CN113035906A - 电致发光显示装置 - Google Patents

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CN113035906A CN202011372707.7A CN202011372707A CN113035906A CN 113035906 A CN113035906 A CN 113035906A CN 202011372707 A CN202011372707 A CN 202011372707A CN 113035906 A CN113035906 A CN 113035906A
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electrode
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崔正默
白钦日
郑乐允
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Abstract

一种电致发光显示装置包括：基板，在基板上限定有显示区域和非显示区域；多个子像素，其设置在基板上的显示区域中并且沿第一方向和第二方向布置；发光二极管，其设置在每个子像素中并且包括第一电极、发光层和第二电极；第一堤部，其设置在沿第二方向相邻的子像素之间并且与第一电极的边缘交叠；和第二堤部，其设置在沿第一方向相邻的子像素之间并且具有与沿第二方向布置的子像素列对应的开口，其中开口包括对应于显示区域的第一部分和对应于非显示区域的第二部分，并且发光层在第二部分中的底表面具有凹凸部，并且其中在非显示区域中的发光层的下方设置有不平坦图案。

Description

电致发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2019年12月9日提交的韩国专利申请No.10-2019-0162803的优先权和权益，通过引用将该专利申请整体并入本文。
技术领域
本发明涉及一种电致发光显示装置，更具体地，涉及一种具有大尺寸和高清晰度的电致发光显示装置。
背景技术
作为一种平板显示装置，电致发光显示装置因是自发光的而相较于液晶显示装置具有宽视角，并且因不需要背光单元而具有厚度薄、重量轻和功耗低的优点。
此外，电致发光显示装置由较低的直流(DC)电压驱动并且具有快速响应速度。此外，电致发光显示装置因其部件是固体而具有较强的耐外部冲击性并且在较宽的温度范围内使用，特别是，电致发光显示装置能够以低成本制造。
电致发光显示装置包括多个像素，每个像素具有红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，并且通过使红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素选择性地发光来显示各种彩色图像。
红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素分别具有红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，并且通过真空热蒸镀工艺(其中使用精细金属掩模(FMM)选择性地沉积发光材料)来形成每个发光层。
然而，蒸镀工艺由于掩模的制备而增加了制造成本，并且由于掩模的制造偏差、下垂、阴影效应等，在应用于大尺寸和高清晰度显示装置时存在问题。
发明内容
因此，本发明旨在提出一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题的电致发光显示装置。
本发明的一个目的是提供一种具有大尺寸和高清晰度的电致发光显示装置。
在下面的描述中将列出本发明的附加特征和优点，这些特征和优点的一部分根据下面的描述将变得显而易见或者可通过本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其他优点。
为了实现这些和其他优点并根据本发明的意图，如在此具体化和概括描述的，提供了一种电致发光显示装置，包括：基板，在所述基板上限定有显示图像的显示区域和设置在所述显示区域的外部的非显示区域；多个子像素，所述多个子像素设置在所述基板上的显示区域中并且沿第一方向和第二方向布置；发光二极管，所述发光二极管设置在所述多个子像素的每一个中并且包括第一电极、发光层和第二电极；第一堤部，所述第一堤部设置在沿所述第二方向相邻的子像素之间并且与所述第一电极的边缘交叠；和第二堤部，所述第二堤部设置在沿所述第一方向相邻的子像素之间并且具有与沿所述第二方向布置的子像素列对应的开口，其中所述开口包括对应于所述显示区域的第一部分和对应于所述非显示区域的第二部分，并且所述第二部分中的发光层的底表面具有凹凸部，并且其中在所述非显示区域中的发光层的下方设置有不平坦图案。
应当理解，前面的大体性描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的，意在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
被包括用来对本发明提供进一步理解且被并入并构成本申请的一部分的附图图解了本发明的实施方式，并且与说明书一起用来解释本发明的原理。
在附图中：
图1是根据本发明实施方式的电致发光显示装置的一个像素区域的电路图；
图2是根据本发明实施方式的电致发光显示装置的示意性剖面图；
图3是根据本发明第一实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图；
图4是与图3的线I-I’对应的剖面图；
图5是与图3的线II-II’对应的剖面图；
图6是根据本发明第一实施方式的电致发光显示装置的示意性放大平面图；
图7A至图7F是根据本发明第一实施方式的电致发光显示装置的其他示例的示意性放大平面图；
图8是根据本发明第二实施方式的电致发光显示装置的示意性放大平面图；
图9是根据本发明第三实施方式的电致发光显示装置的示意性剖面图；
图10是根据本发明第四实施方式的电致发光显示装置的示意性剖面图；
图11A和图11B是根据本发明第五实施方式的电致发光显示装置的示意性剖面图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的示例性实施方式进行描述，附图中图解了这些实施方式的一些例子。
根据本发明实施方式的电致发光显示装置包括显示图像的多个像素，多个像素的每一个包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。对应于每个子像素的像素区域可具有图1中所示的构造。
图1是根据本发明实施方式的电致发光显示装置的一个像素区域的电路图。
在图1中，根据本发明实施方式的电致发光显示装置包括彼此交叉的多条栅极线和多条数据线，以限定多个像素区域。特别是，在图1的示例中，栅极线GL和数据线DL彼此交叉以限定像素区域P。每个像素区域P中形成有开关薄膜晶体管Ts、驱动薄膜晶体管Td、存储电容器Cst和发光二极管De。
更具体地，开关薄膜晶体管Ts的栅极电极连接至栅极线GL，并且开关薄膜晶体管Ts的源极电极连接至数据线DL。驱动薄膜晶体管Td的栅极电极连接至开关薄膜晶体管Ts的漏极电极，并且驱动薄膜晶体管Td的源极电极连接至高电压电源VDD。发光二极管De的阳极连接至驱动薄膜晶体管Td的漏极电极，并且发光二极管De的阴极连接至低电压电源VSS。存储电容器Cst连接至驱动薄膜晶体管Td的栅极电极和漏极电极。
电致发光显示装置被驱动以显示图像。例如，当开关薄膜晶体管Ts利用通过栅极线GL施加的栅极信号导通时，来自数据线DL的数据信号通过开关薄膜晶体管Ts施加至驱动薄膜晶体管Td的栅极电极和存储电容器Cst的电极。
当驱动薄膜晶体管Td利用数据信号导通时，流过发光二极管De的电流被控制，由此显示图像。由于从高电压电源VDD通过驱动薄膜晶体管Td提供的电流，发光二极管De发光。
就是说，流过发光二极管De的电流量与数据信号的大小成比例，并且由发光二极管De发射的光的强度与流过发光二极管De的电流量成比例。因而，像素区域P根据数据信号的大小显示不同灰度级，结果电致发光显示装置显示图像。
此外，当开关薄膜晶体管Ts截止时，存储电容器Cst将对应于数据信号的电荷保持一帧。因此，即使开关薄膜晶体管Ts截止，存储电容器Cst仍使流过发光二极管De的电流量恒定并且使由发光二极管De显示的灰度级一直保持到下一帧。
同时，除了开关薄膜晶体管Ts、驱动薄膜晶体管Td和存储电容器Cst以外，还可在像素区域P中增加一个或多个薄膜晶体管和/或电容器。
例如，在电致发光显示装置中，在数据信号施加至驱动薄膜晶体管Td的栅极电极的同时驱动薄膜晶体管Td导通相对较长的时间并且发光二极管De发光，由此显示灰度级。由于长时间施加数据信号，驱动薄膜晶体管Td可劣化。因此，驱动薄膜晶体管Td的迁移率和/或阈值电压Vth发生变化，因而电致发光显示装置的像素区域P对于相同数据信号显示出不同的灰度级。这导致不均匀的亮度，由此降低了电致发光显示装置的图像质量。
因此，为了补偿驱动薄膜晶体管Td的迁移率和/或阈值电压的变化，可在像素区域P中进一步增加用于感测电压变化的至少一个感测薄膜晶体管和/或电容器。感测薄膜晶体管和/或电容器可连接至用于施加基准电压并且输出感测电压的基准线。
图2是根据本发明实施方式的电致发光显示装置的示意性剖面图，其显示了一个像素区域。
在图2的电致发光显示装置中，在基板110上形成缓冲层120。缓冲层120设置在基板110的基本整个表面上。基板110可以是塑料基板或玻璃基板。例如，聚酰亚胺可用作塑料基板，但不限于此。缓冲层120可由诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)之类的无机材料形成，并且可以是单层或多层。
在缓冲层120上形成图案化的半导体层122。半导体层122可由氧化物半导体层形成，并且可在半导体层122的下方进一步形成遮光图案。遮光图案可阻挡入射到半导体层122上的光并且可防止半导体层122由于光而劣化。可选地，半导体层122可由多晶硅形成，并且半导体层122的两端可被掺杂杂质。
在基板110的基本整个表面上方，在半导体层122上形成绝缘材料的栅极绝缘层130。栅极绝缘层130可由诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)之类的无机绝缘材料形成。当半导体层122由氧化物半导体材料制成时，栅极绝缘层130可由硅氧化物(SiO2)形成。可选地，当半导体层122由多晶硅制成时，栅极绝缘层130可由硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)形成。
在与半导体层122的中央对应的栅极绝缘层130上形成诸如金属之类的导电材料的栅极电极132。此外，可在栅极绝缘层130上形成栅极线和第一电容器电极。栅极线沿第一方向延伸，并且第一电容器电极连接至栅极电极132。
在本发明的实施方式中，栅极绝缘层130形成在基板110的整个表面上方。然而，栅极绝缘层130可被图案化为具有与栅极电极132相同的形状。
在基板110的基本整个表面上方，在栅极电极132上形成由绝缘材料制成的层间绝缘层140。层间绝缘层140可由诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)之类的无机绝缘材料形成。可选地，层间绝缘层140可由诸如光学丙烯酸(phto acryl)或苯并环丁烯之类的有机绝缘材料形成。
层间绝缘层140具有暴露半导体层122的两端的顶表面的第一接触孔140a和第二接触孔140b。第一接触孔140a和第二接触孔140b设置在栅极电极132的两侧并且与栅极电极132分隔开。第一接触孔140a和第二接触孔140b也形成在栅极绝缘层130中。可选地，当栅极绝缘层130被图案化为具有与栅极电极132相同的形状时，第一接触孔140a和第二接触孔140b仅形成在层间绝缘层140中。
在层间绝缘层140上形成诸如金属之类的导电材料的源极电极142和漏极电极144。此外，可在层间绝缘层140上进一步形成电源线和第二电容器电极。
源极电极142和漏极电极144彼此分隔开并且栅极电极132位于它们之间，源极电极142和漏极电极144分别通过第一接触孔140a和第二接触孔140b与半导体层122的两端接触。数据线沿第二方向延伸并且与栅极线交叉，由此限定像素区域。用于提供高电压的电源线与数据线分隔开。第二电容器电极连接至漏极电极144。第二电容器电极与第一电容器电极在之间具有作为电介质的层间绝缘层140的情况下交叠，由此构成存储电容器。可选地，第一电容器电极可连接至漏极电极144，并且第二电容器电极可连接至栅极电极132。
半导体层122、栅极电极132、源极电极142和漏极电极144形成薄膜晶体管Tr。薄膜晶体管Tr具有共面结构，其中相对于半导体层122，栅极电极132与源极电极142和漏极电极144位于同一侧。
可选地，薄膜晶体管Tr可具有反向交错结构，其中相对于半导体层，栅极电极与源极电极和漏极电极位于不同侧。就是说，栅极电极可设置在半导体层的下方，源极电极和漏极电极可设置在半导体层的上方。半导体层可由氧化物半导体或非晶硅形成。
薄膜晶体管Tr对应于图1的驱动薄膜晶体管Td，并且可在基板110上的像素区域中进一步形成具有与驱动薄膜晶体管Td相同结构的图1的开关薄膜晶体管Ts。驱动薄膜晶体管Td的栅极电极132可连接至开关薄膜晶体管的漏极电极，并且驱动薄膜晶体管Td的源极电极142可连接至电源线。此外，开关薄膜晶体管的栅极电极和源极电极可分别连接至栅极线和数据线。
可在基板110上的像素区域中进一步形成具有与驱动薄膜晶体管Td相同结构的感测薄膜晶体管，但本发明不限于此。
在基板110的基本整个表面上方，在源极电极142和漏极电极144上形成绝缘材料的钝化层150。钝化层150可由诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)之类的无机绝缘材料形成。
在基板110的基本整个表面上方，在钝化层150上形成绝缘材料的涂覆层(overcoat layer)155。涂覆层155可由诸如光学丙烯酸或苯并环丁烯之类的有机绝缘材料形成。涂覆层155可具有平坦的顶表面。
涂覆层155和钝化层150具有暴露漏极电极144的漏极接触孔155a。漏极接触孔155a可与第二接触孔140b分隔开。可选地，漏极接触孔155a可设置在第二接触孔140b的正上方。
在涂覆层155上形成由具有相对较高功函数的导电材料形成的第一电极162。第一电极162设置在像素区域中并且通过漏极接触孔155a与漏极电极144接触。例如，第一电极162可由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料形成，但不限于此。
根据本发明实施方式的电致发光显示装置是顶部发光型，其中发光二极管De的光朝向与基板110相反的方向输出。因此，第一电极162可进一步包括在透明导电材料下方的由具有相对较高反射率的金属材料形成的反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可由铝-钯-铜(APC)合金、银(Ag)或铝(Al)形成。第一电极162可具有ITO/APC/ITO、ITO/Ag/ITO或ITO/Al/ITO的三层结构，但不限于此。
在第一电极162上形成绝缘材料的堤部。堤部可包括亲水特性的第一堤部172和疏水特性的第二堤部174。
更具体地，第一堤部172与第一电极162的边缘交叠并覆盖第一电极162的边缘，并且第一堤部172暴露第一电极162的中央部分。第一堤部172可由具有亲水特性的材料，例如，诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)之类的无机绝缘材料形成。可选地，第一堤部172可由聚酰亚胺形成。
第二堤部174形成在第一堤部172上。此时，第二堤部174的至少上表面是疏水性的，第二堤部174的侧表面可以是疏水性或亲水性的。
第二堤部174具有比第一堤部172窄的宽度，设置在第一堤部172上并且暴露第一堤部172的边缘。第二堤部174的厚度可大于第一堤部172的厚度。第二堤部174可与第一电极162的边缘交叠。可选地，第二堤部174可与第一电极162分隔开而不交叠。
第二堤部174可由具有疏水特性的有机绝缘材料形成。可选地，第二堤部174可由具有亲水特性的有机绝缘材料形成并且可经受疏水处理。
同时，在图中未示出的第一电极162的其他边缘上可仅设置第一堤部172。此外，尽管在图2中的第一电极162的边缘上形成了第一堤部172和第二堤部174，但可省略第一堤部172，可以仅第二堤部174与第一电极162的边缘交叠并覆盖第一电极162的边缘。
在图2中，第一堤部172和第二堤部174分别由不同的材料形成。然而，亲水性的第一堤部172和疏水性的第二堤部174可由相同材料形成并且形成为一体。例如，在基板110的基本整个表面上方形成具有疏水性的上表面的有机材料层之后，可使用包括透光部、遮光部和半透光部的半色调掩模将有机材料层曝光并且可将其图案化，由此形成具有不同宽度和厚度的第一堤部172和第二堤部174。
此外，漏极接触孔155a与第一堤部172和第二堤部174分隔开，但不限于此。可选地，漏极接触孔155a可设置在第一堤部172和第二堤部174的正下方。
接着，在被第一堤部172和第二堤部174暴露的第一电极162上形成发光层180。
发光层180可包括顺序地位于第一电极160上方的第一电荷辅助层、发光材料层和第二电荷辅助层。发光材料层可由红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的任意一种形成，但不限于此。发光材料可以是诸如磷光化合物或荧光化合物之类的有机发光材料，或者可以是诸如量子点之类的无机发光材料。
第一电荷辅助层可以是空穴辅助层，空穴辅助层可包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一个。此外，第二电荷辅助层可以是电子辅助层，电子辅助层可包括电子注入层(EIL)和电子传输层(ETL)中的至少一个。然而，本发明不限于此。
通过溶液工艺形成发光层180。因而，可简化工艺并且可提供具有大尺寸和高清晰度的显示装置。可使用旋涂方法、喷墨印刷方法、或丝网印刷方法作为溶液工艺，但本发明不限于此。
当干燥溶液时，与第二堤部174相邻的区域中的溶剂的干燥速度与其他区域中的不同。就是说，与第二堤部174相邻的区域中的溶剂的干燥速度比其他区域中的快。因此，与第二堤部174相邻的区域中的发光层180的高度随着更靠近第二堤部174而升高。
同时，在发光层180的层之中，可通过热蒸镀工艺形成电子辅助层。此时，电子辅助层可形成在基板110的基本整个表面上方。
在基板110的基本整个表面上方，在发光层180上形成具有相对较低功函数的导电材料的第二电极190。第二电极190可由铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)或其合金形成。第二电极190具有相对较薄的厚度，使得来自发光层180的光可透过其中。可选地，第二电极190可由诸如氧化铟镓(IGO)之类的透明导电材料形成，但不限于此。
第一电极162、发光层180和第二电极190构成发光二极管De。第一电极162可用作阳极，第二电极190可用作阴极，但不限于此。
如上所述，根据本发明实施方式的电致发光显示装置可以是顶部发光型，其中来发光二极管De的发光层180的光朝向与基板110相反的方向输出，即，通过第二电极190输出到外部。顶部发光型显示装置可具有比相同尺寸的底部发光型显示装置更宽的发光区域，由此提高亮度并降低功耗。
每个像素区域的发光二极管De可具有与发射的光的波长对应的用于微腔效应的元件厚度，由此增加光效率。在此，元件厚度可定义为第一电极162与第二电极190之间的距离，但不限于此。
此外，可在基板110的基本整个表面上方，在第二电极190上形成保护层和/或封装层，以阻挡从外部引入的湿气或氧气，由此保护发光二极管De。
如上所述，在根据本发明实施方式的电致发光显示装置中，通过经由溶液工艺形成发光层180中的一些层，省略了精细金属掩模，由此降低了制造成本，并且可实现具有大尺寸和高清晰度的显示装置。
顺便说一下，当通过溶液工艺形成发光层180时，在多个子像素的每一个中一次滴入溶液，为此，针对各个子像素使用不同的喷嘴。然而，由于喷嘴的滴入量的偏差，形成在每个子像素中的薄膜的厚度发生变化。因此，在本发明中，相同颜色子像素的发光层180彼此相连而形成为一体。因而，喷嘴的滴入量的偏差被最小化，形成在各个子像素中的发光层180的厚度能够是均匀的。
将参照图3描述根据本发明第一实施方式的电致发光显示装置的构造。
图3是根据本发明第一实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图，主要显示了堤部构造。
在图3中，根据本发明第一实施方式的电致发光显示装置1000包括显示图像的显示区域DA和设置在显示区域DA外部的非显示区域NDA。在此，非显示区域NDA被示出为设置在显示区域DA的上侧和下侧，但不限于此。可选地，非显示区域NDA可设置在显示区域DA的左侧和右侧。
在显示区域DA中，设置有红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B。红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B沿第一方向顺序地布置，并且相同颜色的子像素R、G和B沿第二方向布置。例如，R子像素、G子像素和B子像素依次沿第一方向(例如，水平方向)重复布置，而R子像素的列、G子像素的列和B子像素的列依次沿第二方向(例如，垂直方向)重复布置。在此，示出了红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B的每一个具有矩形形状，但不限于此。红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B的每一个可具有各种形状，比如具有圆化的角部的矩形形状、椭圆形形状等。
具有亲水特性的第一堤部172设置在相邻的相同颜色子像素R、G、B之间以及相邻的不同颜色子像素R、G、B之间。可选地，在相邻的不同颜色子像素R、G、B之间可省略第一堤部172。就是说，第一堤部172可形成在沿第二方向相邻的子像素R、G、B之间并且可沿第一方向延伸。
此外，第一堤部172也设置在非显示区域NDA中并且可形成为包围全部子像素R、G和B。
具有疏水特性的第二堤部174设置在第一堤部172上。在显示区域DA中，第二堤部174具有与相同颜色子像素列对应的开口176并且设置在相邻的不同颜色子像素R、G、B之间。因此，开口176沿第二方向延伸，并且开口176具有比第一方向的长度，即宽度大的第二方向的长度。换句话说，开口176具有与第一方向平行的短边和与第二方向平行的长边。此时，第二堤部174可具有比相邻的不同颜色子像素R、G、B之间的第一堤部172窄的宽度。
此外，第二堤部174也设置在非显示区域NDA中，并且第二堤部174的开口176延伸到非显示区域NDA中。在此，可与非显示区域NDA中的第二开口176对应地设置至少一个不平坦图案(uneven pattern)(未示出)，这将在下文详细描述。
同时，尽管图中未示出，但可在非显示区域NDA中设置多个虚拟子像素，并且第二堤部174的开口176可形成为对应于虚拟子像素。此时，可在每个子像素列的上侧和下侧的每一侧设置一个或多个虚拟子像素。除了连接结构之外，虚拟子像素可具有与红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B相同的构造。可选地，虚拟子像素可具有与红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B不同的构造。
将参照图4和图5描述根据本发明第一实施方式的电致发光显示装置1000的剖面结构。
图4是与图3的线I-I’对应的剖面图，图5是与图3的线II-II’对应的剖面图。
如图4和图5中所示，在根据本发明第一实施方式的电致发光显示装置1000中，在基板110上限定有显示区域DA和非显示区域NDA，并且在显示区域DA中限定有分别对应于红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B的多个像素区域P。缓冲层120形成在基板110的基本整个表面上，并且缓冲层120既设置在显示区域DA中又设置在非显示区域NDA中。
接着，在每个像素区域P中的缓冲层120上形成薄膜晶体管Tr。在基板110的基本整个表面上方，在薄膜晶体管Tr上顺序地形成钝化层150和涂覆层155，并且钝化层150和涂覆层155既设置在显示区域DA中又设置在非显示区域NDA中。接着，在每个像素区域P中的涂覆层155上形成第一电极162。
在此，薄膜晶体管Tr可具有图2中所示的构造，但不限于此。此外，尽管图中未示出，但在缓冲层120与钝化层150之间可进一步形成栅极绝缘层和层间绝缘层。
在每个像素区域P中，涂覆层155与钝化层150一起具有暴露薄膜晶体管Tr的一部分，即，漏极电极的漏极接触孔155a。第一电极162通过漏极接触孔155a接触薄膜晶体管Tr的漏极电极。
此外，在非显示区域NDA中的涂覆层155上形成至少一个不平坦图案200。不平坦图案200可由诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)之类的无机绝缘材料形成。然而，本发明不限于此，不平坦图案200可由金属材料形成。
优选的是，不平坦图案200的厚度等于或大于30nm。此外，不平坦图案200的厚度可等于或小于500nm，但不限于此。
另一方面，当在非显示区域NDA中设置虚拟子像素时，可在每个虚拟子像素中的缓冲层120和钝化层150之间形成与像素区域P的薄膜晶体管Tr具有相同构造的虚拟薄膜晶体管，并且可在每个虚拟子像素中的涂覆层155上形成虚拟电极。此时，不平坦图案200可形成在虚拟电极上。在此，钝化层150和涂覆层155不具有暴露虚拟子像素中的虚拟薄膜晶体管的漏极接触孔，因而在虚拟子像素中，虚拟电极不连接至虚拟薄膜晶体管。
然而，虚拟子像素的构造不限于此。例如，可省略虚拟薄膜晶体管和虚拟电极中的至少一个。
在第一电极162上形成具有亲水特性的第一堤部172。第一堤部172与第一电极162的边缘交叠并覆盖第一电极162的边缘。第一堤部172形成在相邻的相同颜色子像素R、G、B之间以及相邻的不同颜色子像素R、G、B之间。可选地，在相邻的不同颜色子像素R、G、B之间可省略第一堤部172，第一堤部172可仅设置在相邻的相同颜色子像素R、G、B之间。
此外，第一堤部172可形成在基本整个非显示区域NDA上并且可覆盖不平坦图案200。此时，非显示区域NDA的第一堤部172的顶表面由于不平坦图案200而具有凹凸部(uneveness)。可选地，在非显示区域NDA中可去除第一堤部172，可暴露不平坦图案200。
同时，当在非显示区域NDA中设置虚拟子像素时，第一堤部172可与虚拟电极的边缘交叠并覆盖虚拟电极的边缘，并且暴露虚拟电极的中央部分。
第一堤部172可由具有亲水特性的材料，例如，诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)之类的无机绝缘材料形成。可选地，第一堤部172可由聚酰亚胺形成。
在第一堤部172上形成具有疏水特性的第二堤部174。第二堤部174具有比第一堤部172厚的厚度。第二堤部174仅形成在相邻的不同颜色子像素R、G、B之间，不形成在相邻的相同颜色子像素R、G、B之间。第二堤部174的宽度比相邻的不同颜色子像素R、G、B之间的第一堤部172的宽度窄。
第二堤部174具有与相同颜色子像素列对应的开口176并且通过开口176暴露相同颜色子像素列的第一电极162和相邻第一电极162之间的第一堤部172。此外，开口176延伸到非显示区域NDA中并且暴露不平坦图案200上的第一堤部172。
在此，当在相邻的不同颜色子像素R、G、B之间省略第一堤部172时，第二堤部174与图4的每个第一电极162的边缘接触和交叠并且覆盖图4的每个第一电极162的边缘。
第二堤部174可由具有疏水特性的有机绝缘材料形成。可选地，第二堤部174可由具有亲水特性的有机绝缘材料形成并且可经受疏水处理。
第一堤部172和第二堤部174可由相同材料形成并且形成为一体。此时，可通过半色调掩模工艺形成第一堤部172和第二堤部174。
在每个像素区域P中的通过第二堤部174的开口176暴露的第一电极162上形成发光层180。在此，在红色子像素R中形成红色发光层，在绿色子像素G中形成绿色发光层，并且在蓝色子像素B中形成蓝色发光层。
此外，发光层180也形成在相邻的相同颜色子像素R、G、B之间的通过第二堤部174的开口176暴露的第一堤部172上。就是说，在图5中，绿色发光层180也形成在相邻的绿色子像素G之间的通过第二堤部174的开口176暴露的第一堤部172上。此时，第一堤部172上的发光层180连接至与其相邻的每个像素区域P中的第一电极162上的发光层180，由此形成为一体。
同时，如上所述，第二堤部174的开口176延伸到非显示区域NDA中，因而发光层180也形成在非显示区域NDA中。非显示区域NDA的发光层180连接至显示区域DA的像素区域P的发光层180，由此形成为一体。此时，第二堤部174的开口176暴露非显示区域NDA的不平坦图案200上的第一堤部172，发光层180形成在非显示区域NDA的第一堤部172上。
在此，由于第一堤部172的顶表面具有凹凸部，所以与第一堤部172的顶表面接触的发光层180的底表面也具有凹凸部。此时，发光层180的底表面的凹部对应于第一堤部172的顶表面的凸部，发光层180的底表面的凸部对应于第一堤部172的顶表面的凹部。
可选地，在非显示区域NDA中可去除第一堤部172。在这种情况下，第二堤部174的开口176可暴露非显示区域NDA的不平坦图案200和涂覆层155，并且发光层180可与非显示区域NDA的不平坦图案200和涂覆层155接触。
此时，由于不平坦图案200，发光层180的底表面可具有凹凸部，发光层180的底表面的凹部可对应于不平坦图案200，发光层180的底表面的凸部可对应于相邻不平坦图案200之间的区域。
通过溶液工艺形成发光层180。在此，通过不同喷嘴滴入与相同颜色子像素，例如，绿色子像素列对应的各个像素区域P中的溶液彼此相连，并且通过将溶液干燥形成发光层180。因此，喷嘴之间的滴入量的偏差被最小化，形成在各个像素区域P中的发光层180的厚度能够是均匀的。
此时，由于对应于非显示区域NDA的发光层180下方的构造，即，第一堤部172的顶表面因不平坦图案200而配置成具有凹凸部，所以非显示区域NDA中的发光层180和第一堤部172之间的接触面积增加，并且发光层180和第一堤部172之间的粘附力和摩擦力增加。因此，防止了滴入开口176中的溶液集中到显示区域DA的中央。
接着，在发光层180和第二堤部174上形成第二电极190。在此，第二电极190也形成在第二堤部174的顶表面和侧表面上并且与第二堤部174的顶表面和侧表面接触。
第一电极162、发光层180和第二电极190构成发光二极管De。
如上所述，在根据本发明第一实施方式的电致发光显示装置1000中，相同颜色子像素R、G、B的发光层180彼此相连形成为一体，由此将喷嘴之间的滴入量的偏差最小化并且均匀地形成子像素R、G、B的发光层180的厚度。因此，可防止云纹，由此防止显示装置的图像质量降低。
此外，对应于非显示区域NDA的发光层180下方的第一堤部172的顶表面因不平坦图案200而具有凹凸部，并且非显示区域NDA中的发光层180和第一堤部172之间的粘附力和摩擦力增加。因此，可防止滴入开口176中的溶液集中到显示区域DA的中央，由此防止在设置于相同颜色子像素列的两端的像素区域P中未形成发光层180的问题。
将参照图6详细描述根据本发明第一实施方式的不平坦图案。
图6是根据本发明第一实施方式的电致发光显示装置的示意性放大平面图，其显示了图3的区域A1。
在图6中，限定有显示区域DA和非显示区域NDA，并且具有亲水特性的第一堤部172形成为围绕显示区域DA的每个子像素B。可选地，第一堤部172可仅设置在每个子像素B的上侧和下侧。
此外，第一堤部172形成在基本整个非显示区域NDA上。可选地，在非显示区域NDA中可去除第一堤部172。
具有疏水特性的第二堤部174形成在第一堤部172上。第二堤部174具有对应于相同颜色子像素列的开口176。
开口176包括设置在显示区域DA中的第一部分176a和设置在非显示区域NDA中的第二部分176b。开口176具有沿第一方向的宽度和沿与第一方向垂直的第二方向的长度。
此时，开口176的第一部分176a的长度对应于沿第二方向布置的相同颜色子像素列的长度，第二部分176b的长度大于每个子像素B沿第二方向的长度。第二部分176b的长度可以是子像素B的长度的10倍或更小，有利地是，可以大于等于子像素B的长度的5倍并且小于等于子像素B的长度的10倍。例如，第二部分176b的长度可以是1mm或更大，但不限于此。
此外，开口176的第一部分176a和第二部分176b可具有相同宽度。
同时，在非显示区域NDA中形成有多个不平坦图案200。不平坦图案200可设置在第一堤部172的下方。可选地，在非显示区域NDA中可去除第一堤部172，可暴露不平坦图案200。
不平坦图案200沿第一方向延伸并且沿第二方向彼此分隔开。因此，每个不平坦图案200具有沿第一方向的长度和沿第二方向的宽度。
不平坦图案200可具有相同长度。可选地，不平坦图案200可具有不同长度，并且不平坦图案200的长度可随着沿第二方向远离开口176的第一部分176a而增加或减小。
不平坦图案200的长度可大于0且等于或小于像素节距p1。在此，像素节距p1是每个子像素列的节距，并且可以是沿第一方向相邻的两个子像素的中心之间的距离。当不平坦图案200的长度与像素节距p1相同时，不平坦图案200可分别连接至沿第一方向与其相邻的其他不平坦图案。
此外，不平坦图案200可具有相同宽度。可选地，不平坦图案200可具有不同宽度，并且不平坦图案200的宽度可随着沿第二方向远离开口176的第一部分176a而增加或减小。例如，不平坦图案200的宽度可以是10μm或更大。此外，不平坦图案200的宽度可以是40μm或更小，但不限于此。
沿第二方向相邻的不平坦图案200之间的距离可相同。可选地，相邻的不平坦图案200之间的距离可随着沿第二方向远离开口176的第一部分176a而增加或减小。例如，相邻的不平坦图案200之间的距离可以是10μm或更大。此外，相邻的不平坦图案200之间的距离可以是40μm或更小，但不限于此。
此时，随着远离开口176的第一部分176a，不平坦图案200的长度可减小，不平坦图案200的宽度可减小，或者相邻的不平坦图案200之间的距离可减小，由此在开口176的两端处进一步增加滴入开口176中的溶液与其下方的下层之间的接触面积。因此，可进一步防止溶液集中到显示区域DA的中央。
如上所述，在根据第一实施方式的电致发光显示装置1000中，由于对应于非显示区域NDA的开口176设置不平坦图案200并且在非显示区域NDA中滴入开口176中的溶液与下层之间的粘附力和摩擦力增加，所以可防止滴入开口176中的溶液集中到显示区域DA的中央。
将参照图7A至图7F详细描述包括不平坦图案的电致发光显示装置的其他示例。
图7A至图7F是根据本发明第一实施方式的电致发光显示装置的其他示例的示意性放大平面图。与图6相同的部分由相同的参考标记表示，并且将缩短或省略对相同部分的说明。
在图7A中，不平坦图案200a可沿与第一方向和第二方向交叉的第三方向延伸。就是说，不平坦图案200a可形成为相对于第一方向或第二方向具有预定角度。
与图6的不平坦图案200相比，图7A的不平坦图案200a在非显示区域NDA中增加了滴入开口176中的溶液与下层之间的接触面积，因而可进一步防止滴入开口176中的溶液集中到显示区域DA的中央。
不平坦图案200a可具有相同长度。可选地，不平坦图案200a可具有不同长度，并且不平坦图案200a的长度可随着沿第二方向远离开口176的第一部分176a而增加或减小。
此外，不平坦图案200a可具有相同宽度。可选地，不平坦图案200a可具有不同宽度，并且不平坦图案200a的宽度可随着沿第二方向远离开口176的第一部分176a而增加或减小。
此外，相邻的不平坦图案200a之间的距离可相同。可选地，相邻的不平坦图案200a之间的距离可随着沿第二方向远离开口176的第一部分176a而增加或减小。
此时，随着远离开口176的第一部分176a，不平坦图案200a的长度可减小，不平坦图案200a的宽度可减小，或者相邻的不平坦图案200a之间的距离可减小，由此在开口176的两端处进一步增加滴入开口176中的溶液与下层之间的接触面积。因此，可进一步防止溶液集中到显示区域DA的中央。
同时，不平坦图案200a可分别连接至与沿第一方向与其相邻的子像素列对应的其他不平坦图案。
接着，在图7B和图7C中，不平坦图案200b和200c的每一个可具有至少一个弯折部。不平坦图案200b和200c大致沿第一方向延伸并且沿第二方向彼此分隔开。
如图7B中所示，不平坦图案200b的弯折部可设置成沿第二方向朝向开口176的中央突出。可选地，如图7C中所示，不平坦图案200c的弯折部可设置成沿第二方向朝向开口176的边缘突出。
与图6的不平坦图案200相比，图7B和图7C的不平坦图案200b和200c在非显示区域NDA中增加了滴入开口176中的溶液与下层之间的接触面积，因而可进一步防止滴入开口176中的溶液集中到显示区域DA的中央。
不平坦图案200b和200c可具有相同长度。可选地，不平坦图案200b和200c可具有不同长度，并且不平坦图案200b和200c的长度可随着沿第二方向远离开口176的第一部分176a而增加或减小。
此外，不平坦图案200b和200c可具有相同宽度。可选地，不平坦图案200b和200c可具有不同宽度，并且不平坦图案200b和200c的宽度可随着沿第二方向远离开口176的第一部分176a而增加或减小。
此外，相邻的不平坦图案200b和200c之间的距离可相同。可选地，相邻的不平坦图案200b和200c之间的距离可随着沿第二方向远离开口176的第一部分176a而增加或减小。
此时，随着远离开口176的第一部分176a，不平坦图案200b和200c的长度可减小，不平坦图案200b和200c的宽度可减小，或者相邻的不平坦图案200b和200c之间的距离可减小，由此在开口176的两端处进一步增加滴入开口176中的溶液与下层之间的接触面积。因此，可进一步防止溶液集中到显示区域DA的中央。
同时，不平坦图案200b和200c可分别连接至与沿第一方向与其相邻的子像素列对应的其他不平坦图案。
如图7D中所示，每个不平坦图案200d可具有两个弯折部。不平坦图案200d大致沿第一方向延伸并且沿第二方向彼此分隔开。因此，一个弯折部沿第二方向朝向开口176的中央突出，并且另一个弯折部沿第二方向朝向开口176的边缘突出。
与图6的不平坦图案200相比，图7D的不平坦图案200d在非显示区域NDA中增加了滴入开口176中的溶液与下层之间的接触面积，因而可进一步防止滴入开口176中的溶液集中到显示区域DA的中央。
不平坦图案200d可具有相同长度。可选地，不平坦图案200d可具有不同长度，并且不平坦图案200d的长度可随着沿第二方向远离开口176的第一部分176a而增加或减小。
此外，不平坦图案200d可具有相同宽度。或者，不平坦图案200d可具有不同宽度，并且不平坦图案200d的宽度可随着沿第二方向远离开口176的第一部分176a而增加或减小。
此外，相邻的不平坦图案200d之间的距离可相同。可选地，相邻的不平坦图案200d之间的距离可随着沿第二方向远离开口176的第一部分176a而增加或减小。
此时，随着远离开口176的第一部分176a，不平坦图案200d的长度可减小，不平坦图案200d的宽度可减小，或者相邻的不平坦图案200d之间的距离可减小，由此在开口176的两端处进一步增加滴入开口176中的溶液与下层之间的接触面积。因此，可进一步防止溶液集中到显示区域DA的中央。
同时，不平坦图案200d可分别连接至与沿第一方向与其相邻的子像素列对应的其他不平坦图案。
如图7E中所示，每个不平坦图案200e可大致具有菱形形状并且可沿第二方向彼此分隔开。此时，每个不平坦图案200e的对角线可具有比开口176的宽度小的长度。
在图7E中，描述了在开口176的第二部分176b中沿第一方向设置一个不平坦图案200e，但不限于此。可选地，可在开口176的第二部分176b中沿第一方向设置两个或更多个不平坦图案200e。
不平坦图案200e可具有相同尺寸。可选地，不平坦图案200e可具有不同尺寸，并且不平坦图案200e的尺寸可随着沿第二方向远离开口176的第一部分176a而增加或减小。
此外，相邻的不平坦图案200e之间的距离可相同。可选地，相邻的不平坦图案200e之间的距离可随着沿第二方向远离开口176的第一部分176a而增加或减小。
此时，随着远离开口176的第一部分176a，不平坦图案200e的尺寸可减小，或者相邻的不平坦图案200e之间的距离可减小，由此在开口176的两端处进一步增加滴入开口176中的溶液与下层之间的接触面积。因此，可进一步防止溶液集中到显示区域DA的中央。
如图7F中所示，不平坦图案200可沿第一方向延伸并且可沿第二方向彼此分隔开，并且开口176可在显示区域DA和非显示区域NDA中具有不同的宽度。
就是说，开口176包括设置在显示区域DA中的第一部分176a和设置在非显示区域NDA中的第二部分176c，并且第二部分176c的宽度可小于第一部分176a的宽度。
与图6的不平坦图案200相比，由于图7F的开口176包括具有比对应于显示区域DA的第一部分176a小的宽度的、对应于非显示区域NDA的第二部分176b，所以由于毛细管现象，可进一步防止滴入开口176中的溶液集中到显示区域DA的中央。
在本发明的第一实施方式中，描述了不平坦图案200形成在涂覆层上，但不限于此。不平坦图案200的位置可变化。
就是说，只要发光层下方的下层具有凹凸部，不平坦图案可形成在涂覆层下方。此时，不平坦图案可包括具有相对较高台阶差的一个或多个图案，并且一个或多个图案可彼此交叠。一个或多个图案可由附加的绝缘材料形成或者可由与线或电极相同的金属材料形成在与线或电极相同的层上。
同时，使用具有不同特性的发光材料形成分别设置在红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的红色发光二极管、绿色发光二极管和蓝色发光二极管。因而，红色发光二极管、绿色发光二极管和蓝色发光二极管具有不同的寿命和效率，并且由于发光二极管的寿命的差别，电致发光显示装置的寿命会降低。
因此，在本发明中，通过使红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的尺寸不同，可优化设置在各个子像素中的发光二极管的寿命和效率，由此解决电致发光显示装置的寿命降低问题并且提高电致发光显示装置的寿命。为此，将参照图8描述根据本发明第二实施方式的电致发光显示装置。
图8是根据本发明第二实施方式的电致发光显示装置的示意性放大平面图。第二实施方式的电致发光显示装置具有与第一实施方式的电致发光显示装置基本相同的构造，不同之处在于子像素的尺寸、开口的尺寸和不平坦图案。与第一实施方式相同的部分由相同的参考标记表示，并且将缩短或省略对相同部分的说明。
如图8中所示，在根据本发明第二实施方式的电致发光显示装置2000中，在显示区域DA中红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B沿第一方向顺序地设置。此外，尽管图中未示出，但沿与第一方向垂直的第二方向设置相同颜色的子像素R、G和B。
在此，红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B具有不同的尺寸。通过考虑设置在各个子像素中的发光二极管的寿命来确定红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B的尺寸。例如，绿色子像素G的尺寸可大于红色子像素R的尺寸并且小于蓝色子像素B的尺寸。此时，红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B可沿第二方向具有相同的长度并且可沿第一方向具有不同的宽度。绿色子像素G的宽度可大于红色子像素R的宽度并且小于蓝色子像素B的宽度。然而，本发明不限于此。
可通过第一堤部172和第二堤部174限定红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B。
更具体地，第一堤部172设置在相邻的相同颜色子像素R、G、B之间以及相邻的不同颜色子像素R、G、B之间。第一堤部172可围绕每个子像素R、G和B。
可选地，在相邻的不同颜色子像素R、G、B之间可省略第一堤部172。就是说，第一堤部172可仅形成在沿第二方向相邻的子像素R、G、B之间并且可沿第一方向延伸。
此外，第一堤部172形成在非显示区域NDA中。可选地，在非显示区域NDA中可去除第一堤部172。
接着，第二堤部174形成在第一堤部172上。第二堤部174具有与相同颜色子像素列对应的开口176并且设置在沿第一方向相邻的不同颜色子像素R、G、B之间。
在此，开口176包括分别对应于红色子像素R列、绿色子像素G列和蓝色子像素B列的第一开口1761、第二开口1762和第三开口1763。第一开口1761、第二开口1762和第三开口1763具有不同的宽度。例如，第二开口1762的宽度可大于第一开口1761的宽度并且小于第三开口1763的宽度，但不限于此。
第一开口1761、第二开口1762和第三开口1763延伸到非显示区域NDA中。因此，第一开口1761、第二开口1762和第三开口1763的每一个包括对应于显示区域DA的第一部分176a和对应于非显示区域NDA的第二部分176b。
第一开口1761、第二开口1762和第三开口1763的第二部分176b可具有与第一开口1761、第二开口1762和第三开口1763的第一部分176a相同的宽度。可选地，第一开口1761、第二开口1762和第三开口1763的第二部分176b可具有比第一开口1761、第二开口1762和第三开口1763的第一部分176a的宽度窄的宽度。
同时，在非显示区域NDA中形成有不平坦图案200。不平坦图案200可设置在第一堤部172下方。可选地，在非显示区域NDA中可去除第一堤部172，由此暴露不平坦图案200。
在此，不平坦图案200包括分别对应于第一开口1761、第二开口1762和第三开口1763的第一图案210、第二图案220和第三图案230。此时，第一图案210、第二图案220和第三图案230具有不同的数量。例如，第二图案220的数量大于第一图案210的数量并且小于第三图案230的数量，但不限于此。
不平坦图案200的数量可与开口176的宽度成比例。就是说，随着开口176的宽度增加，不平坦图案200的数量可增加。在此，随着开口176的宽度增加，溶液进一步集中到显示区域DA的中央。因此，通过增加不平坦图案200的数量，在非显示区域NDA中，滴入开口176中的溶液与下层之间的接触面积增加。
此外，第一图案210、第二图案220和第三图案230中的至少一个图案可彼此连接。例如，沿第二方向设置在两端的最外侧的第一图案210、第二图案220和第三图案230可彼此连接，但不限于此。
如上所述，在根据本发明第二实施方式的电致发光显示装置2000中，红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B配置成具有不同的尺寸，因而可优化设置在各个子像素中的发光二极管的寿命和效率。
此外，对应于非显示区域NDA的开口176设置不平坦图案200，并且不平坦图案200分别对应于红色子像素列、绿色子像素列和蓝色子像素列具有不同的数量。因此，可防止滴入与红色子像素列、绿色子像素列和蓝色子像素列的每一个对应的开口176中的溶液集中到显示区域DA的中央。
同时，在上面的实施方式中，描述了不平坦图案设置为附加的图案，但不平坦图案可进行各种配置。
图9是根据本发明第三实施方式的电致发光显示装置的示意性剖面图。第三实施方式的电致发光显示装置具有与第一实施方式的电致发光显示装置基本相同的构造，不同之处在于不平坦图案。与第一实施方式相同的部分由相同的参考标记表示，并且将缩短或省略对相同部分的说明。
如图9中所示，在根据本发明第三实施方式的电致发光显示装置3000中，不平坦图案可以是设置在第一堤部172的顶表面的凹陷部300。
更具体地，在基板110上限定有显示区域DA和非显示区域NDA，并且在显示区域DA中限定有分别对应于红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B的多个像素区域P。缓冲层120形成在基板110的基本整个表面上，并且在每个像素区域P中的缓冲层120上形成薄膜晶体管Tr。在基板110的基本整个表面上方在薄膜晶体管Tr上顺序地形成钝化层150和涂覆层155，并且在每个像素区域P中的涂覆层155上形成第一电极162。第一电极162通过形成在涂覆层155和钝化层150中的漏极接触孔155a接触薄膜晶体管Tr的漏极电极。
接着，在第一电极162上形成具有亲水特性的第一堤部172。第一堤部172与第一电极162的边缘交叠并覆盖第一电极162的边缘。此外，第一堤部172形成在基本整个非显示区域NDA上。
在非显示区域NDA中，第一堤部172在其顶表面具有至少一个凹陷部300。因此，第一堤部172的顶表面在非显示区域NDA中具有凹凸部。
在此，凹陷部300的深度小于第一堤部172的厚度。凹陷部300可具有图6和图7A至图7E中所示的平面结构，但不限于此。
可通过形成第一堤部172的工艺形成凹陷部300，不需要附加的工艺来形成凹陷部300。就是说，可通过使用包括遮光部、透光部和半透光部的半色调掩模的光刻工艺形成具有凹陷部300的第一堤部172。此时，半色调颜色的半透光部对应于凹陷部300。
具有疏水特性的第二堤部174形成在第一堤部172上。第二堤部174具有与相同颜色子像素列对应的开口176，并且开口176延伸到非显示区域NDA中。
开口176包括设置在显示区域DA中的第一部分176a和设置在非显示区域NDA中的第二部分176b。开口176的第一部分176a暴露相同颜色子像素列的第一电极162以及相邻第一电极162之间的第一堤部172，第二部分176b暴露具有凹陷部300的第一堤部172。
在每个像素区域P中的通过第二堤部174的开口176暴露的第一电极162上形成发光层180。此时，发光层180也形成在相邻的相同颜色子像素R、G、B之间的通过开口176的第一部分176a暴露的第一堤部172上，并且第一堤部172上的发光层180连接至与其相邻的像素区域P中的第一电极162上的发光层180，由此形成为一体。
此外，发光层180也形成在非显示区域NDA中的通过开口176的第二部分176b暴露的第一堤部172上。非显示区域NDA的发光层180连接至显示区域DA的像素区域P的发光层180，由此形成为一体。
在此，由于第一堤部172的顶表面因凹陷部300而具有凹凸部，所以与第一堤部172的顶表面接触的发光层180的底表面也具有凹凸部。此时，发光层180的底表面的凹部对应于第一堤部172的顶表面的凸部，发光层180的底表面的凸部对应于第一堤部172的顶表面的凹部。
通过溶液工艺形成发光层180。在此，通过不同喷嘴滴入与相同颜色子像素对应的各个像素区域P中的溶液彼此相连，并且通过将溶液干燥形成发光层180。因此，喷嘴之间的滴入量的偏差被最小化，形成在各个像素区域P中的发光层180的厚度能够是均匀的。
此时，由于对应于非显示区域NDA的发光层180下方的构造，即，第一堤部172的顶表面因凹陷部300而配置成具有凹凸部，所以非显示区域NDA中的发光层180和第一堤部172之间的接触面积增加，并且发光层180和第一堤部172之间的粘附力和摩擦力增加。因此，防止了滴入开口176中的溶液集中到显示区域DA的中央。
接着，在发光层180和第二堤部174上形成第二电极190。第一电极162、发光层180和第二电极190构成发光二极管De。
在根据本发明第三实施方式的电致发光显示装置3000中，由于非显示区域NDA中的第一堤部172的顶表面和发光层180的底表面因凹陷部300而具有凹凸部并且通过形成第一堤部172的工艺形成凹陷部300，所以与其中通过附加工艺形成不平坦图案的第一实施方式相比，可减少制造工艺和成本。
图10是根据本发明第四实施方式的电致发光显示装置的示意性剖面图。第四实施方式的电致发光显示装置具有与第一实施方式的电致发光显示装置基本相同的构造，不同之处在于不平坦图案。与第一实施方式相同的部分由相同的参考标记表示，并且将缩短或省略对相同部分的说明。
如图10中所示，在根据本发明第四实施方式的电致发光显示装置4000中，不平坦图案可以是设置在第一堤部172中的孔400。
更具体地，在基板110上限定有显示区域DA和非显示区域NDA，并且在显示区域DA中限定有分别对应于红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B的多个像素区域P。缓冲层120形成在基板110的基本整个表面上，并且在每个像素区域P中的缓冲层120上形成薄膜晶体管Tr。在基板110的基本整个表面上方，在薄膜晶体管Tr上顺序地形成钝化层150和涂覆层155，并且在每个像素区域P中的涂覆层155上形成第一电极162。第一电极162通过形成在涂覆层155和钝化层150中的漏极接触孔155a接触薄膜晶体管Tr的漏极电极。
接着，在第一电极162上形成具有亲水特性的第一堤部172。第一堤部172与第一电极162的边缘交叠并覆盖第一电极162的边缘。此外，第一堤部172形成在基本整个非显示区域NDA上。
在非显示区域NDA中，第一堤部172具有至少一个孔400。因此，第一堤部172在非显示区域NDA中具有凹凸部，并且通过孔400暴露出涂覆层155的顶表面。
在此，孔400的深度与第一堤部172的厚度相同。孔400可具有图6和图7A至图7F中所示的平面结构，但不限于此。
可通过形成第一堤部172的工艺形成孔400，不需要额外的工艺来形成孔400。
具有疏水特性的第二堤部174形成在第一堤部172上。第二堤部174具有与相同颜色子像素列对应的开口176，并且开口176延伸到非显示区域NDA中。
开口176包括设置在显示区域DA中的第一部分176a和设置在非显示区域NDA中的第二部分176b。开口176的第一部分176a暴露相同颜色子像素列的第一电极162以及相邻第一电极162之间的第一堤部172，第二部分176b暴露具有孔400的第一堤部172。
在每个像素区域P中的通过第二堤部174的开口176暴露的第一电极162上形成发光层180。此时，发光层180也形成在相邻的相同颜色子像素R、G、B之间的通过开口176的第一部分176a暴露的第一堤部172上，并且第一堤部172上的发光层180连接至与其相邻的像素区域P中的第一电极162上的发光层180，由此形成为一体。
此外，发光层180也形成在非显示区域NDA中的通过开口176的第二部分176b暴露的第一堤部172上。非显示区域NDA的发光层180连接至显示区域DA的像素区域P的发光层180，由此形成为一体。
在此，由于第一堤部172因孔400而具有凹凸部，所以与第一堤部172接触的发光层180的底表面也具有凹凸部。此时，发光层180的底表面的凹部对应于第一堤部172的凸部，发光层180的底表面的凸部对应于第一堤部172的凹部，即，孔400。发光层180通过孔400与涂覆层155的顶表面接触。
通过溶液工艺形成发光层180。在此，通过不同喷嘴滴入与相同颜色子像素对应的各个像素区域P中的溶液彼此相连，并且通过将溶液干燥形成发光层180。因此，喷嘴之间的滴入量的偏差被最小化，形成在各个像素区域P中的发光层180的厚度能够是均匀的。
此时，由于对应于非显示区域NDA的发光层180下方的构造，即，第一堤部172因孔400而配置成具有凹凸部，所以非显示区域NDA中的发光层180和第一堤部172之间的接触面积增加，并且发光层180和第一堤部172之间的粘附力和摩擦力增加。因此，防止了滴入开口176中的溶液集中到显示区域DA的中央。
接着，在发光层180和第二堤部174上形成第二电极190。第一电极162、发光层180和第二电极190构成发光二极管De。
在根据本发明第四实施方式的电致发光显示装置4000中，由于非显示区域NDA中的发光层180的底表面和第一堤部172因孔400而具有凹凸部并且通过形成第一堤部172的工艺形成孔400，所以与其中通过附加工艺形成不平坦图案的第一实施方式相比，可减少制造工艺和成本。
图11A和图11B是根据本发明第五实施方式的电致发光显示装置的示意性剖面图。第五实施方式的电致发光显示装置具有与第一实施方式的电致发光显示装置基本相同的构造，不同之处在于不平坦图案。与第一实施方式相同的部分由相同的参考标记表示，并且将缩短或省略对相同部分的说明。
如图11A和图11B中所示，在根据本发明第五实施方式的电致发光显示装置5000中，不平坦图案可以是设置在涂覆层155的顶表面的凹陷部500。
更具体地，在基板110上限定有显示区域DA和非显示区域NDA，并且在显示区域DA中限定有分别对应于红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B的多个像素区域P。缓冲层120形成在基板110的基本整个表面上，并且在每个像素区域P中的缓冲层120上形成薄膜晶体管Tr。在基板110的基本整个表面上方，在薄膜晶体管Tr上顺序地形成钝化层150和涂覆层155，并且在每个像素区域P中的涂覆层155上形成第一电极162。第一电极162通过形成在涂覆层155和钝化层150中的漏极接触孔155a接触薄膜晶体管Tr的漏极电极。
此时，非显示区域NDA中的涂覆层155在其顶表面具有至少一个凹陷部500。因此，涂覆层155的顶表面在非显示区域NDA中具有凹凸部。
在此，凹陷部500的深度小于涂覆层155的厚度。凹陷部500可具有图6和图7A至图7F中所示的平面结构，但不限于此。
可通过形成涂覆层155的工艺形成凹陷部500，不需要附加的工艺来形成凹陷部500。就是说，可通过使用包括遮光部、透光部和半透光部的半色调掩模的光刻工艺形成凹陷部500。此时，半色调掩模的半透光部对应于凹陷部500。
在第一电极162上形成具有亲水特性的第一堤部172。第一堤部172与第一电极162的边缘交叠并覆盖第一电极162的边缘。此外，第一堤部172形成在基本整个非显示区域NDA上。
如图11A中所示，第一堤部172可形成在基本整个非显示区域NDA上。此时，由于非显示区域NDA中的涂覆层155的顶表面具有凹凸部，所以形成在涂覆层155上的第一堤部172的顶表面也具有凹凸部。
可选地，如图11B中所示，在非显示区域NDA中可去除第一堤部172。因此，在非显示区域NDA中可暴露具有凹凸部的涂覆层155的顶表面。
具有疏水特性的第二堤部174形成在第一堤部172上。第二堤部174具有与相同颜色子像素列对应的开口176，并且开口176延伸到非显示区域NDA中。
开口176包括设置在显示区域DA中的第一部分176a和设置在非显示区域NDA中的第二部分176b。开口176的第一部分176a暴露相同颜色子像素列的第一电极162以及相邻第一电极162之间的第一堤部172，第二部分176b暴露图11A中的具有凹凸部的第一堤部172的顶表面或图11B中的具有凹凸部的涂覆层155的顶表面。
在每个像素区域P中的通过第二堤部174的开口176暴露的第一电极162上形成发光层180。此时，发光层180也形成在相邻的相同颜色子像素R、G、B之间的通过开口176的第一部分176a暴露的第一堤部172上，并且第一堤部172上的发光层180连接至与其相邻的像素区域P中的第一电极162上的发光层180，由此形成为一体。
此外，发光层180也形成在非显示区域NDA中的通过开口176的第二部分176b暴露的图11A的第一堤部172上或图11B的涂覆层155上。非显示区域NDA的发光层180连接至显示区域DA的像素区域P的发光层180，由此形成为一体。在图11A中，非显示区域NDA的发光层180与第一堤部172接触；在图11B中，非显示区域NDA的发光层180与涂覆层155和第一堤部172接触。
在此，由于图11A的第一堤部172的顶表面或图11B的涂覆层155的顶表面具有凹凸部，所以与图11A的第一堤部172的顶表面或图11B的涂覆层155的顶表面接触的发光层180的底表面也具有凹凸部。此时，发光层180的底表面的凹部对应于图11A的第一堤部172的凸部或图11B的涂覆层155的凸部，发光层180的底表面的凸部对应于图11A的第一堤部172的凹部或图11B的涂覆层155的凹部。
通过溶液工艺形成发光层180。在此，通过不同喷嘴滴入与相同颜色子像素对应的各个像素区域P中的溶液彼此相连，并且通过将溶液干燥形成发光层180。因此，喷嘴之间的滴入量的偏差被最小化，形成在各个像素区域P中的发光层180的厚度能够是均匀的。
此时，由于对应于非显示区域NDA的发光层180下方的构造，即，图11A的涂覆层155和第一堤部172的顶表面或图11B的涂覆层155的顶表面因涂覆层155的凹陷部500而配置成具有凹凸部，所以非显示区域NDA中的发光层180和第一堤部172之间或发光层180和涂覆层155之间的接触面积增加，并且发光层180和第一堤部172之间或发光层180和涂覆层155之间的粘附力和摩擦力增加。因此，防止了滴入开口176中的溶液集中到显示区域DA的中央。
接着，在发光层180和第二堤部174上形成第二电极190。第一电极162、发光层180和第二电极190构成发光二极管De。
在根据本发明第五实施方式的电致发光显示装置5000中，由于非显示区域NDA中的第一堤部172和/或涂覆层155的顶表面以及发光层180的底表面因涂覆层155的凹陷部500而具有凹凸部并且通过形成涂覆层155的工艺形成凹陷部500，所以与其中通过附加工艺形成不平坦图案的第一实施方式相比，可减少制造工艺和成本。
同时，在根据本发明另一实施方式的电致发光显示装置中，非显示区域NDA的不平坦图案可以是设置在涂覆层155中的孔，但不限于此。
在本发明中，通过经由溶液工艺形成每个子像素的发光层，省略了精细金属掩模，由此降低了制造成本，并且可实现具有大尺寸和高清晰度的显示装置。
此外，相同颜色子像素的发光层彼此相连形成为一体，由此将喷嘴之间的滴入量的偏差最小化并且均匀地形成子像素的发光层的厚度。因此，可防止云纹，由此防止显示装置的图像质量降低。
此外，在非显示区域中设置不平坦图案，使得非显示区域的发光层的底表面具有凹凸部，并且非显示区域中的发光层和下层之间的接触面积增加。因此，可防止滴入开口中的溶液集中到显示区域的中央，由此防止在显示区域的边缘未形成发光层的问题。
此外，非显示区域的不平坦图案配置为第一堤部或涂覆层的凹陷部或孔，并且可在不增加制造工艺和成本的情况下形成不平坦图案。
此外，由于红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素配置为具有不同的尺寸，所以红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的寿命可以是一致的。对应于红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的不平坦图案配置为具有不同的数量，可防止对应于红色子像素列、绿色子像素列和蓝色子像素列的溶液因不同的尺寸而不同地集中到显示区域的中央。
对于所属领域技术人员来说显而易见的是，在不背离实施方式的精神或范围的情况下，可在本发明的装置中进行各种修改和变化。因而，本发明旨在涵盖落入所附权利要求书的范围及其等同范围内的对本发明的修改和变化。

Claims (14)

1.一种电致发光显示装置，包括：
基板，在所述基板上限定有显示图像的显示区域和设置在所述显示区域的外部的非显示区域；
多个子像素，所述多个子像素设置在所述基板上的显示区域中并且沿第一方向和第二方向布置；
发光二极管，所述发光二极管设置在所述多个子像素的每一个中并且包括第一电极、发光层和第二电极；
第一堤部，所述第一堤部设置在沿所述第二方向相邻的子像素之间并且与所述第一电极的边缘交叠；和
第二堤部，所述第二堤部设置在沿所述第一方向相邻的子像素之间并且具有与沿所述第二方向布置的子像素的列对应的开口，
其中所述开口包括对应于所述显示区域的第一部分和对应于所述非显示区域的第二部分，并且所述发光层在所述第二部分中的底表面具有凹凸部，并且
其中在所述非显示区域中的发光层的下方设置有不平坦图案。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述不平坦图案是设置在所述第一堤部的顶表面处的凹陷部。
3.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述不平坦图案是设置在所述第一堤部中的孔。
4.根据权利要求3所述的电致发光显示装置，还包括在所述基板与所述第一电极之间的涂覆层，其中在所述非显示区域中，所述发光层与所述涂覆层接触。
5.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，还包括在所述基板与所述第一电极之间的涂覆层，其中所述不平坦图案是设置在所述涂覆层的顶表面处的凹陷部。
6.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，还包括在所述基板与所述第一电极之间的涂覆层，其中所述不平坦图案形成在所述第一堤部与所述涂覆层之间。
7.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述不平坦图案包括多个图案，所述多个图案沿所述第一方向延伸并且沿所述第二方向彼此分隔开。
8.根据权利要求7所述的电致发光显示装置，其中所述不平坦图案具有至少一个弯折部。
9.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述开口包括分别对应于第一子像素列、第二子像素列和第三子像素列的第一开口、第二开口和第三开口，所述第一子像素列、所述第二子像素列和所述第三子像素列的每一个包括沿所述第二方向布置的多个子像素，
其中沿所述第一方向，所述第二子像素列的宽度大于所述第一子像素列的宽度并且小于所述第三子像素列的宽度，
其中分别对应于所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口的不平坦图案具有不同数量的图案。
10.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，其中对应于所述第二开口的图案的数量大于对应于所述第一开口的图案的数量并且小于对应于所述第三开口的图案的数量。
11.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述第一堤部具有亲水特性并且所述第二堤部具有疏水特性。
12.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述第一堤部和所述第二堤部形成为一体。
13.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述发光层形成在沿所述第二方向布置的子像素的第一电极上以及沿所述第二方向相邻的子像素之间的第一堤部上，由此形成为一体。
14.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，还包括在所述基板与所述第一电极之间的至少一个薄膜晶体管，并且所述第一电极连接至所述至少一个薄膜晶体管。
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