CN113020612A - 一种大小连续可调的铜纳米球粒制备方法 - Google Patents
一种大小连续可调的铜纳米球粒制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113020612A CN113020612A CN202110197538.6A CN202110197538A CN113020612A CN 113020612 A CN113020612 A CN 113020612A CN 202110197538 A CN202110197538 A CN 202110197538A CN 113020612 A CN113020612 A CN 113020612A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- continuously adjustable
- spheres
- metal nano
- substrate
- vacuum chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000002077 nanosphere Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 16
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 4
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 4
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- 244000137852 Petrea volubilis Species 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
- B22F9/14—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes using electric discharge
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
- B22F1/054—Nanosized particles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/06—Metallic powder characterised by the shape of the particles
- B22F1/065—Spherical particles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y15/00—Nanotechnology for interacting, sensing or actuating, e.g. quantum dots as markers in protein assays or molecular motors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Abstract
本发明公开一种大小连续可调的金属纳米球粒制备方法，通过控制不同的电压和离子枪的轰击角度，可以获得粒径大小不同的金属纳米球颗粒，并可对纳米球粒径大小进行精确的控制，方便获取所需的颗粒尺寸，操作简单，在拉曼增强，太阳能电池和红外波段的生物检测等领域有广泛的应用，通过对电压的控制，获得的金属纳米颗粒所形成的薄膜具有强附着力、高速、常温、低损伤等特点，同时基底材料不受方法的限制，陶瓷、半导体、玻璃、晶体等材料均可通过本方法实现，应用范围十分广泛。
Description
技术领域
本发明涉及到金属材料领域，具体涉及一种大小连续可调的金属纳米球粒制备方法。
背景技术
传统制备金属纳米颗粒的物理方法包括：物理粉碎法，机械颗粒研磨法，化学方法包括：化学还原法、水热合成法、溶胶凝胶法、电化学还原法、光化学还原法等。但是这些方法的制备过程十分繁琐，耗时多，实验条件要求苛刻等等，最重要的是不能对颗粒粒径大小进行连续可调的控制，不能很好的满足需求。
发明内容
为了解决上述的制备过程繁琐，耗时多，不能对颗粒粒径大小进行连续可调的控制的问题，本发明提供一种大小连续可调的金属纳米球粒制备方法，不仅可制备大小连续可调的金属纳米球粒，制备过程简单，耗时短，同时对纳米球粒的大小可精确连续可调的控制。
为实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：
一种大小连续可调的金属纳米球粒制备方法，在室温下与真空室内进行，该方法包括以下步骤：
⑴.将清洗后的基片通过AB胶粘在金属环上装在基底夹具上，放于离子减薄仪真空室中；
⑵.将所述真空室抽真空，所述真空室的真空度达到104Pa以上，再向所述真空室内通入工作气体，使所述真空室内的气压达到工作气压，所述工作气压为0.8Pa；
⑶.待基底夹具开始旋转，调整工作电压、离子枪轰击角度和工作时间，得到粒径大小连续可调的金属纳米球粒，
其中，所述工作电压为0.1KeV-6KeV，所述轰击角度为0-10°，所述工作时间为20-30min。
在本发明提供的大小连续可调的金属纳米球粒制备方法中，还可以具有这样的特征：其中，基底的材料可以为陶瓷、半导体、玻璃、晶体中的任意一种。
在本发明提供的大小连续可调的金属纳米球粒制备方法中，还可以具有这样的特征：其中，粘有基片的金属环放置于真空室时，需将金属环面朝上放置。
在本发明提供的大小连续可调的金属纳米球粒制备方法中，还可以具有这样的特征：其中，工作气体为氩气。
在本发明提供的大小连续可调的铜纳米球粒制备方法中，还可以具有这样的特征：其中，所述金属纳米球粒纯度在99.99％以上，所述金属包括铜和金。
在本发明提供的大小连续可调的金属纳米球粒制备方法中，还可以具有这样的特征：其中，所述工作电压为5KeV。
在本发明提供的大小连续可调的金属纳米球粒制备方法中，还可以具有这样的特征：其中，所述轰击角度为6.5°。
根据本发明所涉及的大小连续可调的金属纳米球粒制备方法，因为采用真空离子束轰击的物理方法，通过一定角度的离子束轰击，在基底上形成纳米金属颗粒的制备方法，所以，本发明的大小连续可调的金属纳米球粒制备方法具有以下特点：⑴.制备工艺简单，操作过程简单，通过对电压和离子枪的轰击角度的控制，可获得强附着力、低损伤等特点的大小连续可调的金属纳米颗粒的薄膜；⑵.通过对电压和离子枪的轰击角度的控制，可获得大小连续可调的金属纳米颗粒，对真空室中的温度没有特殊要求；⑶.对颗粒的大小可以很好的精确控制。
在本发明的方法中，基底的材料不受特别的限制，对温度没有特殊的要求，扩大了应用的范围。通过对电压和离子枪的轰击角度的控制，可以精确的控制粒径的大小，方便获取所需的颗粒尺寸，制备工艺和操作过程简单，在拉曼增强，太阳能电池和红外波段的生物检测等领域有广泛的应用。
附图说明
图1是Au纳米颗粒的扫描电镜照片
图2是Cu纳米颗粒的扫描电镜照片
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于理解和明白，以下实施例图结合附图对本发明一种大小连续可调的铜纳米球粒制备方法作具体阐述。
实施案例一：
(1)使用金刚石笔将衬底(例如硅片)切割成大小约为3mmX3mm的10份。
(2)在加热器上，用石蜡将所切割后的硅片粘在铜块上，并将过长的部分伸出铜块。冷却后，使用1200目砂纸将硅片过长的部分进行磨除，制成大小约为2mmX2mm的正方形硅片，确保能将金、铜环的中心空环盖住，且不超出金、铜环的范围。另外9份硅片均重复此操作。
(3)用石蜡将所得2mmX2mm的硅片粘在透明圆柱上，将透明圆柱放入盘磨机，而后进行校准。使用1200目砂纸，减去200μm的厚度。
(4)用石蜡将减厚过的硅片粘在直角架上，将直角架安装回磨样器(Tripodpolisher)，使用量角器对磨样器(Tripod polisher)进行水平校准。由于之前在1200目砂纸上磨出的划痕过于明显，并且样品太薄后在1200目砂纸上操作容易破碎，故换用金刚石抛光纸。我们在5张粒度由大到小的金刚石抛光纸上进行抛光，将之前在去除，直至在单筒视频体视显微镜的放大下，得到光洁无划痕的硅片表面。
(5)由于所获得的硅片极薄，使用镊子夹取容易破碎。我们把直角架从磨样器(Tripod polisher)拿出，使用丙酮将样品浸泡2个小时，将硅片上的石蜡清除，使其从直角架子取下。
(6)在单筒视频体视显微镜的放大下，将所获得硅片基底的光亮无痕、清洁干净的一面，分别和3个金环、3个铜环，用AB胶粘贴，并确保硅片将金、铜环的中心空环盖住，并且不超出金、铜环的范围大小，AB胶不溢出。
(7)使用离子减薄仪进行离子溅射，通过高能粒子对金属环的轰击，溅射得到置于硅基底上的金属纳米颗粒。第一次设置硅基Au样品的工作模式为双调制(doublemodulation)模式，工作转速为3.5rpm，离子入射角度为Top6°，时间设置1小时，能量分别设置3keV、4keV、5keV。另外一组的硅基Cu样品重复此操作。
(8)设置硅基Au样品的工作模式为单调制(Single modulation)模式，工作转速为3.5rpm，离子入射角度为Top4°，时间设置2小时，能量分别设置3keV、4keV、5keV。另外一组的硅基Cu样品重复此操作。
尽管上述实施例已对本发明作出具体描述，但是对于本领域的普通技术人员来说，应该理解为可以在不脱离本发明的精神以及范围之内基于本发明公开的内容进行修改或改进，这些修改和改进都在本发明的精神以及范围之内。
Claims (7)
1.一种大小连续可调的金属纳米球粒制备方法，在室温下与真空室内进行，其特征在于，该方法包括以下步骤：
⑴.将清洗后的基片通过AB胶粘在金属环上装在基底夹具上，放于离子减薄仪真空室中；
⑵.将所述真空室抽真空，所述真空室的真空度达到104Pa以上，再向所述真空室内通入工作气体，使所述真空室内的气压达到工作气压，所述工作气压为0.8Pa；
⑶.待基底夹具开始旋转，调整工作电压、离子枪轰击角度和工作时间，得到粒径大小连续可调的金属纳米球粒，
其中，所述工作电压为0.1KeV-6KeV，所述轰击角度为0-10°，所述工作时间为20-30min。
2.如权利要求1所述的一种大小连续可调的金属纳米球粒制备方法，其特征在于：所述基底的材料可以为陶瓷、半导体、玻璃、晶体中的任意一种。
3.如权利要求1所述的一种大小连续可调的金属纳米球粒制备方法，其特征在于：所述粘有基片的金属环放置于真空室时，需将金属环面朝上放置。
4.如权利要求1所述的一种大小连续可调的金属纳米球粒制备方法，其特征在于：所述的工作气体为氩气。
5.如权利要求1所述的一种大小连续可调的金属纳米球粒制备方法，其特征在于：
所述金属纳米球粒纯度在99.99％以上，所述金属包括铜和金。
6.如权利要求1所述的一种大小连续可调的金属纳米球粒制备方法，其特征在于：
所述工作电压为5KeV。
7.如权利要求1所述的一种大小连续可调的金属纳米球粒制备方法，其特征在于：
所述轰击角度为6.5°。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110197538.6A CN113020612A (zh) | 2021-02-22 | 2021-02-22 | 一种大小连续可调的铜纳米球粒制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110197538.6A CN113020612A (zh) | 2021-02-22 | 2021-02-22 | 一种大小连续可调的铜纳米球粒制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113020612A true CN113020612A (zh) | 2021-06-25 |
Family
ID=76460988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110197538.6A Pending CN113020612A (zh) | 2021-02-22 | 2021-02-22 | 一种大小连续可调的铜纳米球粒制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113020612A (zh) |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101429644A (zh) * | 2008-03-21 | 2009-05-13 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 金属或金属氧化物纳米颗粒的制备方法 |
| CN102362006A (zh) * | 2009-02-10 | 2012-02-22 | 夸泰克工程公司 | 沉淀基板上的金属层的离子束处理方法 |
| CN102560384A (zh) * | 2012-02-23 | 2012-07-11 | 成都精密光学工程研究中心 | 在基底表面上沉积纳米点阵的方法 |
| CN104230183A (zh) * | 2014-09-15 | 2014-12-24 | 上海理工大学 | 可调谐表面增强拉曼散射基底的制备方法 |
| CN104819876A (zh) * | 2015-04-07 | 2015-08-05 | 湖北大学 | 一种用于透射电镜原位加电场和应力的薄膜样品制备方法 |
| CN105239041A (zh) * | 2015-11-19 | 2016-01-13 | 上海理工大学 | 银纳米球粒径大小连续可调的制备方法 |
| US20160050916A1 (en) * | 2013-04-01 | 2016-02-25 | Gencoa Ltd. | Bio control activity surface |
| CN106645243A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-05-10 | 北京有色金属研究总院 | 一种大颗粒粉末透射电镜样品的制备方法 |
| CN107121316A (zh) * | 2017-03-22 | 2017-09-01 | 华南理工大学 | 一种微米级镍基高温合金粉末透射电镜薄膜样品的制备方法 |
| CN107576541A (zh) * | 2017-07-22 | 2018-01-12 | 复旦大学 | 透射电镜的原位加电砷化铟/锑化镓超晶格半导体样品的制备方法 |
| CN108731993A (zh) * | 2018-04-18 | 2018-11-02 | 厦门大学 | 弱键合强度脆性键合样品截面透射电子显微镜制备方法 |
-
2021
- 2021-02-22 CN CN202110197538.6A patent/CN113020612A/zh active Pending
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101429644A (zh) * | 2008-03-21 | 2009-05-13 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 金属或金属氧化物纳米颗粒的制备方法 |
| CN102362006A (zh) * | 2009-02-10 | 2012-02-22 | 夸泰克工程公司 | 沉淀基板上的金属层的离子束处理方法 |
| CN102560384A (zh) * | 2012-02-23 | 2012-07-11 | 成都精密光学工程研究中心 | 在基底表面上沉积纳米点阵的方法 |
| US20160050916A1 (en) * | 2013-04-01 | 2016-02-25 | Gencoa Ltd. | Bio control activity surface |
| CN104230183A (zh) * | 2014-09-15 | 2014-12-24 | 上海理工大学 | 可调谐表面增强拉曼散射基底的制备方法 |
| CN104819876A (zh) * | 2015-04-07 | 2015-08-05 | 湖北大学 | 一种用于透射电镜原位加电场和应力的薄膜样品制备方法 |
| CN105239041A (zh) * | 2015-11-19 | 2016-01-13 | 上海理工大学 | 银纳米球粒径大小连续可调的制备方法 |
| CN106645243A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-05-10 | 北京有色金属研究总院 | 一种大颗粒粉末透射电镜样品的制备方法 |
| CN107121316A (zh) * | 2017-03-22 | 2017-09-01 | 华南理工大学 | 一种微米级镍基高温合金粉末透射电镜薄膜样品的制备方法 |
| CN107576541A (zh) * | 2017-07-22 | 2018-01-12 | 复旦大学 | 透射电镜的原位加电砷化铟/锑化镓超晶格半导体样品的制备方法 |
| CN108731993A (zh) * | 2018-04-18 | 2018-11-02 | 厦门大学 | 弱键合强度脆性键合样品截面透射电子显微镜制备方法 |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| 常铁军等: "《材料现代研究方法》", 31 March 2005, 哈尔滨工程大学出版社, pages: 44 * |
| 张静武: "《材料电子显微分析》", 31 January 2012, 冶金工业出版社, pages: 39 - 40 * |
| 杜一平: "《现代仪器分析方法》", 31 October 2008, 华东理工大学出版社, pages: 310 * |
| 柴国墉等: "《化工百科全书 第2卷 玻璃-氮化物》", 化学工业出版社, pages: 362 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104819876B (zh) | 一种用于透射电镜原位加电场和应力的薄膜样品制备方法 | |
| EP3113211B1 (en) | Handle substrate for composite substrate for semiconductor and composite substrate for semiconductor | |
| US7482587B1 (en) | Circular silicon substrates with thin film membranes for electron microscopy | |
| WO2011086940A1 (ja) | Ｉｎ－Ｇａ－Ｏ系酸化物焼結体、ターゲット、酸化物半導体薄膜及びこれらの製造方法 | |
| US20210047750A1 (en) | SEED CRYSTAL FOR SINGLE CRYSTAL 4H-SiC GROWTH AND METHOD FOR PROCESSING THE SAME | |
| CN105817976A (zh) | 一种纳米深度损伤层高效超精密磨削方法 | |
| JPH0393694A (ja) | 砥粒の製造方法 | |
| CN113020612A (zh) | 一种大小连续可调的铜纳米球粒制备方法 | |
| CN109100381B (zh) | 一种碲锰镉晶体透射电镜截面样品的制备方法 | |
| Hou et al. | Characterization of Sputtered Nano-Au Layer Deposition on Silicon Wafer | |
| CN109540947B (zh) | 一种制备fib三维重构用“鼻尖”试样的方法 | |
| Alani et al. | Precision ion polishing system-a new instrument for TEM specimen preparation of materials | |
| CN105239041A (zh) | 银纳米球粒径大小连续可调的制备方法 | |
| JPH03257158A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| US4319889A (en) | Ultrasharp diamond edges and points and methods of making same by precision micro-irradiation techniques | |
| Yinxia et al. | Microstructure studies of the grinding damage in monocrystalline silicon wafers | |
| Zhang et al. | Material removal mechanism of precision grinding of soft-brittle CdZnTe wafers | |
| CN109065508A (zh) | 一种反向台面复合结构超薄晶片及其制备方法 | |
| JP2504859B2 (ja) | 透過電子顕微鏡試料の作製方法 | |
| CN104070422B (zh) | 亚微米曲率半径单颗粒金刚石针尖纳米深度高速划擦方法 | |
| CN113340690A (zh) | 一种高纯铝金相试样的制备方法 | |
| CN105047535A (zh) | 避免晶圆边缘剥落缺陷的方法 | |
| Chae et al. | Optical properties evaluated according to the different thickness sapphire under the same polishing conditions | |
| Fischione | Materials specimen preparation for transmission electron microscopy | |
| JP2007229848A (ja) | ＳｉＯｘ粉を含む成形体および砥石、それを用いた研削方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210625 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |