TW202130008A - 電致發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種電致發光顯示裝置，包括：一基板；一第一電極，位於該基板上；一連接圖案，位於該基板上並與該第一電極間隔開；一堤部，覆蓋該第一電極的邊緣和該連接圖案的邊緣；一發光層，位於該第一電極上；以及一第二電極，位於該發光層、該堤部和該連接圖案上，其中，該連接圖案包括：至少一個突出部和一平坦部，以及其中該第一電極和該連接圖案中的每一個包括：一第一層和一第二層，該第二層位於該基板與該第一層之間，且該連接圖案的該第二層具有該至少一個突出部。

Description

電致發光顯示裝置及其製造方法
本發明係關於一種電致發光顯示裝置，更具體地說，係關於一種具有大尺寸和高清晰度的電致發光顯示裝置及其製造方法。
電致發光顯示裝置作為面板顯示裝置之一，與液晶顯示裝置相比，因其自發光而具有寬廣的視角，並且因不需要背光源單元，還具有厚度薄、重量輕、功耗低的優點。
此外，電致發光顯示裝置採用低電壓的直流電(DC)驅動，反應時間快。更進一步地，由於電致發光顯示裝置的元件為固體，因此電致發光顯示裝置抗外界衝擊能力強且使用溫度範圍廣，特別是電致發光顯示裝置的製造成本低。
電致發光顯示裝置包括複數個像素，每個像素具有紅色、綠色和藍色子像素，並且藉由允許紅色、綠色和藍色子像素選擇性地發光，來顯示各種彩色影像。
紅色、綠色和藍色子像素分別具有紅色、綠色和藍色發光層，每個發光層通過真空熱蒸鍍製程形成，在該製程中，使用精密金屬遮罩(FMM)來選擇性地沉積發光材料。
但是，該真空熱蒸鍍製程由於製備遮罩而增加了製造成本，並且由於製造變化、沉降、遮罩的陰影效應等，在應用於大尺寸、高清晰度的顯示裝置時存在問題。
因此，本發明是針對一種電致發光顯示裝置及其製造方法，該裝置和方法大體上避免了由於相關技術的限制和缺點而產生的一個或多個問題。
本發明的目的是提供一種具有大尺寸和高清晰度的電致發光顯示裝置及其製造方法。
本發明的其他特徵和優點將在下面的描述中闡述，並且一部分將從描述中顯而易見，或者可以通過本發明的實施來了解。本發明的目的和其他優點，將通過書面說明和請求項、以及附圖中特別指出的結構來實施和達成。
為了實現諸多優點，根據本發明的目的，如本發明所實施和廣義的描述，提供一種電致發光顯示裝置，包括：一基板；一第一電極，位於該基板上；一連接圖案，位於該基板上並與該第一電極間隔開；一堤部，覆蓋該第一電極的邊緣和該連接圖案的邊緣；一發光層，位於該第一電極上；以及一第二電極，位於該發光層、該堤部和該連接圖案上，其中，該連接圖案包括至少一個突出部和一平坦部，以及其中該第一電極和該連接圖案中的每一個包括一第一層和一第二層，該第二層位於該基板與該第一層之間，並且該連接圖案的該第二層具有該至少一個突出部。
另一態樣，一種製造電致發光顯示裝置的方法包括：在一基板上形成一第一電極和一連接圖案；在該第一電極和該連接圖案上形成一堤部；在該第一電極上形成一發光層；以及在該發光層、堤部和該連接圖案上形成一第二電極，其中，該連接圖案包括至少一個突出部和一平坦部，以及其中該第一電極和該連接圖案中的每一個包括一第一層和一第二層，該第二層設置在該基板與該第一層之間，並且該連接圖案的該第二層具有該至少一個突出部。
可以理解的是，前述的一般描述和以下的詳細描述，都是通過舉例和解釋的方式，旨在對本發明的請求項提供進一步的解釋。
100:基板
112:遮光圖案
114:第一輔助電極
120:緩衝層
120a:緩衝孔
122:半導體層
124:電容器電極
130:閘極絕緣層
131:閘極絕緣圖案
132:閘極電極
134:第一焊墊電極
140:層間絕緣層
140a:第一接觸孔
140b:第二接觸孔
140c:第三接觸孔
140d:第四接觸孔
140e:第五接觸孔
142:源極電極
144:汲極電極
146:第二輔助電極
148:第二焊墊電極
150:鈍化層
155:保護層
155a:汲極接觸孔
155b:第六接觸孔
155c:焊墊孔
160:第一電極
160a:第一電極的第一層
160b:第一電極的第二層
160c:第一電極的第三層
162:連接圖案
162a:連接圖案的第一層
162b:連接圖案的第二層
162c:連接圖案的第三層
162d:突出部
162e:孔
164:虛擬電極
172:第一堤部
172b:第一輔助接觸孔
174:第二堤部
174a:開口
174b:第二輔助接觸孔
174c:延伸部
180:發光層
180a:虛擬發光層
182:第一電荷輔助層
184:發光材料層
186:第二電荷輔助層
190:第二電極
200:光阻圖案
1601:第一導電層
1602:第二導電層
1603:第三導電層
B:藍色子像素
Cst:儲存電容器
DA:顯示區域
De:發光二極體
DL:資料線
DP:虛擬子像素區域
G:綠色子像素
GL:閘極線
NDA:非顯示區域
P:像素區域
PA:焊墊區域
R:紅色子像素
T:薄膜電晶體
Td:驅動薄膜電晶體
Ts:開關薄膜電晶體
VDD:高壓電源
VSS:低壓電源
包含在發明說明書的中的附圖是為了提供對本發明的進一步理解，這些附圖被併入並構成本說明書的一部分，附圖說明本發明的一實施例，並與描述一併用於解釋本發明的原理。
圖1是根據本發明一實施例之電致發光顯示裝置的一個像素區域的電路圖。
圖2是根據本發明一實施例之電致發光顯示裝置的平面示意圖。
圖3是根據本發明一實施例對應於圖2的I-I'線的剖視圖。
圖4是根據本發明一實施例對應於圖2的II-II'線的剖視圖。
圖5是根據本發明一實施例之電致發光顯示裝置的像素的平面示意圖。
圖6和圖7是根據本發明實施例放大圖5的區域A1的平面圖。
圖8是根據本發明一實施例之電致發光顯示裝置的截面示意圖。
圖9A至圖9H是說明根據本發明一實施例之電致發光顯示裝置的製造方法的截面示意圖。
圖10A和圖10B是顯示根據本發明一實施例之連接圖案的孔和突出部的掃描電子顯微鏡(SEM)圖片。
現在將參考發明中的一例示性實施例，於附圖中詳細說明了示例。
根據本發明一實施例的電致發光顯示裝置包括複數個像素，以顯示影像，並且該複數個像素中的都每一個包括紅色、綠色和藍色子像素。對應於每個子像素的像素區域具有圖1中所示的配置。
圖1是根據本發明一實施例之電致發光顯示裝置的一個像素區域的電路圖。
在圖1中，根據本發明實施例的電致發光顯示裝置包括彼此交叉的複數條閘極線和複數條資料線，以界定複數個像素區域。特別地，在圖1的示例中，閘極線GL和資料線DL彼此交叉以界定像素區域P。在每個像素區域P中都形成開關薄膜電晶體Ts、驅動薄膜電晶體Td、儲存電容器Cst、以及發光二極體De。
更具體地說，開關薄膜電晶體Ts的閘極電極連接於閘極線GL，且開關薄膜電晶體Ts的源極電極連接於資料線DL。驅動薄膜電晶體Td的閘極電極連接於開關薄膜電晶體Ts的汲極電極，且驅動薄膜電晶體Td的源極電極連接於高壓電源VDD。發光二極體De的陽極連接於驅動薄膜電晶體Td的汲極電極，且發光二極體De的陰極連接於低壓電源VSS。儲存電容器Cst連接於驅動薄膜電 晶體Td的閘極電極和汲極電極。
驅動電致發光顯示裝置以顯示影像。例如，當開關薄膜電晶體Ts被透過閘極線GL施加的閘極信號接通時，來自資料線DL的資料信號透過開關薄膜電晶體Ts施加到驅動薄膜電晶體Td的閘極電極和儲存電容器Cst的電極。
當驅動薄膜電晶體Td被資料信號接通時，控制流過發光二極體De的電流，從而顯示影像。發光二極體De由於從高壓電源VDD透過驅動薄膜晶體Td供應的電流而發光。
亦即，流過發光二極體De的電流量與資料信號的大小成正比，而且由發光二極體De發射的光的強度與流過發光二極體De的電流量成正比。因此，像素區域P根據資料信號的大小，顯示出不同的灰階，使得電致發光顯示裝置顯示影像。
此外，當開關薄膜電晶體Ts關閉時，儲存電容器Cst保持對應於一訊框的資料信號的電荷。因此，即使開關薄膜電晶體Ts關閉，儲存電容器Cst也使流過發光二極管De的電流量保持恆定，並使由發光二極體De顯示的灰階維持到下一訊框。
同時，除了開關薄膜電晶體Ts和驅動薄膜電晶體Td以及儲存電容器Cst之外，還可以在像素區域P中增加一個或多個薄膜電晶體及/或電容器。
例如，在電致發光顯示裝置中，在將資料信號施加到驅動薄膜電晶體Td的閘極電極，且發光二極體De發光從而顯示灰階的同時，薄膜電晶體Td接通一相對長的時間。驅動薄膜電晶體Td會因長時間應用資料信號而劣化。因此，驅動薄膜電晶體Td的遷移率及/或閾值電壓Vth會變化，因而電致發光顯示裝置的像素區域P相對於相同的資料信號顯示出不同的灰階。如此造成了亮度不均勻，從而降低了電致發光顯示裝置的影像品質。
因此，為了補償驅動薄膜電晶體Td的遷移率及/或閾值電壓的變化，可以在像素區域P中進一步增加至少一個用於感測電壓變化的感測薄膜電晶體及/或電容器。該感測薄膜電晶體及/或電容器可以連接到用於施加參考電壓和輸出感測電壓的參考線。
圖2是根據本發明一實施例之電致發光顯示裝置的平面示意圖，主要顯示一堤部配置。
在圖2中，根據本發明實施例的電致發光顯示裝置包括：顯示影 像的顯示區域DA和圍繞顯示區域DA的非顯示區域NDA。
在顯示區域DA中，設置紅色R、綠色G和藍色子像素B。紅色R、綠色G和藍色子像素B沿第一方向依次排列，且同色子像素R、G、B沿第二方向排列。例如，R、G和B子像素沿第一方向(例如，水平方向)依次重複排列，而R子像素的一列、G子像素的一列和B子像素的一列沿第二方向(例如，垂直方向)依次重複排列。在此，紅色R、綠色G和藍色子像素B被示出各自具有矩形的形狀，但不限於此。紅色R、綠色G和藍色子像素B各自可以有各種形狀，如圓角的長方形、橢圓形等。
在非顯示區域NDA中，設置複數個虛擬子像素區域(dummy sub-pixel regions)DP。需要說明的是，在顯示區域DA中之第一方向的每個子像素行的左右兩側、和第二方向的每個子像素列的上下兩側各設置一個虛擬子像素區域DP，虛擬子像素區域DP的數量不受限於此。例如，可以在每個子像素行的左右兩側各設置兩個或多個虛擬子像素區域DP，並且可以在每個子像素列的上下兩側各設置兩個或多個虛擬子像素區域DP。
堤部設置以對應於顯示區域DA的子像素R、G和B，以及非顯示區域NDA的虛擬子像素區域DP。該堤部包括親水性第一堤部172和疏水性第二堤部174。
更具體地說，第一堤部172設置在顯示區域DA中之相鄰相同顏色子像素R、G和B之間、以及相鄰不同顏色子像素R、G和B之間。第一堤部172可以包圍每個子像素R、G和B。
可替代地，第一堤部172可以在相鄰不同顏色子像素R、G和B之間省略。亦即，第一堤部172可以在相鄰子像素R、G和B之間沿第二方向形成，並可以沿第一方向延伸。
第二堤部174設置在第一堤部172上。第二堤部174具有對應於相同顏色子像素列的開口174a，並設置在相鄰的不同顏色子像素R、G和B之間，開口174a可以沿第二方向延伸到與相同顏色子像素列相鄰的虛擬子像素區域DP中。
此外，開口174a也形成以對應於沿第二方向的虛擬子像素列。
因此，開口174a在第二方向上延伸，並且開口174a的第二方向的長度比第一方向的長度長。亦即，開口174a為平行於第一方向的短邊和平行於 第二方向的長邊。此時，第二堤部174在相鄰的不同顏色子像素R、G和B之間具有比第一堤部172更窄的寬度。
將參照圖3和圖4描述根據本發明實施例之電致發光顯示裝置的剖面結構。
圖3是根據本發明一實施例對應於圖2的I-I'線的剖面圖；以及圖4是根據本發明一實施例對應於圖2的II-II'線的剖面圖。
在圖3和圖4中，分別對應於紅色R、綠色G、藍色子像素B的複數個像素區域P和虛擬子像素區域DP界定在基板100上，並且緩衝層120、薄膜電晶體T、鈍化層150和保護層155依次形成在基板100上。
在此，薄膜電晶體T包括：閘極電極、半導體層以及源極電極和汲極電極，將於之後詳細介紹。
雖然圖中未示出，但一個或多個絕緣層可以進一步形成在緩衝層120與鈍化層150之間。
在每個像素區域P中，保護層155具有曝露薄膜電晶體T的一部分的汲極接觸孔155a，亦即汲極電極連同鈍化層150。
第一電極160形成在保護層155上的各像素區域P中，且虛擬電極164形成在保護層155上的虛擬子像素區域DP中。第一電極160通過汲極接觸孔155a接觸薄膜電晶體T的汲極電極。
另一方面，鈍化層150和保護層155在虛擬子像素區域DP中沒有汲極接觸孔，並且虛擬電極164在虛擬子像素區域DP中沒有連接於薄膜電晶體T。
同時，在虛擬子像素區域DP中的虛擬電極164和薄膜電晶體T形成為使得虛擬子像素區域DP中的頂面可以與像素區域P中的頂面大致上齊平。在虛擬子像素區域DP中，可以省略虛擬電極164和薄膜電晶體T的至少其中之一。
親水性第一堤部172形成在第一電極160和虛擬電極164上。第一堤部172重疊並覆蓋像素區域P的第一電極160的邊緣。第一堤部172形成在相鄰的相同顏色子像素R、G和B之間、以及相鄰的不同顏色子像素R、G和B之間。另外，第一堤部172可以在相鄰的不同顏色子像素R、G和B之間省略，並可以僅設置在相鄰的相同顏色子像素R、G和B之間。
此外，第一堤部172重疊並覆蓋虛擬子像素區域DP的虛擬電極164的邊緣。
第一堤部172可以由具有親水性的材料形成，例如，諸如氧化矽(SiO2)或氮化矽(SiNx)等無機絕緣材料。另外，第一堤部172可以由聚醯亞胺形成。
疏水性第二堤部174形成在第一堤部172上。第二堤部174具有比第一堤部172更厚的厚度。第二堤部174可以只形成在相鄰的不同顏色子像素R、G和B之間，而不形成在相鄰的相同顏色子像素R、G和B之間。第二堤部174的寬度比相鄰的不同顏色子像素R、G和B之間的第一堤部172的寬度窄。
第二堤部174具有對應於相同顏色子像素列的開口174a，並通過開口174a曝露相同顏色子像素列的第一電極160、以及相鄰第一電極160之間的第一堤部172。此外，開口174a延伸到與相同顏色子像素列相鄰的虛擬子像素區域DP中，並且虛擬電極164通過開口174a露出。
在此，當第一堤部172在相鄰的不同顏色子像素R、G和B之間省略時，第二堤部174接觸並重疊圖3之每個第一電極160的邊緣，並覆蓋圖3之每個第一電極160的邊緣。
第二堤部174可以由具有疏水性的有機絕緣材料形成。另外，第二堤部174可以由具有親水性的有機絕緣材料形成，並可以進行疏水處理。
第一堤部172和第二堤部174可以由相同的材料形成並形成為一體。此時，第一堤部172和第二堤部174可以通過半色調遮罩製程來形成。
發光層180形成在通過每個像素區域P中的第二堤部174的開口174a所曝露的第一電極160上。此處，紅色發光層形成在紅色子像素R中，綠色發光層形成在綠色子像素G中，而藍色發光層形成在藍色子像素B中。
另外，發光層180也形成在通過相鄰相同顏色子像素R、G和B之間的第二堤部174的開口174a所曝露的第一堤部172上。亦即，在圖4中，發光層180也形成在通過相鄰綠色子像素G之間的第二堤部174的開口174a所曝露的第一堤部172上。此時，第一堤部172上的發光層180在與其相鄰的每個像素區域P中連接於第一電極160上的發光層180，從而形成一體。
虛擬發光層180a形成在虛擬子像素區域DP中的虛擬電極164上。參照圖3，虛擬子像素區域DP的虛擬發光層180a沿第一方向與相鄰的像素區域P的發光層180間隔開，並且參照圖4，虛擬子像素區域DP的虛擬發光層180a沿第二方向連接至相鄰的像素區域P的發光層180，從而形成一體。
透過溶液製程形成發光層180。在此，透過不同噴嘴滴落到與例如綠色子像素列之相同顏色子像素對應的各個像素區域P中的溶液彼此連接，並且藉由乾燥該溶液來形成發光層180。因此，最小化噴嘴之間的滴落量的偏差，並且發光層180的厚度在各個像素區域P中可以一致。此時，虛擬發光層180a與發光層180同時形成。
透過溶液製程所形成之發光層180和虛擬發光層180a的高度隨著逐漸接近第二堤部174而圍繞第二堤部174上升。
接著，第二電極190形成在發光層180和虛擬發光層180a上。第二電極190也形成在第二堤部174的頂面和側面上。
第一電極160、發光層180和第二電極190構成發光二極體De。
根據本發明實施例的電致發光顯示裝置是頂部發光型顯示裝置，其中發光二極體De的光朝與基板100相反的方向輸出，即透過第二電極190輸出至外部。該頂部發光型顯示裝置可以比相同尺寸的底部發光型顯示裝置具有更寬的發光面積，從而提高亮度並降低功率消耗。
為了透射光，第二電極190可以由金屬材料形成以具有薄的厚度，或由透明導電材料形成。因此，第二電極190的電阻增大，且由於電阻而產生電壓下降，從而造成亮度不均勻的問題。
在本發明中，為了降低第二電極190的電阻，第二電極190電性連接於輔助電極。此時，第二電極190與輔助電極通過連接圖案電性連接，以提高連接圖案與第二電極190之間的電接觸性能，並在連接圖案中形成突出部。
將參照圖5至圖7描述根據本發明實施例之電致發光顯示裝置的配置。
圖5是根據本發明一實施例之電致發光顯示裝置的像素的平面示意圖，主要顯示一堤部配置。圖6和圖7是根據本發明實施例放大圖5之區域A1的平面圖。
在圖5、圖6和圖7中，根據本發明實施例之電致發光顯示裝置的一個像素包括沿第一方向依次排列的紅色R、綠色G和藍色子像素B。
此處，紅色R、綠色G、藍色B三個子像素的大小可能不同。紅色R、綠色G、藍色B三個子像素的大小藉由考量設置在每個子像素的發光二極體的壽命來決定。例如，綠色子像素G的大小可以大於紅色子像素R的大小，而 小於藍色子像素B的大小。
紅色R、綠色G和藍色子像素B和可以由第一堤部172和第二堤部174界定。
更具體地說，第一堤部172設置在相鄰相同顏色的子像素R、G和B之間及相鄰不同顏色的子像素R、G和B之間。第一堤部172可以包圍每個子像素R、G和B。
可替代地，可以在相鄰的不同顏色的子像素R、G和B之間省略第一堤部172。也就是說，第一堤部172可以沿垂直於第一方向的第二方向僅形成在相鄰的子像素R、G和B之間，並可以在第一方向上延伸。
接著，第二堤部174形成在第一堤部172上。第二堤部174具有對應於相同顏色子像素列的開口174a，並沿第一方向設置在相鄰的不同顏色子像素R、G和B之間。
第二堤部174大致上沿第二方向延伸，並且第二堤部174的至少一側具有沿第一方向延伸的延伸部174c。此時，延伸部174c可以沿第二方向設置在相鄰相同顏色子像素R、G和B之間，並可以與第一堤部172重疊。延伸部174c減少了第二堤部174的相鄰部分之間的距離，並在用於形成發光層的溶液製程中控制溶液的流動，從而使發光層均勻地形成。
延伸部174c的大小可以根據每個子像素R、G和B的大小而變化。
同時，第一堤部172和第二堤部174具有分別對應於至少一個延伸部174c的第一輔助接觸孔172b和第二輔助接觸孔174b。
第二輔助電極146和連接圖案162形成以對應於延伸部174c。連接圖案162通過第一輔助接觸孔172b和第二輔助接觸孔174b露出。
此外，雖然圖中未示出，但至少一個絕緣層可以形成在第二輔助電極146與連接圖案162之間。第二輔助電極146和連接圖案162通過形成該至少一個在絕緣層中的接觸孔彼此接觸。
同時，連接圖案162具有至少一個突出部162d。
如圖6所示，突出部162d可為點狀。另外，如圖7所示，突出部162d可以具有寬度和長度彼此不同的細長形狀。在這種情況下，突出部162d的長度可以與連接圖案162的長度相同。
較佳的是突出部162d的直徑或寬度為2μm~4μm。
雖然說明了突出部162d為一個，但突出部162d的數量不限於此。亦即，可以根據通過第一輔助接觸孔172b和第二輔助接觸孔174b曝露的連接圖案162的大小來形成複數個突出部。
此時，如果突出部162d過多，則會因顆粒而產生缺陷。因此，以下情況是有利的：複數個突出部162d的總尺寸小於通過第一輔助接觸孔172b和第二輔助接觸孔174b曝露的連接圖案162的尺寸5%。
同時，雖然圖中未示出，但圖3和圖4的第二電極190形成在第一堤部172和第二堤部174以及連接圖案162上，而且第二電極190透過連接圖案162電性連接於第二輔助電極146。
圖3和圖4中的發光層180的一部份可以形成在連接圖案162與第二電極190之間，因此可以降低連接圖案162與第二電極190之間的電接觸特性。但是，在本發明中，由於連接圖案162具有突出部162d，因此連接圖案162與第二電極190之間的距離減小，並可以改善連接圖案162與第二電極190之間的電接觸特性。
將參照圖8更詳細描述包含具有突出部162d的連接圖案162的電致發光顯示裝置的配置。
圖8是根據本發明實施例之電致發光顯示裝置的剖面示意圖，並顯示像素區域P和焊墊區域PA。像素區域P設置在顯示影像的顯示區域中，而焊墊區域PA設置在圍繞顯示區域的非顯示區域中。
在圖8中，諸如金屬的第一導電材料的遮光圖案112和第一輔助電極114形成在基板100上的像素區域P中。基板100可以是玻璃基板或塑料基板。例如，聚醯亞胺可以用於塑料基板，但不限於此。
遮光圖案112和第一輔助電極114可以由鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鎢(W)的至少其中之一或其合金形成，並可以具有單層結構或多層結構。例如，遮光圖案112和第一輔助電極114可以具有雙層結構，包括下層的鉬鈦合金(MoTi)和上層的銅(Cu)，並且上層的厚度可以比下層厚。
緩衝層120在大致基板100的整個表面上形成在遮光圖案112和第一輔助電極114上。緩衝層120可以由如氧化矽(SiO2)或氮化矽(SiNx)等的無機絕緣材料形成，並可以形成為單層或多層。
在此，緩衝層120在遮光圖案112上具有緩衝孔120a，而且遮光圖案112的上表面通過緩衝孔120a部分地露出。
半導體層122和電容器電極124被圖案化並形成在緩衝層120上。半導體層122和電容器電極124在遮光圖案112上彼此間隔開。遮光圖案112阻擋入射在半導體層122上的光，並防止半導體層122因該光而劣化。
半導體層122和電容器電極124可以由多晶矽形成，在這種情況下，半導體層122和電容器電極124的兩端可以摻入雜質。可替代地，半導體層122和電容器電極124可以由氧化物半導體材料形成。
絕緣材料的閘極絕緣層130和第二導電材料的閘極電極132依次形成在半導體層122上。閘極絕緣層130和閘極電極132設置以對應於半導體層122的中心。
閘極絕緣層130可以由如氧化矽(SiO2)或氮化矽(SiNx)等的無機絕緣材料形成。當半導體層122由氧化物半導體材料製成時，較佳的是，閘極絕緣層130由氧化矽(SiO2)形成。
可替代地，當半導體層122由多晶矽製成時，閘極絕緣層130可以由氧化矽(SiO2)或氮化矽(SiNx)形成。
閘極電極132可以由鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鎢(W)的其中至少之一或其合金形成，並可以具有單層結構或多層結構。例如，閘極電極132可以具有雙層結構，包括鉬鈦合金(MoTi)的下層和銅(Cu)的上層，並且上層可以具有比下層更厚的厚度。
如圖所示，閘極絕緣層130可以圖案化以具有與閘極電極132相同的形狀。此時，閘極絕緣層130的寬度可以大於閘極電極132的寬度，因此，可以曝露閘極絕緣層130的上表面的邊緣。另外，閘極絕緣層130的寬度可以與閘極電極132的寬度相同。
或者，閘極絕緣層130可以不圖案化，並可以大致形成在基板100的整體表面上方。
同時，閘極線(圖未示出)可以進一步由與閘極電極132相同的材料形成並與閘極電極132形成在相同的層上。
此外，閘極絕緣圖案131和第一焊墊電極134依次形成在焊墊區域PA中的緩衝層120上。閘極絕緣圖案131可以由與閘極絕緣層130相同的材料形 成，且第一焊墊電極134可以由與閘極電極132相同的材料形成。閘極絕緣圖案131可以圖案化以具有與第一焊墊電極134相同的形狀。此時，閘極絕緣圖案131的寬度可以大於第一焊墊電極134的寬度，並可以曝露閘極絕緣圖案131的上表面的邊緣。可替代地，閘極絕緣圖案131的寬度可以與第一焊墊電極134的寬度相同。
由絕緣材料製成的層間絕緣層140在大致基板100的整體表面上方形成在閘極電極132上。層間絕緣層140可以由諸如氧化矽(SiO2)或氮化矽(SiNx)的無機絕緣材料形成。可替代地，層間絕緣層140可以由諸如感光性丙烯酸類或苯並環丁烯的有機絕緣材料形成。
層間絕緣層140具有第一接觸孔140a、第二接觸孔140b、第三接觸孔140c和第四接觸孔140d。第一接觸孔140a和第二接觸孔140b曝露半導體層122的兩端。第三接觸孔140c部分地曝露遮光圖案112的上表面，並位於緩衝孔120a內。可替代地，可以省略緩衝孔120a，並且第三接觸孔140c可以形成在緩衝層120和層間絕緣層140中，以部分地曝露遮光圖案112的上表面。第四接觸孔140d形成在緩衝層120和層間絕緣層140中，以部分地曝露第一輔助電極114的上表面。
層間絕緣層140也形成在焊墊區域PA中的第一焊墊電極134上，並具有部分地曝露第一焊墊電極134的上表面的第五接觸孔140e。
由諸如金屬的第三導電材料製成的源極電極142、汲極電極144以及第二輔助電極146形成在層間絕緣層140上。源極電極142、汲極電極144和第二輔助電極146可以由鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鎢(W)的至少其中之一或其合金形成，並可以具有單層結構或多層結構。例如，源極電極142、汲極電極144和第二輔助電極146可以具有雙層結構，包括鉬鈦合金(MoTi)的下層和銅(Cu)的上層，並且上層的厚度可以比下層更厚。可替代地，源極電極142、汲極電極144和第二輔助電極146可以具有三層結構。
源極電極142和汲極電極144以位於其間的閘極電極132彼此間隔開。源極電極142和汲極電極144分別通過第一接觸孔140a和第二接觸孔140b接觸半導體層122的兩端。此外，汲極電極144通過第三接觸孔140c接觸遮光圖案112。電容器電極124與遮光圖案112和汲極電極144重疊，以形成儲存電容器。
同時，第二輔助電極146通過第四接觸孔140d接觸第一輔助電極114。
此外，資料線(圖未示出)和高壓供電線(圖未示出)可以進一步形成在層間絕緣層140上，並可以由第三導電材料製成。
半導體層122、閘極電極132以及源極電極142和汲極電極144形成薄膜電晶體T。薄膜電晶體T具有共面結構，其中，閘極電極132、源極電極142和汲極電極144相對於半導體層122位於同一側。
另外，薄膜電晶體T可以具有倒置交錯結構，其中，閘極電極、源極電極和汲極電極相對於半導體層位於不同側。也就是說，閘極電極可以設置在半導體層下方，而源極電極和汲極電極可以設置在半導體層上方。在這種情況下，半導體層可以由氧化物半導體或非晶矽形成。
薄膜電晶體T對應圖1的驅動薄膜電晶體Td，並且具有與驅動薄膜電晶體Td相同結構之圖1的開關薄膜電晶體Ts可以進一步形成在基板100上。驅動薄膜晶體的閘極電極132可以連接於開關薄膜電晶體的汲極電極，並且驅動薄膜電晶體的源極電極142連接於電源線。此外，開關薄膜電晶體的閘極電極和源極電極可以分別連接於閘極線和資料線。
此外，第二焊墊電極148形成在焊墊區域PA中的層間絕緣層140上。第二焊墊電極148由與源極電極142和汲極電極144相同的材料形成，並通過第五接觸孔140e與第一焊墊電極134接觸。
絕緣材料的鈍化層150在大致基板100的整個表面上方形成在源極電極142、汲極電極144以及第二輔助電極146上。鈍化層150可以由諸如氧化矽(SiO2)或氮化矽(SiNx)的無機絕緣材料形成。
接著，絕緣材料的保護層155在大致基板100的整個表面上方形成在鈍化層150上。保護層155可以由諸如感光性丙烯酸類或苯並環丁烯的有機絕緣材料形成。保護層155可以消除由下層所產生的高度差，並具有大致平坦的頂面。
此處，可以省略鈍化層150和保護層155中的一個。例如，可以省略鈍化層150，但不限於此。
鈍化層150和保護層155具有曝露汲極電極144的汲極接觸孔155a。此外，鈍化層150和保護層155具有曝露第二輔助電極146的第六接觸孔 155b。
同時，鈍化層150和保護層155也形成在焊墊區域PA中。焊墊區域PA的鈍化層150和保護層155具有曝露第二焊墊電極148的焊墊孔155c。此時，部份地去除焊墊區域PA的保護層155，從而曝露其下的鈍化層150。因此，形成在第二焊墊電極148上的各層之間的高度差降低，並且能夠方便與外部電路接觸。
第一電極160形成在像素區域P中的保護層155上，並由導電材料形成。第一電極160通過汲極接觸孔155a與汲極電極144接觸。
第一電極160包括第一層160a和第二層160b，而第二層160b設置在第一層160a與基板100之間，更特別地，設置在第一層160a與保護層155之間。
第一層160a由具有相對高工作函數的導電材料形成。例如，第一層160a可以由諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明導電材料形成。第二層160b由具有相對高反射率的金屬材料形成。例如，第二層160b可以由銀(Ag)形成。在此，第一層160a的工作函數高於第二層160b的工作函數。
第二層160b的厚度可以大於第一層160a的厚度。例如，第二層160b的厚度可以為80nm至100nm，而第一層160a的厚度可以為10nm至80nm。然而，本發明不限於此。
此外，第一電極160可以進一步包括在第二層160b與基板100之間的第三層160c，例如介於第二層160b與保護層155之間。第三層160c形成以改善第二層160b與保護層155之間的黏附性能，並且可以省略。例如，第三層160c可以由諸如ITO或IZO的透明導電材料形成，但不限於此。
第三層160c的厚度可以小於第二層160b的厚度，並可以小於等於第一層160a的厚度。例如，第三層160c的厚度可以為10nm，但不限於此。
此外，連接圖案162形成在保護層155上，並由與第一電極160相同的材料形成。因此，連接圖案162可以包括第一層162a、第二層162b和第三層162c。此時，第二層162b設置在第一層162a與第三層162c之間，而第三層162c設置在第二層162b與基板100之間，更具體地說，設置在第二層162b與保護層155之間。連接圖案162通過第六接觸孔155b與第二輔助電極146接觸。
連接圖案162包括至少一個突出部162d和第六接觸孔155b中的平坦部。該坦平部對應於不包含突出部162d的部分。突出部162d的高度高於平 坦部的高度。
此處，連接圖案162的第一層162a和第三層162c具有與突出部162d對應的孔。因此，第二層162b的下表面可以通過第三層162c的孔與第二輔助電極146接觸。此外，第二層162b的上表面通過第一層162a的孔在上方突出，從而形成連接圖案162的突出部162d。亦即，連接圖案162的第二層162b具有突出部162d。
同時，如上所述，當省略第一電極160的第三層160c並將第一電極160配置為雙層時，也省略連接圖案162的第三層162c。
絕緣材料的堤部形成在第一電極160上。該堤部包括親水性第一堤部172和疏水性第二堤部174。
更特別地，第一堤部172重疊並覆蓋第一電極160的邊緣，並曝露第一電極160的中心部分。此外，第一堤部172也形成在連接圖案162上，並重疊並覆蓋連接圖案162的邊緣。第一堤部172具有曝露連接圖案162的中心部分的第一輔助接觸孔172b。
第一堤部172由具有親水性的材料形成，例如，氧化矽(SiO2)或氮化矽(SiNx)等無機絕緣材料。可替代地，第一堤部172可以由聚醯亞胺形成。
同時，第一堤部172也可以形成在焊墊區域PA中。移除第一堤部172以對應於焊墊孔155c，從而曝露第二焊墊電極148。
第二堤部174形成在第一堤部172上。此時，第二堤部174的至少一上表面是疏水性的，而第二堤部174的一側表面可以是疏水性的或親水性的。
第二堤部174具有曝露第一電極160的中心部分的開口。如上所述，第二堤部174的開口可以形成以對應於相同顏色子像素列。
第二堤部174設置在第一堤部172上，且第二堤部174寬度比第一堤部172窄，並曝露第一堤部172的邊緣。此外，第二堤部174的厚度可以大於第一堤部172的厚度。
第二堤部174可以由具有疏水性的有機絕緣材料形成。可替代地，第二堤部174可以由具有親水性的有機絕緣材料形成，並可以進行疏水處理。
此外，第二堤部174具有與第一輔助接觸孔172b對應的第二輔助接觸孔174b。連接圖案162通過第一輔助接觸孔172b和第二輔助接觸孔174b露 出。
在一些像素區域中，可以省略連接圖案162以及第一輔助接觸孔172b和第二輔助接觸孔174b。
同時，只有第一堤部172可以設置在圖中未示出的第一電極160的其他邊緣上。
此外，在圖8中，第一堤部172和第二堤部174由不同的材料形成，並且彼此分離。然而，親水性第一堤部172和疏水性第二堤部174可以由相同的材料形成並形成為一體。
發光層180形成在由第一堤部172和第二堤部174曝露的第一電極160上。發光層180可以包括依次位於第一電極160上方的第一電荷輔助層182、發光材料層184和第二電荷輔助層186。發光材料層184可以由紅色、綠色和藍色發光材料中的任何一種形成，但不限於此。發光材料可以是有機發光材料，如磷光化合物或螢光化合物，也可以是無機發光材料，如量子點。
第一電荷輔助層182可以是電洞輔助層，且該電洞輔助層可以包括電洞注入層(HIL)和電洞傳輸層(HTL)的至少其中之一。此外，第二電荷輔助層186可以是電子輔助層，且該電子輔助層可以包括電子注入層(EIL)和電子傳輸層(ETL)的至少其中之一。然而，本發明不限於此。
在此，第一電荷輔助層182和發光材料層184各自通過溶液製程來形成。因此，可以簡化製程，並可以提供一種大尺寸、高解析度的顯示裝置。可以使用旋轉塗佈法、噴墨印刷法或絲網印刷法，作為溶液製程，但本發明不限於此。當乾燥溶液時，在與第二堤部174相鄰的區域中的溶劑的乾燥速度與其他區域的乾燥速度不同。也就是說，在與第二堤部174相鄰的區域中的溶劑的乾燥速度比其他區域的乾燥速度快。因此，在與第二堤部174相鄰的區域中之第一電荷輔助層182和發光材料層184的各自高度可以隨著接近第二堤部174而上升。
另一方面，第二電荷輔助層186通過熱蒸鍍製程來形成。因此，第二電荷輔助層186大致上形成在基板100的整個表面上方。亦即，第二電荷輔助層186形成在第二堤部174的上表面和側表面上，且也形成在連接圖案162上。此時，第二電荷輔助層186在連接圖案162的突出部162d上具有相對較薄的厚度。亦即，連接圖案162的突出部162d上的第二電荷輔助層186的厚度小於連接圖案162的平坦部上的第二電荷輔助層186的厚度。
具有相對較低工作函數的導電材料的第二電極190在大致基板100的整個表面上方形成在發光層180、第二堤部174和連接圖案162上。第二電極190可以由鋁(Al)、鎂(Mg)、銀(Ag)或其合金形成。此時，第二電極190具有相對較薄的厚度，使得來自發光層180的光可以從其中透射。例如，第二電極190可以具有5nm至10nm的厚度。
可替代地，第二電極190可以由透明的導電材料形成，例如氧化銦鎵(IGO)或氧化銦鋅(IZO)，但不限於此。
第二電極190通過第一輔助接觸孔172b和第二輔助接觸孔174b電性連接於連接圖案162。此時，第二電極190與連接圖案162的突出部162d之間的距離小於第二電極190與連接圖案162的平坦部之間的距離。因此，由於連接圖案162的突出部162d，可以改善第二電極190與連接圖案162之間的電接觸特性。在此，第二電極190可以直接與連接圖案162的突出部162d接觸。
第一電極160、發光層180和第二電極190構成發光二極體De。第一電極160可以作為陽極，而第二電極190可以作為陰極，但不限於此。
如上所述，根據本發明實施例的電致發光顯示裝置可以是頂部發光型，其中從發光二極體De的發光層180發出的光朝與基板100相反的方向輸出，即透過第二電極190輸出至外部。頂部發光型顯示裝置可以比相同尺寸的底部發光型顯示裝置具有更寬的發光面積，從而提高亮度並降低功率消耗。
此時，每個像素區域P的發光二極體De可以具有與發光的波長相對應的微共振腔效應的元件厚度，從而提高光效率。
同時，雖然圖中未示出，但保護層可以在大致基板100的整個表面的上方形成在第二電極190上。該保護層可以由具有相對高折射率的絕緣材料形成。通過表面等離子體共振，可以放大沿該保護層傳播的光的波長，因此提高峰值的強度，從而提高頂部發光型電致發光顯示裝置的光效率。例如，該保護層可以形成為有機層或無機層的單層，或者形成為有機/無機疊層。
如上所述，在根據本發明實施例的電致發光顯示裝置中，藉由透過溶液製程形成部分發光層180，來省略遮罩從而降低製造成本，並可以實現大尺寸、高清晰度的顯示裝置。
此外，根據本發明實施例的電致發光顯示裝置可以實施為頂部發光型，從而提高了亮度，降低了功率損耗。在此，由於為了透射光，第二電 極190形成以具有相對較薄的厚度，因此可以增加第二電極190的電阻，但可以藉由透過連接圖案162將第二電極190連接於第一輔助電極114和第二輔助電極146，來降低第二電極190的電阻。此時，藉由在連接圖案162中形成突出部162d，可以改善第二電極190與連接圖案162之間的電接觸特性。
將參照圖9A至圖9H詳細描述根據本發明實施例之電致發光顯示裝置的製造方法。
圖9A至圖9H是示意性地說明根據本發明實施例之電致發光顯示裝置的製造方法的橫截面圖，並顯示像素區域P和焊墊區域PA。圖10A和圖10B是顯示根據本發明實施例之連接圖案的孔和突出部的掃描電子顯微鏡(SEM)圖片。
在圖9A中，遮光圖案112和第一輔助電極114形成在基板100上的像素區域P中，藉由沉積第一導電材料並通過第一遮罩製程將其圖案化來界定基板100上的像素區域P和焊墊區域PA。
接著，緩衝層120藉由在大致基板100的整個表面上方沉積無機絕緣材料，形成在遮光圖案112和第一輔助電極114上、並且通過第二遮罩製程來圖案化，從而形成部分地曝露遮光圖案112的上表面的緩衝孔120a。
然後，半導體層122和電容器電極124藉由沉積半導體材料並通過第三遮罩製程將其圖案化，形成在緩衝層120上。半導體層122和電容器電極124在遮光圖案112上方彼此間隔開。
半導體材料可以是多晶矽，且在這種情況下，半導體層122和電容器電極124的兩端可以在後續摻入雜質。可替代地，該半導體材料可以由氧化物半導體材料形成。
藉由在半導體層122和電容器電極124上依次沉積無機絕緣材料和第二導電材料、並通過第四遮罩製程將它們圖案化，來形成閘極絕緣層130和閘極電極132。閘極絕緣層130和閘極電極132設置以對應於半導體層122的中心。此外，閘極絕緣圖案131和第一焊墊電極134形成在焊墊區域PA中的緩衝層120上。
然後，層間絕緣層140藉由在大致基板100的整個表面上方沉積無機絕緣材料或塗佈有機絕緣材料，形成在閘極電極132和第一焊墊電極134上，並通過第五遮罩製程來圖案化，從而形成第一接觸孔140a、第二接觸孔 140b、第三接觸孔140c、第四接觸孔140d和第五接觸孔140e。此時，還可以選擇性地去除緩衝層120。
第一接觸孔140a和第二接觸孔140b曝露半導體層122的兩端。第三接觸孔140c部分地曝露與緩衝孔120a對應的遮光圖案112的上表面。於此，可以省略緩衝孔120a，並且第三接觸孔140c可以形成在緩衝層120和層間絕緣層140中，以部分地曝露遮光圖案112的上表面。在這種情況下，省略第二個遮罩製程。另外，第四接觸孔140d形成在緩衝層120和層間絕緣層140中，以部分地曝露第一輔助電極114的上表面。第五接觸孔140e部分地曝露第一焊墊電極134的上表面。
接著，源極電極142和汲極電極144和第二輔助電極146藉由沉積第三導電材料並通過第六遮罩製程將其圖案化，形成在層間絕緣層140上。此外，第二焊墊電極148形成在焊墊區域PA中。
源極電極142和汲極電極144分別通過第一接觸孔140a和第二接觸孔140b與半導體層122的兩端接觸。此外，汲極電極144通過第三接觸孔140c接觸遮光圖案112，並重疊於電容器電極124。
同時，第二輔助電極146通過第四接觸孔140d接觸第一輔助電極114。此外，第二焊墊電極148通過第五接觸孔140e接觸第一焊墊電極134。
半導體層122、閘極電極132、源極電極142和汲極電極144形成薄膜電晶體T。電容電極124重疊於遮光圖案112和汲極電極144，以形成儲存電容器。
接著，在圖9B中，鈍化層150藉由沉積無機絕緣材料，形成在源極電極142和汲極電極144、第二輔助電極146和第二焊墊電極148上，而保護層155藉由塗佈有機絕緣材料，形成在鈍化層150上。然後，通過第七道遮罩製程圖案化鈍化層150和保護層155，從而形成汲極接觸孔155a、第六接觸孔155b和焊墊孔155c。
汲極接觸孔155a部分地曝露汲極電極144，第六接觸孔155b曝露第二輔助電極146，並且焊墊孔155c曝露第二焊墊電極148。
在此，說明了鈍化層150和保護層155透過相同的遮罩製程來圖案化，但鈍化層150和保護層155可以透過不同的遮罩製程來圖案化。亦即，在鈍化層150可以藉由沉積無機絕緣材料來形成且可以透過遮罩製程來圖案化之 後，保護層155可以藉由塗佈有機絕緣材料來形成，並可以透過另一個遮罩製程來圖案化。
接下來，如圖9C和圖9D所示，第一電極160和連接圖案162透過第八遮罩製程在保護層155上來形成。
首先，在圖9C中，第一導電層1601、第二導電層1602和第三導電層1603在大致基板100的整個表面上方依次沉積在保護層155上，並且。此處，第二導電層1602由銀(Ag)形成。此外，第一導電層1601和第三導電層1063可以由ITO或IZO形成，但不限於此。
然後，光阻圖案200形成在第三導電層1603上。光阻圖案200形成在薄膜電晶體T和第二輔助電極146上，並重疊於汲極接觸孔155a和第六接觸孔155b。同時，對應於第六接觸孔155b的光阻圖案200部分地曝露第三導電層1603的上表面。
接下來，藉由使用光阻圖案200作為蝕刻遮罩來去除曝露的第一導電層1601、第二導電層1602和第三導電層1603。此時，可以透過使用批量蝕刻劑的濕式蝕刻方法來去除第一導電層1601、第二導電層1602和第三導電層1603。可替代地，可以使用不同的蝕刻劑來去除第一導電層1601、第二導電層1602和第三導電層1603。然後，去除光阻圖案200。
因此，如圖9D所示，第一電極160和連接圖案162形成在保護層155上。第一電極160和連接圖案162中的每一個都包括：第一層160a和162a、第二層160b和162b、以及第三層160c和162c。第二層160b和162b設置在第一層160a和162a與第三層160c和162c之間，而第三層160c和162c設置在第二層160b和162b與保護層155之間。第一層160a和162a對應於圖9C的第三導電層1603，第二層160b和162b對應於圖9C的第二導電層1602，而第三層160c和162c對應於圖9C的第一導電層1601。
在此，第一電極160通過汲極接觸孔155a與汲極電極144接觸，而連接圖案162通過第六接觸孔155b與第二輔助電極146接觸。
同時，連接圖案162包括第六接觸孔155b中的至少一個孔162e，且第二輔助電極146的上表面通過孔162e部份地露出。圖10A是顯示孔162e的SEM圖。
接著，在圖9E中，親水性第一堤部172藉由沉積絕緣材料並通過 第九遮罩製程將其圖案化，形成在第一電極160和連接圖案162上。第一堤部172重疊並覆蓋第一電極160的邊緣，且曝露第一電極160的中心部分。此外，第一堤部172重疊並覆蓋連接圖案162的邊緣。第一堤部172具有曝露連接圖案162的中心部分的第一輔助接觸孔172b。
同時，移除第一堤部172以對應於焊墊孔155c，從而曝露第二焊墊電極148。
接著，在圖9F中，疏水性第二堤部174藉由塗佈有機材料並透過第十遮罩製程將其圖案化，形成在第一堤部172上。
更特別的是，在藉由塗佈有機材料形成堤部材料層(圖未示出)之後，光罩(圖未示出)設置在堤部材料層上方，且通過該光罩將堤部材料層曝露於光下。此時，堤部材料層可以是負型感光型，其中，曝露於光下的部分在顯影後仍然存在。然後，將曝露於光下的堤部材料層顯影，並去除未曝露於光下的部分，從而形成第二堤部174。然而，本發明並不限於此，堤部材料層可以是正型感光型，其中未曝露於光下的部分在顯影後仍然存在。
接下來，對第二堤部174進行烘烤。此時，可以藉由在烤箱中以約攝氏230度的溫度加熱其上形成有第二堤部174的基板100約1小時，來烘烤第二堤部174。
同時，由於在第二堤部174烘烤時所產生的熱量，發生了在連接圖案162的第二層162b的材料中的遷移現象。因此，第二層162b的材料被遷移，並突出於圖9E的孔162e上方，從而形成突出部162d。圖10B是顯示突出部162d的SEM圖。
在本發明中，描述了透過不同的光罩製程來形成親水性第一堤部172和疏水性第二堤部174，但可以透過相同的光罩製程來形成第一堤部172和第二堤部174。例如，在有機材料層可以大致形成在基板100的整個表面上方之後，有機材料層可以使用半色調遮罩曝露於光下，並可以被圖案化，該半色調遮罩包括：透光部分、遮光部分和半透光部分，從而形成親水性第一堤部172和疏水性第二堤部174。
接著，在圖9G中，第一電荷輔助層182藉由滴入第一溶液並使其乾燥，形成在透過第二堤部174曝露的第一電極160上。第一電荷輔助層182的至少一個側表面被第二堤部174包圍。當第一溶液乾燥時，在相鄰於第二堤部174 的區域中的溶劑的乾燥速度不同於其他區域的乾燥速度，因此在相鄰於第二堤部174的區域中的第一電荷輔助層182的高度隨著接近第二堤部174而上升。
第一充電輔助層182可以是電洞注入層(HIL)及/或電洞傳輸層(HTL)。
然後，發光材料層184藉由滴入第二溶液並將其乾燥，形成在第一電荷輔助層182上。第二堤部174的至少一個側表面被發光材料層184包圍。當第二溶液乾燥時，在相鄰於第二堤部174的區域中的溶劑的乾燥速度不同於其他區域的乾燥速度，因此在相鄰於第二堤部174的區域中的發光材料層184的高度隨著接近第二堤部174而上升。
接著，第二電荷輔助層186藉由沉積有機材料及/或無機材料，形成在發光材料層184上。第二電荷輔助層186大致形成在基板100的整個表面上方。因此，第二電荷輔助層186也形成在第二堤部174和連接圖案162上。
此時，第二電荷輔助層186在連接圖案162的突出部162d上具有相對較薄的厚度。第二電荷輔助層186可以具有曝露突出部162d的孔(圖未示出)。
第二電荷輔助層186可以是電子注入層(EIL)及/或電子傳輸層(ETL)。
第一電荷輔助層182、發光材料層184和第二電荷輔助層186構成發光層180。
接著，在圖9H中，第二電極190藉由沉積諸如金屬的導電材料，形成在第二電荷輔助層186上。第二電極190大致形成在基板100的整個表面上方。因此，第二電極190也形成在第二堤部174和連接圖案162上。
第二電極190透過第一輔助接觸孔172b和第二輔助接觸孔174b電性連接於連接圖案162。此時，第二電荷輔助層186設置在第二電極190與連接圖案162之間，並且因為第二電荷輔助層186由於突出部162d在連接圖案162的突出部162d上具有相對較薄的厚度，因此第二電極190與連接圖案162的突出部162d之間的距離小於第二電極190與連接圖案162的平坦部之間的距離。因此，由於連接圖案162的突出部162d，可以改善第二電極190與連接圖案162之間的電接觸特性。在此，第二電極190可以直接與連接圖案162的突出部162d接觸。
第一電極160、發光層180和第二電極190構成發光二極體De。第 一電極160可以作為陽極，而第二電極190可以作為陰極。
如上所述，在根據本發明實施例的電致發光顯示裝置中，當形成第一電極160和連接圖案162時，圖9E的孔162e形成在連接圖案162中，並且當烘烤第二堤部174時，突出部162d透過遷移現象形成在連接圖案162中。因此，藉由透過具有突出部162d的連接圖案162將第二電極190與第一輔助電極114和第二輔助電極146電性連接，可以在不增加製程的情況下，改善第二電極190與連接圖案162之間的電接觸特性。
亦即，在連接圖案162的突出部162d上的第二電荷輔助層186的厚度小於在連接圖案162的平坦部上的第二電荷輔助層186的厚度。
在本發明中，藉由透過溶液製程形成各子像素的發光層，省略了遮罩，從而降低了製造成本，並可以實現大尺寸、高清晰度的顯示裝置。
另外，例如，將相同顏色子像素之在沿一個方向相鄰的像素區域中的發光層彼此連接並形成一體，從而減少或最小化噴嘴之間滴落量的偏差，並且均勻地形成子像素的發光層的厚度。因此，防止了浪費的發生，從而有效地防止顯示裝置的影像品質降低。
而且，將第二電極連接於輔助電極，從而降低了第二電極的電阻，並且突出部形成在連接圖案中用於連接第二電極和輔助電極，從而提高了第二電極與連接圖案之間的電接觸性能。
對於所屬技術領域具有通常知識者來說，顯而易見的是，在不脫離實施例的精神或範圍的情況下，可以在本發明的裝置中進行各種修改和變化。因此，本發明的目的是涵蓋本發明的修改和變型，只要這些修改和變型在所附請求項及其均等的範圍內。
本申請主張於2019年12月6日在大韓民國提交的韓國專利申請第10-2019-0161471號的優先權，該申請案透過引用以其整體併入本發明中。
172:第一堤部
174:第二堤部
174a:開口
B:藍色子像素
DA:顯示區域
DP:虛擬子像素區域
G:綠色子像素
NDA:非顯示區域
R:紅色子像素

Claims (16)

  1. 一種電致發光顯示裝置，包括：
    一基板；
    一第一電極，位於該基板上；
    一連接圖案，位於該基板上並與該第一電極間隔開；
    一堤部，覆蓋該第一電極的邊緣和該連接圖案的邊緣；
    一發光層，位於該第一電極上；以及
    一第二電極，位於該發光層、該堤部和該連接圖案上，
    其中，該連接圖案包括至少一個突出部和一平坦部，以及
    其中，該第一電極和該連接圖案中的每一個包括一第一層和一第二層，該第二層位於該基板與該第一層之間，並且該連接圖案的該第二層具有該至少一個突出部。
  2. 如請求項1所述的電致發光顯示裝置，其中，該第二電極與該至少一個突出部直接接觸。
  3. 如請求項1所述的電致發光顯示裝置，其中，該第二電極與該至少一個突出部分之間的距離小於該第二電極與該平坦部之間的距離。
  4. 如請求項1所述的電致發光顯示裝置，其中，該連接圖案的該第一層具有與該突出部對應的一孔。
  5. 如請求項4所述的電致發光顯示裝置，其中，該突出部為點狀或細長形狀。
  6. 如請求項1所述的電致發光顯示裝置，其中，該第一層的工作函數高於該第二層的工作函數。
  7. 如請求項6所述的電致發光顯示裝置，其中，該第二層由銀形成。
  8. 如請求項1所述的電致發光顯示裝置，其中，該第一電極和該連接圖案中的每一個還包括該第二層與該基板之間的一第三層。
  9. 如請求項1所述的電致發光顯示裝置，其中，該發光層包括一電洞輔助層、一發光材料層和一電子輔助層，該電洞輔助層和該發光材料層中的每一個的至少一側表面被該堤部包圍，並且該電子輔助層的一部分設置在該堤部與該第二電極之間以及該連接圖案與該第二電極之間。
  10. 如請求項1所述的電致發光顯示裝置，進一步包括在該基板與該第一電極之間的至少一個薄膜電晶體，其中，該第一電極連接到該至少一個薄膜電晶體。
  11. 如請求項1所述的電致發光顯示裝置，其中，該堤部包括一親水性第一堤部和一疏水性第二堤部。
  12. 如請求項11所述的電致發光顯示裝置，其中，該第一堤部和該第二堤部形成為一體。
  13. 如請求項11所述的電致發光顯示裝置，其中，在沿一個方向相鄰的像素區域中的發光層彼此連接，從而形成一體。
  14. 一種製造電致發光顯示裝置的方法，包括：
    在一基板上形成一第一電極和一連接圖案；
    在該第一電極和該連接圖案上形成一堤部；
    在該第一電極上形成一發光層；以及
    在該發光層、該堤部和該連接圖案上形成一第二電極，
    其中，該連接圖案包括至少一個突出部和一平坦部，以及
    其中，該第一電極和該連接圖案中的每一個包括一第一層和一第二層，該第二層設置在該基板與該第一層之間，並且該連接圖案的該第二層具有該至少一個突出部。
  15. 如請求項14所述的方法，其中，形成該第一電極和該連接圖案包括在該連接圖案中形成至少一個孔，以及
    其中，形成該堤部包括藉由遷移該連接圖案的材料通過該至少一個孔，來形成該至少一個突出部。
  16. 如請求項14所述的方法，其中，該第二電極與該至少一個突出部之間的距離小於該第二電極與該平坦部之間的距離。
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