CN112968104A - 发光芯片及其制作方法及显示背板 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种发光芯片及其制作方法及显示背板。发光芯片在电流传导层与绝缘层之间设置有金属反射层，该金属反射层可以将发光层发出的光反射到出光面，增加发光芯片的光反射面积，可提升发光芯片的反射效率，进而提升了发光芯片的光电转换效率；另外，在电流传导层与绝缘层之间设置的金属反射层由于也具有导电性能，且其电阻值一般低于电流传导层，更有利于电流的横向传导，从而提升发光层的利用率，降低电压，进一步提升发光芯片的光电转换效率。显示背板采用了具有更高光电转换率的发光芯片作为光源，因此其显示效果更好，用户体验的满意度更高。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种发光芯片及其制作方法及 显示背板。
背景技术
目前，Mini-LED芯片和Micro-LED芯片的技术日益成熟，且二者都有 着良好的市场前景。但是目前的Mini-LED芯片和Micro-LED芯片的结构 中，主要通过位于外延层表面的绝缘层以及与外延层电连接的电极，将发 光层发出的光反射到出光面，反射效率相对较差，导致Mini-LED芯片和 Micro-LED芯片出光面的光电转换率较低。
因此，如何提升Mini-LED芯片和Micro-LED芯片出光面的光电转换 率，是亟需解决的问题。
发明内容
鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光芯片及其 制作方法及显示背板，旨在解决现有技术中，Mini-LED芯片和Micro-LED 芯片出光面的光电转换率低的问题。
一种发光芯片，包括：
外延层，所述外延层包括从下往上依次叠加的第二半导体层、发光层 以及第一半导体层；
形成于所述第一半导体层上的电流传导层；
形成于所述电流传导层上的金属反射层；
贯穿所述第一半导体层、电流传导层、金属反射层的第一凹槽，所述 第一凹槽底部与所述第二半导体层相通；
将所述金属反射层覆盖，以及将所述电流传导层、第一半导体层、发 光层和第二半导体层的侧面以所述第一凹槽的内壁覆盖的绝缘层；
以及穿过所述绝缘层与所述第一半导体层电连接的第一电极，和设置 于所述第一凹槽内与所述第二半导体层电连接的第二电极。
上述发光芯片在电流传导层与绝缘层之间设置有金属反射层，该金属 反射层也可以将发光层发出的光反射到出光面，增加发光芯片的光反射面 积，可提升发光芯片的反射效率，进而提升了发光芯片的光电转换效率； 另外，金属反射层由于具有较好的导电性能，更有利于电流的横向传导， 从而提升发光层的利用率，降低电压，可进一步提升发光芯片的光电转换 效率。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种发光芯片的制作方法，包括：
在基板的正面上形成外延层，所述外延层包括在所述基板的正面上从 下往上依次叠加的第二半导体层、发光层以及第一半导体层；
在所述第一半导体层上形成电流传导层；
在所述电流传导层上形成金属反射层；
形成贯穿所述第一半导体层、电流传导层、金属反射层的第一凹槽， 所述第一凹槽底部与所述第二半导体层相通；
形成将所述金属反射层覆盖，以及将所述电流传导层、第一半导体层、 发光层和第二半导体层的侧面及所述第一凹槽的内壁覆盖的绝缘层；
形成穿过所述绝缘层与所述第一半导体层电连接的第一电极，以及设 置于所述第一凹槽内与所述第二半导体层电连接的第二电极。
上述发光芯片的制作方法简单易实现，制作效率高成本低，且制得的 发光芯片的出光面具有更高的光电转换率。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种显示背板，所述显示背板上 设置有多个固晶区；所述显示背板还包括多颗分别设置于所述多个固晶区 内的发光芯片，至少一颗所述发光芯片为如上所述的发光芯片。
上述显示背板采用了具有更高光电转换率的发光芯片作为光源，因此 其显示效果更好，用户体验的满意度更高。
附图说明
图1为本发明实施例提供的发光芯片结构示意图一；
图2为本发明实施例提供的发光芯片结构示意图二；
图3为本发明实施例提供的发光芯片结构示意图三；
图4为本发明另一可选实施例提供的发光芯片制作方法流程示意图；
图5为本发明另一可选实施例提供的在电流传导层上形成金属反射层 的流程示意图；
图6-1为本发明另一可选实施例提供的另一发光芯片制作方法流程示 意图；
图6-2为本发明另一可选实施例提供的基板上形成第二半导体层，发光 层以及第一半导体层的示意图；
图6-3为本发明另一可选实施例提供的第一半导体层上沉积电流传导 层的示意图；
图6-4为本发明另一可选实施例提供的在电流传导层上的相应位置形 成光刻胶层的示意图；
图6-5为本发明另一可选实施例提供的在电流传导层和光刻胶层上蒸 镀金属反射层的示意图；
图6-6为本发明另一可选实施例提供的去除光刻胶层的示意图；
图6-7为本发明另一可选实施例提供的蚀刻结构的示意图；
图6-8为本发明另一可选实施例提供的覆盖绝缘层结构的示意图；
图6-9为本发明另一可选实施例提供的形成第一凹槽和第二凹槽的示 意图；
图6-10为本发明另一可选实施例提供的形成第一电极和第二电极的示 意图；
附图标记说明：
1-基板，2-第二半导体层，3-发光层，4-第一半导体层，5-电流传导层， 6-光刻胶层，7-金属反射层，8-绝缘层，91-第一电极，92-第二电极，101- 第一凹槽，102-第二凹槽。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描 述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同 的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施 方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的 技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所 使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
相关技术中，Mini-LED芯片和Micro-LED芯片的结构中，主要通过位 于外延层表面的绝缘层以及与外延层电连接的电极，将发光层发出的光反 射到出光面，反射效率相对较差，导致Mini-LED芯片和Micro-LED芯片 出光面的光电转换率较低。
基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细 内容将在后续实施例中得以阐述。
本实施例所示例的发光芯片，通过在发光芯片的电流传导层与绝缘层 之间设置金属反射层，该金属反射层可以将发光层发出的光反射到出光面， 也可该金属反射层可作为发光芯片的反射镜，可增加发光芯片的光反射面 积，提升发光芯片的反射效率，进而提升了发光芯片的光电转换效率；同 时，金属反射层由于也具有较好的导电性能，更有利于电流的横向传导， 从而可提升发光层的利用率，降低电压，进一步提升发光芯片的光电转换 效率。
应当理解的是，本实施例所提供的发光芯片可以为微型发光芯片，也 可为普通尺寸的发光芯片。为微型发光芯片时，可以包括但不限于 micro-LED芯片、mini-LED芯片中的至少一种，例如一种示例中，发光芯 片可以为micro-LED芯片；在又一种示例中，发光芯片可以为mini-LED芯 片。
为了便于理解，本实施例下面结合附图，对本实施例所提供的发光芯 片进行示例性的说明。
请参见图1所示，发光芯片包括外延层，其中该外延层包括从下往上 依次叠加的第二半导体层2、发光层3以及第一半导体层4；本实施例不限 定发光芯片的外延层的具体结构，在一种示例中，第一半导体层4可为N 型半导体、第二半导体层2可为P型半导体，或第一半导体层4可为P型 半导体、第二半导体层2可为N型半导体；本实施例中的发光层也即为有 源层，该有源层可以包括量子阱层，还可以包括其他结构。
请参见图1所示，发光芯片还包括形成于第一半导体层4上的电流传 导层5(也可称之为电流扩展层)，电流传导层直接形成于第一半导体层4 上，与第一半导体层4形成电连接。应当理解的是，本实施例中电流传导 层5在第一半导体层4上的具体形成工艺本实施例不对其进行限制，任意 能在第一半导体层4上形成电流传导层5的工艺都在本实施例的范围内。 应当理解的是，本实施例中，对于电流传导层5的厚度以及其具体材质也 可根据需求灵活设置，例如一种应用示例中，组成电流传导层5的材料可 包括但不限于氧化铟锡ITO、氧化铟锌IZO、铟镓锌氧化物IGZO、偶氮化 合物AZO中的至少一种。
请参见图1所示，发光芯片还形成于电流传导层5上的金属反射层7。 金属反射层7直接形成于电流传导层5上，并与电流传导层形成电连接。 且由于金属反射层7采用反射性能较好的金属材质制成，其与电流传导层5 叠加设置后，可更利于电流的横向传导，从而可提升发光层的利用率，进 而提升发光芯片的光电转换效率。应当理解的是，本实施例中金属反射层7 在电流传导层5上的具体形成工艺本实施例不对其进行限制，任意能在第 电流传导层5上形成金属反射层7的工艺都在本实施例的范围内。应当理 解的是，本实施例中，对于金属反射层7的厚度以及其具体材质也可根据 需求灵活设置，例如一种应用示例中，组成金属反射层7的材料可包括但 不限于金Au、铝Al、铜Cu、银Ag中的至少一种。也即本实施例中的金属 反射层7可以采用各种反射性能和导电性能良好的材料。
请参见图1所示，发光芯片还包括贯穿第一半导体层4、电流传导层5、 金属反射层7的第一凹槽，第一凹槽底部与第二半导体层2相通，该第一 凹槽用于供形成于第二半导体层2电性连接的第二电极。
请参见图1所示，发光芯片还包括将金属反射层7覆盖(也即将金属 层7的外露区域全部覆盖，包括金属反射层7的侧面，以及金属反射层7 远离电流传导层5的一面)，以及将电流传导层5、第一半导体层4、发光 层3和第二半导体层4的侧面以第一凹槽的内壁覆盖的绝缘层8。本实施例 中的绝缘层8可以作为发光芯片的保护层(也即钝化层)，其厚度和材质也 可灵活设置，例如组成钝化层的材料可以包括但不限于氮化硅SiNx、氧化 硅SiOx、氟化镁MgF2等类似的氧化物或氟化物中的至少一种。
参见图1所示，发光芯片还包括第一电极91和第二电极92，其中第一 电极91穿过绝缘层8与第一半导体层4形成电连接，第二电极92设置于 第一凹槽内与第二半导体层2形成电连接。第一电极91远离第一半导体层 4的一端为上端，第二电极92远离第二半导体层2的一端为上端，第一电 极91和第二电极92的上端都露出于绝缘层以供与外部对应的焊盘电连接。 应当理解的是，在一些示例中，第一电极91和第二电极92的上端可以与 绝缘层8的顶面(也即为绝缘层8远离金属导电层7的一面)齐平，也可 高于绝缘层8的顶面。应当理解的是，本实施例中第一电极91和第二电极 92的材质可以相通，也可根据需求设置为不同。第一电极91和第二电极 92中的至少一个的电极的材质可包括但不限于铬Cr，镍Ni，铝Al，钛Ti， 金Au，铂Pt，钨W，铅Pb，铑Rh，锌Sn，铜Cu，银Ag中的至少一种。
本实施例中的发光芯片可以为红光芯片，也可为蓝光、绿光或其他颜 色类型的发光芯片，在此不再赘述。在本实施例的一些示例中，可设置电 流传导层5的阻值大于金属反射层7的阻值。金属反射层7的阻值小于电 流传导层5，其具有更好的电流传导性，更利于电流的横向传导，有利于电 流扩展，提升发光层的利用率，降低电压，提高光电转换效率。
应当理解的是，本实施例中第一电极91穿过绝缘层8与第一半导体层 4形成电连接的方式可以灵活设置，例如，可以采用但不限于以下示例的三 种设置方式：
设置方式一：请参见图1所示，第一电极91穿过绝缘层8形成于金属 反射层7上；由于金属反射层7与电流传导层5电连接，电流传导层5与 第一半导体层4电连接，因此形成于金属反射层7上的第一电极91即可与 第一半导体层4形成电连接。
设置方式二：请参见图2所示，第一电极91穿过绝缘层8和金属反射 层7，形成于电流传导层5上；由于电流传导层5与第一半导体层4电连接， 因此形成于电流传导层5上的第一电极91即可与第一半导体层4形成电连 接。
设置方式三：请参见图3所示，第一电极91穿过绝缘层8、金属反射 层7和电流传导层5，直接形成于第一半导体层4上。
可见，本实施例提供的发光芯片的结构简单且灵活，在电流传导层5 与绝缘层8之间设置的金属反射层7可作为发光芯片的反射镜，可增加发 光芯片的光反射面积，提升发光芯片的反射效率，进而提升发光芯片的光 电转换效率；同时，金属反射层7具有较好的导电性能，更有利于电流扩 展，可提升发光层的利用率，进一步提升发光芯片的光电转换效率。
本发明另一可选实施例：
为了便于更好的理解，本实施例下面以一种制作上述示例的发光芯片 的制作方法为示例，对发光芯片进行说明。且应当理解的，上述示例的发 光芯片的制作方法并不限于本实施例所示的制作方法。
本实施例中所提供的发光芯片的制作方法请参见图4所示，其包括但 不限于：
S401：在基板的正面上形成外延层，形成的外延层包括在基板的正面 上从下往上依次叠加的第二半导体层、发光层以及第一半导体层。
应当理解的是，本实施例中的基板可以为但不限于生长基板，且生长 基板的材质为可在生长基板上生长发光芯片的各种半导体材料，例如，该 生长基板的材质可以为但不限于蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓，也可以为 其他半导体材料，在此不做限制。且应当理解的是，该基板并不限于生长 基板，也可以为用于承载发光芯片的各种基板。
本示例中对在基板上形成外延层的工艺不做限制，可采用任意能在基 板上形成外延层的工艺。
应当理解的是，本实施例中在基板的正面形成的外延层，可以为单个 发光芯片的外延层，也可以为多个发光芯片的外延层，为多个芯片的外延 层时，可以在为空间上相互分离的多个外延层，也可为连接为一整片的外 延层，为连接为一整片的外延层时，可在后续过程中进行相应的分割处理 得到单个发光芯片的外延层。为了便于理解，本实施例中以单个发光芯片 的外延层位单位进行示例说明。
S402：在第一半导体层上形成电流传导层。
应当理解的是，本实施例中在第一半导体层上形成电流传导层的工艺 也可灵活选用，例如可以采用但不限于沉积的方式，在第一半导体层上形 成电流传导层。例如可以采用但不限于化学气相沉积CVD的方式，在第一 半导体层上形成电流传导层。如上示例所述，电流传导层的材料可以采用 但不限于ITO、IZO、IGZO、AZO等。
S403：在电流传导层上形成金属反射层。
应当理解的是，本实施例中在电流传导层上形成金属反射层的工艺也 可灵活选用。为了便于理解，本实施例下面以两种形成方式进行示例说明。
方式一：参见图5所示，在电流传导层上形成金属反射层的过程包括 但不限于：
S501：在电流传导层上待形成第一凹槽的区域形成光刻胶层。
本实施例中可以通过光刻的方式在电流传导层上待形成第一凹槽的区 域形成相应的光刻胶层图形。该光刻胶可以采用但不限于各种负性光刻胶。
应当理解的是，当基板上的外延层为单个发光芯片的外延层时，可在 该单个发光芯片的外延层的电流传导层上待形成第一凹槽的区域形成相应 的光刻胶层即可。当基板上的外延层包括多个发光芯片的外延层时，除了 在各发光芯片的外延层的电流传导层上待形成第一凹槽的区域形成相应的 光刻胶层，还需在相邻的发光芯片之间的区域形成光刻胶层，以避免后续 形成的金属反射层将这部分区域覆盖而不便于后续的发光芯片分离。
S502：形成将电流传导层和光刻胶层覆盖的金属反射层。
形成将电流传导层和光刻胶层覆盖的金属反射层的工艺也可灵活选 用，例如可以采用但不限于蒸镀的方式，在电流传导层和光刻胶层上形成 金属反射层。且如上各示例所述，该金属反射层的材料可以采用但不限于 Au、Al、Cu、Ag等具有高反射率金属中的至少一种。
S503：去除光刻胶层，使得电流传导层上待形成第一凹槽的区域外露 于金属反射层。同时，保留在电流传导层上的金属反射层则可作为后续形 成第一凹槽过程中的掩膜。
在本实施例中，可以通过但不限于冲洗的方式将光刻胶层去除，光刻 胶层去除后，附着在光刻胶上的金属反射层也连带一起被去除，从而使得 电流传导层上原来被光刻胶层覆盖的外露。
方式二：可以直接在电流传导层上形成将电流传导层覆盖的金属反射 层，然后再通过刻蚀等方式，将电流传导层上待形成第一凹槽的区域上的 金属反射层去除。这种方式需要对金属反射层进行部分去除，工艺相对比 较复杂，成本较高。
S404：形成贯穿第一半导体层、电流传导层、金属反射层的第一凹槽， 第一凹槽底部与第二半导体层相通。
例如，在本实施例的一种示例中，形成贯穿第一半导体层、电流传导 层、金属反射层的第一凹槽的过程可包括但不限于：
以电流传导层上的金属反射层为掩膜，沿电流传导层上外露的区域蚀 刻掉对应的电流传导层和第一半导体层，得到贯穿第一半导体层、电流传 导层、金属反射层的第一凹槽。本实施例中可以采用干法蚀刻，也可采用 湿法蚀刻，具体可根据需求灵活选用。
在本步骤中，当基板上的外延层为单个发光芯片的外延层时，可还将 相邻发光芯片之间的外延层蚀刻掉，从而使得将每一个发光芯片分开。
S405：形成将金属反射层覆盖，以及将电流传导层、第一半导体层、 发光层和第二半导体层的侧面及第一凹槽的内壁覆盖的绝缘层。
例如，在本实施例的一种示例中，可以先形成将金属反射层覆盖，电 流传导层、第一半导体层、发光层和第二半导体层的侧面及第一凹槽的内 壁和底部覆盖的绝缘层，然后可通过光刻，将第一凹槽底部的绝缘层的至 少一部分通过干法或湿法蚀刻穿，使得第二半导体裸露于第一凹槽底部。 可选地，在本步骤中，还可同时位于金属反射层之上相应位置的绝缘层通 过干法或湿法蚀刻穿，以形成用于形成第一电极的凹槽。
S406：形成穿过绝缘层与第一半导体层电连接的第一电极，以及设置 于第一凹槽内与第二半导体层电连接的第二电极。
如上各示例所示，在本实施例中，形成穿过绝缘层与第一半导体层电 连接的第一电极也可包括但不限于以下三种方式：
方式一：在绝缘层上形成贯穿绝缘层的第二凹槽，第二凹槽的底部与 金属反射层相通，在金属反射层上形成穿过第二凹槽的第一电极，该第二 凹槽可在上述S405中形成，当然也可单独形成。
方式二：在绝缘层上形成贯穿绝缘层以及金属反射层的第三凹槽，第 三凹槽的底部与电流传导层相通，在电流传导层上形成穿过第一凹槽的第 一电极。其中，该第三凹槽的形成过程可在上述步骤S404和S405中，采 用形成第一凹槽的方式形成，当然也可单独形成。
方式三：在绝缘层上形成贯穿绝缘层、金属反射层以及电流传导层的 第四凹槽，第四凹槽的底部与第一半导体层相通，在第一半导体层上形成 穿过第一凹槽的第一电极；其中，该第四凹槽的形成过程可在上述步骤S404 和S405中，采用形成第一凹槽的方式形成，当然也可单独形成。
本实施例中，可以通过但不限于光刻，在金属反射层(或电流传导层 或第一电极层)和第二电极层上蒸镀形成第一电极和第二电极，第一电极 和第二电极的材质可以采用但不限于Au、Al、Ag、Cu等类似导电金属。
为了便于理解，本实施例下面结合图6-1至图6-10所示的一种发光芯 片的制作过程进行示例说明。参见图6-1和图6-10所示，其包括但不限于：
S601：在基板1上形成第二半导体层2，发光层3以及第一半导体层4， 参见图6-2所示。
S602：在第一半导体层4上沉积电流传导层5，电流传导层5材料可为 但不限于ITO、IZO、IGZO、AZO等，参见图6-3所示。
S603：通过第一次光刻，采用负性光刻胶在电流传导层5上的相应位 置形成光刻胶层6，参见图6-4所示。
S604：在电流传导层5和光刻胶层6上蒸镀金属反射层7，金属反射层5的材料可为Au、Al、Cu、Ag等高反射率金属，参见图6-5所示。
S605：去除光刻胶层6，从而将光刻胶层6上的金属反射层7出去，露 出电流传导层5，参见图6-6所示。
S606：用金属反射层7当蚀刻硬掩模，对电流传导层5、第一半导体层 4以及发光层3进行干或湿法蚀刻，蚀刻过发光层3到第二半导体层2，参 见图6-7所示。
可选地，在本示例中，当基板上具有多个发光芯片的外延层时，可通 过第二次光刻将相邻发光芯片的相邻区域部分的外延层进行蚀刻，将第二 半导体层2刻穿，刻到基板1，将各发光芯片分开。
S607：在金属反射层7上整面覆盖绝缘层8，绝缘层8的材料可为但不 限于SiOx、SiNx、MgF2等类似氧化物或氟化物，参见图6-8所示。
S608：通过第三次光刻，将绝缘层8通过干或湿法蚀刻形成第一凹槽 101和第二凹槽102，参见图6-9所示。
S609：通过第四次光刻，在金属反射层7和第二半导体层2上蒸镀电 极形成第一电极91和第二电极92，第一电极和第二电极的材料可为但不限 于Au、Al、Ag、Cu等类似导电金属。本实施例的第一电极91和第二电极 92在绝缘层之上的部分等高，参见图6-10所示；也可设置为不等高，具体 可根据需求灵活设置。
S610：将基板1剥离。例如基板为生长基板时，可通过激光剥离，将 生长基板剥离下来。
上述过程中，可直接通过金属反射层做硬掩模蚀刻半导体等，相对现 有发光芯片的制作过程，在黄光光刻次数不变的情况下，加入了金属反射 层，金属反射层具有较好的导电性能，有利于电流扩展，提升发光层的利 用率，降低电压，提高光电转换效率。且黄光光刻次数不变，成本相对较 低，且加上金属反射层，提升发光芯片的发光效率。
本发明又一可选实施例：
本实施例提供了一种显示背板，该显示背板上设置有多个固晶区以及 设置于所述固晶区内的发光芯片，其中，至少一颗发光芯片采用如上各示 例中所示的发光芯片，其相对现有显示背板，出光效率更高，显示效果更 好，用户体验的满意度更好。
本实施例还提供了一种显示装置，该显示装置可以各种采用如上所示 的发光芯片制作的显示背板进行显示的电子装置，例如可包括但不限于各 种智能移动终端，车载终端、PC、显示器、电子广告板等。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术 人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应 属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种发光芯片，其特征在于，包括：
外延层，所述外延层包括从下往上依次叠加的第二半导体层、发光层以及第一半导体层；
形成于所述第一半导体层上的电流传导层；
形成于所述电流传导层上的金属反射层；
贯穿所述第一半导体层、电流传导层、金属反射层的第一凹槽，所述第一凹槽底部与所述第二半导体层相通；
将所述金属反射层覆盖，以及将所述电流传导层、第一半导体层、发光层和第二半导体层的侧面以所述第一凹槽的内壁覆盖的绝缘层；
以及穿过所述绝缘层与所述第一半导体层电连接的第一电极，和设置于所述第一凹槽内与所述第二半导体层电连接的第二电极。
2.如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述第一电极穿过所述绝缘层形成于所述金属反射层上；
或，所述第一电极穿过所述绝缘层和金属反射层，形成于所述电流传导层上；
或，所述第一电极穿过所述绝缘层、金属反射层和电流传导层，形成于所述第一半导体层上。
3.如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述电流传导层的阻值大于所述金属反射层的阻值。
4.如权利要求1-3任一项所述的发光芯片，其特征在于，组成所述电流传导层的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、铟镓锌氧化物、偶氮化合物中的至少一种。
5.如权利要求1-3任一项所述的发光芯片，其特征在于，组成所述金属反射层的材料包括金、铝、铜、银中的至少一种。
6.一种发光芯片的制作方法，其特征在于，包括：
在基板的正面上形成外延层，所述外延层包括在所述基板的正面上从下往上依次叠加的第二半导体层、发光层以及第一半导体层；
在所述第一半导体层上形成电流传导层；
在所述电流传导层上形成金属反射层；
形成贯穿所述第一半导体层、电流传导层、金属反射层的第一凹槽，所述第一凹槽底部与所述第二半导体层相通；
形成将所述金属反射层覆盖，以及将所述电流传导层、第一半导体层、发光层和第二半导体层的侧面及所述第一凹槽的内壁覆盖的绝缘层；
形成穿过所述绝缘层与所述第一半导体层电连接的第一电极，以及设置于所述第一凹槽内与所述第二半导体层电连接的第二电极。
7.如权利要求6所述的发光芯片的制作方法，其特征在于，所述在所述电流传导层上形成金属反射层包括：
在所述电流传导层上待形成所述第一凹槽的区域形成光刻胶层；
形成将所述电流传导层和光刻胶层覆盖的金属反射层；
去除所述光刻胶层，使得所述电流传导层上待形成所述第一凹槽的区域外露于所述金属反射层。
8.如权利要求7所述的发光芯片的制作方法，其特征在于，所述形成贯穿所述第一半导体层、电流传导层、金属反射层的第一凹槽包括：
以所述金属反射层为掩膜，沿所述电流传导层上所述外露的区域蚀刻掉所述电流传导层和第一半导体层，得到贯穿所述第一半导体层、电流传导层、金属反射层的第一凹槽。
9.如权利要求6-8任一项所述的发光芯片的制作方法，其特征在于，所述形成穿过所述绝缘层与所述第一半导体层电连接的第一电极包括：
在所述绝缘层上形成贯穿所述绝缘层的第二凹槽，所述第二凹槽的底部与所述金属反射层相通，在所述金属反射层上形成穿过所述第二凹槽的第一电极；
或，
在所述绝缘层上形成贯穿所述绝缘层以及金属反射层的第三凹槽，所述第三凹槽的底部与所述电流传导层相通，在所述电流传导层上形成穿过所述第一凹槽的第一电极；
或，
在所述绝缘层上形成贯穿所述绝缘层、金属反射层以及电流传导层的第四凹槽，所述第四凹槽的底部与所述第一半导体层相通，在所述第一半导体层上形成穿过所述第一凹槽的第一电极。
10.一种显示背板，特征在于，所述显示背板上设置有多个固晶区；所述显示背板还包括多颗分别设置于所述多个固晶区内的发光芯片，至少一颗所述发光芯片为如权利要求1-5任一项所述的发光芯片。
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