CN112936928B - 高厚度均匀性电容器基膜及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
高厚度均匀性电容器基膜,包括基膜层,所述基膜层两侧分别平行设置有整平层,所述基膜层和整平层组合为三层高厚度均匀性结构,厚度偏差范围为±1μm;S1、模头装置清理;S2、熔融塑化;S3、铸片挤出拉伸;S4、厚度实时监测;S5、模头装置微调;S6、冷却定型;S7、风冷收卷;本发明利用可调节挤出口间距的模头装置,在进行基膜的铸片拉伸前,挤出口的间距增大便于出口处残留的熔体形成的固态杂质清除,保证了挤出的基膜的厚度均匀,并在对基膜进行拉伸后若出现厚度不均匀情况时,厚度检测仪将检测数据反馈至模头装置,利用热膨胀结构对模头装置的挤出口的偏差位置进行微调,从而进一步提高了基膜的厚度均匀性。
Description
技术领域
本发明属于电容器基膜技术领域,特别涉及高厚度均匀性电容器基膜及其制备方法。
背景技术
基膜指的是薄膜电容器用的能在其表面蒸镀一层极薄金属层的塑料薄膜;基膜加工需要将塑料母粒及其辅料先熔融塑化后,再进行模头挤出、铸片、纵横拉伸、定型处理;在现有的基膜加工工艺中,需要将额定的基膜塑料母粒熔融塑化后一次输送到后道工序中进行模头挤出、铸片。
在电容器的生产制造过程中,通常将带有电路的金属膜附着在基膜上进行绕卷,为了保证金属膜的附着,对基膜的厚度均匀性有着较高的精度要求,但在基膜生产加工时,通常是利用模头装置对熔融的基膜进行挤压,但由于模头装置底部的开口间隔距离较小,在位于开口处出现有残留的熔体形成的固态杂质时,会导致挤出的基膜厚度不均匀,并对于检测出微小的厚度不均匀情况时,却不能随即作出调整,导致生产的厚度不均匀的基膜增加,造成生产浪费。
发明内容
本发明针对现有技术存在的不足,提供了高厚度均匀性电容器基膜及其制备方法,具体技术方案如下:
高厚度均匀性电容器基膜,包括基膜层,所述基膜层两侧分别平行设置有整平层,所述基膜层和整平层组合为三层高厚度均匀性结构,厚度偏差范围为±1μm。
高厚度均匀性电容器基膜的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:
S1、模头装置清理:通过操控模头装置将底部的出口间距调节增大,再将位于出口处残留的熔体形成的固态杂质清除,再恢复模头装置出口间距;
S2、熔融塑化:将多种原料混合,再加热至160-170℃,形成粘流态的熔体;
S3、铸片挤出拉伸:将粘流态的熔体注入模头装置内部,通过模头装置的挤压拉伸,从模头装置的底部出口挤出,挤出的熔体冷却至140℃以下形成玻璃态铸片,然后对铸片进行装夹拉伸,拉伸时铸片温度控制为60-85℃,拉伸后形成基膜状态;
S4、厚度实时监测:基膜经过辊压后运输到厚度检测仪位置,在对经过的基膜进行厚度监测,厚度检测仪在使用前进行了检测厚度预设,厚度达标误差允许范围为±1μm;
S4.1、检测:测量距离为150-300mm,厚度测量精度为±0.1%,精度根据基膜预设厚度设定;
S4.2、判断厚度是否达标:
是,进入步骤S6;
否,进入步骤S5;
S5、模头装置微调:厚度检测仪将厚度未达标数据传输到模头装置,模头装置利用热膨胀结构控制对出口处的间距进行微调,微调厚度范围为0-6μm;
S6、冷却定型:将基膜通过多个冷却辊,对基膜的两面进行冷却,冷却辊的冷却温度依次为80℃和40℃;
S7、风冷收卷:最后将基膜通过风冷为室温后,由卷绕机进行收卷。
进一步的,所述模头装置包括分导器、共挤模头以及控制处理器,所述分导器内部中心开设有第二注口,所述分导器内部位于所述第二注口两侧对称开设有第一注口和第三注口,所述分导器底侧连接有所述共挤模头,所述共挤模头底侧固定有微调机构,所述微调机构一侧连接有所述控制处理器,所述分导器和所述共挤模头侧壁固定有固挡板。
进一步的,所述共挤模头包括调距机构、第一模头块、导向板以及第二模头块,所述第一模头块和第二模头块分别倾斜对称固定于所述第一注口和所述第三注口底侧,所述第一模头块和所述第二模头块配合呈间隔的V字型结构,所述第一模头块内部设置有调距机构,所述调距机构内部电性连接有所述控制处理器,所述第一模头块底侧靠近底端处固定有所述导向板,所述第二模头块底侧连接有所述微调机构,所述微调机构设置有多组。
进一步的,所述调距机构包括气动杆、推杆、调节块,所述气动杆固定于所述第一模头块远离所述第二模头块一侧,所述气动杆内部电性连接有所述控制处理器,所述气动杆所述气动杆一侧连接有所述推杆,所述推杆插接于所述第一模头块内部,所述推杆底端连接有所述调节块,所述调节块插接于所述第一模头块靠近所述第二模头块一侧内部,所述调节块底侧贴合有所述导向板。
进一步的,所述调节块包括推挡块和唇模,所述推挡块一侧连接于所述推杆底端,另一侧固定有所述唇模,所述推挡块和所述唇模顶部固定呈阶梯结构,所述推挡块底部贴合有所述导向板。
进一步的,所述唇模顶部远离所述推挡块一侧为倒直角结构,所述唇模倒直角结构一侧外伸设置于所述第一模头块侧壁。
进一步的,所述微调机构包括热导栓、导接块以及膨胀块,所述导接块固定于所述第二模头块底侧,所述导接块内部插接有所述热导栓,所述热导栓底部连接有所述膨胀块,所述膨胀块插接于所述第二模头块靠近所述第一模头块底侧。
本发明的有益效果是:利用可调节挤出口间距的模头装置,在进行基膜的铸片拉伸前,挤出口的间距增大便于出口处残留的熔体形成的固态杂质清除,保证了挤出的基膜的厚度均匀,并在对基膜进行拉伸后若出现厚度不均匀情况时,厚度检测仪将检测数据反馈至模头装置,利用热膨胀结构对模头装置的挤出口的偏差位置进行微调,从而进一步提高了基膜的厚度均匀性。
附图说明
图1示出了本发明的高厚度均匀性电容器基膜结构示意图;
图2示出了本发明的模头装置结构示意图;
图3示出了本发明的模头装置结构剖面图;
图4示出了本发明的调节块结构示意图;
图5示出了本发明的唇模与第一模头块配合结构示意图;
图6示出了本发明的导热栓与导接块固定结构示意图;
图中所示:1、基膜层;2、整平层;3、分导器;31、第一注口;32、拉伸导块;33、第二注口;34、第三注口;4、固挡板;5、共挤模头;51、调距机构;511、气动杆;512、推杆;513、调节块;5131、推挡块;5132、模唇;52、第一模头块;53、导向板;54、第二模头块;6、微调机构;61、热导栓;62、导接块;63、膨胀块;7、控制处理器。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅解释本发明,并不用于限定本发明。
高厚度均匀性电容器基膜,包括基膜层,所述基膜层两侧分别平行设置有整平层,所述基膜层和整平层组合为三层高厚度均匀性结构,厚度偏差范围为±1μm。
高厚度均匀性电容器基膜的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:
S1、模头装置清理:通过操控模头装置将底部的出口间距调节增大,再将位于出口处残留的熔体形成的固态杂质清除,再恢复模头装置出口间距;
S2、熔融塑化:将多种原料混合,再加热至160-170℃,形成粘流态的熔体;
S3、铸片挤出拉伸:将粘流态的熔体注入模头装置内部,通过模头装置的挤压拉伸,从模头装置的底部出口挤出,挤出的熔体冷却至140℃以下形成玻璃态铸片,然后对铸片进行装夹拉伸,拉伸时铸片温度控制为60-85℃,拉伸后形成基膜状态;
S4、厚度实时监测:基膜经过辊压后运输到厚度检测仪位置,在对经过的基膜进行厚度监测,厚度检测仪在使用前进行了检测厚度预设,厚度达标误差允许范围为±1μm;
S4.1、检测:测量距离为150-300mm,厚度测量精度为±0.1%,精度根据基膜预设厚度设定;
S4.2、判断厚度是否达标:
是,进入步骤S6;
否,进入步骤S5;
S5、模头装置微调:厚度检测仪将厚度未达标数据传输到模头装置,模头装置利用热膨胀结构控制对出口处的间距进行微调,微调厚度范围为0-6μm;
S6、冷却定型:将基膜通过多个冷却辊,对基膜的两面进行冷却,冷却辊的冷却温度依次为80℃和40℃;
S7、风冷收卷:最后将基膜通过风冷为室温后,由卷绕机进行收卷。
如图2和图3所示,所述模头装置包括分导器、共挤模头以及控制处理器,所述分导器内部中心开设有第二注口,所述分导器内部位于所述第二注口两侧对称开设有第一注口和第三注口,所述分导器底侧连接有所述共挤模头,所述共挤模头底侧固定有微调机构,所述微调机构一侧连接有所述控制处理器,所述分导器和所述共挤模头侧壁固定有固挡板。
如图3所示,所述共挤模头包括调距机构、第一模头块、导向板以及第二模头块,所述第一模头块和第二模头块分别倾斜对称固定于所述第一注口和所述第三注口底侧,所述第一模头块和所述第二模头块配合呈间隔的V字型结构,所述第一模头块内部设置有调距机构,所述调距机构内部电性连接有所述控制处理器,所述第一模头块底侧靠近底端处固定有所述导向板,所述第二模头块底侧连接有所述微调机构,所述微调机构设置有多组。
所述调距机构包括气动杆、推杆、调节块,所述气动杆固定于所述第一模头块远离所述第二模头块一侧,所述气动杆内部电性连接有所述控制处理器,所述气动杆所述气动杆一侧连接有所述推杆,所述推杆插接于所述第一模头块内部,所述推杆底端连接有所述调节块,所述调节块插接于所述第一模头块靠近所述第二模头块一侧内部,所述调节块底侧贴合有所述导向板。
所述调节块包括推挡块和唇模,所述推挡块一侧连接于所述推杆底端,另一侧固定有所述唇模,所述推挡块和所述唇模顶部固定呈阶梯结构,所述推挡块底部贴合有所述导向板。
如图4所示,所述唇模顶部远离所述推挡块一侧为倒直角结构,所述唇模倒直角结构一侧外伸设置于所述第一模头块侧壁。
所述微调机构包括热导栓、导接块以及膨胀块,所述导接块固定于所述第二模头块底侧,所述导接块内部插接有所述热导栓,所述热导栓底部连接有所述膨胀块,所述膨胀块插接于所述第二模头块靠近所述第一模头块底侧。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1.高厚度均匀性电容器基膜的制备方法,其特征在于:所述基膜包括基膜层,所述基膜层两侧分别平行设置有整平层,所述基膜层和整平层组合为三层高厚度均匀性结构,厚度偏差范围为±1μm;
高厚度均匀性电容器基膜的制备方法,包括以下步骤:
S1、模头装置清理:通过操控模头装置将底部的出口间距调节增大,再将位于出口处残留的熔体形成的固态杂质清除,再恢复模头装置出口间距;
S2、熔融塑化:将多种原料混合,再加热至160-170℃,形成粘流态的熔体;
S3、铸片挤出拉伸:将粘流态的熔体注入模头装置内部,通过模头装置的挤压拉伸,从模头装置的底部出口挤出,挤出的熔体冷却至140℃以下形成玻璃态铸片,然后对铸片进行装夹拉伸,拉伸时铸片温度控制为60-85℃,拉伸后形成基膜状态;
S4、厚度实时监测:基膜经过辊压后运输到厚度检测仪位置,在对经过的基膜进行厚度监测,厚度检测仪在使用前进行了检测厚度预设,厚度达标误差允许范围为±1μm;
S4.1、检测:测量距离为150-300mm,厚度测量精度为±0.1%,精度根据基膜预设厚度设定;
S4.2、判断厚度是否达标:
是,进入步骤S6;
否,进入步骤S5;
S5、模头装置微调:厚度检测仪将厚度未达标数据传输到模头装置,模头装置利用热膨胀结构控制对出口处的间距进行微调,微调厚度范围为0-6μm;
S6、冷却定型:将基膜通过多个冷却辊,对基膜的两面进行冷却,冷却辊的冷却温度依次为80℃和40℃;
S7、风冷收卷:最后将基膜通过风冷为室温后,由卷绕机进行收卷;
所述模头装置包括分导器、共挤模头以及控制处理器,所述分导器内部中心开设有第二注口,所述分导器内部位于所述第二注口两侧对称开设有第一注口和第三注口,所述分导器底侧连接有所述共挤模头,所述共挤模头底侧固定有微调机构,所述微调机构一侧连接有所述控制处理器,所述分导器和所述共挤模头侧壁固定有固挡板;
所述共挤模头包括调距机构、第一模头块、导向板以及第二模头块,所述第一模头块和第二模头块分别倾斜对称固定于所述第一注口和所述第三注口底侧,所述第一模头块和所述第二模头块配合呈间隔的V字型结构,所述第一模头块内部设置有调距机构,所述调距机构内部电性连接有所述控制处理器,所述第一模头块底侧靠近底端处固定有所述导向板,所述第二模头块底侧连接有所述微调机构,所述微调机构设置有多组;
所述调距机构包括气动杆、推杆、调节块,所述气动杆固定于所述第一模头块远离所述第二模头块一侧,所述气动杆内部电性连接有所述控制处理器,所述气动杆一侧连接有所述推杆,所述推杆插接于所述第一模头块内部,所述推杆底端连接有所述调节块,所述调节块插接于所述第一模头块靠近所述第二模头块一侧内部,所述调节块底侧贴合有所述导向板。
2.根据权利要求1所述的高厚度均匀性电容器基膜的制备方法,其特征在于:所述调节块包括推挡块和唇模,所述推挡块一侧连接于所述推杆底端,另一侧固定有所述唇模,所述推挡块和所述唇模顶部固定呈阶梯结构,所述推挡块底部贴合有所述导向板。
3.根据权利要求2所述的高厚度均匀性电容器基膜的制备方法,其特征在于:所述唇模顶部远离所述推挡块一侧为倒直角结构,所述唇模倒直角结构一侧外伸设置于所述第一模头块侧壁。
4.根据权利要求3所述的高厚度均匀性电容器基膜的制备方法,其特征在于:所述微调机构包括热导栓、导接块以及膨胀块,所述导接块固定于所述第二模头块底侧,所述导接块内部插接有所述热导栓,所述热导栓底部连接有所述膨胀块,所述膨胀块插接于所述第二模头块靠近所述第一模头块底侧。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
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Denomination of invention: High thickness uniform capacitor substrate and its preparation method Effective date of registration: 20230906 Granted publication date: 20221216 Pledgee: Xuancheng Kaisheng Financing Guarantee Co.,Ltd. Pledgor: ANHUI SUREPHON CAPACITOR Co.,Ltd. Registration number: Y2023980055578 |