CN112951755B - 用于声表面波滤波器中磁控溅射的剥离方法 - Google Patents

用于声表面波滤波器中磁控溅射的剥离方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112951755B
CN112951755B CN202110095416.6A CN202110095416A CN112951755B CN 112951755 B CN112951755 B CN 112951755B CN 202110095416 A CN202110095416 A CN 202110095416A CN 112951755 B CN112951755 B CN 112951755B
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoresist
polyamic acid
stripping
acoustic wave
surface acoustic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110095416.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112951755A (zh
Inventor
袁燕
孟腾飞
徐浩
倪烨
张倩
王君
吴兵
张玉涛
闫彬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Aerospace Micro Electronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Beijing Aerospace Micro Electronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Aerospace Micro Electronics Technology Co Ltd filed Critical Beijing Aerospace Micro Electronics Technology Co Ltd
Priority to CN202110095416.6A priority Critical patent/CN112951755B/zh
Publication of CN112951755A publication Critical patent/CN112951755A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112951755B publication Critical patent/CN112951755B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

本发明公开了用于声表面波滤波器中磁控溅射的剥离方法，涉及微电子领域。该方法包括：通过旋涂光刻胶前，先旋涂聚酰胺酸，进行烘烤得到0.5μm厚的聚酰胺酸。然后在固化后的聚酰胺酸薄膜上旋涂正性光刻胶，再进行接触式曝光，显影，通过显微镜可以明显看到，位于光刻胶下层的聚酰胺酸被显影液显掉的更多，导致形成倒T形。沉积0.2μm厚的金属薄膜Al后，使用N‑甲基吡咯烷酮剥离液进行剥离，避免因为剥离导致金属薄膜被损伤，可以使金属膜厚的均匀性更好，膜厚更可控，剥离完成后金属线条边缘特别整齐光滑。

Description

用于声表面波滤波器中磁控溅射的剥离方法
技术领域
本发明涉及微电子领域，尤其涉及用于声表面波滤波器中磁控溅射的剥离方法。
背景技术
目前用于磁控溅射的剥离方法中，浸泡过丙酮后将其放入四甲基氢氧化氨水溶液中,浸泡的时间取决于所沉积金属薄膜的厚度。这两种方法都涉及到显影液的使用，由于光刻胶的显影液大部分都是碱性溶液，采用上述方法会对金属薄膜造成不同程度的损伤。
现有光刻胶方案，耐温性不好，在磁控溅射镀膜造成光刻胶的碳化，难以剥离，剥离完金属线条边缘不整齐，不干净。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供用于声表面波滤波器中磁控溅射的剥离方法。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：
一种用于声表面波滤波器中磁控溅射的剥离方法，包括：S1，在基片上旋涂聚酰胺酸形成聚酰胺酸薄膜；其中旋涂转速为：3000-5000转，所述聚酰胺酸的浓度为：6％-10％；
S2，对所述聚酰胺酸薄膜进行烘烤，烘烤温度为第一预设温度，烘烤时间为第一预设时间，然后冷却，形成固化的预设厚度的所述聚酰胺酸薄膜；其中第一预设温度为：60-150℃，所述第一预设时间为时间：15-60min，所述预设厚度为：0.5-2μm；
S3，在固化后的所述聚酰胺酸薄膜上旋涂光刻胶；其中，所述光刻胶为I线光刻胶，旋涂转速为3000-5000转；
S4，根据所述光刻胶的前烘工艺对所述聚酰胺酸薄膜和所述光刻胶的组合物进行烘烤，烘烤结束再进行曝光；所述前烘工艺包括：烘烤温度为：90℃-120℃，烘烤时间：1min-3min；所述曝光时间为2-10s；
S5，对曝光后的所述组合物进行显影处理；其中，所述显影处理时间：3-10s；
S6，通过磁控溅射对显影处理后的所述组合物进行金属薄膜沉积；其中所述金属薄膜的沉积厚度不超过4μm；
S7，完成金属薄膜沉积后使用N-甲基吡咯烷酮剥离液进行剥离，然后对剥离后的所述组合物再通过剥离机进行剥离，剥离后获得声表面波滤波器。
本发明的有益效果是：本方案通过旋涂光刻胶前，先旋涂聚酰胺酸，进行烘烤得到0.5μm厚的聚酰胺酸。然后在固化后的聚酰胺酸薄膜上旋涂正性光刻胶，再进行接触式曝光，显影，通过显微镜可以明显看到，位于光刻胶下层的聚酰胺酸被显影液显掉的更多，导致形成倒T形。沉积0.2μm厚的金属薄膜Al后，使用N-甲基吡咯烷酮剥离液进行剥离，避免因为剥离导致金属薄膜被损伤，可以使金属膜厚的均匀性更好，膜厚更可控，剥离完成后金属线条边缘特别整齐光滑。
通过聚酰亚胺很好的耐温性特点，避免磁控溅射镀膜造成光刻胶的炭化，难以剥离的问题
在采用聚酰胺酸实现双层光刻胶剥离工艺时，在最后一步，进行光刻胶和聚酰胺酸去除时，使用剥离液NMP代替现有的丙酮和碱性显影液，这样可以避免因为剥离导致金属薄膜被损伤，可以使金属膜厚的均匀性更好，膜厚更可控，即SAWF的频率更准确，成品率更高。
声表面波滤波器金属沉积的方式采用溅射工艺可以提高金属层和衬底的粘附力，且溅射工艺提高了金属薄膜的致密性，有助于声表面波滤波器器件性能的提升。
进一步地，所述S1具体包括：在基片上旋涂聚酰胺酸形成聚酰胺酸薄膜，其中，旋涂5000转的聚酰胺酸，所述聚酰胺酸浓度为6％。
采用上述进一步方案的有益效果是：本方案通过采用浓度6％聚酰胺酸，旋涂5000转，聚酰胺酸是可溶性的，还具有很好的平整性，这种粘性聚酰胺酸树脂溶液可旋转均匀涂布在晶片上以获取相对平整的表面；而且已固化的聚酰亚胺薄膜坚韧而有弹性，具有优良的力学性能、高的粘附性、一定的耐热性；而且其也溶解于显影液，能巧妙地结合光刻胶的感光性，使上层感光光刻胶和下层非感光聚酰胺酸实现倒T形。使光刻胶上的金属层与基片接触的金属层分离，确保顺利剥离。
进一步地，所述第一预设温度100℃，所述第一预设时间为30min，所述预设厚度为0.5μm。
采用上述进一步方案的有益效果是：本方案可以根据对聚酰胺酸的烘烤工艺来控制其对显影液的溶解速率，从而使上层感光光刻胶和下层非感光聚酰胺酸实现倒T形，使光刻胶上的金属层与基片接触的金属层分离，确保顺利剥离。
进一步地，所述S3具体包括：在固化后的所述聚酰胺酸薄膜上旋涂光刻胶，其中，旋涂正性光刻胶SPR 955-0.9，旋涂5000转。
采用上述进一步方案的有益效果是：本方案通过光刻胶的感光性结合聚酰胺酸，使上层感光光刻胶和下层非感光聚酰胺酸实现倒T形。使光刻胶上的金属层与基片接触的金属层分离，确保顺利剥离。
进一步地，所述前烘工艺包括：烘烤温度为94℃，烘烤时间为3min；接触式曝光7s。
进一步地，所述显影处理时间为4.5s。
采用上述进一步方案的有益效果是：本方案通过显影处理时间确认聚酰胺酸和光刻胶显影的状态，精确把握聚酰胺酸的边界。
进一步地，所述金属薄膜的沉积厚度为0.2μm。
采用上述进一步方案的有益效果是：本方案通过获得沉积厚度为0.2μm的金属薄膜，保证声表面波滤波器具有稳定的频率源功能和滤波功能，获得的声表面波滤波器频率更准确，成品率更高。
本发明解决上述技术问题的另一种技术方案如下：
一种采用上述任一项方案的一种用于声表面波滤波器中磁控溅射的剥离方法制备的声表面波滤波器，包括：基片和沉积在基片上的金属薄膜。
本发明的有益效果是：本方案的声表面波滤波器，通过旋涂光刻胶前，先旋涂聚酰胺酸，进行烘烤得到0.5μm厚的聚酰胺酸。然后在固化后的聚酰胺酸薄膜上旋涂正性光刻胶，再进行接触式曝光，显影，通过显微镜可以明显看到，位于光刻胶下层的聚酰胺酸被显影液显掉的更多，导致形成倒T形。沉积0.2μm厚的金属薄膜Al后，使用N-甲基吡咯烷酮剥离液进行剥离，避免因为剥离导致金属薄膜被损伤，可以使金属膜厚的均匀性更好，膜厚更可控，剥离完成后金属线条边缘特别整齐光滑。
本发明解决上述技术问题的另一种技术方案如下：
一种通讯电台系统，包括：上述的任一种方案的声表面波滤波器。
本发明的有益效果是：本方案通讯电台系统中的声表面波滤波器，通过旋涂光刻胶前，先旋涂聚酰胺酸，进行烘烤得到0.5μm厚的聚酰胺酸。然后在固化后的聚酰胺酸薄膜上旋涂正性光刻胶，再进行接触式曝光，显影，通过显微镜可以明显看到，位于光刻胶下层的聚酰胺酸被显影液显掉的更多，导致形成倒T形。沉积0.2μm厚的金属薄膜Al后，使用N-甲基吡咯烷酮剥离液进行剥离，避免因为剥离导致金属薄膜被损伤，可以使金属膜厚的均匀性更好，膜厚更可控，剥离完成后金属线条边缘特别整齐光滑。
本发明附加的方面的优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明实践了解到。
附图说明
图1为本发明的实施例提供的一种用于声表面波滤波器中磁控溅射的剥离方法的流程示意图；
图2为本发明的其他实施例提供的剥离工艺流程示意图；
图3为本发明的其他实施例提供的用于声表面波滤波器中的磁控溅射的剥离工艺流程示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实施例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
声表面波滤波器(SAWF)在电路应用中主要利用其稳定的频率源功能和滤波功能。所以频率是SAWF中一项很重要的指标。且金属膜厚会直接影响SAWF的频率，所以对金属膜厚的精度要求较高。
如图1所示，为本发明实施例提供的一种用于声表面波滤波器中磁控溅射的剥离方法，包括：S1，在基片上旋涂聚酰胺酸形成聚酰胺酸薄膜；其中旋涂转速为：3000-5000转，所述聚酰胺酸的浓度为：6％-10％；
优选地，在某实施例中，聚酰胺酸浓度可以为6％，旋涂可以为5000转。
需要说明得是，在某实施例中，在清洗干净、干燥的压电基片上旋涂聚酰胺酸，其中，可以根据实际所需聚酰胺酸薄膜厚度确定聚酰胺酸的粘度和旋涂的转速。
S2，对所述聚酰胺酸薄膜进行烘烤，烘烤温度为第一预设温度，烘烤时间为第一预设时间，然后冷却，形成固化的预设厚度的所述聚酰胺酸薄膜；其中第一预设温度为：60-150℃，所述第一预设时间为时间：15-60min，所述预设厚度为：0.5-2μm；
优选地，在某实施例中，第一预设温度可以为100℃，第一预设时间可以为30min，预设厚度可以为0.5μm。
需要说明的是，在某实施例中，在低于聚酰胺酸亚胺化的温度下，对聚酰胺酸薄膜进行烘烤，烘烤100℃/30min，得到0.5μm厚的聚酰胺酸，然后对其进行冷却。其中，烘烤时间和烘烤温度会影响聚酰胺酸在显影液中的溶解度，得到的聚酰胺酸薄膜的厚度要高于沉积金属的厚度。
S3，在固化后的所述聚酰胺酸薄膜上旋涂光刻胶；其中，所述光刻胶为I线光刻胶，旋涂转速为3000-5000转；
优选地，在某实施例中，光刻胶可以为正性光刻胶SPR 955-0.9，旋涂可以为5000转。
需要说明的是，在某实施例中，在固化后的聚酰胺酸薄膜上进一步旋涂光刻胶，其中，可以根据所需线宽确定光刻胶种类，尽量选择与聚酰胺酸在显影液中溶解速率相近的光刻胶，所需线宽可以根据具体滤波器产品的需求来确定线宽。
S4，根据所述光刻胶的前烘工艺对所述聚酰胺酸薄膜和所述光刻胶的组合物进行烘烤，烘烤结束再进行曝光；所述前烘工艺包括：烘烤温度为：90℃-120℃，烘烤时间：1min-3min；所述曝光时间为2-10s；
优选地，在某实施例中，前烘工艺包括：烘烤温度为94℃，烘烤时间为3min；在另一实施例中，可以根据实际的光刻胶型号来确定前烘工艺参数。
在某一实施例中，曝光可以通过接触式曝光，时间可以为7s。在另一实施例中，还可以根据具体滤波器产品的所需线宽确定曝光时间。
S5，对曝光后的所述组合物进行显影处理；其中，所述显影处理时间：3-10s；
优选地，在某一实施例中，显影处理时间可以为4.5s。
在另一实施例中，显影时间由聚酰胺酸和光刻胶显影的状态决定，在光学显微镜下能观察到在光刻胶边缘处往里缩进去一条白边，即聚酰胺酸的边界，显影时间过短，这个白边会小，显影时间过长，这个白边会大，可以根据实际需要进行调整。
S6，通过磁控溅射对显影处理后的所述组合物进行金属薄膜沉积；其中所述金属薄膜的沉积厚度不超过4μm；
优选地，在某一实施例中，金属薄膜的沉积厚度可以为0.2μm。
S7，完成金属薄膜沉积后使用N-甲基吡咯烷酮剥离液进行剥离，然后对剥离后的所述组合物再通过剥离机进行剥离，剥离后获得声表面波滤波器。其中，剥离机属于本领域公知装置。
在S7步骤中，在某一实施例中，对光刻胶和聚酰胺酸去除时可以包括：一、是先置于丙酮中将上层光刻胶溶解，再放入显影液中溶解底层的聚酰胺酸，必要时可附加加热和超声来辅助剥离。由于显影液呈碱性，所以加热的温度不宜过高，浸泡的时间也不宜过长，否则会对衬底造成一定的损伤；二、是在浸泡过丙酮后将其放入四甲基氢氧化氨水溶液中,浸泡的时间取决于所沉积金属薄膜的厚度。这两种方法都涉及到显影液的使用，由于光刻胶的显影液大部分都是碱性溶液，采用上述方法会对金属薄膜造成不同程度的损伤。
优选地，在某一实施例中，S7步骤中，对光刻胶和聚酰胺酸去除时还可以包括：完成金属薄膜沉积后，将其浸泡在N-甲基吡咯烷酮(NMP)中至少20min，然后通过剥离机进行剥离，通过采用N-甲基吡咯烷酮剥离液进行剥离不会对金属薄膜造成不同程度的损伤，不影响金属膜的厚度。
进行光刻胶和聚酰胺酸去除时，使用剥离液NMP代替丙酮和碱性显影液，这样可以避免因为剥离导致金属薄膜被损伤，可以使金属膜厚的均匀性更好，膜厚更可控，即SAWF的频率更准确，成品率更高。
本发明的有益效果是：本方案通过旋涂光刻胶前，先旋涂聚酰胺酸，进行烘烤得到0.5μm厚的聚酰胺酸。然后在固化后的聚酰胺酸薄膜上旋涂正性光刻胶，再进行接触式曝光，显影，通过显微镜可以明显看到，位于光刻胶下层的聚酰胺酸被显影液显掉的更多，导致形成倒T形。沉积0.2μm厚的金属薄膜Al后，使用N-甲基吡咯烷酮剥离液进行剥离，避免因为剥离导致金属薄膜被损伤，可以使金属膜厚的均匀性更好，膜厚更可控，剥离完成后金属线条边缘特别整齐光滑。
通过聚酰亚胺很好的耐温性特点，避免磁控溅射镀膜造成光刻胶的炭化，难以剥离的问题
在采用聚酰胺酸实现双层光刻胶剥离工艺时，在最后一步，进行光刻胶和聚酰胺酸去除时，使用剥离液NMP代替现有的丙酮和碱性显影液，这样可以避免因为剥离导致金属薄膜被损伤，可以使金属膜厚的均匀性更好，膜厚更可控，即SAWF的频率更准确，成品率更高。
声表面波滤波器金属沉积的方式采用溅射工艺可以提高金属层和衬底的粘附力，且溅射工艺提高了金属薄膜的致密性，有助于声表面波滤波器器件性能的提升。
优选地，在上述任意实施例中，所述S1具体包括：在基片上旋涂聚酰胺酸形成聚酰胺酸薄膜，其中，旋涂5000转的聚酰胺酸，所述聚酰胺酸浓度为6％。
本方案通过采用浓度6％聚酰胺酸，旋涂5000转，聚酰胺酸是可溶性的，还具有很好的平整性，这种粘性聚酰胺酸树脂溶液可旋转均匀涂布在晶片上以获取相对平整的表面；而且已固化的聚酰亚胺薄膜坚韧而有弹性，具有优良的力学性能、高的粘附性、一定的耐热性；而且其也溶解于显影液，能巧妙地结合光刻胶的感光性，使上层感光光刻胶和下层非感光聚酰胺酸实现倒T形。使光刻胶上的金属层与基片接触的金属层分离，确保顺利剥离。
优选地，在上述任意实施例中，所述S3具体包括：在固化后的所述聚酰胺酸薄膜上旋涂光刻胶，其中，旋涂正性光刻胶SPR 955-0.9，旋涂5000转。
本方案通过光刻胶的感光性结合聚酰胺酸，使上层感光光刻胶和下层非感光聚酰胺酸实现倒T形。使光刻胶上的金属层与基片接触的金属层分离，确保顺利剥离。
优选地，在上述任意实施例中，所述前烘工艺包括：烘烤温度为94℃，烘烤时间为3min；接触式曝光7s。
优选地，在上述任意实施例中，所述显影处理时间为4.5s。
本方案通过显影处理时间确认聚酰胺酸和光刻胶显影的状态，精确把握聚酰胺酸的边界。
优选地，在上述任意实施例中，所述金属薄膜的沉积厚度为0.2μm。
本方案通过获得沉积厚度为0.2μm的金属薄膜，保证声表面波滤波器具有稳定的频率源功能和滤波功能，获得的声表面波滤波器频率更准确，成品率更高。
在某一实施例中，扇形换能器的结构，即声表面波滤波器的一种设计结构，在沿指条纵向方向上，一边宽、一边窄，指条宽度逐渐变化。金属膜厚为0.2μm，占空比为2.6μm：7.3μm，该掩模版为阴版，采用正性光刻胶SPR 955-0.9,匀胶采用5000转，前烘温度/时间为94℃/3min，接触式曝光3s，显影20s，沉积0.2μm厚的金属薄膜Al后，使用剥离液(NMP)进行剥离，剥离完成后发现金属线条边缘不整齐，不干净。
优选地，在某一实施例中，在旋涂光刻胶前，先旋涂6％聚酰胺酸，5000转，烘烤100℃/30min，得到0.5μm厚的聚酰胺酸。然后在固化后的聚酰胺酸薄膜上旋涂正性光刻胶SPR955-0.9,匀胶转速为5000转，前烘温度/时间为94℃/3min，接触式曝光7s,显影4.5s，通过显微镜可以明显看到，位于光刻胶下层的聚酰胺酸被显影液显掉的更多，导致形成倒T形。沉积0.2μm厚的金属薄膜Al后，使用NMP剥离液进行剥离，剥离完成后金属线条边缘特别整齐光滑。
在某一实施例中，如图2所示，剥离工艺流程可以包括：在基片表面涂上一层光刻胶,经过前烘、曝光、显影形成掩模图形,要求在不需要金属膜的区域覆有光刻胶,用镀膜的方法在其表面覆盖一层金属,这样金属膜只在需要的区域与衬底相接触,最后浸泡剥离液，如果允许可加少许超声将光刻胶除去,随着光刻胶的溶解,其上的金属也跟其一起脱落,从而留下了所需的金属图形。
剥离方法的关键是使光刻胶上的金属膜与掩模断开区域上的金属膜断开,这样易于剥离液渗透进去溶解光刻胶。剥离工艺技术分为单层光刻胶剥离技术和多层光刻胶剥离技术，多层光刻胶剥离技术形成图形的关键在于上层胶，因为它确定了金属图形的尺寸，底层胶显影尺寸略大于上层胶，底层胶和上层胶的尺寸差可通过调整显影时间来控制，同时提供了掩模层和金属层之间的厚度差，因而可消除金属台阶覆盖，使掩模上的金属层与基片接触的金属层分离，确保顺利剥离。剥离工艺的关键在于光刻胶的形貌即倒T形。
优选地，在某一实施例中，如图3所示，磁控溅射的剥离工艺流程可以包括：(1)旋涂聚酰胺酸固化、固化到一定程度后形成聚酰亚胺(2)旋涂光刻胶并固化、(3)曝光、(4)显影、(5)沉积金属和(6)剥离，最终获得所需厚度的金属膜和基片的结构。
在某一实施例中，一种采用上述任一项实施例的一种用于声表面波滤波器中磁控溅射的剥离方法制备的声表面波滤波器，包括：基片和沉积在基片上的金属薄膜。
本方案的声表面波滤波器，通过旋涂光刻胶前，先旋涂聚酰胺酸，进行烘烤得到0.5μm厚的聚酰胺酸。然后在固化后的聚酰胺酸薄膜上旋涂正性光刻胶，再进行接触式曝光，显影，通过显微镜可以明显看到，位于光刻胶下层的聚酰胺酸被显影液显掉的更多，导致形成倒T形。沉积0.2μm厚的金属薄膜Al后，使用N-甲基吡咯烷酮剥离液进行剥离，避免因为剥离导致金属薄膜被损伤，可以使金属膜厚的均匀性更好，膜厚更可控，剥离完成后金属线条边缘特别整齐光滑。
在某一实施例中，一种通讯电台系统，包括：上述的任一种方案的声表面波滤波器。
本方案的声表面波滤波器，通过旋涂光刻胶前，先旋涂聚酰胺酸，进行烘烤得到0.5μm厚的聚酰胺酸。然后在固化后的聚酰胺酸薄膜上旋涂正性光刻胶，再进行接触式曝光，显影，通过显微镜可以明显看到，位于光刻胶下层的聚酰胺酸被显影液显掉的更多，导致形成倒T形。沉积0.2μm厚的金属薄膜Al后，使用N-甲基吡咯烷酮剥离液进行剥离，避免因为剥离导致金属薄膜被损伤，可以使金属膜厚的均匀性更好，膜厚更可控，剥离完成后金属线条边缘特别整齐光滑。
可以理解，在一些实施例中，可以包含如上述各实施例中的部分或全部可选实施方式。
需要说明的是，上述各实施例是与在先方法实施例对应的产品实施例，对于产品实施例中各可选实施方式的说明可以参考上述各方法实施例中的对应说明，在此不再赘述。
读者应理解，在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的方法实施例仅仅是示意性的，例如，步骤的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个步骤可以结合或者可以集成到另一个步骤，或一些特征可以忽略，或不执行。
上述方法如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分，或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-OnlyMemory)、随机存取存储器(RAM，RandomAccessMemory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种用于声表面波滤波器中磁控溅射的剥离方法，其特征在于，包括：
S1，在基片上旋涂聚酰胺酸形成聚酰胺酸薄膜；其中旋涂转速为：3000-5000转，所述聚酰胺酸的浓度为：6％-10％；
S2，对所述聚酰胺酸薄膜进行烘烤，烘烤温度为第一预设温度，烘烤时间为第一预设时间，然后冷却，形成固化的预设厚度的所述聚酰胺酸薄膜；其中所述第一预设温度为：60-150℃，所述第一预设时间为时间：15-60min，所述预设厚度为：0.5-2μm；
S3，在固化后的所述聚酰胺酸薄膜上旋涂光刻胶；其中，所述光刻胶为I线光刻胶，旋涂转速为3000-5000转；
S4，根据所述光刻胶的前烘工艺对所述聚酰胺酸薄膜和所述光刻胶的组合物进行烘烤，烘烤结束再进行曝光；所述前烘工艺包括：烘烤温度为：90℃-120℃，烘烤时间：1min-3min；所述曝光时间为2-10s；
S5，对曝光后的所述组合物进行显影处理；其中，所述显影处理时间：3-10s；
S6，通过磁控溅射对显影处理后的所述组合物进行金属薄膜沉积；其中所述金属薄膜的沉积厚度不超过4μm；
S7，完成金属薄膜沉积后使用N-甲基吡咯烷酮剥离液进行剥离，然后对剥离后的所述组合物再通过剥离机进行剥离，剥离后获得声表面波滤波器。
2.根据权利要求1所述的一种用于声表面波滤波器中磁控溅射的剥离方法，其特征在于，所述S1具体包括：在基片上旋涂聚酰胺酸形成聚酰胺酸薄膜，其中，旋涂5000转的聚酰胺酸，所述聚酰胺酸浓度为6％。
3.根据权利要求1或2所述的一种用于声表面波滤波器中磁控溅射的剥离方法，其特征在于，所述第一预设温度100℃，所述第一预设时间为30min，所述预设厚度为0.5μm。
4.根据权利要求1或2所述的一种用于声表面波滤波器中磁控溅射的剥离方法，其特征在于，所述S3具体包括：在固化后的所述聚酰胺酸薄膜上旋涂光刻胶，其中，旋涂正性光刻胶SPR 955-0.9，旋涂5000转。
5.根据权利要求1或2所述的一种用于声表面波滤波器中磁控溅射的剥离方法，其特征在于，所述前烘工艺包括：烘烤温度为94℃，烘烤时间为3min；接触式曝光7s。
6.根据权利要求1或2所述的一种用于声表面波滤波器中磁控溅射的剥离方法，其特征在于，所述显影处理时间为4.5s。
7.根据权利要求1或2所述的一种用于声表面波滤波器中磁控溅射的剥离方法，其特征在于，所述金属薄膜的沉积厚度为0.2μm。
8.一种采用上述权利要求1至7任一项所述的一种用于声表面波滤波器中磁控溅射的剥离方法制备的声表面波滤波器，其特征在于，包括：基片和沉积在基片上的金属薄膜。
9.一种通讯电台系统，其特征在于，包括权利要求8中所述的任一种声表面波滤波器。
CN202110095416.6A 2021-01-25 2021-01-25 用于声表面波滤波器中磁控溅射的剥离方法 Active CN112951755B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110095416.6A CN112951755B (zh) 2021-01-25 2021-01-25 用于声表面波滤波器中磁控溅射的剥离方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110095416.6A CN112951755B (zh) 2021-01-25 2021-01-25 用于声表面波滤波器中磁控溅射的剥离方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112951755A CN112951755A (zh) 2021-06-11
CN112951755B true CN112951755B (zh) 2023-06-13

Family

ID=76236328

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110095416.6A Active CN112951755B (zh) 2021-01-25 2021-01-25 用于声表面波滤波器中磁控溅射的剥离方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112951755B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114489373A (zh) * 2021-12-24 2022-05-13 浙江鑫柔科技有限公司 一种用于在基材上形成金属网格的方法和装置
CN116024522A (zh) * 2022-09-08 2023-04-28 浙江华远微电科技有限公司 一种用于声表面波滤波器的镀膜工艺
CN115584469A (zh) * 2022-09-13 2023-01-10 北京智慧能源研究院 一种增加碳化硅台阶金属层覆盖厚度的方法及相关设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003289165A (ja) * 1995-06-30 2003-10-10 Fujitsu Ltd マスクを用いたパターン形成方法
CN103022309A (zh) * 2012-11-28 2013-04-03 南京大学扬州光电研究院 一种在GaN基材料表面上制备聚酰亚胺微图形的方法
CN103035512A (zh) * 2012-11-02 2013-04-10 上海华虹Nec电子有限公司 一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法
CN103137469A (zh) * 2011-11-22 2013-06-05 上海华虹Nec电子有限公司 一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法
CN104216232A (zh) * 2013-05-29 2014-12-17 无锡华润上华科技有限公司 改善光刻胶固化后变形及半导体器件保护层曝光的方法
CN111654258A (zh) * 2020-06-23 2020-09-11 北京航天微电科技有限公司 薄膜体声波谐振器制作方法、薄膜体声波谐振器及滤波器

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3929966B2 (ja) * 2003-11-25 2007-06-13 新光電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP6637871B2 (ja) * 2016-10-27 2020-01-29 信越化学工業株式会社 テトラカルボン酸ジエステル化合物、ポリイミド前駆体の重合体及びその製造方法、ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、及び硬化被膜形成方法
TWI658067B (zh) * 2017-11-24 2019-05-01 台虹科技股份有限公司 聚醯亞胺前驅物及其所製得之微影圖案

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003289165A (ja) * 1995-06-30 2003-10-10 Fujitsu Ltd マスクを用いたパターン形成方法
CN103137469A (zh) * 2011-11-22 2013-06-05 上海华虹Nec电子有限公司 一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法
CN103035512A (zh) * 2012-11-02 2013-04-10 上海华虹Nec电子有限公司 一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法
CN103022309A (zh) * 2012-11-28 2013-04-03 南京大学扬州光电研究院 一种在GaN基材料表面上制备聚酰亚胺微图形的方法
CN104216232A (zh) * 2013-05-29 2014-12-17 无锡华润上华科技有限公司 改善光刻胶固化后变形及半导体器件保护层曝光的方法
CN111654258A (zh) * 2020-06-23 2020-09-11 北京航天微电科技有限公司 薄膜体声波谐振器制作方法、薄膜体声波谐振器及滤波器

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
声表面波器件光刻的衍射效应研究;孟腾飞 等;《压电与声光》;第44卷(第2期);246-249 *
聚酰亚胺在专用IC中的应用;杨国渝;《微电子学》(第06期);36-42 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN112951755A (zh) 2021-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112951755B (zh) 用于声表面波滤波器中磁控溅射的剥离方法
JP3448838B2 (ja) 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法
CN108389784B (zh) 图案化的金属层的制备方法
US4200668A (en) Method of repairing a defective photomask
CN111146330A (zh) 一种铜膜声表面波滤波器钝化层的制备方法
CN112864004A (zh) 解决光刻工艺镀膜过程中存在毛刺及去胶残留的方法
JP2014199276A (ja) パターン形成方法、構造体、櫛型電極の製造方法、及び二次電池
JP2008287835A (ja) 配線付きフレキシャ、配線付きフレキシャの製造方法、及びヘッドサスペンション
JP2000040268A (ja) スタンパ―の製造方法、当該方法を行うことによって得られるスタンパ―、並びに当該スタンパ―を使用することによって得られる光学ディスク
CN111106531A (zh) 一种硅基纳米级弯曲切趾光栅的制备方法
CN114268289A (zh) 使用双层负胶做掩膜进行金属薄膜剥离的方法
JP2012004235A (ja) 樹脂膜形成方法およびパターン形成方法
CN113816335A (zh) 一种硅基晶圆双层光刻胶的金属剥离制备方法
CN117374159A (zh) 一种方形czt探测器电极的制备方法
JPH1187392A (ja) バンプ形成方法
JP3517286B2 (ja) 電着転写用原版およびその製造方法
JP3920222B2 (ja) 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法
JP3259417B2 (ja) 金属薄層パターンの製造方法及びパターン形成用フィルム並びにフィルムコンデンサー
JP2004264380A (ja) レジストパターン形成方法およびレジストパターン形成装置
JPS60192951A (ja) 電子写真感光体の製造方法
JPH0624747B2 (ja) 微細加工を施した射出成形用コアの作成方法
KR0171364B1 (ko) 탄성표면파장치의 전극형성방법
CN113555281A (zh) 一种去除光刻胶的方法
JP2633088B2 (ja) スタンパの製造方法
CN116054770A (zh) 剥离工艺制备叉指电极的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant