进行控制，使得LED芯片能够快速的降温冷却。
本实施例中，具体的：在所述步骤三中，浸泡温度为30℃，浸泡时间为50min；通过对LED芯片浸泡在混合物b内的温度和时间进行控制，大大提高了LED芯片的浸泡效果。
实施例二
请参阅图1，本发明提供一种技术方案：一种提高LED芯片提取效率的方法，包括以下步骤：
步骤一、将LED芯片放置在浸泡箱内部，并将腐蚀剂适量添加到浸泡箱内，浸泡箱内的加热管对腐蚀剂加热8分钟，待浸泡箱内的温度降至常温时，将LED芯片取出备用；
步骤二、将云母粉、氧化锡粉和锑粉按照1：1：1的比例放置在立式搅拌箱内，通过电机带动搅拌杆转动充分混合搅拌箱内的物质，从而得到混合物a；
步骤三、向搅拌箱内添加溶剂，控制立式搅拌箱再次转动1.5min，并将混合物b取出备用，将LED芯片浸泡在混合物中；
步骤四、将LED芯片放置在加热箱内部进行烘干，取出后放置在室内冷却降温，即可得到LED芯片。
本实施例中，具体的：在所述步骤一中，腐蚀剂的成分是由磷酸和超纯水按照1：1的比例充分搅拌混合而成的；通过LED芯片浸泡在腐蚀剂的内部，从而对LED芯片的表面进行充分腐蚀，使得LED芯片能够方便进行下一步的加工工作。
本实施例中，具体的：在所述步骤三中，溶剂是蒸馏水或超纯水中的一种或多种；通过向混合物内添加溶剂，从而将云母粉、氧化锡粉和锑粉混合得到的混合物a进行融合，从而得到水溶液混合物b，方便对LED芯片表面进行加工。
本实施例中，具体的：在所述步骤一中，浸泡箱内加热管加热腐蚀剂的温度控制在45℃；通过对浸泡箱内的温度进行控制，从而对浸泡LED芯片用的腐蚀剂的温度进行控制，避免腐蚀剂温度过热导致LED芯片发生损坏的现象。
本实施例中，具体的：在所述步骤四中，用于烘干LED芯片的加热箱内部温度控制在25℃；通过对加热箱内部的温度进行控制，在有利于提高LED芯片干燥效率的同时，避免了LED芯片表面温度过高导致内部元件损坏的现象。
本实施例中，具体的：在所述步骤二中，云母粉、氧化锡粉和锑粉的目数均在950目；通过对云母粉、氧化锡粉和锑粉的目数进行控制，云母粉、氧化锡粉和锑粉进行充分混合得到混合物a时，大大提高了云母粉、氧化锡粉和锑粉的混合效果。
本实施例中，具体的：在所述步骤四中，冷却LED芯片的环境为无尘环境，且室内温度控制在20℃；通过对LED芯片的环境进行限定，避免粉尘吸附在LED芯片的表面，对LED芯片的工作产生影响，且对室内的温度进行控制，使得LED芯片能够快速的降温冷却。
本实施例中，具体的：在所述步骤三中，浸泡温度为35℃，浸泡时间为55min；通过对LED芯片浸泡在混合物b内的温度和时间进行控制，大大提高了LED芯片的浸泡效果。
实施例三
请参阅图1，本发明提供一种技术方案：一种提高LED芯片提取效率的方法，包括以下步骤：
步骤一、将LED芯片放置在浸泡箱内部，并将腐蚀剂适量添加到浸泡箱内，浸泡箱内的加热管对腐蚀剂加热10分钟，待浸泡箱内的温度降至常温时，将LED芯片取出备用；
步骤二、将云母粉、氧化锡粉和锑粉按照1：1：1的比例放置在立式搅拌箱内，通过电机带动搅拌杆转动充分混合搅拌箱内的物质，从而得到混合物a；
步骤三、向搅拌箱内添加溶剂，控制立式搅拌箱再次转动2min，并将混合物b取出备用，将LED芯片浸泡在混合物中；
步骤四、将LED芯片放置在加热箱内部进行烘干，取出后放置在室内冷却降温，即可得到LED芯片。
本实施例中，具体的：在所述步骤一中，腐蚀剂的成分是由磷酸和超纯水按照1：1的比例充分搅拌混合而成的；通过LED芯片浸泡在腐蚀剂的内部，从而对LED芯片的表面进行充分腐蚀，使得LED芯片能够方便进行下一步的加工工作。
本实施例中，具体的：在所述步骤三中，溶剂是蒸馏水或超纯水中的一种或多种；通过向混合物内添加溶剂，从而将云母粉、氧化锡粉和锑粉混合得到的混合物a进行融合，从而得到水溶液混合物b，方便对LED芯片表面进行加工。
本实施例中，具体的：在所述步骤一中，浸泡箱内加热管加热腐蚀剂的温度控制在50℃；通过对浸泡箱内的温度进行控制，从而对浸泡LED芯片用的腐蚀剂的温度进行控制，避免腐蚀剂温度过热导致LED芯片发生损坏的现象。
本实施例中，具体的：在所述步骤四中，用于烘干LED芯片的加热箱内部温度控制在30℃；通过对加热箱内部的温度进行控制，在有利于提高LED芯片干燥效率的同时，避免了LED芯片表面温度过高导致内部元件损坏的现象。
本实施例中，具体的：在所述步骤二中，云母粉、氧化锡粉和锑粉的目数均在1000目；通过对云母粉、氧化锡粉和锑粉的目数进行控制，云母粉、氧化锡粉和锑粉进行充分混合得到混合物a时，大大提高了云母粉、氧化锡粉和锑粉的混合效果。
本实施例中，具体的：在所述步骤四中，冷却LED芯片的环境为无尘环境，且室内温度控制在25℃；通过对LED芯片的环境进行限定，避免粉尘吸附在LED芯片的表面，对LED芯片的工作产生影响，且对室内的温度进行控制，使得LED芯片能够快速的降温冷却。
本实施例中，具体的：在所述步骤三中，浸泡温度为40℃，浸泡时间为60min；通过对LED芯片浸泡在混合物b内的温度和时间进行控制，大大提高了LED芯片的浸泡效果。
综上所述，该一种提高LED芯片提取效率的方法的工作原理和工作过程为，在使用时，首先将LED芯片放置在浸泡箱内部，并将由磷酸和超纯水混合得到的腐蚀剂适量添加到浸泡箱内，浸泡箱内的加热管对腐蚀剂进行加热，并对加热的温度和时间进行控制，加热完成后将浸泡箱静置，待浸泡箱内的温度降至常温时，将LED芯片取出备用，将云母粉、氧化锡粉和锑粉按照1：1：1的比例放置在立式搅拌箱内，通过电机带动搅拌杆转动充分混合搅拌箱内的物质，且对搅拌的时间进行控制，使得云母粉、氧化锡粉和锑粉能够充分混合，从而得到混合物a，向搅拌箱内部添加溶剂，并控制立式搅拌箱再次转动，使得溶剂与云母粉、氧化锡粉和锑粉能够充分混合得到混合物b，并将混合物b取出备用，将LED芯片浸泡在混合物b中，并对浸泡时的温度和时间进行控制，氧化锡具有较高的导电性和稳定性，与锑粉混合后，大大提高电导性，且再与云母粉混合，大大提高了LED芯片的耐高温性能，浸泡完成后，将LED芯片放置在加热箱内部进行烘干，取出后放置在室内冷却降温，即可得到LED芯片。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (8)
1.一种提高LED芯片提取效率的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、将LED芯片放置在浸泡箱内部，并将腐蚀剂适量添加到浸泡箱内，浸泡箱内的加热管对腐蚀剂加热5-10分钟，待浸泡箱内的温度降至常温时，将LED芯片取出备用；
步骤二、将云母粉、氧化锡粉和锑粉按照1：1：1的比例放置在立式搅拌箱内，通过电机带动搅拌杆转动充分混合搅拌箱内的物质，从而得到混合物a；
步骤三、向搅拌箱内添加溶剂，控制立式搅拌箱再次转动1-2min，并将混合物b取出备用，将LED芯片浸泡在混合物中；
步骤四、将LED芯片放置在加热箱内部进行烘干，取出后放置在室内冷却降温，即可得到LED芯片。
2.根据权利要求1所述的一种提高LED芯片提取效率的方法，其特征在于：在所述步骤一中，腐蚀剂的成分是由磷酸和超纯水按照1：1的比例充分搅拌混合而成的。
3.根据权利要求1所述的一种提高LED芯片提取效率的方法，其特征在于：在所述步骤三中，溶剂是蒸馏水或超纯水中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的一种提高LED芯片提取效率的方法，其特征在于：在所述步骤一中，浸泡箱内加热管加热腐蚀剂的温度控制在40-50℃。
5.根据权利要求1所述的一种提高LED芯片提取效率的方法，其特征在于：在所述步骤四中，用于烘干LED芯片的加热箱内部温度控制在20-30℃。
6.根据权利要求1所述的一种提高LED芯片提取效率的方法，其特征在于：在所述步骤二中，云母粉、氧化锡粉和锑粉的目数均在900-1000目。
7.根据权利要求1所述的一种提高LED芯片提取效率的方法，其特征在于：在所述步骤四中，冷却LED芯片的环境为无尘环境，且室内温度控制在15-25℃。
8.根据权利要求1所述的一种提高LED芯片提取效率的方法，其特征在于：在所述步骤三中，浸泡温度为30℃-40℃，浸泡时间为50-60min。
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