CN112969988A - 传感器 - Google Patents

Abstract

提供一种电容式传感器等传感器，降低将从检测部延伸的尾部折弯时断线的风险。一种传感器1，具有基底基材20以及传感器片10，该传感器片10在膜片11上形成有多个传感器电极12和与所述传感器电极12导通的多个配线14，所述传感器片10具有：检测部10a，被保持在所述基底基材20上，具有多个所述传感器电极12，以及尾部10b，从所述检测部10a向所述基底基材20的底面侧延伸，具有多个所述配线14；所述尾部10b具有弯曲部16，该弯曲部16在所述基底基材20的底面外缘20d的位置朝向所述基底基材20的底面弯曲，通过所述弯曲部16的多个所述配线14形成在位于所述弯曲部16的所述膜片11的外侧弯曲面16a。

Description

传感器

技术领域

本发明涉及一种各种电子设备的输入操作等所使用的传感器，尤其涉及一种电容式传感器。

背景技术

在各种电子设备中，使用用于通过触摸进行输入操作的操作设备。对于检测输入操作的传感器，使用例如电容式传感器。电容式传感器例如具有由硬质树脂等构成的基底基材和由树脂膜构成的膜片。膜片具有被基底基材保持的检测部和从检测部突出并延伸的尾部。

检测部被基底基材保持。在检测部上，利用导电性墨等，通过印刷而形成有多个传感器电极和从各传感器电极延伸的配线。尾部从检测部突出并延伸。即，尾部没有被基底基材保持，能够根据电子设备的壳体内部的部件的布局设计而自由地进行变化。在尾部，从检测部连续地形成有从多个传感器电极延伸的配线。在各配线的端部形成有端子部。端子部与配置于电子设备的壳体的电路基板的连接器连接。这样的以往的电容式传感器例如记载在日本特开2013-247029号公报(专利文献1)中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-247029号公报

发明内容

发明要解决的问题

以往的电容式传感器的尾部有时会折弯。尾部的折弯例如发生在配置于电子设备的壳体时、将端子部与连接器连接时。另外，有时尾部必须根据电路基板的配置而特意折弯配置。然而，若尾部被折弯，则位于折弯部分的配线会相对于膜片卷起，从而产生断线。

本发明是以上述那样的现有技术为背景而完成的。其目的在于，针对电容式传感器等传感器，降低将从检测部延伸的尾部折弯时断线的风险。

用于解决问题的手段

为了达成上述目的，本发明的一形态的传感器以如下方式构成。

即，本发明的一形态为一种传感器，具有基底基材以及传感器片，该传感器片在膜片上形成有多个传感器电极和与所述传感器电极导通的多个配线，所述传感器的特征在于，所述传感器片具有：检测部，被保持在所述基底基材上，具有多个所述传感器电极，以及尾部，从所述检测部向所述基底基材的底面侧延伸，具有多个所述配线；所述尾部具有弯曲部，所述弯曲部在所述基底基材的底面外缘的位置朝向所述基底基材的底面弯曲，通过所述弯曲部的多个所述配线形成在位于所述弯曲部的所述膜片的外侧弯曲面。

根据本发明的一形态，尾部向基底基材的底面侧延伸。因此，能够将尾部配置在基底基材的底面侧，能够使本发明的一形态的传感器包括尾部的配置在内而小型化。另外，根据本发明的一形态，具有弯曲部，所述弯曲部在所述基底基材的底面外缘的位置朝向所述基底基材的底面弯曲，通过所述弯曲部的多个所述配线形成在位于所述弯曲部的所述膜片的外侧弯曲面。若将通过弯曲部的配线形成在膜片的外侧弯曲面(膜片的山折侧的面)，则能够降低配线断线的风险。即，若配线位于弯曲部的内侧弯曲面(膜片的谷折侧的面)，则配线在弯曲部分被压缩而蜷缩，从而容易相对于膜片卷起。另一方面，若配线位于弯曲部的外侧弯曲面，则配线不会被压缩而蜷缩，仅在膜片上被拉伸。因此，能够防止配线从膜片卷起而断线。

能够构成为，通过所述弯曲部的多个所述配线在相对于所述尾部的延伸方向交叉的方向上并列地配置，至少位于与所述底面外缘接触的所述尾部的弯曲接触位置处的1个以上的所述配线形成在所述外侧弯曲面。

在从各传感器电极延伸的配线在相对于尾部的延伸方向交叉的方向(后述实施方式中尾部的宽度方向)上并列地配置的情况下，尤其是位于与基底基材的底面外缘接触的弯曲部的弯曲接触位置的配线因膜片的折弯而断线的风险很高。因此，在本发明的一形态中，位于所述尾部的中央位置处的1个以上的所述配线形成在所述外侧弯曲面，由此能够降低配置在中央位置的配线断线的风险。

能够构成为，所述弯曲部为沿着所述底面外缘接触并折弯的形状。

根据本发明的一形态，由于为沿着基底基材的底面外缘接触并折弯的形状，所以能够接近基底基材的底面而配置尾部。因此，包括尾部的配置在内，能够使传感器整体小型化。

能够构成为，所述基底基材和所述检测部形成传感器主体部，所述传感器主体部具有顶面部和侧面部的立体形状。

根据本发明的一形态，传感器主体部为具有顶面部和侧面部的立体形状，因此，能够在传感器自身中设置用于提高设计性的立体形状方案。作为一个示例，传感器主体部的顶面部能够形成为平面形状、弯曲面形状等。传感器主体部的侧面部能够形成为圆柱状、多棱柱状的外周面形状等。

能够构成为，所述基底基材的至少所述尾部的所述弯曲部侧为平板形状，所述底面外缘为所述基底基材的所述底面的外缘部。

根据本发明的一形态，即使基底基材的至少尾部的弯曲部侧为平板形状，底面外缘为基底基材的底面的外缘部，也能够降低将从检测部延伸的尾部折弯时断线的风险。

能够构成为，所述底面外缘的至少位于与所述弯曲部相向位置的部分为圆弧形状。

根据本发明的一形态，能够将基底基材形成为使基底基材的底面外缘成为圆弧形状那样的形状。因此，传感器能够提高立体形状的设计的自由度。因此，传感器即使使基底基材的形状多样化，也能够降低底面外缘处的配线断线的风险。

所述本发明的一形态能够构成为，具有将多个所述传感器电极和多个所述配线覆盖的抗蚀剂层。

根据本发明的一形态，能够利用抗蚀剂层来可靠地保护传感器电极和配线。例如，根据本发明的一形态，能够使传感器电极彼此可靠地绝缘。

所述本发明的一形态能够构成为，所述多个传感器电极为检测电容变化的电容式传感器用电极。

根据本发明的一形态，能够将具有所述特征的本发明的一形态的传感器作为电容式传感器而实现。

所述传感器电极能够形成在所述膜片的表面或背面。另外，所述传感器电极能够形成在所述膜片的两面。根据本发明的一形态，能够使传感器电极的配置多样化，能够实现各种各样的传感器以及电容式传感器。

所述检测部和所述基底基材能够构成为一体的成型体。根据本发明的一形态，基底基材和检测部成为一体物。因此，能够配合基底基材的设计形状形成检测部，能够实现多种多样的设计的传感器以及电容式传感器。

所述本发明的一形态的传感器能够构成为，具有安装了位于与所述基底基材的底面相向的位置的连接器的电路基板。由此，能够接近基底基材的底面而配置连接器以及电路基板，所以能够使传感器以及电容式传感器包括连接器以及电路基板在内而小型化。

所述本发明的一形态的基底基材能够构成为，具有顶面部和筒状的侧面部，所述尾部朝向所述侧面部的内侧配置。由此，尾部被配置在基底基材的内侧的筒状空间中，所以能够使传感器以及电容式传感器小型化。

发明的效果

根据本发明的一形态的传感器，能够降低将从检测部延伸的尾部折弯时配线断线的风险。

附图说明

图1是第一实施方式的电容式传感器，图1中的1A是其概要俯视图，图1中的1B是其概要主视图。

图2是图1中的1A的II－II线剖视图。

图3是将图2所示的尾部弯曲后的状态的与图2相当的剖视图。

图4是示出将图3所示的尾部向基底基材的背面弯曲的状态的与图2相当的剖视图。

图5是第一实施方式的变形例的电容式传感器，图5中的5A是其概要俯视图，图5中的5B是其概要主视图。

图6是第二实施方式的电容式传感器，图6中的6A是尾部的概要俯视图，图6中的6B是概要主视图，图6中的6C是与图2相当的剖视图。

图7是比较例1的电容式传感器，图7中的7A是尾部的概要俯视图，图7中的7B是概要主视图，图7中的7C是与图2相当的剖视图。

图8是比较例2的电容式传感器，图8中的8A是尾部的概要俯视图，图8中的8B是概要主视图，图8中的8C是与图2相当的剖视图。

图9是第三实施方式的电容式传感器的概要结构图，图9中的9A是使尾部弯曲前的剖视图，图9中的9B是将尾部弯曲后的状态的与图9中的9A相当的剖视图，图9中的9C是示出将尾部向基底基材的背面弯曲的状态的与图9中的9A相当的剖视图。

图10是第三实施方式的变形例的电容式传感器的概要结构图，图10中的10A是使尾部弯曲前的剖视图，图10中的10B是将尾部弯曲的状态的与图10中的10A相当的剖视图，图10中的10C是示出将尾部向基底基材的背面弯曲的状态的与图10中的10A相当的剖视图。

具体实施方式

基于实施方式对本发明的一形态进一步进行详细说明。在以下的实施方式中，作为本发明的一形态的传感器的具体示例，例示电容式传感器来进行说明。此外，对于各实施方式中共通的构件，赋予相同的附图标记并省略重复说明。另外，对各实施方式中共通的材质、作用、效果等，也省略重复说明。

第一实施方式(图1～图4)

本实施方式的电容式传感器1具有传感器片10和基底基材20。

传感器片10具有检测部10a和尾部10b。检测部10a层叠并固贴于基底基材20的顶面部20a和侧面部20b。检测部10a和基底基材20构成传感器主体部1A。尾部10b从传感器主体部1A延伸，构成与作为“连接对象物”的电路基板30的连接器31导通连接的配线连接部1B。

传感器片10具有由树脂膜构成的膜片11。在膜片11上具有层叠而形成的多个传感器电极12、端子部13、多个配线14(14a～14h)。在传感器片10的最表面，除端子部13外，还形成有保护传感器电极12和配线14的抗蚀剂层15。传感器电极12、端子部13、配线14、抗蚀剂层15被设置为在膜片11上形成的印刷层。

如图1中的1A所示，多个传感器电极12分别形成菱形面。多个传感器电极12形成电容式传感器1的电路图案(第一电路图案12a、第二电路图案12b)。在图1中的1A中，以左右方向为X轴方向，以上下方向为Y轴方向，第一电路图案12a由对角线长的一方的顶点在图1中的1A的左右方向(X轴方向)上连续地相连的多个传感器电极12构成。在第一电路图案12a中，在X轴方向上延伸的电路图案与Y轴交叉而并列地配置，因此能够检测检测部10a中的Y坐标。第二电路图案12b由对角线长的一方的顶点在图1中的1A的上下方向(Y轴方向)上连续地相连的多个传感器电极12构成。在第二电路图案12b中，在Y轴方向上延伸的电路图案与X轴方向交叉而并列地配置，因此能够检测检测部10a中的X坐标。因此，通过组合第一电路图案12a和第二电路图案12b的各自的电容的变化，能够检测进行了触摸操作的XY坐标。

如图2的局部放大图所示，第一电路图案12a形成在膜片11的背面11b。第二电路图案12b形成在膜片11的表面11a。第一电路图案12a和第二电路图案12b在俯视观察时，形成第一电路图案12a的传感器电极12的菱形的顶点和形成第二电路图案12b的传感器电极12的菱形的顶点配置于在膜片11的厚度方向上交叉的位置。另一方面，形成第一电路图案12a的传感器电极12的菱形和形成第二电路图案12b的传感器电极12的菱形以在膜片11的厚度方向上不相互重叠的方式配置。以这种方式相互配置的形成第一电路图案12a的传感器电极12和形成第二电路图案12b的传感器电极12形成用于对进行了触摸操作的XY坐标进行检测的操作坐标。

传感器片10的表面10c即抗蚀剂层15的表面形成进行触摸操作的操作面。传感器片10的检测部10a的背面10d被固贴并层叠在基底基材20上。因此，传感器片10和基底基材20形成为一体物。而且，通过形成为一体物，检测部10a能够形成为沿基底基材20的外形面的形状。因此，膜片11虽然材料为平坦的膜，但能够根据基底基材20的外形面的形状，以具有圆顶状或圆弧状等的立体操作面的方式形成。另外，传感器片10不仅覆盖基底基材20的顶面部20a，还覆盖其筒状的侧面部20b。由此，能够形成为在基底基材20的从顶面部20a到侧面部20b的角部分具有圆角的传感器片10。也可以在传感器片10的检测部10a的背面10d进一步设置抗蚀剂层，固贴并层叠于传感器片10和基底基材20。

尾部10b是从基底基材20的筒状的侧面部20b的底面外缘20d以不固贴于基底基材20的方式延伸的部分。尾部10b从检测部10a突出，在突出的前端部具有端子部13。配线14从位于膜片11的传感器片10的检测部10a穿过膜片11的侧面11c和尾部10b而延伸至端子部13。

具体来说，传感器电极12的第一电路图案12a形成在膜片11的背面11b。因此，从第一电路图案12a延伸的配线14从第一电路图案12a到尾部10b的端子部13为止形成在膜片11的背面11b。

与此相对，第二电路图案12b形成在膜片11的表面11a。因此，从第二电路图案12b延伸的配线14从第二电路图案12b到尾部10b的通孔10b1为止，形成在膜片11的表面11a。而且，配线14在贯通通孔10b1而到达膜片11的背面11b后，延伸至端子部13b。

因此，多个配线14在通孔10b1与端子部13b之间，都形成在膜片11的背面11b。与此相对，在检测部10a与通孔10b1之间，在多个配线14中，尾部10b的宽度方向上位于中央位置的配线14c、14d、14e、14f形成在膜片11的表面11a。另外，位于尾部10b的两端部侧的配线14a、14b、14g、14h形成在膜片11的背面11b。以这种方式进行配线的理由如下。

电容式传感器1通过在形成有传感器电极12、端子部13、配线14的传感器片10上一体成型基底基材20而形成。图2是在传感器片10上一体成型基底基材20而得到的一体成型体。在该一体成型体中，成为配线连接部1B在传感器主体部1A的侧方延伸的形状。而且，配线连接部1B(尾部10b)首先如图3所示那样以沿着基底基材20的侧面部20b的方式向下方弯曲。进而，如图4所示，配线连接部1B(尾部10b)朝向基底基材20的底面部20c折弯，在折弯部分(尾部10b的基端部)形成有弯曲部16。将配线连接部1B(尾部10b)向基底基材20的底面部20c折弯是为了将端子部13连接到与底面部20c相向配置的连接器31。

在从图3的状态开始，如图4所示那样将配线连接部1B(尾部10b)折弯来形成弯曲部16时，将配线连接部1B(尾部10b)沿着基底基材20的底面部20c的底面外缘20d折弯。配线连接部1B(尾部10b)的基端部中的与底面外缘20d接触的接触部分成为弯曲部16的弯曲点。弯曲部16遍及配线连接部1B(尾部10b)的宽度方向的全长而形成。

在弯曲部16中，与底面外缘20d接触的弯曲接触位置(弯曲部16的内侧弯曲面16b)成为弯曲部16的弯曲点，沿着底面外缘20d的外形而折弯，因而作用有较大的应力。因此，若在膜片11的背面11b的弯曲接触位置设置配线14，则构成配线14的导电性印刷层以被弯曲部16的谷折面夹着而蜷缩的方式而被压缩，从而相对于膜片11的背面11b卷起，变得容易断线。

与此相对，若在不与底面外缘20d相向的弯曲部16的外侧弯曲面16a(膜片11的表面11a)设置配线14，则构成配线14的印刷层仅沿着弯曲部16的山折面延伸，而不会断线。这样，在弯曲部16中，若在与底面外缘20d相向的内侧弯曲面16b(膜片11的背面11b)设置配线14，则容易断线，然而若在背面11b的相反侧的外侧弯曲面16a(膜片11的表面11a)设置配线14，则难以引起断线。

本实施方式的弯曲部16中与底面外缘20d接触的弯曲接触位置成为配线连接部1B(尾部10b)的宽度方向的中央位置。因此，在本实施方式中，在多个配线14中，在尾部10b的宽度方向上位于中央位置的配线14c、14d、14e、14f形成在弯曲部16的外侧弯曲面16a，通过尾部10b的通孔10b1而被引导至膜片11的背面11b，到端子部13为止进行配线。另外，位于尾部10b的两端部侧的配线14a、14b、14g、14h没有沿着底面外缘20d折弯，因而比中央位置断线的风险小，因此形成在弯曲部16的内侧弯曲面16b。若基底基材20是具有筒状的侧面部的立体形状，则基底基材20的底面外缘20d在俯视观察时为圆弧状等的曲线，当向侧方延伸的尾部10b以底面外缘20d为支点被折弯时，该折弯线接近直线，因此，在尾部1b的宽度方向的中央位置与底面外缘20d抵接，但在尾部1b的两端部侧从底面外缘20d离开而被折弯。

作为一个示例，在与弯曲部16接触的底面外缘20d的形状在俯视观察时形成为圆弧状的情况下，如果圆弧的半径小于30mm，则设置在成为尾部10b的中央位置的7mm前后的配置宽度中的配线14优选配线于成为弯曲部16的山折面侧的膜片11的表面11a。另外，如果圆弧的半径在30mm以上且小于60mm，则设置在成为尾部10b的中央位置的9mm前后的配置宽度中的配线14优选配线于成为弯曲部16的山折面侧的膜片11的表面11a。而且，如果圆弧的半径在60mm以上且小于90mm，则设置在成为尾部10b的中央位置的12mm前后的配置宽度中的配线14优选配线于成为弯曲部16的山折面侧的膜片11的表面11a。

这样，基底基材20的半径越大则底面外缘20d的圆弧形状越接近直线形状，因此尾部10b的弯曲部16与底面外缘20d接触的中央位置变宽。因此，根据该接触的范围的扩大，在膜片11的表面11a配置配线14。

接下来，对形成电容式传感器1的各部位的材质、功能等进行说明。

膜片11是传感器片10的基材，使用由热塑性树脂构成的树脂膜。若是热塑性树脂，就能够通过加热而容易地成型为与基底基材20的形状对应的形状。作为这样的树脂膜的材质，例如可以列举聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)树脂、聚丙烯(PP)树脂、聚氨酯(PU)树脂、聚酰胺(PA)树脂、聚醚砜(PES)树脂、聚醚醚酮(PEEK)树脂、三醋酸纤维素(TAC)树脂、聚酰亚胺(PI)树脂、环烯烃聚合物(COP)等。诸如在传感器片10的背面10d设置表示记号或数字等某种显示的显示部(未图示)的情况下，优选使用具有透明性的树脂膜。

从具有用于形状保持的定形性、能够折弯的可挠性等的需要的角度考虑，膜片11的厚度优选为10～500μm。另外，在膜片11上，可以设置提高与后述的成为传感器电极12的材料的导电性高分子的紧贴性的底涂层(Primer layer)或表面保护层、以防带电等为目的的外涂层(Overcoat layer)等，或者预先实施表面处理。

传感器电极12由包含导电墨或导电性高分子的导电层构成。若使用导电性高分子，则即使在与基底基材20一体成型时传感器电极12被拉伸，也难以断线。另外，也基于如下的方面而优选，即，能够形成液状的涂液并通过印刷形成，与ITO(Indium tin oxide：氧化铟锡)等相比能够廉价地得到传感器电极12。另一方面，在不需要透明性的情况下，能够通过银墨或碳糊等导电墨形成传感器电极12。在能够形成低电阻且灵敏度优异的传感器电极12方面，优选银墨。另一方面，在比导电性高分子更能廉价地得到传感器电极12这方面或者耐候性优异这方面，优选碳糊。

对于成为传感器电极12的导电性高分子的材质，使用能够形成透明的层的导电性高分子。对于这种具有透明性的导电性高分子，能够例示聚对苯撑或聚乙炔、PEDOT-PSS(聚-3，4-乙撑二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸)等。传感器电极12的层厚优选为0.04～1.0μm，更优选为0.06～0.4μm。若层厚小于0.04μm，则传感器电极12的电阻值可能变高，若层厚超过1.0μm，则透明性可能变低。此外，传感器电极12的层厚能够通过在膜片11上形成传感器电极12并使用原子力显微镜(AFM)来测定。

配线14将传感器电极12导通连接至端子部13。配线14的材质优选由包含高导电性金属的导电膏或导电墨形成，高导电性金属是铜、铝、银或包含这些金属的合金等。另外，在这些金属或合金中，由于导电性高，比铜难以被氧化，所以优选银配线。

配线14的厚度优选为1.0～20μm。在配线14的厚度小于1.0μm的情况下，配线的电阻值容易上升，可能导致噪声。另一方面，若配线14的厚度超过20μm，则由于高低差变大，在涂敷抗蚀剂层15时气泡进入的可能性变高。若气泡进入，则会破裂而产生孔，存在配线14所含的高导电性金属变得容易腐蚀这样的不良情况。另外，优选配线14的电阻值在300Ω以下。若配线14的电阻值超过300Ω，则噪声增加，灵敏度可能变差。

端子部13是用于将电容式传感器1与电路基板30的连接器31导电连接的连接部。端子部13能够通过由碳墨覆盖配线14的前端等而形成。

抗蚀剂层15是为防止相邻的传感器电极12彼此导通和保护传感器电极12免受紫外线及刮划等影响而设置的绝缘性的保护膜。抗蚀剂层15具有透明性。另外，抗蚀剂层15还具有防止由银浆或金属构成的配线14腐蚀的功能。对于成为抗蚀剂层15的树脂，可选择硬质的树脂，例如，可以使用丙烯酸类或氨基甲酸酯类、环氧基类、聚烯烃类的树脂、其他树脂。抗蚀剂层15的厚度通常为6～30μm，优选为10～20μm。其原因是，若抗蚀剂层15的厚度超过30μm，则缺乏柔软性，若厚度小于6μm，则无法充分保护传感器电极12。

接下来，除了已经说明的内容以外，对本实施方式的电容式传感器1的作用和效果进行说明。

电容式传感器1即使将传感器主体部1A、从检测部10a延伸的配线连接部1B、尾部10b沿着基底基材20的底面外缘20d折弯，也能够降低配线14断线的风险。

电容式传感器1为沿着基底基材20的底面外缘20d接触并折弯的形状，因此能够与基底基材20的底面部20c接近地配置尾部10b。因此，包括尾部10b的配置在内，能够使电容式传感器1整体小型化。

尾部10b延伸至与基底基材20的底面部20c相向的位置。因此，能够将电容式传感器1以在配置尾部10b的状态下小型化。因此，电子设备自身也能够小型化。

基底基材20能够构成为电子设备的第一分割壳体。在基底基材20的开口部20e，能够与第二分割壳体32组合。在由第一分割壳体(基底基材20)和第二分割壳体32组合的壳体的内侧形成收纳空间。能够在收纳空间中配置电路基板30。尾部10b的端子部13能够在壳体的内部与连接器31连接。

传感器主体部1A为具有顶面部1A1和侧面部1A2的立体形状，因此，能够在电容式传感器1自身中设置用于提高设计性的立体形状方案。例如，成为操作面的传感器主体部1A的顶面部1A1能够形成为平面形状、弯曲面形状等。侧面部1A2能够形成为圆柱状、多棱柱状的外周面形状等。

抗蚀剂层15能够可靠地保护传感器电极12和配线14。另外，抗蚀剂层15能够可靠地将传感器电极12彼此绝缘。

第一实施方式的变形例(图5)

图5示出了第一实施方式的变形例的电容式传感器2的概要俯视图和主视图。电容式传感器2与电容式传感器1不同的点在于，基底基材20的顶面部20a的平面形状为多边形。而且，在电容式传感器2中，在俯视观察时，尾部10b从与成为两边交点的带圆角的角中的一个角相对应的位置突出。其他结构与电容式传感器1相同。

第二实施方式(图6)

图6示出了第二实施方式的电容式传感器3。电容式传感器3与第一实施方式不同的点在于，将第一电路图案12a和第二电路图案12b形成在膜片11的表面11a。在第一电路图案12a和第二电路图案12b交叉的交叉位置，设置抗蚀剂(未图示)而相互绝缘。该抗蚀剂能够使用与抗蚀剂层15相同的材质形成。另外，例如，也可以在形成第一电路图案12a后，在其表面整体设置抗蚀剂层15，在该抗蚀剂层15的表面设置第二电路图案12b。在这种情况下，也可以采用进一步设置覆盖第二电路图案12b的抗蚀剂层15从而形成2层抗蚀剂层15的形态。

若采用这种结构，则在传感器主体部1A的侧面部1A2以及配线连接部1B中的任一方中，配线14都被配置在膜片11的表面11a。因此，能够防止尾部10b的折弯导致的配线14的断线。另外，能够在膜片11的表面11a配置所有的配线14，因而无需设置通孔10b1，能够更容易。

比较例(图7)

与以上的各实施方式不同，图7示出了作为配线14容易断线的第一比较例1的电容式传感器。在比较例1的电容式传感器中，在将尾部10b朝向基底基材20的底面部20c折弯时，在与基底基材20的底面外缘20d接触的接触位置，所有的配线14形成在膜片11的背面11b。在比较例1的电容式传感器中，若将尾部10b朝向基底基材20的底面部20c折弯，则容易产生配线14的断线。配线14容易断线的理由在于，配线14配置在弯曲部分的谷折面，因此配线14以被谷折面夹着而蜷缩的方式被压缩，从而容易相对于膜片11的背面11b卷起。

比较例(图8)

图8示出了作为配线14容易断线的第二比较例的电容式传感器。在比较例2的电容式传感器中，在将尾部10b朝向基底基材20的底面部20c折弯时，在位于与基底基材20的底面外缘20d接触的接触位置的配线14中，位于尾部10b的宽度方向的中央位置的配线14设置在膜片11的背面11b。该位于中央位置的配线14在折弯的部分破裂，在将其复原至原来的状态后，若再折弯，则构成配线14的导电性印刷层就会开裂，相对于膜片11卷起，从而断线。

第三实施方式(图9)

图9示出了第三实施方式的电容式传感器4的概要结构。此外，图9中的9A与图2所示的图1中的1A的II－II线剖视图同样地，是将第三实施方式的电容式传感器4从传感器主体部1A的一端到配线连接部1B的端子部13而沿着长度方向切断的剖视图。

本实施方式的电容式传感器4在将基底基材21的形状设为平板形状的方面与基底基材20为立体形状的第一实施方式不同。即，在本实施方式中，如图9中的9A所示，基底基材21至少尾部10b的弯曲部侧为平板形状，底面外缘21d成为基底基材21的底面21c的外缘部。其他结构与第一实施方式的电容式传感器1相同。

即，在本实施方式中，与第一实施方式同样地，传感器片10设置在基底基材21的顶面部侧。传感器片10具有检测部10a和尾部10b。检测部10a层叠并固贴在基底基材21的顶面部侧。检测部10a和基底基材21构成传感器主体部1A。尾部10b从传感器主体部1A延伸，构成与作为“连接对象物”的电路基板30(参照图4)的连接器31(参照图4)导通连接的配线连接部1B。

电容式传感器4是通过在形成有传感器电极12、端子部13、配线14的传感器片10上一体成型基底基材21而形成的一体成型体。如图9中的9A所示，在该一体成型体中，成为配线连接部1B在传感器主体部1A的侧方延伸的形状。而且，配线连接部1B(尾部10b)首先如图9中的9B所示那样沿着基底基材21的端部21b向下方弯曲。之后，如图9中的9C所示，配线连接部1B(尾部10b)朝向基底基材21的底面部21c被折弯，在该折弯部分(尾部10b的基端部)形成弯曲部16。配线连接部1B(尾部10b)为了将端子部13连接到与底面部21c相向配置的连接器31而向基底基材21的底面部20c折弯。

如图9中的9B的状态至图9中的9C所示，在将配线连接部1B(尾部10b)折弯而形成弯曲部16时，将配线连接部1B(尾部10b)沿着基底基材21的底面部21c的底面外缘21d折弯。配线连接部1B(尾部10b)的基端部中的与底面外缘21d接触的接触部分成为弯曲部16的弯曲点。弯曲部16遍及配线连接部1B(尾部10b)的宽度方向的全长而形成。

在弯曲部16中，与底面外缘21d接触的弯曲接触位置(弯曲部16的内侧弯曲面16b)成为弯曲部16的弯曲点，沿着底面外缘21d的外形被折弯，因而作用有较大的应力。因此，若在膜片11的背面11b的弯曲接触位置设置配线14，则形成配线14的导电性印刷层以被弯曲部16的谷折面夹着而蜷缩的方式被压缩，从而相对于膜片11的背面11b卷起，变得容易断线。

与此相对，若在不与底面外缘21d相向的弯曲部16的外侧弯曲面16a设置配线14，则构成配线14的印刷层仅沿着弯曲部16的山折面延伸，而不会断线。这样，在弯曲部16中，如果在与底面外缘21d相向的内侧弯曲面16b设置配线14，则容易断线，而如果在背面11b的相反侧的外侧弯曲面16a设置配线14，则变得难以产生断线。这样一来，在本实施方式中，即使将基底基材21设为平板形状，并使基底基材21的底面21c的外缘部成为底面外缘21d，也能够降低将尾部10b折弯时配线14断线的风险。例如，在本实施方式中，基底基材21成为平板形状，所以能够实现电容式传感器4的薄型化。

第三实施方式的变形例(图10)

图10示出了第三实施方式的变形例的电容式传感器5的概要结构。此外，图10中的10A与图2所示的图1中的1A的II－II线剖视图同样地，是将第三实施方式的变形例的电容式传感器5从传感器主体部1A的一端到配线连接部1B的端子部13而沿着长度方向切断的剖视图。

如图10中的10A所示，本实施方式的电容式传感器5与第三实施方式不同的点在于，设置在平板形状的基底基材21的顶面部侧的传感器片10的一端与基底基材21对齐。关于其他的结构，与第三实施方式的电容式传感器4相同。即，如图10中的10A所示，在本实施方式中，基底基材21至少尾部10b的弯曲部侧为平板形状，底面外缘21d成为基底基材21的底面21c的外缘部，其他的结构与第一实施方式的电容式传感器1相同。

在本实施方式中，即使将基底基材21设为平板形状，使基底基材21的底面21c的外缘部成为底面外缘21d，并且使传感器片10的一端与基底基材21对齐，也能够降低将尾部10b折弯时配线14断线的风险。另外，在本实施方式中，基底基材21形成平板形状，所以能够实现电容式传感器5的薄型化。

此外，在上述的第三实施方式的电容式传感器4以及成为其变形例的电容式传感器5中，基底基材21整体形成为平板形状，但只要至少尾部10b的弯曲部侧成为平板形状即可。即，基底基材21可以只使尾部10b的弯曲部侧成为平板形状，在除该弯曲部侧以外的其他的部位也可以具有凹凸形状。

另外，上述的各实施方式是本发明的例示，在不脱离本发明的主旨的范围内，可以进行各实施方式的变更或现有技术的附加、组合等，这些技术也包含在本发明的范围内。例如，配置在尾部10b的两端侧的配线14也可以设置在膜片11的表面11a或背面11b中的任一方。

例如，上述的各实施方式的电容式传感器1、2、3、4、5也可以设置包含着色、文字、数字、记号等的显示部的装饰层。可以将抗蚀剂层15构成为装饰层，也可以在该情况下设置保护装饰层的保护层。

附图标记说明

1：电容式传感器(传感器，第一实施方式)、

1A：传感器主体部、

1A1：顶面部、

1A2：侧面部、

1B：配线连接部、

2：电容式传感器(传感器，第一实施方式的变形例)、

3：电容式传感器(传感器，第二实施方式)、

4：电容式传感器(传感器，第三实施方式)、

5：电容式传感器(传感器，第三实施方式的变形例)、

10：传感器片、

10a：检测部、

10b：尾部、

10b1：通孔、

10c：表面、

10d：背面、

11：膜片、

11a：表面、

11b：背面、

11c：侧面、

12：传感器电极、

12a：第一电路图案、

12b：第二电路图案、

13：端子部、

14：配线、

15：抗蚀剂层、

16：弯曲部、

16a：外侧弯曲面、

16b：内侧弯曲面、

20、21：基底基材、

20a：顶面部、

20b：侧面部、

20c、21c：底面部、

20d、21d：底面外缘、

30：电路基板、

31：连接器、

32：第二壳体。

Claims (8)

1.一种传感器，具有基底基材以及传感器片，所述传感器片在膜片上形成有多个传感器电极和与所述传感器电极导通的多个配线，所述传感器的特征在于，

所述传感器片具有：

检测部，被保持在所述基底基材上，具有多个所述传感器电极，以及

尾部，从所述检测部向所述基底基材的底面侧延伸，具有多个所述配线；

所述尾部具有弯曲部，所述弯曲部在所述基底基材的底面外缘的位置朝向所述基底基材的底面弯曲，

通过所述弯曲部的多个所述配线形成在位于所述弯曲部的所述膜片的外侧弯曲面。

2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，

通过所述弯曲部的多个所述配线在相对于所述尾部的延伸方向交叉的方向上并列地配置，至少位于与所述底面外缘接触的所述尾部的弯曲接触位置处的1个以上的所述配线形成在所述外侧弯曲面。

3.根据权利要求1或2所述的传感器，其特征在于，

所述弯曲部为沿着所述底面外缘接触并折弯的形状。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的传感器，其特征在于，

所述基底基材和所述检测部形成传感器主体部，

所述传感器主体部为具有顶面部和侧面部的立体形状。

5.根据权利要求1～3中的任一项所述的传感器，其特征在于，

所述基底基材的至少所述尾部的所述弯曲部侧为平板形状，

所述底面外缘为所述基底基材的所述底面的外缘部。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的传感器，其特征在于，

所述底面外缘的至少位于与所述弯曲部相向位置的部分为圆弧形状。

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的传感器，其特征在于，

具有将多个所述传感器电极和多个所述配线覆盖的抗蚀剂层。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的传感器，其特征在于，

多个所述传感器电极为检测电容变化的电容式传感器用电极。

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