CN112995450A

CN112995450A - 成像模组及其制造方法

Info

Publication number: CN112995450A
Application number: CN201911296445.8A
Authority: CN
Inventors: 桂珞
Original assignee: China Core Integrated Circuit Ningbo Co Ltd
Current assignee: China Core Integrated Circuit Ningbo Co Ltd
Priority date: 2019-12-16
Filing date: 2019-12-16
Publication date: 2021-06-18
Also published as: WO2021120573A1

Abstract

本发明提供了一种成像模组及其制造方法，通过设计第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极在施加电压后，所述第二电极能够朝向所述第一电极靠近，从而带动所述被移动部件发生移动，由此即可简便的实现被移动部件(例如镜片)的移动，特别的，包括所述第一电极和所述第二电极的运动控制器可以通过半导体工艺实现，所述运动控制器可以制造的非常小并且制造工艺也非常简便，从而所形成的成像模组非常适于在空间体积狭小的手机等电子终端中应用。

Description

成像模组及其制造方法

技术领域

本发明涉及光学成像技术领域，特别涉及一种成像模组及其制造方法。

背景技术

光学防抖(OIS：Optical Image Stabilizer)是目前最被公众认可的一种防抖技术，它可以通过移动式的部件，对发生抖动的光路进行补偿，从而减轻照片模糊的效果。实现光学防抖的方案之一是让成像模组中的某片镜片处于“悬浮可动”状态，根据机器测算出的抖动，使处于悬浮可动状态的镜片移动，从而实现对抖动进行补偿。不同于传统单反相机，在空间体积狭小的手机等电子终端实现该功能，是一项巨大工程挑战。

常用的实现成像模组光学防抖的途径包括：平移图像传感器、平移镜头组和整个成像模组移动。然而平移图像传感器过程中，由于图像传感器需要与承载基板电连接，确保平移时的电连接的可靠性和耐用性等存在难题，技术不成熟，实现难度大；另外平移镜头组时，由于镜头组尺寸大，重量大，需要专用的可多向位移的OIS驱动马达，需要的空间较大；对于模组整体移动是宏观尺寸和重量的机械位移，结构复杂功耗较大，所需空间也较大。

随着成像模组在手机等电子设备中的广泛应用，对成像模组的尺寸提出了微型化的需求，以便减小手机的体积和重量，因此，现有的成像模组的性能亟待提高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种成像模组及其制造方法，以实现镜片的移动，特别的，在空间体积狭小的手机等电子终端实现镜片的移动。

为了实现上述目的，在本发明的一方面，提供了一种成像模组，所述成像模组包括：

被移动部件，所述被移动部件包括图像传感器、镜片或镜头组；以及

运动控制器，所述运动控制器包括底座以及设置于所述底座上的至少一个电极组，所述电极组包括第一电极以及与所述第一电极间隔设置的第二电极，所述第二电极包括固定部及与所述固定部连接的可动部，所述固定部固定于所述底座上，所述可动部悬空于所述底座上，所述第二电极的所述可动部与所述被移动部件相连；

所述第一电极和所述第二电极在施加电压后，所述第二电极能够朝向所述第一电极靠近，从而带动所述被移动部件发生移动。

在本发明的另一方面，提供了一种像模组的制造方法，所述成像模组的制造方法包括：

形成运动控制器，所述运动控制器包括底座以及设置于所述底座上的至少一个电极组，所述电极组包括第一电极以及与所述第一电极间隔设置的第二电极，所述第二电极包括固定部及与所述固定部连接的可动部，所述固定部固定于所述底座上，所述可动部悬空于所述底座上；以及

将被移动部件与所述第二电极的所述可动部相连，所述被移动部件包括图像传感器、镜头和/或镜头组；

其中，所述第一电极和所述第二电极在施加电压后，所述第二电极能够朝向所述第一电极靠近，从而带动所述被移动部件发生移动。

在本发明提供的成像模组及其制造方法中，通过设计第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极在施加电压后，所述第二电极能够朝向所述第一电极靠近，从而带动所述被移动部件发生移动，由此即可简便的实现被移动部件(例如镜片)的移动，特别的，包括所述第一电极和所述第二电极的运动控制器可以通过半导体工艺实现，所述运动控制器可以制造的非常小并且制造工艺也非常简便，从而所形成的成像模组非常适于在空间体积狭小的手机等电子终端中应用。

附图说明

图1是本发明实施例一的成像模组的结构示意图；

图2是本发明实施例一的第一电极和第二电极的结构示意图；

图3是本发明实施例一的底座的结构示意图；

图4是本发明实施例二的电极组和连接件的结构示意图；

图5是本发明实施例二的两个电极组和一个连接件的结构示意图；

图6是本发明实施例三的成像模组的结构示意图；

图7是本发明实施例四的底座的结构示意图；

图8是本发明实施例四的底座分部和电极组的结构示意图；

图9是本发明实施例五的运动控制器的结构示意图；

图10是本发明实施例六的运动控制器的结构示意图；

图11是本发明实施例七的运动控制器的结构示意图；

图12至图16是本发明八实施例中的成像模组的制造过程中所形成的结构的局部示意图；

图17至图19是本发明实施例九的成像模组的制造过程中所形成的结构的局部示意图；

图20至图24是本发明实施例十的成像模组的制造过程中所形成的结构的局部示意图；

图25至图30是本发明实施例十一的成像模组的制造过程中所形成的结构的局部示意图；

图31至图37是本发明实施例十二的成像模组的制造过程中所形成的结构的局部示意图；

图38至图47是本发明实施例十三的成像模组的制造过程中所形成的结构的局部示意图；

其中，附图标记说明如下(在本申请中，相同或者相似的结构采用同一附图标记，以使得相互之间的关系更加清楚)：

10-被移动部件；11-运动控制器；12-框架；13-图像传感器、镜片或者镜头组；20-底座；21-电极组；22-连接件；23-对称轴；24-侧壁；25a-第一容置空间；25b-第二容置空间；26-封盖；30-第一电极；31-第二电极；32-第一电压接入点；33-第二电压接入点；34-第一通孔结构；35-第二通孔结构；40-固定部；41-可动部；42-第一端；43-第二端；44-固定结构；45-第三端；46-第四端；47-连接面；48-第五端；49-第六端；50、50a、50b、50c、50d-底座分部；

100-衬底；110-图形化的第一牺牲层；111-第一开口；112-第二开口；113-第三开口；120-阻挡层；130-图形化的阻挡层；131-第一防黏连部；132-平整部；133-对准部；140-第一导电层；150-第二导电层；151-第二防黏连部；160-图形化的绝缘层；161-第一开槽；162-第二开槽；170-第二牺牲层；180-图形化的第二牺牲层；181-第四开口；182-第五开口；183-第六开口；190-封盖层；191-第一封盖层；192-第二封盖层；193-第七开口；194-第八开口；195-第九开口；200-保护层；210-第十一开口；211-第十二开口。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的成像模组及其制造方法作进一步详细说明。根据下面说明本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。特别的，由于各附图说明的重点往往不同以及文档显示效果的原因，各附图中的比例将存在不同。

【实施例一】

请参考图1至图3，其中，图1是本发明实施例一的成像模组的结构示意图；图2是本发明实施例一的第一电极和第二电极的结构示意图；图3是本发明实施例一的底座的结构示意图，其中，图1为成像模组的剖视示意图，图2为第一电极和第二电极的俯视示意图，图3为底座的俯视示意图。具体的，图2是图1中第一电极和第二电极的俯视示意图，但为了具体图示的清楚，图2中的比例关系与图1中的比例关系可能并非严格对应；图3是图1中底座的俯视示意图，但为了具体图示的清楚，图3中的比例关系与图1中的比例关系可能并非严格对应。

如图1至图3所示，所述成像模组包括：被移动部件10，所述被移动部件10包括图像传感器、镜片或镜头组；以及运动控制器11，所述运动控制器11包括底座20以及设置于所述底座20上的至少一个电极组21，所述电极组21包括第一电极30以及与所述第一电极30间隔设置的第二电极31，所述第二电极31与所述被移动部件10相连；所述第一电极30和所述第二电极31在施加电压后，所述第二电极31能够朝向所述第一电极30靠近，从而带动所述被移动部件10发生移动。

在此，所述第一电极30和所述第二电极31在施加电压后，将产生静电吸引力，在所述静电吸引力的作用下，所述第二电极31的至少一部分将朝向所述第一电极30靠近，由于所述被移动部件10与所述第二电极31相连，由此，所述第二电极31朝向所述第一电极30靠近时，将会拉动所述被移动部件10，实现所述被移动部件10的移动。

本实施例中，所述被移动部件10为镜片，其他实施例中，所述被移动部件10可以为镜头组也可以为图像传感器。

进一步的，所述电极组21还包括与所述第一电极30电连接的第一电压接入点32以及与所述第二电极31电连接的第二电压接入点33。在本申请实施例中，所述第一电压接入点32设置于所述第一电极30上，所述第一电压接入点32可以位于第一电极30的任意位置。所述第二电压接入点33设置于所述第二电极31上，具体的，所述第二电极接入点33位于所述第二电极的固定部上。

其中，所述第一电压接入点32和所述第二电压接入点33的材质为金属，例如，所述第一电压接入点32和所述第二电压接入点33的材质为铝。可选的，所述第一电压接入点32和所述第二电压接入点33上还电镀有保护层，例如为镍金层，以保护所述第一电压接入点32和所述第二电压接入点33避免腐蚀等。

在本申请实施例中，所述底座20的材质为非导电材料，例如，所述底座20的材质可以为半导体工艺中常用的单晶硅和/或玻璃。进一步的，所述底座20可以包括单晶硅层以及形成于所述单晶硅层上的阻挡层，所述阻挡层的材质例如可以是氮化硅，从而可以更好的实现所述第一电极30和所述第二电极31之间电性绝缘。

在本申请实施例中，所述第一电极30和所述第二电极31的材质为导电材料，可选的，所述第一电极30和所述第二电极31的材质可以为半导体工艺中常用的掺杂的多晶硅或者金属，例如，铝、铜等。

本实施例中，所述第一电极30和第二电极31的厚度相等。其他实施例中，所述第一电极30和第二电极31的厚度可以不相等。

所述第一电极30和第二电极31需要外接电压，二者能承受的电压与成像模组要应用的器件所能承受的电压有关。第一电极30与第二电极31之间的静电力与第一电极30和第二电极31的电压相关。然而第二电极31本身具有回弹力，回弹力的大小与第二电极31的材料和厚度相关。第一电极30与第二电极31的静电力与第二电极31的回弹力之差与施加到被移动部件的拉力相关。因此，在设计过程中，需要合理设计第二电极31的材料和厚度，第一电极30和第二电极31之间的距离和相对面积，以及施加在第一电极30和第二电极31上的电压，从而实现对被移动部件的移动位移。

其中，所述第一电极30和所述第二电极31的表面可以涂覆有绝缘层，从而避免所述第一电极30和所述第二电极31之间电连接。进一步的，所述被移动部件10与所述第二电极31粘接固连，具体的，可以通过在所述第二电极31上点胶实现与所述被移动部件10的粘接。

请继续参考图1和图2，在本申请实施例中，所述第二电极31包括固定部40及与所述固定部40连接的可动部41，所述固定部40固定于所述底座20上，所述可动部41悬空于所述底座20上；所述第一电极30和所述第二电极31在施加电压后，所述可动部41能够朝向所述第一电极30靠近。在此，所述固定部40和所述可动部41一体形成，其中，所述固定部40可以位于所述可动部41的一端，也可以位于所述可动部41中间，即所述可动部41可以被所述固定部40分为两部分。

可选的，所述第二电极31具有相对的第一端42和第二端43，所述第一端42较所述第二端43靠近所述第一电极30，所述固定部40位于所述第一端42。其中，所述固定部40可以与所述第一端42完全重合；也可以所述固定部40较所述第一端42大，即所述固定部40可以自所述第一端42向所述第二端43延伸出部分，也即可以认为所述第一端42是所述固定部40的一部分；还可以所述第一端42较所述固定部40大，也即可以认为所述固定部40是所述第一端42的一部分，本申请对此不作限定。在此，所述第二端43属于所述可动部41，进一步的，所述可动部41还包括所述第二端43和所述固定部40之间的部分所述第二电极31。

进一步的，所述第一电极30呈长方体形；所述第二电极31还包括柱状的固定结构44，所述第二电极31呈条状并且在所述固定部40通过所述固定结构44固定于所述底座20上。如图2所示，所述第一电极30具有相对的第三端45和第四端46，其中，所述第一端42对准所述第三端45，或者所述第一端42超出于所述第三端45外；所述第二端43对准所述第四端46，或者所述第二端43超出于所述第四端46外。由此，所述第一电极30和所述第二电极31相对的面积最大，从而可以使得所述第二电极31和所述第一电极30(在施加电压后)静电吸引力的变化范围最大化，便于对于所述被移动部件10的移动量的控制。

所述第一电极30和第二电极31之间的静电力与第二电极31和第一电极30之间的位置有关。本实施例中，所述第二电极31与第一电极30的夹角(或者说所述第二电极31与所述第一电极30的延长线所形成的夹角)小于等于10度。即，所述可动部41与第一电极30的夹角(或者说所述可动部41与所述第一电极30的延长线所形成的夹角)小于等于10度。

本实施例中，所述第一电极30的材料为掺杂的多晶硅，所述第一电极30的长度不小于10μm，所述第一电极30的厚度不小于1μm，宽度(俯视线宽)不限。

本实施例中，所述第二电极31的长度不小于10μm并且不大于500μm，所述第二电极31厚度不小于1μm，所述第二电极31的最小宽度(俯视线宽)不大于5μm。

所述第二电极31的长度小于10μm，则所述第一电极30与所述第二电极31之间的相对面积较小，所产生的拉力有限；所述第二电极31的长度不易过长，需要考虑释放电压后稳定性问题和移动的精度控制，所述第二电极31的长度大于500μm时，电极的抖动难以克服，同时尺寸较大，稳定性不佳。所述第二电极31与第一电极30之间的夹角小于等于10度时，第二电极31与第一电极30的相对面积较大，二者之间的静电力较大，能够保证克服第二电极31的回弹力的同时，对被移动部件10施加拉力。

在本申请实施例中，所述被移动部件10与所述第二电极31相连的表面呈圆形。可选的，所述底座20呈圆环形，在本申请实施例中，所述底座20为一整体结构。其中，所述底座20的外(直)径较所述被移动部件10的直径大，所述底座20的内(直)径与所述被移动部件10的直径相同，或者较所述被移动部件10的直径略大/略小。此处，所述底座20的外(直)径和内(直)径主要可以根据所述被移动部件10的直径以及所述被移动部件10设计的移动量进行设置。在本申请其他实施例中，所述底座20也可以呈方环形、多边形环等形状，具体的，所述底座20的形状可以根据实际需求和被移动部件10的形状自由设置。例如，根据所述被移动部件10的形状，所述底座20的内部中空部分可以呈方形、圆形等；根据实际需求或者底座20放置的环境，所述底座20的外边界可以呈方形、圆形、多边形、不规则形状等，对此本申请不作限定。

可选的，所述底座20上设置有多个所述电极组21，所述电极组21的个数为大于等于1的自然数，例如两个、五个、八个等。所述多个电极组21对称分布于被移动部件周围。所有所述电极组21可以均匀分布于所述底座20上，也可以不均匀分布于所述底座21上。

可选的，所有所述电极组21的形状相同，在此包括第一电极30的形状和大小相同、第二电极31的形状和大小相同、第一电极30和第二电极31之间的位置关系相同，由此可以使得对于所述被移动部件10的移动的控制更加简便。

请结合参考图1和图3，在此，每个所述电极组21，具体的，每个所述第二电极31具有用于与所述被移动部件10相连的连接面47。其中，所述连接面47可以为部分所述可动部41的(与所述底座10面对的)下表面或者(与所述下表面背对的)上表面。可选的，所有所述电极组21的连接面47位于同一平面或相互平行。在一实施例中，所有所述电极组21连接所述被移动部件10的同一表面，由此可以使得所述被移动部件10的状态更加稳定，并且也更易于对于所述被移动部件10的移动的控制。

本实施例中，所述多个电极组的个数为大于等于4的自然数。在平行于被移动部件10与第二电极31相接触的表面所在的表面上，具有第一方向X和第二方向Y，第一方向X和第二方向Y垂直。在平行于第一方向X、平行于第二方向Y、平行于与第一方向X相反的方向上和平行于与第二方向Y相反的方向上分别设置有电极组，每个方向的电极组可以相同也可以不同。

本实施例中，所述成像模组还包括：套筒，所述套筒具有中空的空间，所述底座固定设置于所述套筒侧壁，所述被移动部件位于所述套筒内。

所述套筒具有连续的侧壁，所述底座固设于所述套筒的侧壁，因此被移动部件与运动控制器的连接面垂直于底座侧壁。

本实施例中，所述成像模组还包括图像传感器，所述套筒包围所述图像传感器。

在一实施例中，所述图像传感器位于基板上，所述套筒设置在基板上包围所述图像传感器，所述基板上具有外部电源接入点，将所述第一电压接入点32和所述第二电压接入点33与基板上的外部电源接入点通过柔性导线连通，实现对运动控制器供电。所述基板包括PCB板或者其他承载成像模组并提供电信号的基板。

采用某种机制，使得物体运动过程中所呈的像处于图像传感器同一个位置，从而确保了物点与像点的一一对应关系，即可实现光学防抖。

本实施例中，所述被移动部件和图像传感器均位于套筒内，且底座固设于所述套筒侧壁，底座的位置决定了被移动部件的位置，因此被移动部件与图像传感器的距离固定。在物体运动过程中，可以通过移动被移动部件，使得物体的像始终位于图像传感器的相同位置，从而实现防抖。

具体为，如图1所述，在平行于第一方向X的方向上，被移动部件10左右均分布有若干运动控制器，当左侧运动控制器工作时(右侧运动控制器不工作)，会将被移动部件10向左侧拉动；当右侧运动控制器工作(左侧运动控制器不工作)，会将被移动部件10向右侧拉动，以带动被移动部件10沿X方向移动，在X方向上产生位移；同理，在平行于第一方向Y的方向上，被移动部件的两个相反的方向均分布有若干运动控制器，以带动被移动部件10沿Y方向移动，使在Y方向上产生位移；X方向和Y方向位移可以同时实施进而产生运动的叠加，实现在X-Y平面(所述X-Y平面平行于连接面47)任意方向特定范围内的位移，进而对这些方向的物体运动进行补偿，实现防抖。

其他实施例中，所述被移动部件为图像传感器，通过运动控制器移动所述图像传感器的位置，也可以实现光学防抖。

在本申请的其他实施例中，所有所述电极组21的连接面47也可以位于不同平面，或者，所有所述电极组21连接所述被移动部件10的不同表面。

【实施例二】

本实施例二与实施例一的差别主要在于，所述运动控制器还包括至少一个连接件，一个所述连接件与至少一个所述第二电极相连，所述被移动部件通过所述连接件与所述第二电极相连。

具体的，请参考图4，其为本发明实施例二的电极组和一个连接件的(俯视)结构示意图。如图4所示，并请结合参考图1至图3，所述运动控制器11还包括至少一个连接件22，在此，一个所述连接件22与一个所述第二电极31相连，可选的，一个所述连接件22与一个所述第二电极31一体化/一体形成。所述被移动部件10与所述连接件22粘接固连，从而通过所述连接件22与所述第二电极31相连。

请继续参考图4，在本申请实施例中，所述连接件22和(与连接所述连接件22的第二电极31属于同一组电极组21的)所述第一电极30正对，在此，所述连接件22面对所述第一电极30的表面与所述第一电极30面对所述连接件22的表面相平行。进一步的，所述第二电极31斜置于所述连接件22和所述第一电极30之间，具体为，所述第二电极31与第一电极30的夹角小于等于10度。具体的，所述连接件22具有相对的第五端48和第六端49，相对于所述第三端45和所述第四端46，所述第五端48更靠近所述第三端45，所述第六端49更靠近所述第四端46；相对于所述第三端45和所述第四端46，所述第一端42更靠近所述第三端45；相对于所述第五端48和所述第六端49，所述第二端43更靠近所述第六端49，由此，所述第二电极31在所述连接件22和所述第一电极30之间呈倾斜设置状态。

可选的，所述连接件22和所述第一电极30所构成的结构为对称结构，具有对称轴23。所述第一端42和所述第二端43分别位于所述对称轴23的两侧。

在本申请实施例中，所述连接件22的表面宽度可以较所述第二电极31的表面宽度大，从而便于与所述被移动部件10相连；或者，所述连接件22的表面宽度可以较所述第二电极31的表面宽度小，从而便于对所述被移动部件10的移动方向的更精确控制。

此外，所述运动控制器11的其他具体结构，例如所述第二电极31包括固定部40和可动部41等，以及所述运动控制器11和所述被移动部件10的具体连接关系等所述成像模组的一些其他细节可以相应参考实施例一，本实施例二对此不再赘述。

在本申请实施例中，一个所述连接件还可以与多个所述第二电极连接，例如，一个所述连接件与偶数个所述第二电极相连，并且与同一个所述连接件连接的所有所述第二电极关于所述连接件的轴线对称布置。

具体的，请参考图5，其为本发明实施例二的两个电极组和一个连接件的(俯视)结构示意图。如图5所示，并请结合参考图1至图4，一个所述连接件22与两个所述第二电极31相连，并且与同一个所述连接件22连接的两个所述第二电极31关于所述连接件22的轴线对称布置。在此，相应的，与两个所述第二电极31分别属于同一个电极组21的两个所述第一电极30也关于所述连接件22的轴线对称布置。

由此可以使得所述被移动部件10只发生径向上的位移，而不发生周向上的位移，满足所述成像模组的不同需求。

在本申请实施例中，一个所述连接件还可以与奇数多个所述第二电极连接，例如，一个所述连接件与三个所述第二电极连接，此时，与同一个所述连接件连接的其中两个所述第二电极可以关于所述连接件的轴线对称布置，第三个所述第二电极可以位于前两个所述第二电极之间或者任意一侧；或者，三个所述第二电极依次布置以与一个所述连接件连接。

一个所述连接件22与所述第二电极31(包括一个所述第二电极31或者多个所述第二电极31)连接时，各所述第二电极31施加的拉力(或者说所述被移动部件10受到各所述第二电极31的拉力)的大小可以全部相同，也可以全部或者部分不相同；进一步的，各所述第二电极31施加的拉力(或者说所述被移动部件10受到各所述第二电极31的拉力)的方向可以全部不同或者部分不同。其中，当一个所述连接件22与一个所述第二电极31连接时，所述被移动部件10不仅发生与所受到的拉力的方向相对应的水平移动，还能发生一定角度的旋转；当一个所述连接件22与多个所述第二电极31连接时，与同一个所述连接件22连接的多个所述第二电极31也可以通过施加不同的拉力以使得所述被移动部件10不仅发生与所受到的拉力的方向相对应的水平移动，还能发生一定角度的旋转，此时，可以对所述被移动部件10进行一定的补偿，例如所述被移动部件10为图像传感器时，可以产生防抖的效果。

其中，本实施例未描述的所述成像模组的一些其他细节可以相应参考前述实施例，本实施例对此不再赘述。

【实施例三】

本实施例三与前述实施例的差别主要在于，所述被移动部件还包括框架，所述图像传感器、所述镜片或所述镜头组设置于所述框架内。

具体的，请参考图6，其为本发明实施例三的成像模组的结构示意图，具体为成像模组的俯视示意图。如图6所示，并请结合参考图1至图5，在本申请实施例中，所述被移动部件10包括框架12以及设置于所述框架12内的图像传感器、镜片或者镜头组13。

在本申请实施例中，具体设置于所述框架12内的为镜片13，进一步的，镜片13相对的两表面分别为平面和凸曲面，其中所述平面为圆形平面。所述框架12内部具有圆形的贯通口，用于容置所述镜片13，所述贯通口的大小与所述镜片13相匹配，具体的，所述贯通口的直径可以略小于所述镜片13(平面)的直径，从而使得所述框架12能够稳固的承载所述镜片13。其中，所述镜片13和所述框架12之间可以通过粘接固连。进一步的，所述框架12外轮廓的形状可以为各种规则或者不规则形状，例如方形、圆形或者不规则多边形等，在本申请实施例中，所述框架12外轮廓的形状为方形。

通过所述框架12可以更加易于所述被移动部件10和所述运动控制器11之间的连接，可以使得所述运动控制器11模块化而又能适应多种形状/构造的图像传感器、镜片或者镜头组13。例如，可以通过一种工艺设计/尺寸批量的制造出一种规格的运动控制器11，而同时适应不同形状、尺寸的图像传感器、镜片或者镜头组13的应用，其间通过选取匹配形状、尺寸的框架12予以实现。

此外，所述运动控制器11的其他具体结构，例如所述第二电极31包括固定部40和可动部41等，以及所述运动控制器11和所述被移动部件10的具体连接关系等所述成像模组的一些其他细节可以相应参考前述实施例，本实施例对此不再赘述。

【实施例四】

本实施例四与前述实施例的差别主要在于，所述底座包括多个相互分离的底座分部，所有所述底座分部呈环形排布。

具体的，请参考图7，其为本发明实施例四的底座的(俯视)结构示意图。如图7所示，并请结合参考图1至图6，在此，所述底座20包括四个相互分离的底座分部50，在此，四个底座分部分别为底座分部50a、50b、50c、50d，四个所述底座分部50呈环形排布。具体的，每个所述底座分部50均呈方形(或者说长方体形、条状)，四个所述底座分部50的排布呈一方环形，四个所述底座分部50所围成的空间用以承载所述被移动部件10。

进一步的，请参考图8，其为本发明实施例四的底座分部和电极组的(俯视)结构示意图，在此，仅示例性的示出了底座分部50a上电极组21的分布情况。底座分部50b、50c、50d上的电极组21的分布情况可以与底座分部50a上电极组21的分布情况相同，在此主要包括电极组21的数量及各电极组21之间的关系(例如间距等)，底座分部50b、50c、50d上的电极组21的分布情况也可以与底座分部50a上电极组21的分布情况不同。其中，底座分部50b、50c、50d上的电极组21的分布情况与底座分部50a上电极组21的分布情况不同时，可以是四个底座分部50a、50b、50c、50d上电极组21的分布情况各不相同，也可以是四个底座分部50a、50b、50c、50d中部分底座分部50上电极组21的分布情况相同，部分底座分部50上电极组21的分布情况不同，本申请对此不作限定。

具体的，如图8所示，并请结合参考图1至图7，在本申请实施例中，所述运动控制器11包括多个电极组21，所有所述电极组21分为多组，每组所述电极组包括至少一个所述电极组21，在此，所有所述电极组21分为四组，每组所述电极组包括三个所述电极组21。在此，同组电极组21设置在同一个底座分部50上，不同组电极组21设置在不同的底座分部50上。具体的，底座分部50a上设置有同组的三个电极组21，底座分部50b、50c、50d上同样分别设置有同组的三个电极组21。

进一步的，所述第一电极30和所述第二电极31在施加电压后，同一组所述电极组21中的所述第二电极31的运动方向相同，不同组所述电极组21中的所述第二电极31的运动方向不同。在此，底座分部50a上的三个电极组21的运动方向均为水平向左，底座分部50b上的三个电极组21的运动方向均为竖直向上，底座分部50c上的三个电极组21的运动方向均为水平向右，底座分部50d上的三个电极组21的运动方向均为竖直向下。

相应的，所述被移动部件10受到同一组所述电极组21中的所述第二电极31的拉力的方向相同，所述被移动部件10受到不同组所述电极组21中的所述第二电极31的拉力的方向不同。例如，当底座分部50a上的三个电极组21施加电压后，所述被移动部件10受到底座分部50a上的三个电极组21中的三个所述第二电极31的同样水平向左的拉力，由此，所述被移动部件10发生水平向左移动的运动。

在本申请实施例中，可选的，同一组所述电极组中，每个所述第二电极31施加的拉力(或者说所述被移动部件10受到各所述第二电极31的拉力)的大小相同，由此所述被移动部件10仅发生与所受到的拉力的方向相对应的水平移动。进一步的，不同组所述电极组之间，所述第二电极31施加的拉力(或者说所述被移动部件10受到各所述第二电极31的拉力)的大小可以全部相同，也可以全部或者部分不相同。

在本申请的其他实施例中，特别是每组所述电极组包括至少两个所述电极组21时，同一组所述电极组中，每个所述第二电极31施加的拉力(或者说所述被移动部件10受到各所述第二电极31的拉力)的大小也可以不相同。进一步的，不同组所述电极组之间，所述第二电极31施加的拉力(或者说所述被移动部件10受到各所述第二电极31的拉力)的大小可以全部相同，也可以全部或者部分不相同。由此所述被移动部件10不仅发生与所受到的拉力的方向相对应的水平移动，还能发生一定角度的旋转。

例如，如图7和图8所示，底座分部50a上的三个电极组21中的所述第二电极31分别施加不同的拉力并且从上至下的三个所述第二电极31所施加的拉力依次减小，则所述被移动部件10在发生水平向左的位移时，也将发生一定角度的逆时针旋转。由此可以对所述被移动部件10进行一定的补偿，例如所述被移动部件10为图像传感器时，可以产生防抖的效果。

其中，不同组所述电极组之间，所述第二电极31施加的拉力(或者说所述被移动部件10受到各所述第二电极31的拉力)的大小可以全部相同，也可以全部或者部分不相同，具体可以包括如下一些情况：例如，底座分部50a上的三个电极组21中的所述第二电极31分别施加不同的拉力，底座分部50b上的三个电极组21中的所述第二电极31分别施加相同的拉力，底座分部50c上的三个电极组21中的所述第二电极31分别施加相同的拉力，底座分部50b上的三个电极组21中的所述第二电极31施加的拉力和底座分部50c上的三个电极组21中的所述第二电极31施加的拉力均相同；又如，底座分部50a上的三个电极组21中的所述第二电极31分别施加拉力F1、F2、F3，底座分部50b上的三个电极组21中的所述第二电极31分别施加拉力F4、F5、F6，可以F1和F4相等，F2、F3、F5和F6之间各不相等，也可以F1和F4相等、F2和F5相等、F3和F6相等，还可以F1和F4不相等，F2、F3、F5和F6相等，等等，本申请对此不再一一列举。

同样的，本实施例未描述的所述成像模组的一些其他细节可以相应参考前述实施例，本实施例对此不再赘述。

【实施例五】

本实施例五与前述实施例的差别主要在于，所述运动控制器还包括侧壁，所述侧壁设置于所述底座上并且与所述底座形成第一容置空间，所述电极组设置于所述第一容置空间内。

具体的，请参考图9，其为本发明实施例五的运动控制器的(剖视)结构示意图。如图9所示，并请结合参考图1至图8，所述运动控制器11还包括侧壁24，所述侧壁24设置于所述底座20上并且与所述底座20形成第一容置空间25a，所述电极组21设置于所述第一容置空间25a内。进一步的，(在每个电极组21中)所述第一电极30较所述第二电极31靠近所述侧壁24，所述第二电极31的部分突出于(伸出于)所述底座20。通过所述侧壁24可以保护所述电极组21。可选的，所述第二电极31突出于所述底座20的部分的长度占所述第二电极31的长度的2％～50％。

其中，所述侧壁24可以跟所述第一电极30、所述第二电极31同时形成，相应的，所述侧壁24的高度、材质可以跟所述第一电极30、所述第二电极31的高度、材质相同。在本申请实施例中，所述侧壁24的材质与所述电极组21相同，即所述侧壁24的材质可以为掺杂的多晶硅或者金属，进一步的，所述侧壁24的表面可以涂覆有绝缘层。在本申请实施例中，所述侧壁24的高度跟所述第一电极30、所述第二电极31的高度相同。在本申请其他实施例中，所述侧壁24的高度、材质也可以跟所述第一电极30、所述第二电极31的高度、材质不相同，例如，所述侧壁24的高度可以高于或者低于所述第一电极30、所述第二电极31的高度。其中，所述侧壁24可以与所述电极组21同时形成于所述底座20上，也可以分别(先后)形成于所述底座20上。

【实施例六】

本实施例六与前述实施例的差别主要在于，所述运动控制器还包括设置于所述侧壁上的封盖，所述侧壁、所述封盖和所述底座形成第二容置空间，所述电极组设置于所述第二容置空间内。

具体的，请参考图10，其为本发明实施例六的运动控制器的(剖视)结构示意图。如图10所示，并请结合参考图1至图9，所述运动控制器11还包括设置于所述侧壁24上的封盖26，所述侧壁24、所述封盖26和所述底座20形成第二容置空间25b，所述电极组21设置于所述第二容置空间25b内。进一步的，(在每个电极组21中)所述第一电极30较所述第二电极31靠近所述侧壁24，所述第二电极31的部分突出于(伸出于)所述底座20和所述封盖26。通过所述封盖26可以进一步保护所述电极组21。

可选的，所述封盖26的截面宽度可以与所述底座20的截面宽度相同，即所述第二电极31突出于(伸出于)所述底座20的长度与突出于(伸出于)所述封盖26的长度相同。进一步的，所述封盖26的材料为非导电材料，例如，所述封盖26的材料可以为非掺杂的多晶硅，可选的，所述封盖26的材料可以为氮化硅。此外，为了进一步保证所述封盖26的可靠性，所述封盖26可以包括非掺杂的多晶硅层和氮化层的叠层结构。

在本申请实施例中，所述第一电压接入点32位于所述第一电极30上，所述第二电压接入点33位于所述第二电极31上。进一步的，所述封盖26上具有开口，以暴露出所述第一电压接入点32和所述第二电压接入点33，在此为两个相互独立的开口，以分别暴露出所述第一电压接入点32和所述第二电压接入点33。

【实施例七】

本实施例七与前述实施例的差别主要在于，所述第一电压接入点和所述第二电压接入点均设置于所述底座背对所述电极组的表面。

具体的，请参考图11，其为本发明实施例七的运动控制器的(剖视)结构示意图。如图11所示，并请结合参考图1至图10，所述第一电压接入点32和所述第二电压接入点33均设置于所述底座20背对所述电极组21的表面(在此也可以称为背面)，所述第一电压接入点32通过第一通孔结构34与所述第一电极30电连接，所述第二电压接入点33通过第二通孔结构35与所述第二电极31电连接。其中，所述第一通孔结构34贯通所述底座20并与所述第一电极30电连接，所述第二通孔结构35贯通所述底座20并与所述第二电极31电连接，所述第一电压接入点32与所述第一通孔结构34电连接，所述第二电压接入点33与所述第二通孔结构35电连接。在此，所述第一电压接入点32、所述第二电压接入点33、所述第一通孔结构34和所述第二通孔结构35的材质可以为金属、掺杂的多晶硅等导电材质。

以上仅列举了本申请成像模组的几个具体实施例，需说明的是，在申请所公开的基础上，还可以形成更多具体的实施例；此外，在本申请中，前一实施例并不是后一实施例的基础或前提，各具体结构之间可以相互自由组合以得到各种不同的具体的成像模组，上述组合均在本申请所请求的保护范围内。

【实施例八】

本实施例八提供了一种成像模组的制造方法，所述成像模组的制造方法包括：形成运动控制器，所述运动控制器包括底座以及设置于所述底座上的至少一个电极组，所述电极组包括第一电极以及与所述第一电极间隔设置的第二电极；以及

将被移动部件与所述第二电极相连，所述被移动部件包括图像传感器、镜头和/或镜头组；

其中，所述被移动部件与所述第二电极之间相连的步骤，可以在所述运动控制器形成之后执行，也可以在所述运动控制器形成的过程中执行。例如，在本申请的一个实施例中，可以在所述第二电极形成之后并且所述第二电极的可动部悬空于所述底座上之后，使得所述被移动部件与所述第二电极相连；在本申请的另一个实施例中，也可以在所述第二电极形成之后并且所述第二电极的可动部悬空于所述底座之前，使得所述被移动部件与所述第二电极相连。本申请对此并不作限定。

具体的，请参考图12至图16，其为本发明实施例八的成像模组的制造过程中所形成的结构的局部(剖视)示意图，此外，还可结合参考图1至图11。本实施例八中的成像模组的制造方法主要是针对实施例一中的成像模组所提供的制造方法，因此，在参考图12至图16时，可特别结合参考图1至图3。

在本申请实施例中，首先，如图12所示，提供一衬底100，所述衬底100可以为单晶硅或者其他非导电材质，例如玻璃等。

接着，如图13所示，在所述衬底100上形成图形化的第一牺牲层110，所述图形化的第一牺牲层110具有在厚度方向上贯通的第一开口111和第二开口112。具体的，所述图形化的第一牺牲层110可以通过如下工艺形成：在所述衬底100上形成第一牺牲层，所述第一牺牲层的材质可以为氧化硅或者锗(Ge)等，所述第一牺牲层可以通过物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺等半导体工艺形成；接着，刻蚀所述第一牺牲层，在此至暴露出部分所述衬底100，以形成所述图形化的第一牺牲层110，具体可以采用干法刻蚀工艺、湿法刻蚀工艺等。进一步的，在刻蚀所述第一牺牲层以形成所述图形化的第一牺牲层110之前，也可以对所述第一牺牲层执行平坦化工艺。可选的，所述图形化的第一牺牲层110的厚度介于0.1μm～5μm之间。

接着，如图14所示，形成第一电极30和第二电极31，所述第一电极30填充在所述第一开口111中，所述第二电极31填充在所述第二开口112中并延伸覆盖部分所述图形化的第一牺牲层110。其中，所述第一电极30和所述第二电极31具体可通过如下工艺形成：形成一导电层，所述导电层填充所述第一开口111和所述第二开口112并延伸覆盖所述图形化的第一牺牲层110的表面；接着，刻蚀所述导电层，暴露出部分所述图形化的第一牺牲层110的表面，以形成所述第一电极30和所述第二电极31。

接着，如图15所示，自所述衬底100的背面刻蚀所述衬底100以暴露出部分所述图形化的第一牺牲层110，暴露出的部分所述图形化的第一牺牲层110对准部分所述第二电极31。在此，刻蚀所述衬底100以暴露出部分所述图形化的第一牺牲层110的同时，形成了所述底座20，即剩余部分的所述衬底100作为所述底座20。

接着，如图16所示，去除所述图形化的第一牺牲层110，由此，可以使得所述第二电极31的部分悬空，并且还使得在前一工艺步骤中暴露出的部分所述图形化的第一牺牲层110对准的部分所述第二电极31突出于(伸出于)所述底座20。

在本实施例中，便得到了所述运动控制器11，接着便可通过粘接的方式将所述被移动部件10与所述第二电极31相连。具体的，可以在所述第二电极31上形成连接层(图中未示出)，所述连接层例如为胶点，以连接所述被移动部件10。

【实施例九】

本实施例九与实施例八的差别在于，在形成所述图形化的第一牺牲层之前，还形成图形化的阻挡层。

具体的，请参考图17至图19，其为本发明实施例九的成像模组的制造过程中所形成的结构的局部(剖视)示意图，此外，还可结合参考图1至图16。

如图17所示，图17为图16基础上的示意图，在本申请实施例中，在形成所述图形化的第一牺牲层110之前，形成所述运动控制器的步骤还包括：在所述衬底100上形成阻挡层120。其中，所述阻挡层120的材质可以为氮化硅，其可以通过物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺等半导体工艺形成。可选的，所述阻挡层120的厚度介于

之间，例如，所述阻挡层120的厚度可以为

或者

等。

接着，如图18所示，刻蚀所述阻挡层120以形成图形化的阻挡层130，所述图形化的阻挡层130暴露出部分所述衬底100，并且所述图形化的阻挡层130包括依次远离暴露出的部分所述衬底100的第一防黏连部131、平整部132和对准部133。其中，后续形成的所述可动部41位于所述第一防黏连部131上，所述第一防黏连部131用于避免所述可动部41与所述第一防黏连部131所在的层连接在一起，提高所述可动部41的质量与可靠性。所述平整部132用于承载后续形成的所述第一电极30和所述第二电极31，所述对准部133用于后续形成膜层时进行对准。在本申请实施例中，所述第一防黏连部131的截面宽度占所述图形化的阻挡层130的截面宽度的20％～60％，所述平整部132的截面宽度占所述图形化的阻挡层130的截面宽度的20％～60％，所述对准部133的截面宽度占所述图形化的阻挡层130的截面宽度的5％～20％。

进一步的，所述第一防黏连部131包括多个间隔的阻挡块，可选的，所述阻挡块在所述衬底100上的投影呈方形。其中，所述阻挡块的截面宽度介于

之间，相邻两个所述阻挡块之间的间距介于

之间。所述平整部132包括一段连续层，也即包括所述图形化的阻挡层130中的连续的一段。所述对准部133包括一对准标记，所述对准标记可以为一个开口，所述对准标记的截面宽度介于

之间。

如图19所示，在本申请实施例中，所述第一开口111和所述第二开口112暴露出所述平整部132的部分，并且所述第一开口111较所述第二开口112靠近所述对准部133。可选的，所述图形化的第一牺牲层110还具有在厚度方向上贯通的第三开口113，所述第三开口113暴露出所述平整部132的部分，所述第三开口113较所述第一开口111靠近所述对准部133。在此，所述第三开口113用于形成侧壁24，所述侧壁24可以与所述第一电极30、所述第二电极31同时形成。

其中，本实施例未描述的所述成像模组的制造方法的一些其他细节可以相应参考前述实施例，本实施例对此不再赘述。

【实施例十】

在本实施例十中，进一步的，形成了所述第一电压接入点和第二电压接入点。

具体的，请参考图20至图24，其为本发明实施例十的成像模组的制造过程中所形成的结构的局部(剖视)示意图，此外，还可结合参考图1至图19。

如图20所示，图20为图19基础上的示意图，在形成图形化的第一牺牲层110之后，在本申请实施例中，接着形成第一导电层140。其中，所述图形化的第一牺牲层110可以具有两个开口，即第一开口111和第二开口112(如图13所示)，也可以具有三个开口，即第一开口111、第二开口112和第三开口113(如图19所示)。在本实施例中，所述图形化的第一牺牲层110具有三个开口。所述第一导电层140填充所述第一开口111、所述第二开口112以及所述第三开口113，并延伸覆盖所述图形化的第一牺牲层110的表面。可选的，所述第一导电层140的材质为掺杂的多晶硅或者锗硅(SiGe)，所述第一导电层140的厚度介于1μm～20μm之间。可选的，所述图形化的第一牺牲层110的材质为氧化硅，所述第一导电层140的材质为掺杂的多晶硅；或者，所述图形化的第一牺牲层110的材质为锗，所述第一导电层140的材质为(掺杂的)锗硅。

接着，如图21所示，形成第二导电层150，所述第二导电层150覆盖所述第一导电层140。在本申请实施例中，所述第二导电层150的材质为金属，例如铝，所述第二导电层150的厚度介于0.1μm～10μm之间。

接着，如图22所示，刻蚀所述第二导电层150，以形成相互分离的第一电压接入点32、第二电压接入点33以及第二防黏连部151，或者，仅形成相互分离的第一电压接入点32和第二电压接入点33。其中，所述第一电压接入点32对准所述第一开口111，所述第二电压接入点33对准所述第二开口112，所述第二防黏连部151对准所述第一防黏连部131。在本申请实施例中，所述第二防黏连部151包括多个间隔的导电块，其中，所述导电块的截面宽度可以介于100nm～5μm之间，相邻两个所述导电块之间的间距可以介于100nm～5μm之间。

接着，如图23所示，刻蚀所述第一导电层140，以形成相互分离的侧壁24、第一电极30和第二电极31，所述侧壁24填充在所述第三开口113中，所述第一电极30填充在所述第一开口111中，所述第二电极31填充在所述第二开口112中并延伸覆盖部分所述图形化的第一牺牲层110。在本申请的其他实施例中，刻蚀所述第一导电层140，以形成相互分离的侧壁24、第一电极30和第二电极31的同时，还可以形成连接件22，所述连接件22与所述第二电极31相连，所述连接件22可以作为所述第二电极31的延伸部分。

如图24所示，在本申请实施例中，进一步还包括：形成图形化的绝缘层160，所述图形化的绝缘层160覆盖所述第一电压接入点32、所述第二电压接入点33、所述第二防黏连部151、所述侧壁24暴露出的表面、所述第一电极30暴露出的表面以及所述第二电极31暴露出的表面。通过所述图形化的绝缘层160可以使得所述第一电极30和所述第二电极31之间可靠的实现电性隔绝，避免所述第一电极30和所述第二电极31电连接。在本申请实施例中，所述图形化的绝缘层160的材质可以为氮化硅，所述图形化的绝缘层160的厚度可以介于0.1μm～5μm之间。

【实施例十一】

本实施例十一与前述实施例的差别在于，在所述第二电极形成之后并且所述第二电极的可动部悬空于所述底座之前，使得所述被移动部件与所述第二电极相连。

具体的，请参考图25至图30，其为本发明实施例十一的成像模组的制造过程中所形成的结构的局部(剖视)示意图，此外，还可结合参考图1至图24。

首先，如图25所示，图25为图24基础上的示意图，在本申请实施例中，在形成了图形化的绝缘层160之后，进一步还包括，在所述图形化的绝缘层160中形成第一开槽161和第二开槽162，所述第一开槽161暴露出所述第一电压接入点32的至少一部分，所述第二开槽162暴露出所述第二电压接入点33的至少一部分。在本申请的其他实施例中，所述第一开槽161和所述第二开槽162也可以不单独形成，而是作为其他开口的一部分同时形成，例如可以在形成封盖层以后，同时刻蚀所述封盖层和所述图形化的绝缘层160以形成暴露出所述第一电压接入点32和所述第二电压接入点33的第七开口和第八开口，此时所述第一开槽和所述第二开槽就作为所述第七开口和所述第二开口的一部分而不再独立说明。

进一步的，可以通过化学电镀工艺在暴露出的所述第一电压接入点32和所述第二电压接入点33上形成镍金层(图中未示出)，以保护所述第一电压接入点32和所述第二电压接入点33。

接着，如图26所示，形成第二牺牲层170，所述第二牺牲层170覆盖所述图形化的绝缘层160以及暴露出的所述图形化的第一牺牲层110，在本申请实施例中，所述第二牺牲层170还覆盖暴露出的所述第一电压接入点32和所述第二电压接入点33，即填充所述第一开槽161和所述第二开槽162。可选的，所述第二牺牲层170高出所述图形化的绝缘层160的(最高)顶面的厚度介于0.5μm～5μm之间。具体的，可以在淀积形成所述第二牺牲层170之后，对所述第二牺牲层170执行化学机械研磨工艺，以使得所述第二牺牲层170的厚度达到要求。进一步的，对所述第二牺牲层170执行化学机械研磨工艺可以通过分步多次执行的方式实现，以提高所得到的所述第二牺牲层170的厚度精度。通过所述第二牺牲层170可以保护所述第一电极30和所述第二电极31等结构。其中，所述第二牺牲层170的材质可以为氧化硅或者锗(Ge)等。

如图27所示，在本申请实施例中，接着刻蚀所述衬底100形成底座20，具体的，自所述衬底100的背面刻蚀所述衬底100以暴露出部分所述图形化的第一牺牲层110，暴露出的部分所述图形化的第一牺牲层110对准部分所述第二电极31。

接着，如图28所示，去除暴露出的所述图形化的第一牺牲层110，以暴露出部分所述第二电极31。在此，暴露出所述第二电极31面对所述底座20的部分表面。在此，可以通过湿法腐蚀工艺去除暴露出的所述图形化的第一牺牲层。具体的，可以采用BOE溶液实现该湿法腐蚀工艺。

接着，如图29所示，将所述被移动部件10与所述第二电极31相连。具体的，可以在所述第二电极31上形成连接层(图中未示出)，以通过粘接的方式连接所述被移动部件10。具体的，可以在所述第二电极31上形成点状胶层、块状胶层或者环状胶层以实现所述被移动部件10和所述第二电极31的连接。其中，所述胶层的材质可以选用现有的任何一种具有粘性的材料，例如聚氨酯、聚丙烯酸酯等。

如图30所示，去除所述第二牺牲层170以及(剩余的)所述图形化的第一牺牲层110，以使得所述第二电极31的部分悬空并且部分所述第二电极31突出于(伸出于)所述底座20。同时，还使得所述侧壁24、所述第一电极30和所述第二电极31之间具有间隙隔离。在此，可以通过湿法腐蚀工艺去除所述第二牺牲层170以及(剩余的)所述图形化的第一牺牲层110。具体的，可以采用BOE溶液实现该湿法腐蚀工艺。

【实施例十二】

本实施例十二与前述实施例的差别在于，所述成像模组的制造方法还包括：形成封盖。

具体的，请参考图31至图37，其为本发明实施例十二的成像模组的制造过程中所形成的结构的局部(剖视)示意图，此外，还可结合参考图1至图30。

首先，如图31所示，图31为图24基础上的示意图，在形成所述第一电极30和所述第二电极31之后，刻蚀所述衬底100之前，所述成像模组的制造方法还包括：形成第二牺牲层170，所述第二牺牲层170覆盖所述图形化的绝缘层160以及暴露出的所述图形化的第一牺牲层110。在本申请实施例中，所述第二牺牲层170高出所述图形化的绝缘层160的(最高)顶面的厚度介于0.5μm～5μm之间。具体的，可以在淀积形成所述第二牺牲层170之后，对所述第二牺牲层170执行化学机械研磨工艺，以使得所述第二牺牲层170的厚度达到要求。进一步的，对所述第二牺牲层170执行化学机械研磨工艺可以通过分步多次执行的方式实现，以提高所得到的所述第二牺牲层170的厚度精度。

接着，如图32所示，刻蚀所述第二牺牲层170以形成图形化的第二牺牲层180，所述图形化的第二牺牲层180具有在厚度方向上贯通的第四开口181、第五开口182和第六开口183，其中，所述第四开口181对准所述第一电极30，所述第五开口182对准所述第二电极31，所述第六开口183对准所述侧壁24。相应的，请参考图19，也即，所述第四开口181对准所述第一开口111，所述第五开口182对准所述第二开口112，所述第六开口183对准所述第三开口113。

接着，如图33所示，形成封盖层190，所述封盖层190填充所述第四开口181、所述第五开口182和所述第六开口183，并且延伸覆盖暴露出的所述图形化的第二牺牲层180。在本申请实施例中，所述封盖层190包括第一封盖层191以及覆盖所述第一封盖层191的第二封盖层192，所述第一封盖层191填充所述第四开口181、所述第五开口182和所述第六开口183，并且延伸覆盖暴露出的所述图形化的第二牺牲层180。可选的，所述第一封盖层191的材质为非掺杂的多晶硅，所述第二封盖层192的材质为氮化材料。

如图34所示，在本申请实施例中，接着刻蚀所述衬底100形成底座20，具体的，自所述衬底100的背面刻蚀所述衬底100以暴露出部分所述图形化的第一牺牲层110，暴露出的部分所述图形化的第一牺牲层110对准部分所述第二电极31。

接着，如图35所示，刻蚀所述封盖层190以形成封盖26，所述封盖26具有在厚度方向上贯通的第七开口193、第八开口194以及第九开口195，所述第七开口193对准所述第一开口111并延伸贯通所述图形化的绝缘层160以暴露出所述第一电压接入点32，所述第八开口194对准所述第二开口112并延伸贯通所述图形化的绝缘层160以暴露出所述第二电压接入点33，所述第九开口195对准部分所述图形化的第一牺牲层110，其中，刻蚀所述衬底100暴露出的部分所述图形化的第一牺牲层110与所述第九开口195对准的部分所述图形化的第一牺牲层110为所述图形化的第一牺牲层110中的同一部分。

在本申请实施例中，接着如图36所示，在所述第一电压接入点32和所述第二电压接入点33上形成保护层200。具体的，可以通过化学电镀工艺形成镍金层，所述镍金层作为所述保护层200。

接着如图37所示，去除所述图形化的第一牺牲层110和所述图形化的第二牺牲层180，由此，可以使得所述第二电极31的部分悬空。

接着，便可在所述第二电极31上形成连接层(图中未示出)，所述连接层例如为胶点，以连接所述被移动部件10。具体的，所述连接层可以形成在所述第二电极31悬空的端部，即图2中所示的所述第二电极31的第二端43。

【实施例十三】

本实施例十三与前述实施例的差别在于，所述第一电压接入点32和所述第二电压接入点33形成于所述底座20的背面，从而与所述第一电极30、所述第二电极31分别位于所述底座20相对的两面。

具体的，请参考图38至图47，其为本发明实施例十三的成像模组的制造过程中所形成的结构的局部(剖视)示意图，此外，还可结合参考图1至图37。

首先，可参考图20，形成第一导电层140，所述第一导电层140填充所述第一开口111、所述第二开口112以及所述第三开口113，并延伸覆盖所述图形化的第一牺牲层110的表面。

接着，如图38所示，图38为图20基础上的示意图，刻蚀所述第一导电层140，以形成相互分离的侧壁24、第一电极30和第二电极31，在本申请实施例中，还可以同时形成连接件22，所述连接件22与所述第二电极31相连。所述侧壁24填充在所述第三开口113中，所述第一电极30填充在所述第一开口111中，所述第二电极31填充在所述第二开口112中并延伸覆盖部分所述图形化的第一牺牲层110。

如图39所示，接着，形成图形化的绝缘层160，所述图形化的绝缘层160覆盖所述侧壁24暴露出的表面、所述第一电极30暴露出的表面以及所述第二电极31暴露出的表面。

如图40所示，接着，形成第二牺牲层170，所述第二牺牲层170覆盖所述图形化的绝缘层160以及暴露出的所述图形化的第一牺牲层110。

接着，如图41所示，刻蚀所述第二牺牲层170以形成图形化的第二牺牲层180，所述图形化的第二牺牲层180具有在厚度方向上贯通的第四开口181、第五开口182和第六开口183，其中，所述第四开口181对准所述第一电极30，所述第五开口182对准所述第二电极31，所述第六开口183对准所述侧壁24。相应的，请参考图19，也即，所述第四开口181对准所述第一开口111，所述第五开口182对准所述第二开口112，所述第六开口183对准所述第三开口113。

如图42所示，形成封盖层190，所述封盖层190填充所述第四开口181、所述第五开口182和所述第六开口183，并且延伸覆盖暴露出的所述图形化的第二牺牲层180。

如图43所示，在本申请实施例中，接着，自所述衬底100的背面刻蚀所述衬底100以暴露出部分所述图形化的第一牺牲层110，从而形成底座20，暴露出的部分所述图形化的第一牺牲层110对准部分所述第二电极31，并且，还在所述衬底100中形成在厚度方向上贯通的第十一开口210和第十二开口211，所述第十一开口210对准所述第一电极30(也即图19中的第一开口111)并延伸贯通所述平整部132以暴露出所述第一电极30，所述第十二开口211对准所述第二电极31(也即图19中的第二开口112)并延伸贯通所述平整部132以暴露出所述第二电极31。

接着，如图44所示，在所述第十一开口210和所述第十二开口211中分别形成第一通孔结构34和第二通孔结构35，所述第一通孔结构34与所述第一电极30电连接，所述第二通孔结构35与所述第二电极31电连接。

进一步的，如图45所示，分别形成第一电压接入点32和第二电压接入点33，所述第一电压接入点32覆盖所述第一通孔结构34并与所述第一通孔结构34电连接，所述第二电压接入点33覆盖所述第二通孔结构35并与所述第二通孔结构35电连接。

接着，如图46所示，刻蚀所述封盖层190以形成封盖26，所述封盖26具有在厚度方向上贯通的第九开口195，所述第九开口195对准部分所述图形化的第一牺牲层110，其中，刻蚀所述衬底暴露出的部分所述图形化的第一牺牲层110与所述第九开口195对准的部分所述图形化的第一牺牲层110为所述图形化的第一牺牲层110中的同一部分。

接着如图47所示，去除所述图形化的第一牺牲层110和所述图形化的第二牺牲层180，由此，可以使得所述第二电极42的部分悬空。

综上可见，在本发明实施例提供的成像模组及其制造方法中，通过设计第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极在施加电压后，所述第二电极能够朝向所述第一电极靠近，从而带动所述被移动部件发生移动，由此即可简便的实现被移动部件(例如镜片)的移动，特别的，包括所述第一电极和所述第二电极的运动控制器可以通过半导体工艺实现，所述运动控制器可以制造的非常小并且制造工艺也非常简便，从而所形成的成像模组非常适于在空间体积狭小的手机等电子终端中应用。

上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims

1.一种成像模组，其特征在于，所述成像模组包括：

2.如权利要求1所述的成像模组，其特征在于，所述底座上设置有多个所述电极组，每个所述电极组具有用于与所述被移动部件相连的连接面，所有所述电极组的连接面位于同一平面或相互平行；所述多个电极组对称分布于所述被移动部件周围。

3.如权利要求2所述的成像模组，其特征在于，所有所述电极组分为多组，每组所述电极组包括至少一个所述电极组，所述第一电极和所述第二电极在施加电压后，所述被移动部件受到同一组所述电极组中的所述第二电极的拉力的方向相同，所述被移动部件受到不同组所述电极组中的所述第二电极的拉力的方向不同。

4.如权利要求3所述的成像模组，其特征在于，所有所述电极组分为多组，每组所述电极组包括至少两个所述电极组，所述第一电极和所述第二电极在施加电压后，所述被移动部件受到同一组所述电极组中的所述第二电极的拉力的大小不同。

5.如权利要求1所述的成像模组，其特征在于，所述运动控制器还包括至少一个连接件，所述第二电极通过所述连接件与所述柔性部件相连，一个所述连接件与至少一个所述第二电极相连；其中，一个所述连接件与一个所述第二电极相连，所述连接件和所述第一电极正对，所述第二电极斜置于所述连接件和所述第一电极之间；一个所述连接件与多个所述第二电极相连，并且与同一个所述连接件连接的所有所述第二电极关于所述连接件的轴线对称布置。

6.如权利要求5所述的成像模组，其特征在于，所述被移动部件与所述连接件通过粘接固连；所述连接件与所述第二电极为一体化结构或者所述连接件与所述第二电极通过粘接固连。

7.如权利要求1所述的成像模组，其特征在于，所述第二电极与第一电极的夹角小于等于10度。

8.如权利要求1所述的成像模组，其特征在于，所述第一电极的长度不小于10μm；所述第一电极的厚度不小于1μm。

9.如权利要求1所述的成像模组，其特征在于，所述第二电极的长度不小于10μm并且不大于500μm；所述第二电极厚度不小于1μm；所述第二电极的宽度不大于5μm。

10.如权利要求1所述的成像模组，其特征在于，所述运动控制器还包括侧壁，所述侧壁设置于所述底座上并且与所述底座形成第一容置空间，所述电极组设置于所述第一容置空间内，并且所述第一电极较所述第二电极靠近所述侧壁，所述第二电极的部分突出于所述底座；所述运动控制器还包括设置于所述侧壁上的封盖，所述侧壁、所述封盖和所述底座形成第二容置空间，所述电极组设置于所述第二容置空间内，所述第二电极的部分突出于所述底座和所述封盖。

11.如权利要求1所述的成像模组，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的材质为掺杂多晶硅和/或金属，所述金属包括铜和/或铝，所述底座的材质包括单晶硅和/或玻璃。

12.如权利要求1-11所述的成像模组，其特征在于，所述成像模组还包括：套筒，所述底座固定设置于所述套筒侧壁，所述被移动部件位于所述套筒内。

13.如权利要求1所述的成像模组，其特征在于，所述被移动部件还包括框架，所述图像传感器、所述镜片或所述镜头组设置于所述框架内，所述第二电极与所述框架相连。

14.一种成像模组的制造方法，其特征在于，所述成像模组的制造方法包括：

将被移动部件与所述可动部相连，所述被移动部件包括图像传感器、镜头和/或镜头组；

15.如权利要求14所述的成像模组的制造方法，其特征在于，形成所述运动控制器的步骤包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成图形化的第一牺牲层，所述图形化的第一牺牲层具有在厚度方向上贯通的第一开口和第二开口；

形成第一电极和第二电极，所述第一电极填充在所述第一开口中，所述第二电极的所述固定部填充在所述第二开口中，所述第二电极还延伸覆盖部分所述图形化的第一牺牲层以形成所述可动部；

自所述衬底的背面刻蚀所述衬底以暴露出部分所述图形化的第一牺牲层，暴露出的部分所述图形化的第一牺牲层对准部分所述第二电极；以及

去除所述图形化的第一牺牲层。

16.如权利要求15所述的成像模组的制造方法，其特征在于，在形成所述图形化的第一牺牲层之前，形成所述运动控制器的步骤还包括：

在所述衬底上形成阻挡层；以及

刻蚀所述阻挡层以形成图形化的阻挡层，所述图形化的阻挡层暴露出部分所述衬底，并且所述图形化的阻挡层包括依次远离暴露出的部分所述衬底的第一防黏连部、平整部和对准部；

其中，所述第一开口和所述第二开口暴露出部分所述平整部，并且所述第一开口较所述第二开口靠近所述对准部。

17.如权利要求16所述的成像模组的制造方法，其特征在于，所述图形化的第一牺牲层还具有在厚度方向上贯通的第三开口，所述第三开口暴露出部分所述平整部，所述第三开口较所述第一开口靠近所述对准部。

18.如权利要求17所述的成像模组的制造方法，其特征在于，形成所述第一电极和所述第二电极的步骤包括：

形成第一导电层，所述第一导电层填充所述第一开口、所述第二开口以及所述第三开口，并延伸覆盖所述图形化的第一牺牲层的表面；

形成第二导电层，所述第二导电层覆盖所述第一导电层；

刻蚀所述第二导电层，以形成相互分离的第一电压接入点、第二电压接入点以及第二防黏连部，所述第一电压接入点对准所述第一开口，所述第二电压接入点对准所述第二开口，所述第二防黏连部对准所述第一防黏连部；

刻蚀所述第一导电层，以形成相互分离的侧壁、第一电极和第二电极，所述侧壁填充在所述第三开口中，所述第一电极填充在所述第一开口中，所述第二电极填充在所述第二开口中并延伸覆盖部分所述图形化的第一牺牲层；以及

形成图形化的绝缘层，所述图形化的绝缘层覆盖所述第一电压接入点、所述第二电压接入点、所述第二防黏连部、所述侧壁暴露出的表面、所述第一电极暴露出的表面以及所述第二电极暴露出的表面。

19.如权利要求18所述的成像模组的制造方法，其特征在于，在形成图形化的绝缘层之后，自所述衬底的背面刻蚀所述衬底以暴露出部分所述图形化的第一牺牲层之前，形成所述运动控制器的步骤还包括：

在所述图形化的绝缘层中形成第一开槽和第二开槽，所述第一开槽暴露出所述第一电压接入点的至少一部分，所述第二开槽暴露出所述第二电压接入点的至少一部分；

形成第二牺牲层，所述第二牺牲层填充所述第一开槽和所述第二开槽并覆盖所述图形化的绝缘层以及暴露出的所述图形化的第一牺牲层。

20.如权利要求19所述的成像模组的制造方法，其特征在于，在所述衬底的背面刻蚀所述衬底以暴露出部分所述图形化的第一牺牲层之后，去除所述图形化的第一牺牲层之前，形成所述运动控制器的步骤还包括：

去除暴露出的所述图形化的第一牺牲层；

其中，在去除暴露出的所述图形化的第一牺牲层之后，去除所述图形化的第一牺牲层之前，将被移动部件与所述第二电极的可动部相连。

21.如权利要求18所述的成像模组的制造方法，其特征在于，在形成所述第一电极和所述第二电极之后，刻蚀所述衬底之前，所述成像模组的制造方法还包括：

形成第二牺牲层，所述第二牺牲层覆盖所述图形化的绝缘层以及暴露出的所述图形化的第一牺牲层；

刻蚀所述第二牺牲层以形成图形化的第二牺牲层，所述图形化的第二牺牲层具有在厚度方向上贯通的第四开口、第五开口和第六开口，其中，所述第四开口对准所述第一开口，所述第五开口对准所述第二开口，所述第六开口对准所述第三开口；以及

形成封盖层，所述封盖层填充所述第四开口、所述第五开口和所述第六开口，并且延伸覆盖暴露出的所述图形化的第二牺牲层。

22.如权利要求21所述的成像模组的制造方法，其特征在于，所述封盖层包括第一封盖层以及覆盖所述第一封盖层的第二封盖层，所述第一封盖层填充所述第四开口、所述第五开口和所述第六开口，并且延伸覆盖暴露出的所述图形化的第二牺牲层。

23.如权利要求21所述的成像模组的制造方法，其特征在于，在刻蚀所述衬底之后，去除所述图形化的第一牺牲层之前，所述成像模组的制造方法还包括：

刻蚀所述封盖层以形成封盖，所述封盖具有在厚度方向上贯通的第七开口、第八开口以及第九开口，所述第七开口对准所述第一开口并延伸贯通所述图形化的绝缘层以暴露出所述第一电压接入点，所述第八开口对准所述第二开口并延伸贯通所述图形化的绝缘层以暴露出所述第二电压接入点，所述第九开口对准部分所述图形化的第一牺牲层，其中，刻蚀所述衬底暴露出的部分所述图形化的第一牺牲层与所述第九开口对准的部分所述图形化的第一牺牲层为所述图形化的第一牺牲层中的同一部分；以及

在所述第一电压接入点和所述第二电压接入点上形成保护层。

24.如权利要求23所述的成像模组的制造方法，其特征在于，在所述第一电压接入点和所述第二电压接入点上形成保护层包括：

通过化学电镀工艺形成镍金层，所述镍金层作为所述保护层。

25.如权利要求15所述的成像模组的制造方法，其特征在于，去除所述图形化的第一牺牲层之后，所述成像模组的制造方法还包括：

在所述第二电极上形成连接层，用于连接所述被移动部件。

26.如权利要求17所述的成像模组的制造方法，其特征在于，形成所述第一电极和所述第二电极的步骤包括：

形成图形化的绝缘层，所述图形化的绝缘层覆盖所述侧壁暴露出的表面、所述第一电极暴露出的表面以及所述第二电极暴露出的表面。

27.如权利要求26所述的成像模组的制造方法，其特征在于，在形成所述第一电极和所述第二电极之后，刻蚀所述衬底之前，所述成像模组的制造方法还包括：

刻蚀所述第二牺牲层以形成图形化的第二牺牲层，所述图形化的第二牺牲层具有在厚度方向上贯通的第四开口、第五开口和第六开口，其中，所述第四开口对准所述第一电极，所述第五开口对准所述第二电极，所述第六开口对准所述侧壁；以及

28.如权利要求27所述的成像模组的制造方法，其特征在于，自所述衬底的背面刻蚀所述衬底以暴露出部分所述图形化的第一牺牲层，暴露出的部分所述图形化的第一牺牲层对准部分所述第二电极的步骤中，还在所述衬底中形成在厚度方向上贯通的第十一开口和第十二开口，所述第十一开口对准所述第一电极并延伸贯通所述平整部以暴露出所述第一电极，所述第十二开口对准所述第二电极并延伸贯通所述平整部以暴露出所述第二电极。

29.如权利要求28所述的成像模组的制造方法，其特征在于，在刻蚀所述衬底之后，去除所述图形化的第一牺牲层之前，所述成像模组的制造方法还包括：

在所述第十一开口和所述第十二开口中分别形成第一通孔结构和第二通孔结构，所述第一通孔结构与所述第一电极电连接，所述第二通孔结构与所述第二电极电连接；以及

分别形成第一电压接入点和第二电压接入点，所述第一电压接入点覆盖所述第一通孔结构并与所述第一通孔结构电连接，所述第二电压接入点覆盖所述第二通孔结构并与所述第二通孔结构电连接。

30.如权利要求29所述的成像模组的制造方法，其特征在于，在形成所述第一电压接入点和所述第二电压接入点之后，去除所述图形化的第一牺牲层之前，所述成像模组的制造方法还包括：

刻蚀所述封盖层以形成封盖，所述封盖具有在厚度方向上贯通的第九开口，所述第九开口对准部分所述图形化的第一牺牲层，其中，刻蚀所述衬底暴露出的部分所述图形化的第一牺牲层与所述第九开口对准的部分所述图形化的第一牺牲层为所述图形化的第一牺牲层中的同一部分。