CN113029403A - 压力传感器及其制作方法、及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种压力传感器及其制作方法、及电子设备。其中，所述压力传感器包括：基底，所述基底的表面开设有凹槽；石墨烯感应层，所述石墨烯感应层设于所述基底设有所述凹槽的表面，并覆盖所述凹槽以形成压力腔；以及压电材料层，所述压电材料层设于所述石墨烯感应层背向所述基底的表面。本发明的技术方案能够提高压力传感器的灵敏度。

Description

压力传感器及其制作方法、及电子设备

技术领域

本发明涉及传感器技术领域，特别涉及一种压力传感器及其制作方法、及电子设备。

背景技术

近年来，石墨烯因其独特的二维蜂窝状结构，具备良好的电学特性和机械特性，被广泛应用于新型微纳器件，比如悬浮型石墨烯压力传感器。在悬浮型石墨烯压力传感器中，石墨烯薄作为压力感应层，在应变下表现出优异的压阻性能，能够承受高达25％的弹性应变，悬浮型石墨烯压力传感器的工作原理是当传感器腔内外有压力差时，石墨烯感应层会产生应变，其电阻率会发生变化，通过电阻率的变化便可判断压力的大小。但是，目前的悬浮式石墨烯压力传感器在工作过程中往往存在灵敏度较低的问题。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种压力传感器及其制作方法、及电子设备，旨在提高压力传感器的灵敏度。

为实现上述目的，本发明提出的压力传感器，包括：基底，所述基底的表面开设有凹槽；石墨烯感应层，所述石墨烯感应层设于所述基底设有所述凹槽的表面，并覆盖所述凹槽以形成压力腔；以及压电材料层，所述压电材料层设于所述石墨烯感应层背向所述基底的表面。

可选的实施例中，所述压电材料层中压电材料为锆钛酸铅；和/或，所述压电材料层的厚度范围为500nm-1000nm。

可选的实施例中，所述石墨烯感应层的厚度范围为0.3nm-0.4nm。

可选的实施例中，所述基底包括硅基底和设于所述硅基底表面的硅基底，所述凹槽开设于所述硅基底背向所述硅基底的表面，并贯穿所述硅基底的另一表面。

可选的实施例中，所述硅基底的厚度范围为0.5μm-1μm；和/或，所述硅基底的厚度范围为300μm-500μm。

可选的实施例中，所述压力传感器还包括电极，所述电极设于所述基底朝向所述石墨烯感应层的表面，且所述电极电性抵接于所述石墨烯感应层。

本发明还提出了一种压力传感器的制作方法，包括以下步骤：

制作一基底，并在所述基底的表面开设凹槽；

在所述基底设有所述凹槽的表面制作一层石墨烯感应层，使得所述石墨烯感应层覆盖所述凹槽以形成压力腔；

在所述石墨烯感应层背向所述基底的表面制作一层压电材料层，干燥后得到压力传感器。

可选的实施例中，在所述石墨烯感应层背向所述基底的表面制作一层压电材料层，干燥后得到压力传感器的步骤中，包括：

将锆钛酸铅纳米线溶解于有机醇溶剂中，得到锆钛酸铅膜液，

将所述锆钛酸铅膜液涂覆在所述石墨烯感应层背向所述基底的表面，干燥后得到压力传感器。

可选的实施例中，所述锆钛酸铅纳米线与所述有机醇溶剂的配比范围为(10mg-20mg):(10ml-15ml)；和/或，所述锆钛酸铅纳米线的直径范围为270nm-300nm。

可选的实施例中，所述制作一基底，并在所述基底的表面开设凹槽的步骤中，包括：

在硅基底的表面制作一层硅基底；

在所述硅基底背向所述硅基底的表面开设凹槽，使得所述凹槽贯穿所述硅基底的另一表面。

可选的实施例中，在所述基底设有所述凹槽的表面制作一层石墨烯感应层，使得所述石墨烯感应层覆盖所述凹槽以形成压力腔的步骤之后，还包括：

在所述基底朝向所述石墨烯感应层的表面制作电极，使得所述电极电性抵接于所述石墨烯感应层。

本发明还提出了一种电子设备，所述电子设备包括压力传感器，所述压力传感器包括：基底，所述基底的表面开设有凹槽；石墨烯感应层，所述石墨烯感应层设于所述基底设有所述凹槽的表面，并覆盖所述凹槽以形成压力腔；以及压电材料层，所述压电材料层设于所述石墨烯感应层背向所述基底的表面。

本发明的技术方案，压力传感器包括基底、石墨烯感应层及压电材料层，基底的表面开设有凹槽，石墨烯感应层设于基底设有凹槽的表面，并覆盖凹槽以形成压力腔，压电材料层设于石墨烯感应层背向基底的表面。如此的设置，当压力腔内外存在压力差时，石墨烯感应层会产生应变，其电阻率会发生变化，通过测量电阻率的变化便可判断压力的大小。由于石墨烯感应层的表面设置有压电材料层，二者于相接触的界面区域形成异质结构，一方面，压电材料层在压电效应下会产生极化电荷，极化电荷可作为离子化杂质来增加石墨烯感应层中载流子的散射，从而改变石墨烯感应层的电导率，使得石墨烯感应层的电阻变化量变大，进而提高压力传感器的灵敏度；另一方面，可以有效保护石墨烯感应层，以避免其受到周围环境中气体分子、杂质等的污染。同时，本发明的压力传感器稳定性较好，成品率较高，可广泛应用于大气压力感知等领域。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明压力传感器一实施例的剖视结构示意图；

图2为压力传感器的局部剖视结构示意图；

图3为本发明压力传感器的制作方法一实施例的步骤流程示意图；

图4为图3中步骤S30的细化步骤流程示意图；

图5为图3中步骤S10的细化步骤流程示意图；

图6为本发明压力传感器的制作方法另一实施例的步骤流程示意图。

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				100	压力传感器	13	压力腔
10	基底	20	石墨烯感应层
				11	硅基底	30	压电材料层
12	介质层	40	电极

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

另外，本发明各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

本发明提出一种压力传感器100。

参照图1，在本发明压力传感器100的一实施例中，压力传感器100包括：基底10，基底10的表面开设有凹槽；石墨烯感应层20，石墨烯感应层20设于基底10设有凹槽的表面，并覆盖凹槽以形成压力腔13；以及压电材料层30，压电材料层30设于石墨烯感应层20背向基底10的表面。

石墨烯因其独特的二维蜂窝状结构，具备良好的电学特性和机械特性，被广泛应用于新型微纳器件，比如悬浮型石墨烯压力传感器100。在悬浮型石墨烯压力传感器100中，石墨烯薄作为压力感应层，在应变下表现出优异的压阻性能，能够承受高达25％的弹性应变，悬浮型石墨烯压力传感器100的工作原理是当传感器腔内外有压力差时，石墨烯感应层20会产生应变，其电阻率会发生变化，通过电阻率的变化便可判断压力的大小。

本发明是在目前悬浮式石墨烯压力传感器100的基础上作的改进，在石墨烯感应层20的表面设置压电材料层30，压电材料层30具有压电效应，压电效应是指某些电介质在沿一定方向上受到外力的作用而变形时，其内部会发生极化现象，同时在它的两个相对表面上出现正负相反的电荷，当外力去掉后，其又重新恢复到不带电的状态。压电材料层30在压电效应下会产生极化电荷，极化电荷可作为离子化杂质来增加石墨烯感应层20中载流子的散射，从而改变石墨烯感应层20的电导率，使得石墨烯感应层20的电阻变化量变大，进而提高压力传感器100的灵敏度。

需要说明的是，这里凹槽可选为方形槽，也即压力腔13为方形腔，当然地，凹槽的形状也可选用圆柱形或其他合理的形状。压电材料层30中压电材料可选用无机压电材料，主要有压电陶瓷和压电晶体，其中压电陶瓷可选用钛酸钡BT、锆钛酸铅PZT、改性锆钛酸铅、偏铌酸铅、铌酸铅钡锂PBLN、改性钛酸铅PT中的一种，压电晶体可选用水晶(石英晶体)、镓酸锂、锗酸锂、锗酸钛以及铁晶体管铌酸锂、钽酸锂中的一种。当然地，压电材料还可选用有机压电材料，比如聚偏氟乙烯(PVDF)。在此不作限定，均在本发明的保护范围之内。

可以理解的，本发明的技术方案，压力传感器100包括基底10、石墨烯感应层20及压电材料层30，基底10的表面开设有凹槽，石墨烯感应层20设于基底10设有凹槽的表面，并覆盖凹槽以形成压力腔13，压电材料层30设于石墨烯感应层20背向基底10的表面。如此的设置，当压力腔13内外存在压力差时，石墨烯感应层20会产生应变，其电阻率会发生变化，通过测量电阻率的变化便可判断压力的大小。由于石墨烯感应层20的表面设置有压电材料层30，二者于相接触的界面区域形成异质结构，一方面，压电材料层30在压电效应下会产生极化电荷，极化电荷可作为离子化杂质来增加石墨烯感应层20中载流子的散射，从而改变石墨烯感应层20的电导率，使得石墨烯感应层20的电阻变化量变大，进而提高压力传感器100的灵敏度；另一方面，可以有效保护石墨烯感应层20，以避免其受到周围环境中气体分子、杂质等的污染。同时，本发明的压力传感器100稳定性较好，成品率较高，可广泛应用于大气压力感知等领域。

可选的实施例中，压电材料层30中压电材料为锆钛酸铅。

在选用压电材料时，压电常识是体验压电材料性能好坏的重要因素。这里选用锆钛酸铅，锆钛酸铅是一种压电陶瓷材料，呈纳米线结构，具有压电效率，且具有较高的压电常数和较高的工作温度，锆钛酸铅在压电效率下产生的极化电荷可作为离子化杂质来增加石墨烯感应层20中载流子的散射，以有效改变石墨烯感应层20的电导率，提高压力传感器100的灵敏度。需要说明的是，锆钛酸铅纳米线是一维结构，而石墨烯是二维结构，二者更容易形成异质结构。

为了保证压电材料层30能够充分发挥其作用，且不造成材料浪费，要合理控制压电材料层30的厚度，可选地，压电材料层30的厚度范围为500nm-1000nm，比如，压电材料层30的厚度为500nm、600nm、700nm、800nm、900nm或1000nm。

石墨烯感应层20作为感应压力差的感应差，要合理控制器厚度，以保证压力传感器100具有较高的灵敏度。可选地，石墨烯感应层20的厚度范围为0.3nm-0.4nm，比如，石墨烯感应层20的厚度为0.3nm、0.35nm或0.4nm。

参照图1和图2，在本发明的一实施例中，基底10包括硅基底11和设于硅基底11表面的介质层12，凹槽开设于介质层12背向硅基底11的表面，并贯穿介质层12的另一表面。

这里基底10采用分体的硅基底11和介质层12，可方便凹槽的开设操作。具体操作时，在硅基底11的表面设置介质层12，将凹槽开设于介质层12，并贯穿介质层12的两表面即可。可选地，介质层12选用二氧化硅介质层12，二氧化硅介质层12为绝缘介质层12，以隔离石墨烯感应层20和硅基底11，起到支撑绝缘的作用，并且在二氧化硅介质层12开设凹槽的操作较为简单。

可选地，介质层12的厚度范围为0.5μm-1μm，比如介质层12的厚度为0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm或1μm。可以理解的，由于压力腔13贯穿介质层12的两表面，则压力腔13的深度为介质层12的厚度，即压力腔13的深度范围为0.5μm-1μm。

可选地，硅基底11的厚度范围为300μm-500μm，比如硅基底11的厚度为300μm、350μm、400μm、450μm或500μm。选用该厚度范围的硅基底11可以保证压力传感器100的整体强度，同时也使得压力传感器100的整体厚度适宜。

再次参照图1和图2，在本发明的一实施例中，压力传感器100还包括电极40，电极40设于基底10朝向石墨烯感应层20的表面，且电极40电性抵接于石墨烯感应层20。

电极40与石墨烯感应层20电性抵接，且电极40用于与外部电路电性连通，这样可以将石墨烯感应层20的电阻变化率信号传递给电极40，再由电极40传递至外部电路。需要说明的是，电极40可选为两个，两个电极40可以设置在石墨烯感应层20的同一侧，也可以设置在石墨烯感应层20的不同侧，比如两个电极40相对设置于石墨烯感应层20的两侧，在此不作限制，均在本发明的保护范围之内。

本发明还提出一种压力传感器100的制作方法，用于制作如前所述的压力传感器100。

参照图3，在本发明压力传感器100的制作方法一实施例中，压力传感器100的制作方法包括以下步骤：

步骤S10，制作一基底10，并在所述基底10的表面开设凹槽；

步骤S20，在所述基底10设有所述凹槽的表面制作一层石墨烯感应层20，使得所述石墨烯感应层20覆盖所述凹槽以形成压力腔13；

步骤S30，在所述石墨烯感应层20背向所述基底10的表面制作一层压电材料层30，干燥后得到压力传感器100。

具体地，首先制作一基底10，并在基底10的一表面开设凹槽，凹槽可选为方形槽，然后在基底10开设凹槽的表面制作一层石墨烯感应层20，石墨烯层覆盖凹槽以形成闭合的压力腔13。其中石墨烯感应层20的制作步骤可以是先在金属衬底的表面沉积一层石墨烯膜，之后采用湿法转移的方法将金属衬底表面的石墨烯膜转移至基底10开设凹槽的表面，便可得到石墨烯感应层20。这里金属基底10可选为铜衬底，可采用化学沉积法、电化学沉积法、气相沉积法、原子层沉积法或其他方法来沉积石墨烯膜，这些方法均为现有方法，其具体操作可参照现有操作，在此不再一一赘述。之后在石墨烯感应层20背向基底10的表面制作压电材料层30，在制作时，可采用涂覆法，即将含有压电材料的膜液涂覆在石墨烯感应层20背向基底10的表面，干燥后便可得到压电材料层30。当然也可采用喷涂、滴加或其他的方式制作压电材料层30，在此不作限制，均在本发明的保护范围之内。

可以理解的，本发明在石墨烯感应层20的表面制作压电材料层30，二者于相接触的界面区域形成异质结构，一方面，压电材料层30在压电效应下会产生极化电荷，极化电荷可作为离子化杂质来增加石墨烯感应层20中载流子的散射，从而改变石墨烯感应层20的电导率，使得石墨烯感应层20的电阻变化量变大，进而提高压力传感器100的灵敏度；另一方面，可以有效保护石墨烯感应层20，以避免其受到周围环境中气体分子、杂质等的污染。同时，本发明制作的压力传感器100稳定性较好，成品率较高，可广泛应用于大气压力感知等领域。

参照图4，在本发明的一实施例中，步骤S30，在所述石墨烯感应层20背向所述基底10的表面制作一层压电材料层30，干燥后得到压力传感器100的步骤中，包括：

步骤S31，将锆钛酸铅纳米线溶解于有机醇溶剂中，得到锆钛酸铅膜液；

步骤S32，将所述锆钛酸铅膜液涂覆在所述石墨烯感应层20背向所述基底10的表面，干燥后得到压力传感器100。

本实施例中，采用锆钛酸铅作为压电材料以制作压电材料层30，具体操作时，先将锆钛酸铅纳米线溶解于有机醇溶剂中，搅拌使其充分溶解，得到均匀性较好的锆钛酸铅膜液，其中，有机醇可选为乙醇、丁醇、丙醇或其他有机醇溶剂。之后将锆钛酸铅膜液均匀地涂覆在石墨烯感应层20背向基底10的表面，待干燥后便可得到压力传感器100。该操作简单，且制作得到的压力传感器100灵敏度较高、稳定性较好、成品率较高。

需要说明的是，在涂覆锆钛酸铅膜液时，至少要完全涂覆与压力腔13相对应的石墨烯感应层20表面，当然地，为了更有效地提高压力传感器100的灵敏度，且便于涂覆操作，可选地，锆钛酸铅膜液涂覆于石墨烯感应层20的整个表面。

在制作锆钛酸铅膜液时，为了使得锆钛酸铅纳米线更充分的溶解，以得到均匀性较好的锆钛酸铅膜液，要合理调控锆钛酸铅纳米线与有机醇溶剂的配比。可选地，锆钛酸铅纳米线与有机醇溶剂的配比范围为(10mg-20mg):(10ml-15ml)。

可选的实施例中，锆钛酸铅纳米线是采用静电纺丝制备得到，由该方式得到的锆钛酸铅纳米线均匀性较好，以有利于后续锆钛酸铅膜液的制备。采用静电纺丝制备得到的锆钛酸铅纳米线的直径范围为270nm-300nm，比如，锆钛酸铅纳米线的直径范围为270nm、275nm、280nm、285nm、290nm、295nm或300nm。

需要说明的是，在采用静电纺丝制备锆钛酸铅纳米线，首先制备锆钛酸铅溶胶，即将一定量得到乙酰丙酮锆、碱式乙酸铅、钛酸四丁酯、乙醇、乙酸、乙酰丙酮混合，搅拌均匀后便可得到均匀透亮的淡黄色胶体，即为锆钛酸铅溶胶。然后将锆钛酸铅溶胶加入至静电纺丝机内，制备得到锆钛酸铅纳米线。该制备方法操作简单，且得到的锆钛酸铅纳米线均匀性较好。

参照图5，在本发明的一实施例中，步骤S10，制作一基底10，并在所述基底10的表面开设凹槽的步骤中，包括：

步骤S11，在硅基底11的表面制作一层介质层12；

步骤S12，在所述介质层12背向所述硅基底11的表面开设凹槽，使得所述凹槽贯穿所述介质层12的另一表面。

本实施例中，介质层12选用二氧化硅介质层12，具体操作可以为：采用等离子体增强化学的气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)在硅基底11的表面生长二氧化硅介质层12，采用该方法可以生长质量较好的介质层12。之后采用光刻的方法利用光刻胶作掩膜层，湿法腐蚀二氧化硅介质层12，便可得到贯穿介质层12两表面的凹槽。该操作方法较为简单，其中凹槽可选为方形槽，方形槽的尺寸可选为80μm×12μm。

参照图6，在本发明的一实施例中，步骤S20，在所述基底10设有所述凹槽的表面制作一层石墨烯感应层20，使得所述石墨烯感应层20覆盖所述凹槽以形成压力腔13的步骤之后，还包括：

步骤S20a，在所述基底10朝向所述石墨烯感应层20的表面制作电极40，使得所述电极40电性抵接于所述石墨烯感应层20。

具体地，在基底10朝向石墨烯感应层20的表面制作电极40，并使得电极40与石墨烯感应层20电性抵接，以用于传递石墨烯感应层20感应的压力变化信号。这里电极40可选为两个，两个电极40可以设置于石墨烯感应层20的同一侧，也可以分别设置于石墨烯感应层20的相对两侧。

需要说明的是，步骤S20a可以放置在步骤S30中“在所述石墨烯感应层20背向所述基底10的表面制作一层压电材料层30”的操作之后，在此不作限制，均在本发明的保护范围之内。

本发明提出了一种电子设备，所述电子设备包括如前所述的压力传感器100，该压力传感器100的具体结构参照前述实施例。由于电子设备采用了前述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有前述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

需要说明的是，电子设备可选为手机、手表、耳机、手环等，电子设备包括壳体和设置于壳体内的电路板，压力传感器100设置于壳体内，且压力传感器100的电极40通过导线电性连接于电路板，此外，壳体还开设有通孔，用于感应外界压力。在采用压力传感器100测量压力时，石墨烯感应层20通过通孔感应外界压力并产生应变，其电阻率会发生变化，通过测量电阻率的变化便可判断压力的大小。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (12)

1.一种压力传感器，其特征在于，包括：

基底，所述基底的表面开设有凹槽；

石墨烯感应层，所述石墨烯感应层设于所述基底设有所述凹槽的表面，并覆盖所述凹槽以形成压力腔；以及

压电材料层，所述压电材料层设于所述石墨烯感应层背向所述基底的表面。

2.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述压电材料层中压电材料为锆钛酸铅；

和/或，所述压电材料层的厚度范围为500nm-1000nm。

3.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述石墨烯感应层的厚度范围为0.3nm-0.4nm。

4.如权利要求1至3中任一项所述的压力传感器，其特征在于，所述基底包括硅基底和设于所述硅基底表面的硅基底，所述凹槽开设于所述硅基底背向所述硅基底的表面，并贯穿所述硅基底的另一表面。

5.如权利要求4所述的压力传感器，其特征在于，所述硅基底的厚度范围为0.5μm-1μm；

和/或，所述硅基底的厚度范围为300μm-500μm。

6.如权利要求1至3中任一项所述的压力传感器，其特征在于，所述压力传感器还包括电极，所述电极设于所述基底朝向所述石墨烯感应层的表面，且所述电极电性抵接于所述石墨烯感应层。

7.一种压力传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

制作一基底，并在所述基底的表面开设凹槽；

在所述基底设有所述凹槽的表面制作一层石墨烯感应层，使得所述石墨烯感应层覆盖所述凹槽以形成压力腔；

在所述石墨烯感应层背向所述基底的表面制作一层压电材料层，干燥后得到压力传感器。

8.如权利要求7所述压力传感器的制作方法，其特征在于，在所述石墨烯感应层背向所述基底的表面制作一层压电材料层，干燥后得到压力传感器的步骤中，包括：

将锆钛酸铅纳米线溶解于有机醇溶剂中，得到锆钛酸铅膜液，

将所述锆钛酸铅膜液涂覆在所述石墨烯感应层背向所述基底的表面，干燥后得到压力传感器。

9.如权利要求8所述压力传感器的制作方法，其特征在于，所述锆钛酸铅纳米线与所述有机醇溶剂的配比范围为(10mg-20mg):(10ml-15ml)；

和/或，所述锆钛酸铅纳米线的直径范围为270nm-300nm。

10.如权利要求7至9中任一项所述压力传感器的制作方法，其特征在于，所述制作一基底，并在所述基底的表面开设凹槽的步骤中，包括：

在硅基底的表面制作一层硅基底；

在所述硅基底背向所述硅基底的表面开设凹槽，使得所述凹槽贯穿所述硅基底的另一表面。

11.如权利要求7至9中任一项所述压力传感器的制作方法，其特征在于，在所述基底设有所述凹槽的表面制作一层石墨烯感应层，使得所述石墨烯感应层覆盖所述凹槽以形成压力腔的步骤之后，还包括：

在所述基底朝向所述石墨烯感应层的表面制作电极，使得所述电极电性抵接于所述石墨烯感应层。

12.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1至6中任一项所述压力传感器。

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