CN113035852A - 集成式MiniLED - Google Patents

Abstract

集成式MiniLED，涉及新型显示领域。应用于全彩化显示，设有封装基板、光学胶层和至少一个MiniLED发光芯片组；MiniLED发光芯片组内设至少3颗MiniLED芯片，最短波长MiniLED芯片与其相邻MiniLED芯片之间的距离小于其所属的MiniLED发光芯片组内其余MiniLED芯片相互间的距离；MiniLED发光芯片组设于封装基板的上表面；光学胶层将MiniLED发光芯片组包覆于其内部，光学胶层与封装基板上表面的部分区域粘合。将蓝光MiniLED芯片设于红光和绿光MiniLED芯片之间，提高取光效率，提高MiniLED发光芯片组发光的均匀性，从而提高MiniLED封装的光学品质。

Description

集成式MiniLED

技术领域

本发明涉及新型显示领域，尤其是涉及一种集成式MiniLED。

背景技术

新型显示产业是电子信息领域的引领型关键产业。LED显示一直是新型显示产业的重要组成部分，在大尺寸拼接显示屏领域有独特的优势。随着LED发光芯片技术的发展，LED芯片从传统的大尺寸芯片发展出了尺寸100微米附近的MiniLED芯片。基于该新型发光芯片技术，LED显示也从传统的小间距显示，向MiniLED显示发展。

MiniLED显示的最大特点在于，芯片尺寸缩小，芯片之间的间距可以大幅缩小，使得显示像素单元之间间距缩小，显示屏分辨率大幅提升。尤其是在4K8K新型显示需求的驱动下，MiniLED芯片的封装，也从传统的反射杯封装向多合一封装等方向发展，在同一个封装体内可以同时封装多组RGB芯片。随着封装集成度的提高，如何通过合理的MiniLED芯片排布，实现高光学品质的RGB MiniLED封装成为需要解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术存在的上述技术问题，提供能够实现高光学品质的一种集成式MiniLED。

集成式MiniLED，应用于全彩化显示，设有封装基板、光学胶层和至少一个MiniLED发光芯片组；所述MiniLED发光芯片组内设有至少3颗MiniLED芯片，最短波长MiniLED芯片与其相邻MiniLED芯片之间的距离小于其所属的MiniLED发光芯片组内其余MiniLED芯片相互之间的距离；所述MiniLED发光芯片组设置于封装基板的上表面；所述光学胶层将MiniLED发光芯片组包覆于其内部，同时光学胶层与封装基板上表面的部分区域粘合。

所述封装基板的下表面设有电极焊盘。

所述光学胶层的侧壁为向内倾斜的斜面。

在一优选的实施例中，所述MiniLED发光芯片组内的MiniLED芯片颗数为3颗，所述集成式MiniLED设有一个MiniLED发光芯片组，所述第一MiniLED芯片的发光波长为蓝光，第三MiniLED芯片的发光波长为红光，第二MiniLED芯片的发光波长为绿光，第一MiniLED芯片、第二MiniLED芯片、第三MiniLED芯片三者平行设置排成一行，所述第一MiniLED芯片设置于所述第二MiniLED芯片与第三MiniLED芯片之间。

在一优选的实施例中，所述MiniLED发光芯片组内的MiniLED芯片颗数为3颗，所述集成式MiniLED设有2个MiniLED发光芯片组，所述MiniLED发光芯片组之间的间距大于所述每个MiniLED发光芯片组内各MiniLED芯片之间的距离，所述第一MiniLED芯片的发光波长为蓝光，第三MiniLED芯片的发光波长为红光，第二MiniLED芯片的发光波长为绿光，MiniLED发光芯片组内第一MiniLED芯片、第二MiniLED芯片、第三MiniLED芯片三者平行设置排成一行，所述第一MiniLED芯片设置于所述第二MiniLED芯片与第三MiniLED芯片之间。

在一优选的实施例中，所述MiniLED发光芯片组内的MiniLED芯片颗数为3颗，所述集成式MiniLED设有4个MiniLED发光芯片组，4个MiniLED发光芯片组按照2行2列排布成一个阵列。

在一优选的实施例中，所述MiniLED发光芯片组设置于所述封装基板上表面，所述光学胶层将所述MiniLED发光芯片组包覆于其内部，所述光学胶层的侧壁为向内倾斜的斜面，位于MiniLED发光芯片组之间的光学胶层设有凹槽，所述凹槽的侧壁为斜面。

在一优选的实施例中，MiniLED芯片设有透明衬底层、第一半导体层、多量子阱发光层、第二半导体层、焊接电极，MiniLED芯片为倒装结构，焊接电极焊接在封装基板上，多量子阱发光层发出的光线穿过第一半导体层从透明衬底顶面出射，透明衬底层设置于MiniLED芯片的顶部。

在一优选的实施例中，所述第一MiniLED芯片的发光波长为蓝光，所述第一MiniLED芯片设有多量子阱发光层和图形化衬底层，所述多量子阱发光层由两种不同组分、厚度在纳米级的半导体层交替堆叠而成，所述两种半导体层的化学通式为AlxInyGazN(其中，x+y+z＝1，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)。

在一优选的实施例中，MiniLED芯片设有衬底层、第一半导体层、多量子阱发光层、第二半导体层、顶部电极，衬底层朝向封装基板，多量子阱发光层发出的光线穿过第二半导体层从MiniLED芯片上表面未被顶部电极遮挡的区域出射。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：借助蓝光MiniLED芯片对从其他临近射入其内部的光线有更强散射的特性，将蓝光MiniLED芯片设置于红光和绿光MiniLED芯片之间，一方面提高取光效率，另一方面提高MiniLED发光芯片组发光的均匀性，从而提高MiniLED封装的光学品质。

附图说明

图1为本发明实施例1的集成式MiniLED结构示意图。

图2为本发明实施例2的集成式MiniLED结构示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为实现预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。

实施例1

参见图1，集成式MiniLED，应用于全彩化显示，设有封装基板1、光学胶层2、MiniLED发光芯片组，所述MiniLED发光芯片组内设有第一MiniLED芯片3、第二MiniLED芯片4、第三MiniLED芯片5，所述第一MiniLED芯片3的发光波长最短，第三MiniLED芯片5的发光波长最长，第二MiniLED芯片4的发光波长介于第一MiniLED芯片3的发光波长与第三MiniLED芯片5的发光波长之间，所述第一MiniLED芯片3与紧邻的一颗MiniLED芯片之间的距离，小于其所属的MiniLED发光芯片组内其余MiniLED芯片相互之间的距离。

所述封装基板1下表面设有电极焊盘6，所述MiniLED发光芯片组设置于所述封装基板1上表面，所述光学胶层2将所述MiniLED发光芯片组包覆于其内部，同时所述光学胶层2与所述封装基板1上表面的部分区域粘合。

所述MiniLED发光芯片组内的MiniLED芯片颗数为3颗，所述集成式MiniLED设有一个MiniLED发光芯片组，所述第一MiniLED芯片3的发光波长为蓝光，第三MiniLED芯片5的发光波长为红光，第二MiniLED芯片4的发光波长为绿光，第一MiniLED芯片3、第二MiniLED芯片4、第三MiniLED芯片5三者平行设置排成一行，所述第一MiniLED芯片3设置于所述第二MiniLED芯片4与第三MiniLED芯片5之间。

所述MiniLED发光芯片组设置于所述封装基板1上表面，所述光学胶层2将所述MiniLED发光芯片组包覆于其内部，所述光学胶层2的侧壁21为向内倾斜的斜面。

MiniLED芯片设有透明衬底层、第一半导体层、多量子阱发光层、第二半导体层、焊接电极，MiniLED芯片为倒装结构，焊接电极焊接在封装基板1上，多量子阱发光层发出的光线穿过第一半导体层从透明衬底顶面出射，透明衬底层设置于MiniLED芯片的顶部。

所述第一MiniLED芯片3的发光波长为蓝光，所述第一MiniLED芯片3设有多量子阱发光层和图形化衬底层，所述多量子阱发光层由两种不同组分、厚度在纳米级的半导体层交替堆叠而成，所述两种半导体层的化学通式为AlxInyGazN(其中，x+y+z＝1，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)。

实施例2

参见图2，所述MiniLED发光芯片组内的MiniLED芯片颗数为3颗，所述集成式MiniLED设有2个MiniLED发光芯片组，所述MiniLED发光芯片组之间的间距大于所述每个MiniLED发光芯片组内各MiniLED芯片之间的距离，所述第一MiniLED芯片3的发光波长为蓝光，第三MiniLED芯片5的发光波长为红光，第二MiniLED芯片4的发光波长为绿光，MiniLED发光芯片组内第一MiniLED芯片3、第二MiniLED芯片4、第三MiniLED芯片5三者平行设置排成一行，所述第一MiniLED芯片3设置于所述第二MiniLED芯片4与第三MiniLED芯片5之间。

所述MiniLED发光芯片组设置于所述封装基板1上表面，所述光学胶层2将所述MiniLED发光芯片组包覆于其内部，所述光学胶层2的侧壁为向内倾斜21的斜面，位于MiniLED发光芯片组之间的光学胶层2设有凹槽7，所述凹槽7的侧壁为斜面。所述封装基板1下表面设有电极焊盘6。

实施例3

MiniLED芯片设有衬底层、第一半导体层、多量子阱发光层、第二半导体层、顶部电极，衬底层朝向封装基板1，多量子阱发光层发出的光线穿过第二半导体层从MiniLED芯片上表面未被顶部电极遮挡的区域出射。

其余与实施例1相同。

实施例4

所述MiniLED发光芯片组内的MiniLED芯片颗数为3颗，所述集成式MiniLED设有4个MiniLED发光芯片组，4个MiniLED发光芯片组按照2行2列排布成一个阵列。

其余与实施例2相同。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然而并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简介修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (10)

1.集成式MiniLED，其特征在于设有封装基板、光学胶层和至少一个MiniLED发光芯片组；MiniLED发光芯片组内设有至少3颗MiniLED芯片，最短波长MiniLED芯片与其相邻MiniLED芯片之间的距离小于其所属的MiniLED发光芯片组内其余MiniLED芯片相互之间的距离；所述MiniLED发光芯片组设置于封装基板的上表面；所述光学胶层将MiniLED发光芯片组包覆于其内部，光学胶层与封装基板上表面的部分区域粘合。

2.如权利要求1所述集成式MiniLED，其特征在于所述封装基板的下表面设有电极焊盘。

3.如权利要求1所述集成式MiniLED，其特征在于所述光学胶层的侧壁为向内倾斜的斜面。

4.如权利要求1所述集成式MiniLED，其特征在于所述集成式MiniLED设有1个MiniLED发光芯片组，所述MiniLED发光芯片组包括第一MiniLED芯片、第二MiniLED芯片和第三MiniLED芯片，第一MiniLED芯片的发光波长为蓝光，第三MiniLED芯片的发光波长为红光，第二MiniLED芯片的发光波长为绿光，第一MiniLED芯片、第二MiniLED芯片、第三MiniLED芯片三者平行设置排成一行，所述第一MiniLED芯片设置于第二MiniLED芯片与第三MiniLED芯片之间。

5.如权利要求1所述集成式MiniLED，其特征在于所述集成式MiniLED设有2个MiniLED发光芯片组；每个MiniLED发光芯片组内的MiniLED芯片颗数为3颗，所述MiniLED发光芯片组之间的间距大于所述每个MiniLED发光芯片组内各MiniLED芯片之间的距离，第一MiniLED芯片的发光波长为蓝光，第三MiniLED芯片的发光波长为红光，第二MiniLED芯片的发光波长为绿光，MiniLED发光芯片组内第一MiniLED芯片、第二MiniLED芯片、第三MiniLED芯片三者平行设置排成一行，所述第一MiniLED芯片设置于第二MiniLED芯片与第三MiniLED芯片之间。

6.如权利要求1所述集成式MiniLED，其特征在于所述集成式MiniLED设有4个MiniLED发光芯片组，4个MiniLED发光芯片组按照2行2列排布成一个阵列。

7.如权利要求5或6中任一所述集成式MiniLED，其特征在于所述MiniLED发光芯片组设置于封装基板上表面，所述光学胶层将所述MiniLED发光芯片组包覆于其内部，所述光学胶层的侧壁为向内倾斜的斜面，位于MiniLED发光芯片组之间的光学胶层设有凹槽，所述凹槽的侧壁为斜面。

8.如权利要求1所述集成式MiniLED，其特征在于所述MiniLED芯片设有透明衬底层、第一半导体层、多量子阱发光层、第二半导体层、焊接电极，MiniLED芯片为倒装结构，焊接电极焊接在封装基板上，多量子阱发光层发出的光线穿过第一半导体层从透明衬底顶面出射，透明衬底层设置于MiniLED芯片的顶部。

9.如权利要求4或5中任一所述集成式MiniLED，其特征在于所述第一MiniLED芯片的发光波长为蓝光，所述第一MiniLED芯片设有多量子阱发光层和图形化衬底层，所述多量子阱发光层由两种不同组分、厚度在纳米级的半导体层交替堆叠而成，两种半导体层的化学通式为AlxInyGazN(其中，x+y+z＝1，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)。

10.如权利要求1所述集成式MiniLED，其特征在于所述MiniLED芯片设有衬底层、第一半导体层、多量子阱发光层、第二半导体层、顶部电极，衬底层朝向封装基板，多量子阱发光层发出的光线穿过第二半导体层从MiniLED芯片上表面未被顶部电极遮挡的区域出射。

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