CN112938937B - 一种基于碳纳米管生产的气体加热流量控制设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于碳纳米管生产的气体加热流量控制设备,首先通过原料气体管和保护气体管,能够分别对原料气体和保护气体进行导流,并借助第一气泵和第二气泵能对气体流量调控,其次通过储存气体罐能够存储原料气体,并借助半导体加热器对保温罩内部进行热量供应,达到对原料气体的初始加热,同时因半导体加热器一端热量另一端冷量,因此在对储存气体罐加热的基础上,能够亦可对降温管网进行降温,实现对原料气体管进行降温,使得原料气体处于所需的温度标准,最后增热管网能够将热量导流到原料气体管,实现了二次补偿,有效避免因原料气体管管道过长,导致原料气体在导流过程中发生的热量流失损耗,继而影响后续生产温度的问题。
Description
技术领域
本发明涉及碳纳米管生产技术领域,尤其涉及一种基于碳纳米管生产的气体加热流量控制设备。
背景技术
碳纳米管生产需要输入原料气体,而保护气体和原料气体气体的输入量不能精确的控制,这样会影响后续产品的质量和品质。现有技术中保护气体与原料气体气体的混合不充分,也会影响后续产品的质量。当碳纳米管停止生产时保护气体或原料气体余气排不出,存在安全隐患。
根据上述,目前在碳纳米管生产之前需要对原料气体进行加热,一旦加热的温度不足或者是温度过高,都会严重的影响到碳纳米管的生产质量,而且在对碳纳米管生产的气体加热后,将其通入下一工作流程设备中,需要对加热后的气体的流量控制十分精确,否则也会影响生产质量。
根据上述,目前中国公开专利一种用于碳纳米管生产的气体加热流量控制装置(专利号:CN205782017U),虽然能够对原料气体进行加热控制,但是因其结构简易,因此在生产使用过程中存在诸多缺陷和不足,具体如下;
1、无法进行热量的二次补偿,当原料气体在管道过程中进行输送时,容易产生热量流失损耗,继而影响后续生产温度的问题。
2、当温度过程时,无法快速实现降温,因此不利于将温度控制在安全和生产需求的范围内。
故而鉴于以上缺陷,实有必要设计一种基于碳纳米管生产的气体加热流量控制设备。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于:提供一种基于碳纳米管生产的气体加热流量控制设备,来解决背景技术提出的问题。
为解决上述技术问题,本发明的技术方案是:一种基于碳纳米管生产的气体加热流量控制设备,包括固定座、原料气体管、第一气泵、保护气体管、第二气泵、降温管网、增热管网、保温罩、储存气体罐、半导体罩、半导体加热器,所述的原料气体管固设于固定座内部前端,所述的原料气体管与固定座采用螺栓连接,所述的第一气泵固设于固定座内部前端,所述的第一气泵与固定座采用螺栓连接,且所述的第一气泵与原料气体管采用焊接连接,所述的保护气体管固设于固定座内部后端,所述的保护气体管与固定座采用螺栓连接,所述的第二气泵固设于固定座内部后端,所述的第二气泵与固定座采用螺栓连接,且所述的第二气泵与保护气体管采用焊接连接,所述的降温管网固设于原料气体管外壁中端,所述的降温管网与原料气体管采用焊接连接,所述的增热管网固设于原料气体管外壁中端,所述的增热管网与原料气体管采用焊接连接,所述的保温罩固设于原料气体管右侧底部,所述的保温罩与原料气体管采用焊接连接,所述的储存气体罐固设于保温罩内部,所述的储存气体罐与保温罩采用螺栓连接,且所述的储存气体罐与原料气体管采用焊接连接,所述的半导体罩固设于保温罩左侧,所述的半导体罩与保温罩采用焊接连接,所述的半导体加热器固设于半导体罩内部,所述的半导体加热器与半导体罩采用螺栓连接。
进一步,所述的原料气体管和保护气体管内部左侧还均固设有流量检测器,所述的流量检测器分别与原料气体管和保护气体管采用焊接连接。
进一步,所述的降温管网和增热管网外壁还均固设有防护罩,所述的防护罩分别与降温管网和增热管网采用螺栓连接,且所述的防护罩与原料气体管采用焊接连接。
进一步,所述的保温罩内部右侧下端还固设有进气管,所述的进气管与保温罩采用焊接连接,且所述的进气管与储存气体罐采用焊接连接。
进一步,所述的保温罩和储存气体罐之间还设有加热腔体,所述的加热腔体为空心腔体。
进一步,所述的半导体罩内部右侧下端还固设有第一电磁阀,所述的第一电磁阀与半导体罩采用焊接连接,且所述的第一电磁阀与保温罩采用焊接连接,所述的半导体罩左侧上端还固设有第二电磁阀,所述的第二电磁阀与半导体罩采用焊接连接,所述的第二电磁阀左侧上端还固设有降温连接管,所述的降温连接管与第二电磁阀采用焊接连接,且所述的降温连接管与降温管网采用焊接连接,所述的半导体罩左侧下端还固设有第三电磁阀,所述的第三电磁阀与半导体罩采用焊接连接,所述的第三电磁阀左侧上端还固设有增热连接管,所述的增热连接管与第三电磁阀采用焊接连接,且所述的增热连接管与增热管网采用焊接连接。
进一步,所述的半导体加热器中端外壁还固设有隔温板,所述的隔温板与半导体制冷器采用焊接连接,且所述的隔温板与半导体罩采用焊接连接。
与现有技术相比,该一种基于碳纳米管生产的气体加热流量控制设备,具有以下优点:
1、首先通过原料气体管和保护气体管,能够分别对原料气体和保护气体进行导流,并借助第一气泵和第二气泵能达到对气体流量的调控。
2、其次通过储存气体罐能够存储原料气体,并借助半导体加热器对保温罩内部持续进行热量供应,继而达到对原料气体的初始加热。
3、同时因半导体加热器一端热量另一端冷量,因此在实现对储存气体罐加热的基础上,能够亦可对降温管网进行降温,实现对原料气体管进行降温,使得原料气体处于所需的温度标准。
4、最后增热管网能够将热量导流到原料气体管,实现了二次补偿,有效避免因原料气体管管道过长,导致原料气体在导流过程中发生的热量流失损耗,继而影响后续的生产温度的问题。
附图说明
图1是一种基于碳纳米管生产的气体加热流量控制设备的主视图;
图2是一种基于碳纳米管生产的气体加热流量控制设备的俯视图;
图3是一种基于碳纳米管生产的气体加热流量控制设备的A向剖视图;
图4是一种基于碳纳米管生产的气体加热流量控制设备的立体图1;
图5是一种基于碳纳米管生产的气体加热流量控制设备的立体图2。
固定座1、原料气体管2、第一气泵3、保护气体管4、第二气泵5、降温管网6、增热管网7、保温罩8、储存气体罐9、半导体罩10、半导体加热器11、流量检测器201、防护罩202、进气管801、加热腔体901、第一电磁阀1001、第二电磁阀1002、降温连接管1003、第三电磁阀1004、增热连接管1005、隔温板1101。
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明。
具体实施方式
在下文中,阐述了多种特定细节,以便提供对构成所描述实施例基础的概念的透彻理解,然而,对本领域的技术人员来说,很显然所描述的实施例可以在没有这些特定细节中的一些或者全部的情况下来实践,在其他情况下,没有具体描述众所周知的处理步骤。
如图1、图2、图3、图4、图5所示,一种基于碳纳米管生产的气体加热流量控制设备,包括固定座1、原料气体管2、第一气泵3、保护气体管4、第二气泵5、降温管网6、增热管网7、保温罩8、储存气体罐9、半导体罩10、半导体加热器11,所述的原料气体管2固设于固定座1内部前端,所述的原料气体管2与固定座1采用螺栓连接,所述的第一气泵3固设于固定座1内部前端,所述的第一气泵3与固定座1采用螺栓连接,且所述的第一气泵3与原料气体管2采用焊接连接,所述的保护气体管4固设于固定座1内部后端,所述的保护气体管4与固定座1采用螺栓连接,所述的第二气泵5固设于固定座1内部后端,所述的第二气泵5与固定座1采用螺栓连接,且所述的第二气泵5与保护气体管4采用焊接连接,所述的降温管网6固设于原料气体管2外壁中端,所述的降温管网6与原料气体管2采用焊接连接,所述的增热管网7固设于原料气体管2外壁中端,所述的增热管网7与原料气体管2采用焊接连接,所述的保温罩8固设于原料气体管2右侧底部,所述的保温罩8与原料气体管2采用焊接连接,所述的储存气体罐9固设于保温罩8内部,所述的储存气体罐8与保温罩8采用螺栓连接,且所述的储存气体罐8与原料气体管2采用焊接连接,所述的半导体罩10固设于保温罩8左侧,所述的半导体罩10与保温罩8采用焊接连接,所述的半导体加热器11固设于半导体罩10内部,所述的半导体加热器11与半导体罩10采用螺栓连接;
需要说明的是一种基于碳纳米管生产的气体加热流量控制设备具备以下功能;
A、固定座1内部前后的原料气体管2和保护气体管4能够分别对原料气体和保护气体进行导流,并借助第一气泵3和第二气泵5来达到对气体流量的调控;
B、保温罩8内部的储存气体罐9能够存储原料气体,并借助半导体罩10内部的半导体加热器11对保温罩8内部持续进行热量供应,继而达到对原料气体的初始加热目的;
C、因半导体加热器11一端放热,另一端吸热,因此在实现对储存气体罐9加热的基础上,能够亦可对降温管网6进行降温,实现对原料气体管2进行降温,使得原料气体处于所需的温度标准;
D、增热管网7能够将半导体加热器11的部分热量导流到原料气体管2外部,实现了热量二次补偿,有效避免因原料气体管2管道过长,从而导致原料气体在导流过程中发生的热量流失损耗,继而影响后续的生产温度的问题;
所述的原料气体管2和保护气体管4内部左侧还均固设有流量检测器201,所述的流量检测器201分别与原料气体管2和保护气体管4采用焊接连接;
需要说明的是流量检测器201能够分别对原料气体管2和保护气体管4的气体流量进行检测,实现了量化检测,利于后续的控制处理;
所述的降温管网6和增热管网7外壁还均固设有防护罩202,所述的防护罩202分别与降温管网6和增热管网7采用螺栓连接,且所述的防护罩202与原料气体管2采用焊接连接;
需要说明的是防护罩202能够分别对降温管网6和增热管网7进行遮盖保护,有效避免降温管网6中的低温以及增热管网7中的高温流失,利于后续降温管网6和增热管网7对原料气体管2内部的原料气体进行准确化的温度控制;
所述的保温罩8内部右侧下端还固设有进气管801,所述的进气管801与保温罩8采用焊接连接,且所述的进气管801与储存气体罐9采用焊接连接;
需要说明的是进气管801能够便于工作人员将原料气体持续补充到储存气体罐9内部,利于进行加热处理;
所述的保温罩8和储存气体罐9之间还设有加热腔体901,所述的加热腔体901为空心腔体;
需要说明的是加热腔体901能够储存半导体加热器11排出的热量,提高对储存气体罐9的加热效果;
所述的半导体罩10内部右侧下端还固设有第一电磁阀1001,所述的第一电磁阀1001与半导体罩10采用焊接连接,且所述的第一电磁阀1001与保温罩8采用焊接连接,所述的半导体罩10左侧上端还固设有第二电磁阀1002,所述的第二电磁阀1002与半导体罩10采用焊接连接,所述的第二电磁阀1002左侧上端还固设有降温连接管1003,所述的降温连接管1003与第二电磁阀1002采用焊接连接,且所述的降温连接管1003与降温管网6采用焊接连接,所述的半导体罩10左侧下端还固设有第三电磁阀1004,所述的第三电磁阀1004与半导体罩10采用焊接连接,所述的第三电磁阀1004左侧上端还固设有增热连接管1005,所述的增热连接管1005与第三电磁阀1004采用焊接连接,且所述的增热连接管1005与增热管网7采用焊接连接;
需要说明的是第一电磁阀1001可被控制实现开合流量调节,利于将半导体罩10内部下端的热量导流至加热腔体901中,同时亦可通过流量调节实现对热量的控制,第二电磁阀1002可被控制实现开合流量调节,利于将半导体罩10内部上端的冷量通过降温连接管1003导流至降温管网6,利于后续对原料气体管2内部的原料气体进行降温,第三电磁阀1004可被控制实现开合流量调节,利于将半导体罩10内部下端的热量通过增热连接管1005导流至增热管网7,利于后续对原料气体管2内部的原料气体进行补充加热;
所述的半导体加热器11中端外壁还固设有隔温板1101,所述的隔温板1101与半导体制冷器11采用焊接连接,且所述的隔温板1101与半导体罩10采用焊接连接;
需要说明的是隔温板1101能够将半导体加热器11上下进行分隔,避免半导体加热器11下侧热端中的热量与上侧冷端中的冷量混合,利于半导体加热器11上下进行独立加热和降温。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变型,这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。
Claims (5)
1.一种基于碳纳米管生产的气体加热流量控制设备,其特征在于包括固定座、原料气体管、第一气泵、保护气体管、第二气泵、降温管网、增热管网、保温罩、储存气体罐、半导体罩、半导体加热器,所述的原料气体管固设于固定座内部前端,所述的第一气泵固设于固定座内部前端,且所述的第一气泵与原料气体管采用焊接连接,所述的保护气体管固设于固定座内部后端,所述的第二气泵固设于固定座内部后端,且所述的第二气泵与保护气体管采用焊接连接,所述的降温管网固设于原料气体管外壁中端,所述的增热管网固设于原料气体管外壁中端,所述的保温罩固设于原料气体管右侧底部,所述的储存气体罐固设于保温罩内部,且所述的储存气体罐与原料气体管采用焊接连接,所述的半导体罩固设于保温罩左侧,所述的半导体加热器固设于半导体罩内部,所述的半导体罩内部右侧下端还固设有第一电磁阀,且所述的第一电磁阀与保温罩采用焊接连接,所述的半导体罩左侧上端还固设有第二电磁阀,所述的第二电磁阀左侧上端还固设有降温连接管,且所述的降温连接管与降温管网采用焊接连接,所述的半导体罩左侧下端还固设有第三电磁阀,所述的第三电磁阀左侧上端还固设有增热连接管,且所述的增热连接管与增热管网采用焊接连接,所述的半导体加热器中端外壁还固设有隔温板,且所述的隔温板与半导体罩采用焊接连接。
2.如权利要求1所述一种基于碳纳米管生产的气体加热流量控制设备,其特征在于所述的原料气体管和保护气体管内部左侧还均固设有流量检测器。
3.如权利要求1所述一种基于碳纳米管生产的气体加热流量控制设备,其特征在于所述的降温管网和增热管网外壁还均固设有防护罩,且所述的防护罩与原料气体管采用焊接连接。
4.如权利要求1所述一种基于碳纳米管生产的气体加热流量控制设备,其特征在于所述的保温罩内部右侧下端还固设有进气管,且所述的进气管与储存气体罐采用焊接连接。
5.如权利要求1所述一种基于碳纳米管生产的气体加热流量控制设备,其特征在于所述的保温罩和储存气体罐之间还设有加热腔体。
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