CN112956077A - 天线、无线通信模块以及无线通信设备 - Google Patents

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Abstract

天线具有第一天线元件、第二天线元件、第一耦合体以及第二耦合体。第一天线元件包含第一辐射导体以及第一供电线，构成为在第一频带进行谐振。第二天线元件包含第二辐射导体以及第二供电线，构成为在第二频带进行谐振。第二供电线构成为以电容分量以及电感分量的任一个的第一分量为优先而与第一供电线耦合。第一耦合体构成为以与第一分量不同的第二分量为优先而将第一供电线与第二供电线耦合。第一辐射导体和第二辐射导体以谐振波长的二分之一以下的间隔排列。第二辐射导体构成为以电容耦合以及磁场耦合的一方优先的第一耦合方式而与第一辐射导体耦合。第二耦合体构成为以与第一耦合方式不同的第二耦合方式而将第一辐射导体与第二辐射导体耦合。

Description

天线、无线通信模块以及无线通信设备
关联申请的相互参照
本申请主张在2018年10月31日向日本国提出专利申请的JP特愿2018-206002的优先权，为了参照而将该在先申请的公开整体援引于此。
技术领域
本公开涉及天线、无线通信模块以及无线通信设备。
背景技术
在阵列天线以及MIMO(Multiple-Input Multiple-Output，多输入多输出)用的天线等中，多个天线元件接近地配置。若多个天线元件接近地配置，则天线元件间的相互耦合能够变大。若天线元件间的相互耦合变大，则天线元件的辐射效率能够降低。
因此，提出了减少天线元件间的相互耦合的技术(例如，专利文献1)。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2017-504274号公报
发明内容
本公开的一个实施方式所涉及的天线具有第一天线元件、第二天线元件、第一耦合体以及第二耦合体。所述第一天线元件包含第一辐射导体以及第一供电线，构成为在第一频带进行谐振。所述第二天线元件包含第二辐射导体以及第二供电线，构成为在第二频带进行谐振。所述第二供电线构成为以电容分量以及电感分量的任一个即第一分量为优先而与所述第一供电线耦合。所述第一耦合体构成为以与所述第一分量不同的第二分量为优先而将所述第一供电线与所述第二供电线耦合。所述第一辐射导体和所述第二辐射导体以谐振波长的二分之一以下的间隔排列。所述第二辐射导体构成为以电容耦合以及磁场耦合的一方优先的第一耦合方式而与所述第一辐射导体耦合。所述第二耦合体构成为以与所述第一耦合方式不同的第二耦合方式而将所述第一辐射导体与所述第二辐射导体耦合。
本公开的一个实施方式所涉及的无线通信模块具备上述的天线和RF模块。所述RF模块构成为与所述第一供电线以及所述第二供电线的至少任一个电连接。
本公开的一个实施方式所涉及的无线通信设备具备上述的无线通信模块和电池。所述电池构成为向所述无线通信模块供给电力。
附图说明
图1是一个实施方式所涉及的天线的立体图。
图2是从Z轴的负方向侧观察图1所示的天线的立体图。
图3是将图1所示的天线的一部分分解的立体图。
图4是沿图1所示的L1-L1线的天线的剖视图。
图5是沿图1所示的L2-L2线的天线的剖视图。
图6是表示图1所示的天线的模拟结果的一例的图。
图7是比较例所涉及的天线的立体图。
图8是表示比较例所涉及的天线的模拟结果的一例的图。
图9是一个实施方式所涉及的天线的立体图。
图10是将图9所示的天线的一部分分解的立体图。
图11是一个实施方式所涉及的天线的立体图。
图12是将图11所示的天线的一部分分解的立体图。
图13是沿图11所示的L3-L3线的天线的剖视图。
图14是沿图11所示的L4-L4线的天线的剖视图。
图15是一个实施方式所涉及的天线的立体图。
图16是一个实施方式所涉及的天线的俯视图。
图17是一个实施方式所涉及的天线的俯视图。
图18是一个实施方式所涉及的无线通信模块的框图。
图19是图18所示的无线通信模块的概略结构图。
图20是一个实施方式所涉及的无线通信设备的框图。
图21是图20所示的无线通信设备的俯视图。
图22是图20所示的无线通信设备的剖视图。
具体实施方式
在现有的使天线元件间的相互耦合减少的技术中，存在改善的余地。
本公开涉及提供一种天线元件间的相互耦合被减少的天线、无线通信模块以及无线通信设备。
根据本公开的一个实施方式所涉及的天线、无线通信模块以及无线通信设备，天线元件间的相互耦合能够被减少。
在本公开中，“电介质材料”能够包含陶瓷材料以及树脂材料的任一种作为组成。陶瓷材料包含氧化铝质烧结体、氮化铝质烧结体、莫来石质烧结体、玻璃陶瓷烧结体、使结晶分量在玻璃母材中析出的结晶化玻璃、以及云母或者钛酸铝等微结晶烧结体。树脂材料包含使环氧树脂、聚酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂以及液晶聚合物等未固化物固化而成的材料。
在本公开中，“导电性材料”能够包含金属材料、金属材料的合金、金属膏的固化物以及导电性高分子的任一种作为组成。金属材料包含铜、银、钯、金、铂、铝、铬、镍、镉铅、硒、锰、锡、钒、锂、钴以及钛等。合金包含多个金属材料。金属膏剂包含将金属材料的粉末与有机溶剂以及粘合剂一起混炼而成的物质。粘合剂包含环氧树脂、聚酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂以及聚醚酰亚胺树脂。导电性聚合物包含聚噻吩系聚合物、聚乙炔系聚合物、聚苯胺系聚合物以及聚吡咯系聚合物等。
以下，参照附图对本公开的多个实施方式进行说明。在图1～图22所示的结构要素中，对相同的结构要素标注相同的符号。
在本公开的实施方式中，图1等所示的第一天线元件31和第二天线元件32扩展的平面表示为XY平面。从图2等所示的第一接地导体61朝向图1等所示的第一辐射导体41的方向表示为Z轴的正方向。其相反方向表示为Z轴的负方向。在本公开的实施方式中，在不特别区分X轴的正方向和X轴的负方向的情况下，X轴的正方向和X轴的负方向统一记载为“X方向”。在不特别区分Y轴的正方向和Y轴的负方向的情况下，Y轴的正方向和Y轴的负方向统一记载为“Y方向”。在不特别区分Z轴的正方向和Z轴的负方向的情况下，Z轴的正方向和Z轴的负方向统一记载为“Z方向”。
图1是一个实施方式所涉及的天线10的立体图。图2是从Z轴的负方向侧观察图1所示的天线10的立体图。图3是将图1所示的天线10的一部分分解的立体图。图4是沿图1所示的L1-L1线的天线10的剖视图。图5是沿图1所示的L2-L2线的天线10的剖视图。
如图1所示，天线10具有基体20、第一天线元件31、第二天线元件32、第一耦合体70以及第二耦合体73。
基体20构成为支承第一天线元件31以及第二天线元件32。如图1以及图2所示，基体20为四棱柱。不过，基体20只要能够支承第一天线元件31以及第二天线元件32，则可以是任意的形状。
基体20能够包含电介质材料。基体20的相对介电常数可以根据天线10的期望的谐振频率适当调整。如图1以及图2所示，基体20包含上表面21以及下表面22。
第一天线元件31构成为在第一频带进行谐振。第二天线元件32构成为在第二频带进行谐振。第一频带和第二频带可以根据天线10的用途等属于相同的频带，也可以属于不同的频带。第一天线元件31能够在与第二天线元件32相同的频带进行谐振。第一天线元件31能够在与第二天线元件32不同的频带进行谐振。
第一天线元件31能够构成为以与第二天线元件32相同的相位进行谐振。第一供电线51以及第二供电线52可以构成为供电信号，所述信号使第一天线元件31以及第二天线元件32以相同的相位激励。在将第一天线元件31以及第二天线元件32以同相激励时，从第一供电线51向第一天线元件31供电的信号能够成为与从第二供电线52向第二天线元件32供电的信号相同的相位。在将第一天线元件31以及第二天线元件32以同相激励时，从第一供电线51向第一天线元件31供电的信号能够成为与从第二供电线52向第二天线元件32供电的信号不同的相位。
第一天线元件31能够构成为以与第二天线元件32不同的相位进行谐振。第一供电线51以及第二供电线52可以构成为供电信号，所述信号使第一天线元件31以及第二天线元件32以不同的相位激励。在以不同的相位对第一天线元件31以及第二天线元件32进行激励时，从第一供电线51向第一天线元件31供电的信号能够成为与从第二供电线52向第二天线元件32供电的信号相同的相位。在以不同的相位对第一天线元件31以及第二天线元件32进行激励时，从第一供电线51向第一天线元件31供电的信号能够成为与从第二供电线52向第二天线元件32供电的信号不同的相位。
如图4所示，第一天线元件31包含第一辐射导体41以及第一供电线51。第一天线元件31还可以包含第一接地导体61。第一天线元件31通过包含第一接地导体61而成为微带线型的天线。如图4所示，第二天线元件32包含第二辐射导体42和第二供电线52。第二天线元件32还可以包含第二接地导体62。第二天线元件32通过包含第二接地导体62而成为微带线型的天线。
图1所示的第一辐射导体41构成为将从第一供电线51供给的电力作为电磁波辐射。第一辐射导体41构成为将来自外部的电磁波作为电力向第一供电线51供给。图1所示的第二辐射导体42构成为将从第二供电线52供给的电力作为电磁波辐射。第二辐射导体42构成为将来自外部的电磁波作为电力向第二供电线52供给。
第一辐射导体41以及第二辐射导体42各自能够包含导电性材料。第一辐射导体41、第二辐射导体42、第一供电线51、第二供电线52、第一接地导体61、第二接地导体62、第一耦合体70以及第二耦合体73分别可以包含相同的导电性材料，也可以包含不同的导电性材料。
如图1所示，第一辐射导体41以及第二辐射导体42可以为平板状。第一辐射导体41以及第二辐射导体42能够沿XY平面扩展。第一辐射导体41以及第二辐射导体42位于基体20的上表面21。第一辐射导体41以及第二辐射导体42的一部分可以位于基体20之中。
在本实施方式中，第一辐射导体41以及第二辐射导体42为相同型的长方形状。不过，第一辐射导体41以及第二辐射导体42也可以是任意的形状。此外，第一辐射导体41以及第二辐射导体42分别可以是不同的形状。
第一辐射导体41以及第二辐射导体42的长边方向沿Y方向。第一辐射导体41以及第二辐射导体42的短边方向沿X方向。第一辐射导体41包含长边41a以及短边41b。第二辐射导体42包含长边42a以及短边42b。
第一辐射导体41和第二辐射导体42排列为长边41a与长边42a对置。不过，第一辐射导体41和第二辐射导体42排列的方式并不限定于此。例如，第一辐射导体41与第二辐射导体42也可以排列为长边41a的一部分与长边42a的一部分对置。例如，第一辐射导体41与第二辐射导体42也可以在Y方向上错开排列。
第一辐射导体41与第二辐射导体42也可以排列为短边41b与短边42b对置。不过，第一辐射导体41和第二辐射导体42排列的方式并不限定于此。例如，第一辐射导体41和第二辐射导体42也可以排列为短边41b的一部分与短边42b的一部分对置。例如，第一辐射导体41与第二辐射导体42的对置的短边41b与短边42b错开排列。
第一辐射导体41和第二辐射导体42以天线10的谐振波长的二分之一以下的间隔排列。在本实施方式中，如图1听示，第一辐射导体41和第二辐射导体42排列为相互对置的长边41a与长边42a之间的间隙g1成为天线10的谐振波长的二分之一以下。不过，第一辐射导体41和第二辐射导体42以天线10的谐振波长的二分之一以下的间隔排列的方式并不限定于此。例如，在第一辐射导体41以及第二辐射导体42排列为短边41b与短边42b对置的结构中，短边41b与短边42b之间的间隙也可以成为天线10的谐振波长的二分之一以下。
电流能够沿Y方向流过第一辐射导体41。当电流沿Y方向流过第一辐射导体41时，在XZ平面包围第一辐射导体41的磁场变化。电流能够沿Y方向流过第二辐射导体42。当电流沿Y方向流过第二辐射导体42时，在XZ平面包围第二辐射导体42的磁场变化。包围第一辐射导体41的磁场和包围第二辐射导体42的磁场相互影响。例如，若第一辐射导体41以及第二辐射导体42以相同或者相互接近的相位激励，则在第一辐射导体41以及第二辐射导体42各自中流动的电流的大部分能够成为相同的朝向。作为相互接近的相位，可列举双方的相位处于例如±60°以内、±45°以内、±30°以内的范围时。在第一辐射导体41以及第二辐射导体42中流动的电流的大部分成为相同的朝向时，在第一辐射导体41与第二辐射导体42之间，磁场耦合能够变大。第一辐射导体41和第二辐射导体42能够构成为通过将流动的电流的大部分设为相同的朝向而从而磁场耦合变大。
在第一辐射导体41以及第二辐射导体42的谐振频率相同或者相互接近的情况下，第一辐射导体41和第二辐射导体42能够构成为在谐振时产生耦合。该谐振时的耦合能够称为“偶模”以及“奇模”。偶模以及奇模也统称为“偶奇模”。当第一辐射导体41以及第二辐射导体42以偶奇模谐振时，第一辐射导体41以及第二辐射导体42分别以与偶奇模不谐振的情况不同的谐振频率进行谐振。在第一辐射导体41以及第二辐射导体42耦合的多数情况下，同时产生磁场耦合以及电场耦合。若磁场耦合以及电场耦合的某一方成为支配性的一方，则最终第一辐射导体41与第二辐射导体之间的耦合能够视为作为支配性的一方的磁场耦合或者电场耦合。
第二辐射导体42构成为以电容耦合以及磁场耦合的一方优先的第一耦合方式而与第一辐射导体41耦合。在本实施方式中，第一辐射导体41以及第二辐射导体42是微带线型的天线，长边41a与长边42a对置。包围第一辐射导体41的磁场以及包围第二辐射导体42的磁场的相互影响相比于第一辐射导体41以及第二辐射导体42之间的电场所导致的相互影响成为支配性的。第一辐射导体41以及第二辐射导体42之间的耦合能够视为磁场耦合。因此，在本实施方式中，第二辐射导体42构成为以磁场耦合优先的第一耦合方式而与第一辐射导体41耦合。
图3所示的第一供电线51构成为与第一辐射导体41电连接。第一供电线51构成为电感分量优先地而与第一辐射导体41耦合。不过，第一供电线51也可以构成为与第一辐射导体41磁耦合。在构成为第一供电线51与第一辐射导体41磁耦合的情况下，第一供电线51能够构成为电容分量优先地而与第一辐射导体41耦合。第一供电线51能够从图2所示的第一接地导体61的开口61a向外部的设备等延伸。
图3所示的第二供电线52构成为与第二辐射导体42电连接。第二供电线52构成为电感分量优先地而与第二辐射导体42耦合。不过，第二供电线52也可以构成为与第二辐射导体42磁耦合。在构成为第二供电线52与第二辐射导体42磁耦合的情况下，第二供电线52能够构成为电容分量优先地而与第二辐射导体42耦合。第二供电线52能够从图2所示的第二接地导体62的开口62a向外部的设备等延伸。
第一供电线51构成为向第一辐射导体41供电电力。第一供电线51构成为将来自第一辐射导体41的电力向外部的设备等供电。第二供电线52构成为向第二辐射导体42供电电力。第二供电线52构成为将来自第二辐射导体42的电力向外部的设备等供电。
第一供电线51以及第二供电线52能够包含导电性材料。第一供电线51以及第二供电线52分别可以是通孔导体或者过孔导体等。如图4所示，第一供电线51以及第二供电线52能够位于基体20之中。第一供电线51贯通第一耦合体70的第一导体71。第二供电线52贯通第一耦合体70的第二导体72。
如图4所示，第一供电线51在基体20之中沿Z方向延伸。第一供电线51构成为电流沿Z方向流动。若电流沿Z方向流过第一供电线51，则在XY平面中包围第一供电线51的磁场变化。
如图4所示，第二供电线52在基体20之中沿Z方向延伸。第二供电线52构成为电流沿Z方向流动。若电流沿Z方向流过第二供电线52，则在XY平面中包围第二供电线52的磁场变化。
包围第一供电线51的磁场以及包围第二供电线52的磁场能够发生干扰。例如，在第一供电线51以及第二供电线52各自中流过的电流的大部分为相同的朝向时，包围第一供电线51的磁场以及包围第二供电线52的磁场宏观上增强地发生干扰。第一供电线51以及第二供电线52能够通过包围第一供电线51的磁场以及包围第二供电线52的磁场发生干扰来进行磁场耦合。
第二供电线52构成为以电容分量以及电感分量的任一个的第一分量为优先而与第一供电线51耦合。第一供电线51以及第二供电线52能够通过包围第一供电线51的磁场与包围第二供电线52的磁场发生干扰来进行磁场耦合。第二供电线52构成为以作为第一分量的电感分量为优先而与第一供电线51耦合。
图2所示的第一接地导体61构成为提供在第一天线元件31中成为基准的电位。图2所示的第二接地导体62构成为提供在第二天线元件32中成为基准的电位。第一接地导体61以及第二接地导体62分别可以构成为与具备天线10的设备的接地电连接。
第一接地导体61以及第二接地导体62能够包含导电性材料。第一接地导体61以及第二接地导体62可以是平板状。第一接地导体61以及第二接地导体62位于基体20的下表面22。第一接地导体61以及第二接地导体62的一部分也可以位于基体20之中。
第一接地导体61可以与第二接地导体62连接。例如，第一接地导体61也可以构成为与第二接地导体62电连接。如图2所示，第一接地导体61以及第二接地导体62也可以是一体的。第一接地导体61以及第二接地导体62也可以与单一的基体20一体化。不过，第一接地导体61以及第二接地导体62也可以是独立的单独的构件。在第一接地导体61以及第二接地导体62是独立的单独的构件的情况下，第一接地导体61以及第二接地导体62分别能够单独地与基体20一体化。
如图2所示，第一接地导体61以及第二接地导体62沿XY平面扩展。第一接地导体61以及第二接地导体62分别在Z方向上与第一辐射导体41以及第二辐射导体42的各个分离。如图4所示，在第一接地导体61以及第二接地导体62与第一辐射导体41和第二辐射导体42之间夹有基体20。第一接地导体61在Z方向上与第一辐射导体41对置。第二接地导体62在Z方向上与第二辐射导体42对置。第一接地导体61以及第二接地导体62是与第一辐射导体41以及第二辐射导体42对应的长方形状。不过，第一接地导体61以及第二接地导体62可以是与第一辐射导体41以及第二辐射导体42对应的任意的形状。
第一耦合体70构成为以与第一分量不同的第二分量为优先而与第一供电线51和第二供电线52耦合。在第一分量为电感分量的情况下，第二分量是电容分量。第一耦合体70构成为以作为第二分量的电容分量为优先而将第一供电线51与第二供电线52耦合。
例如，如图4所示，第一耦合体70包含第一导体71以及第二导体72。第一导体71以及第二导体72分别能够包含导电性材料。第一导体71以及第二导体72分别沿XY平面扩展。如图3所示，第一导体71以及第二导体72分别为平板状。第一导体71构成为与贯通第一导体71的第一供电线51电连接。第二导体72构成为与贯通第二导体72的第二供电线52电连接。如图4所示，第一导体71的端部71a与第二导体72的端部72a相互对置。第一导体71的端部71a与第二导体72的端部72a能够经由基体20构成电容器。通过构成该电容器，第一耦合体70构成为以电容分量为优先而将第一供电线51与第二供电线52耦合。
在第一供电线51对第一辐射导体41直接供电，并且第二供电线52对第二辐射导体42直接供电的情况下，第一供电线51与第二供电线52之间的耦合能够电感分量为优先。第一供电线51与第二供电线52之间的耦合的电感分量与第一耦合体70的电容分量在电路上成为并联关系。在天线10中，构成包含该电感分量和该电容分量的反谐振电路。通过该反谐振电路，在第一天线元件31以及第二天线元件32之间的透过特性中能够产生衰减极。该透过特性是从成为第一天线元件31的输入端口的第一供电线51向成为第二天线元件32的输入端口的第二供电线52透过的电力的特性。通过使该透过特性产生衰减极，在天线10中，第一天线元件31以及第二天线元件32之间的干扰能够变少。
这样，第一耦合体70构成为以第二分量为优先而将成为第一天线元件31的输入端口的第一供电线51和成为第二天线元件32的输入端口的第二供电线52耦合。第二分量与第一供电线51自身与第二供电线52自身之间的耦合中成为优先的第一分量不同。通过第一分量与第二分量在电路上成为并联关系，天线10在输入端口具有反谐振电路。
第二耦合体73构成为以与第一耦合方式不同的第二耦合方式而将第一辐射导体41与第二辐射导体42耦合。在第一耦合方式是磁场耦合优先的耦合方式的情况下，第二耦合方式成为电容耦合优先的耦合方式。第二耦合体73构成为以电容耦合优先的第二耦合方式而将第一辐射导体41与第二辐射导体42耦合。
例如，第二耦合体73能够包含导电性材料。如图5所示，第二耦合体73位于基体20之中。第二耦合体73在Z方向上远离第一辐射导体41以及第二辐射导体42。如图1所示，第二耦合体73沿XY平面扩展。在XY平面中，第二耦合体73的一部分能够与第一辐射导体41的一部分重叠。重合的第二耦合体73的一部分以及第一辐射导体41的一部分能够经由基体20构成电容器。在XY平面中，第二耦合体73的一部分能够与第二辐射导体42的一部分重叠。重合的第二耦合体73的一部分以及第二辐射导体42的一部分能够经由基体20构成电容器。第一辐射导体41以及第二辐射导体42能够经由第一辐射导体41与第二耦合体73所构成的电容器以及第二辐射导体42与第二耦合体73所构成的电容器而耦合。第二耦合体73构成为以电容耦合优先的第二耦合方式而将第一辐射导体41与第二辐射导体42耦合。
在第一辐射导体41的两端以及第二辐射导体42的两端，电场变大。当第一辐射导体41以及第二辐射导体42各自中流动的电流的大部分为反向时，第一辐射导体41与第二辐射导体42之间的电位差变大。根据第二耦合体73与第一辐射导体41以及第二辐射导体42分别对置的位置，基于第二耦合方式的电容耦合的大小变化。通过第二耦合体73与第一辐射导体41以及第二辐射导体42各自对置的位置以及对置的面积，能够调整基于第二耦合方式的电容耦合的大小。
第二供电线52构成为以作为第一分量的电感分量为优先而与第一供电线51耦合。第一耦合体70构成为以作为第二分量的电容分量为优先而将第一供电线51与第二供电线52耦合。在此，基于第一供电线51与第二供电线52之间的电容分量以及电感分量的耦合系数K1能够使用耦合系数Ke1和耦合系数Km1来计算。耦合系数Ke1是基于第一供电线51与第二供电线52之间的电容分量的耦合系数。耦合系数Km1是基于第一供电线51与第二供电线52之间的电感分量的耦合系数。例如，耦合系数K1与耦合系数Ke1以及耦合系数Km1之间的关系被表示为式子：K1＝(Ke1 2-Km1 2)/(Ke1 2+Km1 2)。
耦合系数Km1能够根据第一供电线51以及第二供电线52的结构来确定。例如，若图4所示的第一供电线51与第二供电线52之间的间隙g2的X方向上的长度变化则耦合系数Km1能够变化。在天线10中，通过适当地构成第一耦合体70，能够调整耦合系数Ke1的大小。在天线10中，通过根据耦合系数Km1来调整耦合系数Ke1的大小，能够变更耦合系数Km1与耦合系数Ke1相互抵消的程度。在天线10中，通过与耦合系数Km1相应的大小的耦合系数Ke1，耦合系数Km1和耦合系数Ke1相互抵消，耦合系数K1能够变小。通过耦合系数K1变小，在天线10中，能够减少第一供电线51与第二供电线52之间的相互耦合。通过减少第一供电线51与第二供电线52之间的相互耦合，第一天线元件31以及第二天线元件32分别能够利用来自第一供电线51以及第二供电线52各自的电力来高效地辐射电磁波。
第二辐射导体42构成为以磁场耦合优先的第一耦合方式而与第一辐射导体41耦合。第二耦合体73构成为以电容耦合优先的第二耦合方式而将第一辐射导体41与第二辐射导体42耦合。在此，基于第一辐射导体41与第二辐射导体42之间的电容耦合以及磁场耦合的耦合系数K2能够使用耦合系数Ke2和耦合系数Km2来计算。耦合系数Ke2是基于第一辐射导体41与第二辐射导体42之间的电容耦合的耦合系数。耦合系数Km2是第一辐射导体41与第二辐射导体42之间的磁场耦合的耦合系数。例如，耦合系数K2与耦合系数Ke2以及耦合系数Km2之间的关系被表示为式子：K2＝(Ke2 2-Km2 2)/(Ke2 2+Km2 2)。
耦合系数Km2能够根据第一辐射导体41以及第二辐射导体42的结构来确定。例如，在图1所示的第一辐射导体41和第二辐射导体42在Y方向上对齐排列的结构、和第一辐射导体41和第二辐射导体42在Y方向上错开排列的结构中，耦合系数Km2会不同。若图1所示的间隙g1的X方向上的长度变化，则耦合系数Km2会变化。在天线10中，通过适当构成第二耦合体73，能够调整耦合系数Ke2的大小。在天线10中，通过根据耦合系数Km2来调整耦合系数Ke2的大小，能够变更耦合系数Km2与耦合系数Ke2相互抵消的程度。在天线10中，耦合系数Km2与耦合系数Ke2相互抵消，耦合系数K2能够变小。由于耦合系数K2变小，在天线10中，能够减少第一辐射导体41以及第二辐射导体42之间的相互耦合。通过减少第一辐射导体41以及第二辐射导体42之间的相互耦合，第一天线元件31以及第二天线元件32各自能够从第一辐射导体41以及第二辐射导体42分别高效地辐射电磁波。
<模拟结果>
图6是表示图1所示的天线10的模拟结果的一例的图。虚线表示反射系数S11。实线表示透过系数S21。在图6所示的模拟中，将频率25[GHz(吉赫)]～频率30[GHz]的范围作为目标的频带。
反射系数S11表示从第一供电线51向第一辐射导体41供给的电力之中、被第一辐射导体41反射而返回到第一供电线51的电力的比例。在本实施方式中，详细后述，但通过减少第一辐射导体41与第二辐射导体42之间的相互耦合，反射系数S11能够具有一个极小值。反射系数S11在频率为28[GHz]的附近取-11[dB(分贝)]左右的极小值。
透过系数S21表示向第一供电线51供给的电力之中、向第二供电线52透过的电力的比例。在本实施方式中，详细后述，但通过减少第一供电线51与第二供电线52之间的相互耦合，能够降低透过系数S21的峰值。透过系数S21在频率为28[GHz]的附近取-12[dB]左右的峰值。
图7是比较例所涉及的天线10X的立体图。天线10X与图1所示的天线10不同，不具有第一耦合体70以及第二耦合体73。
比较例中的基于第一供电线51与第二供电线52之间的电容分量以及电感分量的耦合系数没为耦合系数Kx1。基于第一供电线51与第二供电线52之间的电容分量的耦合系数设为Kex1。基于第一供电线51与第二供电线52之间的电感分量的耦合系数设为耦合系数Kmx1。与本实施方式相同或者类似，在比较例中，也能够使用耦合系数Kex1和耦合系数Kmx1来计算耦合系数Kx1。例如，耦合系数Kx1与耦合系数Kex1以及耦合系数Kmx1之间的关系被表示为式子：Kx1＝(Kex1 2-Kmx1 2)/(Kex1 2+Kmx1 2)。
比较例的天线10X不具有第一耦合体70。在比较例的天线10X中，无法调整耦合系数Kmx1与耦合系数Kex1相互抵消的程度。在比较例的天线10X中，由于无法调整耦合系数Kmx1和耦合系数Kex1相互抵消的程度，因此无法调整耦合系数Kx1。在比较例的天线10X中，第一供电线51与第二供电线52之间的相互耦合能够比天线10大。与此相对，天线10具有第一耦合体70，因此能够调整耦合系数K1而使其减小。
将比较例中的基于第一辐射导体41与第二辐射导体42之间的电容耦合以及磁场耦合的耦合系数设为耦合系数Kx2。将第一辐射导体41与第二辐射导体42之间的电容耦合的耦合系数设为耦合系数Kex2。将第一辐射导体41与第二辐射导体42之间的磁场耦合的耦合系数设为耦合系数Kmx2。与本实施方式相同或者类似地，在比较例中，耦合系数Kx2也能够使用耦合系数Kex2和耦合系数Kmx2来计算。例如，耦合系数Kx2与耦合系数Kex2以及耦合系数Kmx2之间的关系被表示为式子：Kx2＝(Kex2 2-Kmx2 2)/(Kex2 2+Kmx2 2)。
比较例的天线10X不具有第二耦合体73。在比较例的天线10X中，无法调整耦合系数Kmx2与耦合系数Kex2相互抵消的程度。比较例的天线10X由于无法调整耦合系数Kmx2与耦合系数Kex2相互抵消的程度，因此无法调整耦合系数Kx2。在比较例的天线10X中，第一辐射导体41与第二辐射导体42之间的相互耦合能够比天线10大。与此相对，天线10具有第二耦合体73，因此能够调整耦合系数K2而使其减小。
一般而言，若具有相同的谐振频率的谐振器接近，则产生耦合。在比较例的天线10X中，第一辐射导体41与第二辐射导体42之间的相互耦合大，因此产生偶奇模。比较例的天线10X在偶模以及奇模下，以不同的谐振频率进行谐振。在比较例的天线10X中，通过以不同的谐振频率的偶奇模进行谐振，电磁波的辐射效率能够变低。
<模拟结果>
图8是表示比较例所涉及的天线10X的模拟结果的一例的图。在图8所示的模拟中，与图6所示的模拟相同，将频率25[GHz]～频率30[GHz]的范围作为目标的频带。
虚线表示比较例所涉及的天线10X的反射系数S11x。实线表示比较例所涉及的天线10X的透过系数S21x。
反射系数S11x在频率为27[GHz]的附近取-9[dB]左右的极小值。反射系数S11x在频率为29[GHz]的附近取-10[dB]左右的极小值。在比较例中，反射系数S11x表示两个极小值。
反射系数S11x表示两个极小值表示天线10X的谐振频率为2个。天线10X的该两个谐振通过偶模以及奇模而产生。天线10X在偶奇模下谐振表示第一天线元件31以及第二天线元件32之间的相互耦合大。第一天线元件31以及第二天线元件32分别以偶奇模进行谐振，从而分别通过第一辐射导体41和第二辐射导体42，辐射电磁波的效率变低。
透过系数S21x在27[GHz]～29[GHz]的频率的范围内，取-5[dB]左右的峰值。透过系数S21x的峰值比图6所示的本实施方式的透过系数S21大。透过系数S21x大表示从第一供电线51向第二供电线52透过的电力的比例大。
相对于这样的比较例，如图1所示，天线10具有第一耦合体70。在本实施方式中，通过天线10具有第一耦合体70，能够减少第一供电线51与第二供电线52之间的相互耦合。由于减少了第一供电线51与第二供电线52之间的相互耦合，因此，在本实施方式中，例如能够减少从第一供电线51向第二供电线52透过的电力。通过减少从第一供电线51向第二供电线52透过的电力，能够相对于分别来自第一供电线51以及第二供电线52的供给电力，增大电磁波的辐射比率。
相对于这样的比较例，在本实施方式中，如图1所示，天线10具有第二耦合体73。在本实施方式中，通过天线10具有第二耦合体73，能够减少第一辐射导体41与第二辐射导体42之间的相互耦合。通过使第一辐射导体41与第二辐射导体42之间的相互耦合减少，能够提高来自第一辐射导体41以及第二辐射导体42各自的电磁波的辐射效率。在本实施方式中，通过使第一辐射导体41与第二辐射导体42之间的相互耦合减少，能够减小因天线10在偶奇模下谐振而产生的谐振频率的变化。
天线10具有减少第一供电线51与第二供电线52之间的相互耦合的第一耦合体70、和减少第一辐射导体41与第二辐射导体42之间的相互耦合的第二耦合体73。天线10通过作为不同的耦合体的第一耦合体70以及第二耦合体73分别减少两个相互耦合。第一耦合体70以及第二耦合体73是相互独立的结构。天线10通过具有第一耦合体70以及第二耦合体73，能够扩大减少相互耦合时的设计自由度。
图9是一个实施方式所涉及的天线110的立体图。图10是将图9所示的天线110的一部分分解后的立体图。
如图9所示，天线110具有基体20、第一天线元件131、第二天线元件132以及第一耦合体170。
如图10所示，第一天线元件131包含第一辐射导体41以及第一供电线51。第一天线元件131还可以包含第一接地导体61。第二天线元件132包含第二辐射导体42和第二供电线52。第二天线元件132还可以包含第二接地导体62。
第一辐射导体41和第二辐射导体42在长边方向、即Y方向上错开排列。第一辐射导体41和第二辐射导体42在Y方向上错开排列，由此长边41a的一部分与长边42a的一部分对置。由于长边41a的一部分与长边42a的一部分对置而产生间隙g3。第一辐射导体41与第二辐射导体42之间的磁场耦合的耦合系数Km3取决于间隙g3的Y方向上的长度。间隙g3的Y方向上的长度相当于图10所示的间隔d1。具体而言，间隔d1越小，耦合系数Km3能够越小。
通过第一辐射导体41和第二辐射导体42在Y方向上错开排列，能够使短边41b与短边41b之间的间隔d1接近。第一辐射导体41与第二辐射导体42之间的电容耦合的耦合系数Ke3取决于图10所示的短边41b与短边41b之间的间隔d1。具体而言，间隔d1越小，耦合系数Ke3能够越大。
通过耦合系数Km3与耦合系数Ke3相互抵消，基于第一辐射导体41与第二辐射导体42之间的电容耦合以及磁场耦合的耦合系数K3能够变小。在天线110中，通过适当调整Y方向上的第一辐射导体41与第二辐射导体42之间的偏离量，能够适当调整图4所示的间隔d1。间隔d1越小，耦合系数Km3越小，耦合系数Ke3能够变大。在天线110中，通过适当调整间隔d1，能够变更耦合系数Km3与耦合系数Ke3相互抵消的程度。在天线110中，通过适当调整间隔d1、耦合系数Km3与耦合系数Ke3相互抵消，耦合系数K3能够变小。耦合系数K3变小，第一天线元件131和第二天线元件132分别能够通过第一辐射导体41以及第二辐射导体42的每一个高效地辐射电磁波。
图10所示的第二供电线52与图1所示的结构相同或者类似，构成为以作为第一分量的电感分量为优先而与第一供电线51耦合。
图9所示的第一耦合体170与图4所示的第一耦合体70相同或者类似，构成为以作为第二分量的电容分量为优先而将第一供电线51与第二供电线52耦合。例如，图10所示的第一耦合体170包含第一导体171以及第二导体172。第一导体171以及第二导体172可以是相同型的长方形。第一导体171构成为与贯通第一导体171的第一供电线51电连接。第二导体172构成为与贯通第二导体172的第二供电线52电连接。如图10所示，第一导体171的端部171a和第二导体172的端部172a相互对置。通过端部171a与端部172a对置，与图4所示的第一耦合体70相同或者类似，第一耦合体170构成为以作为第二分量的电容分量为优先而将第一供电线51与第二供电线52耦合。
通过耦合系数Km4与耦合系数Ke4相互抵消，基于第一供电线51与第二供电线52之间的电容分量以及电感分量的耦合系数K4能够变小。耦合系数Km4是基于第一供电线51与第二供电线52之间的电感分量的耦合系数。耦合系数Ke4是基于第一供电线51与第二供电线52之间的电容分量的耦合系数。通过与图1所示的结构相同或者类似地适当构成第一耦合体170，能够变更耦合系数Km4与耦合系数Ke4相互抵消的程度。耦合系数Km4与耦合系数Ke4相互抵消，耦合系数K4能够变小。通过减小耦合系数K4，在本实施方式中，也能够与图1所示的结构相同或者类似地减少第一供电线51与第二供电线52之间的相互耦合。
天线110的其他结构以及效果与图1所示的天线10的结构以及效果相同或者类似。
图11是一个实施方式所涉及的天线210的立体图。图12是将图11所示的天线210的一部分分解后的立体图。图13是沿图11所示的L3-L3线的天线210的剖视图。图14是沿图11所示的L4-L4线的天线210的剖视图。
如图11所示，天线210具有基体20、第一天线元件31、第二天线元件32、第一耦合体70以及第三耦合体74。天线210还可以具有第四耦合体75。
第三耦合体74构成为将第一辐射导体41与第二供电线52耦合。第三耦合体74也可以构成为，根据第一辐射导体41以及第二供电线52的结构，以电容分量以及电感分量的任一个分量为优先而将第一辐射导体41与第二供电线52耦合。在本实施方式中，第三耦合体74构成为以作为第二分量的电容分量为优先而将第一辐射导体41与第二供电线52耦合。
例如，第三耦合体74能够包含导电性材料。第三耦合体74位于基体20之中。第三耦合体74在Z方向上与第一辐射导体41以及第二辐射导体42分别分离。如图12所示，第三耦合体74可以是L字型。作为L字型的第三耦合体74包含片74a以及片74b。如图13所示，第二供电线52贯通片74a。片74a构成为通过第二供电线52贯通而与第二供电线52电连接。如图12所示，片74b从片74a的Y轴的负方向侧的端部朝向X轴的负方向延伸，由此在XY平面中与第一辐射导体41的一部分重叠。第三耦合体74构成为，通过片74b在XY平面上与第一辐射导体41的一部分重叠，而与第一辐射导体41电容性地耦合。第三耦合体74构成为，通过片74a与第二供电线52电连接，并且，通过片74b与第一辐射导体41电容性地连接，从而以作为第二分量的电容分量为优先而将第一辐射导体41与第二供电线52耦合。
通过耦合系数Ke5与耦合系数Km5相互抵消，基于第一辐射导体41与第二供电线52之间的电容分量以及电感分量的耦合系数K5能够变小。耦合系数Ke5是基于第一辐射导体41与第二供电线52之间的电容分量的耦合系数。耦合系数Km5是基于第一辐射导体41与第二供电线52之间的电感分量的耦合系数。在此，根据天线210中使用的频率以及天线210的结构，耦合系数Km5有时会比耦合系数Ke5大。在这样的结构中，通过适当构成第三耦合体74，能够变更耦合系数Ke5与耦合系数Km5相互抵消的程度。通过适当构成第三耦合体74，耦合系数Ke5与耦合系数Km5相互抵消，耦合系数K5能够变小。通过减小耦合系数K5，能够减小第一辐射导体41与第二供电线52之间的相互耦合。
第四耦合体75构成为将第二辐射导体42与第一供电线51耦合。第四耦合体75也可以构成为根据第二辐射导体42以及第一供电线51的结构，以电容分量以及电感分量的任一个的分量为优先而将第二辐射导体42与第一供电线51耦合。在本实施方式中，第四耦合体75构成为以作为第二分量的电容分量为优先而将第二辐射导体42与第一供电线51耦合。
例如，第四耦合体75能够包含导电性材料。第四耦合体75位于基体20之中。第四耦合体75在Z方向上与第一辐射导体41以及第二辐射导体42分别分离。如图12所示，第四耦合体75也可以是L字型。作为L字型的第四耦合体75包含片75a以及片75b。在第四耦合体75中，片75a与第一供电线51电连接，并且片75b与第二辐射导体42电容耦合。根据这样的结构，第四耦合体75与第三耦合体74相同或者类似，构成为以作为第二分量的电容分量为优先而将第二辐射导体42与第一供电线51耦合。
通过耦合系数Ke6与耦合系数Km6相互抵消，基于第二辐射导体42与第一供电线51之间的电容分量以及电感分量的耦合系数K6能够变小。耦合系数Ke6是基于第二辐射导体42与第一供电线51之间的电容分量的耦合系数。耦合系数Km6是基于第二辐射导体42与第一供电线51之间的电感分量的耦合系数。在此，根据在天线210中使用的频率以及天线210的结构，有时耦合系数Km6变得比耦合系数Ke6大。在这样的结构中，通过适当构成第三耦合体74，能够变更耦合系数Ke6与耦合系数Km6相互抵消的程度。通过适当构成第四耦合体75，耦合系数Ke6与耦合系数Km6相互抵消，耦合系数K6能够变小。通过减小耦合系数K6，能够减小第二辐射导体42与第一供电线51之间的相互耦合。
天线210的其他结构以及效果与图1所示的天线10的结构以及效果相同或者类似。
图15是一个实施方式所涉及的天线310的立体图。天线310具有基体20、第一天线元件31、第二天线元件32、第一耦合体70、第二耦合体73、第三耦合体74以及第四耦合体75。
天线310的结构以及效果与图1所示的天线10的结构以及效果、以及图11所示的天线210的结构以及效果相同或者类似。
图16是一个实施方式所涉及的天线410的俯视图。在图16中，第一方向设为X方向。第二方向设为Y方向。不过，第一方向与第二方向也可以不正交。第一方向与第二方向相交即可。
天线410能够是阵列天线。天线410也可以是线性阵列天线。
天线410具有基体20和作为多个天线元件的n个(n：3以上的整数)的天线元件。在本实施方式中，天线410具有四个天线元件(n＝4)、即、第一天线元件431、第二天线元件432、第三天线元件433以及第四天线元件434。
天线410根据第一天线元件431等的结构，也可以适当具有图1所示的第一耦合体70、图1所示的第二耦合体73、图11所示的第三耦合体74以及第四耦合体75。
第一天线元件431也可以是图1所示的第一天线元件31或者图9所示的第一天线元件131。第一天线元件431具有第一辐射导体441以及第一供电线51。第一辐射导体441也可以是与图1所示的第一辐射导体41相同或者类似的结构。
第二天线元件432也可以是图1所示的第二天线元件32或者图9所示的第二天线元件132。第二天线元件432具有第二辐射导体442以及第二供电线52。第二辐射导体442也可以是与图1所示的第二辐射导体42相同或者类似的结构。
第三天线元件433构成为根据天线410的用途等在第一频带或者第二频带谐振。第三天线元件433也可以是与第一天线元件431或者第二天线元件432相同或者类似的结构。第三天线元件433具有第三辐射导体443以及第三供电线53。第三辐射导体443也可以是与图1所示的第一辐射导体41或者第二辐射导体42相同或者类似的结构。第三供电线53也可以是与图3所示的第一供电线51或者第二供电线52相同或者类似的结构。
第四天线元件434构成为根据天线410的用途等在第一频带或者第二频带谐振。第四天线元件434也可以是与第一天线元件431或者第二天线元件432相同或者类似的结构。第四天线元件434具有第四辐射导体444以及第四供电线54。第四辐射导体444也可以是与图1所示的第一辐射导体41或者第二辐射导体42相同或者类似的结构。第四供电线54也可以是与图3所示的第一供电线51或者第二供电线52相同或者类似的结构。
第一天线元件431～第四天线元件434分别能够构成为以相同的相位进行谐振。第一供电线51～第四供电线54分别可以构成为对使第一天线元件431～第四天线元件434各自以相同的相位进行激励的信号进行供电。在从第一天线元件431～第四天线元件434分别以同相进行激励时，从第一供电线51～第四供电线54分别向第一天线元件431～第四天线元件434的每一个供电的信号能够成为相互相同的相位。在将第一天线元件431～第四天线元件434分别以同相进行激励时，从第一供电线51～第四供电线54分别向第一天线元件431～第四天线元件434的每一个供电的信号能够成为相互不同的相位。
第一天线元件431～第四天线元件434分别能够构成为以不同的相位谐振。第一供电线51～第四供电线54分别可以构成为对使第一天线元件431～第四天线元件434分别以不同的相位激励的信号进行供电。在以不同的相位分别从第一天线元件431～第四天线元件434进行激励时，从第一供电线51～第四供电线54分别向第一天线元件431～第四天线元件434的每一个供电的信号能够成为相互相同的相位。在以不同的相位对从第一天线元件431～第四天线元件434的各个进行激励时，从第一供电线51～第四供电线54分别向第一天线元件431～第四天线元件434的每一个供电的信号能够成为相互不同的相位。
第一天线元件431、第二天线元件432、第三天线元件433、第四天线元件434沿X方向排列。第一天线元件431、第二天线元件432、第三天线元件433以及第四天线元件434在X方向上可以以天线410的谐振波长的四分之一以下的间隔排列。在本实施方式中，第一辐射导体441、第二辐射导体442、第三辐射导体443以及第四辐射导体444隔着间隔D1沿X方向排列。间隔D1为天线410的谐振波长的四分之一以下。
在作为第n天线元件的第四天线元件434以第一频率进行谐振的结构中，作为第n辐射导体的第四辐射导体444可以在X方向上以天线410的谐振波长的二分之一以下的间隔与第一辐射导体441排列。在本实施方式中，第一辐射导体441与第四辐射导体444隔着间隔D2而沿X方向排列。间隔D2是天线410的谐振波长的二分之一以下。第四辐射导体444也可以构成为直接或者间接地与第二辐射导体442耦合。
相邻的第一天线元件431以及第二天线元件432也可以在Y方向上错开。在相邻的第一天线元件431以及第二天线元件432在Y方向上错开的情况下，天线410也可以具有根据该偏离而适当调整的图1所示的第一耦合体70。相同或者类似地，相邻的第二天线元件432以及第三天线元件433、以及相邻的第三天线元件433以及第四天线元件434沿Y方向错开。天线410也可以具有根据这些之间的偏离量而适当调整的第一耦合体70。
图17是一个实施方式所涉及的天线510的俯视图。在图17中，第一方向设为X方向。第二方向设为Y方向。
天线510能够是阵列天线。天线510也可以是平面阵列天线。
天线510具有基体20、第一天线元件组81以及第二天线元件组82。天线510还可以具有第二耦合体571、572、573、574、575、576、577。天线510可以根据第一天线元件组81等的结构，适当具有图1所示的第一耦合体70、图11所示的第三耦合体74以及第四耦合体75。
第一天线元件组81以及第二天线元件组82分别沿X方向扩展。第一天线元件组81和第二天线元件组82沿Y方向排列。第一天线元件组81以及第二天线元件组82分别可以是与图16所示的天线元件组相同或者类似的结构。图16所示的天线元件组包含第一天线元件431、第二天线元件432、第三天线元件433以及第四天线元件434。
第一天线元件组81包含天线元件531、532、533、534。天线元件531～543分别可以是与图1所示的第一天线元件31、图1所示的第二天线元件32、图9所示的第一天线元件131或者图9所示的第二天线元件132相同或者类似的结构。天线元件531、532、533、534的每一个分别包含辐射导体541、542、543、544。辐射导体541～544分别可以是与图1所示的第一辐射导体41或者第二辐射导体42相同或者类似的结构。
第二天线元件组82包含天线元件535、536、537、538。天线元件535～538分别可以是与图1所示的第一天线元件31、图1所示的第二天线元件32、图9所示的第一天线元件131或者图9所示的第二天线元件132相同或者类似的结构。天线元件535、536、537、538的每一个分别包含辐射导体545、546、547、548。辐射导体545～548分别可以是与图1所示的第一辐射导体41或者第二辐射导体42相同或者类似的结构。
天线元件531～538分别能够构成为以相同的相位进行谐振。天线元件531～538各自的供电线也可以构成为对使各个天线元件531～538以相同的相位激励的信号进行供电。在以同相激励各个振天线元件531～538时，从天线元件531～538的各个供电线向天线元件531～538的每一个供电的信号能够成为相互相同的相位。在以同相激励各个天线元件531～538时，从天线元件531～538的各个供电线向天线元件531～538的每一个供电的信号能够成为相互不同的相位。
天线元件531～538分别能够构成为以不同的相位进行谐振。天线元件531～538各自的供电线也可以构成为对使各个天线元件531～538以不同的相位激励的信号进行供电。在以不同的相位激励各个天线元件531～538时，从天线元件531～538的各个供电线向天线元件531～538的每一个供电的信号能够成为相互相同的相位。在以不同的相位激励各个天线元件531～538时，从天线元件531～538的各个供电线向天线元件531～538的每一个供电的信号能够成为相互不同的相位。
在第一天线元件组81中，天线元件531～534沿X方向排列。天线元件531～534也可以在Y方向上错开排列。天线元件531～534中的、天线元件533向第二天线元件组82一方突出。
在第二天线元件组82中，天线元件535～538沿X方向排列。天线元件535～538也可以在Y方向上错开排列。天线元件535～538之中、天线元件537向第一天线元件组81一方突出。
第一天线元件组81的至少一个构成为以第一耦合方式或者第二耦合方式与第二天线元件组82的至少一个耦合。在本实施方式中，构成为第一天线元件组81的天线元件533的辐射导体543以电容耦合优先的第二耦合方式而与第二天线元件组82的天线元件537的辐射导体547耦合。例如，辐射导体543的短边543b与辐射导体547的短边547b相互对置。相互对置的短边543b与短边547b能够经由基体20构成电容器。通过构成该电容器，天线元件533的辐射导体543构成为以电容耦合优先的第二耦合方式而与天线元件537的辐射导体547耦合。
第一天线元件组81作为第一辐射导体组91包含辐射导体541、542、543、544。第二天线元件组82作为第二辐射导体组92包含辐射导体545、546、547、548。
在第一辐射导体组91中，与图1所示的第一辐射导体41以及第二辐射导体42相同或者类似，相邻的辐射导体541和辐射导体542构成为以磁场耦合优先的第一耦合方式耦合。相邻的辐射导体542和辐射导体543构成为以磁场耦合优先的第一耦合方式耦合。相邻的辐射导体543和辐射导体544构成为以磁场耦合优先的第一耦合方式耦合。
在第二辐射导体组92中，与图1所示的第一辐射导体41以及第二辐射导体42相同或者类似，相邻的辐射导体545和辐射导体546构成为以磁场耦合优先的第一耦合方式耦合。相邻的辐射导体546和辐射导体547构成为以磁场耦合优先的第一耦合方式耦合。相邻的辐射导体547和辐射导体548构成为以磁场耦合优先的第一耦合方式耦合。
第二耦合体571构成为与图5所示的第二耦合体73相同或者类似，将相邻的辐射导体541和辐射导体542以电容耦合优先的第二耦合方式耦合。通过以第二耦合方式而将第二耦合体571相邻的辐射导体541与辐射导体542耦合，从而能够减少相邻的辐射导体541与辐射导体542之间的相互耦合。
与第二耦合体571相同或者类似，第二耦合体572构成为将相邻的辐射导体542和辐射导体543以电容耦合优先的第二耦合方式耦合。第二耦合体573构成为将相邻的辐射导体543和辐射导体544以电容耦合优先的第二耦合方式耦合。第二耦合体574构成为将相邻的辐射导体545和辐射导体546以电容耦合优先的第二耦合方式耦合。第二耦合体575构成为将相邻的辐射导体546和辐射导体547以电容耦合优先的第二耦合方式耦合。第二耦合体576构成为将相邻的辐射导体547和辐射导体548以电容耦合优先的第二耦合方式耦合。通过这样的结构，能够减少相邻的辐射导体间的相互耦合。
第二耦合体577构成为将第一辐射导体组91的辐射导体543与第二辐射导体组92的辐射导体547进行磁场耦合。第二耦合体577能够包含线圈等。通过第二耦合体577将辐射导体543与辐射导体547磁场耦合，能够减少辐射导体543与辐射导体547之间的相互耦合。
图18是一个实施方式所涉及的无线通信模块1的框图。图19是图18所示的无线通信模块1的概略结构图。
无线通信模块1具备天线11、RF模块12以及电路基板14。电路基板14具有接地导体13A以及印刷基板13B。
天线11具备图1所示的天线10。不过，天线11也可以代替图1所示的天线10而具备图9所示的天线110、图11所示的天线210、图15所示的天线310、图16所示的天线410以及图17所示的天线510中的任一个。天线11具有第一供电线51以及第二供电线52。天线11具有接地导体60。接地导体60是将图2所示的第一接地导体61与第二接地导体62一体化而成的。
如图19所示，天线11位于电路基板14之上。天线11的第一供电线51构成为经由图19所示的电路基板14与图18所示的RF模块12连接。天线11的第二供电线52构成为经由图19所示的电路基板14与图18所示的RF模块12连接。天线11的接地导体60构成为与电路基板14所具有的接地导体13A电磁连接。
天线11不限于具有第一供电线51以及第二供电线52这两者的天线。天线11也可以具有第一供电线51以及第二供电线52中的一方的供电线。在天线11具有第一供电线51以及第二供电线52中的一方的供电线的情况下，电路基板14的结构能够与具有一个供电线的天线11的结构对应地适当变更。例如，RF模块12的连接端子也可以是一个。例如，电路基板14也可以具有构成为连接RF模块12的连接端子和天线11的供电线的一个导电线。
接地导体13A能够包含导电性材料。接地导体13A能够在XY平面上扩展。
天线11可以与电路基板14为一体。在天线11与电路基板14为一体的结构中，天线11的接地导体60可以与电路基板14的接地导体13A为一体。
RF模块12构成为向天线11供电的电力进行控制。RF模块12构成为对基带信号进行调制，并向天线11供给。RF模块12构成为将天线11接收到的电信号调制为基带信号。
这样的无线通信模块1通过具备天线11，能够高效地辐射电磁波。
图20是一个实施方式所涉及的无线通信设备2的框图。图21是图20所示的无线通信设备2的俯视图。图22是图20所示的无线通信设备2的剖视图。
无线通信设备2能够位于基板3之上。基板3的材料可以是任意的材料。如图20所示，无线通信设备2具备无线通信模块1、传感器15、电池16、存储器17以及控制器18。如图21所示，无线通信设备2具备框体19。
传感器15例如可以包含速度传感器、振动传感器、加速度传感器、陀螺仪传感器、旋转角传感器、角速度传感器、地磁传感器、磁传感器、温度传感器、湿度传感器、气压传感器、光传感器、照度传感器、UV传感器、气体传感器、气体浓度传感器、气氛传感器、液位传感器、气味传感器、压力传感器、大气压传感器、接触传感器、风力传感器、红外线传感器、人感传感器、位移量传感器、图像传感器、重量传感器、烟雾传感器、漏液传感器、生命传感器、电池余量传感器、超声波传感器或者GPS(Global Positioning System，全球定位系统)信号的接收装置等。
电池16构成为向无线通信模块1供给电力。电池16能够构成为向传感器15、存储器17以及控制器18中的至少一个供给电力。电池16能够包含1次电池以及二次电池中的至少一方。电池16的负极构成为与图19所示的电路基板14的接地端子电连接。电池16的负极构成为与天线11的接地导体40电连接。
存储器17能够包含例如半导体存储器等。存储器17能够构成为用作控制器18的工作存储器发挥功能。存储器17能够包含在控制器18中。存储器17记述了实现无线通信设备2的各功能的处理内容的程序、以及无线通信设备2中的处理所使用的信息等。
控制器18例如能够包含处理器。控制器18也可以包含1个以上的处理器。处理器也可以包含读入特定的程序来执行特定的功能的通用的处理器、以及专用于特定的处理的专用的处理器。专用的处理器也可以包含面向特定用途的IC。面向特定用途的IC也称为ASIC(Application Specific Integrated Circuit)。处理器也可以包含可编程逻辑器件。可编程逻辑器件也称为PLD(Programmable Logic Device)。PLD也可以包含FPGA(Field-Programmable Gate Array)。控制器18可以是一个或者多个处理器协作的SoC(System-on-a-Chip)、以及SiP(System In a Package)中的任一个。控制器18可以在存储器17中保存用于使各种信息或者无线通信设备2的各构成部动作的程序等。
控制器18构成为生成从无线通信设备2发送的发送信号。控制器18例如也可以构成为从传感器15取得测量数据。控制器18也可以构成为生成与测量数据相应的发送信号。控制器18能够构成为向无线通信模块1的RF模块12发送基带信号。
图21所示的框体19构成为保护无线通信设备2的其他设备。框体19能够包含第一框体19A以及第二框体19B。
图22所示的第一框体19A能够在XY平面上扩展。第一框体19A构成为支承其他器件。第一框体19A能够构成为支承无线通信设备2。无线通信设备2位于第一框体19A的上表面19a之上。第一框体19A能够构成为支承电池16。电池16位于第一框体19A的上表面19a之上。在第一框体19A的上表面19a之上，无线通信模块1和电池16可以沿X方向排列。
图22所示的第二框体19B能够构成为覆盖其他器件。第二框体19B包含位于天线11的Z轴的负方向侧的下表面19b。下表面19b沿XY平面扩展。下表面19b不限于平坦，能够包含凹凸。第二框体19B能够具有导体构件19C。导体构件19C位于第二框体19B的内部、外侧以及内侧中的至少一方。导体构件19C位于第二框体19B的上表面以及侧面中的至少一方。
图22所示的导体构件19C与天线11对置。天线11与导体构件19C耦合，能够将导体构件19C作为二次辐射器而辐射电磁波。若天线11与导体构件19C对置，则天线11与导体构件19C之间的电容性耦合能够变大。当天线11的电流方向沿导体构件19C的延伸方向时，天线11与导体构件19C之间的电磁耦合能够变大。该耦合能够成为互感。
本公开所涉及结构不限于以上说明的实施方式，能够进行多种变形或者变更。例如，各构成部等所包含的功能等能够以逻辑上不矛盾的方式进行再配置，能够将多个构成部等组合或者分割为一个。
例如，在上述实施方式中，如图5所示，对第二耦合体73位于比第一辐射导体41以及第二辐射导体42更靠Z轴的负方向侧的位置的情况进行了说明。不过，第二耦合体73只要构成为以第二耦合方式将第一辐射导体41与第二辐射耦合，则也可以不位于Z轴的负方向侧。例如，第二耦合体73也可以比第一辐射导体41以及第二辐射导体42更位于Z轴的正方向侧。
说明本公开所涉及的结构的图是示意性的图。附图上的尺寸比率等未必与现实一致。
在本公开中，“第一”、“第二”、“第三”等的记载是用于区别该结构的识别符的一例。在本公开中的“第一”以及“第二”等的记载中被区别的结构能够交换该结构中的编号。例如，第1频率能够交换作为第2频率和识别符的“第一”和“第二”。同时进行识别符的交换。在识别符的交换后也区别该结构。也可以删除识别符。删除了识别符的结构用符号进行区别。不能仅基于本公开中的“第一”以及“第二”等识别符的记载，利用为该结构的顺序的解释、存在较小的编号的识别符的根据、以及存在较大的编号的识别符的根据。
符号说明
1 无线通信模块
2 无线通信设备
3 基板
10、110、210、310、410、510 天线
11 天线
12 RF模块
13A 接地导体
13B 印刷基板
14 电路基板
15 传感器
16 电池
17 存储器
18 控制器
19 框体
19a 上表面
19b 下表面
19A 第一框体
19B 第二框体
19C 导体构件
20 基部
21 上表面
22 下表面
31、131、431 第一天线元件
32、132、432 第二天线元件
41、441 第一辐射导体
42、442 第二辐射导体
41a、42a 长边
41b、42b、543b、547b 短边
51 第一供电线
52 第二供电线
53 第三供电线
54 第四供电线(第n供电线)
60 接地导体
61 第一接地导体
62 第二接地导体
61a、62a 开口
70、170 第一耦合体
71、171 第一导体
72、172 第二导体
71a、72a、171a、172a 端部
73、571、572、573、574、575、576、577 第二耦合体
74 第三耦合体
75 第四耦合体
74a、74b、75a，75b 片
81 第一天线元件组
82 第二天线元件组
91 第一辐射导体组
92 第二辐射导体组
433 第三天线元件
434 第四天线元件(第n天线元件)
443 第三辐射导体
444 第四辐射导体(第n辐射导体)
531、532、533、534、535、536、537、，538 天线元件
541、542、543、544、545、546、547、548 辐射导体
g1、g2、g3 间隙
d1、D1、D2 间隔。

Claims (22)

1.一种天线，具有：
第一天线元件，包含第一辐射导体以及第一供电线，构成为在第一频带进行谐振；
第二天线元件，包含第二辐射导体以及第二供电线，构成为在第二频带进行谐振；
第一耦合体；以及
第二耦合体，
所述第二供电线构成为以电容分量以及电感分量的任一个的第一分量为优先而与所述第一供电线耦合，
所述第一耦合体构成为以与所述第一分量不同的第二分量为优先而将所述第一供电线与所述第二供电线耦合，
所述第一辐射导体和所述第二辐射导体以谐振波长的二分之一以下的间隔排列，
所述第二辐射导体构成为以电容耦合以及磁场耦合的一方优先的第一耦合方式而与所述第一辐射导体耦合，
所述第二耦合体构成为以与所述第一耦合方式不同的第二耦合方式而将所述第一辐射导体与所述第二辐射导体耦合。
2.根据权利要求1所述的天线，其中，
所述第一频带和所述第二频带属于相同的频带。
3.根据权利要求1所述的天线，其中，
所述第一频带和所述第二频带属于不同的频带。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的天线，其中，
所述第一天线元件还包含第一接地导体。
5.根据权利要求4所述的天线，其中，
所述第二天线元件还包含第二接地导体。
6.根据权利要求5所述的天线，其中，
所述第一接地导体与所述第二接地导体连接。
7.根据权利要求5或者6所述的天线，其中，
所述第一接地导体以及所述第二接地导体为一体，
所述第一接地导体以及所述第二接地导体与单一的基体一体化。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的天线，其中，
所述天线还具有第三耦合体，所述第三耦合体构成为将所述第一辐射导体与所述第二供电线耦合。
9.根据权利要求8所述的天线，其中，
所述第三耦合体构成为以所述第二分量为优先而将所述第一辐射导体与所述第二供电线耦合。
10.根据权利要求1～9中的任一项所述的天线，其中，
所述天线还具有第四耦合体，所述第四耦合体构成为将所述第二辐射导体与所述第一供电线耦合。
11.根据权利要求10所述的天线，其中，
所述第四耦合体构成为以所述第二分量为优先而将所述第二辐射导体与所述第一供电线耦合。
12.根据权利要求1～11中的任一项所述的天线，其中，
所述天线具有包含所述第一天线元件以及所述第二天线元件的多个天线元件，
所述多个天线元件沿第一方向排列，
所述多个天线元件所包含的、相邻的天线元件在与所述第一方向不同的第二方向上错开。
13.根据权利要求12所述的天线，其中，
所述多个天线元件在所述第一方向上以谐振波长的四分之一以下的间隔排列。
14.根据权利要求12或者13所述的天线，其中，
所述多个天线元件具有第n天线元件，所述第n天线元件包含第n辐射导体以及第n供电线，构成为在第一频带进行谐振，其中，n是3以上的整数，
所述第n辐射导体以谐振波长的二分之一以下的间隔与所述第一辐射导体排列在所述第一方向上。
15.根据权利要求14所述的天线，其中，
所述第n辐射导体构成为直接地或者间接地与所述第二辐射导体耦合。
16.根据权利要求12～15中的任一项所述的天线，其中，
所述多个天线元件包含：
第一天线元件组，在所述第一方向排列；以及
第二天线元件组，在所述第一方向排列，
所述第一天线元件组的至少一个构成为以所述第一耦合方式或者所述第二耦合方式而与所述第二天线元件组的至少一个耦合。
17.根据权利要求16所述的天线，其中，
所述第一天线元件组包含第一辐射导体组，
所述第二天线元件组包含第二辐射导体组，
所述第一辐射导体组所包含的相邻的辐射导体构成为以所述第一耦合方式耦合，
所述第二耦合体构成为将所述第一辐射导体组所包含的相邻的辐射导体以所述第二耦合方式耦合，
所述第二耦合体构成为将所述第一辐射导体组所包含的辐射导体与所述第二辐射导体组所包含的辐射导体磁场耦合。
18.根据权利要求17所述的天线，其中，
所述第二辐射导体组所包含的相邻的辐射导体构成为以所述第一耦合方式耦合，
所述第二耦合体构成为将所述第二辐射导体所包含的相邻的辐射导体以所述第二耦合方式耦合。
19.根据权利要求12～18中的任一项所述的天线，其中，
所述天线构成为分别向所述多个天线元件供电信号，所述信号使所述多个天线元件以同相激励。
20.根据权利要求12～18中的任一项所述的天线，其中，
所述天线构成为分别向所述多个天线元件供电信号，所述信号使所述多个天线元件以不同的相位激励。
21.一种无线通信模块，具备：
权利要求1～20中的任一项所述的天线；以及
RF模块，构成为与所述第一供电线以及所述第二供电线的至少任一个电连接。
22.一种无线通信设备，具备：
权利要求21所述的无线通信模块；以及
电池，构成为向所述无线通信模块供给电力。
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