CN112974831A - 一种纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种纳米阵列结构Cu‑Cu3P材料的制备方法，该方法包括：一、将水、葡萄糖、聚乙烯吡咯烷酮混合得混合溶液；二、向混合溶液中滴加硫酸铜溶液搅拌反应；三、离心后经洗涤干燥得铜纳米片；四、向铜纳米片中加入水、氢氧化钠和过氧化氢溶液并保温反应；五、冷却后经离心、洗涤干燥得纳米阵列结构Cu‑CuO材料粉体；六、将纳米阵列结构Cu‑CuO材料粉体与次亚磷酸钠分置于瓷舟中，经煅烧得纳米阵列结构Cu‑Cu3P材料。本发明利用铜纳米片在液相中缓慢释放铜离子的特点，使得铜纳米片表面先生成CuO再转化为Cu3P，同时仍保存基底纳米Cu片，制备的纳米阵列结构Cu‑Cu3P材料应用于催化剂、电极材料等领域。

Description

一种纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的制备方法
技术领域
本发明属于无机复合材料制备技术领域，具体涉及一种纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的制备方法。
背景技术
金属磷化物是指金属和磷组成的二元或多元的化合物总称。它是由原子半径较大的非金属元素磷填充在金属原子晶格内形成的一类填隙型化合物。由于它特殊的结构，兼具了其他的化合物(共价化合物、离子晶体和过渡金属)所没有的性质。相较其他氮化物、氧化物、硫化物等，磷化物表现出更高的稳定性、反应活性等。金属磷化物在光电、磁、储能领域都有广泛应用。
铜基材料的存储量、应用成本和氧化还原性能都较Co、Fe、Ni等有明显优势，因此研究纳米磷化铜材料成为研究的热点。关于Cu3P纳微米材料的制备的方法很多，比如金属高温磷化法，将金属单质和磷直接反应得到金属磷化物；水热法是将铜盐与白磷共同置于水热反应釜中，加入表面活性剂反应、其他助剂等得到纳米Cu3P材料；金属有机化合物前驱体分解法等，是以含有目标元素的金属含磷有机物、配合物或盐等作为前驱体，在特定气体氛围中反应得到金属磷化物。
虽然纳米Cu3P材料的制备方法已有研究，但材料的形貌、尺寸能够极大影响其物理化学性能，特殊形貌的磷化物拥有更大的比表面积和稳定的结构组成。特别是纳米阵列结构的Cu3P具有大的比表面积、规整的结构及开放的空间有利于物质的扩散和传输，而阵列结构的Cu3P材料多生长于固体导电基底(泡沫铜、铜板)的表面，而生长于纳米铜片表面的阵列结构的Cu3P材料还鲜有报道。因此，如何利用铜纳米片的特性，采用简单、高效的方法得到纳米阵列结构Cu-Cu3P材料将具有重要意义。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足，提供一种纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的制备方法。该方法利用铜纳米片在液相中缓慢释放铜离子的特点，先进行氧化反应再进行磷化反应，使得铜纳米片表面先生成CuO再转化为Cu3P，同时仍保存基底纳米Cu片，得到纳米阵列结构Cu-Cu3P材料，实现了在铜纳米片表面直接生长制备阵列结构的Cu3P材料。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一、将水、葡萄糖、聚乙烯吡咯烷酮混合后搅拌3h以上，得到澄清的混合溶液；
步骤二、在搅拌条件下，向步骤一中得到的澄清的混合溶液中滴加硫酸铜溶液，并继续在室温下搅拌30min～60min，然后转移到水热反应釜中在160℃～200℃下反应2.5h～4h；
步骤三、将步骤三中反应得到的产物离心后依次采用去离子水和无水乙醇洗涤，经真空干燥后得到铜纳米片；
步骤四、向步骤三中得到的铜纳米片中加入水、氢氧化钠和过氧化氢溶液，并置于水热反应釜中，置于110℃～150℃下保温反应6h～14h；
步骤五、将步骤四中保温反应得到的产物冷却至室温后离心，然后依次采用去离子水和无水乙醇洗涤，经干燥后得到纳米阵列结构Cu-CuO材料粉体；
步骤六、将步骤五中得到的纳米阵列结构Cu-CuO材料粉体与次亚磷酸钠分别放置在两个瓷舟中，然后放置于管式炉中，在氩气保护、250℃～350℃条件下煅烧1h～2h，得到纳米阵列结构Cu-Cu3P材料。
本发明首先制备铜纳米片，利用铜纳米片在液相中缓慢释放铜离子的特点，通过水热反应在铜纳米片表面原位生长纳米阵列结构氧化铜，得到纳米阵列结构Cu-CuO材料粉体，然后进行磷化反应，通过精细调控磷化反应条件，将纳米阵列结构Cu-CuO材料粉体中的CuO完全转化为Cu3P，同时仍保存基底纳米Cu片，得到纳米阵列结构Cu-Cu3P材料。本发明实现了在铜纳米片表面直接生长制备阵列结构的Cu3P材料，制备得到的纳米阵列结构Cu-Cu3P材料具有较大的比表面积，规整的结构及开放的空间，作为催化剂、电极材料等应用时，暴露出更多的活性位点，有利于物质的扩散和传输；同时，由于Cu3P材料生长在纳米Cu表面，有效避免了纳米Cu3P团聚现象的产生。
上述的一种纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的制备方法，其特征在于，步骤一中所述澄清的混合溶液中水、葡萄糖、聚乙烯吡咯烷酮的质量比为25:0.5～1:0.2～1。
上述的一种纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的制备方法，其特征在于，步骤二中所述硫酸铜溶液中硫酸铜与步骤一中葡萄糖的物质的量之比为1:2.5～5。
上述的一种纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的制备方法，其特征在于，步骤四中所述水、氢氧化钠与过氧化氢溶液中过氧化氢的质量比为50～150:1.6～8:4.5～27.8。
上述的一种纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的制备方法，其特征在于，步骤四中所述铜纳米片与氢氧化钠的摩尔比为0.03～0.78:4～20。
上述的一种纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的制备方法，其特征在于，步骤五中所述干燥为真空干燥，真空干燥采用的烘箱温度为40℃～80℃。
上述的一种纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的制备方法，其特征在于，步骤六中所述纳米阵列结构Cu-CuO材料粉体与次亚磷酸钠的质量比为1:1～4。通过该质量比控制，使得纳米阵列结构Cu-CuO材料粉体中的CuO完全转换为Cu3P，且形貌得到较好的保持，避免了质量比过低导致产物纳米阵列结构Cu-Cu3P材料中磷化不完全、存在一定比例的CuO，以及质量比过高导致产物形貌发生变化。
上述的一种纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的制备方法，其特征在于，步骤六中所述管式炉中盛放有纳米阵列结构Cu-CuO材料粉体与次亚磷酸钠的两个瓷舟的间距不小于10cm。通过控制盛放有纳米阵列结构Cu-CuO材料粉体与次亚磷酸钠的两个瓷舟的间距，以控制煅烧过程中的磷化反应程度，保证产物的顺利生成，避免了两个瓷舟间距过小导致磷化反应剧烈、产物形貌无法维持、无法得到所需形貌产品的难题。实际制备过程中，两个磁舟的距离可根据采用的管式炉的管长度具体而定。
本发明与现有技术相比具有以下优点：
1、本发明利用铜纳米片在液相中缓慢释放铜离子的特点，先进行氧化反应再进行磷化反应，使得铜纳米片表面先生成CuO再转化为Cu3P，同时仍保存基底纳米Cu片，得到纳米阵列结构Cu-Cu3P材料，实现了在铜纳米片表面直接生长制备阵列结构的Cu3P材料。
2、本发明制备得到的纳米阵列结构Cu-Cu3P材料具有较大的比表面积，规整的结构及开放的空间，作为催化剂、电极材料等应用时，暴露出更多的活性位点，有利于物质的扩散和传输。
3、本发明通过磷化反应使得Cu3P材料生长在纳米Cu表面，有效避免了纳米Cu3P团聚现象的产生，提高了纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的质量。
4、本发明的制备过程重复性高，无需使用任何表面活性剂、助剂等，即可得到分散性良好的纳米阵列结构，同时通过调控磷化反应条件，控制Cu3P的转化量，得到不同比例含量的纳米阵列结构Cu-Cu3P材料。
5、本发明的制备方法简单，工艺参数可控且条件吻合，对设备要求低，易于规模化生产和工程化应用。
下面通过附图和实施例对本发明的技术方案作进一步的详细描述。
附图说明
图1为本发明实施例1制备的纳米阵列结构Cu-CuO材料的SEM图。
图2为本发明实施例1制备的纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的SEM图。
图3为本发明实施例1制备的纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的XRD图。
图4为本发明实施例2制备的纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的SEM图。
图5为本发明实施例3制备的纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的SEM图。
具体实施方式
实施例1
本实施例包括以下步骤：
步骤一、将15mL去离子水、0.3g葡萄糖、0.12g聚乙烯吡咯烷酮混合后搅拌3h，得到澄清的混合溶液；
步骤二、在搅拌条件下，向步骤一中得到的澄清的混合溶液中滴加硫酸铜溶液，并继续在室温下搅拌60min，然后转移到水热反应釜中在160℃下反应4h；所述硫酸铜溶液中含有0.8mmoL硫酸铜；
步骤三、将步骤三中反应得到的产物离心后依次采用去离子水和无水乙醇洗涤三遍，经真空干燥后得到铜纳米片；
步骤四、向0.02g步骤三中得到的铜纳米片中加入10g水、1.6g氢氧化钠和3g质量分数为30％的过氧化氢溶液，并置于水热反应釜中搅拌1min，然后置于烘箱中在110℃下保温反应6h；
步骤五、将步骤四中保温反应得到的产物冷却至室温后离心，然后依次采用去离子水和无水乙醇洗涤，经50℃真空干燥后得到纳米阵列结构Cu-CuO材料粉体；
步骤六、将0.12g步骤五中得到的纳米阵列结构Cu-CuO材料粉体与0.12g次亚磷酸钠分别放置在两个瓷舟中，然后放置于管式炉中并控制两个瓷舟的间距为19cm，在氩气保护、300℃条件下煅烧2h，得到纳米阵列结构Cu-Cu3P材料。
图1为本实施例制备的纳米阵列结构Cu-CuO材料的SEM图，从图1可知，纳米阵列结构Cu-CuO材料中的CuO为纳米片的阵列结构，阵列规整，长度较为均一。
图2为本实施例制备的纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的SEM图，从图2可知，经磷化反应后得到的纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的形貌依然为阵列结构，未发生明显变化。
图3为本实施例制备的纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的XRD图，从图3可知，图中主要为Cu和Cu3P的峰，未出现CuO等杂质峰，说明本实施例制备得到的材料为成分Cu-Cu3P。
实施例2
本实施例包括以下步骤：
步骤一、将20mL去离子水、0.8g葡萄糖、0.6g聚乙烯吡咯烷酮混合后搅拌4h，得到澄清的混合溶液；
步骤二、在搅拌条件下，向步骤一中得到的澄清的混合溶液中滴加硫酸铜溶液，并继续在室温下搅拌30min，然后转移到水热反应釜中在200℃下反应3h；所述硫酸铜溶液中含有1.0mmoL硫酸铜；
步骤三、将步骤三中反应得到的产物离心后依次采用去离子水和无水乙醇洗涤三遍，经真空干燥后得到铜纳米片；
步骤四、向0.008g步骤三中得到的铜纳米片中加入6g水、0.2g氢氧化钠和3g质量分数为30％的过氧化氢溶液，并置于水热反应釜中搅拌1min，置于烘箱中在130℃下保温反应8h；
步骤五、将步骤四中保温反应得到的产物冷却至室温后离心，然后依次采用去离子水和无水乙醇洗涤，经50℃真空干燥后得到纳米阵列结构Cu-CuO材料粉体；
步骤六、将0.15g步骤五中得到的纳米阵列结构Cu-CuO材料粉体与0.30g次亚磷酸钠分别放置在两个瓷舟中，然后放置于管式炉中并控制两个瓷舟的间距为10cm，在氩气保护、350℃条件下煅烧1.5h，得到纳米阵列结构Cu-Cu3P材料。
图4为本实施例制备的纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的SEM图，从图4可以看出，该纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的形貌为纳米阵列结构。
实施例3
本实施例包括以下步骤：
步骤一、将45mL去离子水、1.5g葡萄糖、1.8g聚乙烯吡咯烷酮混合后搅拌6h，得到澄清的混合溶液；
步骤二、在搅拌条件下，向步骤一中得到的澄清的混合溶液中滴加硫酸铜溶液，并继续在室温下搅拌60min，然后转移到水热反应釜中在180℃下反应2.5h；所述硫酸铜溶液中含有1.8mmoL硫酸铜；
步骤三、将步骤三中反应得到的产物离心后依次采用去离子水和无水乙醇洗涤三遍，经真空干燥后得到铜纳米片；
步骤四、向0.05g步骤三中得到的铜纳米片中加入10g水、0.3g氢氧化钠和6.18g质量分数为30％的过氧化氢溶液，并置于水热反应釜中搅拌3min，置于烘箱中在150℃下保温反应14h；
步骤五、将步骤四中保温反应得到的产物冷却至室温后离心，然后依次采用去离子水和无水乙醇洗涤，经60℃真空干燥后得到纳米阵列结构Cu-CuO材料粉体；
步骤六、将0.055g步骤五中得到的纳米阵列结构Cu-CuO材料粉体与0.22g次亚磷酸钠分别放置在两个瓷舟中，然后放置于管式炉中并控制两个瓷舟的间距为24cm，在氩气保护、250℃条件下煅烧1h，得到纳米阵列结构Cu-Cu3P材料。
图5为本实施例制备的纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的SEM图，从图5可以看出，该纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的形貌为纳米阵列结构。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明作任何限制。凡是根据发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效变化，均仍属于本发明技术方案的保护范围内。

Claims (8)

1.一种纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一、将水、葡萄糖、聚乙烯吡咯烷酮混合后搅拌3h以上，得到澄清的混合溶液；
步骤二、在搅拌条件下，向步骤一中得到的澄清的混合溶液中滴加硫酸铜溶液，并继续在室温下搅拌30min～60min，然后转移到水热反应釜中在160℃～200℃下反应2.5h～4h；
步骤三、将步骤三中反应得到的产物离心后依次采用去离子水和无水乙醇洗涤，经真空干燥后得到铜纳米片；
步骤四、向步骤三中得到的铜纳米片中加入水、氢氧化钠和过氧化氢溶液，并置于水热反应釜中，置于110℃～150℃下保温反应6h～14h；
步骤五、将步骤四中保温反应得到的产物冷却至室温后离心，然后依次采用去离子水和无水乙醇洗涤，经干燥后得到纳米阵列结构Cu-CuO材料粉体；
步骤六、将步骤五中得到的纳米阵列结构Cu-CuO材料粉体与次亚磷酸钠分别放置在两个瓷舟中，然后放置于管式炉中，在氩气保护、250℃～350℃条件下煅烧1h～2h，得到纳米阵列结构Cu-Cu3P材料。
2.根据权利要求1所述的一种纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的制备方法，其特征在于，步骤一中所述澄清的混合溶液中水、葡萄糖、聚乙烯吡咯烷酮的质量比为25:0.5～1:0.2～1。
3.根据权利要求1所述的一种纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的制备方法，其特征在于，步骤二中所述硫酸铜溶液中硫酸铜与步骤一中葡萄糖的物质的量之比为1:2.5～5。
4.根据权利要求1所述的一种纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的制备方法，其特征在于，步骤四中所述水、氢氧化钠与过氧化氢溶液中过氧化氢的质量比为50～150:1.6～8:4.5～27.8。
5.根据权利要求1所述的一种纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的制备方法，其特征在于，步骤四中所述铜纳米片与氢氧化钠的摩尔比为0.03～0.78:4～20。
6.根据权利要求1所述的一种纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的制备方法，其特征在于，步骤五中所述干燥为真空干燥，真空干燥采用的烘箱温度为40℃～80℃。
7.根据权利要求1所述的一种纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的制备方法，其特征在于，步骤六中所述纳米阵列结构Cu-CuO材料粉体与次亚磷酸钠的质量比为1:1～4。
8.根据权利要求1所述的一种纳米阵列结构Cu-Cu3P材料的制备方法，其特征在于，步骤六中所述管式炉中盛放有纳米阵列结构Cu-CuO材料粉体与次亚磷酸钠的两个瓷舟的间距不小于10cm。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115156548A (zh) * 2022-05-19 2022-10-11 青岛大学 纳米带状Cu3P/Cu材料及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1817785A (zh) * 2006-01-09 2006-08-16 合肥工业大学 氧化铜纳米管阵列的制备方法
CN103170647A (zh) * 2013-04-03 2013-06-26 浙江理工大学 一种自组装形成铜纳米片的方法
CN106498430A (zh) * 2016-11-03 2017-03-15 成都玖奇新材料科技有限公司 基于双功能纳米阵列电极的低能耗电化学制氢系统
CN106531966A (zh) * 2016-12-12 2017-03-22 北京科技大学 纳米Cu@CuO材料制备方法及其在锂离子电池中应用

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1817785A (zh) * 2006-01-09 2006-08-16 合肥工业大学 氧化铜纳米管阵列的制备方法
CN103170647A (zh) * 2013-04-03 2013-06-26 浙江理工大学 一种自组装形成铜纳米片的方法
CN106498430A (zh) * 2016-11-03 2017-03-15 成都玖奇新材料科技有限公司 基于双功能纳米阵列电极的低能耗电化学制氢系统
CN106531966A (zh) * 2016-12-12 2017-03-22 北京科技大学 纳米Cu@CuO材料制备方法及其在锂离子电池中应用

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
RUI DANG等: "Controlled synthesis of hierarchical Cu nanosheets @ CuO nanorods as high-performance anode material for lithium-ion batteries", 《NANO ENERGY》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115156548A (zh) * 2022-05-19 2022-10-11 青岛大学 纳米带状Cu3P/Cu材料及其制备方法
CN115156548B (zh) * 2022-05-19 2023-06-06 青岛大学 纳米带状Cu3P/Cu材料及其制备方法

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