CN112928228A - 功能材料、发光基板及其制备方法和发光装置 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及照明和显示技术领域，尤其涉及一种具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料、发光基板及其制备方法和发光装置。用于解决相关技术中通过蒸镀形成功能层时容易发生结晶堵口的问题。一种具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料，包括：基质材料；以及掺杂在所述基质材料中的结晶抑制剂；其中，所述结晶抑制剂能够抑制所述基质材料在蒸镀过程中结晶，且所述结晶抑制剂具有空穴注入和/或空穴传输功能。

Description

功能材料、发光基板及其制备方法和发光装置
技术领域
本公开涉及照明和显示技术领域，尤其涉及一种具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料、发光基板及其制备方法和发光装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)具有自发光、广视角、反应时间快、发光效率高、工作电压低、基板厚度薄、可制作大尺寸与可弯曲式基板及制程简单等特性，被誉为下一代的“明星”显示技术。
发明内容
本发明的主要目的在于，提供一种具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料、发光基板及其制备方法和发光装置。用于解决相关技术中通过蒸镀形成功能层时容易发生结晶堵口的问题。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一方面，提供一种具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料，包括：基质材料；以及掺杂在所述基质材料中的结晶抑制剂；其中，所述结晶抑制剂能够抑制所述基质材料在蒸镀过程中结晶，且所述结晶抑制剂具有空穴注入和/或空穴传输功能。
在一些实施例中，所述基质材料包括空穴注入材料和空穴传输材料中的至少一种。
在一些实施例中，所述基质材料包括空穴注入材料和空穴传输材料。
在一些实施例中，所述结晶抑制剂选自芳胺的衍生物中的任一种或两种以上的混合材料。
在一些实施例中，所述结晶抑制剂选自N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-联萘胺、N,N'-二(3,4-二甲基苯基)-N,N’-二苯基-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N,N',N'-四(4-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺和4,4′,4”-三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺中的任一种或两种以上的混合材料。
在一些实施例中，以所述具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料的重量份为100份为基准，所述基质材料的重量份为90份～99份；所述结晶抑制剂的重量份为1份～10份。
在一些实施例中，以所述具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料的重量份为100份为基准，所述基质材料的重量份为93份～97份；余量为所述结晶抑制剂。
在一些实施例中，在所述基质材料包括空穴注入材料和空穴传输材料，且所述基质材料的重量份确定的情况下，所述空穴注入材料的重量份为5份～40份，余量为所述空穴传输材料。
在一些实施例中，在所述基质材料包括空穴注入材料和空穴传输材料，且所述基质材料的重量份确定的情况下，所述空穴注入材料的重量份为25份～35份，余量为所述空穴传输材料。
在一些实施例中，所述空穴注入材料选自2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯和三(4-溴苯基)六氯锑酸铵中的任一种或两种以上的混合材料。
在一些实施例中，所述空穴传输材料选自N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1'-联苯-4-4'-二胺(NPB)、三苯基二胺衍生物、TPTE和1,3,5-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)苯中的任一种或两种以上的混合材料。
另一方面，提供一种发光基板，包括：衬底；以及设置于所述衬底上的多个发光器件；至少一个发光器件包括：层叠的第一电极和第二电极，设置于所述第一电极和第二电极之间的发光层；以及设置于所述第一电极和所述发光层之间的一层功能层；所述功能层的材料选自如上所述的具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料。
在一些实施例中，所述发光基板还包括像素界定层，所述像素界定层具有多个开口；所述多个发光器件包括设置于所述像素界定层远离衬底一侧的具有空穴注入和/或空穴传输功能的薄膜，所述具有空穴注入和/或空穴传输功能的薄膜包括位于开口中的部分和位于开口以外的部分，所述具有空穴注入和/或空穴传输功能的薄膜位于开口中的部分构成发光器件所包含的功能层。
在一些实施例中，所述功能层为空穴注入层，所述空穴注入层的厚度为1nm～10nm。
在一些实施例中，所述至少一个发光器件包括发红光的发光器件、发绿光的发光器件和发蓝光的发光器件中的至少一种。
另一方面，提供一种发光装置，包括如上所述的发光基板。
又一方面，提供一种发光基板的制备方法，包括：
在衬底上形成多个发光器件；其中，至少一个发光器件包括：层叠的第一电极和第二电极，形成在所述第一电极和第二电极之间的发光层；以及形成在所述第一电极和所述发光层之间的一层功能层；所述功能层的材料选自如上所述的具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料。
在一些实施例中，在所述发光基板还包括像素界定层，且所述像素界定层具有多个开口的情况下，所述在衬底上形成多个发光器件，包括：
通过蒸镀工艺在所述衬底上且位于所述像素界定层远离所述衬底一侧形成具有空穴注入和/或空穴传输功能的薄膜，所述具有空穴注入和/或空穴传输功能的薄膜包括位于开口中的部分和位于开口以外的部分，所述具有空穴注入和/或空穴传输功能的薄膜位于开口中的部分构成发光器件所包含的功能层。
本公开的实施例提供一种具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料、发光基板及其制备方法和发光装置。针对相关技术中，具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料的基质材料在蒸镀过程中容易发生结晶的问题，通过在基质材料中掺杂结晶抑制剂，均能够起到抑制基质材料结晶的技术效果，而由于该结晶抑制剂具有空穴注入和/或空穴传输功能，因此，在加入该结晶抑制剂后，不会对基质材料本身的性质产生影响，可实现产业化应用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为根据一些实施例的发光基板的剖视结构图；
图2为根据一些实施例的发光基板的俯视结构图；
图3为根据一些实施例的对比例2和实验例3的电压-电流密度曲线图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。
“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。
本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。
另外，“基于”的使用意味着开放和包容性，因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。
如本文所使用的那样，“约”或“近似”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
本公开的一些实施例提供了一种发光装置，该发光装置包括发光基板，当然还可以包括其他部件，例如可以包括用于向发光基板提供电信号，以驱动该发光基板发光的电路，该电路可以称为控制电路，可以包括与发光基板电连接的电路板和/或IC(IntegrateCircuit，集成电路)。
在一些实施例中，该发光装置可以为照明装置，此时，发光装置用作光源，实现照明功能。例如，发光装置可以是液晶显示装置中的背光模组，用于内部或外部照明的灯，或各种信号灯等。
在另一些实施例中，该发光装置可以为显示装置，此时，该发光基板为显示基板，用于实现显示图像(即画面)功能。发光装置可以包括显示器或包含显示器的产品。其中，显示器可以是平板显示器(Flat Panel Display，FPD)，微型显示器等。若按照用户能否看到显示器背面的场景划分，显示器可以是透明显示器或不透明显示器。若按照显示器能否弯折或卷曲，显示器可以是柔性显示器或普通显示器(可以称为刚性显示器)。示例的，包含显示器的产品可以包括：计算机显示器，电视，广告牌，具有显示功能的激光打印机，电话，手机，个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)，膝上型计算机，数码相机，便携式摄录机，取景器，车辆，大面积墙壁，剧院的屏幕或体育场标牌等。
本公开的一些实施例提供了一种发光基板1，如图1所示，该发光基板1包括衬底11、设置在衬底11上的像素界定层12和多个发光器件13。其中，该像素界定层12具有多个开口Q，多个发光器件13可以与多个开口Q一一对应设置。这里的多个发光器件13可以是发光基板1包含的全部或部分发光器件13；多个开口Q可以是像素界定层12上的全部或部分开口。
在多个发光器件13中，至少一个发光器件13可以包括第一电极131、第二电极132，以及设置于第一电极131和第二电极132之间的发光层133，每个发光层133可以包括位于一个开口Q中的部分。
在一些实施例中，如图1所示，该第一电极131可以为阳极，此时，该第二电极132为阴极。在另一些实施例中，该第一电极131可以为阴极，此时，该第二电极132为阳极。
在一些实施例中，阳极的材料可以选自高功函材料，如ITO(Indium Tin Oxides，氧化铟锡)、IZO(Indium Zinc Oxide，氧化铟锌)或复合材料(如Ag/ITO，Al/ITO，Ag/IZO或Al/IZO，其中，“Ag/ITO”是指：由金属银电极和ITO电极堆叠的叠层结构，“Al/ITO”是指：由金属铝电极和ITO电极堆叠的叠层结构，“Ag/IZO”是指：由金属银电极和IZO电极堆叠的叠层结构，“Al/IZO”是指：由金属铝电极和IZO电极堆叠的叠层结构。
在一些实施例中，阴极的材料可以选自低功函材料，如金属材料Mg、Ag、Al、Li、K和Ca等金属材料的一种，或上述金属材料的合金MgxAg(1-x)、LixAl(1-x)、LixCa(1-x)、LixAg(1-x)中的一种，厚度可以为10nm～20nm。其中，在合金MgxAg(1-x)中，x是合金MgxAg(1-x)中金属Mg的质量占比，余量为金属Ag。在合金LixAl(1-x)中，x是合金LixAl(1-x)中金属Li的质量占比，余量为金属Al。依次类推，在合金LixCa(1-x)中，x是合金LixCa(1-x)中金属Li的质量占比，余量为金属钙。在合金LixAg(1-x)中，x是合金LixAg(1-x)中金属Li的质量占比，余量为金属银。
对于OLED发光器件而言，该发光器件13的发光原理为：通过阳极和阴极连接的电路，利用阳极向发光层133注入空穴，阴极向发光层133注入电子，所形成的电子和空穴在发光层133中形成激子，激子通过辐射跃迁回到基态，发出光子。
发光基板1上还可以设置连接各个发光器件13的驱动电路，驱动电路可以与控制电路连接，以根据控制电路输入的电信号，驱动各个发光器件13发光。该驱动电路可以为有源驱动电路或者无源驱动电路。
该发光基板1可以发白光、单色光(单一颜色的光)或颜色可调的光等。
在第一种示例中，该发光基板1可以发白光。此时，如图1所示，至少一个发光器件13包括至少两种发光颜色的发光器件13，如发蓝光的发光器件13B、发绿光的发光器件13G和发红光的发光器件13R。此时，可以通过控制发蓝光的发光器件13B、发绿光的发光器件13G和发红光的发光器件13R同时发光，实现混光，以使发光基板1呈现白光。
在该示例中，该发光基板1可用于照明，即可以应用于照明装置中。
在第二种示例中，该发光基板1可以发单色光。第一种情况，发光基板1包含的多个发光器件13(例如可以是全部的发光器件13)均发单色光(如红光)，此时，每个发光器件13均为发红光的发光器件13R。这时，可以通过驱动每个发光器件13发光，以实现发红光。第二种情况，该发光基板1与第一种示例中所描述的多个发光器件13的结构相类似，此时，可以通过单独驱动发蓝光的发光器件13B、发绿光的发光器件13G和发红光的发光器件13R实现单色发光。
在该示例中，该发光基板1可用于照明，即可以应用于照明装置中，也可以用于显示单一色彩的图像或画面，即可应用于显示装置中。
在第三种示例中，该发光基板1可以发颜色可调的光(即彩色光)，该发光基板1与第一种示例中所描述的多个发光器件的结构相类似的，通过对各个发光器件13的亮度进行控制，即可对该发光基板1发出的混合光的颜色和亮度进行控制，可实现彩色发光。
在该示例中，该发光基板1可用于显示图像或画面，即可应用于显示装置中，当然，该发光基板1也可以用于照明装置中。
在第三种示例中，以该发光基板1为显示基板为例，如全彩显示面板，如图2所示，该发光基板1包括显示区A和设置于显示区A周边的周边区S。显示区A包括多个亚像素区P，每个亚像素区P对应一个开口，一个开口对应一个发光器件，每个亚像素区P中设置有用于驱动对应的发光器件发光的像素驱动电路200。周边区S用于布线，如连接像素驱动电路200的栅极驱动电路100。
在一些实施例中，如图1所示，发光器件13还可以包括：设置于第一电极131和发光层133之间的一层功能层134。
其中，根据第一电极131可以为阳极，可以得知，该功能层134可以为空穴注入层134a、空穴传输层134b和电子阻挡层134c中的任意一层。根据第二电极131可以为阴极，可以得知，该功能层134可以为电子注入层134d、电子传输层134e和空穴阻挡层134f中的任意一层。
在功能层134为空穴注入层134a、空穴传输层134b和电子阻挡层134c中的任意一层的情况下，该功能层134的材料可以选自具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料。
该功能层134可以为电子注入层134d、电子传输层134e和空穴阻挡层134f中的任意一层的情况下，该功能层134的材料可以选自具有电子注入和/或电子传输功能的材料。
在一些实施例中，功能层134的材料选自具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料。也即，该功能层134为空穴注入层134a、空穴传输层134b和电子阻挡层134c中的任意一层，且第一电极131为阳极，第二电极132为阴极。
在一些实施例中，如图1所示，多个发光器件13包括设置于像素界定层12远离衬底11一侧的具有空穴注入和/或空穴传输功能的薄膜300，具有空穴注入和/或空穴传输功能的薄膜300包括位于每个开口Q中的部分和位于每个开口Q以外的部分，具有空穴注入和/或空穴传输功能的薄膜300位于每个开口中的部分Q构成每个发光器件13所包含的功能层134。此时，该具有空穴注入和/或空穴传输功能的薄膜300可以通过蒸镀形成。
示例的，功能层134可以为空穴注入层134a，具有空穴注入和/或空穴传输功能的薄膜300可以通过对具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料(如空穴注入材料)蒸镀形成。
蒸镀是指将待成膜的物质置于真空中进行蒸发或升华，使之在工件或基片表面析出的过程。在蒸镀过程中，使用坩埚盛装有机材料，坩埚口配有坩埚盖，坩埚盖上具有多个喷嘴，通过对坩埚进行加热，使其中的有机材料从喷嘴喷出至基板上成膜。
需要说明的是，在相关技术中，在通过蒸镀形成具有空穴注入和/或空穴传输功能的薄膜300，以形成相应的功能层134的情况下，对于某些具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料而言，容易在蒸镀过程中出现材料结晶现象，从而使得在量产过程中发生结晶堵口的问题，并会对器件的热稳定性产生影响。
基于此，本公开的一些实施例提供一种具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料，包括：基质材料，以及掺杂在基质材料中的结晶抑制剂。其中，结晶抑制剂能够抑制基质材料在蒸镀过程中结晶，且结晶抑制剂具有空穴注入和/或空穴传输功能。
其中，根据该具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料可以用于制作空穴注入层134a、空穴传输层134b和电子阻挡层134c中的任意一层，可以得知，该具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料可以为空穴注入材料、空穴传输材料和电子阻挡材料中的一种或两种以上的混合材料。
示例的，在该具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料用于制作空穴注入层134a的情况下，该具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料侧重于具有较好的空穴注入效果，在应用时，可以用于减小阴极和空穴传输层134b之间的能级差，这时，基质材料可以选自空穴注入材料，或者空穴注入材料和空穴传输材料的混合材料，或者掺杂有p型掺杂材料的空穴传输材料等。
在该具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料用于制作空穴传输层134b的情况下，该具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料侧重于具有较好的空穴传输效果，相比于空穴注入材料而言，需要具有较高的空穴迁移率，材料的HOMO(highest occupied molecularorbital，最高占据分子轨道)能级介于空穴注入层134a和发光层133之间，因此，在此情况下，基质材料可以选自空穴传输材料。
在该具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料用于制作电子阻挡层134c的情况下，该具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料在具有较好的空穴传输效果的同时，还具有一定的电子阻挡作用，材料的LUMO(lowest unoccupied molecular orbital，最低未占据分子轨道)能级较高，因此，在此情况下，基质材料可以选自电子阻挡材料。
无论以上哪种情况，针对基质材料在蒸镀过程中容易发生结晶，通过在基质材料中掺杂结晶抑制剂，均能够起到抑制基质材料结晶的技术效果，而由于该结晶抑制剂具有空穴注入和/或空穴传输功能，因此，在加入该结晶抑制剂后，不会对基质材料本身的性质产生影响，可实现产业化应用。
其中，对结晶抑制剂的具体材料不做限定，只要在基质材料中掺杂结晶抑制剂之后，能够抑制基质材料在蒸镀过程中结晶，且不对基质材料本身的性质产生影响即可。
在一些实施例中，结晶抑制剂选自芳胺的衍生物中的任一种或两种以上的混合材料。在这些实施例中，由于芳胺的衍生物本身在蒸镀中成膜较为致密，很难发生结晶，因此，通过选用芳胺的衍生物作为结晶抑制剂，与容易发生结晶的基质材料一起蒸镀，即可达到抑制基质材料结晶的目的。
在一些实施例中，结晶抑制剂选自N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-联萘胺、N,N'-二(3,4-二甲基苯基)-N,N’-二苯基-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N,N',N'-四(4-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺和4,4′,4”-三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺中的任一种或两种以上的混合材料。
其中，对结晶抑制剂的掺杂量不做具体限定，针对不同性质和功能的基质材料，结晶抑制剂的掺杂量也可以不同。
在一些实施例中，以具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料的重量份为100份为基准，基质材料的重量份可以为90份～99份，结晶抑制剂的重量份为1份～10份。
重量份是表示几种物质各占有的质量比例，这里以1份为1g为例，则具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料的总质量为100g，基质材料的质量可以为90g～99g，余量则为结晶抑制剂。
示例的，具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料的总质量为100g，基质材料的质量为90g的情况下，结晶抑制剂的质量为100g减90g，等于10g。基质材料的质量为91g的情况下，结晶抑制剂的质量为100g减91g，等于9g，基质材料的质量为92g的情况下，结晶抑制剂的质量为100g减92g，等于8g，依次类推，…基质材料的质量为99g的情况下，结晶抑制剂的质量为100g减99g，等于1g。
在这些实施例中，在此质量占比下，结晶抑制剂即可起到抑制结晶，并不对基质材料本身的性质造成影响的技术效果。
为了进一步减少结晶，在一些实施例中，以具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料的重量份为100份为基准，基质材料的重量份为93份～97份；结晶抑制剂的重量份为3份～7份。
针对在相关技术中，空穴注入层134a和空穴传输层134b通过蒸镀形成，可以得知，在一些实施例中，基质材料包括空穴注入材料和空穴传输材料中的至少一种。也即，以上功能层134为空穴注入层134a或空穴传输层134b。
在这些实施例中，在基质材料包括空穴注入材料的情况下，功能层134为空穴注入层134a。在基质材料包括空穴传输材料的情况下，具有两种情况，第一种情况，空穴传输材料中掺杂有p型掺杂材料，功能层134为空穴注入层134a。第二种情况，空穴传输材料中不掺杂p型掺杂材料，功能层134为空穴传输层134b。无论以上哪种情况，通过在基质材料中掺杂结晶抑制剂，均能够起到抑制基质材料结晶的技术效果，因此，与相关技术中通过蒸镀形成具有空穴注入和/或空穴传输功能的薄膜300相比，能够解决相关技术中，在通过蒸镀形成具有空穴注入和/或空穴传输功能的薄膜300，以形成功能层134，容易在蒸镀过程中出现材料结晶现象，从而使得在量产过程中发生结晶堵口的问题。同时，通过实验发现，与在相关技术中，将空穴传输材料中掺杂p型掺杂材料作为基质材料直接用于蒸镀相比，通过在基质材料中掺杂结晶抑制剂，还能够在一定程度上减小在相关技术中，在空穴传输材料中掺杂p型掺杂材料，使得空穴迁移率过高所导致的发红光的发光器件、发蓝光的发光器件和发绿光的发光器件之间的信号串扰不良的问题。
在一些实施例中，基质材料包括空穴注入材料和空穴传输材料。其中，空穴注入材料和空穴传输材料中可以掺杂或不掺杂p型掺杂材料。可以根据实际应用进行设置。在这些实施例中，具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料可以作为空穴注入层的制作材料，该功能层134可以为空穴注入层134a，该空穴注入层134a的厚度可以为1nm～10nm。
在一些实施例中，空穴注入材料选自2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(2,3,6,7,10,11-HexaazatriphenylenehexacabonitrileSynonym，HAT-CN)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌(2,3,5,6-Tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane，F4-TCNQ)和三(4-溴苯基)六氯锑酸铵(Tris(4-bromophenyl)ammoniumylhexachloroantimonate，TBAHA)中的任一种或两种以上的混合材料。
在一些实施例中，空穴传输材料选自N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1'-联苯-4-4'-二胺(N,N'-Bis(1-naphthalenyl)-N,N'-bisphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine，NPB)、三苯基二胺衍生物(N,N′-diphenyl-N,N′-bis(3-methylphenyl)-1,1-biphenyl-4,4′-diamine，TPD)、TPTE和1,3,5-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)苯(1,3,5-Tris(diphenylamino)benzene，TDAB)中的任一种或两种以上的混合材料。
在一些实施例中，在基质材料包括空穴注入材料和空穴传输材料，且基质材料的重量份确定的情况下，空穴注入材料的重量份为5份～40份，余量为空穴传输材料。
也即，在基质材料的重量份为90份～99份的情况下，由于空穴注入材料的重量份为5份～40份，因此，空穴传输材料的重量份可以为50份～94份。
这里，仍然以1份为1g为例，则基质材料的质量为90g～99g，空穴注入材料的质量为5g～40g，余量为空穴传输材料。
示例的，以基质材料的质量为90g为例，在空穴注入材料的质量为5g的情况下，空穴传输材料的质量为90g减5g，等于85g，在空穴注入材料的质量为40g的情况下，空穴传输材料的质量为90g减40g，等于50g，在空穴注入材料的质量为20g的情况下，空穴传输材料的质量为90g减20g，等于70g，在空穴注入材料的质量为30g的情况下，空穴传输材料的质量为90g减30g，等于60g。
以基质材料的质量为99g为例，在空穴注入材料的质量为5g的情况下，空穴传输材料的质量为99g减5g，等于94g，在空穴注入材料的质量为40g的情况下，空穴传输材料的质量为99g减40g，等于59g，在空穴注入材料的质量为20g的情况下，空穴传输材料的质量为99g减20g，等于79g，在空穴注入材料的质量为30g的情况下，空穴传输材料的质量为99g减30g，等于69g。
在一些实施例中，在上述基质材料的重量份确定的情况下，空穴注入材料的重量份为25份～35份，余量为空穴传输材料。
也即，在基质材料的重量份为90份～99份的情况下，由于空穴注入材料的重量份为25份～35份，因此，空穴传输材料的重量份可以为55份～74份。
在此，仍然以1份为1g为例，则基质材料的质量为90g～99g，空穴注入材料的质量为25g～40g，余量为空穴传输材料。
其中，以基质材料的质量为90g为例，在空穴注入材料的质量为25g的情况下，空穴传输材料的质量为90g减25g，等于65g。在空穴注入材料的质量为35g的情况下，空穴传输材料的质量为90g减35g，等于55g。在空穴注入材料的质量为30g的情况下，空穴传输材料的质量为90g减30g，等于60g。
以基质材料的质量为99g为例，在空穴注入材料的质量为25g的情况下，空穴传输材料的质量为99g减25g，等于74g。在空穴注入材料的质量为35g的情况下，空穴传输材料的质量为99g减35g，等于64g。在空穴注入材料的质量为30g的情况下，空穴传输材料的质量为99g减30g，等于69g。
以基质材料的质量为93g为例，在空穴注入材料的质量为25g的情况下，空穴传输材料的质量为93g减25g，等于68g。在空穴注入材料的质量为35g的情况下，空穴传输材料的质量为93g减35g，等于58g。在空穴注入材料的质量为30g的情况下，空穴传输材料的质量为93g减30g，等于63g。
以基质材料的质量为97g为例，在空穴注入材料的质量为25g的情况下，空穴传输材料的质量为97g减25g，等于72g。在空穴注入材料的重量份为35g的情况下，空穴传输材料的质量为97g减35g，等于62g。在空穴注入材料的质量为30g的情况下，空穴传输材料的质量为97g减30g，等于67g。
以基质材料的质量为95g为例，在空穴注入材料的质量为25g的情况下，空穴传输材料的质量为95g减25g，等于70g。在空穴注入材料的质量为35g的情况下，空穴传输材料的质量为95g减35g，等于60g。在空穴注入材料的质量为30g的情况下，空穴传输材料的质量为95g减30g，等于65g。
在一些实施例中，在上述具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料用于空穴注入层134a，且发光器件13还可以包括空穴传输层134b、电子阻挡层134c、电子注入层134d、电子传输层134e和空穴阻挡层134f中的至少一个的情况下，空穴传输层134b的材料可以选自N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1'-联苯-4-4'-二胺(N,N'-Bis(1-naphthalenyl)-N,N'-bisphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine，NPB)、三苯基二胺衍生物(N,N′-diphenyl-N,N′-bis(3-methylphenyl)-1,1-biphenyl-4,4′-diamine，TPD)、TPTE和1,3,5-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)苯(1,3,5-Tris(diphenylamino)benzene，TDAB)中的任一种或两种以上的混合材料，厚度可以为100～130nm。
电子阻挡层134c的材料可以选自2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)1,3,4-二唑和3(联苯基)-4-苯-5-(4-叔丁基苯基)-4H-1,2,4-三唑中的任一种或两种以上的混合材料，厚度可以为5nm～10nm。
电子注入层134d的材料可以选自碱金属氟化物MF(M可以选择Li、Na、K、Rb、Cs等)、Li2O和LiBO2中的任一种或两种以上的混合材料，厚度可以为5nm～10nm。
电子传输层134e的材料选自2-(4-联苯基)-5-苯基恶二唑(2-(4-Biphenylyl)-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole，PBD)、2,5-二(1-萘基)-1,3,4-恶二唑(2,5-Di(1-naphthyl)-1,3,4-oxadiazole，BND)和2,4,6-三苯氧基-1,3,5-三嗪(1,3,5-Triazine,2,4,6-triphenoxy，TRZ)中的任一种或两种以上的混合材料，厚度可以为10nm～40nm。
在一些实施例中，发光基板1还可以包括设置于衬底11上，且位于多个发光器件13远离衬底一侧的光取出层14。光取出层14被配置为将多个发光器件13发出的光取出。也即该发光基板1可以为顶发光型发光基板。
其中，光取出层14是利用光的折射和全反射，通过折射率较高的材料制作光取出层14，打破发光器件13内部的全反射，从而将光提取出来。
光取出层14的材料的折射率可以大于或等于1.8。
本公开的一些实施例提供一种发光基板的制备方法，包括：
在衬底11上形成多个发光器件13。其中，至少一个发光器件13中的一层功能层134的材料选自上述具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料。该具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料包括基质材料，以及掺杂在基质材料中的结晶抑制剂，结晶抑制剂能够抑制基质材料在蒸镀过程中结晶，且结晶抑制剂具有空穴注入和/或空穴传输功能。
在一些实施例中，在发光基板1包括像素界定层12，像素界定层12具有多个开口Q的情况下，在衬底11上形成多个发光器件13，可以包括：
通过蒸镀工艺在衬底11上且位于像素界定层12远离衬底11一侧形成具有空穴注入和/或空穴传输功能的薄膜300，具有空穴注入和/或空穴传输功能的薄膜300包括位于每个开口Q中的部分和位于每个开口Q以外的部分，具有空穴注入和/或空穴传输功能的薄膜300位于每个开口Q中的部分构成每个发光器件13所包含的功能层134。
在这些实施例中，可以通过对具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料以蒸镀的方式在衬底11上形成具有空穴注入和/或空穴传输功能的薄膜300，即可在衬底11上形成每个发光器件13所包含的功能层134(如空穴注入层134a)。在此过程中，由于具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料包括基质材料和结晶掺杂剂，因此，在基质材料选自空穴注入材料的情况下，与单独蒸镀空穴注入材料相比，结晶掺杂剂的加入能够避免发生结晶堵口等问题，与空穴传输材料与p型掺杂材料共同蒸镀相比，可以在空穴传输材料中加大p型掺杂材料的掺杂量，亦不会出现发红光的发光器件、发蓝光的发光器件和发绿光的发光器件之间的信号串扰不良的问题。解决了相关技术中在单独蒸镀空穴注入材料时，容易发生结晶堵口和器件热稳定性差的问题，以及在空穴传输材料和p型掺杂材料共同蒸镀容易出现发红光的发光器件、发蓝光的发光器件和发绿光的发光器件之间的信号串扰不良的问题的缺陷。
其中，以上仅是以功能层为空穴注入层134a为例进行的描述，本领域技术人员能够理解的是，在功能层134为空穴传输层134b的情况下，以上方法也同样适用。
在一些实施例中，在该发光基板1还包括光取出层14的情况下，该发光基板1的制备方法还可以包括：通过蒸镀或喷墨打印工艺形成光取出层14。
为了对本公开提供的实施例的技术效果进行客观评价，以下，将以对比例和实验例对本公开进行示例性地描述。
其中，需要说明的是，在以下的对比例和实验例中，均是以功能层134作为空穴注入层134a为例进行的说明，其余功能材料层如空穴传输层134b、空穴阻挡层134f、电子注入层134d、电子传输层134e、电子阻挡层134c，甚至红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层所采用的材料、厚度和制备方法均相同，且功能层134是在形成有像素界定层12的衬底11上通过蒸镀进行制备。以下，将仅对在发光基板1在制作过程中功能层134的材料和制备方法进行描述。
对比例1
在对比例1中，功能层134的材料选自空穴注入材料，如2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(2,3,6,7,10,11-HexaazatriphenylenehexacabonitrileSynonym，HAT-CN)，通过蒸镀在形成有像素界定层12的衬底11上形成具有空穴注入功能的薄膜。
对比例2
在对比例2中，功能层134的材料选自空穴传输材料，如N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1'-联苯-4-4'-二胺(N,N'-Bis(1-naphthalenyl)-N,N'-bisphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine，NPB)，且空穴传输材料中掺杂有p型掺杂材料。通过蒸镀在形成有像素界定层12的衬底11上形成具有空穴注入功能的薄膜。
对比例3
在对比例3中，功能层134的材料选自空穴注入材料和空穴传输材料，如三(4-溴苯基)六氯锑酸铵(Tris(4-bromophenyl)ammoniumylhexachloroantimonate，TBAHA)和N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1'-联苯-4-4'-二胺(N,N'-Bis(1-naphthalenyl)-N,N'-bisphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine，NPB)。其中，空穴注入材料和空穴传输材料的质量比例如为30：70，通过蒸镀在形成有像素界定层12的衬底11上形成具有空穴注入功能的薄膜。
实验例1
在实验例1中，功能层134的材料选自空穴注入材料和结晶抑制剂，其中，空穴注入材料与对比例1中空穴注入材料相同，结晶抑制剂为N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺，空穴注入材料和结晶抑制剂的质量比为90：10，通过蒸镀在形成有像素界定层12的衬底11上形成具有空穴注入功能的薄膜。
实施例2
在实验例2中，功能层134的材料选自空穴传输材料和结晶抑制剂，其中，空穴传输材料与对比例2中空穴传输材料相同，结晶抑制剂为N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺，空穴传输材料和结晶抑制剂的质量比为97：3，通过蒸镀在形成有像素界定层12的衬底11上形成具有空穴注入功能的薄膜。
实验例3
在实验例3中，功能层134的材料选自空穴注入材料、空穴传输材料和结晶抑制剂，其中，空穴注入材料和空穴传输材料与对比例3中的空穴注入材料和空穴传输材料相同，结晶抑制剂为N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺，空穴注入材料、空穴传输材料和结晶抑制剂的质量比为30：69：1，通过蒸镀在形成有像素界定层12的衬底11上形成具有空穴注入功能的薄膜。
在制作的发光基板中，通过实验发现，对比例1、对比例2和对比例3中在蒸镀过程中均会出现结晶堵口问题，而实验例1与对比例1相比，能够改善蒸镀过程中的结晶堵口问题。实验例2与对比例2相比，能够改善蒸镀过程中的结晶堵口问题。实验例3与对比例3相比，能够改善蒸镀过程中的结晶堵口问题。而对比例2和对比例3中在蒸镀完成后均出现了发红光的发光器件、发绿光的发光器件和发蓝光的发光器件的信号串扰不良的问题，而相应地，实验例2和实验例3中均不会出现信号串扰不良的问题。
在以上基础上，通过对对比例2和实验例3所获得的器件性能进行测试，得到如图3所示的电压-电流密度曲线图。由图3可知，对比例2和实验例3所制备的器件的电学性能基本相同，并不存在明显的电学性能不良的问题，可见，通过在基质材料中添加结晶抑制剂，不仅能够解决相关技术中的堵口问题和信号串扰问题，还能够达到一定的电学性能要求，具有良好的应用价值。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (18)

1.一种具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料，包括：
基质材料；以及
掺杂在所述基质材料中的结晶抑制剂；
其中，所述结晶抑制剂能够抑制所述基质材料在蒸镀过程中结晶，且所述结晶抑制剂具有空穴注入和/或空穴传输功能。
2.根据权利要求1所述的具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料，其中，
所述基质材料包括空穴注入材料和空穴传输材料中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料，其中，
所述基质材料包括空穴注入材料和空穴传输材料。
4.根据权利要求1～3任一项所述的具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料，其中，
所述结晶抑制剂选自芳胺的衍生物中的任一种或两种以上的混合材料。
5.根据权利要求4所述的具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料，其中，
所述结晶抑制剂选自N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-联萘胺、N,N'-二(3,4-二甲基苯基)-N,N’-二苯基-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N,N',N'-四(4-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺和4,4′,4”-三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺中的任一种或两种以上的混合材料。
6.根据权利要求1～3任一项所述的具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料，其中，
以所述具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料的重量份为100份为基准，所述基质材料的重量份为90份～99份；所述结晶抑制剂的重量份为1份～10份。
7.根据权利要求6所述的具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料，其中，
以所述具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料的重量份为100份为基准，所述基质材料的重量份为93份～97份；余量为所述结晶抑制剂。
8.根据权利要求6所述的具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料，其中，
在所述基质材料包括空穴注入材料和空穴传输材料，且所述基质材料的重量份确定的情况下，所述空穴注入材料的重量份为5份～40份，余量为所述空穴传输材料。
9.根据权利要求8所述的具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料，其中，
在所述基质材料包括空穴注入材料和空穴传输材料，且所述基质材料的重量份确定的情况下，所述空穴注入材料的重量份为25份～35份，余量为所述空穴传输材料。
10.根据权利要求2或3所述的具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料，其中，
所述空穴注入材料选自2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯和三(4-溴苯基)六氯锑酸铵中的任一种或两种以上的混合材料。
11.根据权利要求2或3所述的具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料，其中，
所述空穴传输材料选自N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1'-联苯-4-4'-二胺(NPB)、三苯基二胺衍生物、TPTE和1,3,5-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)苯中的任一种或两种以上的混合材料。
12.一种发光基板，包括：
衬底；以及
设置于所述衬底上的多个发光器件；
至少一个发光器件包括：层叠的第一电极和第二电极，设置于所述第一电极和第二电极之间的发光层；以及设置于所述第一电极和所述发光层之间的一层功能层；
所述功能层的材料选自如权利要求1～11任一项所述的具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料。
13.根据权利要求12所述的发光基板，其中，
所述发光基板还包括像素界定层，所述像素界定层具有多个开口；
所述多个发光器件包括设置于所述像素界定层远离衬底一侧的具有空穴注入和/或空穴传输功能的薄膜，所述具有空穴注入和/或空穴传输功能的薄膜包括位于开口中的部分和位于开口以外的部分，所述具有空穴注入和/或空穴传输功能的薄膜位于开口中的部分构成发光器件所包含的功能层。
14.根据权利要求12或13所述的发光基板，其中，
所述功能层为空穴注入层，所述空穴注入层的厚度为1nm～10nm。
15.根据权利要求12所述的发光基板，其中，
所述至少一个发光器件包括发红光的发光器件、发绿光的发光器件和发蓝光的发光器件中的至少一种。
16.一种发光装置，包括如权利要求12～15任一项所述的发光基板。
17.一种发光基板的制备方法，包括：
在衬底上形成多个发光器件；
其中，至少一个发光器件包括：层叠的第一电极和第二电极，形成在所述第一电极和第二电极之间的发光层；以及形成在所述第一电极和所述发光层之间的一层功能层；
所述功能层的材料选自如权利要求1～11任一项所述的具有空穴注入和/或空穴传输功能的材料。
18.根据权利要求17所述的发光基板的制备方法，其中，
在所述发光基板还包括像素界定层，且所述像素界定层具有多个开口的情况下，所述在衬底上形成多个发光器件，包括：
通过蒸镀工艺在所述衬底上且位于所述像素界定层远离所述衬底一侧形成具有空穴注入和/或空穴传输功能的薄膜，所述具有空穴注入和/或空穴传输功能的薄膜包括位于开口中的部分和位于开口以外的部分，所述具有空穴注入和/或空穴传输功能的薄膜位于开口中的部分构成发光器件所包含的功能层。
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