CN110174197A - 石墨烯基压阻式压力传感器及其制备方法 - Google Patents

石墨烯基压阻式压力传感器及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明是关于一种石墨烯基压阻式压力传感器及其制备方法。该传感器的制备方法包括：在金属基体上制备石墨烯薄膜，形成金属/石墨烯薄膜；在所述石墨烯薄膜表面涂覆PMMA，形成金属/石墨烯薄膜/PMMA；用电化学法对金属基体上涂覆有PMMA的石墨烯薄膜进行鼓泡剥离，得到石墨烯薄膜/PMMA；将所述石墨烯薄膜/PMMA转移到SiO2/Si基底上，除去PMMA，得到石墨烯薄膜/SiO2/Si；将所述石墨烯薄膜/SiO2/Si转移到SiC衬底上；对所述SiO2/Si基底进行刻蚀；对所述石墨烯薄膜进行图案化；在所述石墨烯薄膜上蒸镀金属电极，得到石墨烯基压阻式压力传感器。本发明的石墨烯基压阻式压力传感器具有压阻特性好、灵敏度高、响应速度快的特点，具有广阔的市场应用价值和前景。

Description

石墨烯基压阻式压力传感器及其制备方法
技术领域
本发明涉及压力传感器技术领域，特别是涉及一种石墨烯基压阻式压力传感器及其制备方法。
背景技术
压阻式压力传感器是利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。单晶硅材料在受到力的作用后，电阻率发生变化，通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。硅压阻式压力传感器已广泛用于压力、拉力、压力差和可以转变为力的变化的其他物理量(如液位、加速度、重量、应变、流量、真空度)的测量和控制。
电阻应变片是压阻式应变传感器的主要组成部分之一。金属电阻应变片的工作原理是吸附在基体材料上应变电阻随机械形变而产生阻值变化的现象，俗称为电阻应变效应。目前主流的电学响应型压力传感器都是通过将器件在压力作用下产生的形变转化为传感器电学性能参数的变化来实时响应压力的大小。压阻型压力传感器制备工艺简单、响应稳定性高、抗干扰能力强，成为当前柔性压力传感器领域的研究热点，但是这种压力传感器也存在灵敏度较低、迟滞现象比较严重的情况。而灵敏度是压力传感器的一个关键性能参数，所以设计与制造灵敏度较高的压力传感器是很有必要的。
目前，压阻式压力传感的单晶硅压阻薄膜的加工方法主要有：一种方法是利用碱性溶液从硅片的背面进行各向异性腐蚀，从而在硅片的背面形成背腔的同时在正面形成单晶硅感压薄膜；这种方式采用控制腐蚀时间来控制压阻薄膜的厚度，不能保证压阻薄膜厚度在片内与片间的均匀性及一致性。另一种方法是电化学腐蚀，该方法能得到可在其上制作压阻的轻掺杂感压薄膜，但该种方法需添加较为昂贵的恒电位仪，并采用特殊设计的夹具保护正面不被腐蚀与施加电压到硅片的正面，这样一方面提高了设备成本，另一方面也增加了工艺的复杂度，使得生产效率很低。还有一种方法是在压力传感器的背面或正面键合玻璃，但是硅玻璃键合温度高，会影响载流子再分布，影响传感器性能；而且，硅玻璃键合预留面积要足够大，防止颗粒的存在影响键合质量，且使得芯片尺寸大。因此，有必要对现有的压力传感器及其制备方法予以改进以解决上述问题。
发明内容
本发明的主要目的在于，提供一种石墨烯基压阻式压力传感器及其制备方法，所要解决的技术问题是使其具有较强的机械强度、灵敏度高、成本低、响应速度快、测量误差小、使用寿命长等优点，从而更加适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种石墨烯基压阻式压力传感器的制备方法，其包括：
在金属基体上制备石墨烯薄膜，形成金属/石墨烯薄膜；
在所述石墨烯薄膜表面涂覆PMMA，形成金属/石墨烯薄膜/PMMA；
用电化学法对金属基体上涂覆有PMMA的石墨烯薄膜进行鼓泡剥离，得到石墨烯薄膜/PMMA；
将所述石墨烯薄膜/PMMA转移到SiO2/Si基底上，除去PMMA，得到石墨烯薄膜/SiO2/Si；
将所述石墨烯薄膜/SiO2/Si转移到SiC衬底上；
对所述SiO2/Si基底进行刻蚀；
对所述石墨烯薄膜进行图案化；
在所述石墨烯薄膜上蒸镀金属电极，得到石墨烯基压阻式压力传感器。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
优选的，前述的石墨烯基压阻式压力传感器的制备方法，其中所述金属基体为高精双光压延铜箔；
所述石墨烯薄膜采用等离子体增强化学气相沉积法制备得到；
所述石墨烯薄膜由1-3层石墨烯组成。
优选的，前述的石墨烯基压阻式压力传感器的制备方法，其中所述的在所述石墨烯薄膜表面涂覆PMMA，包括：
用匀胶机在所述石墨烯薄膜上旋涂PMMA；
所述匀胶机的转速为500-3000rpm，所述PMMA旋涂厚度为1-50μm。
优选的，前述的石墨烯基压阻式压力传感器的制备方法，其中所述电化学法，包括：
配制1-10M的NaOH溶液作为电解液，采用银电极作为正极，铜电极作为负极；
裁剪所述金属/石墨烯薄膜/PMMA的三边，防止PMMA在剥离时出现粘连；
将未裁剪的一边用刻刀划一道细线，刮掉PMMA，并连接到所述负极；
打开电源，将处理后的金属/石墨烯薄膜/PMMA慢慢放入所述电解液中进行剥离，剥离完毕后，匀速抬起，关闭电源；所述剥离的工作电压为1-32V，工作电流为0.1-5A。
优选的，前述的石墨烯基压阻式压力传感器的制备方法，其中所述SiO2/Si基底中，SiO2的厚度为100-500nm。
优选的，前述的石墨烯基压阻式压力传感器的制备方法，其中所述的对所述SiO2/Si基底进行刻蚀，包括：
对所述的SiO2/Si基底中的SiO2进行湿法刻蚀，制作凹槽一；其中所述湿法刻蚀的刻蚀液为氢氟酸和氨水混合液，其体积比为1：1-10：1，所述湿法刻蚀的时间为1-20min；
对所述的SiO2/Si基底中的Si进行干法刻蚀，制作凹槽二，其中所述干法刻蚀的方法为感应耦合等离子体刻蚀法或反应离子刻蚀法，所述干法刻蚀的时间为1-20min。
优选的，前述的石墨烯基压阻式压力传感器的制备方法，其中所述的对所述石墨烯薄膜进行图案化，包括：
在所述石墨烯薄膜上均匀涂覆光刻胶，形成光刻胶层；
利用掩膜工具对所述光刻胶层进行曝光；
对曝光后的光刻胶层进行显影；
对剩余的曝光后的光刻胶进行剥离，得到图案化的石墨烯薄膜；其中，
所述光刻胶为正光刻胶；
所述显影的显影液为四甲基氢氧化铵。
优选的，前述的石墨烯基压阻式压力传感器的制备方法，其中采用电子束蒸镀法在所述石墨烯薄膜上蒸镀金属电极；其中所述金属电极为金电极。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。依据本发明提出的一种石墨烯基压阻式压力传感器，其包括依次层叠的SiC衬底层、SiO2/Si中间层、柔性敏感层和电极；
所述SiO2/Si中间层位于所述SiC衬底层和所述柔性敏感层之间；
所述电极设在所述柔性敏感层上；
所述柔性敏感层为石墨烯薄膜；
所述石墨烯基压阻式压力传感器是由前述的制备方法制备得到。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
优选的，前述的石墨烯基压阻式压力传感器，其中所述电极为两个，分别设在所述柔性敏感层的两端。
借由上述技术方案，本发明石墨烯基压阻式压力传感器及其制备方法至少具有下列优点：
1、本发明采用电化学法对金属基体上涂覆有PMMA的石墨烯薄膜进行鼓泡剥离，其原理是利用电解过程中产生的气泡的推动作用及气体插层作用将石墨烯与初始基体无损剥离。该过程对石墨烯及其初始基体均无任何破坏和损耗，实现大面积石墨烯的转移，保持石墨烯的结构完整性，并且操作简便、速度快、易于调控、无金属蚀刻剂的污染。
2、本发明制得的石墨烯基压阻式压力传感器由SiC作衬底，SiO2/Si作中间层具有较强的机械强度，PECVD法石墨烯薄膜作敏感层，由于石墨烯传感元件具有较高的电阻应变灵敏系数，石墨烯传感元件发生形变会导致其电阻发生变化。电极连接在石墨烯传感元件的两端，构成监测电流的回路。当石墨烯传感元件的电阻发生改变时，回路中的监测电流发生改变，从而测得压力，这种材料具有压阻特性好、灵敏度高、响应速度快的特点，金作为电极具有测量误差小、使用寿命长等优点。因此，该石墨烯基压阻式压力传感器具有广阔的市场应用价值和前景。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1是本发明一个实施例的石墨烯基压阻式压力传感器的结构剖面示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的石墨烯基压阻式压力传感器及其制备方法其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。在下述说明中，不同的“一实施例”或“实施例”指的不一定是同一实施例。此外，一或多个实施例中的特定特征、结构或特点可由任何合适形式组合。
本发明的一个实施例提出了一种石墨烯基压阻式压力传感器的制备方法，其包括：
在金属基体上制备石墨烯薄膜，形成金属/石墨烯薄膜；
在所述石墨烯薄膜表面涂覆PMMA，形成金属/石墨烯薄膜/PMMA；
用电化学法对金属基体上涂覆有PMMA的石墨烯薄膜进行鼓泡剥离，得到石墨烯薄膜/PMMA；
将所述石墨烯薄膜/PMMA转移到SiO2/Si基底上，除去PMMA，得到石墨烯薄膜/SiO2/Si；
将所述石墨烯薄膜/SiO2/Si转移到SiC衬底上；
对所述SiO2/Si基底进行刻蚀；
对所述石墨烯薄膜进行图案化；
在所述石墨烯薄膜上蒸镀金属电极，得到石墨烯基压阻式压力传感器。
在本发明实施例中，用电化学法对金属基体上涂覆有PMMA的石墨烯薄膜进行鼓泡剥离，得到石墨烯薄膜/PMMA的步骤后，还需要对石墨烯薄膜/PMMA进行处理，再进行转移，得到石墨烯薄膜/SiO2/Si，其具体步骤如下：用浓度为0.1-0.5mol/L的HCl稀溶液对对石墨烯薄膜/PMMA进行漂洗1-5次，再用去离子水漂洗数次，用等离子体(plasma)预处理好的具有一定厚度的SiO2/Si基底捞出漂浮的石墨烯薄膜/PMMA，放置于温度为90-180℃的烘盘上烘干，在浓度为0.1-1mol/L的丙酮溶液中静置8-48h，除去PMMA，再进行多次漂洗，得到石墨烯薄膜/SiO2/Si。
本发明实施例采用电化学法对金属基体上涂覆有PMMA的石墨烯薄膜进行鼓泡剥离，其原理是利用电解过程中产生的气泡的推动作用及气体插层作用将石墨烯与初始基体无损剥离。该过程对石墨烯及其初始基体均无任何破坏和损耗，实现大面积石墨烯的转移，保持石墨烯的结构完整性，并且操作简便、速度快、易于调控、无金属蚀刻剂的污染。
作为优选实施方式，所述金属基体为高精双光压延铜箔；
所述石墨烯薄膜采用等离子体增强化学气相沉积法制备得到；
所述石墨烯薄膜由1-3层石墨烯组成。
本发明实施例中，金属基体为Co、Ni、Cu中的一种或至少两种金属的合金。优选高精双光压延铜箔。
采用等离子体增强化学气相沉积法PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition)制备石墨烯薄膜，可以直接在多种材料表面直接生长出石墨烯，具有质量好、固态碳源来源广、成本低、反应温度低、无需催化剂、无需转移、制备方法简单等优点。
石墨烯单层厚度大约为0.4-0.7nm，双层厚度大约为0.8-1.2nm，那么石墨烯薄膜的厚度大约为0.4-2.5nm。
作为优选实施方式，所述的在所述石墨烯薄膜表面涂覆PMMA，包括：
用匀胶机在所述石墨烯薄膜上旋涂PMMA；
所述匀胶机的转速为500-3000rpm，所述PMMA的厚度为1-50μm。PMMA的厚度影响后续的步骤，如石墨烯薄膜/PMMA与金属基体的分离，石墨烯薄膜/PMMA的转移及PMMA的去除。而匀胶机的转速的转速决定了PMMA的厚度。
作为优选实施方式，所述电化学法，包括：
配制1-10M的NaOH溶液作为电解液，采用银电极作为正极，铜电极作为负极；优选，6M的NaOH溶液作为电解液；
裁剪所述金属/石墨烯薄膜/PMMA的三边，防止PMMA在剥离时出现粘连；
将未裁剪的一边用刻刀划一道细线，刮掉PMMA，并连接所述负极；
打开电源，将处理后的金属/石墨烯薄膜/PMMA慢慢放入所述电解液中进行剥离，剥离完毕后，匀速抬起，关闭电源；所述剥离的工作电压为1-32V，优选5V，工作电流为0.1-5A，优选1A。
本发明实施例中，剥离的时间以石墨烯薄膜的大小来定，剥离的石墨烯薄膜的面积越大，剥离的时间越长，需要注意的是，为了保证石墨烯薄膜的质量，操作时要缓慢，电压和电流选择要合适，不能太强。
作为优选实施方式，所述SiO2/Si基底中，SiO2的厚度为100-500nm，优选300nm。
本发明实施例对Si的厚度不作具体的限定，但是SiO2的厚度影响传感器的灵敏度，因此需要限定SiO2的厚度。
作为优选实施方式，所述的对所述SiO2/Si基底进行刻蚀，包括：
对所述的SiO2/Si基底中的SiO2进行湿法刻蚀，制作凹槽一；其中所述湿法刻蚀的刻蚀液为氢氟酸和氨水混合液，其体积比为1：1-10：1，优选6：1，所述湿法刻蚀的时间为1-20min，优选3min；
对所述的SiO2/Si基底中的Si进行干法刻蚀，制作凹槽二，其中所述干法刻蚀的方法为感应耦合等离子体刻蚀法(ICP)或反应离子刻蚀法(RIE)，优选ICP刻蚀，所述干法刻蚀的时间为1-20min，优选1min。
作为优选实施方式，所述的对所述石墨烯薄膜进行图案化，包括：
在所述石墨烯薄膜上均匀涂覆光刻胶，形成光刻胶层；
利用掩膜工具对所述光刻胶层进行曝光；
对曝光后的光刻胶层进行显影；
对剩余的曝光后的光刻胶进行剥离，得到图案化的石墨烯薄膜；其中，
所述光刻胶为正光刻胶；
所述显影的显影液为四甲基氢氧化铵。四甲基氢氧化铵的浓度优选2.38％。
作为优选实施方式，采用电子束蒸镀法在所述石墨烯薄膜上蒸镀金属电极；其中所述金属电极为金电极。
本发明实施例采用电子束蒸镀(Electron Beam Evaporation)来蒸镀金属电极，电子束蒸镀利用电磁场的配合可以精准地实现利用高能电子轰击坩埚内靶材，使之融化进而沉积在基片上。电子束蒸镀可以镀出高纯度高精度的薄膜。
本发明的一个实施例还提出了一种石墨烯基压阻式压力传感器，所述石墨烯基压阻式压力传感器包括依次层叠的SiC衬底层、SiO2/Si中间层、柔性敏感层和电极；
所述SiO2/Si中间层位于所述SiC衬底层和所述柔性敏感层之间；
所述电极设在所述柔性敏感层上；
所述柔性敏感层为石墨烯薄膜；
所述石墨烯基压阻式压力传感器是由权利要求1-8中任一项所述的制备方法制备得到。
作为优选实施方式，所述电极为两个，分别设在所述柔性敏感层的两端。
本发明实施例对SiC的厚度不作具体的限定，优选300μm。
下面将结合具体实施例对本发明作进一步说明，但不能理解为是对本发明保护范围的限制，该领域的技术人员根据上述本发明的内容对本发明作出的一些非本质的改进和调整，仍属于本发明的保护范围。
实施例
如图1所示，一种石墨烯基压阻式压力传感器，包括碳化硅衬底1、二氧化硅/硅中间层2(其中包括硅层21、二氧化硅层22)、石墨烯薄膜敏感层3和金金属电极4。
该石墨烯基压阻式压力传感器的制备方法具体包括以下步骤：
(1)用PECVD法在高精双光压延铜箔上沉积制备石墨烯薄膜，其中铜箔厚度为25μm，等离子体脉冲电源的频率为50kHz，反应温度为600℃，反应时间为1h，得到的石墨烯薄膜为单层石墨烯；
(2)用匀胶机在所得铜基/石墨烯薄膜上旋涂PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)；其中匀胶机的转速为3000rpm，PMMA厚度为5μm；
(3)用电化学法对铜箔上涂覆有PMMA的石墨烯薄膜进行鼓泡剥离，得到石墨烯薄膜/PMMA，其中电化学法剥离的工作电压为32V，剥离时间为1min；
(4)用浓度为0.1mol/L的HCl稀溶液漂洗3次，再用去离子水漂洗5次；
(5)用等离子体预处理好的一定厚度的SiO2/Si基底捞出漂浮的石墨烯薄膜/PMMA，放置于130℃的烘盘上进行烘干，其中SiO2/Si中SiO2的厚度为300nm，烘干时间为20min；
(6)将PMMA/石墨烯薄膜/SiO2/Si放置于浓度为0.5mol/L的丙酮溶液中，静置24h，除去PMMA，；
(7)用去离子水对得到的石墨烯薄膜/SiO2/Si进行5次漂洗，得到石墨烯薄膜/SiO2/Si，再将其转移至SiC衬底上；
(8)用氢氟酸和氨水混合溶液湿法刻蚀SiO2，制作凹槽一，其中氢氟酸和氨水混合的比例为6：1，刻蚀时间为3min；
(9)用ICP(感应耦合等离子体刻蚀)或RIE(反应离子刻蚀)干法刻蚀Si，制作凹槽二，其中优选ICP刻蚀，刻蚀时间为1min；
(10)再用光刻、显影将石墨烯薄膜图案化，其中选用正光刻胶，显影液为四甲基氢氧化铵(TMAH)；
(11)在石墨烯薄膜两端用电子束蒸镀法蒸镀金属电极，得到石墨烯基压阻式压力传感器，其中蒸镀速率为5A/s，蒸镀的金属为Au电极。
对实施例得到的石墨烯基压阻式压力传感器的响应时间进行测试，得到本发明的压力传感器具有0～200kPa的测量量程，且具有高灵敏度特性，在0～10kPa的压力范围内，该传感器具有±0.1％FS的综合精度，1.0±0.01mV/V的灵敏度；本实施例中的压力传感器具有低检测限，该传感器可检测0.1Pa的压力；本实施例中的压力传感器具有高稳定性的特点，在5kPa恒定压力下，传感器经过50000次循环后仍然保持良好的稳定性，所得压力传感器工作温度在-40～90℃之间。
本发明实施例制得的石墨烯基压阻式压力传感器由SiC作衬底，SiO2/Si作中间层具有较强的机械强度，PECVD法石墨烯薄膜作敏感层，由于石墨烯传感元件具有较高的电阻应变灵敏系数，石墨烯传感元件发生形变会导致其电阻发生变化。电极连接在石墨烯传感元件的两端，构成监测电流的回路。当石墨烯传感元件的电阻发生改变时，回路中的监测电流发生改变，从而测得压力，这种材料具有压阻特性好、灵敏度高、响应速度快的特点，金作为电极具有测量误差小、使用寿命长等优点。因此，该石墨烯基压阻式压力传感器具有广阔的市场应用价值和前景。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种石墨烯基压阻式压力传感器的制备方法，其特征在于，包括：
在金属基体上制备石墨烯薄膜，形成金属/石墨烯薄膜；
在所述石墨烯薄膜表面涂覆PMMA，形成金属/石墨烯薄膜/PMMA；
用电化学法对金属基体上涂覆有PMMA的石墨烯薄膜进行鼓泡剥离，得到石墨烯薄膜/PMMA；
将所述石墨烯薄膜/PMMA转移到SiO2/Si基底上，除去PMMA，得到石墨烯薄膜/SiO2/Si；
将所述石墨烯薄膜/SiO2/Si转移到SiC衬底上；
对所述SiO2/Si基底进行刻蚀；
对所述石墨烯薄膜进行图案化；
在所述石墨烯薄膜上蒸镀金属电极，得到石墨烯基压阻式压力传感器。
2.根据权利要求1所述的石墨烯基压阻式压力传感器的制备方法，其特征在于，所述金属基体为高精双光压延铜箔；
所述石墨烯薄膜采用等离子体增强化学气相沉积法制备得到；
所述石墨烯薄膜由1-3层石墨烯组成。
3.根据权利要求1所述的石墨烯基压阻式压力传感器的制备方法，其特征在于，所述的在所述石墨烯薄膜表面涂覆PMMA，包括：
用匀胶机在所述石墨烯薄膜上旋涂PMMA；
所述匀胶机的转速为500-3000rpm，所述PMMA旋涂厚度为1-50μm。
4.根据权利要求1所述的石墨烯基压阻式压力传感器的制备方法，其特征在于，所述电化学法，包括：
配制1-10M的NaOH溶液作为电解液，采用银电极作为正极，铜电极作为负极；
裁剪所述金属/石墨烯薄膜/PMMA的三边，防止PMMA在剥离时出现粘连；
将未裁剪的一边用刻刀划一道细线，刮掉PMMA，并连接到所述负极；
打开电源，将处理后的金属/石墨烯薄膜/PMMA慢慢放入所述电解液中进行剥离，剥离完毕后，匀速抬起，关闭电源；所述剥离的工作电压为1-32V，工作电流为0.1-5A。
5.根据权利要求1所述的石墨烯基压阻式压力传感器的制备方法，其特征在于，所述SiO2/Si基底中，SiO2的厚度为100-500nm。
6.根据权利要求1所述的石墨烯基压阻式压力传感器的制备方法，其特征在于，所述的对所述SiO2/Si基底进行刻蚀，包括：
对所述的SiO2/Si基底中的SiO2进行湿法刻蚀，制作凹槽一；其中所述湿法刻蚀的刻蚀液为氢氟酸和氨水混合液，其体积比为1：1-10：1，所述湿法刻蚀的时间为1-20min；
对所述的SiO2/Si基底中的Si进行干法刻蚀，制作凹槽二，其中所述干法刻蚀的方法为感应耦合等离子体刻蚀法或反应离子刻蚀法，所述干法刻蚀的时间为1-20min。
7.根据权利要求1所述的石墨烯基压阻式压力传感器的制备方法，其特征在于，所述的对所述石墨烯薄膜进行图案化，包括：
在所述石墨烯薄膜上均匀涂覆光刻胶，形成光刻胶层；
利用掩膜工具对所述光刻胶层进行曝光；
对曝光后的光刻胶层进行显影；
对剩余的曝光后的光刻胶进行剥离，得到图案化的石墨烯薄膜；其中，
所述光刻胶为正光刻胶；
所述显影的显影液为四甲基氢氧化铵。
8.根据权利要求6所述的石墨烯基压阻式压力传感器的制备方法，其特征在于，采用电子束蒸镀法在所述石墨烯薄膜上蒸镀金属电极；其中所述金属电极为金电极。
9.一种石墨烯基压阻式压力传感器，其特征在于，
所述石墨烯基压阻式压力传感器包括依次层叠的SiC衬底层、SiO2/Si中间层、柔性敏感层和电极；
所述SiO2/Si中间层位于所述SiC衬底层和所述柔性敏感层之间；
所述电极设在所述柔性敏感层上；
所述柔性敏感层为石墨烯薄膜；
所述石墨烯基压阻式压力传感器是由权利要求1-8中任一项所述的制备方法制备得到。
10.根据权利要求9所述的石墨烯基压阻式压力传感器，其特征在于，
所述电极为两个，分别设在所述柔性敏感层的两端。
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