CN112928142B - 电致发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开一种电致发光显示装置及其制造方法。所述电致发光显示装置包括：基板；在基板上的第一电极；在基板上并且与第一电极分隔开的连接图案；覆盖第一电极的边缘和连接图案的边缘的堤部；在第一电极上的发光层；和在发光层、堤部和连接图案上的第二电极，其中连接图案包括平坦部和至少一个凸起部，并且其中第一电极和连接图案的每一个包括第一层和第二层，第二层设置在基板与第一层之间，并且连接图案的第二层具有至少一个凸起部。

Description

电致发光显示装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2019年12月6日提交的韩国专利申请No.10-2019-0161471的优先权，通过引用将该专利申请整体并入本文。
技术领域
本发明涉及一种电致发光显示装置，更具体地，涉及一种具有大尺寸和高清晰度的电致发光显示装置及其制造方法。
背景技术
作为一种平板显示装置，电致发光显示装置因为是自发光的而相较于液晶显示装置具有宽视角，并且因不需要背光单元而具有厚度薄、重量轻和功耗低的优点。
此外，电致发光显示装置由较低的直流(DC)电压驱动并且具有快速响应时间。此外，电致发光显示装置因其部件是固体而具有较强的耐外部冲击性并且在较宽的温度范围内使用，特别是，电致发光显示装置可以以低成本制造。
电致发光显示装置包括多个像素，每个像素具有红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，并且通过使红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素选择性地发光来显示各种彩色图像。
红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素分别具有红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，并且通过真空热蒸镀工艺(其中使用精细金属掩模(FMM)选择性地沉积发光材料)来形成每个发光层。
然而，蒸镀工艺由于掩模的制备而增加了制造成本，并且由于掩模的制造偏差、下垂、阴影效应等，在应用于大尺寸和高清晰度显示装置时存在问题。
发明内容
因此，本发明旨在提供一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题的电致发光显示装置及其制造方法。
本发明的目的是提供一种具有大尺寸和高清晰度的电致发光显示装置及其制造方法。
在下面的描述中将列出本发明的附加特征和优点，这些特征和优点的一部分根据下面的描述将变得显而易见或者可通过本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其他优点。
为了实现这些和其他优点并根据本发明的意图，如在此具体化和概括描述的，提供了一种电致发光显示装置，包括：基板；在所述基板上的第一电极；在所述基板上并且与所述第一电极分隔开的连接图案；覆盖所述第一电极的边缘和所述连接图案的边缘的堤部；在所述第一电极上的发光层；和在所述发光层、所述堤部和所述连接图案上的第二电极，其中所述连接图案包括平坦部和至少一个凸起部，并且其中所述第一电极和所述连接图案的每一个包括第一层和第二层，所述第二层设置在所述基板与所述第一层之间，并且所述连接图案的第二层具有所述至少一个凸起部。
在另一个方面中，一种制造电致发光显示装置的方法包括：在基板上形成第一电极和连接图案；在所述第一电极和所述连接图案上形成堤部；在所述第一电极上形成发光层；和在所述发光层、所述堤部和所述连接图案上形成第二电极，其中所述连接图案包括平坦部和至少一个凸起部，并且其中所述第一电极和所述连接图案的每一个包括第一层和第二层，所述第二层设置在所述基板与所述第一层之间，并且所述连接图案的第二层具有所述至少一个凸起部。
应当理解，前面的大体性描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的，意在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
被包括用来对本发明提供进一步理解且被并入并构成本申请的一部分的附图图解了本发明的实施方式并且与说明书一起用来解释本发明的原理。在附图中：
图1是根据本发明实施方式的电致发光显示装置的一个像素区域的电路图；
图2是根据本发明实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图；
图3是与图2的线I-I’对应的剖面图；
图4是与图2的线II-II’对应的剖面图；
图5是根据本发明实施方式的电致发光显示装置的像素的示意性平面图；
图6和图7是图5的区域A1的放大平面图；
图8是根据本发明实施方式的电致发光显示装置的示意性剖面图；
图9A至图9H是示意性图解根据本发明实施方式的电致发光显示装置的制造工艺的剖面图；
图10A和图10B是示出根据本发明实施方式的连接图案的孔和凸起部的扫描电子显微镜(SEM)图片。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的示例性实施方式进行描述，附图中图解了这些实施方式的一些例子。
根据本发明实施方式的电致发光显示装置包括显示图像的多个像素，多个像素的每一个包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。对应于每个子像素的像素区域可具有图1中所示的构造。
图1是根据本发明实施方式的电致发光显示装置的一个像素区域的电路图。
在图1中，根据本发明实施方式的电致发光显示装置包括彼此交叉的多条栅极线和多条数据线，以限定多个像素区域。特别是，在图1的示例中，栅极线GL和数据线DL彼此交叉以限定像素区域P。每个像素区域P中形成有开关薄膜晶体管Ts、驱动薄膜晶体管Td、存储电容器Cst和发光二极管De。
更具体地，开关薄膜晶体管Ts的栅极电极连接至栅极线GL，并且开关薄膜晶体管Ts的源极电极连接至数据线DL。驱动薄膜晶体管Td的栅极电极连接至开关薄膜晶体管Ts的漏极电极，并且驱动薄膜晶体管Td的源极电极连接至高电压电源VDD。发光二极管De的阳极连接至驱动薄膜晶体管Td的漏极电极，并且发光二极管De的阴极连接至低电压电源VSS。存储电容器Cst连接至驱动薄膜晶体管Td的栅极电极和漏极电极。
电致发光显示装置被驱动以显示图像。例如，当开关薄膜晶体管Ts利用通过栅极线GL施加的栅极信号导通时，来自数据线DL的数据信号通过开关薄膜晶体管Ts施加至驱动薄膜晶体管Td的栅极电极和存储电容器Cst的一个电极。
当驱动薄膜晶体管Td利用数据信号导通时，流过发光二极管De的电流被控制，由此显示图像。由于从高电压电源VDD通过驱动薄膜晶体管Td提供的电流，发光二极管De发光。
就是说，流过发光二极管De的电流量与数据信号的大小成比例，并且由发光二极管De发射的光的强度与流过发光二极管De的电流量成比例。因而，像素区域P根据数据信号的大小显示不同灰度级，结果电致发光显示装置显示图像。
此外，当开关薄膜晶体管Ts截止时，存储电容器Cst将对应于数据信号的电荷保持一帧。因此，即使开关薄膜晶体管Ts截止，存储电容器Cst仍使流过发光二极管De的电流量恒定并且使由发光二极管De显示的灰度级一直保持到下一帧。
同时，除了开关薄膜晶体管Ts、驱动薄膜晶体管Td和存储电容器Cst以外，还可在像素区域P中增加一个或多个薄膜晶体管和/或电容器。
例如，在电致发光显示装置中，在数据信号施加至驱动薄膜晶体管Td的栅极电极的同时驱动薄膜晶体管Td导通相对较长的时间并且发光二极管De发光，由此显示灰度级。由于长时间施加数据信号，驱动薄膜晶体管Td可劣化。因此，驱动薄膜晶体管Td的迁移率和/或阈值电压Vth发生变化，因而电致发光显示装置的像素区域P关于同一数据信号显示出不同的灰度级。这导致不均匀的亮度，由此降低电致发光显示装置的图像质量。
因此，为了补偿驱动薄膜晶体管Td的迁移率和/或阈值电压的变化，可在像素区域P中进一步增加用于感测电压变化的至少一个感测薄膜晶体管和/或电容器。感测薄膜晶体管和/或电容器可连接至用于施加基准电压并且输出感测电压的基准线。
图2是根据本发明实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图，主要显示了堤部构造。
在图2中，根据本发明实施方式的电致发光显示装置包括显示图像的显示区域DA和围绕显示区域DA的非显示区域NDA。
在显示区域DA中，设置有红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B。红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B沿第一方向依次地布置，并且相同颜色子像素R、G和B沿第二方向布置。例如，R子像素、G子像素和B子像素依次沿第一方向(例如，水平向)重复布置，而R子像素的列、G子像素的列和B子像素的列依次沿第二方向(例如，垂直方向)重复布置。在此，示出了红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B的每一个具有矩形形状，但不限于此。红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B的每一个可具有各种形状，比如具有圆化的角部的矩形形状、椭圆形形状等。
在非显示区域NDA中，设置有多个虚拟子像素DP。图中示出了在显示区域DA中的第一方向的每个子像素行的左侧和右侧以及第二方向的每个子像素列的上侧和下侧的每一侧设置一个虚拟子像素DP，但虚拟子像素DP的数量不限于此。例如，可在每个子像素行的左侧和右侧的每一侧设置两个或更多个虚拟子像素DP，并且可在每个子像素列的上侧和下侧的每一侧设置两个或更多个虚拟子像素DP。
对应于显示区域DA的子像素R、G和B以及非显示区域NDA的虚拟子像素DP来设置堤部。堤部包括具有亲水特性的第一堤部172和具有疏水特性的第二堤部174。
更具体地，第一堤部172设置在显示区域DA中的相邻的相同颜色子像素R、G、B之间以及相邻的不同颜色子像素R、G、B之间。第一堤部172可围绕每个子像素R、G和B。
可选地，在相邻的不同颜色子像素R、G和B之间可省略第一堤部172。就是说，第一堤部172可形成在沿第二方向相邻的子像素R、G、B之间并且可沿第一方向延伸。
第二堤部174设置在第一堤部172上。第二堤部174具有与相同颜色子像素列对应的开口174a并且设置在相邻的不同颜色子像素R、G、B之间。开口174a可延伸到沿第二方向与相同颜色子像素列相邻的虚拟子像素DP中。
此外，开口174a也形成为对应于沿第二方向的虚拟子像素列。
因此，开口174a沿第二方向延伸，并且开口174a具有比第一方向的长度长的第二方向的长度。就是说，开口174a具有与第一方向平行的短边和与第二方向平行的长边。此时，第二堤部174可具有比相邻的不同颜色子像素R、G、B之间的第一堤部172窄的宽度。
将参照图3和图4描述根据本发明实施方式的电致发光显示装置的剖面结构。
图3是与图2的线I-I’对应的剖面图，图4是与图2的线II-II’对应的剖面图。
在图3和图4中，在基板100上限定有分别对应于红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B的多个像素区域P以及虚拟子像素区域DP，并且在基板100上依次地形成缓冲层120、薄膜晶体管T、钝化层150和涂覆层(overcoat layer)155。
在此，薄膜晶体管T包括栅极电极、半导体层、源极电极和漏极电极，这在稍后将详细描述。
尽管图中未示出，但可在缓冲层120与钝化层150之间进一步形成一个或多个绝缘层。
在每个像素区域P中，涂覆层155与钝化层150一起具有暴露薄膜晶体管T的一部分，即，漏极电极的漏极接触孔155a。
在涂覆层155上的每个像素区域P中形成第一电极160，并且在涂覆层155上的虚拟子像素区域DP中形成虚拟电极164。第一电极160通过漏极接触孔155a与薄膜晶体管T的漏极电极接触。
另一方面，钝化层150和涂覆层155在虚拟子像素区域DP中不具有漏极接触孔，虚拟电极164不连接至虚拟子像素区域DP中的薄膜晶体管T。
同时，形成虚拟子像素区域DP中的虚拟电极164和薄膜晶体管T，使得虚拟子像素区域DP中的顶表面可与像素区域P中的顶表面基本齐平。在虚拟子像素区域DP中可省略虚拟电极164和薄膜晶体管T中的至少一个。
在第一电极160和虚拟电极164上形成具有亲水特性的第一堤部172。第一堤部172与像素区域P的第一电极160的边缘交叠并覆盖第一电极160的边缘。第一堤部172形成在相邻的相同颜色子像素R、G、B之间以及相邻的不同颜色子像素R、G、B之间。可选地，在相邻的不同颜色子像素R、G、B之间可省略第一堤部172，第一堤部172可仅设置在相邻的相同颜色子像素R、G、B之间。
此外，第一堤部172与虚拟子像素区域DP的虚拟电极164的边缘交叠并覆盖虚拟电极164的边缘。
第一堤部172可由具有亲水特性的材料，例如，诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)之类的无机绝缘材料形成。可选地，第一堤部172可由聚酰亚胺形成。
在第一堤部172上形成具有疏水特性的第二堤部174。第二堤部174具有比第一堤部172厚的厚度。第二堤部174仅形成在相邻的不同颜色子像素R、G、B之间，不形成在相邻的相同颜色子像素R、G、B之间。第二堤部174的宽度比相邻的不同颜色子像素R、G、B之间的第一堤部172的宽度窄。
第二堤部174具有与相同颜色子像素列对应的开口174a并且通过开口174a暴露相同颜色子像素列的第一电极162和相邻第一电极162之间的第一堤部172。此外，开口174a延伸到与相同颜色子像素列相邻的虚拟子像素区域DP中，并且通过开口174a暴露虚拟电极164。
在此，当在相邻的不同颜色子像素R、G、B之间省略第一堤部172时，第二堤部174与图3的每个第一电极160的边缘接触和交叠并且覆盖图3的每个第一电极160的边缘。
第二堤部174可由具有疏水特性的有机绝缘材料形成。可选地，第二堤部174可由具有亲水特性的有机绝缘材料形成并且可经受疏水处理。
第一堤部172和第二堤部174可由相同材料形成并且形成为一体。此时，可通过半色调掩模工艺形成第一堤部172和第二堤部174。
在每个像素区域P中，在通过第二堤部174的开口174a暴露的第一电极160上形成发光层180。在此，在红色子像素R中形成红色发光层，在绿色子像素G中形成绿色发光层，并且在蓝色子像素B中形成蓝色发光层。
此外，发光层180也在相邻的相同颜色子像素R、G、B之间形成在通过第二堤部174的开口174a暴露的第一堤部172上。就是说，在图4中，绿色发光层180也在相邻的绿色子像素G之间形成在通过第二堤部174的开口174a暴露的第一堤部172上。此时，堤部172上的发光层180连接至与之相邻的每个像素区域P中的第一电极160上的发光层180，由此形成一体。
在虚拟子像素区域DP中的虚拟电极164上形成虚拟发光层180a。参照图3，虚拟子像素区域DP的虚拟发光层180a和沿第一方向与其相邻的像素区域P的发光层180分隔开，并且参照图4，虚拟子像素区域DP的虚拟发光层180a连接至沿第二方向与其相邻的像素区域P的发光层180，由此形成一体。
通过溶液工艺形成发光层180。在此，通过不同喷嘴滴入与相同颜色子像素，例如，绿色子像素列对应的各个像素区域P中的溶液彼此相连，并且通过将溶液干燥形成发光层180。因此，喷嘴之间的滴入量的偏差被最小化，发光层180的厚度在各个像素区域P中能够是均匀的。此时，与发光层180同时形成虚拟发光层180a。
通过溶液工艺形成的发光层180和虚拟发光层180a的高度随着更加靠近第二堤部174而在第二堤部174周围升高。
接着，在发光层180和虚拟发光层180a上形成第二电极190。第二电极190也形成在第二堤部174的顶表面和侧表面上。
第一电极160、发光层180和第二电极190构成发光二极管De。
根据本发明实施方式的电致发光显示装置是顶部发光型，其中发光二极管De的光朝向与基板100相反的方向输出，即，通过第二电极190输出到外部。顶部发光型显示装置可比相同尺寸的底部发光型显示装置具有更宽的发光区域，由此提高亮度并降低功耗。
顺便说一下，为了透射光，第二电极190应当由具有薄厚度的金属材料形成，或者由透明导电材料形成。因此，第二电极190的电阻增加，并且由于电阻而发生压降，由此导致亮度不均匀的问题。
在本发明中，为了降低第二电极190的电阻，第二电极190电连接至辅助电极。此时，第二电极190和辅助电极通过连接图案电连接，并且为了改进连接图案与第二电极190之间的电接触特性，在连接图案中形成凸起部。
将参照图5至图7描述根据本发明实施方式的电致发光显示装置的构造。
图5是根据本发明实施方式的电致发光显示装置的像素的示意性平面图，主要显示了堤部构造。图6和图7是图5的区域A1的放大平面图。
在图5、图6和图7中，根据本发明实施方式的电致发光显示装置的一个像素包括沿第一方向依次地布置的红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B。
在此，红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B可具有不同的尺寸。通过考虑设置于每个子像素的发光二极管的寿命来确定红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B的尺寸。例如，绿色子像素G的尺寸可大于红色子像素R的尺寸并且小于蓝色子像素B的尺寸。
可通过第一堤部172和第二堤部174限定红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B。
更具体地，第一堤部172设置在相邻的相同颜色子像素R、G、B之间以及相邻的不同颜色子像素R、G、B之间。第一堤部172可围绕每个子像素R、G和B。
可选地，在相邻的不同颜色子像素R、G、B之间可省略第一堤部172。就是说，第一堤部172可仅形成在沿与第一方向垂直的第二方向相邻的子像素R、G、B之间并且可沿第一方向延伸。
接着，在第一堤部172上形成第二堤部174。第二堤部174具有与相同颜色子像素列对应的开口174a并且设置在沿第一方向相邻的不同颜色子像素R、G、B之间。
第二堤部174大致沿第二方向延伸，并且第二堤部174的至少一侧具有沿第一方向延伸的延伸部174c。此时，延伸部174c可设置在沿第二方向的相邻的相同颜色子像素R、G、B之间并且可与第一堤部172交叠。延伸部174c减小第二堤部174的相邻部分之间的距离并且在用于形成发光层的溶液工艺期间控制溶液的流动，使得均匀地形成发光层。
延伸部174c的尺寸可根据每个子像素R、G和B而变化。
同时，第一堤部172和第二堤部174分别具有与至少一个延伸部174c对应的第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b。
与延伸部174c对应地形成辅助电极146和连接图案162。通过第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b暴露连接图案162。
此外，尽管图中未示出，但在辅助电极146与连接图案162之间形成有至少一个绝缘层。辅助电极146和连接图案162通过形成在至少一个绝缘层中的接触孔彼此接触。
同时，连接图案162具有至少一个凸起部162d。
如图6中所示，凸起部162d可具有点形状。可选地，如图7中所示，凸起部162d可具有宽度和长度彼此不同的缝(slit)形状。在这种情况下，凸起部162d的长度可与连接图案162的长度相同。
优选的是，凸起部162d的直径或宽度为2μm至4μm。
尽管图中示出了凸起部162d为一个，但凸起部162d的数量不限于此。就是说，可根据通过第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b暴露的连接图案162的尺寸来形成多个凸起部。
此时，如果凸起部162d过多，则可能由于颗粒导致缺陷。因此，有利的是，多个凸起部162d的总尺寸小于通过第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b暴露的连接图案162的尺寸的5％。
同时，尽管图中未示出，但图3和图4的第二电极190形成在第一堤部172、第二堤部174和连接图案162上，并且第二电极190通过连接图案162电连接至辅助电极146。
图3和图4的发光层180的一部分可能形成在连接图案162与第二电极190之间，因而连接图案162与第二电极190之间的电接触特性会退化。然而，在本发明中，由于连接图案162具有凸起部162d，所以连接图案162与第二电极190之间的距离减小，可改进连接图案162与第二电极190之间的电接触特性。
将参照图8更详细地描述包括具有凸起部162d的连接图案162的电致发光显示装置的构造。
图8是根据本发明实施方式的电致发光显示装置的示意性剖面图，显示了像素区域P和焊盘区域PA。像素区域P设置在显示图像的显示区域中，焊盘区域PA设置在围绕显示区域的非显示区域中。
在图8中，在基板100上的像素区域P中形成诸如金属之类的第一导电材料的遮光图案112和第一辅助电极114。基板100可以是玻璃基板或塑料基板。例如，聚酰亚胺可用于塑料基板，但不限于此。
遮光图案112和第一辅助电极114可由铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、钨(W)或其合金中的至少一种形成，并且可具有单层结构或多层结构。例如，遮光图案112和第一辅助电极114可具有包括钼-钛合金(MoTi)的下层和铜(Cu)的上层的双层结构，并且上层可具有比下层厚的厚度。
在基板100的基本整个表面上，在遮光图案112和第一辅助电极114上形成缓冲层120。缓冲层120可由诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)之类的无机绝缘材料形成并且可形成为单层或多层。
在此，缓冲层120在遮光图案112上具有缓冲孔120a，并且通过缓冲孔120a部分地暴露遮光图案112的上表面。
在缓冲层120上图案化并形成半导体层122和电容器电极124。半导体层122和电容器电极124在遮光图案112上方彼此分隔开。遮光图案112阻挡入射到半导体层122上的光，防止半导体层122由于光而劣化。
半导体层122和电容器电极124可由多晶硅形成，在这种情况下，电容器电极124和半导体层122的两端可被掺杂杂质。可选地，半导体层122和电容器电极124可由氧化物半导体材料形成。
在半导体层122上依次地形成绝缘材料的栅极绝缘层130和第二导电材料的栅极电极132。栅极绝缘层130和栅极电极132设置成对应于半导体层122的中央。
栅极绝缘层130可由诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)之类的无机绝缘材料形成。当半导体层122由氧化物半导体材料制成时，优选栅极绝缘层130由硅氧化物(SiO2)形成。
可选地，当半导体层122由多晶硅制成时，栅极绝缘层130可由诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)形成。
栅极电极132可由铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、钨(W)或其合金中的至少一种形成，并且可具有单层结构或多层结构。例如，栅极电极132可具有包括钼-钛合金(MoTi)的下层和铜(Cu)的上层的双层结构，并且上层可具有比下层厚的厚度。
如图中所示，栅极绝缘层130可被图案化为具有与栅极电极132相同的形状。此时，栅极绝缘层130的宽度可大于栅极电极132的宽度，因而可暴露出栅极绝缘层130的上表面的边缘。可选地，栅极绝缘层130的宽度可与栅极电极132的宽度相同。
或者，栅极绝缘层130可不被图案化，而是可大致形成在基板100的整个表面上方。
同时，可在与栅极电极132相同的层上由相同的材料进一步形成栅极线(未示出)。
此外，在焊盘区域PA中的缓冲层120上依次地形成栅极绝缘图案131和第一焊盘电极134。栅极绝缘图案131可由与栅极绝缘层130相同的材料形成，并且第一焊盘电极134可由与栅极电极132相同的材料形成。栅极绝缘图案131可被图案化为具有与第一焊盘电极134相同的形状。此时，栅极绝缘图案131的宽度可大于第一焊盘电极134的宽度，并且可暴露出栅极绝缘图案131的上表面的边缘。可选地，栅极绝缘图案131的宽度可与第一焊盘电极134的宽度相同。
在基板100的基本整个表面上方，在栅极电极132上形成由绝缘材料制成的层间绝缘层140。层间绝缘层140可由诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)之类的无机绝缘材料形成。可选地，层间绝缘层140可由诸如光学丙烯酸或苯并环丁烯之类的有机绝缘材料形成。
层间绝缘层140具有第一接触孔140a、第二接触孔140b、第三接触孔140c和第四接触孔140d。第一接触孔140a和第二接触孔140b暴露半导体层122的两端。第三接触孔140c部分地暴露遮光图案112的上表面并且位于缓冲孔120a中。可选地，可省略缓冲孔120a，可在缓冲层120中以及在层间绝缘层140中形成第三接触孔140c，以部分地暴露遮光图案112的上表面。第四接触孔140d形成在缓冲层120中以及层间绝缘层140中，以部分地暴露第一辅助电极114的上表面。
层间绝缘层140还形成在焊盘区域PA中的第一焊盘电极134上并且具有部分地暴露第一焊盘电极134的上表面的第五接触孔140e。
在层间绝缘层140上形成由诸如金属之类的第三导电材料制成的源极电极142、漏极电极144和第二辅助电极146。源极电极142、漏极电极144和第二辅助电极146可由铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、钨(W)或其合金中的至少一种形成，并且可具有单层结构或多层结构。例如，源极电极142、漏极电极144和第二辅助电极146可具有包括钼-钛合金(MoTi)的下层和铜(Cu)的上层的双层结构，并且上层可具有比下层厚的厚度。可选地，源极电极142、漏极电极144和第二辅助电极146可具有三层结构。
源极电极142和漏极电极144彼此分隔开并且栅极电极132位于它们之间。源极电极142和漏极电极144分别通过第一接触孔140a和第二接触孔140b接触半导体层122的两端。此外，漏极电极144通过第三接触孔140c接触遮光图案112。电容器电极124与遮光图案122和漏极电极144交叠，从而形成存储电容器。
同时，第二辅助电极146通过第四接触孔140d接触第一辅助电极114。
此外，可在层间绝缘层140上进一步形成数据线(未示出)和高电压电源线(未示出)，数据线和高电压电源线可由第三导电材料制成。
半导体层122、栅极电极132、源极电极142和漏极电极144形成薄膜晶体管T。薄膜晶体管T具有共面结构，其中相对于半导体层122，栅极电极132与源极电极142和漏极电极144位于同一侧。
可选地，薄膜晶体管T可具有反向交错结构，其中相对于半导体层，栅极电极与源极电极和漏极电极位于不同侧。就是说，栅极电极可设置在半导体层下方，源极电极和漏极电极可设置在半导体层上方。在这种情况下，半导体层可由氧化物半导体或非晶硅形成。
薄膜晶体管T对应于图1的驱动薄膜晶体管Td，并且可在基板100上进一步形成与驱动薄膜晶体管Td具有相同结构的图1的开关薄膜晶体管Ts。驱动薄膜晶体管的栅极电极132可连接至开关薄膜晶体管的漏极电极，并且驱动薄膜晶体管的源极电极142可连接至电源线。此外，开关薄膜晶体管的栅极电极和源极电极可分别连接至栅极线和数据线。
此外，在焊盘区域PA中的层间绝缘层140上形成第二焊盘电极148。第二焊盘电极148由与源极电极142和漏极电极144相同的材料形成并且通过第五接触孔140e与第一焊盘电极134接触。
在基板100的基本整个表面上方，在源极电极142、漏极电极144和第二辅助电极146上形成绝缘材料的钝化层150。钝化层150可由诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)之类的无机绝缘材料形成。
接着，在基板100的基本整个表面上方，在钝化层150上形成绝缘材料的涂覆层155。涂覆层155可由诸如光学丙烯酸或苯并环丁烯之类的有机绝缘材料形成。涂覆层155可消除由于下面的层导致的水平面差并且具有大致平坦的顶表面。
在此，可省略钝化层150和涂覆层155之一。例如，可省略钝化层150，但不限于此。
钝化层150和涂覆层155具有暴露漏极电极144的漏极接触孔155a。此外，钝化层150和涂覆层155具有暴露第二辅助电极146的第六接触孔155b。
同时，钝化层150和涂覆层155也形成在焊盘区域PA中。焊盘区域PA的钝化层150和涂覆层155具有暴露第二焊盘电极148的焊盘孔155c。此时，焊盘区域PA的涂覆层155被部分地去除，由此暴露出下方的钝化层150。因此，减小了形成在第二焊盘电极148上的层之间的水平面差，因而有利于与外部电路的接触。
在像素区域P中的涂覆层155上形成由导电材料形成的第一电极160。第一电极160通过漏极接触孔155a与漏极电极144接触。
第一电极160包括第一层160a和第二层160b，并且第二层160b设置在第一层160a与基板100之间，更具体地，设置在第一层160a与涂覆层155之间。
第一层160a由具有相对较高功函数的导电材料形成。例如，第一层160a可由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料形成。第二层160b由具有相对较高反射率的金属材料形成。例如，第二层160b可由银(Ag)形成。在此，第一层160a的功函数高于第二层160b的功函数。
第二层160b的厚度可大于第一层160a的厚度。例如，第二层160b的厚度可以是80nm至100nm，第一层160a的厚度可以是10nm至80nm。然而，本发明不限于此。
此外，第一电极160可进一步包括在第二层160b与基板100之间例如在第二层160b与涂覆层155之间的第三层160c。形成第三层160c用来提高第二层160b与涂覆层155之间的粘附特性，可省略第三层160c。例如，第三层160c可由诸如ITO或IZO之类的透明导电材料形成，但不限于此。
第三层160c的厚度可小于第二层160b的厚度并且可小于等于第一层160a的厚度。例如，第三层160c的厚度可以是10nm，但不限于此。
此外，在涂覆层155上形成由与第一电极160相同的材料形成的连接图案162。因此，连接图案162可包括第一层162a、第二层162b和第三层162c。此时，第二层162b设置在第一层162a与第三层162c之间，并且第三层162c设置在第二层162b与基板100之间，更具体地，设置在第二层162b与涂覆层155之间。连接图案162通过第六接触孔155b与第二辅助电极146接触。
连接图案162在第六接触孔155b中包括平坦部和至少一个凸起部162d。平坦部对应于除了凸起部162d之外的部分。凸起部162d的高度高于平坦部的高度。
在此，连接图案162的第一层162a和第三层162c具有对应于凸起部162d的孔。因此，第二层162b的下表面可通过第三层162c的孔与第二辅助电极146接触。此外，第二层162b的上表面通过第一层162a的孔突出到上方，由此形成连接图案162的凸起部162d。就是说，连接图案162的第二层162b实质上具有凸起部162d。
同时，如上所述，当省略第一电极160的第三层160c并且第一电极160配置为双层时，也省略连接图案162的第三层162c。
在第一电极160上形成绝缘材料的堤部。堤部包括具有亲水特性的第一堤部172和具有疏水特性的第二堤部174。
更具体地，第一堤部172与第一电极160的边缘交叠并覆盖第一电极160的边缘，并且暴露第一电极160的中央部分。此外，第一堤部172还形成在连接图案162上并且与连接图案162的边缘交叠并覆盖连接图案162的边缘。第一堤部172具有暴露连接图案162的中央部分的第一辅助接触孔172b。
第一堤部172可由具有亲水特性的材料，例如，诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)之类的无机绝缘材料形成。可选地，第一堤部172可由聚酰亚胺形成。
同时，第一堤部172还可形成在焊盘区域PA中。对应于焊盘孔155c去除第一堤部172，由此暴露第二焊盘电极148。
在第一堤部172上形成第二堤部174。此时，第二堤部174的至少上表面是疏水性的，并且第二堤部174的侧表面可以是疏水性的或亲水性的。
第二堤部174具有暴露第一电极160的中央部分的开口。如上所述，第二堤部174的开口可形成为对应于相同颜色的子像素列。
第二堤部174设置在第一堤部172上，第二堤部174的宽度比第一堤部172的宽度窄并且第二堤部174暴露第一堤部172的边缘。此外，第二堤部174的厚度可大于第一堤部172的厚度。
第二堤部174可由具有疏水特性的有机绝缘材料形成。可选地，第二堤部174可由具有亲水特性的有机绝缘材料形成并且经受疏水处理。
此外，第二堤部174具有与第一辅助接触孔172b对应的第二辅助接触孔174b。通过第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b暴露连接图案162。
在一些像素区域中可省略连接图案162、第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b。
同时，在图中未示出的第一电极160的其他边缘上可仅设置第一堤部172。
此外，在图8中第一堤部172和第二堤部174由不同材料形成并且彼此分离。然而，亲水性的第一堤部172和疏水性的第二堤部174可由相同材料形成并且形成为一体。
在被第一堤部172和第二堤部174暴露的第一电极160上形成发光层180。发光层180可包括依次位于第一电极160上方的第一电荷辅助层182、发光材料层184和第二电荷辅助层186。发光材料层184可由红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的任意一种形成，但不限于此。发光材料可以是诸如磷光化合物或荧光化合物之类的有机发光材料，或者可以是诸如量子点之类的无机发光材料。
第一电荷辅助层182可以是空穴辅助层，空穴辅助层可包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一个。此外，第二电荷辅助层186可以是电子辅助层，电子辅助层可包括电子注入层(EIL)和电子传输层(ETL)中的至少一个。然而，本发明不限于此。
在此，通过溶液工艺形成第一电荷辅助层182和发光材料层184的每一个。因而，可简化工艺并且可提供具有大尺寸和高分辨率的显示装置。可使用旋涂方法、喷墨印刷方法、或丝网印刷方法作为溶液工艺，但本发明不限于此。当干燥溶液时，与第二堤部174相邻的区域中的溶剂的干燥速度与其他区域中的不同。就是说，与第二堤部174相邻的区域中的溶剂的干燥速度比其他区域中的快。因此，与第二堤部174相邻的区域中的第一电荷辅助层182和发光材料层184的每一个的高度随着更靠近第二堤部174而升高。
另一方面，通过热蒸镀工艺形成第二电荷辅助层186。因此，第二电荷辅助层186形成在基板100的基本整个表面上方。就是说，第二电荷辅助层186形成在第二堤部174的上表面和侧表面上并且还形成在连接图案162上。此时，第二电荷辅助层186在连接图案162的凸起部162d上具有相对较薄的厚度。就是说，连接图案162的凸起部162d上的第二电荷辅助层186的厚度小于连接图案162的平坦部上的第二电荷辅助层186的厚度。
在基板100的基本整个表面上方，在发光层180、第二堤部174和连接图案162上形成具有相对较低功函数的导电材料的第二电极190。第二电极190可由铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)或其合金形成。此时，第二电极190具有相对较薄的厚度，使得来自发光层180的光可透过其中。例如，第二电极190可具有5nm至10nm的厚度。
可选地，第二电极190可由诸如氧化铟镓(IGO)或IZO之类的透明导电材料形成，但不限于此。
第二电极190通过第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b电连接至连接图案162。此时，第二电极190与连接图案162的凸起部162d之间的距离小于第二电极190与连接图案162的平坦部之间的距离。因此，由于连接图案162的凸起部162d，可改进第二电极190与连接图案162之间的电接触特性。在此，第二电极190可与连接图案162的凸起部162d直接接触。
第一电极160、发光层180和第二电极190构成发光二极管De。第一电极160可用作阳极，第二电极190可用作阴极，但不限于此。
如上所述，根据本发明实施方式的电致发光显示装置可以是顶部发光型，其中来自发光二极管De的发光层180的光朝向与基板100相反的方向输出，即，通过第二电极190输出到外部。顶部发光型显示装置可比相同尺寸的底部发光型显示装置具有更宽的发光区域，由此提高亮度并降低功耗。
此时，每个像素区域P的发光二极管De可具有与发射的光的波长对应的用于微腔效应的元件厚度，由此增加光效率。
同时，尽管图中未示出，但可在基板100的基本整个表面上方，在第二电极190上形成覆盖层(capping layer)。覆盖层可由具有相对较高光折射率的绝缘材料形成。沿覆盖层传播的光的波长可通过表面等离子体共振而放大，因而可增加峰值强度，由此提高顶部发光型电致发光显示装置中的光效率。例如，覆盖层可形成为有机层或无机层的单层，或者形成为有机/无机堆叠层。
如上所述，在根据本发明实施方式的电致发光显示装置中，通过溶液工艺形成发光层180中的一些层，省略了掩模，由此降低了制造成本，并且可实现具有大尺寸和高清晰度的显示装置。
此外，根据本发明实施方式的电致发光显示装置实现为顶部发光型，由此提高亮度并降低功耗。在此，由于第二电极190形成为具有相对较薄的厚度以便透射光，所以第二电极190的电阻可增加，但是通过经由连接图案162将第二电极190连接至第一辅助电极114和第二辅助电极146，可降低第二电极190的电阻。此时，通过在连接图案162中形成凸起部162d，可提高第二电极190与连接图案162之间的电接触特性。
将参照图9A至图9H详细描述根据本发明实施方式的电致发光显示装置的制造工艺。
图9A至图9H是示意性图解根据本发明实施方式的电致发光显示装置的制造工艺的剖面图，显示了像素区域P和焊盘区域PA。图10A和图10B是示出根据本发明实施方式的连接图案的孔和凸起部的扫描电子显微镜(SEM)图片。
在图9A中，通过沉积第一导电材料并且通过第一掩模工艺将第一导电材料图案化，在限定有像素区域P和焊盘区域PA的基板100上的像素区域P中形成遮光图案112和第一辅助电极114。
接着，通过在基板100的基板整个表面上方沉积无机绝缘材料，在遮光图案112和第一辅助电极114上形成缓冲层120，并且通过第二掩模工艺将缓冲层120图案化，由此形成部分地暴露遮光图案112的上表面的缓冲孔120a。
然后，通过沉积半导体材料并且通过第三掩模工艺将半导体材料图案化，在缓冲层120上形成半导体层122和电容器电极124。半导体层122和电容器电极124在遮光图案112上方彼此分隔开。
半导体材料可以是多晶硅，在这种情况下，半导体层122的两端和电容器电极124稍后可被掺杂有杂质。可选地，半导体材料可由氧化物半导体材料形成。
通过在半导体层122和电容器电极124上依次地沉积无机绝缘材料和第二导电材料并且通过第四掩模工艺将它们图案化，形成栅极绝缘层130和栅极电极132。栅极绝缘层130和栅极电极132设置成对应于半导体层122的中央。此外，在焊盘区域PA中的缓冲层120上形成栅极绝缘图案131和第一焊盘电极134。
然后，通过在基板100的基本整个表面上方沉积无机绝缘材料或者涂覆有机绝缘材料，在栅极电极132和第一焊盘电极134上形成层间绝缘层140，并且通过第五掩模工艺将层间绝缘层140图案化，由此形成第一接触孔140a、第二接触孔140b、第三接触孔140c、第四接触孔140d和第五接触孔140e。此时，也可选择性地去除缓冲层120。
第一接触孔140a和第二接触孔140b暴露半导体层22的两端。第三接触孔140c部分地暴露与缓冲孔120a对应的遮光图案112的上表面。在此，可省略缓冲孔120a，可在缓冲层120中以及在层间绝缘层140中形成第三接触孔140c，以部分地暴露遮光图案112的上表面。在这种情况下，省略第二掩模工艺。此外，第四接触孔140d形成在缓冲层120中以及层间绝缘层140中，以部分地暴露第一辅助电极114的上表面。第五接触孔140e部分地暴露第一焊盘电极134的上表面。
接着，通过沉积第三导电材料并且通过第六掩模工艺将第三导电材料图案化，在层间绝缘层140上形成源极电极142、漏极电极144和第二辅助电极146。此外，在焊盘区域PA中形成第二焊盘电极148。
源极电极142和漏极电极144分别通过第一接触孔140a和第二接触孔140b接触半导体层122的两端。此外，漏极电极144通过第三接触孔140c接触遮光图案112并且与电容器电极124交叠。
同时，第二辅助电极146通过第四接触孔140d接触第一辅助电极114。此外，第二焊盘电极148通过第五接触孔140e接触第一焊盘电极134。
半导体层122、栅极电极132、源极电极142和漏极电极144形成薄膜晶体管T。电容器电极124与遮光图案122和漏极电极144交叠，从而形成存储电容器。
接着，在图9B中，通过沉积无机绝缘材料在源极电极142、漏极电极144、第二辅助电极146和第二焊盘电极148上形成钝化层150，并且通过涂覆有机绝缘材料在钝化层150上形成涂覆层155。通过第七掩模工艺将钝化层150和涂覆层155图案化，由此形成漏极接触孔155a、第六接触孔155b和焊盘孔155c。
漏极接触孔155a部分地暴露漏极电极144，第六接触孔155b暴露第二辅助电极146，并且焊盘孔155c暴露第二焊盘电极148。
在此，描述了通过相同掩模工艺将钝化层150和涂覆层155图案化，但可通过不同的掩模工艺将钝化层150和涂覆层155图案化。就是说，在可通过沉积无机绝缘材料形成钝化层150并且可通过掩模工艺将其图案化之后，可通过涂覆有机绝缘材料形成涂覆层155并且可通过另一掩模工艺将其图案化。
接着，如图9C和图9D中所示，通过第八掩模工艺在涂覆层155上形成第一电极160和连接图案162。
首先，在图9C中，在基板100的基本整个表面上方，在涂覆层155上依次地沉积第一导电层1601、第二导电层1602和第三导电层1603。在此，第二导电层1602由银(Ag)形成。此外，第一导电层1601和第三导电层1603可由ITO或IZO形成，但不限于此。
然后，在第三导电层1603上形成光刻胶图案200。光刻胶图案200形成在薄膜晶体管T和第二辅助电极146上并且与漏极接触孔155a和第六接触孔155b交叠。同时，对应于第六接触孔155b的光刻胶图案200部分地暴露第三导电层1603的上表面。
接着，通过使用光刻胶图案200作为蚀刻掩模，去除暴露的第一导电层1601、第二导电层1602和第三导电层1603。此时，可通过使用批处理蚀刻剂(batch etchant)的湿蚀刻方法去除第一导电层1601、第二导电层1602和第三导电层1603。可选地，可使用不同的蚀刻剂去除第一导电层1601、第二导电层1602和第三导电层1603。然后，去除光刻胶图案200。
因此，如图9D中所示，在涂覆层155上形成第一电极160和连接图案162。第一电极160和连接图案162的每一个包括第一层160a和162a、第二层160b和162b、以及第三层160c和162c。第二层160b和162b设置在第一层160a和162a与第三层160c和162c之间，并且第三层160c和162c设置在第二层160b和162b与涂覆层155之间。第一层160a和162a对应于图9C的第三导电层1603，第二层160b和162b对应于图9C的第二导电层1602，并且第三层160c和162c对应于图9C的第一导电层1601。
在此，第一电极160通过漏极接触孔155a与漏极电极144接触，并且连接图案162通过第六接触孔155b与第二辅助电极146接触。
同时，连接图案162包括在第六接触孔155b中的至少一个孔162e，并且通过孔162e部分地暴露第二辅助电极146的上表面。图10A是显示孔162e的SEM图片。
接着，在图9E中，通过沉积绝缘材料并且通过第九掩模工艺将绝缘材料图案化，在第一电极160和连接图案162上形成具有亲水特性的第一堤部172。第一堤部172与第一电极160的边缘交叠并覆盖第一电极160的边缘，并且暴露第一电极160的中央部分。此外，第一堤部172与连接图案162的边缘交叠并覆盖连接图案162的边缘。第一堤部172具有暴露连接图案162的中央部分的第一辅助接触孔172b。
同时，对应于焊盘孔155c去除第一堤部172，由此暴露第二焊盘电极148。
接着，在图9F中，通过涂覆有机材料并且通过第十掩模工艺将有机材料图案化，在第一堤部172上形成具有疏水特性的第二堤部174。
更具体地，在通过涂覆有机材料形成堤部材料层(未示出)之后，在堤部材料层上方设置光学掩模(未示出)，通过光学掩模将堤部材料层曝光。此时，堤部材料层可以是负光敏型，其中曝光的部分在显影之后留下。然后，将曝光的堤部材料层显影，去除未曝光的部分，由此形成第二堤部174。然而，本发明不限于此，堤部材料层可以是正光敏型，其中未曝光的部分在显影之后留下。
接着，烘焙第二堤部174。此时，可通过在大约230摄氏度的温度下在烤箱中将其上形成有第二堤部174的基板100加热大约一小时来烘焙第二堤部174。
同时，由于烘焙第二堤部174时产生的热量，在连接图案162的第二层162b的材料中发生迁移现象。因此，第二层162b的材料迁移并且突出到图9E的孔162e的上方，由此形成凸起部162d。图10B是显示凸起部162d的SEM图片。
在本发明中，描述了通过不同的掩模工艺形成亲水性的第一堤部172和疏水性的第二堤部174，但是可通过相同掩模工艺形成第一堤部172和第二堤部174。例如，在基板100的基本整个表面上方形成有机材料层之后，可使用包括透光部、遮光部和半透光部的半色调掩模将有机材料层曝光并且可将其图案化，由此形成亲水性的第一堤部172和疏水性的第二堤部174。
接着，在图9G中，通过滴入第一溶液并将其干燥，在通过第二堤部174暴露的第一电极160上形成第一电荷辅助层182。第一电荷辅助层182的至少一个侧表面被第二堤部174包围。当干燥第一溶液时，与第二堤部174相邻的区域中的溶剂的干燥速度与其他区域中的不同，因而与第二堤部174相邻的区域中的第一电荷辅助层182的高度随着更靠近第二堤部174而升高。
第一电荷辅助层182可以是空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)。
然后，通过滴入第二溶液并将其干燥，在第一电荷辅助层182上形成发光材料层184。发光材料层184的至少一个侧表面被第二堤部174包围。当干燥第二溶液时，与第二堤部174相邻的区域中的溶剂的干燥速度与其他区域中的不同，因而与第二堤部174相邻的区域中的发光材料层184的高度随着更靠近第二堤部174而升高。
接着，通过沉积有机材料和/或无机材料，在发光材料层184上形成第二电荷辅助层186。第二电荷辅助层186形成在基板100的基本整个表面上方。因此，第二电荷辅助层186也形成在第二堤部174和连接图案162上。
此时，第二电荷辅助层186在连接图案162的凸起部162d上具有相对较薄的厚度。第二电荷辅助层186可具有暴露凸起部162d的孔(未示出)。
第二电荷辅助层186可以是电子注入层(EIL)和/或电子传输层(ETL)。
第一电荷辅助层182、发光材料层184和第二电荷辅助层186构成发光层180。
接着，在图9H中，通过沉积诸如金属之类的导电材料在第二电荷辅助层186上形成第二电极190。第二电极190形成在基本整个表面上方。因此，第二电极190也形成在第二堤部174和连接图案162上方。
第二电极190通过第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b电连接至连接图案162。此时，第二电荷辅助层186设置在第二电极190与连接图案162之间，并且因为由于凸起部162d，第二电荷辅助层186在连接图案162的凸起部162d上具有相对较薄的厚度，所以第二电极190与连接图案162的凸起部162d之间的距离小于第二电极190与连接图案162的平坦部之间的距离。因此，由于连接图案162的凸起部162d，可提高第二电极190与连接图案162之间的电接触特性。在此，第二电极190可与连接图案162的凸起部162d直接接触。
第一电极160、发光层180和第二电极190构成发光二极管De。第一电极160可用作阳极，第二电极190可用作阴极。
如上所述，在根据本发明实施方式的电致发光显示装置中，当形成第一电极160和连接图案162时，在连接图案162中形成图9E的孔162e，并且当烘焙第二堤部174时，通过迁移现象在连接图案162中形成凸起部162d。因此，通过经由具有凸起部162d的连接图案162将第二电极190与第一辅助电极114和第二辅助电极146电连接，可在不增加工艺的情况下改进第二电极190与连接图案162之间的电接触特性。
就是说，连接图案162的凸起部162d上的第二电荷辅助层186的厚度小于连接图案162的平坦部上的第二电荷辅助层186的厚度。
在本发明中，通过经由溶液工艺形成每个子像素的发光层，省略了掩模，由此降低了制造成本，并且可实现具有大尺寸和高清晰度的显示装置。
此外，沿一个方向相邻的子像素例如相同颜色的子像素的发光层彼此相连并且形成为一体，由此将喷嘴之间的滴入量的偏差最小化并且均匀地形成子像素的发光层的厚度。因此，防止了云纹(mura)，由此有效防止了显示装置的图像质量下降。
此外，第二电极连接至辅助电极，由此降低了第二电极的电阻，并且在用于将第二电极和辅助电极连接的连接图案中形成凸起部，由此改进了第二电极与连接图案之间的电接触特性。
对于所属领域技术人员来说显而易见的是，在不背离本发明的精神或范围的情况下，可在本发明的装置中进行各种修改和变化。因而，本发明旨在涵盖落入所附权利要求书的范围及其等同范围内的对本发明的修改和变化。

Claims (16)

1.一种电致发光显示装置，包括：
基板；
在所述基板上的第一电极；
在所述基板上并且与所述第一电极分隔开的连接图案；
覆盖所述第一电极的边缘和所述连接图案的边缘的堤部；
在所述第一电极上的发光层；和
在所述发光层、所述堤部和所述连接图案上的第二电极，
其中所述连接图案包括平坦部和至少一个凸起部，并且
其中所述第一电极和所述连接图案的每一个包括第一层和第二层，所述第二层设置在所述基板与所述第一层之间，并且所述连接图案的第二层具有所述至少一个凸起部。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述第二电极与所述凸起部直接接触。
3.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述第二电极与所述至少一个凸起部之间的距离小于所述第二电极与所述平坦部之间的距离。
4.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述连接图案的第一层具有对应于所述凸起部的孔。
5.根据权利要求4所述的电致发光显示装置，其中所述孔具有点形状或缝形状。
6.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述第一层的功函数高于所述第二层的功函数。
7.根据权利要求6所述的电致发光显示装置，其中所述第二层由银形成。
8.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述第一电极和所述连接图案的每一个还包括在所述第二层与所述基板之间的第三层。
9.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述发光层包括空穴辅助层、发光材料层和电子辅助层，所述空穴辅助层和所述发光材料层的每一个的至少一个侧表面被所述堤部包围，并且所述电子辅助层的一部分设置在所述堤部与所述第二电极之间以及在所述连接图案与所述第二电极之间。
10.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，还包括在所述基板与所述第一电极之间的至少一个薄膜晶体管，其中所述第一电极连接至所述至少一个薄膜晶体管。
11.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述堤部包括具有亲水特性的第一堤部和具有疏水特性的第二堤部。
12.根据权利要求11所述的电致发光显示装置，其中所述第一堤部和所述第二堤部形成为一体。
13.根据权利要求11所述的电致发光显示装置，其中沿一个方向相邻的像素区域中的发光层彼此相连而形成一体。
14.一种制造电致发光显示装置的方法，包括：
在基板上形成第一电极和连接图案；
在所述第一电极和所述连接图案上形成堤部；
在所述第一电极上形成发光层；和
在所述发光层、所述堤部和所述连接图案上形成第二电极，
其中所述连接图案包括平坦部和至少一个凸起部，并且
其中所述第一电极和所述连接图案的每一个包括第一层和第二层，所述第二层设置在所述基板与所述第一层之间，并且所述连接图案的第二层具有所述至少一个凸起部。
15.根据权利要求14所述的方法，其中形成所述第一电极和所述连接图案包括：在所述连接图案中形成至少一个孔，并且
其中形成所述堤部包括：通过经由所述至少一个孔使所述连接图案的材料迁移，形成所述至少一个凸起部。
16.根据权利要求14所述的方法，其中所述第二电极与所述至少一个凸起部之间的距离小于所述第二电极与所述平坦部之间的距离。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114582928A (zh) * 2020-11-30 2022-06-03 乐金显示有限公司 电致发光显示装置
TW202329448A (zh) * 2021-10-22 2023-07-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
KR20230094650A (ko) * 2021-12-21 2023-06-28 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160068635A (ko) * 2014-12-06 2016-06-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20160080042A (ko) * 2014-12-29 2016-07-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20170013576A (ko) * 2015-07-28 2017-02-07 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터를 포함하는 기판
CN107565041A (zh) * 2016-06-30 2018-01-09 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9478591B2 (en) * 2013-12-23 2016-10-25 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and repair method thereof
US10032844B2 (en) * 2014-12-29 2018-07-24 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR101980781B1 (ko) 2016-10-31 2019-05-21 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160068635A (ko) * 2014-12-06 2016-06-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20160080042A (ko) * 2014-12-29 2016-07-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20170013576A (ko) * 2015-07-28 2017-02-07 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터를 포함하는 기판
CN107565041A (zh) * 2016-06-30 2018-01-09 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法

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